JP7479331B2 - センサ - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、センサに関する。
例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを用いたセンサがある。センサにおいて、特性の向上が望まれる。
特開２０２０－４１８９３号公報
実施形態は、特性の向上が可能なセンサを提供する。
実施形態によれば、センサは、基体、第１検出部、第２検出部、第１抵抗端子、第２抵抗端子、第３抵抗端子、第１導電端子及び第２導電端子を含む。前記基体は、第１基体領域及び第２基体領域を含む。前記第１検出部は、前記第１基体領域に設けられる。前記第１検出部は、第１検出素子を含む。前記第１検出素子は、第１抵抗部材及び第１導電部材を含む。前記第１抵抗部材は、第１抵抗部分と第１抵抗他部分とを含む。前記第１導電部材は、第１導電部分と第１導電他部分とを含む。前記第２検出部は、前記第２基体領域に設けられる。前記第２検出部は、第２検出素子を含む。前記第２検出素子は、第２抵抗部材及び第２導電部材を含む。前記第２抵抗部材は、第２抵抗部分と第２抵抗他部分とを含む。前記第２導電部材は、第２導電部分と第２導電他部分とを含む。前記第１抵抗端子は、前記第１抵抗部分と電気的に接続される。前記第２抵抗端子は、前記第１抵抗他部分及び前記第２抵抗部分と電気的に接続される。前記第３抵抗端子は、前記第２抵抗他部分と電気的に接続される。前記第１導電端子は、前記第１導電部分と電気的に接続される。前記第２導電端子は、前記第１導電他部分と電気的に接続される。
図１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 図５は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 図６は、第２実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 図７は、第３実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１は、図３のＡ１－Ａ２線断面図である。図２（ａ）は、図３のＢ１－Ｂ２線断面図である。図２（ｂ）は、図３のＣ１－Ｃ２線断面図である。
図１、図２（ａ）、図２（ｂ）及び図３に示すように、実施形態に係るセンサ１１０は、基体４１、第１検出部１０Ａ、第２検出部１０Ｂ、第１抵抗端子５１、第２抵抗端子５２、第３抵抗端子５３、第１導電端子６１及び第２導電端子６２を含む。
基体４１は、第１基体領域４１ａ及び第２基体領域４１ｂを含む。この例では、基体４１は、基板４１ｓ及び絶縁膜４１ｉを含む。基板４１ｓは、例えば半導体基板（例えばシリコン基板）などで良い。基板４１ｓは、例えば、半導体回路などを含んでも良い。基板４１ｓは、ビア電極などの接続部材を含んで良い。
第１検出部１０Ａは、第１基体領域４１ａに設けられる。第１基体領域４１ａから第１検出部１０Ａへの方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
第１検出部１０Ａは、第１検出素子１１Ｅを含む。第１検出素子１１Ｅは、第１抵抗部材１１及び第１導電部材２１を含む。図１及び図３に示すように、第１抵抗部材１１は、第１抵抗部分１１ａと第１抵抗他部分１１ｂとを含む。例えば、第１抵抗部分１１ａは、第１抵抗部材１１の１つの端部で良い。第１抵抗他部分１１ｂは、第１抵抗部材１１の別の端部で良い。図２（ａ）及び図３に示すように、第１導電部材２１は、第１導電部分２１ａと第１導電他部分２１ｂとを含む。例えば、第１導電部分２１ａは、第１導電部材２１の１つの端部で良い。第１導電他部分２１ｂは、第１導電部材２１の別の端部で良い。
図１及び図３に示すように、この例では、第１検出部１０Ａは、第１接続部３１Ｃ及び第１支持部３１Ｓをさらに含む。第１支持部３１Ｓは、基体４１に固定される。第１接続部３１Ｃの一部は、第１支持部３１Ｓに支持される。第１接続部３１Ｃの別の一部は、第１検出素子１１Ｅを第１基体領域４１ａから離して支持する。第１基体領域４１ａと第１検出素子１１Ｅとの間に第１空隙ｇ１が設けられる。
この例では、第１検出部１０Ａは、第１他接続部３１ａＣ及び第１他支持部３１ａＳをさらに含む。第１他支持部３１ａＳは、基体４１に固定される。第１他接続部３１ａＣの一部は、第１他支持部３１ａＳに支持される。第１他接続部３１ａＣの別の一部は、第１検出素子１１Ｅを第１基体領域４１ａから離して支持する。この例では、第１接続部３１Ｃと第１他接続部３１ａＣとの間に、第１検出素子１１Ｅの少なくとも一部がある。
第２検出部１０Ｂは、第２基体領域４１ｂに設けられる。第２基体領域４１ｂから第２検出部１０Ｂへの方向は、Ｚ軸方向に沿う。
第２検出部１０Ｂは、第２検出素子１２Ｅを含む。第２検出素子１２Ｅは、第２抵抗部材１２及び第２導電部材２２を含む。図１及び図３に示すように、第２抵抗部材１２は、第２抵抗部分１２ａと第２抵抗他部分１２ｂとを含む。例えば、第２抵抗部分１２ａは、第２抵抗部材１２の１つの端部で良い。第２抵抗他部分１２ｂは、第２抵抗部材１２の別の端部で良い。図２（ｂ）及び図３に示すように、第２導電部材２２は、第２導電部分２２ａと第２導電他部分２２ｂとを含む。例えば、第２導電部分２２ａは、第２導電部材２２の１つの端部で良い。第２導電他部分２２ｂは、第２導電部材２２の別の端部で良い。
