KR20030009301A - 다가의, 자기 저항 기록/판독 메모리 및 상기 메모리의기록 및 판독 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다가의 자기 저항 기록/판독 메모리(10)에 관한 것이다. 상기 메모리(10)는 하나 이상의 메모리 셀(11)을 포함하고, 각각의 메모리 셀(11)은 교차하는 2개의 전기 도체(12, 13) 및 상기 전기 도체(12, 13)의 교차점에 배치된 자기 층 시스템을 포함한다. 상응하는 메모리 용량 및 최상의 기록 및 판독 특성을 가진 다가의 메모리(10)를 형성하기 위해, 본 발명에 따라 상기 층 시스템은 2 이상의 자기 층(31, 32) 및 그 사이에 배치된 터널 유전층(35)으로 이루어진 다층 시스템(30)으로 형성되고, 적어도 2개의 자기 층, 최대로 모든 자기 층(31, 32)이 서로 무관하게 세팅될 수 있는 자화 방향(33, 34)을 가지며, 개별 층(31, 32)내의 자화 방향(33, 34)은 전기 도체(12, 13)를 통해 흐르는 전류에 의해 변동되거나 또는 변동될 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 메모리(10)를 기록 및 판독하기 위한 방법에 관한 것이다.
Description
MRAM 메모리(magnetoresistive random access memory)라 하는 자기 저항 판독/기록 메모리로는 하나의 어드레스 하에 데이터를 저장하고 다시 판독할 수 있는 메모리가 있다. 상기 메모리는 일반적으로 하나 이상의 메모리 셀을 포함하며, 메모리 효과는 메모리 셀(들)의 자기적으로 변동 가능한 전기 저항에서 주어진다.
지금까지는 자기 저항 메모리에 2진 메모리 내용을 가진 소위 1가 메모리 셀을 사용하는 것이 개발되었다. 상기 메모리 셀은 2개의 교차된, 바람직하게는 서로 수직으로 배치된 전기 도체로 이루어진다. 상기 도체들의 교차점에는 2개의 자기 층으로 이루어진 층 시스템이 배치된다. 상기 층들 중 하나는 연질 자기 재료로 형성되고, 다른 층은 경질 자기 재료로 형성된다. 자기 층들 사이에는 터널 산화물이 배치된다. 이러한 메모리 셀은 도면 설명에서 도 1과 관련해서 설명된다.자화 상태에 따라 자기 층 내의 자화 방향이 평행하거나 또는 반대 방향으로 평행하게(antiparallel) 배열될 수 있다. 자기 층 내의 자화 방향에 따라 메모리 셀은 상이한 전기 저항을 갖는다. 평행한 자화 방향은 메모리 셀의 낮은 전기 저항을 야기하는 한편, 반대 방향으로 평행한 자화 방향은 높은 저항을 야기한다.
이러한 메모리 셀의 기록 또는 이러한 메모리 셀에 정보의 저장에 있어서, 지금까지는 메모리 셀의 연질 자기 재료만이 자화 전환되는 한편, 경질 자기 재료는 자화 전환되지 않는다는 사실이 전제되었다. 상기 자화 전환은 2개의 전기 도체에 동시에 높은 전류가 인가됨으로써 이루어진다. 상기 전류에 의해 상기 두 도체의 교차점에 생긴 자계는 거기서 연질 자기 층의 자화 전환을 위한 충분히 높은 필드 세기를 갖는다.
그러나, 이러한 1가의 메모리 셀은 여러 단점을 갖는다. 먼저, 그 메모리 용량은 2진 메모리 내용으로 인해 제한된다. 따라서, 많은 양의 정보를 저장하기 위해 많은 수의 메모리 셀이 필요하다. 이것은 전체 메모리에 대한 큰 표면 요구를 야기한다.
메모리 셀의 판독은 예컨대 상응하는 저항 측정을 통해 이루어질 수 있다. 메모리 셀의 정보 내용이 변하면, 그 전기 저항도 변한다. 이러한 변동된 저항 또는 이러한 저항 변동이 측정될 수 있다.
