JP7372205B2 - 電磁波検出装置および測距装置 - Google Patents

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Description

本開示は、電磁波検出装置および測距装置に関する。
近年、電磁波を検出する複数の検出器による検出結果から周囲に関する情報を得る装置が開発されている。例えば、各検出器による検出結果における座標系の差異を低減させた電磁波検出装置が知られている(特許文献1参照)。
特開2018-200927号公報
このような装置において、撮像素子によって被写体を含む画像を取得するとともに、被写体で反射した反射波を検出することによって被写体までの距離等を検出することがある。一般に、反射波を含む電磁波の検出に要する時間は、撮像素子によって1フレーム分の画像が取得される時間より長い。したがって、撮像素子の画像取得のフレームレートに合わせて電磁波を検出する場合、電磁波の検出の解像度が非常に低くなる。ここで、電磁波の検出の解像度は、距離を測定する空間における電磁波による距離等の検出個所数、すなわち距離情報を取得する地点の数である。レーザーによって空間をスキャンする場合には、電磁波の検出の解像度は、対象空間の1回のスキャンにおけるレーザーの照射箇所の数を指す。
また、電磁波の検出の解像度を高くすると(電磁波の検出個所数を大きくすると)、距離測定のフレームレートが低くなり、画像を取得するタイミングと電磁波を検出するタイミングが大きくずれてしまう。ここで、距離測定のフレームレートは、単位時間あたりの対象空間に対する測距回数であり、レーザーによって空間をスキャンする場合には、単位時間あたりの対象空間のスキャン回数を指す。
上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされた本開示の目的は、画像取得と電磁波検出のタイミングのずれを小さくする電磁波検出装置および測距装置を提供することにある。
上記の課題を解決すべく、第1の観点による電磁波検出装置は、
対象が存在する空間の画像情報を取得する画像情報取得部と、
前記画像情報に含まれる前記対象の輪郭を検出する輪郭検出部と、
前記空間に電磁波を照射する照射系と、
前記照射系を制御して、前記空間における前記対象の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射させる照射制御部と、
前記電磁波が前記対象で反射した反射波を検出する第1の検出部と、を備える。
また、第2の観点による測距装置は、
対象が存在する空間の画像情報を取得する画像情報取得部と、
前記画像情報に含まれる前記対象の輪郭を検出する輪郭検出部と、
前記空間に電磁波を照射する照射系と、
前記照射系を制御して、前記空間における前記対象の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射させる照射制御部と、
前記電磁波が前記対象で反射した反射波を検出する第1の検出部と、
前記第1の検出部の検出情報に基づいて、前記対象との距離を演算する演算部と、を備える。
本開示によれば、画像取得と電磁波検出のタイミングのずれを小さくする電磁波検出装置および測距装置を提供することができる。
図1は、一実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 図2は、図1の電磁波検出装置の第1の状態と第2の状態における電磁波の進行方向を説明するための図である。 図3は、距離の演算を説明するためのタイミングチャートである。 図4は、対象が存在する空間の画像の一例を示す図である。 図5は、図4の画像の輪郭を示す図である。 図6は、電磁波を照射する位置の例を示す図である。 図7は、画像情報の出力、輪郭検出および照射制御のタイミングを示す図である。 図8は、制御部の処理を示すフローチャートである。 図9は、電磁波検出装置の変形例の概略構成を示す構成図である。
図1は、一実施形態に係る電磁波検出装置10の概略構成を示す構成図である。電磁波検出装置10は、照射系111と、受光系110と、制御部14と、を備えて構成される。本実施形態では、電磁波検出装置10が1つの照射系111と1つの受光系110を有するものとして説明するが、照射系111および受光系110は1つに限られるものではなく、複数の照射系111の各々に対して、複数の受光系110の各々が対応付けられる構成であり得る。
照射系111は、照射部12と、偏向部13と、を備える。受光系110は、入射部15と、分離部16と、第1の検出部20と、第2の検出部17と、切替部18と、第1の後段光学系19と、を備える。制御部14は、画像情報取得部141と、輪郭検出部142と、照射制御部143と、受光制御部144と、演算部145と、を備える。本実施形態に係る電磁波検出装置10の各機能ブロックの詳細については後述する。
図面において、各機能ブロックを結ぶ破線は、制御信号または通信される情報の流れを示す。破線が示す通信は有線通信であってよいし、無線通信であってよい。また、実線の矢印はビーム状の電磁波を示す。また、図面において、対象obは、電磁波検出装置10の被写体である。被写体は、例えば道路、中央分離帯、歩道、街路樹、車両等の物を含んでよいし、人を含んでよい。また対象obは1つに限られない。
電磁波検出装置10は、被写体を含む画像を取得するとともに、被写体で反射した反射波を検出することによって被写体を識別可能である。例えば電磁波検出装置10は、車両等に搭載されて、走行中に近づいた対象obを検出してドライバーに通知する運転支援装置であってよい。本実施形態に係る電磁波検出装置10は、演算部145を備えており、後述するように演算部145によって対象obまでの距離を計測する測距装置として機能する。
(照射系)
