JP7474725B2 - 光アイソレータ - Google Patents

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Description

本発明は、400~470nmの紫及び青色波長帯域において使用される光アイソレータに関する。
従来から、医療・光計測等の用途に使用する産業用レーザには、半導体レーザが使用され、数ミリワットから数百ミリワットの低出力レーザとなっている。その中で発振方式も簡易な構成でかつ多岐にわたる波長出力を可能とするファブリーペロ(Fabry-Perot)型レーザが主流となっている。
一般的に、ファブリーペロレーザは、光が通過する経路の両端に結晶の劈開などで形成した2枚の反射面を対向させた共振器に電流を流すことにより、誘導放出を得て発光するレーザである。その発光スペクトルが狭くて変換効率に優れるという特徴を持つが、その反面、反射光による戻り光に対しては非常に敏感であり、被測定物からの反射光が戻ると、レーザ発振が不安定状態になるという危険性がある。よって、半導体レーザの安定動作の為には、反射光が共振器である結晶素子へ戻るのを防止するため、共振器とレンズとの間に、順方向の光を透過し、逆方向の光を遮断する機能を有する光アイソレータ(an optical isolator)を配置し、戻り光を遮断することが不可欠となる。
ここで、光アイソレータは、ファラディ回転子と、ファラディ回転子の光入射側及び光出射側に配置された一対の偏光子と、ファラディ回転子の光透過方向(光軸方向)に磁界を印加するマグネットと、の3つの主要部品から構成される。この形態で光がファラディ回転子に入射すると、ファラディ回転子の中で偏光面が回転するという現象が生じる。これはファラディ効果と呼ばれる現象であり、偏光面が回転する角度をファラディ回転角と称し、その大きさθは次式で表される。
θ=V×H×L
上記式中、Vは、ベルデ定数で、ファラディ回転子の材料及び測定波長で決まる定数であり、Hは磁界強度であり、Lはファラディ回転子の長さ(光路長)である。この式から分かるように、ある一定の大きさのベルデ定数を持つ回転子において、所望のファラディ回転角を得ようとすると、ファラディ回転子に印加する磁界が大きいほど回転子長を短くすることができ、回転子長が長いほど磁束密度を小さくすることできる。
特許文献1に記載されているように、400nm以下の波長帯で吸収係数が小さい、フッ化セリウム(化学式:CeF)、フッ化プラセオジム(化学式:PrF)などがある。
また、その他としては、特許文献2に記載されているように、400~470nmの紫及び青色波長帯域においてベルデ定数が大きい材料としては、テルビウム・ガリウム・ガーネット(化学式:Tb3Ga512)単結晶がある。
光アイソレータの機能を有するためには、45°程度のファラディ回転角が必要となる。具体的に、光アイソレータに入射された光は、その偏光面をファラディ回転子により45°回転されて各々角度調整された入出射偏光子を透過する。一方、戻り光はファラディ回転子の非相反性を利用して、逆方向に偏光面を45°回転され入射偏光子と90°の直行偏光面となり、透過できなくなる。光アイソレータは、この現象を利用して光を単一方向にのみ透過させ、反射して戻ってくる光を阻止するものである。
国際公開第2012/133200号 特開2011-150208号公報
特許文献1に記載されているフッ化プラセオジムは、波長420~500nmに大きな光吸収がある。従って、波長400~470nmではその吸収の影響が強く出るため、この波長域においては使用することはできない。一方でフッ化セリウムは波長500nm以下300nmまでにおいては、顕著な光吸収がないため使用することができるが、ベルデ定数が波長400nmにおいて、414Rad/T・mと特許文献2記載の同波長におけるTGGの定数値430Rad/T・mより小さい。そのため、小型光アイソレータの製作は困難であり、TGGにおいても、ベルデ定数値が上記フッ化物対比で比較的大きいものの、群を抜いた値を有していなかったので、更なる小型アイソレータの製作は困難であった。
近年の医療・光計測用途の半導体レーザは、一つの装置で複数のレーザモジュールを必要としたり、また半導体レーザの戻り光耐性をより高めるためにアイソレータを2個搭載する構成用途もあり、更なる小型アイソレータのニーズが高まっている。
本発明の目的は、紫及び青色波長400~470nmにおいて透明で小型化した光アイソレータを提供することである。特に、医療、光計測用等の用途に使用される半導体レーザに使用される光アイソレータとして好適な小型光アイソレータを提供することである。