図１及び図３に示すように、この例では、第２検出部１０Ｂは、第２接続部３２Ｃ及び第２支持部３２Ｓをさらに含む。第２支持部３２Ｓは、基体４１に固定される。第２接続部３２Ｃの一部は、第２支持部３２Ｓに支持される。第２接続部３２Ｃの別の一部は、第２検出素子１２Ｅを第２基体領域４１ｂから離して支持する。第２基体領域４１ｂと第２検出素子１２Ｅとの間に第２空隙ｇ２が設けられる。
この例では、第２検出部１０Ｂは、第２他接続部３２ａＣ及び第２他支持部３２ａＳをさらに含む。第２他支持部３２ａＳは、基体４１に固定される。第２他接続部３２ａＣの一部は、第２他支持部３２ａＳに支持される。第２他接続部３２ａＣの別の一部は、第２検出素子１２Ｅを第２基体領域４１ｂから離して支持する。この例では、第２接続部３２Ｃと第２他接続部３２ａＣとの間に第２検出素子１２Ｅの少なくとも一部がある。
第１検出素子１１Ｅ及び第２検出素子１２Ｅが基体４１から離れて支持されることで、これらの検出素子の熱が基体４１を介して伝導されることが抑制される。これにより、高い感度による安定した検出対象の検出が容易になる。
第１抵抗端子５１は、第１抵抗部分１１ａと電気的に接続される。この例では、第２抵抗端子５２は、第１抵抗他部分１１ｂ及び第２抵抗部分１２ａと電気的に接続される。第３抵抗端子５３は、第２抵抗他部分１２ｂと電気的に接続される。後述するように、他の抵抗端子が設けられても良い。この場合、第２抵抗端子５２は第１抵抗他部分１１ｂと電気的に接続され、他の抵抗端子が第２抵抗部分１２ａと電気的に接続されても良い。
この例では、図３に示すように、接続導電部材２５が設けられる。接続導電部材２５は、基体４１に設けられる。接続導電部材２５は、第１抵抗他部分１１ｂと第２抵抗部分１２ａとを電気的に接続する。この例では、第２抵抗端子５２は、接続導電部材２５を介して、第１抵抗他部分１１ｂ及び第２抵抗部分１２ａと電気的に接続される。
第１導電端子６１は、第１導電部分２１ａと電気的に接続される。第２導電端子６２は、第１導電他部分２１ｂと電気的に接続される。
図３に示すように、センサ１１０において、処理部７０が設けられても良い。処理部７０は、センサ１１０に含まれても良い。処理部７０は、センサ１１０とは別に設けられても良い。処理部７０は、第１抵抗端子５１、第２抵抗端子５２、第３抵抗端子５３、第１導電端子６１及び第２導電端子６２と電気的に接続される。
処理部７０は、第１動作を実施可能である。第１動作において、処理部７０は、第１導電端子６１と第２導電端子６２との間に第１電流ｉ１を供給して、第１検出素子１１Ｅの温度を上昇させる。第１電流ｉ１は、第１導電部材２１を流れる。ジュール熱により、第１導電部材２１の温度が雰囲気温度に対して上昇し、第１検出素子１１Ｅの温度が上昇する。第１電流ｉ１は、交流でも直流でも良い。
処理部７０は、第１動作において、第１抵抗端子５１と第２抵抗端子５２との間の第１電気抵抗の、第２抵抗端子５２と第３抵抗端子５３との間の第２電気抵抗に対する第１比に対応した信号７０ｓを出力可能である。「第１比に対応」は、「第１比の逆数に対応」を含む。
例えば、第１抵抗部材１１の電気抵抗は、第１抵抗部材１１の温度に応じて変化する。第１抵抗部材１１の温度は、第１検出素子１１Ｅの温度と実質的に同じである。例えば、第２抵抗部材１２の電気抵抗は、第２抵抗部材１２の温度に応じて変化する。第２抵抗部材１２の温度は、第２検出素子１２Ｅの温度と実質的に同じである。上記のように第１動作において、例えば、第１検出素子１１Ｅの温度が上昇し、第１抵抗部材１１の温度も上昇する。一方、処理部７０は、例えば、第１動作において、第２導電部材２２に電流を供給しない。第１動作において、第２導電部材２２に電流は流れず、第２検出素子１２Ｅ及び第２抵抗部材１２の温度は実質的に変化しない。第１抵抗部材１１及び第２抵抗部材１２は、例えばハーフブリッジ回路の少なくとも一部となる。第１電気抵抗と第２電気抵抗との第１比は、２つの抵抗部材の温度の差に依存する。
ここで、第１検出素子１１Ｅの周囲の雰囲気に検査対象の第１元素が存在する場合の第１比は、雰囲気に第１元素が含まれていない場合の第１比から変化する。これは、第１元素の有無（及び濃度）に応じて、第１検出素子１１Ｅの温度の伝導特性が変化することに基づいている。例えば、第１元素は、水素、ヘリウム、二酸化炭素、メタン及び六フッ化硫黄（ＳＦ６）よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。雰囲気が第１元素として水素を含む場合、雰囲気が水素を実質的に含まない場合に比べて、第１検出素子１１Ｅの温度が低くなる。第１比は、第１検出素子及び前記第２検出素子の周りの雰囲気に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する。
このような特性を利用することで、センサ１１０は、第１元素を検出可能である。第１比は、第１検出素子１１Ｅ及び第２検出素子１２Ｅの周りの雰囲気に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する。例えば、第１検出素子１１Ｅの温度が上昇したときにおける第１電気抵抗は、第１検出素子１１Ｅの周りの雰囲気に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する。例えば、処理部７０は、第１比を検出することで、検出対象の第１元素の有無または濃度を検出可能である。
実施形態において、１つの基体４１に複数の検出部が設けられる。第２検出部１０Ｂは、第１検出部１０Ａと実質的に同じ構造を有する。これにより、第２検出部１０Ｂの熱容量は、第１検出部１０Ａの熱容量と同じになる。実施形態においては、これらの２つの検出部の電気抵抗の比を検出することで、より高い精度でより高い感度の検出が可能である。