照射系111は、対象obが存在する空間に電磁波を照射する。本実施形態において、照射系111は、照射部12が照射する電磁波を、偏向部13を介して、対象obが存在する空間に向けて照射する。別の例として、照射系111は、照射部12が電磁波を対象obに向けて直接に照射する構成であってよい。
照射部12は、赤外線、可視光線、紫外線および電波の少なくともいずれかを照射する。本実施形態において、照射部12は赤外線を照射する。また、本実施形態において、照射部12は、幅の細い、例えば0.5°のビーム状の電磁波を照射する。また、照射部12は電磁波をパルス状に照射する。照射部12は、電磁波照射素子として、例えばLED(Light Emitting Diode)を含んで構成され得る。また、照射部12は、電磁波照射素子として、例えばLD(Laser Diode)を含んで構成され得る。照射部12は、制御部14の制御に基づいて電磁波の照射および停止を切替える。ここで、照射部12は複数の電磁波照射素子をアレイ状に配列させたLEDアレイまたはLDアレイを構成し、複数本のビームを同時に照射させてよい。
偏向部13は、照射部12が照射した電磁波を複数の異なる方向に出力させて、対象obが存在する空間に照射される電磁波の照射位置を変更する。複数の異なる方向への出力は、偏向部13が照射部12からの電磁波を、向きを変えながら反射することで行ってよい。例えば偏向部13は、一次元方向または二次元方向に対象obを走査する。ここで、照射部12が例えばLDアレイとして構成されている場合、偏向部13はLDアレイから出力される複数のビームの全てを反射させて、同一方向に出力させる。すなわち、照射系111は、1つまたは複数の電磁波照射素子を有する照射部12に対して1つの偏向部13を有している。
偏向部13は、電磁波を出力する空間である照射領域の少なくとも一部が、受光系110における電磁波の検出範囲に含まれるように構成されている。したがって、偏向部13を介して対象obが存在する空間に照射される電磁波の少なくとも一部は、対象obの少なくとも一部で反射して、受光系110において検出され得る。ここで、偏向部13から出力された電磁波が対象obの少なくとも一部で反射した電磁波を反射波と称する。
偏向部13は、例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラー、ポリゴンミラー、およびガルバノミラーなどを含む。本実施形態において、偏向部13は、MEMSミラーを含む。
偏向部13は、制御部14の制御に基づいて、電磁波を反射する向きを変える。また、偏向部13は、例えばエンコーダなどの角度センサを有してよく、角度センサが検出する角度を、電磁波を反射する方向情報として、制御部14に通知してよい。このような構成において、制御部14は、偏向部13から取得する方向情報に基づいて、電磁波の照射位置を算出し得る。また、制御部14は、偏向部13に電磁波を反射する向きを変えさせるために入力する駆動信号に基づいても照射位置を算出し得る。
(受光系)
以下において、「反射波を含む電磁波」は、対象obでの反射波を含んで受光系110に入射する電磁波を意味する。つまり、照射系111から照射される電磁波と区別するために、受光系110に入射する電磁波は「反射波を含む電磁波」と称されることがある。反射波を含む電磁波は、照射系111から照射された電磁波が対象obで反射した反射波のみならず、太陽光などの外光、外光が対象obで反射した光などを含む。
入射部15は、少なくとも1つの光学部材を有する光学系であって、被写体となる対象obの像を結像させる。光学部材は、例えばレンズ、ミラー、絞りおよび光学フィルタ等の少なくとも1つを含む。
分離部16は、入射部15と、入射部15から所定の位置をおいて離れた対象obの像の、入射部15による結像位置である一次結像位置との間に設けられている。分離部16は、反射波を含む電磁波を波長に応じて第1の方向d1または第2の方向d2に進行するように分離する。
本実施形態において、分離部16は、反射波を含む電磁波の一部を第1の方向d1に反射し、別の一部を第2の方向d2に透過する。本実施形態において、分離部16は、入射する電磁波のうち、太陽光などの環境光が対象obで反射した可視光を第1の方向d1に反射する。また、分離部16は、入射する電磁波のうち、照射部12が照射した赤外線が対象obで反射した赤外線を第2の方向d2に透過する。別の例として、分離部16は、入射する電磁波の一部を第1の方向d1に透過し、電磁波の別の一部を第2の方向d2に反射してよい。また、分離部16は、入射する電磁波の一部を第1の方向d1に屈折させ、電磁波の別の一部を第2の方向d2に屈折させてよい。分離部16は、例えば、ハーフミラー、ビームスプリッタ、ダイクロイックミラー、コールドミラー、ホットミラー、メタサーフェス、偏向素子およびプリズムなどである。
第2の検出部17は、分離部16から第1の方向d1に進行する電磁波の経路上に、設けられている。第2の検出部17は、第1の方向d1における対象obの結像位置または結像位置の近傍に、設けられている。第2の検出部17は、分離部16から第1の方向d1に進行した電磁波を検出する。
また、第2の検出部17は、分離部16から第1の方向d1に進行する電磁波の第1の進行軸が、第2の検出部17の第1の検出軸に平行となるように、分離部16に対して配置されていてよい。第1の進行軸は、分離部16から第1の方向d1に進行する、放射状に広がりながら伝播する電磁波の中心軸である。本実施形態において、第1の進行軸は、入射部15の光軸を分離部16まで延ばし、分離部16において第1の方向d1に平行になるように折曲げた軸である。第1の検出軸は、第2の検出部17の検出面の中心を通り、検出面に垂直な軸である。
