JP7473333B2 - 窒化物半導体素子、窒化物半導体発光素子 - Google Patents

窒化物半導体素子、窒化物半導体発光素子 Download PDF

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Description

本発明は、窒化物半導体素子に関する。
窒化物半導体であるAlN、GaN、InN、およびそれらを含む混晶は、III族元素(Al、Ga、In)の組成比を変えることでバンドギャップエネルギーを多様に変化させることができる魅力的な材料である。特に、AlGaNは、AlGaN/GaN系トランジスタや深紫外光の受発光素子などの様々なデバイスに用いられている。
しかしながら、紫外発光素子の場合、発光層の材料としてバンドギャップエネルギーの大きい高Al組成のAlGaNを用いるが、Al組成の増加に伴い、十分な正孔濃度を有したp型AlGaNの実現が困難になり、正孔を効率良く発光層に注入することができなくなってしまう。加えて、電子に対しても十分なポテンシャル障壁を形成することが困難になり、発光層への電子の閉じ込めも低下してしまう。従って、十分な発光効率を備えた紫外発光素子を実現することは極めて難しい。
特許文献1には、p型AlGaN層を紫外線発光素子に適用する技術が開示されているが、得られる光出力は不足しており、改善が求められている。
特許第5053362号公報
本発明の課題は、光出力の高い深紫外発光素子を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、下記の構成(1)~(4)を有する窒化物半導体素子を提供する。
(1)基板と、基板上に形成された、AlおよびGaを含む第一伝導型の窒化物半導体層と、第一伝導型の窒化物半導体層上に形成された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造上に形成された電子ブロック層と、電子ブロック層上に形成された第二伝導型の窒化物半導体層と、
を有する。
(2)多重量子井戸構造は、少なくともAlおよびGaを含む窒化物半導体で形成された井戸層と、少なくともAlを含む窒化物半導体で形成されたバリア層と、が周期的に多層化されたものである。
(3)井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係は、Tbをx軸とし、Twをy軸とした座標平面上で、下記の式(a)~式(g)で示される全ての直線で囲まれる領域内の点またはこの領域を形成する直線上の点として表される。Tw=2.0…(a)、Tw=4.0…(b)、Tb=7.5…(c)、Tb=14.0…(d)、Tw=(1/3)Tb+1…(e)、Tw=-(1/3)Tb+5…(f)、Tw=T-12…(g)。
(4)多重量子井戸構造と電子ブロック層との間に、電子ブロック層と接するファイナル井戸層を有する。
本発明によれば、光出力の高い深紫外発光素子を提供することが期待できる。
実施形態の窒化物半導体発光素子を示す平面図である。 実施形態の窒化物半導体発光素子を示す断面図であり、図1のA-A断面を示している。 図1の窒化物半導体発光素子でパッド電極および絶縁層が形成される前の状態を示す平面図である。
〔一態様の窒化物半導体素子〕
上述のように、本発明の一態様の窒化物半導体素子は、基板と、基板上に形成された、AlおよびGaを含む第一伝導型の窒化物半導体層と、第一伝導型の窒化物半導体層上に形成された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造上に形成された電子ブロック層と、電子ブロック層上に形成された第二伝導型の窒化物半導体層と、を有する。多重量子井戸構造は、少なくともAlおよびGaを含む窒化物半導体で形成された井戸層と、少なくともAlを含む窒化物半導体で形成されたバリア層と、が周期的に多層化されたものである。
また、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が、Tbをx軸とし、Twをy軸とした座標平面上で、上記式(a)~式(g)で示される全ての直線で囲まれる領域内の点またはこの領域を形成する直線上の点として表される。つまり、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が、「Tbをx軸とし、Twをy軸とした座標平面上で、上記式(a)~式(g)で示される全ての直線で囲まれる領域内の点またはこの領域を形成する直線上の点として表される。」という条件(以下、これを「条件A」とする。)を満たす。