例えば、センサ１１０の周囲の温度が変化した場合も、周囲の温度の変化による影響は、２つの検出部を用いることで、抑制される。実施形態においては、第１元素の有無または濃度に起因する第１検出素子１１Ｅの電気抵抗の変化を他の影響を抑制して検出される。特性の向上が可能なセンサを提供できる。
実施形態において、第２検出部１０Ｂは、第１検出部１０Ａと実質的に同じ構造を有する。第２抵抗部材１２の長さ、幅、厚さ及び材料は、第１抵抗部材１１の長さ、幅、厚さ及び材料と実質的に同じである。第２導電部材２２の長さ、幅、厚さ及び材料は、第１導電部材２１の長さ、幅、厚さ及び材料と実質的に同じである。
実施形態において、第２導電部材２２には、電流が供給されなくて良い。例えば、第２導電部分２２ａ及び第２導電他部分２２ｂの少なくともいずれかは浮遊電位で良い。例えば、第２導電部材２２は、ダミー導電部材である。第２導電部材２２の電位は、固定電位（例えば接地電位）でも良い。
図１に示すように、第１検出部１０Ａ（及び第１検出素子１１Ｅ）は、第１絶縁部１８Ａを含んでも良い。第２検出部１０Ｂ（及び第２検出素子１２Ｅ）は、第２絶縁部１８Ｂを含んでも良い。第１絶縁部１８Ａの少なくとも一部は、第１抵抗部材１１及び第１導電部材２１の周りに設けられる。第１絶縁部１８Ａの一部は、第１抵抗部材１１と第１導電部材２１との間に設けられる。第２絶縁部１８Ｂの少なくとも一部は、第２抵抗部材１２及び第２導電部材２２の周りに設けられる。第２絶縁部１８Ｂの一部は、第２抵抗部材１２と第２導電部材２２との間に設けられる。第２絶縁部１８Ｂは、第１絶縁部１８Ａと実質的に同じ構造を有する。第２絶縁部１８Ｂの長さ、幅、厚さ及び材料は、第１絶縁部１８Ａの長さ、幅、厚さ及び材料と実質的に同じである。
例えば、水素ガスの熱伝導率は、１７４ｍＷ／（ｍ・Ｋ）である。二酸化炭素の熱伝導率は、１４．２ｍＷ／（ｍ・Ｋ）である。窒素の熱伝導率は、２４．３ｍＷ／（ｍ・Ｋ）である。メタンの熱伝導率は、３０ｍＷ／（ｍ・Ｋ）である。例えば、空気雰囲気中に水素が含まれる場合、水素の有無または濃度に応じた実効的な雰囲気の熱伝導率の変化により、第１抵抗部材１１の温度の変化は、第２抵抗部材１２の温度の変化よりも大きい。第１元素が水素を含む場合に、より高い感度の検出が実施できる。センサ１１０は、例えば、熱伝導型の水素センサである。
図１に示すように、第１検出部１０Ａは、第１導電層５１Ｌをさらに含んで良い。第１導電層５１Ｌは、第１抵抗部材１１の第１抵抗部分１１ａと電気的に接続される。第１導電層５１Ｌの少なくとも一部は、第１支持部３１Ｓに設けられて良い。この例では、第１導電層５１Ｌは、基体４１に設けられた配線層５１Ｍと電気的に接続される。配線層５１Ｍは、第１抵抗端子５１と電気的に接続される（図３参照）。
図１に示すように、第２検出部１０Ｂは、第２導電層５２Ｌをさらに含んで良い。第２導電層５２Ｌは、第２抵抗部材１２の第２抵抗部分１２ａと電気的に接続される。第２導電層５２Ｌの少なくとも一部は、第２支持部３２Ｓに設けられて良い。この例では、第２導電層５２Ｌは、基体４１に設けられた配線層５２Ｍと電気的に接続される。配線層５２Ｍは、第２抵抗端子５２と電気的に接続される（図３参照）。
第１抵抗端子５１と第１抵抗部分１１ａとの間に流れる電流は、第１導電層５１Ｌを流れる。第２抵抗端子５２と第２抵抗部分１２ａとの間に流れる電流は、第２導電層５２Ｌを流れる。
第１検出部１０Ａは、第１他導電層５１ａＬをさらに含んで良い。第１他導電層５１ａＬは、第１抵抗部材１１の第１抵抗他部分１１ｂと電気的に接続される。第１他導電層５１ａＬの少なくとも一部は、第１他支持部３１ａＳに設けられて良い。この例では、第１他導電層５１ａＬは、基体４１に設けられた配線層５１ａＭと電気的に接続される。配線層５１ａＭは、第２抵抗端子５２と電気的に接続される（図３参照）。
第２検出部１０Ｂは、第２他導電層５２ａＬをさらに含んで良い。第２他導電層５２ａＬは、第２抵抗部材１２の第２抵抗他部分１２ｂと電気的に接続される。第２他導電層５２ａＬの少なくとも一部は、第２他支持部３２ａＳに設けられて良い。この例では、第２他導電層５２ａＬは、基体４１に設けられた配線層５２ａＭと電気的に接続される。配線層５２ａＭは、第３抵抗端子５３と電気的に接続される（図３参照）。
図２（ａ）及び図３に示すように、この例では、第１検出部１０Ａは、第３接続部３３Ｃ及び第３支持部３３Ｓを含む。第３支持部３３Ｓは、基体４１に固定される。第３接続部３３Ｃの一部は、第３支持部３３Ｓに支持される。第３接続部３３Ｃの別の一部は、第１検出素子１１Ｅを第１基体領域４１ａから離して支持する。
この例では、第１検出部１０Ａは、第３他接続部３３ａＣ及び第３他支持部３３ａＳを含む。第３他支持部３３ａＳは、基体４１に固定される。第３他接続部３３ａＣの一部は、第３他支持部３３ａＳに支持される。第３他接続部３３ａＣの別の一部は、第１検出素子１１Ｅを第１基体領域４１ａから離して支持する。
図２（ａ）に示すように、第１検出部１０Ａは、第３導電層５３Ｌさらに含んで良い。第３導電層５３Ｌの少なくとも一部は、第３支持部３３Ｓに設けられる。この例では、第３導電層５３Ｌは、基体４１に設けられた配線層５３Ｍと電気的に接続される。配線層５３Ｍは、第１導電端子６１と電気的に接続される（図３参照）。第１導電端子６１と第１導電部分２１ａとの間に流れる第１電流ｉ１は、第３導電層５３Ｌを流れる。