자기 저항 메모리로부터 정보를 판독하는, 다른 공지된 방법으로는 전압 펄스 또는 전류 펄스를 이용한 소위 "파괴 판독"이 있다. 이 방법은 원칙적으로 특정 정보가 메모리 셀에 기록되는 기록 과정이다. 여기서는 메모리 셀의 정보 내용변동이 있는지 또는 없는지에 따라, 상응하는 판독 라인에서 전류 펄스 또는 전압 펄스, 또는 상기 펄스의 없음이 검출될 수 있다. 각각의 판독 과정은 셀의 정보 손실을 초래한다. 이러한 손실을 보상하기 위해, 판독된 정보는 판독 과정의 종료 후에 다시 메모리 셀에 재기록된다.
효율적인 메모리 시스템을 얻기 위해 1가 메모리 셀의 필요한 표면 증가의 문제와 관련해서, 다가의 메모리 개념이 개발되었으나, 상기 다가의 메모리 개념은 지금까지는 MRAM과는 다른 타입의 메모리에만 적용되었다. 이러한 타입의 메모리로는 예컨대 전기로 기록 및 소거될 수 있는 EEPROM(electrically erasable PROM)이 있다. 여기서는 연속하는 값 범위의 특정 부분 범위가 이산 상태로 동일하게 세팅된다. 이러한 할당은 MRAM-메모리 셀에서는 이루어질 수 없는데, 그 이유는 연속적으로 변동 가능한 정보의 저장이 불가능하기 때문이다. 즉, MRAM-메모리 셀은 원칙적으로 유한 수의 이산 상태를 가진 시스템이다. 따라서, 상기 EEPROM과 관련한 다가 개념은 자기 저항 메모리에 적용될 수 없다.
다가 구조와 관련해서, 미국 특허 제 5,585,986호에는 자기 데이터 메모리 시스템을 판독하기 위한 디지탈 자기 저항 센서가 공지되어 있다. 상기 센서는 다층 구조물을 포함하며, 상기 구조물의 전기 저항이 측정된다. 다층 구조물은 소수의 강자성 층으로 이루어진다. 자기 모멘트 및 그에 따라 개별 층의 자화 방향은 상응하는 데이터 캐리어에 의해 발생되는 외부 자계에 의해 영향을 받는다. 다층 구조물의 강자성 층의 자화 방향은 상이한 자계 세기를 기초로 서로 무관하게 세팅될 수 있다. 따라서, 외부 자계가 변함으로써, 디지탈 출력 신호가 생기면, 센서의 저항은 단계적으로 변동된다.
본 발명은 청구항 제 1항의 전제부에 따른 자기 저항 기록/판독 메모리에 관한 것이다. 본 발명은 또한 청구항 제 7항의 전제부에 따른 상기 메모리의 기록 방법 및 청구항 제 11항의 전제부에 따른 상기 메모리의 판독 방법에 관한 것이다.
도 1a은 선행 기술에 따른 자기 저항 메모리 셀의 사시도.
도 1b는 도 1a에 따른 메모리 셀의 횡단면도.
도 1c는 도 1a에 따른 메모리 셀의 회로도.
도 2는 본 발명에 따른 다가의, 여기서는 2가의 메모리 셀의 제 1 실시예의 횡단면도로서, a) 내지 d)는 여러 가지 자화상태를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 다가의 메모리 셀의 제 2 실시예의 횡단면도.
본 발명의 목적은 선행 기술의 단점 및 문제점이 피해지는 자기 저항 기록/판독 메모리 및 상기 메모리의 기록 및 판독 방법을 제공하는 것이다. 특히, 가능한 표면 절약과 관련해서 개선된 MRAM 메모리 및 상기 MRAM 메모리를 기록 및 판독하기 위해 적합한 방법을 제공하는 것이다.
메모리와 관련한 상기 목적은 본 발명에 따라 하나 이상의 메모리 셀을 포함하며, 각각의 메모리 셀은 2개의 교차하는 전기 도체 및 상기 전기 도체의 교차점에 있는 자기 층으로 이루어진 층 시스템을 포함하는, 자기 저항 기록/판독 메모리에 있어서, 상기 층 시스템이 2개 이상의 자기 층을 가진 다층 시스템으로 형성되고, 2개 이상의 자기 층, 최대로 모든 자기 층이 서로 무관하게 세팅될 수 있는 자화 방향을 가지며, 개별 층 내의 상기 자기 방향은 전기 도체를 통해 흐르는 전류로 인해 변동되거나 변동될 수 있음으로써 달성된다.