さらに、多重量子井戸構造と電子ブロック層との間に、電子ブロック層と接するファイナル井戸層を有する。つまり、電子ブロック層に最も近い層がバリア層となっている多重量子井戸構造を有し、このバリア層と電子ブロック層との間にファイナル井戸層が存在し、このファイナル井戸層と電子ブロック層とが接触している。
一態様の窒化物半導体素子において、ファイナル井戸層と電子ブロック層とは接触しているが、それ以外の各層の間には他の層が存在していてもよい。
一態様の窒化物半導体素子は、第一伝導型の窒化物半導体層と多重量子井戸構造との間に、第一の組成傾斜層を有することが好ましい。第一の組成傾斜層は、AlxGa(1-x)N(0.00≦x≦1.00)層であって、Al組成xが第一伝導型の窒化物半導体層側の面から多重量子井戸構造側の面に向けて増加する層である。
一態様の窒化物半導体素子は、電子ブロック層と第二伝導型の窒化物半導体層との間に、第二の組成傾斜層を有することが好ましい。第二の組成傾斜層は、AlyGa(1-y)N(0.00≦y≦1.00)層であって、Al組成yが電子ブロック層側の面から第二伝導型の窒化物半導体層側の面に向けて減少する層である。
一態様の窒化物半導体素子としては、窒化物半導体発光素子(窒化物半導体発光ダイオード)、窒化物半導体レーザダイオード、窒化物半導体トランジスタ、窒化物半導体光電変換素子などが例示できる。
一態様の窒化物半導体素子が窒化物半導体発光素子の場合は、多重量子井戸構造とファイナル井戸層が発光層となる。
一態様の窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子について以下に説明する。
<基板>
基板は、窒化物半導体層を形成することが可能なものであれば特に制限されない。基板を形成する材料の具体例としては、サファイア、Si、SiC、MgO、Ga23、ZnO、GaN、InN、AlN、あるいはこれらの混晶等が挙げられる。サファイア基板を用いる場合、その上に窒化物半導体を結晶成長させたもの(いわゆるテンプレート)が一般的に使用される。テンプレート用のサファイア基板としては、平坦な成長表面が比較的容易に実現できることからC面サファイア基板が一般的によく用いられている。
上記材料のうち、GaN、AlNあるいはその混晶であるAlGaN等の窒化物半導体で形成された基板を用いると、基板上に形成される各窒化物半導体層との格子定数差や熱膨張係数差が小さく、結晶欠陥の少ない窒化物半導体層を成長できるため好ましい。特に、Al組成の高いAlGaN材料を用いる深紫外発光素子の場合には、AlN基板を用いることで、その上に形成される第一伝導型の窒化物半導体層との格子定数差や熱膨張係数差が小さくなるため、格子緩和に起因する貫通転位や、クラックを形成することなく第一伝導型の窒化物半導体層が成長できる。特に単結晶AlN基板を用いることで、結晶粒界やプレーナー欠陥等の影響を受けることなく、結晶欠陥の少ない第一伝導型の窒化物半導体層を形成できる。
基板上へ積層する第一伝導型の窒化物半導体中への貫通転位の伝播を抑制して、結晶性を高める観点から、AlN基板中の貫通転位密度は、106cm-2以下が好ましく、より好ましくは105cm-2以下であり、さらに好ましくは104cm-2以下である。
AlN基板には不純物が混入していてもよい。また、AlN基板の表面(半導体層を形成する面の反対の面)にパターン加工を施したり、AlN基板のもう一方の表面(半導体層を形成する面)をSiO2やSiNなどの絶縁膜によるマスキングを施した状態で第一伝導型の窒化物半導体層を堆積させたりすることもできる。それによって光取り出し効率が向上する。
AlN基板としては、例えば、基板として使用できる厚さにAlNを結晶成長させたものを使用することができる。成長面としては、平坦な成長表面が比較的容易に実現できることからC面を用いることが望ましいが、これに限定されるものではない。また、オフ角を設けたAlN基板を使用することもできる。
AlN基板を用いることで、基板上に結晶欠陥の少ない窒化物半導体積層構造が形成できるため、一態様の窒化物半導体素子の内部量子効率やキャリア注入効率が高くなることで光出力が向上する。
基板としてサファイア基板のテンプレートを用いる場合には、具体的には、サファイア基板上にAlN層をエピタキシャル成長させたものを用いることが好ましい。AlN層の貫通転位密度を低減する手段としては、サファイア基板とAlN層との界面にさらに低温バッファ層を挿入する方法や、オフ角の大きい(>0.3°)サファイア基板を使用する方法、またサファイア基板の表面(AlN層が成長する面)に予めパターン加工を施すことでAlN層の横方向成長を促進させる方法などがある。