上記課題を解決するために、本発明では、波長400nm~470nmにおけるベルデ定数が750Rad/T・m以上のファラディ回転子と、
前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットと
を具備し、
前記ファラディ回転子に印加される磁束密度B(T)が下記式(1)の範囲内にあり、
前記ファラディ回転子が配置される光路長L(cm)が下記式(2)の範囲内にあることを特徴とする400~470nm波長帯域用光アイソレータを提供する。
B≦0.40 (1)
0.26≦L≦0.50 (2)
このような本発明によれば、波長400nm~470nmにおけるベルデ定数の大きいファラディ回転子と、より小さな磁束密度を有するマグネット材とを用いることにより、400~470nmにおいて透明な光アイソレータの小型化が達成できる。
また、このような本発明によれば、ファラディ効果が大きいファラディ回転子を使用し、かつ、小さな外形のマグネットと組み合わせた光アイソレータを提供することができる。
前記ファラディ回転子が、下記式(I)で表される酸化物を95%以上含有するものでることが好ましい。
(Tb1-x (I)
(ここで、上記式(I)中、xは、0.5≦x≦1.0であり、Rは、テルビウム以外のランタノイド元素、スカンジウム及びイットリウムよりなる群から選択される少なくとも1つの元素を含む。)
このような光アイソレータでは、偏光回転能を左右する、式(I)(Tb1-xで表される酸化物のファラディ回転子における含有量が95%以上であるため、同含有量50%であるファラディ回転子を用いる場合よりもファラディ回転子を配置する光路長を1/2程度に短くできるので、外径が小さくかつ短尺化されたアイソレータの提供が可能になる。
前記酸化物は、単結晶又はセラミックスであることが好ましいが、低温で合成できることから単結晶に限られないセラミックスであることがより好ましい。
前記ファラディ回転子が、前記式(2)を満たす光路長L(cm)において、1dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比とを示すものであることが好ましい。
これにより、より低損失かつより高アイソレーションの光学特性を有するものとなる。
前記ファラディ回転子を光軸に沿って間に挟むように配置された一対の偏光子を更に具備し、
前記偏光子の各々は、0.5dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比とを示す偏光ビームスプリッターであることが好ましい。
これにより、より低損失かつより高アイソレーションの光学特性を有するものとなる。
以上のように、本発明の光アイソレータであれば、紫及び青色の波長400~470nmにおいて透明で小型化した光アイソレータとすることができる。
本発明の光アイソレータの構成例を示す断面模式図である。 実施例1及び比較例1において使用するファラディ回転子(ARコーティング無し)の透過率の波長特性図である。 実施例1及び2、並びに比較例1において使用するファラディ回転子が配置される光路長L(0.26~0.50cm)に対する、ファラディ回転角が45°となる磁束密度B(T:10Oe)の大きさを示した図である。 比較例1において使用するファラディ回転子に印加する磁束密度を算出したシミュレーション図である。
上述のように、紫及び青色波長400~470nmにおいて透明で小型化した光アイソレータの開発が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、ファラディ回転子として、波長400nm~470nmにおけるベルデ定数が750Rad/T・m以上のものを用い、ファラディ回転子に印加される磁束密度B(T)を0.40T以下とし、ファラディ回転子が配置される光路長L(cm)を0.26cm以上0.50cm以下とすることにより、紫及び青色波長に対応した従来の光アイソレータでは実現し得なかった小型化を実現できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、波長400nm~470nmにおけるベルデ定数が750Rad/T・m以上のファラディ回転子と、
前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットと
を具備し、
前記ファラディ回転子に印加される磁束密度B(T)が下記式(1)の範囲内にあり、
前記ファラディ回転子が配置される光路長L(cm)が下記式(2)の範囲内にあることを特徴とする400~470nm波長帯域用光アイソレータである。
B≦0.40 (1)
0.26≦L≦0.50 (2)
