JP7483548B2 - 電磁波検出装置 - Google Patents

Description

本開示は、電磁波検出装置に関する。

近年、電磁波を検出する複数の検出器による検出結果から周囲に関する情報を得る装置が開発されている。このような装置において、撮像素子によって被写体を含む撮像画像を取得するとともに、被写体で反射した反射波を含む電磁波を検出することによって被写体までの距離等を検出することがある。ここで、遠方から反射される反射波は弱く、高感度の検出器を必要とする。一方で、近傍からの反射波は極めて強くなり、検出器を飽和させ測定誤差の原因となる。そこで、例えば特許文献１の装置は、強弱２種類のレーザーを照射し、検出器が飽和した場合には、小出力レーザー発振器から出た光の反射を利用した距離測定を行う。

特開平０５－０６６２６３号公報

しかし、強レーザーの反射波で検出器が飽和した場合に、検出器がしばらくの間（例えば数十ｎｓ～数百ｎｓ）不安定になり、弱レーザーの反射波を正確に検出できない。また、不安定な状態が解消されるための時間を確保すると、測距に時間がかかる。

上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされた本開示の目的は、正確な電磁波検出が可能な電磁波検出装置を提供することにある。

上記の課題を解決すべく、本開示の一実施形態に係る電磁波検出装置は、
電磁波を対象が存在する空間へ向けて照射する照射系と、
前記照射系から照射された前記電磁波が前記対象で反射した反射波を検出する第１の検出部と、
前記第１の検出部による前記反射波の検出情報に基づいて前記対象までの距離を演算する演算部と、
前記照射系に前記電磁波を照射させる照射制御部と、を備え、
前記照射制御部は、第１の電磁波を照射させた後に、前記第１の電磁波より出力が大きい第２の電磁波を照射させて、
前記演算部は、前記第２の電磁波の前記反射波によって前記第１の検出部が飽和した場合に、前記第１の電磁波の前記反射波に基づいて前記対象までの距離を演算する。

本開示によれば、正確な電磁波検出が可能な電磁波検出装置を提供することができる。

図１は、一実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 図２は、図１の電磁波検出装置の第１の状態と第２の状態における電磁波の進行方向を説明するための図である。 図３は、反射波を含む電磁波の検出を説明するための図である。 図４は、照射波及び反射波について一例を示す図である。 図５は、飽和の場合について説明するための図である。 図６は、１つの反射波が検出された場合について説明するための図である。 図７は、反射波が重複した場合について説明するための図である。 図８は、反射波の重複が生じる場合について説明するための図である。 図９は、光源駆動装置を構成する回路を例示する図である。

図１は、一実施形態に係る電磁波検出装置１０の概略構成を示す構成図である。電磁波検出装置１０は、照射系１１１と、受光系１１０と、制御部１４と、を備えて構成される。本実施形態において、電磁波検出装置１０は測距装置として機能する。本実施形態では、電磁波検出装置１０が１つの照射系１１１と１つの受光系１１０を有するものとして説明するが、照射系１１１及び受光系１１０は１つに限られるものではなく、複数の照射系１１１の各々に対して、複数の受光系１１０の各々が対応付けられる構成であり得る。

照射系１１１は、照射部１２と、偏向部１３と、を備える。受光系１１０は、入射部１５と、分離部１６と、第１の検出部２０と、第２の検出部１７と、切替部１８と、第１の後段光学系１９と、を備える。制御部１４は、画像情報取得部１４１と、照射制御部１４３と、演算部１４５と、を備える。電磁波検出装置１０の各機能ブロックの詳細については後述する。

図面において、各機能ブロックを結ぶ破線は、制御信号又は通信される情報の流れを示す。破線が示す通信は有線通信であってよいし、無線通信であってよい。また、実線の矢印はビーム状の電磁波を示す。また、図面において、対象ｏｂは、電磁波検出装置１０の被写体である。被写体は、例えば道路、中央分離帯、歩道、街路樹、車両等の物を含んでよいし、人を含んでよい。また対象ｏｂは１つに限られない。

電磁波検出装置１０は、被写体を含む画像を取得するとともに、被写体で反射した反射波を検出することによって被写体を識別可能である。電磁波検出装置１０は、対象ｏｂまでの距離を計測する演算部１４５を備えており、上記のように測距装置として機能する。

（照射系）
照射系１１１は、対象ｏｂが存在する空間に電磁波を照射する。本実施形態において、照射系１１１は、照射部１２が照射する電磁波を、偏向部１３を介して、対象ｏｂが存在する空間に向けて照射する。別の例として、照射系１１１は、照射部１２が電磁波を対象ｏｂに向けて直接に照射する構成であってよい。

照射部１２は、赤外線、可視光線、紫外線及び電波の少なくともいずれかを照射する。本実施形態において、照射部１２は赤外線を照射する。また、本実施形態において、照射部１２は、幅の細い、例えば０．５°のビーム状の電磁波を照射する。また、照射部１２は電磁波をパルス状に照射する。照射部１２は、電磁波照射素子として、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を含んで構成され得る。また、照射部１２は、電磁波照射素子として、例えばレーザーダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を含んで構成され得る。照射部１２は、制御部１４の制御に基づいて電磁波の照射及び停止を切替える。ここで、照射部１２は複数の電磁波照射素子をアレイ状に配列させたＬＥＤアレイ又はＬＤアレイを構成し、複数本のビームを同時に照射させてよい。

偏向部１３は、照射部１２が照射した電磁波を複数の異なる方向に出力させて、対象ｏｂが存在する空間に照射される電磁波の照射位置を変更する。複数の異なる方向への出力は、偏向部１３の向きを変えながら照射部１２からの電磁波を反射することで行ってよい。例えば偏向部１３は、照射部１２が照射した電磁波で一次元方向又は二次元方向に対象ｏｂを走査する。ここで、照射部１２が例えばＬＤアレイとして構成されている場合、偏向部１３はＬＤアレイから出力される複数のビームの全てを反射させて、同一方向に出力させてよい。すなわち、照射系１１１は、１つ又は複数の電磁波照射素子を有する照射部１２に対して１つの偏向部１３を有してよい。