図２（ａ）に示すように、第１検出部１０Ａは、第３他導電層５３ａＬさらに含んで良い。第３他導電層５３ａＬの少なくとも一部は、第３他支持部３３ａＳに設けられる。この例では、第３他導電層５３ａＬは、基体４１に設けられた配線層５３ａＭと電気的に接続される。配線層５３ａＭは、第２導電端子６２と電気的に接続される（図３参照）。第２導電端子６２と第１導電他部分２１ｂとの間に流れる第１電流ｉ１は、第３他導電層５３ａＬを流れる。
図２（ｂ）及び図３に示すように、この例では、第２検出部１０Ｂは、第４接続部３４Ｃ及び第４支持部３４Ｓを含む。第４支持部３４Ｓは、基体４１に固定される。第４接続部３４Ｃの一部は、第４支持部３４Ｓに支持される。第４接続部３４Ｃの別の一部は、第２検出素子１２Ｅを第２基体領域４１ｂから離して支持する。
この例では、第２検出部１０Ｂは、第４他接続部３４ａＣ及び第４他支持部３４ａＳを含む。第４他支持部３４ａＳは、基体４１に固定される。第４他接続部３４ａＣの一部は、第４他支持部３４ａＳに支持される。第４他接続部３４ａＣの別の一部は、第２検出素子１２Ｅを第２基体領域４１ｂから離して支持する。
図２（ｂ）に示すように、第２検出部１０Ｂは、第４導電層５４Ｌをさらに含んで良い。第４導電層５４Ｌの少なくとも一部は、第４支持部３４Ｓに設けられる。この例では、第４導電層５４Ｌは、基体４１に設けられた配線層５４Ｍと電気的に接続される。第４導電層５４Ｌは、第２導電部分２２ａと電気的に接続される。
図２（ｂ）に示すように、第２検出部１０Ｂは、第４他導電層５４ａＬをさらに含んで良い。第４他導電層５４ａＬの少なくとも一部は、第４他支持部３４ａＳに設けられる。この例では、第４他導電層５４ａＬは、基体４１に設けられた配線層５４ａＭと電気的に接続される。第４他導電層５４ａＬは、第２導電他部分２２ｂと電気的に接続される。
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
これらの図は、第１抵抗部材１１及び第２抵抗部材１２を含む層に関する平面図である。
図４（ａ）に示すように、第１検出素子１１Ｅは、第１層１５ａ及び第２層１５ｂを含んでも良い。第１層１５ａ及び第２層１５ｂは、第１抵抗部材１１と同様の材料及び厚さを有する。第１抵抗部材１１は、第１層１５ａと第２層１５ｂとの間に設けられる。これらの層が設けられることで、第１検出素子１１Ｅの反り（変形）が抑制される。
図４（ｂ）に示すように、第２検出素子１２Ｅは、第３層１５ｃ及び第４層１５ｄを含んでも良い。第３層１５ｃ及び第４層１５ｄは、第２抵抗部材１２と同様の材料及び厚さを有する。第２抵抗部材１２は、第３層１５ｃと第４層１５ｄとの間に設けられる。これらの層が設けられることで、第２検出素子１２Ｅの反り（変形）が抑制される。
図５は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図５に示すように、実施形態に係るセンサ１１１においては、第１抵抗端子５１、第２抵抗端子５２、第３抵抗端子５３、第１導電端子６１及び第２導電端子６２に加えて、第４抵抗端子５４が設けられる。センサ１１１におけるこれ以外の構成は、センサ１１０と同様で良い。
センサ１１１において、第１抵抗端子５１は、第１抵抗部分１１ａと電気的に接続される。第２抵抗端子５２は、第１抵抗他部分１１ｂと電気的に接続される。第３抵抗端子５３は、第２抵抗他部分１２ｂと電気的に接続される。第４抵抗端子５４は、第２抵抗部分１２ａと電気的に接続される。第１導電端子６１は、第１導電部分２１ａと電気的に接続される。第２導電端子６２は、第１導電他部分２１ｂと電気的に接続される。
この場合も、処理部７０が設けられて良い。処理部７０は、第１抵抗端子５１、第２抵抗端子５２、第３抵抗端子５３、第４抵抗端子５４、第１導電端子６１及び第２導電端子６２と電気的に接続される。処理部７０は、第１動作を実施可能である。処理部７０は、第１動作において、第１導電端子６１と第２導電端子６２との間に第１電流ｉ１を供給して第１検出素子１１Ｅの温度を上昇させる。処理部７０は、第１動作において、第１抵抗端子５１と第２抵抗端子５２との間の第１電気抵抗の、第３抵抗端子５３と第４抵抗端子５４との間の第２電気抵抗に対する第１比に対応した信号７０ｓを出力可能である。例えば、センサ１１１における上記以外の動作は、センサ１１０における動作と同様で良い。
センサ１１１においても、第１元素の有無または濃度に起因する第１検出素子１１Ｅの電気抵抗の変化を他の影響を抑制して検出できる。特性の向上が可能なセンサを提供できる。
センサ１１０及びセンサ１１１において、例えば、第１検出素子１１Ｅの構成（形状及び材料など）が第２検出素子１２Ｅの構成（形状及び材料など）が実質的に同じで良い。この場合、これらの検出素子において、構成の差に起因した温度上昇の差は、実質的に生じない。より高い精度の検出がより簡単に実施できる。例えば、処理部７０は、信号７０ｓを得る際に、例えば、第１検出素子１１Ｅ及び第２検出素子１２Ｅに検出用電流を供給する。検出用電流は、第１抵抗部材１１及び第２抵抗部材１２を流れる。検出電流によって発生するジュール熱に起因する温度の上昇は、第１検出素子１１Ｅと第２検出素子１２Ｅとの間で実質的に同様である。
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図６に示すように、実施形態に係るセンサ１２０においては、第１抵抗端子５１、第２抵抗端子５２、第３抵抗端子５３、第１導電端子６１及び第２導電端子６２に加えて、第３導電端子６３及び第４導電端子６４が設けられる。センサ１２０におけるこれ以外の構成は、センサ１１０と同様で良い。
第３導電端子６３は、第２導電部分２２ａと電気的に接続される。第４導電端子６４は、第２導電他部分２２ｂと電気的に接続される。