따라서, 하나 이상의 다가의 메모리 셀 및 상응하게 높은 메모리 용량을 가진 다가의 메모리가 형성된다. 또한, 상기 메모리 또는 적어도 하나의 메모리 셀은 간단한 방식으로 기록 및/또는 판독될 수 있다.
본 발명에 따른 메모리 또는 상기 메모리를 형성하는 메모리 셀 또는 메모리 셀들의 기본 특징은 2개의 전기 도체의 교차점에 n (n≥2) 자기 층을 가진 다층 시스템이 사용된다는 것이다. m (n ≥ m ≥2) 층 내에서 자화 방향은 다른 층 내의 자화 방향과 무관하게 세팅될 수 있다. 1가의 메모리에서는 단 하나의 자기 층의자화 방향이 세팅되는 한편, 본 발명에 따른 다가의 메모리에서는 임의의 수의 자기 층의 자화 방향이 세팅될 수 있다. 자기 층의 수는 필요 및 용도에 따라 변할 수 있으므로, 본 발명은 특정 수의 층에 국한되지 않는다. 유사한 다층 시스템이 미국 특허 제 5,585,986호에 공지되어 있다.
본 발명에 따른 메모리의 다른 특징은 개별 층 내의 자화 방향이 전기 도체를 통해 흐르는 전류에 의해 변동되거나 변동될 수 있다는 것이다.
개별 자기 층의 자화 방향을 서로 무관하게 세팅하기 위해서는 개별 층의 자화 방향 세팅(자화 전환)이 상이한 필드 세기 또는 도체 내의 전류에서 이루어져야 한다.
미국 특허 제 5,585,986호에서는 다층 시스템이 결정 구조를 가지며 개별 층들이 상이한 결정 대칭 및 그에 따라 자기 이방성을 가지게 함으로써, 상기 요구를 충족시켰다. 또한, 상기 층들은 상이한 두께 및 층 형태를 갖는다. 다층 시스템이 특정 필드 세기를 가진 자계에 노출되면, 개별 층 또는 다수 층의 자화 방향이 인가된 자계의 세기로 인해 그리고 각 층의 특별한 디자인으로 인해 변경되거나 변경되지 않는다. 이러한 시스템은 다층 시스템의 복잡한 제조 공정으로 인해 매우 복잡하고 많은 비용을 필요로 한다.
본 발명에 따른 자기 저항 메모리에 의해 다른 방법이 개발된다. 이 방법은 실질적으로 동일한 구조 및 형태를 가진 자기 층의 제조를 가능하게 한다. 개별 층의 자화 방향의 개별 세팅은 상이한 전류 세기에 의한 상이한 필드 세기를 통해 이루어진다. 이것을 위해, 교차하는 2개의 도체를 통해 전류가 흐르고, 상기 전류로 인해 두 도체 주위에 각각 자계가 형성된다. 상기 자계는 다층 시스템의 개별 자기 층에 작용하므로, 자계 세기가 충분히 높을 때 상기 자기 층이 자환 전환될 수 있다. 따라서, 개별 층의 자화 전환은 두 도체를 통해 흐르는 전류의 크기 및 전기 도체에 대한 자기 층의 공간적 배치에 따라 이루어진다.
필드를 발생시키는 전류가 인가되는, 교차하는 도체가 메모리에 적합한 판독 및/또는 기록 장치로 작용한다. 1가의 메모리에서는 자화 전환가능한 자기 층의 자화 방향을 변경하거나 또는 변경하지 않는 고정 전류가 도체에 인가되는 한편, 본 발명에서는 자기 필드 세기의 변경에 의해 다수의 자기 층의 자화 방향을 서로 무관하게 개별적으로 세팅한다. 상이한 자기 필드 세기의 제공은 하기 설명에 상세히 설명되는 바와 같이 다양한 방식으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 메모리의 바람직한 실시예는 청구범위 종속항에 제시된다.
바람직하게는 개별 층의 서로 무관하게 세팅되는 자화 방향은 상이한 전류 세기를 통해 세팅되거나 세팅될 수 있다. 이것은 메모리 셀의 디자인에 따라 여러 방식으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 개별 자기 층의 상이한 자화 방향 세팅을 위해 상이한 전류 세기를 가진 전류가 전기 도체에 인가될 수 있다. 상이한 전류 세기에 의해 상이한 필드 세기가 형성되고, 상기 필드 세기는 하나의 자기 층 또는 다수의 자기 층의 자화 방향을 변경시키거나 또는 변경시키지 않는다.