偏向部１３は、電磁波を出力する空間である照射領域の少なくとも一部が、受光系１１０における電磁波の検出範囲に含まれるように構成されている。したがって、偏向部１３を介して対象ｏｂが存在する空間に照射される電磁波の少なくとも一部は、対象ｏｂの少なくとも一部で反射して、受光系１１０において検出され得る。ここで、照射波が対象ｏｂの少なくとも一部で反射した電磁波を反射波と称する。照射波とは、対象ｏｂが存在する空間の複数の方向に向けて、照射系１１１から照射される電磁波である。

偏向部１３は、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）ミラー、ポリゴンミラー、及びガルバノミラーなどを含む。本実施形態において、偏向部１３は、ＭＥＭＳミラーを含む。

偏向部１３は、制御部１４の制御に基づいて、電磁波を反射する向きを変える。また、偏向部１３は、例えばエンコーダなどの角度センサを有してよく、角度センサが検出する角度を、電磁波を反射する方向情報として、制御部１４に通知してよい。このような構成において、制御部１４は、偏向部１３から取得する方向情報に基づいて、電磁波の照射位置を算出し得る。また、制御部１４は、偏向部１３に電磁波を反射する向きを変えさせるために入力する駆動信号に基づいても照射位置を算出し得る。

（受光系）
以下において、「反射波を含む電磁波」は、対象ｏｂでの反射波を含んで受光系１１０に入射する電磁波を意味する。つまり、照射波と区別するために、受光系１１０に入射する電磁波は「反射波を含む電磁波」と称されることがある。反射波を含む電磁波は、照射系１１１から照射された電磁波が対象ｏｂで反射した反射波のみならず、太陽光などの外光、外光が対象ｏｂで反射した光などを含む。

入射部１５は、少なくとも１つの光学部材を有する光学系であって、被写体となる対象ｏｂの像を結像させる。光学部材は、例えばレンズ、ミラー、絞り及び光学フィルタ等の少なくとも１つを含む。

分離部１６は、入射部１５と、対象ｏｂの入射部１５による結像位置である一次結像位置との間に設けられている。分離部１６は、反射波を含む電磁波を波長に応じて分離し、第１の方向ｄ１又は第２の方向ｄ２に進行するように分離する。分離部１６は、反射波を含む電磁波を、反射波と、反射波を除く電磁波とに分離してよい。反射波を除く電磁波は、例えば可視光等の光を含んでよい。

本実施形態において、分離部１６は、反射波を含む電磁波の一部を第１の方向ｄ１に反射し、別の一部を第２の方向ｄ２に透過する。本実施形態において、分離部１６は、太陽光などの環境光が対象ｏｂで反射した可視光を第１の方向ｄ１に反射する。また、分離部１６は、照射部１２が照射した赤外線が対象ｏｂで反射した赤外線を第２の方向ｄ２に透過する。別の例として、分離部１６は、反射波を含む電磁波の一部を第１の方向ｄ１に透過し、別の一部を第２の方向ｄ２に反射してよい。また、分離部１６は、反射波を含む電磁波の一部を第１の方向ｄ１に屈折させ、別の一部を第２の方向ｄ２に屈折させてよい。分離部１６は、例えば、ハーフミラー、ビームスプリッタ、ダイクロイックミラー、コールドミラー、ホットミラー、メタサーフェス、偏向素子及びプリズムなどである。

第２の検出部１７は、分離部１６から第１の方向ｄ１に進行する電磁波の経路上に、設けられている。第２の検出部１７は、第１の方向ｄ１における対象ｏｂの結像位置又は結像位置の近傍に、設けられている。第２の検出部１７は、分離部１６から第１の方向ｄ１に進行した電磁波を検出する。

第２の検出部１７は、分離部１６から第１の方向ｄ１に進行する電磁波の第１の進行軸が、第２の検出部１７の第１の検出軸に平行となるように、分離部１６に対して配置されていてよい。第１の進行軸は、分離部１６から第１の方向ｄ１に進行する、放射状に広がりながら伝播する電磁波の中心軸である。本実施形態において、第１の進行軸は、入射部１５の光軸を分離部１６まで延ばし、分離部１６において第１の方向ｄ１に平行になるように折曲げた軸である。第１の検出軸は、第２の検出部１７の検出面の中心を通り、検出面に垂直な軸である。

さらに、第２の検出部１７は、第１の進行軸及び第１の検出軸の間隔が第１の間隔閾値以下となるように配置されていてよい。また、第２の検出部１７は、第１の進行軸及び第１の検出軸が一致するように配置されていてよい。本実施形態において、第２の検出部１７は、第１の進行軸及び第１の検出軸が一致するように配置されている。

また、第２の検出部１７は、第１の進行軸と、第２の検出部１７の検出面とのなす第１の角度が第１の角度閾値以下又は所定の角度となるように、分離部１６に対して配置されていてよい。本実施形態において、第２の検出部１７は、第１の角度が９０°となるように配置されている。

本実施形態において、第２の検出部１７は、パッシブセンサである。本実施形態において、第２の検出部１７は、さらに具体的には、素子アレイを含む。例えば、第２の検出部１７は、イメージセンサ又はイメージングアレイなどの撮像素子を含み、検出面において結像した電磁波による像を撮像して、撮像した対象ｏｂを含む空間の画像情報を生成する。

本実施形態において、第２の検出部１７は、空間からの光を検出するものであって、さらに具体的には可視光の像を撮像する。第２の検出部１７は、生成した空間の画像情報を信号として制御部１４に出力する。第２の検出部１７は、赤外線、紫外線、及び電波の像など、可視光以外の像を撮像してよい。

切替部１８は、分離部１６から第２の方向ｄ２に進行する電磁波の経路上に設けられている。切替部１８は、第２の方向ｄ２における対象ｏｂの一次結像位置又は一次結像位置近傍に、設けられている。

本実施形態において、切替部１８は一次結像位置に設けられている。切替部１８は、入射部１５及び分離部１６を透過した電磁波が入射する作用面ａｓを有している。作用面ａｓは、２次元状に沿って並ぶ複数の切替素子ｓｅによって構成されている。作用面ａｓは、後述する第１の状態及び第２の状態の少なくともいずれかにおいて、電磁波に、例えば、反射及び透過などの作用を生じさせる面である。