本発明に使用するファラディ回転子は、波長400~470nmにおいて光吸収が実用可能なほど十分に少ない透明なファラディ回転子であるため、フッ化プラセオジムのような従来の回転子では機能することができない波長帯へも対応することができた。また、ベルデ定数の大きいファラディ回転子の使用により、より小さな磁束密度を有する小型マグネット材を具備することにより、光アイソレータの小型化を可能とした。このために、光アイソレータを組み込むデバイス内の空間的寸法の自由度を大きくすることができた。
詳細には、光アイソレータの大きさは、ファラディ回転子を配置する光路長L及びマグネットの大きさに大きく依存する。マグネットの大きさは、磁束密度B(T)の大きさに依存する。マグネットの磁束密度B(T)が式(1):B≦0.40を満たすため、マグネットを小型化することができる。このような小型化したマグネットを具備し、且つファラディ回転子が配置される光路長L(cm)が式(2):0.26≦L≦0.50を満たしているので、更なる小型化が達成できる。そして、このような式(1)及び(2)を満たしていながらも波長400nm~470nmにおけるベルデ定数が750Rad/T・m以上のファラディ回転子を用いるため、光アイソレータとして機能するのに必要な45°程度のファラディ回転角を実現することができる。
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明のアイソレータは、400~470nmの波長帯域のレーザ光に使用される。このようなレーザには、簡易な構成でかつ多岐にわたる波長出力が可能とするファブリーペロ(Fabry-Perot)型レーザが含まれる。
なお、当業者は、本発明のアイソレータを上記以外の波長帯域のレーザ光に設計変更することができる。
本発明の光アイソレータの基本的な構成例を、以下、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の光アイソレータの構成例を示す断面模式図である。
図1に示す光アイソレータ10において、入射偏光子1、ファラディ回転子2、及び出射偏光子3が、左側の入射側から右側の出射側に向う光軸6上に、順次配置されている。
図1において、入射側で入射偏光子1が偏光子ホルダ4に固定され、出射側では出射偏光子3が偏光子ホルダ4に固定されている。これらの偏光子ホルダ4は、外部筐体である金属ホルダ5に固定されている。
ファラディ回転子2の形状は特に限定されず、三角柱状、四角柱状でもよいが、円筒状であることが好ましい。以下に円筒状のファラディ回転子を例にとり説明する。
このファラディ回転子2の外周には、中空マグネット7が配置されている。ファラディ回転子2が円筒状の場合、中空マグネット7は中空円筒状であることが好ましく、ファラディ回転子2の中心軸及び中空マグネット7の中空部の中心軸は同軸であることが好ましい。また、ファラディ回転子2の外径と、中空マグネット7の中空部の内径はほぼ同じであり、光アイソレータを組み立てた後に調芯することが好ましい。この配置により、ファラディ回転子2が中空マグネット7の中空部の中心に配置される。
すなわち、本発明に係る光アイソレータは、図1に示すように、ファラディ回転子2と、このファラディ回転子2の外周に配置される中空マグネット7とを具備している。また、光アイソレータ10は、ファラディ回転子2を光軸6に沿って間に挟むように配置された一対の偏光子1及び3を更に具備することが好ましい。そして、図1に示す、ファラディ回転子2の寸法のうち、光軸6に沿った寸法Lが、ファラディ回転子が配置される光路長L(cm)である。
本発明の光アイソレータは、ファラディ回転子として、波長400~470nmにおけるベルデ定数が750Rad/T・m以上のファラディ回転子を具備する。このファラディ回転子について説明する。
本発明に用いることができるファラディ回転子は、波長400~470nmでのベルデ定数が750Rad/T・m以上である。ベルデ定数は750Rad/T・m以上であれば特に限定されないが、テルビウム酸化物含有量100%のベルデ定数(1420Rad/Tm)が上限となる。ベルデ定数が750Rad/T・m未満であると、ファラディ回転角を45°とするために必要なファラディ回転子の長さが長くなり、光アイソレータを小型化することが困難である。
本発明において、ベルデ定数は、定法に従い測定すればよく、測定方法は特に限定されない。
具体的には、所定の厚さの酸化物を切り出し、鏡面研磨仕上げを行い、磁束密度の大きさが既知の永久磁石にファラディ回転子をセットし、波長400~470nmにおけるベルデ定数を測定する。また、測定温度は25±10℃とし、大気中で測定を行う。
本発明の光アイソレータにおいて、ファラディ回転子が配置される光路長L(cm)は下記式(2)の範囲内にある。
0.26≦L≦0.50 (2)