다른 실시예에서는, 전기 도체가 높은 전류 밀도에 대해 설계될 수 있다.
개별 자기 층은 바람직하게는 강자성 재료로 형성된다. 그러나, 본 발명은 특정 재료에 국한되지 않으므로, 다른 적합한 재료도 가능하다.
바람직하게는 교차하는 전기 도체가 서로 수직으로 배치될 수 있다.
또 다른 실시예에서는 2개의 인접한 자기 층 사이에 각각 하나의 터널 유전층이 제공된다. 자기 층 및 그 사이에 놓인 터널 유전층으로 이루어진 다층 시스템의 전기 전도성은 실질적으로 터널 유전체에 의한 터널 효과에 의해 결정된다. 따라서, 터널 유전체에 대한 적합한 두께의 선택이 매우 중요한데, 그 이유는 층의 두께가 거의 지수적으로 터널 전류로 받아들여지므로, 층 두께의 변동이 전도성의 심한 변동을 일으키기 때문이다. 바람직하게는 -물론 배타적인 것은 아님- 2 내지 3 나노미터(nm)의 두께를 가진 얇은 터널 유전층이 사용된다.
본 발명에 따른 자기 저항 기록/판독 메모리를 기록하기 위한 방법은 하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다: a) 2개의 전기 도체에 가변 전류의 인가 및 그로 인한 자계의 형성 단계; b) 상기 형성된 자계의 필드 세기를 통해 다층 시스템의 개별 자기 층에 자화 방향 세팅 단계, 상기 개별 층 내의 자화 방향은, 먼저 최대로 높은 필드 세기를 필요로 하는 층의 자화 방향이 세팅된 다음, 그 보다 낮은 필드 세기를 필요로 하는 층의 자화 방향이 세팅되는 방식으로, 각각 상이한 크기의 필드 세기를 통해 서로 무관하게 세팅된다.
본 발명에 따른 방법에 의해, 간단한 방식으로 다가의 자기 저항 메모리 또는 그것의 메모리 셀 또는 메모리 셀들을 기록할 수 있다. 본 발명에 따라 개별 자기 층 내에 정보를 저장하는 순서는, 층의 자화를 위한 필드 세기(층에 요구되는 필드 세기에 알맞는 프로그래밍 전류 세기)가 작아지는 순서로 메모리 셀의 층이 기록되도록 선택된다. 따라서, 메모리 셀 내에 이미 기록된 정보, 즉 높은 프로그래밍 필드 세기로 기록되었던 정보가 다른 층에 그 보다 낮은 프로그래밍 필드 세기로 기록되는 정보의 기록 시에 오버라이트되지 않는다.
본 발명에 따른 방법의 장점, 작용, 효과 및 동작은 본 발명에 따른 메모리에 대한 전술한 설명을 참고할 수 있다. 본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예는 청구범위 종속항에 제시된다.
바람직하게는 상이한 크기의 전류가 도체에 인가됨으로써, 층에 작용하는 상이한 필드 세기가 발생될 수 있다. 층에 작용하는 상이한 필드 세기는 층과 전기 도체 사이의 상이한 공간적 간격에 의해 결정된다.
또한, 상이한 크기의 필드 세기에 의해 층에 자화 방향을 세팅하는 것은 층 재료의 특성 및/또는 층 두께 및/또는 층 형태에 의해 영향을 받을 수 있다.
상기 실시예가 이미 상세히 설명되었기 때문에, 여기서는 상기 실시예를 참고한다.
본 발명에 따른 자기 저항 기록/판독 메모리의 판독 방법은 하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다: a) 특정 데이터를 먼저 자화 방향의 세팅을 위해 가장 낮은 필드 세기를 필요로 하는 층에 인가한 다음, 그 보다 높은 필드 세기를 필요로 하는 층에 인가하는 방식으로, 특정 데이터를 다층 시스템의 개별 층에 인가하는 단계; b) 인가된 일정한 데이터로 인해, 층 또는 층들 내의 가능한 정보 변동을 검출하는 단계.
본 발명에 따른 방법에 의해 다가의 자기 저항 메모리가 간단한 방식으로 판독될 수 있다. 본 발명에 따른 방법의 장점, 작용, 효과 및 동작은 하기 설명에부가해서, 본 발명에 따른 메모리에 대한 전술한 설명, 및 본 발명에 따른 메모리의 기록 방법을 참고할 수 있다.