切替部１８は、作用面ａｓに入射する電磁波を、第３の方向ｄ３に進行させる第１の状態と、第４の方向ｄ４に進行させる第２の状態とに、切替素子ｓｅ毎に切替可能である。本実施形態において、第１の状態は、作用面ａｓに入射する電磁波を、第３の方向ｄ３に反射する第１の反射状態である。また、第２の状態は、作用面ａｓに入射する電磁波を、第４の方向ｄ４に反射する第２の反射状態である。

本実施形態において、切替部１８は、さらに具体的には、切替素子ｓｅ毎に電磁波を反射する反射面を含んでいる。切替部１８は、切替素子ｓｅ毎の各々の反射面の向きを任意に変更することにより、第１の反射状態及び第２の反射状態を切替素子ｓｅ毎に切替える。

本実施形態において、切替部１８は、例えばＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏ ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ：デジタルマイクロミラーデバイス）を含む。ＤＭＤは、作用面ａｓを構成する微小な反射面を駆動することにより、切替素子ｓｅ毎に反射面を作用面ａｓに対して＋１２°及び－１２°のいずれかの傾斜状態に切替可能である。作用面ａｓは、ＤＭＤにおける微小な反射面を載置する基板の板面に平行である。

切替部１８は、制御部１４の制御に基づいて、第１の状態及び第２の状態を、切替素子ｓｅ毎に切替える。例えば、図２に示すように、切替部１８は、同時に、一部の切替素子ｓｅ１を第１の状態に切替えることにより切替素子ｓｅ１に入射する電磁波を第３の方向ｄ３に進行させ、別の一部の切替素子ｓｅ２を第２の状態に切替えることにより切替素子ｓｅ２に入射する電磁波を第４の方向ｄ４に進行させ得る。より具体的には、制御部１４は偏向部１３からの方向情報に基づいて、電磁波が照射された方向又は電磁波が照射された位置を検出する。そして、検出した電磁波の照射方向又は照射位置に応じた切替素子ｓｅ１を第１の状態とし、それ以外の切替素子ｓｅ１は第２の状態とすることで、対象ｏｂからの反射波を選択的に第３の方向ｄ３に進行させる。分離部１６を透過した電磁波のうち、対象ｏｂからの反射波以外の電磁波は第４の方向ｄ４に進行するため、第１の検出部２０には入射しない。

図１に示すように、第１の後段光学系１９は、切替部１８から第３の方向ｄ３に設けられている。第１の後段光学系１９は、例えば、レンズ及びミラーの少なくとも一方を含む。第１の後段光学系１９は、切替部１８において進行方向を切替えられた電磁波としての対象ｏｂを結像させる。

第１の検出部２０は、切替部１８による第３の方向ｄ３に進行した後に第１の後段光学系１９を経由して進行する電磁波を検出可能な位置に配置されている。第１の検出部２０は、第１の後段光学系１９を経由した電磁波、すなわち第３の方向ｄ３に進行した電磁波を検出して、検出信号を出力する。

第１の検出部２０は、分離部１６から第２の方向ｄ２に進行して切替部１８により第３の方向ｄ３に進行方向が切替えられた電磁波の第２の進行軸が、第１の検出部２０の第２の検出軸に平行となるように、分離部１６に対して配置されていてよい。第２の進行軸は、切替部１８から第３の方向ｄ３に進行する、放射状に広がりながら伝播する電磁波の中心軸である。本実施形態において、第２の進行軸は、入射部１５の光軸を切替部１８まで延ばし、切替部１８において第３の方向ｄ３に平行になるように折曲げた軸である。第２の検出軸は、第１の検出部２０の検出面の中心を通り、検出面に垂直な軸である。

さらに、第１の検出部２０は、第２の進行軸及び第２の検出軸の間隔が第２の間隔閾値以下となるように配置されていてよい。第２の間隔閾値は、第１の間隔閾値と同じ値であってよいし、異なる値であってよい。また、第１の検出部２０は、第２の進行軸及び第２の検出軸が一致するように配置されていてよい。本実施形態において、第１の検出部２０は、第２の進行軸及び第２の検出軸が一致するように配置されている。

また、第１の検出部２０は、第２の進行軸と、第１の検出部２０の検出面とのなす第２の角度が第２の角度閾値以下又は所定の角度となるように、分離部１６に対して配置されていてよい。第２の角度閾値は、第１の角度閾値と同じ値であってよいし、異なる値であってよい。本実施形態において、第１の検出部２０は、第２の角度が９０°となるように配置されている。

本実施形態において、第１の検出部２０は、照射部１２から対象ｏｂに向けて照射された電磁波の反射波を検出するアクティブセンサである。第１の検出部２０は、例えばＡＰＤ（Ａｖａｌａｎｃｈｅ ＰｈｏｔｏＤｉｏｄｅ）、ＰＤ（ＰｈｏｔｏＤｉｏｄｅ）及び測距イメージセンサなどの単一の素子を含む。また、第１の検出部２０は、ＡＰＤアレイ、ＰＤアレイ、測距イメージングアレイ、及び測距イメージセンサなどの素子アレイを含むものであってよい。

本実施形態において、第１の検出部２０は、反射波を検出したことを示す検出情報を信号として制御部１４に送信する。第１の検出部２０は、さらに具体的には、赤外線の帯域の電磁波を検出する。

また、本実施形態において、第１の検出部２０は、対象ｏｂまでの距離を測定するための検出素子として用いられる。換言すると、第１の検出部２０は、測距センサを構成する素子であって、電磁波を検出できればよく、検出面において結像される必要がない。それゆえ、第１の検出部２０は、第１の後段光学系１９による結像位置である二次結像位置に設けられなくてよい。すなわち、この構成において、第１の検出部２０は、全ての画角からの電磁波が検出面上に入射可能な位置であれば、切替部１８により第３の方向ｄ３に進行した後に第１の後段光学系１９を経由して進行する電磁波の経路上のどこにでも配置され得る。

