JP2015125375A - 光アイソレータ - Google Patents
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Abstract
【課題】光計測や光センサ、光アンプ増幅用途の半導体レーザに使用される小型化した波長980nm帯用光アイソレータを提供する。【解決手段】下記式(I)で表される酸化物を99%以上含有する酸化物材料で構成され、波長970−990nmのヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)以上のファラディ回転子と、この外周に配置される中空マグネットとから成る。前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長L(cm)は、式(1)の範囲内にあり、印加される磁束密度B(Oe)は、式(2)の範囲内にある。(TbxR1-x)2O3(I)。ここで、xは、0.5≰x≰1.0であり、Rは、スカンジウム、イットリウム、Tb以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも1つの元素を含む。0.6≰L≰1.0(1)。B≰1.5?104(2)。【選択図】図1
Description
本発明は、光計測や光センサ、光アンプ増幅用途の半導体レーザに使用される、波長970−990nmの帯域(以下、波長970−990nmの帯域を単に「波長980nm帯」と称することがある)において使用される光アイソレータに関する。
従来から、1.55μm帯通信用レーザの光増幅にはEDFA(Erbium doped fiber
amplifier)が使用され、その励起光源には波長1480nmあるいは980nm帯の光源が使用されている。波長980nmは1480nmに比べその増幅効率が大きいことから、使用頻度が高まり実用化されている。また近年、1μm帯光アンプの利用によりその微弱信号を検出する光計測や光センサ、パルスレーザの増幅など通信以外の分野にも広がりつつあり、ここでも980nm帯半導体レーザの使用が広まっている。この半導体レーザは、一般に、その発光スペクトルが狭くて変換効率に優れるという特徴を持つが、その反面、反射光による戻り光に対して非常に敏感であり、光ファイバヘの結合端面や被測定物からの反射光が戻ると特性が不安定状態になるという問題がある。
amplifier)が使用され、その励起光源には波長1480nmあるいは980nm帯の光源が使用されている。波長980nmは1480nmに比べその増幅効率が大きいことから、使用頻度が高まり実用化されている。また近年、1μm帯光アンプの利用によりその微弱信号を検出する光計測や光センサ、パルスレーザの増幅など通信以外の分野にも広がりつつあり、ここでも980nm帯半導体レーザの使用が広まっている。この半導体レーザは、一般に、その発光スペクトルが狭くて変換効率に優れるという特徴を持つが、その反面、反射光による戻り光に対して非常に敏感であり、光ファイバヘの結合端面や被測定物からの反射光が戻ると特性が不安定状態になるという問題がある。
そこで、半導体レーザの安定動作の為には、反射光が発光光源である発光素子へ戻るのを防止するために、発光光源と加工体との間に順方向の光を透過し逆方向の光を遮断する機能を有する光アイソレータ(an optical isolator)を配置して、光ファイバから発光光源へ反射して戻ってくる光を遮断することが不可欠となる。
ところで、この光アイソレータの機能を有するためには、45°程度のファラディ回転角が必要となる。具体的には、光アイソレータに入射された光は、その偏光面をファラディ回転子により45°回転されて各々角度調整された入出射偏光子を透過する。一方、戻り光は、ファラディ回転子の非相反性を利用して逆方向に偏光面を45°回転され、入射偏光子と90°の直行偏光面となって透過できなくなる。光アイソレータは、この現象を利用して光を単一方向にのみ透過させて、反射して戻ってくる光を阻止するのである。
そして、このような機能の光アイソレータは、ファラディ回転子と、ファラディ回転子の光入射側及び光出射側に配置された一対の偏光子と、ファラディ回転子の光透過方向(光軸方向)に磁界を印加するマグネットとの3つの主要部品から構成されている。この光アイソレータでは、光がファラディ回転子に入射するとファラディ回転子の中で偏光面が回転するという現象が生じる。この現象は、一般にファラディ効果と呼ばれるもので、偏光面が回転する角度をファラディ回転角と称し、その大きさθは、次式で表される。