さらに、第2の検出部17は、第1の進行軸および第1の検出軸の間隔が第1の間隔閾値以下となるように配置されていてよい。また、第2の検出部17は、第1の進行軸および第1の検出軸が一致するように配置されていてよい。本実施形態において、第2の検出部17は、第1の進行軸および第1の検出軸が一致するように配置されている。
また、第2の検出部17は、第1の進行軸と、第2の検出部17の検出面とのなす第1の角度が第1の角度閾値以下または所定の角度となるように、分離部16に対して配置されていてよい。本実施形態において、第2の検出部17は、第1の角度が90°となるように配置されている。
本実施形態において、第2の検出部17は、パッシブセンサである。本実施形態において、第2の検出部17は、さらに具体的には、素子アレイを含む。例えば、第2の検出部17は、イメージセンサまたはイメージングアレイなどの撮像素子を含み、検出面において結像した電磁波による像を撮像して、撮像した対象obを含む空間の画像情報を生成する。
本実施形態において、第2の検出部17は、さらに具体的には可視光の像を撮像する。第2の検出部17は、生成した画像情報を信号として制御部14に送信する。第2の検出部17は、赤外線、紫外線、および電波の像など、可視光以外の像を撮像してよい。
切替部18は、分離部16から第2の方向d2に進行する電磁波の経路上に設けられている。切替部18は、第2の方向d2における対象obの一次結像位置または一次結像位置近傍に、設けられている。
本実施形態において、切替部18は、結像位置に設けられている。切替部18は、入射部15および分離部16を通過した電磁波が入射する作用面asを有している。作用面asは、2次元状に沿って並ぶ複数の切替素子seによって構成されている。作用面asは、後述する第1の状態および第2の状態の少なくともいずれかにおいて、電磁波に、例えば、反射および透過などの作用を生じさせる面である。
切替部18は、作用面asに入射する電磁波を、第3の方向d3に進行させる第1の状態と、第4の方向d4に進行させる第2の状態とに、切替素子se毎に切替可能である。本実施形態において、第1の状態は、作用面asに入射する電磁波を、第3の方向d3に反射する第1の反射状態である。また、第2の状態は、作用面asに入射する電磁波を、第4の方向d4に反射する第2の反射状態である。
本実施形態において、切替部18は、さらに具体的には、切替素子se毎に電磁波を反射する反射面を含んでいる。切替部18は、切替素子se毎の各々の反射面の向きを任意に変更することにより、第1の反射状態および第2の反射状態を切替素子se毎に切替える。
本実施形態において、切替部18は、例えばDMD(Digital Micro mirror Device:デジタルマイクロミラーデバイス)を含む。DMDは、作用面asを構成する微小な反射面を駆動することにより、切替素子se毎に反射面を作用面asに対して+12°および-12°のいずれかの傾斜状態に切替可能である。作用面asは、DMDにおける微小な反射面を載置する基板の板面に平行である。
切替部18は、制御部14の制御に基づいて、第1の状態および第2の状態を、切替素子se毎に切替える。例えば、図2に示すように、切替部18は、同時に、一部の切替素子se1を第1の状態に切替えることにより切替素子se1に入射する電磁波を第3の方向d3に進行させ得、別の一部の切替素子se2を第2の状態に切替えることにより切替素子se2に入射する電磁波を第4の方向d4に進行させ得る。より具体的には、制御部14は偏向部13からの方向情報に基づいて、電磁波が照射された方向または電磁波が照射された位置を検出する。そして、検出した電磁波の照射方向または照射位置に応じた切替素子se1を第1の状態とし、それ以外の切替素子se1は第2の状態とすることで、対象obからの反射波を選択的に第3の方向d3に進行させる。分離部16を通過した電磁波のうち、対象obからの反射波以外の電磁波は第4の方向d4に進行するため、第1の検出部20には入射しない。
図1に示すように、第1の後段光学系19は、切替部18から第3の方向d3に設けられている。第1の後段光学系19は、例えば、レンズおよびミラーの少なくとも一方を含む。第1の後段光学系19は、切替部18において進行方向を切替えられた電磁波としての対象obの像を結像させる。
第1の検出部20は反射波を検出する。第1の検出部20は、切替部18による第3の方向d3に進行した後に第1の後段光学系19を経由して進行する電磁波を検出可能な位置に配置されている。第1の検出部20は、第1の後段光学系19を経由した電磁波、すなわち第3の方向d3に進行した電磁波を検出して、検出信号を出力する。
また、第1の検出部20は、切替部18とともに、分離部16から第2の方向d2に進行して切替部18により第3の方向d3に進行方向が切替えられた電磁波の第2の進行軸が、第1の検出部20の第2の検出軸に平行となるように、分離部16に対して配置されていてよい。第2の進行軸は、切替部18から第3の方向d3に進行する、放射状に広がりながら伝播する電磁波の中心軸である。本実施形態において、第2の進行軸は、入射部15の光軸を切替部18まで延ばし、切替部18において第3の方向d3に平行になるように折曲げた軸である。第2の検出軸は、第1の検出部20の検出面の中心を通り、検出面に垂直な軸である。
さらに、第1の検出部20は、切替部18とともに、第2の進行軸および第2の検出軸の間隔が第2の間隔閾値以下となるように配置されていてよい。第2の間隔閾値は、第1の間隔閾値と同じ値であってよいし、異なる値であってよい。また、第1の検出部20は、第2の進行軸および第2の検出軸が一致するように配置されていてよい。本実施形態において、第1の検出部20は、第2の進行軸および第2の検出軸が一致するように配置されている。