処理部７０は、第２動作を実施可能である。例えば、処理部７０は、第２動作を第１動作と切り替えて実施可能である。
処理部７０は、第３導電端子６３と第４導電端子６４との間に第２電流ｉ２を供給して第２検出素子１２Ｅの温度を上昇させる。第２電流ｉ２は、交流でも直流でも良い。処理部７０は、第２動作において、第１抵抗端子５１と第２抵抗端子５２との間の第３電気抵抗の、第２抵抗端子５２と第３抵抗端子５３との間の第４電気抵抗の第２比に対応した信号７０ｓを出力可能である。
このように、第１検出素子１１Ｅが温度センサとして機能する第１動作と、第２検出素子１２Ｅが温度センサとして機能する第２動作と、が切り替えられて実施されても良い。
処理部７０は、第１動作の第１比、及び、第２動作の第２比の平均を出力可能でも良い。より高い精度の検出が可能になる。
第３導電端子６３及び第４導電端子６４は、センサ１１１に設けられても良い。
上記の例では、第１抵抗部材１１の電気抵抗の検出の際に流れる電流は、第１支持部３１Ｓ及び第１他支持部３１ａＳを通過する。このとき、第１導電部材２１に流れる第１電流ｉ１は、第３支持部３３Ｓ及び第３他支持部３３ａＳを流れる。
実施形態において、第１導電部材２１に流れる第１電流ｉ１は、第１支持部３１Ｓ及び第１他支持部３１ａＳを通過しても良い。
例えば、第１検出部１０Ａは、第３導電層５３Ｌを含んで良い（図２（ａ）参照）。第３導電層５３Ｌの少なくとも一部は、第１支持部３１Ｓに設けられる。第１導電端子６１と第１導電部分２１ａとの間に流れる第１電流ｉ１は、第３導電層５３Ｌを流れる。例えば、第２検出部１０Ｂは、第４導電層５４Ｌをさらに含んで良い（図２（ｂ）参照）。第４導電層５４Ｌの少なくとも一部は、第２支持部３２Ｓに設けられる。第４導電層５４Ｌは、第２導電部分２２ａと電気的に接続される。このように、実施形態において種々の変形が可能である。
（第３実施形態）
図７は、第３実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図７に示すように、実施形態に係るセンサ１３０は、第３検出部１０Ｃを含む。センサ１３０は、基体４１、第１検出部１０Ａ及び第２検出部１０Ｂを含む。センサ１３０は、既に説明した、第１抵抗端子５１、第２抵抗端子５２、第３抵抗端子５３、第１導電端子６１及び第２導電端子６２を含む。
基体４１は、第３基体領域４１ｃを含む。第３検出部１０Ｃは、第３基体領域４１ｃに設けられる。第３検出部１０Ｃは、第３検出素子１３Ｅを含む。第３検出素子１３Ｅは、固定電極Ｅ１及び可動電極Ｅ２を含む。この例では、第３検出素子１３Ｅは、部材１３Ｍ及び第３導電部材２３を含む。この例では、固定電極Ｅ１と部材１３Ｍとの間に可動電極Ｅ２が設けられている。可動電極Ｅ２と部材１３Ｍとの間に、第３導電部材２３が設けられている。
固定電極Ｅ１と可動電極Ｅ２との間に第３間隙ｇ３が設けられる。固定電極Ｅ１と可動電極Ｅ２との間の距離は、第３検出素子１３Ｅの周囲の環境に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する。これは、可動電極Ｅ２及びその周囲の部材１３Ｍに第１元素が吸着されて生じる第１可動電極Ｅ２の変形に基づく。距離の変形に応じて、固定電極Ｅ１と可動電極Ｅ２との間の電気容量が変化する。処理部７０は、電気容量の変化に応じた値を出力可能である。第３検出部１０Ｃは、容量型のセンサである。
例えば、処理部７０は、第３導電部材２３に電流を供給可能である。この電流により、部材１３Ｍの温度が上昇する。例えば、部材１３Ｍにおいて、第１元素を効率的に取り込む（例えば吸着）ことが容易になる。例えば、第１元素の濃度に対する容量の変化を大きくできる。高い感度が得やすくなる。
センサ１３０において、第１検出部１０Ａ及び第２検出部１０Ｂには、第１実施形態及び第２実施形態に関して説明した任意の構成が適用可能である。
実施形態に係る１つの例において、第１導電部材２１は、基体４１（第１基体領域４１ａ）と第１抵抗部材１１との間に設けられて良い。例えば、第１基体領域４１ａと第１導電部材２１との間のＺ軸方向に沿う距離は、第１基体領域４１ａと第１抵抗部材１１との間のＺ軸方向に沿う距離よりも短い。別の例において、第１抵抗部材１１は、基体４１（第１基体領域４１ａ）と第１導電部材２１との間に設けられて良い。例えば、第１基体領域４１ａと第１抵抗部材１１との間のＺ軸方向に沿う距離は、第１基体領域４１ａと第１導電部材２１との間のＺ軸方向に沿う距離よりも短い。
実施形態に係る１つの例において、第２導電部材２２は、基体４１（第２基体領域４１ｂ）と第２抵抗部材１２との間に設けられて良い。例えば、第２基体領域４１ｂと第２導電部材２２との間のＺ軸方向に沿う距離は、第２基体領域４１ｂと第２抵抗部材１２との間のＺ軸方向に沿う距離よりも短い。別の例において、第２抵抗部材１２は、基体４１（第２基体領域４１ｂ）と第２導電部材２２との間に設けられて良い。例えば、第２基体領域４１ｂと第２抵抗部材１２との間のＺ軸方向に沿う距離は、第２基体領域４１ｂと第２導電部材２２との間のＺ軸方向に沿う距離よりも短い。
実施形態において、処理部７０は、電流源を含んでも良い。処理部７０は、電圧源を含んでも良い。電流源または電圧源から供給される電流が、検出素子に提供される。１つの電流は、導電部材を流れる。別の電流は、抵抗部材に供給され、抵抗部材の抵抗に対応する値の検出に用いられて良い。
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んで良い。
（構成１）
第１基体領域及び第２基体領域を含む基体と、