θ=V×H×L
ここで、Vはヴェルデ定数であり、ファラディ回転子の材料および測定波長で決まる定数である。また、Hは磁束密度であり、Lはファラディ回転子の長さ(=サンプル長)である。
θ=V×H×L
ここで、Vはヴェルデ定数であり、ファラディ回転子の材料および測定波長で決まる定数である。また、Hは磁束密度であり、Lはファラディ回転子の長さ(=サンプル長)である。
一定の大きさのヴェルデ定数Vを持つファラディ回転子で所望のファラディ回転角θを得ようとする場合、上記式から理解できるように、ファラディ回転子に印可する磁界Hが大きいほど回転子長Lを短くすることができる。一方、回転子長Lが長いほど磁束密度Hを小さくすることできるので、このような関係を利用すれば、光アイソレータ形状の小型化が可能となる。
また、光アイソレータの大きさを決める要因としては、磁界Hおよび回転子長Lに加えて、ファラディ回転子の材料および測定波長で決まるヴェルデ定数Vがあるから、光アイソレータを小型化するためには、ファラディ回転子を短くすることができる材料を開発することも必要なことである。
これまで、波長980nm帯域用のファラディ回転子としては通信用光アイソレータに使用される、鉄系ガーネット(YIG)が検討されているが、その組成元素である鉄(Fe)の吸収が波長1μm以下で高まり、特に、980nmおいては1dB以上の損失となるために、ファラディ回転子の材料としては不適である。
そこで、従来から、波長980nm帯で使用されるファラディ回転子の材料としては、その波長帯で吸収の少ないTGG:テルビウム・ガリウム・ガーネット(化学式:Tb3Ga5O12)などがよく知られている。このTGGの980nmの波長におけるヴェルデ定数は、0.16min/Oe.cmという小さい値であることから、光アイソレータの機能を発揮させるためには、サンプル長が一般的に11mm以上と長くしなければならない。これにより、使用するマグネット形状の影響で光アイソレータの形状が大きくなるという問題があった。なお、1分(min)は1/60度を表す。
また、特許文献1には、酸化テルビウムを50%以上含む化学式(TbxR1-x)2O3(但し、xは0.5≦x≦1.0であり、Rはスカンジウム、イットリウム、Tb以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも1つの元素)の酸化物材料から成るファラディ回転子を用いた波長1μm帯用光アイソレータが記載されている。
しかしながら、この波長1μm帯用光アイソレータでは、小型化を実現するために、ファラディ回転子に与える印加磁束密度が最大となるように、その磁気回路がファラディ回転子の外周に配置される磁束密度の大きい第1の中空マグネットとこの第1の中空マグネットを光軸上で挟んで配置された第2及び第3の中空マグネットユニットとで構成されている。しかも、第2の中空マグネットの磁界極性と第3の中空マグネットの磁界極性が光軸法線方向において互いに反対となるように構成されているから、このようなマグネットユニットの構成では、最近、特に波長1μm帯より短い980nm帯半導体レーザの使用が広まっている中で、光アイソレータの一層の小型化に限界があるし、その製作に手間が掛かるという問題もある。
そこで、本発明は、このような実情に鑑みなされたものであり、波長980nm帯において、ファラディ効果が大きいファラディ回転子と製作が容易で小さな外形の中空マグネットとを組み合わせるだけで、第2、第3の中空マグネットを用いることなくより一層の小型化が可能な光アイソレータを提供することを目的とするものである。
そして、本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行ったところ、波長970−990nmでは、ファラディ回転子の長さを10mm以下とするために、ヴェルデ定数が0.30min/Oe.cm以上であることが望ましく、それ以下の値では、使用する所定の磁界でのファラディ回転子の長さが11mm以上となり、光アイソレータをより小型化することは困難であることが判った。また、本発明者らは、さらに検討を行ったところ、波長970nm、980nmおよび990nmでヴェルデ定数が0.30min/Oe.cm以上になる材料として、酸化テルビウムを質量比換算で50%以上含む酸化物材料が適していること、このようなファラディ効果が大きい酸化物材料をファラディ回転子に用いるとその長さを10mm以下まで短くできると共に、製作が容易で磁束密度の大きい中空マグネットとを組み合わせるだけで、従来のような第2、第3の中空マグネットを用いることなくより一層の小型化が実現可能であることを知見し、本発明に至ったものである。