본 발명에 따른 메모리 판독 방법의 기본 사상은 특정 데이터, 즉 특정 정보를 메모리 셀 또는 메모리 셀들의 개별 자기 층 내에 기록하는 것이다. 특정 데이터의 인가 후에 층의 정보 내용이 변하면, 이것은 상기 층이 전에 다른 정보로 기록되었었다는 것을 의미한다. 특정 데이터의 인가 후에 층의 정보 내용이 변하지않으면, 이것은 층이 전에 동일한 정보로 기록되었었다는 것을 의미한다. 여기서는 설정 데이터가 공지된다는 것이 중요하다. 상기 설정 데이터는 전술한 바와 같이 의도적으로 메모리 셀에 기록되는 데이터를 의미한다.
가능한 정보 변동 또는 정보 변동이 일어나지 않음이 적합한 방식으로 검출된 다음, 평가될 수 있다. 이것에 대한 실시예는 하기 설명에 상세히 설명된다.
메모리의 메모리 셀 또는 메모리 셀들을 최상으로 판독하기 위해, 먼저 자화 방향의 세팅을 위해 가장 낮은 프로그래밍 필드 세기를 필요로 하는 층이 판독된다. 즉, 특정 데이터로 의도적으로 재기록된다. 따라서, 상기 특정 데이터는 프로그래밍 필드 세기가 커지는 순서로 메모리 셀에 또는 메모리 셀의 다층 시스템의 개별 층에 기록된다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예는 청구범위 종속항에 제시된다.
바람직하게는 층 또는 층들에서 가능한 정보 변동은 전기 저항의 측정에 의해 검출될 수 있다. 메모리 셀의 전기 저항이 개별 층의 자화 방향(평행 또는 반대 방향으로 평행(antiparallel))에 의존하고 상기 자화 방향이 가능한 정보 변동으로 인해 변할 수 있기 때문에, 전기 저항의 변동은 메모리 셀 또는 메모리 셀의 개별 층의 정보 내용이 변했다는 것을 의미한다.
또한, 층 또는 층들 내에서의 가능한 정보 변동은 전류 펄스 및/또는 전압 펄스의 검출에 의해 검출될 수도 있다. 메모리 셀의 층들에 특정 데이터의 기록이 정보 변동을 야기하면, 검출될 수 있는 전류 펄스 및/또는 전압 펄스가 발생한다. 전류 펄스 및/또는 전압 펄스가 검출되지 않으면, 이것은 층 또는 층들내에서 정보 변동이 일어나지 않았다는 것을 의미한다.
바람직하게는 층 또는 층들 내에서의 가능한 정보 변동은 층 또는 층들에 특정 데이터를 인가하기 전 및 인가한 후 및/또는 인가하는 동안 검출될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 모든 층들에 차례로 동일한 값을 가진 특정 데이터가 인가될 수 있다. 메모리 셀에 2진 형태의, 즉 논리 "1" 및 "0"을 가진 정보가 기록되면, 메모리 셀의 모든 층에 차례로 기록된 특정 정보가 논리 값 "1" 또는 "0"을 가질 수 있다.
다른 실시예에서, 대체 알고리즘을 따르는 데이터가 층들에 차례로 인가되는 것도 가능하다.
바람직하게는 각각의 층에 대한 가능한 정보 변동의 검출 결과가 적어도 일시적으로 적합한 메모리 장치에 저장될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참고로 구체적으로 설명한다.
도 1a 내지 1c는 선행 기술에 따른 자기 저항 메모리(10)의 메모리 셀(11)을 도시한다. 메모리 셀(11)은 1가의 메모리 셀로 형성되며 상부 전기 도체(12) 및 하부 전기 도체(13)를 포함한다. 상기 도체(12, 13)들은 서로 수직으로 배열되며 메모리 셀(11)의 교차점에서 교차된다. 교차점에는 2개의 자기 층, 즉 하나의 경질 자기 층(15) 및 하나의 연질 자기 층(16)을 포함하는 층 시스템(14)이 배치된다. 층(15, 16) 사이에는 터널 유전층(20)이 배치된다. 메모리 셀(11)의 회로도는 도 1c에 도시되며, 도체(12, 13) 사이의 저항(19)의 값은 자기 층(15, 16)내의 자화 방향(17, 18)이 평행한지 아니면 반대 방향으로 평행한지에(antiparallel) 의존한다. 도 1b에 따른 실시예는 자화 방향이 반대 방향으로 평행한 것을 나타낸다. 평행한 자화 방향은 낮은 저항값을 야기하는 한편, 반대 방향으로 평행한 자화 방향은 높은 저항값을 야기한다.