以上のような構成を有することにより、電磁波検出装置１０は画像情報における空間の所定位置と、当該位置の距離を測定するための反射波の光軸を一致させている。

ここで、図３は反射波を含む電磁波の検出を説明するための図である。図３において、対象ｏｂが存在する空間は、照射系１１１が電磁波を照射する１フレームあたりの回数で分割され、格子状に区分されている。一般に、反射波を含む電磁波の１フレーム分の検出に要する時間は、撮像素子等によって１フレーム分の撮像画像が取得される時間より長い。一例として、撮像素子は１９２０×１０８０ピクセルの撮像画像を１秒間に３０フレーム取得可能である。一方、照射した電磁波の反射波を受光して距離を測定するのに要する時間は、測定する距離に応じて１ポイントで数μｓ～１０μｓ程度かかることがある。したがって、空間からの反射波を受光して距離情報を取得する地点の数（ポイント数）は、１フレームあたりで１９２０×１０８０よりも小さくなる。

図３の例では、照射部１２から照射されたビーム状の電磁波が偏向部１３で反射されて、照射波として、空間における１つの領域Ｒに照射されている。本実施形態において、照射波は赤外線である。領域Ｒに存在する対象ｏｂで反射した反射波を含む電磁波が、入射部１５に入射される。本実施形態において、反射波は赤外線である。また、反射波を含む電磁波は、外光が領域Ｒに存在する対象ｏｂで反射した可視光を含む。分離部１６は、反射波を含む電磁波のうち可視光を第１の方向ｄ１に反射する。反射された可視光は第２の検出部１７で検出される。また、分離部１６は、反射波を含む電磁波のうち赤外線を第２の方向ｄ２に透過する。分離部１６を透過した赤外線は、切替部１８で反射して、少なくとも一部が第３の方向ｄ３に進行する。第３の方向ｄ３に進行した赤外線は、第１の後段光学系１９を通って、第１の検出部２０で検出される。

（制御部）
画像情報取得部１４１は、空間からの電磁波を検出する第２の検出部１７から、対象ｏｂが存在する空間の画像情報を取得する。また、画像情報取得部１４１は、画像情報に基づいて空間を撮像した撮像画像（図８参照）を生成してよい。

照射制御部１４３は、照射系１１１を制御する。照射制御部１４３は、例えば照射系１１１に電磁波を照射させたり、照射を停止させたりする。照射制御部１４３は、例えば偏向部１３に、電磁波を反射する向きを変えさせる。照射制御部１４３は、照射系１１１の制御に用いるために、画像情報取得部１４１から画像情報又は撮像画像を取得してよい。

演算部１４５は、第１の検出部２０の検出情報に基づいて、対象ｏｂまでの距離を演算する。演算部１４５は、取得した検出情報に基づいて、例えばＴｏＦ（Ｔｉｍｅ－ｏｆ－Ｆｌｉｇｈｔ）方式で距離を演算可能である。

ここで、図４は照射波及び反射波について一例を示す図である。図４における第１の電磁波Ｌ１及び第２の電磁波Ｌ２の図は、照射する電磁波の照射タイミングとその強度変化を表している。また、第１の反射波Ｐ１及び第２の反射波Ｐ２の図は、第１の検出部２０に検出される電磁波の検出タイミングと検出強度を表しており、第１の検出部２０が出力する電磁波の検出信号はこれに相当するものとしてよい。同様に、第１の制御信号及び第２の制御信号の図は、照射制御部１４３が照射部１２に電磁波を出力させるタイミングを表している。また、検出情報の図は、第１の検出部２０が電磁波を検出するタイミングを表している（以下、図５～７においても同じ）。本実施形態において、照射系１１１には、照射制御部１４３から第１の電磁波Ｌ１を照射させる第１の制御信号と、第２の電磁波Ｌ２を照射させる第２の制御信号と、が入力される。第１の制御信号及び第２の制御信号は、照射部１２の一部である光源駆動装置に入力される。光源駆動装置の詳細については後述する。第２の制御信号は、第１の制御信号からある時間（図４の間隔ｔｄ）の後に光源駆動装置に入力される。間隔ｔｄは一例として３ｎｓから１０ｎｓである。間隔ｔｄを広げると、パルス状の照射波である第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２との間隔が広がる。つまり、第２の電磁波Ｌ２は、間隔ｔｄを広げると、さらに第１の電磁波Ｌ１より遅れて照射系１１１から照射される。

図４に示すように、照射制御部１４３は、第１の電磁波Ｌ１を照射させた後に、第１の電磁波Ｌ１より出力が大きい第２の電磁波Ｌ２を照射させる。第１の電磁波Ｌ１及び第２の電磁波Ｌ２は、対象ｏｂで反射して、第１の検出部２０によって第１の反射波Ｐ１及び第２の反射波Ｐ２として検出される。第１の反射波Ｐ１は、第１の電磁波Ｌ１の反射波、すなわち、第１の電磁波Ｌ１が対象ｏｂで反射して生じた反射波である。また、第２の反射波Ｐ２は、第２の電磁波Ｌ２の反射波、すなわち、第２の電磁波Ｌ２が対象ｏｂで反射して生じた反射波である。また、第２の電磁波Ｌ２は、第１の電磁波Ｌ１が対象ｏｂで反射して第１の反射波Ｐ１として検出される前に照射系１１１から照射されるよう、演算部１４５が測距可能として設定する最小距離に応じて間隔ｔｄが制御されている。演算部１４５は、第２の反射波Ｐ２によっても第１の検出部２０が飽和しない場合に、第２の反射波Ｐ２に基づいて対象ｏｂまでの距離を演算する。距離の演算において、照射部１２が第２の電磁波Ｌ２を照射した時刻Ｔ１から、第１の検出部２０が第２の反射波Ｐ２の検出情報を取得した時刻Ｔ２までの時間ΔＴが用いられる。時刻Ｔ２は、パルス状の第２の反射波Ｐ２の立ち上がりでピークの５０％になる時である。別の例として、時刻Ｔ２は、第２の反射波Ｐ２がピークになる時であってよい。第１の検出部２０が飽和しない場合に、第１の反射波Ｐ１より信号強度が強い第２の反射波Ｐ２を用いることによって、時刻Ｔ２を正確に検出しやすくなり、距離の演算の精度を高めることができる。