すなわち、本発明は、下記式(I)で表される酸化物を99%以上含有する酸化物材料で構成されると共に、波長970−990nmにおけるヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)以上のファラディ回転子と、該ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットとから構成される光アイソレータであって、前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長L(cm)は、下記式(1)の範囲内にあり、前記ファラディ回転子に印加される磁束密度B(Oe)は、下記式(2)の範囲内にあることを特徴とする970−990nm波長用光アイソレータである。
(TbxR1-x)2O3 (I)
ここで、上記式(I)中、xは、0.5≦x≦1.0であり、Rは、スカンジウム、イットリウム、Tb以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも1つの元素を含む。
0.6≦L≦1.0 (1)
B≦1.5×104 (2)
(TbxR1-x)2O3 (I)
ここで、上記式(I)中、xは、0.5≦x≦1.0であり、Rは、スカンジウム、イットリウム、Tb以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも1つの元素を含む。
0.6≦L≦1.0 (1)
B≦1.5×104 (2)
また、本発明の酸化物は、単結晶又はセラミックスであるのが好ましく、本発明のファラディ回転子は、式(1)のサンプル長L(cm)において、1dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比を有するものである。さらに、本発明の中空マグネットは、ネオジム−鉄−ボロン(NdFeB)系磁石からなることが好ましい。
本発明によれば、製作が容易な中空マグネットユニットを用いるだけで光アイソレータのより一層の小型化を可能とすることができるので、光アイソレータを組み込むレーザ装置内の空間的寸法の自由度を大きくすることができる。また、ヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)以上のファラディ回転子を用いることで従来のTGGファラディ回転子対比で長さを1/2程度に短くすることができるので、この短尺化によって吸収損失を減少させ、光アイソレータの重要な特性である挿入損失を減少させることができる。
以下、本発明の一実施形態について説明するが、本発明は、この実施態様に限定されるものではない。
本発明のアイソレータは、波長980nm帯のレーザ光に使用されることが好ましく、このレーザには、半導体レーザが含まれる。なお、本発明のアイソレータを上記以外の波長帯域のレーザ光に設計変更することもできる。図1は、本発明の光アイソレータの構成例を示す断面模式図である。図1では、入射偏光子1、ファラディ回転子2および出射偏光子3が左側の入射側から右側の出射側に向う光軸6上に順次配置されている。また、入射側では入射偏光子1が偏光子ホルダ4に固定され、出射側では出射偏光子3が金属ホルダ5に固定されている。
ファラディ回転子2の形状は特に限定されず、三角柱状、四角柱状でもよいが、円筒状であることが好ましいので、以下に、円筒状のファラディ回転子2を例に説明する。このファラディ回転子2の外周には、製作が容易な中空マグネット7が配置されているだけであり、従来の第2、第3の中空マグネットは配置されていない。ファラディ回転子2が円筒状の場合、中空マグネット7は中空円筒状であることが好ましく、ファラディ回転子2の中心軸及び中空マグネット7の中空部の中心軸は同軸であることが好ましい。また、ファラディ回転子2の外径と、中空マグネット7の中空部の内径はほぼ同じであり、光アイソレータを組み立てた後に調芯することが好ましい。そして、このような配置によってファラディ回転子2は中空マグネット7の中心に配置される。