前記第１基体領域に設けられた第１検出部であって、前記第１検出部は、第１検出素子を含み、前記第１検出素子は、第１抵抗部材及び第１導電部材を含み、前記第１抵抗部材は、第１抵抗部分と第１抵抗他部分とを含み、前記第１導電部材は、第１導電部分と第１導電他部分とを含む、前記第１検出部と、
前記第２基体領域に設けられた第２検出部であって、前記第２検出部は、第２検出素子を含み、前記第２検出素子は、第２抵抗部材及び第２導電部材を含み、前記第２抵抗部材は、第２抵抗部分と第２抵抗他部分とを含み、前記第２導電部材は、第２導電部分と第２導電他部分とを含む、前記第２検出部と、
前記第１抵抗部分と電気的に接続された第１抵抗端子と、
前記第１抵抗他部分及び前記第２抵抗部分と電気的に接続された第２抵抗端子と、
前記第２抵抗他部分と電気的に接続された第３抵抗端子と、
前記第１導電部分と電気的に接続された第１導電端子と、
前記第１導電他部分と電気的に接続された第２導電端子と、
を備えたセンサ。
（構成２）
前記基体に設けられた接続導電部材をさらに備え、
前記接続導電部材は、前記第１抵抗他部分と前記第２抵抗部分とを電気的に接続する、構成１記載のセンサ。
（構成３）
前記第１抵抗端子、前記第２抵抗端子、前記第３抵抗端子、前記第１導電端子及び前記第２導電端子と電気的に接続された処理部をさらに備え、
前記処理部は、前記第１導電端子と前記第２導電端子との間に第１電流を供給して前記第１検出素子の温度を上昇させる第１動作を実施可能であり、
前記処理部は、前記第１動作において、前記第１抵抗端子と前記第２抵抗端子との間の第１電気抵抗の、前記第２抵抗端子と前記第３抵抗端子との間の第２電気抵抗に対する第１比に対応した信号を出力可能である、構成１または２に記載のセンサ。
（構成４）
第１基体領域及び第２基体領域を含む基体と、
前記第１基体領域に設けられた第１検出部であって、前記第１検出部は、第１検出素子を含み、前記第１検出素子は、第１抵抗部材及び第１導電部材を含み、前記第１抵抗部材は、第１抵抗部分と第１抵抗他部分とを含み、前記第１導電部材は、第１導電部分と第１導電他部分とを含む、前記第１検出部と、
前記第２基体領域に設けられた第２検出部であって、前記第２検出部は、第２検出素子を含み、前記第２検出素子は、第２抵抗部材及び第２導電部材を含み、前記第２抵抗部材は、第２抵抗部分と第２抵抗他部分とを含み、前記第２導電部材は、第２導電部分と第２導電他部分とを含む、前記第２検出部と、
前記第１抵抗部分と電気的に接続された第１抵抗端子と、
前記第１抵抗他部分と電気的に接続された第２抵抗端子と、
前記第２抵抗他部分と電気的に接続された第３抵抗端子と、
前記第２抵抗部分と電気的に接続された第４抵抗端子と、
前記第１導電部分と電気的に接続された第１導電端子と、
前記第１導電他部分と電気的に接続された第２導電端子と、
を備えたセンサ。
（構成５）
前記第１抵抗端子、前記第２抵抗端子、前記第３抵抗端子、前記第４抵抗端子、前記第１導電端子及び前記第２導電端子と電気的に接続された処理部をさらに備え、
前記処理部は、前記第１導電端子と前記第２導電端子との間に第１電流を供給して前記第１検出素子の温度を上昇させる第１動作を実施可能であり、
前記処理部は、前記第１動作において、前記第１抵抗端子と前記第２抵抗端子との間の第１電気抵抗の、前記第３抵抗端子と前記第４抵抗端子との間の第２電気抵抗に対する第１比に対応した信号を出力可能である、構成４記載のセンサ。
（構成６）
前記第１比は、前記第１検出素子及び前記第２検出素子の周りの雰囲気に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する、構成３または５に記載のセンサ。
（構成７）
前記第１検出素子の前記温度が上昇したときにおける前記第１電気抵抗は、前記第１検出素子の周りの雰囲気に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する、構成３または５に記載のセンサ。
（構成８）
前記第１元素は、水素、ヘリウム、二酸化炭素、メタン及び六フッ化硫黄よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成６または７に記載のセンサ。
（構成９）
前記第２導電部分と電気的に接続された第３導電端子と、
前記第２導電他部分と電気的に接続された第４導電端子と、
を備え、
前記処理部は、前記第３導電端子と前記第４導電端子との間に第２電流を供給して前記第２検出素子の温度を上昇させる第２動作を前記第１動作と切り替えて実施可能であり、
前記処理部は、前記第２動作において、前記第１抵抗端子と前記第２抵抗端子との間の第３電気抵抗の、前記第２抵抗端子と前記第３抵抗端子との間の第４電気抵抗の第２比に対応した信号を出力可能である、構成５～８のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１０）
前記処理部は、前記第１比及び前記第２比の平均を出力可能である、構成９記載のセンサ。
（構成１１）
前記第２導電部分及び前記第２導電他部分の少なくともいずれかは浮遊電位または固定電位である、構成１～１０のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１２）
前記第２導電部材はダミー導電部材である、構成１～１１のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１３）
前記第１検出部は、第１接続部及び第１支持部をさらに含み、
前記第１支持部は、前記基体に固定され、
前記第１接続部の一部は前記第１支持部に支持され、