演算部１４５は、検出情報を含む上記の信号の情報を取得する。演算部１４５は、例えば、時間計測ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を含み、時間ΔＴを計測する。演算部１４５は、時間ΔＴに光速を乗算し、かつ、２で除算することにより、照射位置までの距離を算出する。

ここで、制御部１４は、１つ以上のプロセッサを含んでよい。プロセッサは、アクセス可能なメモリからプログラムをロードして、画像情報取得部１４１、照射制御部１４３及び演算部１４５として動作してよい。プロセッサは、特定のプログラムを読み込ませて特定の機能を実行する汎用のプロセッサ及び特定の処理に特化した専用のプロセッサの少なくともいずれかを含んでよい。専用のプロセッサは、特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ；Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を含んでよい。プロセッサは、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ；Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）を含んでよい。ＰＬＤは、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）を含んでよい。制御部１４は、１つ又は複数のプロセッサが協働するＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－Ｃｈｉｐ）及びＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎ ａ Ｐａｃｋａｇｅ）の少なくともいずれかを含んでよい。

（照射制御）
図４では第１の検出部２０が飽和しない場合を例示したが、例えば対象ｏｂまでの距離、対象ｏｂの形状及び色等の影響によって、第１の検出部２０が飽和すること、第１の検出部２０が２つの反射波を検出できないこと等があり得る。そのような場合に対応して、制御部１４は、以下に説明する照射制御方法を実行して、正確な対象ｏｂとの距離の測定を可能にする。

まず、照射制御部１４３は、１ポイントの距離情報を取得する場合に、次第に出力が大きくなる複数の電磁波を照射系１１１に照射させる。つまり、図４に示すように、照射制御部１４３は、第１の電磁波Ｌ１の反射波（すなわち第１の反射波Ｐ１）が第１の検出部２０に入射する前に、第２の電磁波Ｌ２を照射させる。換言すると、照射制御部１４３は、第１の電磁波Ｌ１を照射させた後で、第１の検出部２０が第１の反射波Ｐ１を検出可能になる前に、第２の電磁波Ｌ２を照射させる。そして、第１の検出部２０は、複数の電磁波の反射波を検出し、その中の１つの検出に基づいて検出情報を出力する。どの反射波を検出したタイミングで検出情報が生成されるかは、以下に説明するように、第１の検出部２０の飽和状態及び反射波の波形の状態に応じて変化する。ここで、本実施形態において、照射系１１１から照射される複数の電磁波は２つであるとして説明するが、これに限定されない。１ポイントの距離情報を取得する場合に、照射制御部１４３は、次第に出力が大きくなる３つ以上の電磁波を照射系１１１に照射させてよい。

図５は、飽和の場合について説明するための図である。演算部１４５は、第２の電磁波Ｌ２の反射波によって第１の検出部２０が飽和した場合に、第１の反射波Ｐ１に基づいて対象ｏｂまでの距離を演算する。つまり、演算部１４５は、照射系１１１から照射された複数の電磁波の反射波によって第１の検出部２０が飽和すると、飽和させた反射波の１つ前に取得された反射波を用いて測距を行う。第１の検出部２０が飽和する前に得られた反射波を用いることによって、飽和した後の影響を受けずに、対象ｏｂまでの距離を演算することができる。ここで、飽和した後の影響とは、飽和した第１の検出部２０が例えば数十ｎｓ～数百ｎｓの間、不安定な状態になって反射波を正確に検出できないことである。図５の例において、第１の検出部２０は第２の反射波Ｐ２によって飽和している。従って、第２の反射波Ｐ２のピークが判別できず、対象ｏｂの測距に用いるタイミング（例えば、第２の反射波Ｐ２の立ち上がりでピークの５０％になる時、又はピークとなる時）を識別することができない。しかし、演算部１４５は、第１の電磁波Ｌ１を照射したタイミングと第１の反射波Ｐ１を検出したタイミングを用いることによって、飽和した後の影響を受けずに、正確な測距が可能である。すなわち、距離の演算において、照射部１２が第１の電磁波Ｌ１を照射した時刻Ｔ１から、第１の検出部２０が第１の反射波Ｐ１の検出情報を取得した時刻Ｔ２までの時間ΔＴが用いられる。ここで、第１の検出部２０を飽和させた反射波の前に複数の反射波が入射している場合に、飽和させた反射波の直前に入射した反射波を用いて測距を行うことが好ましい。飽和の前に入射した反射波の中で最も信号強度が強い反射波を用いることによって、精度の高い距離の演算ができるためである。

図６は、１つの反射波が検出された場合について説明するための図である。通常、検出される反射波の数は照射した電磁波のパルス数と一致し、反射波の検出信号のパルス幅（以下、反射波の幅と称することもある）は、照射した電磁波のパルス幅に応じた所定の長さのものとなる。この反射波の幅は、第１の検出部２０から出力される電磁波の検出信号の波形に表れる。演算部１４５は、第１の電磁波Ｌ１及び第２の電磁波Ｌ２を照射部１２から照射した場合に、第１の検出部２０によって検出された対象ｏｂで反射した反射波が１つであって、かつ、幅が狭い場合に、第２の電磁波Ｌ２の反射波であるとして対象ｏｂまでの距離を演算してよい。ここで、反射波の幅が狭いとは、後述するような２つの反射波が重複した幅広の反射波（図７参照）でなく、１つの反射波の幅しかないことを意味する。例えば照射制御部１４３は、閾値Ｗｔｈを設定し、反射波の幅が閾値Ｗｔｈ未満であれば反射波の幅が狭いと判定し、その判定結果を演算部１４５に出力してよい。閾値Ｗｔｈは、例えば通常の対象ｏｂで反射した反射波の２つ分の幅に設定されてよい。ここで、通常の対象ｏｂとは、道路のように光軸に対して斜めの物体を除く対象ｏｂであり、典型的には照射部１２が照射する電磁波の光軸に対して垂直な対象ｏｂである。図６のように、幅が狭い１つの反射波が検出された状態は、出力の小さい電磁波の反射波が検出可能な強度レベルに達していない状態と考えられる。そのため、演算部１４５は、この反射波は出力の大きな電磁波である第２の電磁波Ｌ２の反射波と考えられる。従って、照射部１２が第２の電磁波Ｌ２を照射した時刻Ｔ１から、第１の検出部２０が第２の反射波Ｐ２と考えられる反射波の検出情報を取得した時刻Ｔ２までの時間ΔＴを用いることで、対象ｏｂの測距が可能である。