また、第1の検出部20は、切替部18とともに、第2の進行軸と、第1の検出部20の検出面とのなす第2の角度が第2の角度閾値以下または所定の角度となるように、分離部16に対して配置されていてよい。第2の角度閾値は、第1の角度閾値と同じ値であってよいし、異なる値であってよい。本実施形態において、第1の検出部20は、前述のように、第2の角度が90°となるように配置されている。
本実施形態において、第1の検出部20は、照射部12から対象obに向けて照射された電磁波の反射波を検出するアクティブセンサである。第1の検出部20は、例えばAPD(Avalanche PhotoDiode)、PD(PhotoDiode)および測距イメージセンサなどの単一の素子を含む。また、第1の検出部20は、APDアレイ、PDアレイ、測距イメージングアレイ、および測距イメージセンサなどの素子アレイを含むものであってよい。
本実施形態において、第1の検出部20は、被写体からの反射波を検出したことを示す検出情報を信号として制御部14に送信する。第1の検出部20は、さらに具体的には、赤外線の帯域の電磁波を検出する。
また、本実施形態において、第1の検出部20は、対象obまでの距離を測定するための検出素子として用いられる。換言すると、第1の検出部20は、測距センサを構成する素子であって、電磁波を検出できればよく、検出面において結像される必要がない。それゆえ、第1の検出部20は、第1の後段光学系19による結像位置である二次結像位置に設けられなくてよい。すなわち、この構成において、第1の検出部20は、全ての画角からの電磁波が検出面上に入射可能な位置であれば、切替部18により第3の方向d3に進行した後に第1の後段光学系19を経由して進行する電磁波の経路上のどこに配置されてよい。
以上のような構成を有することにより、電磁波検出装置10は画像上における所定の位置と、当該位置の距離を測定するための反射波の光軸を一致させている。
(制御部)
画像情報取得部141は、第2の検出部17から対象obが存在する空間の画像情報を取得する。より具体的には、画像情報取得部141は、数ライン分の画像情報を一時的に記憶して、輪郭検出部142に出力するラインバッファを含む。ラインバッファは、例えば、半導体メモリまたは磁気メモリなどで構成される。
輪郭検出部142は、画像情報取得部141から取得した画像情報に含まれる対象obの輪郭を検出する。輪郭検出部142は、一次元または二次元の方向に対して対象obの輪郭を検出してよい。輪郭検出部142は、例えばラプラシアン法、ソーベル法またはキャニー法等を用いてよい。輪郭検出の手法は限定されない。
照射制御部143は、照射系111を制御する。照射制御部143は、例えば照射部12に、電磁波の照射および停止を切替えさせる。照射制御部143は、例えば偏向部13に、電磁波を反射する向きを変えさせる。後に詳細に説明するように、照射制御部143は、輪郭検出部142が検出した対象obの輪郭の情報に基づいて、空間における対象obの輪郭に対応する方向に照射系111が電磁波を照射するように制御する。
受光制御部144は、受光系110を制御する。受光制御部144は、例えば切替部18に、第1の状態および第2の状態を切替素子se毎に切替えさせる。
演算部145は、第1の検出部20の検出情報に基づいて、対象obとの距離を演算する。演算部145は、取得した検出情報に基づいて、例えばToF(Time-of-Flight)方式で距離を演算可能である。
図3に示すように、制御部14は、照射部12に電磁波放射信号を入力することにより、照射部12にパルス状の電磁波を照射させる(“電磁波放射信号”欄参照)。照射部12は、入力された電磁波放射信号に基づいて電磁波を照射する(“照射部放射量”欄参照)。照射部12が照射し、かつ、偏向部13が反射して、対象obが存在する空間である照射領域に照射された電磁波は、照射領域において反射する。制御部14は、照射領域の反射波の入射部15による切替部18における結像領域の中の少なくとも一部の切替素子seを第1の状態に切替え、他の切替素子seを第2の状態に切替える。そして、第1の検出部20は、照射領域において反射された電磁波を検出するとき(“電磁波検出量”欄参照)、検出情報を制御部14に通知する。
演算部145は、検出情報を含む上記の信号の情報を取得する。演算部145は、例えば、時間計測LSI(Large Scale Integrated circuit)を含み、照射部12に電磁波を照射させた時期T1から、検出情報を取得(“検出情報取得”欄参照)した時期T2までの時間ΔTを計測する。演算部145は、時間ΔTに光速を乗算し、かつ、2で除算することにより、照射位置までの距離を算出する。
ここで、制御部14は、1つ以上のプロセッサを含んでよい。プロセッサは、アクセス可能なメモリからプログラムをロードして、画像情報取得部141、輪郭検出部142、照射制御部143、受光制御部144および演算部145として動作してよい。プロセッサは、特定のプログラムを読み込ませて特定の機能を実行する汎用のプロセッサ、および特定の処理に特化した専用のプロセッサの少なくともいずれかを含んでよい。専用のプロセッサは、特定用途向けIC(ASIC;Application Specific Integrated Circuit)を含んでよい。プロセッサは、プログラマブルロジックデバイス(PLD;Programmable Logic Device)を含んでよい。PLDは、FPGA(Field-Programmable Gate Array)を含んでよい。制御部14は、1つまたは複数のプロセッサが協働するSoC(System-on-a-Chip)、およびSiP(System In a Package)の少なくともいずれかを含んでよい。
(画像取得と電磁波検出のタイミング)