메모리 셀(11)의 기록을 위해, 도체(12, 13)에 동시에 높은 전류가 인가된다. 상기 전류에 의해 도체(12, 13)의 교차점에 발생된 자계는 거기서 연질 자기 층(16)의 자화 전환을 위한 충분히 높은 필드 세기를 갖는다.
메모리 셀(11) 및 하나 또는 다수의 상기 메모리 셀(11)로 형성된 메모리(10)는 상대적으로 큰 표면을 필요로 한다.
이러한 단점을 피하기 위해, 다가의 메모리 셀을 가진 다가의 메모리가 제공된다. 이러한 본 발명에 따른 메모리 셀에 대한 2가지 실시예가 도 2 및 도 3에 도시된다.
도 2에는 소위 2 층-2 비트 메모리(11)가 도시된다. 2개의 전기 도체(12, 13) 사이에서 그 교차점에는 다수의 자기 층(31, 32) 및 그 사이에 놓인 터널 유전 층(35)을 포함하는 다층 시스템(30)이 배치된다.
기본적으로 다층 시스템은 n개의 자기 층을 갖는다. 상기 n ≥ 2이다. 상기 n 층 중 m 층에 자화 방향이 다른 인접한 층과 무관하게 세팅될 수 있다. 여기서, n ≥ m ≥2.
도 2에 따른 실시예에서 2개의 자기 층(31, 32)이 도시된다. 상기 층의 자화방향(33, 34)은 서로 무관하게 세팅될 수 있다. 도 2의 2a 내지 2d는 자기 층(31, 32)에서 여러 가지 가능한 자화 상태 또는 자화 방향(33, 34)을 나타낸다.
메모리 셀(11)의 정보 내용을 설명하기 위해, 자화 방향은 상응하는 숫자, 및 논리 "0" 및 논리 "1"로 표시된다. 자화 방향은 위에서부터 아래로 카운팅되는 자기 층에 대해 점점 커지는 숫자로 표시된다. 논리 0은 도 2 및 도 3에 도시된 "좌측으로부터 우측으로"의 자화 방향을 나타내고, 논리 1은 도 2 및 도 3에 도시된 "우측으로부터 좌측으로"의 자화 방향을 나타낸다.
도 2에 따르면, 자기 층(31, 32)에는 총 4개의 상이한 자화 방향이 세팅될 수있다. 도 2a에서, 상기 설명한 표시 방식에 따라 자화 방향(33)에는 논리 "0"이 주어지는 한편, 자화 방향(34)에도 논리 "0"이 주어진다. 도 2b에서는 33 = "0" 및 34 = "1" 이다. 도 2c에서는 자화 상태 33 = "1" 및 34 = "0"이고, 도 2d에서는 자화 상태 33 = "1" 및 34 = "1"이다.
도 3은 메모리 셀(11)의 다른 실시예를 도시한다. 메모리 셀(11)은 교차하는 2개의 전기 도체(12, 13) 및 상기 도체(12, 13)의 교차점에 있는 다층 시스템(40)을 포함한다. 상기 다층 시스템은 본 경우에는 5개의 자기 층(40-45)으로 형성되고, 상기 층 내에는 각각의 자화 방향(46-50)이 각각 인접한 층과 무관하게 세팅될 수 있다. 자기 층들 사이에는 터널 유전층(51)이 배치된다.
상기 설명한 표시 방식에 따라, 도 3에 따른 메모리 셀(11)은 하기의 자화 상태를 갖는다: 층(41)은 논리 "0"을 가진 자화 방향(46)을 갖고, 층(42)은 논리 "1"을 가진 자화 방향(47)을 가지며, 층(43)은 논리 "1"을 가진 자화 방향(48)을 갖고, 층(44)은 논리 "0"을 가진 자화 방향(49)을 가지며, 층(45)은 논리 "1"을 가진 자화 방향(50)을 갖는다.