光路長(サンプル長ということもできる)が0.50cmを超えると、アイソレータの小型化が難しくなり、0.26cm未満であると所望のファラディ回転角を得るための磁束密度の大きさが大きくなり、やはり光アイソレータの小型化が難しくなる。
本発明に用いるファラディ回転子は、下記式(I)で表される酸化物を95%以上含有することが好ましく、その他焼結助剤を有する場合がある。
(Tb1-x (I)
上記の酸化物の含有量は、99質量%以上であることがより好ましく、99.9質量%以上であることが更に好ましく、100質量%であることが特に好ましい。
上記式(I)で表される酸化物は、単結晶又はセラミックスであることが好ましいが、低温で合成できることから単結晶に限られないセラミックスであることがより好ましい。
上記の金属酸化物は、例えば、単結晶作製の際に添加するドーパントや、セラミックス作製時に添加する焼結助剤として含有される。また、ファラディ回転子の材料を製造する際に、坩堝の構成成分などが副成分として混入する場合もある。
なお、焼結助剤としては、シリコン、マグネシウム、カルシウムの各酸化物のなかからいずれか一種類以上を選定することが好ましい。
単結晶を作製する方法しては、公知の方法を用いることができる。例えば、フローティングゾーンメルト法、マイクロ引下げ法、引上げ法、スカルメルト法、ブリッジマン法などが例示される。これらの各方法については、「バルク単結晶の最新技術と応用開発」(福田承生監修、シーエムシー出版、2006年3月)、「結晶成長ハンドブック」(「日本結晶成長学会「結晶成長ハンドブック」編集委員会編、共立出版株式会社、1995年9月」に詳しい。
単結晶の作製においては、安定に結晶化させる目的で、アルカリ土類金属の酸化物(例えば、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム)をドーピングしてもよい。
なお、得られた単結晶を光アイソレータのファラディ回転子として使用する場合には、切断後、研磨剤等により表面に鏡面仕上げを施すことが好ましい。研磨剤は特に限定されないが、例えば、コロイダルシリカが例示される。
セラミックスの作製方法としては、従来公知の製造方法を適宜選択して使用することができる。主な作製方法としては、熱間等方圧加圧処理する方法、固相法とプレス成形法とを組み合わせる方法、鋳型成形等を利用して真空焼結する方法等が挙げられる。詳細は、池末明生著「光学単結晶から光学多結晶へ」応用物理、第75巻、第5号、579-583(2006)、柳谷高公、八木秀喜著「セラミックレーザー材料の現状と将来」レーザー研究、第36巻、第9号、544-548(2008年)等に記載されている。
成形後には、加熱(好ましくは、400~1000℃)により脱脂処理を行うことも好ましい。焼成条件としては、酸素雰囲気炉、1,380~1,780℃で、時間は1~40時間とできる。また、焼成の後、さらに透明性を上げるため、熱間等方圧加圧(HIP)法で処理を行うことも有効である。処理温度は、前記焼成温度よりも低いことが好ましく、1,000~1,750℃とすることができる。またこのときの処理圧力は、100~200MPaとすることができる。処理時間は特に限定されないが、4時間以下で行うことができる。このようにして得られた透明セラミックス焼結体は、未だ酸素欠損に起因するFセンター吸収による灰色外観を呈しているため、続いて大気炉でアニール処理を施すことも有効である。アニール温度としては、1300~1700℃が好ましく、処理時間は3時間以上が好ましい。
本発明に用いることができるファラディ回転子は、本発明の光アイソレータにおける前記式(2)を満たす光路長L(cm)において、当該回転子のロッド両端面(光透過面)に無反射コーティング(ARコーティング)を施した後、1dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比とを示すものであることが好ましい。上記の範囲内であると、低損失かつ高アイソレーションの光学特性を有する光アイソレータの作製を可能にするという観点で好ましい。
なお、挿入損失及び消光比等の光学特性は、定法に従い、波長400~470nmにおいて測定する。なお、測定条件は25±10℃とし、大気中で測定を行う。
本発明に用いることができるファラディ回転子は、波長400~470nm、上記光路長Lcm(0.26≦L≦0.50)での透過率(光の透過率)が80%以上であることが好ましく、82%以上であることが好ましく、85%以上であることがさらに好ましい。透過率は高いことが好ましく、その上限は特に限定されず、100%以下であればよい。
透過率は、波長400~470nmの光を厚さ(光路長)L(cm)のファラディ回転子に透過させた時の光の強度により測定される。すなわち、透過率は以下の式で表される。