テンプレート上へ積層する第一伝導型の窒化物半導体中への貫通転位の伝播を抑制して、結晶性を高める観点から、テンプレート中の貫通転位密度は、109cm-2以下が好ましく、より好ましくは108cm-2以下であり、さらに好ましくは107cm-2以下である。AlN層には不純物が添加されていても良い。また、AlN層の膜厚をある程度厚くすることは、貫通転位密度を抑制できるという点で好ましいが、厚くし過ぎるとクラックが形成されてしまう。以上の観点から、AlN層の膜厚は0.5μm以上10μm以下が好ましい。
<第一伝導型の窒化物半導体層>
第一伝導型の窒化物半導体層を形成する材料は、AlN、GaN、InNの単結晶およびこれらの1つ以上を含む混晶であることが好ましい。これらの材料には、P、As、SbといったN以外のV族元素や、C、H、F、O、Mg、Siなどの不純物が含まれていてもよく、不純物の種類はこれらに限定されない。
第一伝導型の窒化物半導体層を電子供給層とする場合、第一伝導型はn型である。第一伝導型の窒化物半導体層の具体例としては、Siをn型ドーパントとして添加したn-AlvGa(1-v)N(0<v≦1)が挙げられる。波長300nm以下の深紫外光を発する発光層をさらに積層する場合、下地との格子定数差を小さくして結晶欠陥を低減すること、加えて発光した紫外光の吸収を抑制して、光取り出し効率を高める観点からAl組成は高いことが好ましい。一方で、Al組成の上昇に伴い、電極とのコンタクト抵抗が高くなるため、Al組成には適した範囲が存在する。上記の観点から、n-AlvGa(1-v)NのAl組成xは、0.40≦v≦0.90であることが好ましく、0.50≦v≦0.80であることがより好ましい。
第一伝導型の窒化物半導体層が下地に対して格子緩和した場合、膜中に貫通転位が形成され、その貫通転位が多重量子井戸層構造まで伝播することで内部量子効率が低下するため、窒化物半導体発光素子では十分な光出力を得ることができない。加えて、発光層(多重量子井戸層構造)内では貫通転位の周辺にGaが偏析してしまうことで、発光スペクトルの半値幅が増大するという問題が生じる。また、第一伝導型の窒化物半導体層に貫通転位が導入されることで膜中の電子濃度や電子移動度が低下してしまい、第一伝導型の窒化物半導体層のシート抵抗が悪化してしまうので、結果として駆動電圧が上昇する。したがって、第一伝導型の窒化物半導体層の格子緩和率は、0%以上15%以下であることが好ましく、より好ましくは0%以上12%以下であり、さらに好ましくは0%以上10%以下である。
格子緩和率を低くする手段としては、下地との格子定数差を低減すること、第一伝導型の窒化物半導体層の膜厚を臨界膜厚以下に設定することが挙げられる。基板としてAlN基板を用いれば、第一伝導型の窒化物半導体層の下地(基板)に対する格子定数差を小さくすることができる。また、AlN基板上に直接、またはホモエピタキシャル層を介して第一伝導型の窒化物半導体層としてn-AlvGa(1-v)N層を積層する場合、上述のAl組成範囲(0.40≦v≦0.90)においては、格子緩和を抑制する観点から、膜厚は1.5μm以下であることが好ましく、より好ましくは1.3μm以下である。一方で、シート抵抗の上昇を抑制し、駆動電圧を高めることを抑えるため、第一伝導型の窒化物半導体の膜厚は400nm以上であることが好ましい。
したがって、第一伝導型の窒化物半導体としてのn-AlvGa(1-v)N層の膜厚は、400nm以上1.5μm以下であることが好ましく、より好ましくは400nm以上1.3μm以下である。
第一伝導型の窒化物半導体層は、AlN基板上に直接形成していてもよく、例えばホモエピタキシャル層やバッファ層など第一伝導型の窒化物半導体層以外の層を介して形成されていてもよい。バッファ層の材料や膜厚は特に限定されない。
また、第一伝導型の窒化物半導体層は、格子定数の異なる半導体層の周期的構造(SPSL)にすることもできる。一例としては、AlaGa(1-a)N/AlbGa(1-b)N(a≠b)の周期的構造が挙げられる。上記の構造では、膜中の歪に起因する分極効果により生成する2次元電子(または正孔)ガスが電気伝導に寄与する。SPSLには不純物が添加されていてもよい。
<多重量子井戸構造(発光層)>
多重量子井戸構造は、井戸層とバリア層とをこの順番に従い交互に複数回積層することで形成される。井戸層を形成する材料は、少なくともAlおよびGaを含む窒化物半導体である。バリア層を形成する材料は、少なくともAlを含み、井戸層よりバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体である。
一態様の窒化物半導体素子では、バリア層にn型ドーパントが添加されていることが好ましい。n型ドーパントとしては、C、Si、Ge、Sn、Teなどが使用できるが、母体結晶中に添加された際に自由電子を生成する作用を持つ元素であれば、特に限定されない。