次に、本発明の光アイソレータは、波長980nm帯におけるヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)以上のファラディ回転子を有するから、このファラディ回転子について説明する。
本発明のファラディ回転子は、波長980nm帯でのヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)以上である酸化テルビウムが質量比換算で50%以上含まれる酸化物材料で構成されるのが好ましい。具体的な材料としては、下記式(I)で表される酸化物を99%以上含有するものであり、その他に焼結助剤を有する場合がある。
(TbxR1-x)2O3 (I)
ここで、式(I)中、xは0.5≦x≦1.1であり、Rはスカンジウム、イットリウム、Tb以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも1つの元素を含むものである。そして、この酸化物の含有量は、99.9重量%以上であることが好ましく、より好ましくは100重量%である。
なお、このような酸化物単結晶をアイソレータのファラディ回転子として使用する場合には、切断後に研磨剤等により表面に鏡面仕上げを施すことが好ましい。研磨剤は特に限定されないが、例えばコロイダルシリカが挙げられる。
(TbxR1-x)2O3 (I)
ここで、式(I)中、xは0.5≦x≦1.1であり、Rはスカンジウム、イットリウム、Tb以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも1つの元素を含むものである。そして、この酸化物の含有量は、99.9重量%以上であることが好ましく、より好ましくは100重量%である。
なお、このような酸化物単結晶をアイソレータのファラディ回転子として使用する場合には、切断後に研磨剤等により表面に鏡面仕上げを施すことが好ましい。研磨剤は特に限定されないが、例えばコロイダルシリカが挙げられる。
また、本発明では、ヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)以上であれば特に限定されないが、テルビウム酸化物の含有量100%のヴェルデ定数が上限となる。ヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)未満であると、ファラディ回転角を45°とするために必要なファラディ回転子の長さが長くなり、光アイソレータを小型化することが困難であるからである。このヴェルデ定数は、定法に従い測定すればよく、特に限定されない。具体的には、所定の厚さの酸化物を切り出して、鏡面研磨仕上げを行い、磁束密度の大きさが既知の永久磁石にファラディ回転子をセットし、測定条件25±10℃として大気中で波長980nm帯におけるヴェルデ定数を測定する。
表1に、波長980nm帯における(TbxR1-x)2O3の具体的な組成例とヴェルデ定数の値を示す。最小のヴェルデ定数は、各々波長990nmで計測された値であり、最大のヴェルデ定数は、各々波長970nmで計測された値である。
さらに、本発明のファラディ回転子が配置されるサンプル長L(cm)は、下記式(1)を満たすことが好ましい。
0.6≦L≦1.0 (1)
光路長が1.0cmを超えると、アイソレータのより一層の小型化が難しくなるし、また、0.6cm未満であると、所望のファラディ回転角を得るための磁束密度の大きさが大きくなるために、やはりアイソレータのより一層の小型化が難しくなるからである。
0.6≦L≦1.0 (1)
光路長が1.0cmを超えると、アイソレータのより一層の小型化が難しくなるし、また、0.6cm未満であると、所望のファラディ回転角を得るための磁束密度の大きさが大きくなるために、やはりアイソレータのより一層の小型化が難しくなるからである。
本発明のファラディ回転子は、前記式を満たすサンプル長L(cm)において、1dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比とを有することが好ましい。また、サンプル長Lが上記式を満たす範囲内であると、低損失かつ高アイソレーションの光学特性を有する光アイソレータを作製することが可能であるから好ましい。