透過率=I/Io×100
(上記式中、Iは透過光強度(厚さLcmの試料を透過した光の強度)、Ioは入射光強度を表す。)
なお、ファラディ回転子の透過率が均一ではなく、測定箇所によって透過率に変動がある場合には、任意の10点の平均透過率をもって、該ファラディ回転子の透過率とする。
本発明の光アイソレータが具備する中空マグネットについて説明を追加する。
中空マグネットは、可能な限り小型な永久磁石とすることが好ましく、かつ磁石材質として、フェライト磁石或いはサマリウム-コバルト磁石よりも大きな磁束密度を有するネオジム-鉄-ボロン(NdFeB)系磁石を選択することが好ましい。さらに本中空マグネットをステンレス筐体に収納し、筐体周囲の同ステンレス部材とレーザ溶接にて一体化することにより、固定強度が強固で、より小型化されたレーザモジュールを構成することができる。
本発明の光アイソレータの基本設計において、ファラディ回転子の長さを短くすることが小型化のために重要であり、このためにファラディ効果が大きいファラディ回転子と磁束密度の小さいマグネット(磁石)形状を組み合わせて用いることにより、十分に小型化された光アイソレータの提供を可能としている。
本発明の光アイソレータにおいて、偏光子として偏光ビームスプリッタ(PBS)を2個以上光学軸上に具備することが好ましい。この構成により、偏光依存のアイソレータとすることができる。例えば図1に示した入射偏光子1及び出射偏光子3は、PBSであってもよい。
さらに、PBSの波長400~470nmを有する光の透過率は、90%以上であることが好ましく、92%以上であることが好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。透過率は高いことが好ましく、その上限は特に限定されず、100%以下であればよい。その他の一般的な偏光子としては、ガラス偏光子が挙げられるが、波長400~470nmにおいては、ドーピングされている金属粒子の吸収が極めて大きく、50%以下の透過率となるので、偏光子として使用するのは好ましくない。
偏光子として、0.5dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比とを示す偏光ビームスプリッターを用いることが好ましい。これにより、より低損失かつより高アイソレーションの光学特性を有するものとなる。
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
図1に示す構成の460nm帯光アイソレータを製作した。
入射偏光子1及び出射偏光子3としては460nmにおいて高い透明性/消光比を有する、偏光ビームスプリッタ(PBS)を使用し、その光透過面に中心波長460nmの反射防止膜を施した。更に、入射光路に光透過面の反射光が戻ることを回避するため、4°だけ傾き角度をもった偏光子ホルダ4の上に偏光子1及び3の四隅底面を共に接着固定した。偏光子1及び3を接着固定した偏光子ホルダ4を、金属ホルダ5に挿入した。
また、ファラディ回転子2は中空マグネット7の中空部中心に位置するようにし、マグネットにより形成される磁界分布の最大となる位置に固定した。入射光路順に入射偏光子1及び出射偏光子3はファラディ回転子2透過後に回転される偏光角度45°に合わせ最大のアイソレーション特性となるよう光学軸の調整を行い、偏光子ホルダ4と金属ホルダ5の外周接合部とをレーザ溶接して固定した。尚、ファラディ回転子2の光透過面には中心波長460nmの反射防止膜を施している。
ファラディ回転子2としては、波長460nmにおいてベルデ定数が760Rad/T・mとなる、(Tb0.50.5酸化物(R=Y(イットリウム))を光路長Lが0.48cmとなるように配置して使用した。ARコーティング前の当該回転子の波長特性を図2に示す。図2から明らかなように、460nmにおいて79%の透過率を有し、その後ARコーティングを施したところ90%の高い透過率を有することを確認した。
ファラディ回転子2の外周には、ネオジム-鉄-ボロン(NdFeB)系マグネットからなる中空マグネット7を配置した。また、マグネット及びマグネットユニットの外側には、金属ホルダ5としてステンレス筐体を配置した。このようにして、実施例1の光アイソレータ10を作製した。
次に、本実施例1において使用したファラディ回転子2の詳細を説明する。材料としてはテルビウム酸化物を50重量%含む(Tb0.50.5セラミックス(R=Y(イットリウム))を用いた。このセラミックスを波長460nmにおいて測定したところ、挿入損失0.45dB、消光比40dB、ベルデ定数760Rad/T・mの光学特性を有していることがわかった。なお、このときの測定したサンプルは外径0.44cm、長さ0.48cmの円筒形状であった。