上記の構成の電磁波検出装置10は、第2の検出部17によって被写体である対象obを含む画像を取得するとともに、第1の検出部20によって反射波を検出することによって対象obまでの距離を演算することができる。一般に、反射波を含む電磁波の検出に要する時間は、撮像素子等によって1フレーム分の画像が取得される時間より長い。例えば、撮像素子を用いて1920×1080ピクセルの画像を1秒間に30フレーム取得可能である。一方、照射した電磁波の反射波を受光しての距離測定に要する時間は、1ポイントで20μsかかることがある。したがって、空間全体に対してビームによるスキャンを行う従来技術において、撮像素子の画像取得のフレームレートに合わせて電磁波を検出する場合、電磁波の検出の解像度が非常に低くなる。例えば1秒間に30フレームで電磁波の検出を実行する場合、54×31ポイントしか測定することができないため、対象obについての距離測定を適切に行うことができない。また、従来技術において、電磁波の検出の解像度を高くすると距離測定のフレームレートが低くなり、画像を取得するタイミングと電磁波を検出するタイミングが大きくずれてしまう。先の例で、240×135ポイントで電磁波の検出を実行する場合に、距離測定のフレームレートは1.5程度になり、20フレーム以上前の画像に対応させて電磁波を検出するおそれがある。言い換えれば、電磁波検出装置による1フレーム分の距離測定が完了する間に、撮像素子によって20フレーム以上の画像が取得され得るため、最新の画像の取得タイミングと距離測定が行われたタイミングが大きく異なってしまう。本実施形態に係る電磁波検出装置10は、以下に説明するように、対象obの輪郭の情報に基づいて照射系111が電磁波を照射することによって、1フレームあたりの電磁波を照射する回数を減らし、このような問題を解決する。
図4は、対象obが存在する空間の画像の一例を示す図である。以下において、図4の画像を撮像画像50と称することがある。撮像画像50は1フレームの画像であって、例えば1920×1080ピクセルのサイズを有する。撮像画像50において、対象obは空、山、道路、白線、側壁および中央分離帯である。撮像画像50は、電磁波検出装置10が搭載された走行中の車両の前方の画像であって、中心Cが車両の走行方向の先にあるように設定されている。
画像情報取得部141は、撮像画像50の画像信号を、第2の検出部17からライン単位で取得する。つまり、画像情報取得部141は、対象obが存在する空間の画像情報を、フレーム単位でなく、一部の部分情報単位で取得する。本実施形態において、画像情報取得部141は、8ライン分のラインバッファを含み、8ライン分の部分情報を単位として取得する。例えば、画像情報取得部141は、空間の一部の画像情報である第1の部分情報51と、第1の部分情報51と異なる空間の一部の画像情報である第2の部分情報52を取得する。第1の部分情報51および第2の部分情報52は、それぞれ8ライン分の部分情報である。画像情報取得部141のラインバッファは、第1の部分情報51を取得した後に、第2の部分情報52を上書きして取得する。また、画像情報取得部141は、第1の部分情報51を輪郭検出部142に出力した後で、第2の部分情報52を出力する。
図5は、図4の撮像画像50の輪郭を示す図である。以下において、図5の画像を輪郭画像60と称することがある。輪郭画像60は、輪郭検出部142が撮像画像50の輪郭を抽出した結果を画像化したものに対応する。輪郭画像60において、対象obである空、山、道路、白線、側壁および中央分離帯の境界部分が抽出されて示されている。輪郭画像60の中心Cは、撮像画像50と同じ位置にある。
輪郭検出部142は、撮像画像50の画像信号を、画像情報取得部141からライン単位で取得する。輪郭検出部142は、画像情報取得部141のラインバッファの容量の範囲内の画像信号を取得できる。本実施形態のように、輪郭検出部142は、1ライン毎に部分情報を取得して、取得する度に取得した1ライン分の部分情報から輪郭検出を実行してよい。別の例として、輪郭検出部142は、画像情報取得部141のラインバッファが記憶可能な8ライン分の部分情報を一度に取得して、取得した8ライン分の部分情報から輪郭検出を実行してよい。本実施形態において、輪郭検出部142は、8ライン分の部分情報に対する輪郭の情報を単位として、照射制御部143に出力する。例えば、輪郭検出部142は、8ライン分の第1の部分情報51に基づき対象obの輪郭である第1の輪郭を検出した後に、8ライン分の第2の部分情報52に基づき対象obの輪郭である第2の輪郭を検出する。そして、輪郭検出部142は、第1の輪郭の情報61を照射制御部143に出力した後に、第2の輪郭の情報62を照射制御部143に出力する。
図6は、照射系111が電磁波を照射する位置の例を示す図である。図6に示される第1の輪郭の情報61は、図5の第1の輪郭の情報61を拡大したものである。第1の輪郭の情報61が含む12の線は、部分情報に含まれる対象obの輪郭を示す。照射制御部143は、第1の輪郭の情報61を取得した場合に、照射系111を制御して、空間における対象obの輪郭に対応する方向に電磁波を照射させる。つまり、照射制御部143は、照射の向きが対象obの輪郭に対応する場合にパルス状の電磁波を照射させて、照射の向きが対象obの輪郭に対応しない場合に電磁波を照射せずに次の輪郭位置まで移動させるように、照射系111を制御する。電磁波検出装置10では、空間における所定の位置の画像を取得するための光と、当該位置の距離を測定するための反射波との光軸が一致していることから、対象obの輪郭に対応する方向に対して正確に電磁波を照射させることができる。
ここで、対象obの輪郭は水平または垂直方向に長さを有することがある。照射制御部143は、例えば連続する輪郭の中点の位置を輪郭位置P~P12と定めて、実際の空間において輪郭位置P~P12に対応する方向に電磁波を照射させてよい。照射制御部143は、第2の輪郭の情報62を取得した場合にも同様に、照射系111を制御して、空間における対象obの輪郭に対応する方向に電磁波を照射させる。つまり、照射制御部143は、空間における第1の輪郭に対応する方向に電磁波を照射した後に、空間における第2の輪郭に対応する方向に電磁波を照射させる。