また、照射制御部１４３は、第１の検出部２０の第１の反射波Ｐ１と第２の反射波Ｐ２の検出結果に基づいて、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射させる間隔を調整することがある。特に、照射制御部１４３は、第１の電磁波Ｌ１及び第２の電磁波Ｌ２を照射部１２から照射した場合に、第１の検出部２０によって検出された対象ｏｂで反射した反射波が１つであって、かつ、幅が広い場合に、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射させる間隔を広げる。ここで、反射波の幅が広いとは、第１の検出部２０による反射波の検出信号の波形が、通常１つの反射波について検出されるものよりも幅広のものとなっていることをいう。この場合における検出された１つの反射波は、図６の例と異なり、２つ以上の反射波（本実施形態において第１の反射波Ｐ１及び第２の反射波Ｐ２）が重複して生じる。したがって、この反射波の幅は閾値Ｗｔｈ以上である。照射制御部１４３は、照射回数と反射波の検出回数とに基づいて、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射させる間隔を広げる制御を実行してよい。つまり、照射制御部１４３は、照射系１１１に、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２の照射を含む連続した複数回の電磁波の照射をさせた場合に、第１の検出部２０によって検出された反射波が照射系１１１による電磁波の照射回数より少ない回数の反射波を検出した場合に、照射系１１１による各々の電磁波の照射の間隔を広げてよい。検出される反射波が電磁波の照射回数より少ない場合は、複数の反射波の検出信号が結合されている可能性があるためである。

図７は、反射波が重複した場合について説明するための図である。また、図８は、電磁波検出装置１０が車両に搭載されていて、図７のような反射波の重複が生じ得る場合について説明するための図である。図７に示される重複した反射波Ｐ３は、幅が広がった第１の反射波Ｐ１及び第２の反射波Ｐ２が重ね合わされることによって生じる。具体的には、第１の反射波Ｐ１の検出信号の立下り部分と、第２の反射波Ｐ２の立ち上がり部分が重複することによって、幅の広い１つの検出信号が反射波として検出される。図８に示すように、対象ｏｂは例えば道路のように光軸に対して斜めの物体を含む。ここで、仮想線Ａ１は画像情報において光軸に対応する線である。このような対象ｏｂにビーム状の電磁波を照射すると、照射部１２から遠い部分Ｅ１で反射した反射波が遅く、近い部分Ｅ２で反射した反射波が早く第１の検出部２０に入射する。そのため、幅が広がった第１の反射波Ｐ１及び第２の反射波Ｐ２が生じる。照射制御部１４３は、１つの重複した反射波Ｐ３が検出された場合に、第１の制御信号と第２の制御信号の間隔ｔｄ１をより広い間隔ｔｄ２に変更することによって、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射させる間隔を広げる。これにより、第１の反射波Ｐ１と第２の反射波Ｐ２とが重ならないようにできる。ここで、間隔ｔｄ１は例えば３ｎｓである。また、間隔ｔｄ２は例えば１０ｎｓである。

ここで、画像情報に基づいて電磁波が照射される対象ｏｂを判別することによって、重複した反射波Ｐ３が生じ得る状況であるか否かを判定することが可能である。そこで、照射制御部１４３は、画像情報取得部１４１からの画像情報に基づいて、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射させる間隔を調整してよい。照射制御部１４３は、画像情報に基づいて、対象ｏｂのうち光軸に対して斜めの物体（例えば道路、ガードレール等）と認識した物体に電磁波を照射する場合に、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射させる間隔を広げてよい。また、図８の画像情報において、画像を上半分と下半分とに分ける横中央線Ａ２より下方向の部分は道路である。そのため、照射制御部１４３は、電磁波を空間の下方向へ向けて照射する場合に、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射させる間隔を広げてよい。ここで、空間の下方向の部分は、空間の画像情報における横中央線Ａ２から下に限定されない。空間の下方向の部分は、例えば空間の画像情報における下から３分の１の部分であってよい。

さらに、照射制御部１４３は、既に得られた距離情報に基づいて、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を調整してよい。例えば照射制御部１４３は、照射部１２が電磁波を照射する空間に存在する複数の物体までの距離の遠近の比、又は距離の差が大きい物体に電磁波を照射する場合に、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２の出力の大きさの比（図７におけるｒ１とｒ２との比）を大きくしてよい。具体的には、空間に存在する複数の物体のうち、最も遠くに存在する物体と最も近くに存在する物体の距離の比率が所定以上である場合に、当該空間へ照射する１フレーム分の第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２の出力の大きさの比を大きくしてよい。又は、最も遠くに存在する物体と最も近くに存在する物体の距離の差が所定以上である場合に、当該空間へ照射する１フレーム分の第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２の出力の大きさの差を大きくしてよい。第２の電磁波Ｌ２の出力の大きさｒ２が相対的に大きいことによって、遠くでの反射波が検出可能な強度で入射するようにできる。また、第１の電磁波Ｌ１の出力の大きさｒ１が相対的に小さいことによって、近くでの反射波が第１の検出部２０を飽和させない強度で入射するようにできる。また、照射制御部１４３は、画像情報に基づいて、電磁波を照射する空間に電磁波の反射率が高い物体と低い物体が含まれており、その反射率の差が所定以上である場合（例えば白い物体及び黒い物体を含む場合）に、当該空間へ照射する第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２の出力の大きさの比、又は出力の大きさの差を大きくしてよい。測距対象となる物体の反射率のばらつき（すなわち反射波の大きさのばらつき）に対応するためである。ここで、物体の反射率は、画像情報に含まれる複数の物体の画像の輝度に基づいて、第１の電磁波Ｌ１と第２の電磁波Ｌ２を照射する前に判断することもできる。