なお、挿入損失及び消光比等の光学特性は、定法に従って、測定条件25±10℃として大気中で波長980nm帯において測定される。
なお、挿入損失及び消光比等の光学特性は、定法に従って、測定条件25±10℃として大気中で波長980nm帯において測定される。
また、本発明のファラディ回転子は、波長970nmから990nm、サンプル長Lcmが0.6≦L≦1.0の範囲での透過率(光の透過率)が80%以上であることが好ましく、82%以上であればより好ましく、85%以上であればさらに好ましい。透過率は、より高い方が好ましいが、その上限は特に限定されず、100%以下であればよい。
そして、このような透過率は、波長980nm帯の光を厚さLcmのファラディ回転子に透過させた時の光の強度によって測定される。具体的には、この透過率は、次の式で表される。
透過率=I/Io×100
ここで、上記式中、Iは透過光強度(厚さLcmの試料を透過した光の強度)であり、Ioは入射光強度を表す。なお、得られる酸化物の透過率が均一ではなく、測定箇所によって透過率に変動がある場合には、任意の10点の平均透過率をもってこの酸化物の透過率とする。
透過率=I/Io×100
ここで、上記式中、Iは透過光強度(厚さLcmの試料を透過した光の強度)であり、Ioは入射光強度を表す。なお、得られる酸化物の透過率が均一ではなく、測定箇所によって透過率に変動がある場合には、任意の10点の平均透過率をもってこの酸化物の透過率とする。
次に、本発明の光アイソレータに用いられる中空マグネット7について説明する。この中空マグネット7は、可能な限り小型な永久磁石とすることが好ましく、大きな磁場強度を得るためには、ネオジム−鉄−ボロン(NdFeB)系磁石を使用し、これを炭素鋼筐体に搭載することが好ましい。中空マグネット7を炭素鋼筐体に収納すれば、中空マグネット7の周囲にヨーク(継鉄)材が構成されるために、中空マグネット7の持っている吸着力又は吸引力を増大させることができるからである。
本発明の中空マグネット7は、図1に示すように、中空マグネット7の磁界極性を光軸6方向とし、中空マグネット7外周にヨーク材として機能する炭素鋼等の金属ホルダ5を配置することが好ましい。このような構成とすることによって、ファラディ回転子2に与える印加磁束密度を最大とすることができる。
本発明の光アイソレータでは、その基本設計において、ファラディ回転子2の長さを短くすることが小型化のために重要なことであり、そのためにファラディ効果が大きいファラディ回転子2と磁束密度の大きい中空マグネット7材(磁石)とを組み合わせて用いることがより小型化を実現するために重要なことである。
また、光アイソレータに半導体レーザを用いる場合に問題となるハイパワー光によるファラディ回転子2の光損傷は、ファラディ回転子2の透過率とその長さLで決まるため、この光損傷を少なくするためには、ファラディ回転子2の透過率が高く、また長さLが短い方が好都合である。
さらに、本発明の光アイソレータでは、偏光依存型のガラス偏光子を2枚以上光学軸上に具備することが好ましく、この構成によって偏光依存の光アイソレータとすることができる。2枚以上の平板複屈折結晶及び1枚以上の45度旋光子を光軸6上に具備することがより好ましいが、この構成によって偏光無依存のアイソレータとすることもできる。
そして、この場合、前記平板複屈折結晶の光学軸は、光軸6に対してほぼ45°方向であり、厚みが1.0cm以上であることが好ましい。例えば、ルチル単結晶(TiO2)を使用した場合では、厚みの1/10であるφ1.0mm、α−BBO結晶(BaB2O4)を使用した場合では、厚みの1/30程度であるφ0.3mmのビーム径にまで対応することができる。
そして、この場合、前記平板複屈折結晶の光学軸は、光軸6に対してほぼ45°方向であり、厚みが1.0cm以上であることが好ましい。例えば、ルチル単結晶(TiO2)を使用した場合では、厚みの1/10であるφ1.0mm、α−BBO結晶(BaB2O4)を使用した場合では、厚みの1/30程度であるφ0.3mmのビーム径にまで対応することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
<実施例1>