前記第１接続部の別の一部は前記第１検出素子を前記第１基体領域から離して支持し、
前記第２検出部は、第２接続部及び第２支持部をさらに含み、
前記第２支持部は、前記基体に固定され、
前記第２接続部の一部は前記第２支持部に支持され、
前記第２接続部の別の一部は前記第２検出素子を前記第２基体領域から離して支持する、構成１～１２のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１４）
前記第１基体領域と前記第１検出素子との間に第１空隙が設けられ、
前記第２基体領域と前記第２検出素子との間に第２空隙が設けられた、構成１３記載のセンサ。
（構成１５）
前記第１検出部は、第１他接続部及び第１他支持部をさらに含み、
前記第１他支持部は、前記基体に固定され、
前記第１他接続部の一部は前記第１他支持部に支持され、
前記第１他接続部の別の一部は前記第１検出素子を前記第１基体領域から離して支持し、
前記第２検出部は、第２他接続部及び第２他支持部をさらに含み、
前記第２他支持部は、前記基体に固定され、
前記第２他接続部の一部は前記第２他支持部に支持され、
前記第２他接続部の別の一部は前記第２検出素子を前記第２基体領域から離して支持し、
前記第１接続部と前記第１他接続部との間に前記第１検出素子の少なくとも一部があり、
前記第２接続部と前記第２他接続部との間に前記第２検出素子の少なくとも一部がある、構成１３または１４に記載のセンサ。
（構成１６）
前記第１検出部は、第１導電層をさらに含み、
前記第１導電層の少なくとも一部は、前記第１支持部に設けられ、
前記第１抵抗端子と前記第１抵抗部分との間に流れる電流は、前記第１導電層を流れ、
前記第２検出部は、第２導電層をさらに含み、
前記第２導電層の少なくとも一部は、前記第２支持部に設けられ、
前記第２抵抗端子と前記第２抵抗部分との間に流れる電流は、前記第２導電層を流れる、構成１５記載のセンサ。
（構成１７）
前記第１検出部は、第３導電層をさらに含み、
前記第３導電層の少なくとも一部は、前記第１支持部に設けられ、
前記第１導電端子と前記第１導電部分との間に流れる前記第１電流は、前記第３導電層を流れる、構成１６記載のセンサ。
（構成１８）
前記第２検出部は、第４導電層をさらに含み、
前記第４導電層の少なくとも一部は、前記第２支持部に設けられ、
前記第４導電層は、前記第２導電部分と電気的に接続された、構成１７記載のセンサ。
（構成１９）
前記第１検出部は、第３接続部、第３支持部及び第３導電層をさらに含み、
前記第３支持部は、前記基体に固定され、
前記第３接続部の一部は前記第３支持部に支持され、
前記第３接続部の別の一部は前記第１検出素子を前記第１基体領域から離して支持し、
前記第３導電層の少なくとも一部は、前記第３支持部に設けられ、
前記第１導電端子と前記第１導電部分との間に流れる前記第１電流は、前記第３導電層を流れる構成１６記載のセンサ。
（構成２０）
前記第２検出部は、第４接続部、第４支持部及び第４導電層をさらに含み、
前記第４支持部は、前記基体に固定され、
前記第４接続部の一部は前記第４支持部に支持され、
前記第４接続部の別の一部は前記第２検出素子を前記第２基体領域から離して支持し、
前記第４導電層の少なくとも一部は、前記第４支持部に設けられ、
前記第４導電層は、前記第２導電部分と電気的に接続された、構成１９記載のセンサ。
実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサが提供できる。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれる基体、検出部及び処理部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述したセンサを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０Ａ～１０Ｃ…第１～第３検出部、 １１、１２…第１、第２抵抗部材、 １１Ｅ～１３Ｅ…第１～第３検出素子、 １１ａ、１２ａ…第１、第２抵抗部分、 １１ｂ、１２ｂ…第１、第２抵抗他部分、 １３Ｍ…部材、 １５ａ～１５ｄ…第１～第４層、 １８Ａ、１８Ｂ…第１、第２絶縁部、 ２１～２３…第１～第３導電部材、 ２１ａ、２２ａ…第１、第２導電部分、 ２１ｂ、２２ｂ…第１、第２導電他部分、 ２５…接続導電部材、 ３１Ｃ～３４Ｃ…第１～第４接続部、 ３１Ｓ～３４Ｓ…第１～第４支持部、 ３１ａＣ～３４ａＣ…第１～第４他接続部、 ３１ａＳ～３４ａＳ…第１～第４他支持部、 ４１…基体、 ４１ａ～４１ｃ…第１～第３基体領域、 ４１ｉ…絶縁膜、 ４１ｓ…基板、 ５１～５４…第１～第４抵抗端子、 ５１Ｌ～５４Ｌ…第１～第４導電層、 ５１Ｍ～５４Ｍ…配線層、 ５１ａＬ～５４ａＬ…第１～第４他導電層、 ５１ａＭ～５４ａＭ…配線層、 ６１～６４…第１～第４導電端子、 ７０…処理部、 ７０ｓ…信号、 １１０、１１１、１２０、１３０…センサ、 Ｅ１…固定電極、 Ｅ２…可動電極、 ｇ１～ｇ３…第１～第３空隙、 ｉ１、ｉ２…第１、第２電流

Claims (7)

  1. 第１基体領域及び第２基体領域を含む基体と、
    前記第１基体領域に設けられた第１検出部であって、前記第１検出部は、第１検出素子を含み、前記第１検出素子は、第１抵抗部材及び第１導電部材を含み、前記第１抵抗部材は、第１抵抗部分と第１抵抗他部分とを含み、前記第１導電部材は、第１導電部分と第１導電他部分とを含む、前記第１検出部と、
    前記第２基体領域に設けられた第２検出部であって、前記第２検出部は、第２検出素子を含み、前記第２検出素子は、第２抵抗部材及び第２導電部材を含み、前記第２抵抗部材は、第２抵抗部分と第２抵抗他部分とを含み、前記第２導電部材は、第２導電部分と第２導電他部分とを含む、前記第２検出部と、