輪郭位置P~P12に対応する方向に電磁波を照射することは、距離を測定したい対象obが存在する位置に確実に電磁波を照射することを可能にする。例えば、等間隔で電磁波を照射すると、照射するポイント間に位置する小さな対象obに対して電磁波が照射されないことがある。本実施形態に係る電磁波検出装置10は、対象obの輪郭の情報に基づいて照射系111が電磁波を照射することによって、対象obが存在する方向へ確実に電磁波を照射できる。
照射系111が1フレーム当たりに電磁波を照射可能なポイントの数である上限値は、第1の検出部20が反射波を検出する時間に基づいて定めてよい。例えば、第2の検出部17が1920×1080ピクセルの画像を1秒間に30フレーム検出する場合に、ラインバッファが記憶可能な8ライン分の部分情報は240μsで検出される。ただし、1ライン分の画像の検出時間はブランキング期間を考慮して30μsとしている。これに対して、第1の検出部20が照射された電磁波の反射波を検出するのに要する時間は1ポイントあたり20μsである。照射系111の電磁波の照射は、8ライン分の部分情報の輪郭検出に応じて実行される。そのため、この例において上限値は240μsを20μsで割った12になる。照射制御部143は、照射の向きを例えば水平方向に移動させて上限値以下のポイントで電磁波を照射させるように、照射系111を制御する。照射系111は、例えば照射の向きを一方向に偏向させる間に上限値の電磁波照射を実行してよいし、照射の向きを往復させる間に上限値の電磁波照射を実行してよい。後者の具体例として、照射系111は240μsで水平方向に一往復するように偏向し、一方向への偏向の間に6ポイントの電磁波照射を実行し、他方向への偏向での間に別の6ポイントの電磁波照射を実行してよい。
ここで、撮像画像50における第3の部分情報53は、8ライン分の空の画像の部分情報である。輪郭画像60における第3の輪郭の情報63は、第3の部分情報53に対応するが、1つも輪郭を含まない。例えば照射制御部143が第3の輪郭の情報63を取得した場合に、照射制御部143は照射系111に電磁波を照射させなくてよい。照射制御部143は、取得した輪郭情報が含む輪郭の数が上限値未満の場合に、上限値未満のポイントに電磁波を照射させてよい。つまり、照射制御部143は、空間における輪郭に対応する方向だけに電磁波を照射させてよい。
照射制御部143は、対象obの輪郭の数が上限値を超える場合に、上限値を超えない優先順位の高い対象obの輪郭に対応する方向に電磁波を照射させてよい。優先順位は、例えば空間の撮像画像50の中心Cに近い対象obの輪郭が高くなるように定められてよい。つまり、撮像画像50の周辺部にある対象obより、中心Cに近い対象obの優先順位が高いと定められてよい。別の例として、優先順位は、輪郭のうち明瞭なものが高くなるように定められてよい。つまり、対象obの境界であることが確実な部分を優先的に検出するようにしてよい。別の例として、優先順位は、より近い部分にある対象obの輪郭が高くなるように定められてよい。つまり、危険回避行動等の対応を早くに実行する必要がある近くの対象obの検出を優先させてよい。また、更に別の例として、優先順位は電磁波検出装置10が搭載された車両等の移動速度に基づいて定められてよい。つまり、移動速度が速い場合には遠方にある対象obを優先し、移動速度が遅い場合には近くにある対象obを優先してよい。また、更に別の例として、撮影した画像から認識した対象obの種類、対象obの大きさおよび対象obの左右方向への移動速度によって優先順位が決定されてよい。
図7は、画像情報の出力、輪郭検出および照射制御のタイミングを例示する図である。画像情報取得部141は、ラインバッファに一時的に記憶した8ライン分の部分情報(例えば第1の部分情報51)を輪郭検出部142に出力する。画像情報取得部141は、この例において1ライン分の部分情報を8回に分けて輪郭検出部142に出力する。輪郭検出部142は1ライン分の部分情報を取得する度に輪郭検出を実行する。輪郭検出部142は第1の部分情報51の輪郭検出を実行して、第1の輪郭の情報61を照射制御部143に出力する。照射制御部143は、第1の輪郭の情報61に基づいて、空間における対象obの輪郭に対応する方向に照射系111が電磁波を照射するように制御する。このとき、画像情報取得部141は、ラインバッファに一時的に記憶した8ライン分の部分情報(例えば第2の部分情報52)を輪郭検出部142に出力する。輪郭検出部142は第2の部分情報52の輪郭検出を実行して、第2の輪郭の情報62を照射制御部143に出力する。照射制御部143は、第2の輪郭の情報62に基づいて、空間における対象obの輪郭に対応する方向に照射系111が電磁波を照射するように制御する。このように、一部の画像情報である部分情報を単位として、画像情報取得部141、輪郭検出部142および照射制御部143が並行して処理を実行する。このとき、画像を取得してから照射系11が電磁波を照射するまでの遅延には、部分情報をラインバッファに記憶する際の遅延と、輪郭検出処理による遅延が含まれる。
(電磁波検出方法)
本実施形態に係る電磁波検出装置10の制御部14は、例えば図8のフローチャートに従って1フレーム分の電磁波検出を実行する。
制御部14の画像情報取得部141は、第1の検出部20から対象obが存在する空間の画像情報を取得する(ステップS1)。制御部14の画像情報取得部141は、画像情報をフレーム全体でなく、一部の部分情報単位で取得する。
制御部14の輪郭検出部142は、画像情報取得部141から出力された部分情報に含まれる対象obの輪郭を検出する(ステップS2)。