전술한 메모리 셀(11)을 기록하기 위해, 상이한 자기 층(31, 32) 또는 (41, 45)은 그 자화 전환을 위해 필드 발생 도체(12, 13)내에 상이한 전류 세기가 요구된다는 전제 조건을 충족시켜야 한다. 이것은 개별 층 내에 각각 상이한 자계 세기가 요구됨으로써 이루어질 수 있다. 이 경우에는 도체(12, 13)에 상이한 크기의 전류가 인가될 수 있고, 상기 전류는 개별 층의 자화 전환을 위한 상이한 필드 세기를 발생시킨다. 또한, 개별 층 내에 자화 방향을 세팅하기 위한 상이한 크기의필드 세기를 제공하기 위해, 자화 전환될 층과 도체(12, 13)의 상이한 공간적 간격이 이용된다.
메모리 셀(11)의 개별 층(31, 32) 또는 (41-45)내에 정보를 저장하는 순서는, 메모리 셀의 층들이 프로그래밍 필드 세기가 작아지는 순서로 기록되도록 선택되어야 한다. 즉, 먼저 자화 방향을 세팅하기 위해 최대 필드 세기를 필요로 하는 층이 기록된 다음, 그 보다 낮은 필드 세기를 필요로 하는 층이 기록된다는 것을 의미한다. 이로 인해, 이미 메모리 셀(11)내에 기록된 정보, 즉 먼저 하나의 층 내에 높은 프로그래밍 필드 세기로 기록되었던 정보가 다른 층에 정보를 기록할 때 다시 오버라이트되지 않을 수 있다.
판독 과정을 위해 본 발명에 따라 저항의 직접 측정 또는 판독될 메모리 셀(11)의 상응하는 비트에 특정 정보를 인가할 때 전류 펄스 및/또는 전압 펄스의 검출을 기초로 하는 방법이 제공된다. 메모리 셀(11)의 정보 내용은 완전한 판독 과정 동안 기본적으로 변동된다. 그러나, 부가의 기준 메모리 셀은 필요치 않다.
판독 방법은 예컨대, 2 비트 셀로 형성된 m 비트 셀로 설명된다. 상기 셀은 정확히 m (m=2) 자화 전환될 층을 포함한다. 상기 층들은 각각 자화 방향(MRk)을 갖는다. MRk는 위에서부터 아래로 카운팅되는 k번째 자기 층의 자화 방향을 나타내며, 1 ≤ k ≤ m. 메모리 셀은 2진 형태로 주어지는 데이터(Dk)를 포함하며, 1 ≤ k ≤ m. 상기 셀을 판독하기 위해, 프로그래밍 필드 세기가 커지는 순서로 (즉, 자화 방향의 세팅을 위해 낮은 필드 세기를 필요로 하는 층이 먼저) 특정 데이터 Ek = Efix (1 ≤ k ≤ m)가 상기 셀에 기록된다. 예컨대, 상기 데이터는 모든k에 대해 논리값 "0" 또는 "1"을 가질 수 있다.
모든 층 k에 대해(1 ≤ k ≤ m), 상기 판독 과정의 시작 전에는, MRk = Dk, 종료 후에는 MRk = Efix.
k번째 기록 과정 동안 전류 펄스 및/또는 전압 펄스가 검출되는 경우, 상기 펄스는 상응하는 k번째 데이터의 변동에 대한 강제 인덱스이다. 즉, Dk = Efix의 상보 데이터. 상기 층에 특정 데이터 Efix를 판독 기입(rread-in)하기 전에, 이것이, 즉 Efix의 상보 데이터가 저장된다. 전류 펄스 및/또는 전압 펄스가 검출되지 않는 경우에는 Dk = Efix. 따라서, 판독 과정의 종료 후에, 메모리 셀의 완전한 2진 데이터가 이용될 수 있다.
전류 및/또는 전압 펄스의 검출에 대한 대안으로서, 각각의 판독 과정 동안 특정 데이터(Efix)를 상응하는 비트에 인가하기 전에 그리고 인가한 후에 전기 저항의 측정이 이루어질 수 있다. m-비트 셀, 본 경우에는 2-비트 셀의 경우, 이것은 총 m+1 측정, 본 경우에 3 측정이 이루어져야 한다는 것을 의미한다. 각각의 층에 대해 측정된 개별 값은 적어도 일시적으로 적합한 메모리 장치에 저장된다. k번째 비트에 대한 측정 시에 저항값이 데이터(Efix)의 인가 전후에 상이한 경우에는, Dk가 데이터(Efix)의 인가 전에 원래 Efix에 대한 보정 데이터이다. 저항값이 데이터(Efix)의 인가 전후에 동일한 경우에는, Dk = Efix.