実施例1では、図1に示す構成の980nm帯域の光アイソレータを製作した。入射偏光子1および出射偏光子3には、980nm帯域において高い透明性/消光比を有する吸収型のガラス偏光子を使用し、その光透過面に中心波長980nmの反射防止膜を施すとともに、入射光路に光透過面の反射光が戻ることを回避するために、5度だけ傾き角度をもった偏光子ホルダ4の上に偏光子四隅底面を共に接着固定して、金属ホルダ5に挿入した。
<実施例1>
実施例1では、図1に示す構成の980nm帯域の光アイソレータを製作した。入射偏光子1および出射偏光子3には、980nm帯域において高い透明性/消光比を有する吸収型のガラス偏光子を使用し、その光透過面に中心波長980nmの反射防止膜を施すとともに、入射光路に光透過面の反射光が戻ることを回避するために、5度だけ傾き角度をもった偏光子ホルダ4の上に偏光子四隅底面を共に接着固定して、金属ホルダ5に挿入した。
また、ファラディ回転子2は、中空マグネット7の中空部中心に位置するようにし、かつマグネットによる磁界分布の最大となるような位置に固定した。入射光路順に配置された入射偏光子1および出射偏光子3は、ファラディ回転子2透過後に回転される偏光角度45度に合わせて最大のアイソレーション特性となるようにその光学軸の調整を行って、偏光子ホルダ4と金属ホルダ5の外周接合部をレーザ溶接固定した。なお、ファラディ回転子2の光透過面には、中心波長980nmの反射防止膜(図示せず)が施されている。
このようなファラディ回転子の材料としては、波長980nmにおいてヴェルデ定数が0.36min/(Oe・cm)以上となるテルビウム/スカンジウム、テルビウム/イットリウム、テルビウム/ルテチウム酸化物を使用した。また、このファラディ回転子2の光路長Lを0.7cmとし、このファラディ回転子2の外周には、ネオジム−鉄−ボロン(NdFeB)系マグネットからなる中空マグネット7を配置し、その外側には炭素鋼筐体を配置した。
実施例1のファラディ回転子2の詳細についてさらに説明すると、ファラディ回転子2の具体的な材料としては、テルビウム酸化物を60重量%含むテルビウム/スカンジウム酸化物のセラミックスを用いた。このセラミックスの光学特性を波長980nmにおいて測定したところ、挿入損失0.1dB、消光比42dB、ヴェルデ定数0.36min/(Oe・cm)であった。なお、このときに測定したサンプルの形状は、外径φ0.3cm、長さ0.70cmの円筒形状であった。
図2には、実施例1で使用するテルビウム酸化物を60重量%含むテルビウム/スカンジウム酸化物とテルビウム酸化物を50重量%含むテルビウム/スカンジウム酸化物のセラミックスのサンプル長を0.6〜1.0cmの範囲で0.05cmずつ変化させた場合に、ファラディ回転角が45度となるときの磁束密度T(104Oe)とサンプル長L(cm)との関係を示している。
そして、実施例1のファラディ回転子2の場合、そのサンプル長Lは0.70cmであり、ファラディ回転子2のヴェルデ定数は0.36min/(Oe・cm)であるから、この場合のファラディ回転角が45度となるような磁束密度を図2の関係から算出すると、その磁束密度は、約10,700[Oe](=1.07[T])であることが判る。
また、本発明では、ヴェルデ定数の下限値が0.30min/(Oe・cm)であり、このときのファラディ回転子2に用いられる材料は、少なくとも酸化テルビウムが質量比換算で50%含まれる酸化物である。そして、そのサンプル長Lの下限値は0.6cmであるから、この酸化物の磁束密度は、図2の関係から算出すると、サンプル長L0.6cmの場合、1.5×104[Oe](=1.50[T])の値が上限となることが判る。
したがって、本発明で用いられるマグネットは、光アイソレータのより一層の小型化のためには、その磁束密度B(Oe)が下記式(2)を満たすことが好ましい。
B≦1.5×104 (2)
したがって、本発明で用いられるマグネットは、光アイソレータのより一層の小型化のためには、その磁束密度B(Oe)が下記式(2)を満たすことが好ましい。
B≦1.5×104 (2)
次に、実施例1の磁束密度を満足するマグネット形状について説明すると、このマグネットの形状は、以下のような磁場解析により求めた。すなわち、磁場解析手法としては有限要素法(JMAG−Designer)を選択し、マグネット材質としては信越化学工業(株)製ネオジム−鉄−ボロン(NdFeB)マグネットを、また金属ホルダ5の材質としては炭素鋼をそれぞれ選択した。また、マグネット内径をφ0.4cmとし、外径(cm)をパラメータとして得られる磁束密度分布のシミュレーションした結果を図3に示す。