制御部14の照射制御部143は、照射系111に、空間における対象obの輪郭に対応する方向に電磁波を照射させる。制御部14は、並行して、次の部分情報を設定する(ステップS3)。次の部分情報の設定は、例えば第1の部分情報51に基づいて電磁波を照射させる制御を実行する場合に、次の第2の部分情報52を取得可能なように、制御部14におけるパラメータ(具体例としてライン位置を指定する変数)を変更することである。
制御部14は、1フレーム分の画像情報を取得し終えた場合に(ステップS4のYes)、一連の処理を終了する。制御部14は、1フレーム分の画像情報を取得していない場合に(ステップS4のNo)、ステップS1の処理に戻る。
以上のように、本実施形態に係る電磁波検出装置10は、上記の構成によって空間における対象obの輪郭に対応する方向に電磁波を照射する。そのため、電磁波検出装置10は、電磁波の検出の解像度を高くしなくても、対象obが存在する位置に確実に電磁波を照射することができる。したがって、画像を取得するタイミングと電磁波を検出するタイミングのずれを小さくすることができる。
また、電磁波検出装置10は、第1の部分情報51を取得し、第1の部分情報51から得られる第1の輪郭の情報61に基づいて輪郭位置の方向に電磁波を照射させるとともに、第2の部分情報52を取得することが好ましい。電磁波検出装置10は、このような並行処理によって、画像を取得するタイミングと電磁波を検出するタイミングのずれをさらに小さくすることができる。すなわち、対象obの画像が取得されたタイミングと、当該対象obについての測距測定を行うタイミングのずれをさらに小さくできる。
本実施例では、対象obの輪郭に対応する方向に対して電磁波を照射するように構成したが、部分情報から対象obの輪郭が検出できない場合、または、検出できた輪郭部分が上限値より少ない場合には、上限値の範囲内で輪郭が検出できていない箇所に対応する方向に対しても電磁波を照射させてよい。この場合、電磁波検出装置10は、例えば等間隔に電磁波を照射させるなどしてよい。
(変形例)
本開示を諸図面および実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形および修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形および修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。
上記の実施形態において、電磁波検出装置10は、上記のように、レーザー光を照射して、返ってくるまでの時間を直接測定するDirect ToFにより距離情報を作成する構成である。しかし、電磁波検出装置10は、このような構成に限られない。例えば、電磁波検出装置10は、電磁波を一定の周期で照射し、照射された電磁波と返ってきた電磁波との位相差から、返ってくるまでの時間を間接的に測定するFlash ToFにより距離情報を作成してよい。また、電磁波検出装置10は、他のToF方式、例えば、Phased ToFにより距離情報を作成してよい。
上記の実施形態において、切替部18は、作用面asに入射する電磁波の進行方向を2方向に切替え可能であるが、2方向のいずれかへの切替えでなく、3以上の方向に切替え可能であってよい。
上記の実施形態の切替部18において、第1の状態および第2の状態は、作用面asに入射する電磁波を、それぞれ、第3の方向d3に反射する第1の反射状態、および第4の方向d4に反射する第2の反射状態であるが、他の態様であってよい。
例えば、図9に示すように、第1の状態が、作用面asに入射する電磁波を、透過させて第3の方向d3に進行させる透過状態であってよい。切替部181は、さらに具体的には、切替素子毎に電磁波を第4の方向d4に反射する反射面を有するシャッタを含んでいてよい。このような構成の切替部181においては、切替素子毎のシャッタを開閉することにより、第1の状態としての透過状態および第2の状態としての反射状態を切替素子毎に切替え得る。
このような構成の切替部181として、例えば、開閉可能な複数のシャッタがアレイ状に配列されたMEMSシャッタを含む切替部が挙げられる。また、切替部181は、電磁波を反射する反射状態と電磁波を透過する透過状態とを液晶配向に応じて切替え可能な液晶シャッタを含む切替部が挙げられる。このような構成の切替部181においては、切替素子毎の液晶配向を切替えることにより、第1の状態としての透過状態および第2の状態としての反射状態を切替素子毎に切替え得る。
また、電磁波検出装置10において、受光系110がさらに第2の後段光学系および第3の検出部を備えてよい。第2の後段光学系は、切替部18から第4の方向d4に設けられて、対象obの像を結像させる。第3の検出部は、切替部18による第4の方向d4に進行した後に第2の後段光学系を経由して進行する電磁波の経路上に設けられて、第4の方向d4に進行した電磁波を検出する。
また、上記の実施形態において、電磁波検出装置10は、第2の検出部17がパッシブセンサであり、第1の検出部20がアクティブセンサである構成を有する。しかし、電磁波検出装置10は、このような構成に限られない。例えば、電磁波検出装置10において、第2の検出部17および第1の検出部20が共にアクティブセンサである構成でも、パッシブセンサである構成でも上記の実施形態と類似の効果が得られる。
本実施形態において、制御部14は演算部145を備える。本実施形態に係る電磁波検出装置10は、演算部145が対象obまでの距離を測定し、測距装置としての機能を備える。ここで、電磁波検出装置10は距離を測定するものに限定されない。例えば、電磁波検出装置10は、路上の障害物である対象obの存在を検知して警告するものであってよい。このとき、制御部14は演算部145を含まない構成であってよい。また、演算部145は、制御部14に含まれるのでなく、制御部14と別に設けられてよい。