상기 판독 방법은 2-비트 셀의 판독에 사용되었으나, 유사한 방법이 m (m>2) 비트 셀의 판독에도 사용될 수 있다.
Claims (17)
- 하나 이상의 메모리 셀(11)을 포함하고, 각각의 메모리 셀(11)은 교차하는 2개의 전기 도체(12, 13) 및 상기 전기 도체(12, 13)의 교차점에 배치된 자기 층 시스템을 포함하는 자기 저항 기록/판독 메모리에 있어서,상기 층 시스템은 2 이상의 자기 층(31, 32; 41-45)을 가진 다층 시스템(30; 40)으로 형성되고,적어도 2개의 자기 층, 최대로 모든 자기 층(31, 32; 41-45)이 서로 무관하게 세팅될 수 있는 자화 방향(33, 34; 46-50)을 가지며, 개별 층(31, 32; 41-45)내의 자화 방향(33, 34; 46-50)은 전기 도체(12, 13)를 통해 흐르는 전류에 의해 변동되거나 또는 변동될 수 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 기록/판독 메모리.
- 제 1항에 있어서,상기 개별 층(31, 32; 41-45)내의 서로 무관하게 세팅될 수 있는 상기 자화 방향(33, 34; 46-50)은 상이한 전류 세기에 의해 세팅되거나 또는 세팅될 수 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 기록/판독 메모리.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 전기 도체(12, 13)가 높은 전류 밀도에 대해 설계되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 기록/판독 메모리.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자기 층(31, 32; 41-45)이 강자성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 기록/판독 메모리.
- 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 교차하는 도체(12, 13)는 서로 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 기록/판독 메모리.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,2개의 인접한 자기 층들(31, 32; 41-46) 사이에 특히, 2 내지 3 nm의 두께를 가진 각각 하나의 터널 유전층이 제공되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 기록/판독 메모리.
- 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 자기 저항 기록/판독 메모리의 기록 방법에 있어서,a) 2개의 전기 도체에 가변 전류의 인가 및 그로 인한 자계의 형성 단계;b) 상기 형성된 자계의 필드 세기를 통해 다층 시스템의 개별 자기 층에 자화 방향 세팅 단계를 포함하며, 상기 개별 층 내의 자화 방향은, 먼저 최대 필드 세기를 필요로 하는 층의 자화 방향이 세팅된 다음, 그 보다 낮은 필드 세기를 필요로 하는 층의 자화 방향이 세팅되는 방식으로, 각각 상이한 크기의 필드 세기를 통해 서로 무관하게 세팅되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항에 있어서,상이한 크기의 전류가 상기 도체에 인가됨으로써, 상기 층들에 작용하는 상이한 필드 세기가 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 층들에 작용하는 상이한 필드 세기가 상기 층들과 도체 사이의 상이한 공간적 간격에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상이한 크기의 필드 세기에 의해 상기 층들에 자화 방향을 세팅하는 것이 층 재료 및/또는 층 두께 및/또는 층 형태에 의해 영향을 받는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 자기 저항 기록/판독 메모리의 판독 방법에 있어서,a) 특정 데이터를 먼저 자화 방향의 세팅을 위해 가장 낮은 필드 세기를 필요로 하는 층에 인가한 다음, 그 보다 높은 필드 세기를 필요로 하는 층에 인가하는 방식으로, 특정 데이터를 다층 시스템의 개별 층에 인가하는 단계;b) 인가된 일정한 데이터로 인해, 층 또는 층들 내의 가능한 정보 변동을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 층 또는 층들에서 가능한 정보 변동의 검출이 전기 저항의 측정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 층 또는 층들에서 가능한 정보 변동의 검출이 전류 펄스 및/또는 전압 펄스의 검출에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 층 또는 층들에서 가능한 정보 변동의 검출이 상기 층들에 특정 데이터를 인가하기 전에 및 인가한 후에 및/또는 인가하는 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 모든 층들에 차례로 동일한 값을 가진 데이터가 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,대체 알고리즘을 따르는 데이터가 상기 층들에 차례로 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,각각의 층에 대한 가능한 정보 변동의 검출 결과가 적어도 일시적으로 메모리 장치에 기억되는 것을 특징으로 하는 방법.
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