    前記第１抵抗部分と電気的に接続された第１抵抗端子と、
    前記第１抵抗他部分及び前記第２抵抗部分と電気的に接続された第２抵抗端子と、
    前記第２抵抗他部分と電気的に接続された第３抵抗端子と、
    前記第１導電部分と電気的に接続された第１導電端子と、
    前記第１導電他部分と電気的に接続された第２導電端子と、
    を備え、
    前記第１検出部は、第１接続部及び第１支持部をさらに含み、
    前記第１支持部は、前記基体に固定され、
    前記第１接続部の一部は前記第１支持部に支持され、
    前記第１接続部の別の一部は前記第１検出素子を前記第１基体領域から離して支持し、
    前記第２検出部は、第２接続部及び第２支持部をさらに含み、
    前記第２支持部は、前記基体に固定され、
    前記第２接続部の一部は前記第２支持部に支持され、
    前記第２接続部の別の一部は前記第２検出素子を前記第２基体領域から離して支持し、
    前記第１基体領域と前記第１検出素子との間に第１空隙が設けられ、
    前記第２基体領域と前記第２検出素子との間に第２空隙が設けられ、
    前記第１基体領域から前記第１検出部への方向において、前記第１基体領域の一部は前記第１検出素子と重なり、前記第２基体領域の一部は前記第２検出素子と重なる、センサ。
  2. 前記基体に設けられた接続導電部材をさらに備え、
    前記接続導電部材は、前記第１抵抗他部分と前記第２抵抗部分とを電気的に接続する、請求項１記載のセンサ。
  3. 前記第１抵抗端子、前記第２抵抗端子、前記第３抵抗端子、前記第１導電端子及び前記第２導電端子と電気的に接続された処理部をさらに備え、
    前記処理部は、前記第１導電端子と前記第２導電端子との間に第１電流を供給して前記第１検出素子の温度を上昇させる第１動作を実施可能であり、
    前記処理部は、前記第１動作において、前記第１抵抗端子と前記第２抵抗端子との間の第１電気抵抗の、前記第２抵抗端子と前記第３抵抗端子との間の第２電気抵抗に対する第１比に対応した信号を出力可能である、請求項１または２に記載のセンサ。
  4. 第１基体領域及び第２基体領域を含む基体と、
    前記第１基体領域に設けられた第１検出部であって、前記第１検出部は、第１検出素子を含み、前記第１検出素子は、第１抵抗部材及び第１導電部材を含み、前記第１抵抗部材は、第１抵抗部分と第１抵抗他部分とを含み、前記第１導電部材は、第１導電部分と第１導電他部分とを含む、前記第１検出部と、
    前記第２基体領域に設けられた第２検出部であって、前記第２検出部は、第２検出素子を含み、前記第２検出素子は、第２抵抗部材及び第２導電部材を含み、前記第２抵抗部材は、第２抵抗部分と第２抵抗他部分とを含み、前記第２導電部材は、第２導電部分と第２導電他部分とを含む、前記第２検出部と、
    前記第１抵抗部分と電気的に接続された第１抵抗端子と、
    前記第１抵抗他部分と電気的に接続された第２抵抗端子と、
    前記第２抵抗他部分と電気的に接続された第３抵抗端子と、
    前記第２抵抗部分と電気的に接続された第４抵抗端子と、
    前記第１導電部分と電気的に接続された第１導電端子と、
    前記第１導電他部分と電気的に接続された第２導電端子と、
    を備え、
    前記第１検出部は、第１接続部及び第１支持部をさらに含み、
    前記第１支持部は、前記基体に固定され、
    前記第１接続部の一部は前記第１支持部に支持され、
    前記第１接続部の別の一部は前記第１検出素子を前記第１基体領域から離して支持し、
    前記第２検出部は、第２接続部及び第２支持部をさらに含み、
    前記第２支持部は、前記基体に固定され、
    前記第２接続部の一部は前記第２支持部に支持され、
    前記第２接続部の別の一部は前記第２検出素子を前記第２基体領域から離して支持し、
    前記第１基体領域と前記第１検出素子との間に第１空隙が設けられ、
    前記第２基体領域と前記第２検出素子との間に第２空隙が設けられ、
    前記第１基体領域から前記第１検出部への方向において、前記第１基体領域の一部は前記第１検出素子と重なり、前記第２基体領域の一部は前記第２検出素子と重なる、センサ。
  5. 前記第１抵抗端子、前記第２抵抗端子、前記第３抵抗端子、前記第４抵抗端子、前記第１導電端子及び前記第２導電端子と電気的に接続された処理部をさらに備え、
    前記処理部は、前記第１導電端子と前記第２導電端子との間に第１電流を供給して前記第１検出素子の温度を上昇させる第１動作を実施可能であり、
    前記処理部は、前記第１動作において、前記第１抵抗端子と前記第２抵抗端子との間の第１電気抵抗の、前記第３抵抗端子と前記第４抵抗端子との間の第２電気抵抗に対する第１比に対応した信号を出力可能である、請求項４記載のセンサ。
  6. 前記第１比は、前記第１検出素子及び前記第２検出素子の周りの雰囲気に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する、請求項３または５に記載のセンサ。
  7. 前記第１検出素子の前記温度が上昇したときにおける前記第１電気抵抗は、前記第１検出素子の周りの雰囲気に含まれる第１元素の濃度に応じて変化する、請求項３または５に記載のセンサ。
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