（光源駆動装置）
次第に出力が大きくなる複数の電磁波を生成するために、照射部１２は以下に説明する光源駆動装置を備えてよい。

図９は、光源駆動装置を構成する回路の一例を示す図である。光源駆動装置は、主にパルス発光するレーザーダイオードＤＤＤと、レーザーダイオードＤＤＤに電流を供給可能に接続されるコンデンサＣ１と、第１のトランジスタＱ２と、第２のトランジスタＱ３と、を備える。これらが、その他の要素と図９に示すように接続されて、光源駆動装置を構成する。

光源駆動装置において、交流電源から抵抗Ｒ５を通じてコンデンサＣ１に電荷が蓄積される。第１のトランジスタＱ２は、第１の制御信号を受け取った場合に、コンデンサＣ１に蓄積された電荷の一部を放電させて、レーザーダイオードＤＤＤを発光させて、第１の電磁波Ｌ１を照射させる。また、第２のトランジスタＱ３は、第２の制御信号を受け取った場合に、コンデンサＣ１の残りの電荷を放電させて、レーザーダイオードＤＤＤを発光させて、第２の電磁波Ｌ２を照射させる。ここで、図９のコンデンサＣ２はコンデンサＣ１の容量よりも小さい容量を有する。第１の制御信号を受け取った場合に、コンデンサＣ１からの電荷の一部がコンデンサＣ２に蓄積されるため、コンデンサＣ１は電荷の一部だけを放電する。また、インダクタンスＬＬ１及びインダクタンスＬＬ２は浮遊インダクタンスであるが、これらの位置に発光パルス幅を調整するためのインダクタンスがあってよい。

以上のように、本実施形態に係る電磁波検出装置１０は、上記の構成によって、飽和等に影響されずに正確な電磁波検出が可能である。そのため、測距装置としての電磁波検出装置１０は、被写体までの距離を正確に検出できる。

（変形例）
本開示を諸図面及び実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形及び修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形及び修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。

上記の実施形態において、電磁波検出装置１０は、上記のように、レーザー光を照射して、返ってくるまでの時間を直接測定するＤｉｒｅｃｔ ＴｏＦにより距離情報を作成する構成である。しかし、電磁波検出装置１０は、このような構成に限られない。例えば、電磁波検出装置１０は、電磁波を一定の周期で照射し、照射された電磁波と返ってきた電磁波との位相差から、返ってくるまでの時間を間接的に測定するＦｌａｓｈ ＴｏＦにより距離情報を作成してよい。また、電磁波検出装置１０は、他のＴｏＦ方式、例えば、Ｐｈａｓｅｄ ＴｏＦにより距離情報を作成してよい。

上記の実施形態において、切替部１８は、作用面ａｓに入射する電磁波の進行方向を２方向に切替え可能であるが、２方向のいずれかへの切替えでなく、３以上の方向に切替え可能であってよい。

上記の実施形態の切替部１８において、第１の状態及び第２の状態は、作用面ａｓに入射する電磁波を、それぞれ、第３の方向ｄ３に反射する第１の反射状態、及び第４の方向ｄ４に反射する第２の反射状態であるが、他の態様であってよい。

例えば、第１の状態が、作用面ａｓに入射する電磁波を、透過させて第３の方向ｄ３に進行させる透過状態であってよい。上記の切替部１８に代わる別構成の切替部１８１は、さらに具体的には、切替素子毎に電磁波を第４の方向ｄ４に反射する反射面を有するシャッタを含んでいてよい。このような構成の切替部１８１においては、切替素子毎のシャッタを開閉することにより、第１の状態としての透過状態及び第２の状態としての反射状態を切替素子毎に切替え得る。

このような構成の切替部１８１として、例えば、開閉可能な複数のシャッタがアレイ状に配列されたＭＥＭＳシャッタを含む切替部が挙げられる。また、切替部１８１は、電磁波を反射する反射状態と電磁波を透過する透過状態とを液晶配向に応じて切替え可能な液晶シャッタを含む切替部が挙げられる。このような構成の切替部１８１においては、切替素子毎の液晶配向を切替えることにより、第１の状態としての透過状態及び第２の状態としての反射状態を切替素子毎に切替え得る。

また、電磁波検出装置１０において、受光系１１０がさらに第２の後段光学系及び第３の検出部を備えてよい。第２の後段光学系は、切替部１８から第４の方向ｄ４に設けられて、対象ｏｂの像を結像させる。第３の検出部は、切替部１８による第４の方向ｄ４に進行した後に第２の後段光学系を経由して進行する電磁波の経路上に設けられて、第４の方向ｄ４に進行した電磁波を検出する。

また、上記の実施形態において、電磁波検出装置１０は、第２の検出部１７がパッシブセンサであり、第１の検出部２０がアクティブセンサである構成を有する。しかし、電磁波検出装置１０は、このような構成に限られない。例えば、電磁波検出装置１０において、第２の検出部１７及び第１の検出部２０が共にアクティブセンサである構成でも、パッシブセンサである構成でも上記の実施形態と類似の効果が得られる。

本実施形態において、電磁波検出装置１０は、演算部１４５が対象ｏｂまでの距離を測定し、測距装置としての機能を備える。ここで、電磁波検出装置１０は距離を測定するものに限定されない。例えば、電磁波検出装置１０は、路上の障害物である対象ｏｂの存在を検出して警告する運転支援装置であってよい。このとき、制御部１４は演算部１４５を含まない構成であってよい。別の例として、電磁波検出装置１０は、周囲の不審な対象ｏｂの存在を検出する監視装置であってよい。

画像情報取得部１４１、照射制御部１４３及び演算部１４５の一部は、制御部１４に含まれるのでなく、制御部１４と別に設けられてよい。例えば、演算部１４５は、制御部１４から独立した制御装置として設けられてよい。

上記の実施形態において代表的な例を説明したが、本開示の趣旨及び範囲内で、多くの変更及び置換が可能であることは当業者に明らかである。したがって、本開示は、上記の実施形態によって制限するものと解するべきではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形及び変更が可能である。例えば、実施形態の構成図に記載の複数の構成ブロックを１つに組み合わせたり、あるいは１つの構成ブロックを分割したりすることが可能である。