(実施例2)
実施例2では、ファラディ回転子2として、波長460nmにおいてベルデ定数が840Rad/T・mとなる、(Tb0.60.4酸化物(R=Y(イットリウム))を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2の光アイソレータ10を作製した。
また、実施例2において使用したファラディ回転子の材料としては、テルビウム酸化物を60重量%含む(Tb0.60.4セラミックス(R=Y(イットリウム))を用いた。このセラミックスを波長460nmにおいて測定したところ、挿入損失0.48dB、消光比40dB、ベルデ定数840Rad/T・mの光学特性を有していることがわかった。なお、このときの測定したサンプルは外径0.44cm、長さ0.40cmの円筒形状であった。
図3に、実施例1及び2において使用するセラミックスの光路長Lを0.26~0.50cmの間で0.02cmずつ変化させた場合に、ファラディ回転角が45°となる磁束密度B(T(=10Oe))を光路長L(cm)の関数として示す。光路長Lが0.50cmである場合に、実施例1のベルデ定数760Rad/T・m値よりファラディ回転角が45°となる磁束密度を算出すると、必要とする磁束密度は約0.20[T]となることがわかる。また、本発明の下限となる光路長Lが0.26cmのとき0.40[T]となり、これらはいずれも式(1):B≦0.40を満足していることが判る。同様に、光路長Lが0.50cmである場合に、実施例2のベルデ定数840Rad/T・m値よりファラディ回転角が45°となる磁束密度を算出すると、必要とする磁束密度は約0.16[T]となることがわかる。また、本発明の下限となる光路長0.26cmのとき約0.31[T]となり、これらはいずれも式(1):B≦0.40を満足していることが判る。
実施例1における磁束密度(0.21[T])を満足するマグネットは、信越化学工業(株)製ネオジム-鉄-ボロン(NdFeB)を採用し、マグネット外径1.0cm、内径0.45cm、長さ0.6cmの形状になることが判った。
更に、先に説明したように光アイソレータを組み立てたところ、実施例1では、波長460nmにおいて挿入損失0.60[dB]、アイソレーション(消光比)38[dB]の光学特性を有する光アイソレータを作製することができた。実施例2の光アイソレータは、挿入損失0.63[dB]、アイソレーション38[dB]の光学特性を有していた。
(比較例1)
比較例1としてTGG単結晶(ベルデ定数380Rad/T・m)をファラディ回転子とした光アイソレータを作製した。このTGG単結晶に印加する磁束密度を算出すると、図3のように、光路長0.5cmにおいて必要とする磁束密度は約0.41[T]となることがわかる。実施例1と同様にマグネット形状を算出するため、外径を2.5cmとし、長さ(MT)をパラメータとして得られる磁束密度分布のシミュレーション結果を図4に示す。この結果、比較例1における磁束密度を満足するマグネット形状は、外径2.5cm、内径0.4cm、長さ1.0cmになることが判った。ここで図4中の位置Z[mm]は、図1の光軸6上の中心からの距離を示し、光路長[cm]は2×Z/10と算出する。
図2には、光路長0.5cmのTGG単結晶の波長特性を併せて示す。TGG単結晶は、波長460nmにおいては78%の透過率を有し、その後ARコーティングを施したところ89%の透過率であった。このTGG単結晶を波長460nmにおいて測定したところ、挿入損失0.50[dB]、消光比36[dB]の光学特性を有していた。更に、上記の通り光アイソレータを組み立てたところ、挿入損失0.65[dB]、アイソレーション34[dB]の光学特性であった。
実施例1及び2と比較例1とを比較すると、本発明の例である実施例1及び2においては比較例1のTGG光アイソレータに比べて、低損失かつ高アイソレーションな特性を有し、体積比90%のサイズダウンを実現することがわかった。
また、ベルデ定数には波長依存性があり、長波長になると定数が小さくなることが一般的に知られている。そこで400~470nmにおける上限波長である470nmにおいても、ベルデ定数を評価した。その結果、比較例1のTGGは370Rad/T・mに対し、実施例1では750Rad/T・mと2倍以上の性能を有していることがわかった。実施例2も820Rad/T・mと2.2倍以上の性能を有していることが分かった。よって、本発明の光アイソレータは、使用する各々の部品及びその構成が400~470nm帯において低損失で高アイソレーションの特性を持ちながら、かつ十分に小型化された光アイソレータとして作用することを示している。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…入射偏光子、 2…ファラディ回転子、 3…出射偏光子、 4…偏光子ホルダ、 5…金属ホルダ、6…光軸、 7…中空マグネット、 10…光アイソレータ。