この図3の結果によれば、実施例1の光路長Lが0.70cmの場合の磁束密度分布を示すマグネット形状は、内径φ0.4cm、外径φ1.8cm、長さ3.2cmになることが判った。ここで、図中のZ[mm]は、光軸6上中心からの距離を示し、サンプル長L[cm]は、2×Z/10として算出する。
そして、波長980nmにおいて光アイソレータを組み立てたところ、挿入損失0.2[dB]、アイソレーション42[dB]の光学特性を有する光アイソレータを作製することができた。
次に、比較例1について説明する。比較例1では、TGG単結晶(ヴェルデ定数0.16min/(Oe・cm))をファラディ回転子とした光アイソレータを作製した。そして、このTGG単結晶に印可する磁束密度を算出すると、サンプル長0.7cmにおいて必要とする磁束密度は、約24,100[Oe](=2.41[T])となることが判る。この磁束密度はあまりに大きく、これを満たすマグネット形状の寸法は現実的でないことから、サンプル長を2倍の1.4cmとし、必要とする磁束密度を上記値の半分である、約12,000[Oe](=2.4[T])を満たす形状のマグネット形状を、上記段落(0005)の関係式θ=V×H×Lより算出した。この磁束密度分布のシミュレーション結果を図3に示す。
この図3の結果によれば、比較例1における磁束密度を満足するマグネット形状は、内径φ0.4cm、外径φ3.2cm、長さ4.0cmになることが判った。ここで、図中のZ[mm]は光軸6上中心からの距離を示し、サンプル長L[cm]は2×Z/10として算出する。
以上の結果について実施例1と比較例1を比較すると、実施例1では、比較例1のTGGの光アイソレータに比べて、体積比で75%のサイズダウンができることが確認された。なお、体積比の計算は、比較例、実施例双方のマグネット外径、長さより算出した
したがって、本発明の光アイソレータによれば、波長980nm帯において、低損失で高アイソレーションの特性を持ちながら、かつ十分に小型化された光アイソレータとして実用化が可能であることが確認された。
1 入射偏光子
2 ファラディ回転子
3 出射偏光子
4 偏光子ホルダ
5 金属ホルダ
6 光軸
7 中空マグネット
2 ファラディ回転子
3 出射偏光子
4 偏光子ホルダ
5 金属ホルダ
6 光軸
7 中空マグネット
Claims (4)
- 下記式(I)で表される酸化物を99%以上含有する酸化物材料で構成されると共に、波長970−990nmにおけるヴェルデ定数が0.30min/(Oe・cm)以上のファラディ回転子と、該ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットとから構成される光アイソレータであって、前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長L(cm)は、下記式(1)の範囲内にあり、前記ファラディ回転子に印加される磁束密度B(Oe)は、下記式(2)の範囲内にあることを特徴とする970−990nm波長用光アイソレータ。
(TbxR1-x)2O3 (I)
ここで、上記式(I)中、xは、0.5≦x≦1.0であり、Rは、スカンジウム、イットリウム、Tb以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも1つの元素を含む。
0.6≦L≦1.0 (1)
B≦1.5×104 (2) - 前記酸化物は、単結晶又はセラミックスであることを特徴とする請求項1に記載の光アイソレータ。
- 前記ファラディ回転子は、前記サンプル長L(cm)において、1dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光アイソレータ。
- 前記中空マグネットは、ネオジム−鉄−ボロン(NdFeB)系磁石からなることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の光アイソレータ。
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