上記の実施形態において代表的な例を説明したが、本開示の趣旨および範囲内で、多くの変更および置換が可能であることは当業者に明らかである。したがって、本開示は、上記の実施形態によって制限するものと解するべきではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形および変更が可能である。例えば、実施形態の構成図に記載の複数の構成ブロックを1つに組み合わせたり、あるいは1つの構成ブロックを分割したりすることが可能である。
また、本開示の解決手段を装置として説明してきたが、本開示は、これらを含む態様としても実現し得るものであり、また、これらに実質的に相当する方法、プログラム、プログラムを記録した記憶媒体としても実現し得るものであり、本開示の範囲にはこれらも包含されるものと理解されたい。
10 電磁波検出装置
12 照射部
13 偏向部
14 制御部
15 入射部
16 分離部
17 第2の検出部
18、181 切替部
19 第1の後段光学系
20 第1の検出部
21 演算部
50 撮像画像
51 第1の部分情報
52 第2の部分情報
53 第3の部分情報
60 輪郭画像
61 第1の輪郭の情報
62 第2の輪郭の情報
63 第3の輪郭の情報
110 受光系
111 照射系
141 画像情報取得部
142 輪郭検出部
143 照射制御部
144 受光制御部
145 演算部
as 作用面
d1、d2、d3、d4 第1の方向、第2の方向、第3の方向、第4の方向
ob 対象

Claims (10)

  1. 対象が存在する空間の画像情報を取得する画像情報取得部と、
    前記画像情報に含まれる前記対象の輪郭を検出する輪郭検出部と、
    前記空間に電磁波を照射する照射系と、
    前記照射系を制御して、前記空間における前記対象の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射させる照射制御部と、
    前記電磁波が前記対象で反射した反射波を検出する第1の検出部と、を備える、電磁波検出装置。
  2. 前記照射制御部は、前記対象の輪郭でない部分に対応する方向には、前記電磁波を照射させない、請求項1に記載の電磁波検出装置。
  3. 前記照射制御部は、前記対象の輪郭の数が、前記照射系が前記電磁波を照射して前記第1の検出部が前記反射波を検出するまでの時間に基づいて定められる上限値を超える場合に、前記上限値を超えない優先順位の高い前記対象の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射させる、請求項1または2に記載の電磁波検出装置。
  4. 前記優先順位は、前記空間の画像の中心に近い前記対象の輪郭が高くなるように定められる、請求項3に記載の電磁波検出装置。
  5. 前記画像情報取得部は、前記空間の一部の画像情報である第1の部分情報と、前記第1の部分情報と異なる前記空間の一部の画像情報である第2の部分情報を取得し、
    前記輪郭検出部は、前記第1の部分情報に基づき前記対象の輪郭である第1の輪郭を検出した後に、前記第2の部分情報に基づき前記対象の輪郭である第2の輪郭を検出し、
    前記照射制御部は、前記空間における前記第1の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射した後に、前記空間における前記第2の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射させる、請求項1から4のいずれか一項に記載の電磁波検出装置。
  6. 前記照射系が、前記第1の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射している間に、前記画像情報取得部が前記第2の部分情報を取得する、請求項5に記載の電磁波検出装置。
  7. 前記反射波を含む電磁波を第1の方向および第2の方向に進行するように分離する分離部と、
    前記第1の方向に進行した電磁波を検出する第2の検出部と、を備え、
    前記画像情報取得部は、前記第2の検出部の検出情報に基づく前記空間の画像情報を取得する、請求項1から6のいずれか一項に記載の電磁波検出装置。
  8. 前記第2の方向に進行した電磁波を、第3の方向へ進行させる第1の状態、または第4の方向に進行させる第2の状態に切替え可能な複数の切替素子を有する切替部と、
    前記照射系から出力された電磁波の照射方向または照射位置に応じて、前記複数の切替素子のそれぞれを前記第1の状態または前記第2の状態に切替える受光制御部と、を備え、
    前記分離部は前記反射波を前記第2の方向に進行させ、
    前記第1の検出部は、前記第3の方向へ進行する電磁波を検出可能な位置に配置されている、請求項7に記載の電磁波検出装置。
  9. 前記対象の所定位置についての画像情報を取得するための光と、前記第1の検出部が検出する前記所定位置からの前記反射波と、の光軸が一致するように構成された、請求項1から6のいずれか一項に記載の電磁波検出装置。
  10. 対象が存在する空間の画像情報を取得する画像情報取得部と、
    前記画像情報に含まれる前記対象の輪郭を検出する輪郭検出部と、
    前記空間に電磁波を照射する照射系と、
    前記照射系を制御して、前記空間における前記対象の輪郭に対応する方向に前記電磁波を照射させる照射制御部と、
    前記電磁波が前記対象で反射した反射波を検出する第1の検出部と、
    前記第1の検出部の検出情報に基づいて、前記対象との距離を演算する演算部と、を備える、測距装置。
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