Claims (5)

  1. 波長400nm~470nmにおけるベルデ定数が750Rad/T・m以上のファラディ回転子であって、下記式(I)で表される酸化物を95%以上含有するファラディ回転子と、
    前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットと
    を具備し、
    前記ファラディ回転子に印加される磁束密度B(T)が下記式(1)の範囲内にあり、
    前記ファラディ回転子が配置される光路長L(cm)が下記式(2)の範囲内にあることを特徴とする400~470nm波長帯域用光アイソレータ。
    (Tb 1-x (I)
    (ここで、上記式(I)中、xは、0.5≦x≦1.0であり、Rは、テルビウム以外のランタノイド元素、スカンジウム及びイットリウムよりなる群から選択される少なくとも1つの元素を含む。)
    B≦0.40 (1)
    0.26≦L≦0.50 (2)
  2. 前記酸化物が単結晶であることを特徴とする請求項に記載の光アイソレータ。
  3. 前記酸化物がセラミックスであることを特徴とする請求項に記載の光アイソレータ。
  4. 前記ファラディ回転子が、前記式(2)を満たす光路長L(cm)において、1dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比とを示すものであることを特徴とする請求項1~のいずれか1項に記載の光アイソレータ。
  5. 前記ファラディ回転子を光軸に沿って間に挟むように配置された一対の偏光子を更に具備し、
    前記偏光子の各々は、0.5dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比とを示す偏光ビームスプリッターであることを特徴とする請求項1~のいずれか1項に記載の光アイソレータ。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235172A (ja) 1999-02-15 2000-08-29 Tokin Corp 磁気光学素子材料
WO2013085040A1 (ja) 2011-12-08 2013-06-13 信越化学工業株式会社 光アイソレータ
WO2015008553A1 (ja) 2013-07-19 2015-01-22 信越化学工業株式会社 磁気光学材料及びその製造方法並びに磁気光学デバイス
JP2016109743A (ja) 2014-12-02 2016-06-20 信越化学工業株式会社 1μm帯光アイソレータ
JP2017007920A (ja) 2015-06-26 2017-01-12 日本電気硝子株式会社 ガラス材

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10123462A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Hoya Corp 光アイソレータの製造方法、光アイソレータ、偏光素子、およびファラデー素子
JP5528827B2 (ja) 2010-01-25 2014-06-25 信越化学工業株式会社 光アイソレータ
WO2012133200A1 (ja) 2011-03-28 2012-10-04 独立行政法人物質・材料研究機構 ファラデー回転子、光アイソレーター及び光加工器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235172A (ja) 1999-02-15 2000-08-29 Tokin Corp 磁気光学素子材料
WO2013085040A1 (ja) 2011-12-08 2013-06-13 信越化学工業株式会社 光アイソレータ
WO2015008553A1 (ja) 2013-07-19 2015-01-22 信越化学工業株式会社 磁気光学材料及びその製造方法並びに磁気光学デバイス
JP2016109743A (ja) 2014-12-02 2016-06-20 信越化学工業株式会社 1μm帯光アイソレータ
JP2017007920A (ja) 2015-06-26 2017-01-12 日本電気硝子株式会社 ガラス材

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