また、本開示の解決手段を装置として説明してきたが、本開示は、これらを含む態様としても実現し得るものであり、また、これらに実質的に相当する方法、プログラム、プログラムを記録した記憶媒体としても実現し得るものであり、本開示の範囲にはこれらも包含されるものと理解されたい。

１０ 電磁波検出装置
１２ 照射部
１３ 偏向部
１４ 制御部
１５ 入射部
１６ 分離部
１７ 第２の検出部
１８、１８１ 切替部
１９ 第１の後段光学系
２０ 第１の検出部
１１０ 受光系
１１１ 照射系
１４１ 画像情報取得部
１４３ 照射制御部
１４５ 演算部
ａｓ 作用面
ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４ 第１の方向、第２の方向、第３の方向、第４の方向
ｏｂ 対象

Claims (12)

1. 電磁波を対象が存在する空間へ向けて照射する照射系と、
   前記照射系から照射された前記電磁波が前記対象で反射した反射波を検出する第１の検出部と、
   前記第１の検出部による前記反射波の検出情報に基づいて前記対象までの距離を演算する演算部と、
   前記照射系に前記電磁波を照射させる照射制御部と、を備え、
   前記照射制御部は、第１の電磁波を照射させた後に、前記第１の電磁波より出力が大きい第２の電磁波を照射させ、前記第１の電磁波の前記反射波が前記第１の検出部に入射する前に、前記第２の電磁波を照射させ、前記第１の検出部の前記第１の電磁波の前記反射波と前記第２の電磁波の反射波の検出結果に基づいて、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波を照射させる間隔を調整し、
   前記演算部は、前記第２の電磁波の前記反射波によって前記第１の検出部が飽和した場合に、前記第１の電磁波の前記反射波に基づいて前記対象までの距離を演算する、電磁波検出装置。
2. 電磁波を対象が存在する空間へ向けて照射する照射系と、
   前記照射系から照射された前記電磁波が前記対象で反射した反射波を検出する第１の検出部と、
   前記第１の検出部による前記反射波の検出情報に基づいて前記対象までの距離を演算する演算部と、
   前記照射系に前記電磁波を照射させる照射制御部と、を備え、
   前記照射制御部は、第１の電磁波を照射させた後に、前記第１の電磁波より出力が大きい第２の電磁波を照射させ、前記第１の電磁波を照射させた後で、前記第１の検出部が前記第１の電磁波の前記反射波を検出可能になる前に、前記第２の電磁波を照射させ、前記第１の検出部の前記第１の電磁波の前記反射波と前記第２の電磁波の反射波の検出結果に基づいて、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波を照射させる間隔を調整し、
   前記演算部は、前記第２の電磁波の前記反射波によって前記第１の検出部が飽和した場合に、前記第１の電磁波の前記反射波に基づいて前記対象までの距離を演算する、電磁波検出装置。
3. 前記照射制御部は、前記第１の検出部によって検出された、前記第１の電磁波及び前記第２の電磁波が前記対象で反射した前記反射波が１つである場合に、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波を照射させる間隔を広げる、請求項１又は２に記載の電磁波検出装置。
4. 前記照射制御部は、前記照射系に、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波の照射を含む複数回の前記電磁波の照射をさせた場合に、前記第１の検出部によって検出された前記反射波が前記照射系による前記電磁波の照射回数より少ない回数の前記反射波を検出した場合に、前記照射系による各々の電磁波の照射の間隔を広げる、請求項１又は２に記載の電磁波検出装置。
5. 前記空間からの光を検出して、前記空間の画像情報を出力する第２の検出部を備え、
   前記照射制御部は、前記画像情報に基づいて、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波を照射させる間隔を調整する、請求項１から４に記載の電磁波検出装置。
6. 前記照射制御部は、前記画像情報に基づいて、前記対象のうち光軸に対して斜めの物体に電磁波を照射する場合に、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波を照射させる間隔を広げる、請求項５に記載の電磁波検出装置。
7. 前記照射制御部は、前記画像情報に含まれる前記対象の輝度に基づいて、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波の出力の大きさの差を大きくする、請求項５又は６に記載の電磁波検出装置。
8. 前記照射制御部は、前記空間に存在する複数の物体の位置の遠近の差が大きい場合に、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波の出力の大きさの差を大きくする、請求項１から７のいずれか一項に記載の電磁波検出装置。
9. 前記演算部は、前記第１の検出部によって検出された、前記反射波が１つであって、かつ、そのパルス幅が所定の幅よりも狭い場合に、前記第２の電磁波の前記反射波であるとして前記対象までの距離を演算する、請求項１から８のいずれか一項に記載の電磁波検出装置。
10. 車両に搭載される電磁波検出装置であって、
    前記照射制御部は、前記空間に含まれる第１の領域と、前記第１の領域よりも下方にある第２の領域のうち、前記第２の領域へ向けて前記電磁波を照射する場合に、前記第１の領域へ向けて前記電磁波を照射する場合より、前記第１の電磁波と前記第２の電磁波を照射させる間隔を広げる、請求項１から９のいずれか一項に記載の電磁波検出装置。
11. 前記照射系は、前記照射制御部から前記第１の電磁波を照射させる第１の制御信号と、前記第２の電磁波を照射させる第２の制御信号と、が入力される光源駆動装置を備え、
    前記光源駆動装置は、
    パルス発光するレーザーダイオードと、
    前記レーザーダイオードに電流を供給可能に接続されるコンデンサと、
    前記第１の制御信号を受け取った場合に、前記コンデンサに蓄積された電荷の一部を放電させて、前記レーザーダイオードを発光させて、前記第１の電磁波を照射させる第１のトランジスタと、
    前記第２の制御信号を受け取った場合に、前記コンデンサの残りの電荷を放電させて、前記レーザーダイオードを発光させて、前記第１の電磁波よりも強度の高い前記第２の電磁波を照射させる第２のトランジスタと、を備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の電磁波検出装置。
12. 前記第２の制御信号は、前記第１の制御信号から３ｎｓから１０ｎｓの後に前記光源駆動装置に入力される、請求項１１に記載の電磁波検出装置。

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