多重量子井戸層としては、井戸層がAltGa(1-t)N(0.00<t<1.00)層であり、バリア層がn型ドーパントを含むAlsGa(1-s)N(0.00<s≦1.00)層であるものが好ましい。また、一態様の窒化物半導体素子を構成する多重量子井戸層の一例としては、井戸層としてAlGaN層を備え、バリア層としてn型ドーパントを含むAlGaN層またはAlN層を備えたものが挙げられる。
井戸層およびバリア層には、In、BなどのAl、Ga以外のIII族元素や、P、As、SbといったN以外のV族元素が含まれていても良い。また、井戸層には、不純物がさらに添加されていても良い。例えばn型ドーパントとしては、C、Si、Ge、Sn、Teなどが使用できるが、母体結晶中に添加された際に自由電子を生成する作用を持つ元素であれば、特に限定されない。同様に、p型ドーパントとしては、ホールを生成する作用を持つ元素であれば特に限定されない。
バリア層は、Siを2.0×1018cm-3以上2.9×1019cm-3以下の濃度で含むAlGaN層であることがより好ましい。n型ドーパントが高濃度(上記範囲の濃度)で添加されているバリア層を備えた多重量子井戸構造においては、バリア層内でイオン化したドーパントと自由電子が多重量子井戸構造中の内部電界を遮蔽するため、エネルギーバンドのスクリーニング効果が発生する。このスクリーニング効果によりエネルギーバンドの歪が抑制されることで、井戸層中の電子と正孔の空間的分離が低減されるため、内部量子効率が向上する。加えて、バリア層中のエネルギーバンドの歪が抑制されることで、正孔に対するポテンシャル障壁が小さくなることから、井戸層への正孔注入が促進され、窒化物半導体発光素子では光出力が向上する。
<井戸層の膜厚とバリア層の膜厚との関係、ファイナル井戸層>
一態様の窒化物半導体素子では、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が上述の条件Aを満たす。また、多重量子井戸構造と電子ブロック層と間にファイナル井戸層を設けている。このファイナル井戸層の膜厚は、多重量子井戸層を構成する複数の井戸層の膜厚と同じにすることが好ましい。ただし、ここでの「膜厚が等しい」という表現は、膜厚測定における測定誤差や、成膜装置の制御ばらつきに起因する各層の膜厚差を考慮し、±0.5nm以下の差であれば、膜厚が等しいとみなすものとする。
これらの条件を全て満たすとき、井戸層へのキャリア注入効率を高めることが可能となり、高い光出力を実現可能となる。そのメカニズムに関しては、以下のように考察している。
一般的に、井戸層の膜厚Twが薄すぎる場合には、キャリアを閉じ込める機能が低下するため、光出力が低下する。一方で、厚くし過ぎても内部電界による電子と正孔の空間的分離が促進されることで光出力は低下してしまう。そのため、井戸層の膜厚Twには最適範囲が存在する。
ただし、一態様の窒化物半導体素子が、前述のように、バリア層が高濃度のn型ドーパントを含む場合、生じている物理現象はより複雑なものになる。すなわち、バリア層中には自由電子やイオン化ドナーが高濃度に存在することで、多重量子井戸構造中では内部電界の遮蔽現象が生じる。バリア層の膜厚Tbが薄すぎる場合には、遮蔽効果が不十分となりエネルギーバンドの歪が解消されず、電子と正孔の空間的分離や正孔注入効率の低下により、窒化物半導体発光素子では光出力が低下する。
一方で、バリア層の膜厚Tbを厚くし過ぎた場合、上述の遮蔽効果は十分に得られるが、井戸層に到達するまでに拡散しなければならない距離が長くなるため、正孔の注入効率は低下してしまい十分な光出力を得ることができない。しかし、本発明者等の検討により、井戸層の膜厚とバリア層の膜厚との関係が上述の条件Aを満たすとともに、ファイナル井戸層が存在する場合に、高い光出力が達成できることが分かった。
ファイナル井戸層は、第二伝導型の窒化物半導体層側から拡散してきた正孔を井戸層へ効率良く注入する上で極めて重要な働きを有する。ファイナル井戸層があると、多重量子井戸構造の最も電子ブロック層側に位置するバリア層と電子ブロック層との界面に、エネルギーバンド図におけるポテンシャルエネルギーの谷が形成されない。ポテンシャルエネルギーの谷が形成されると、第二伝導型の窒化物半導体層側から拡散してきた正孔をトラップしてしまい、井戸層への正孔の注入を阻害するため、高い光出力増加効果を示すことは困難である。
以上のことから、一態様の窒化物半導体素子(窒化物半導体発光素子)は、井戸層の膜厚とバリア層の膜厚との関係が上述の条件Aを満たすとともに、ファイナル井戸層を有することによって、顕著な光出力向上効果を得ることが期待できる。
また、バリア層が厚い領域では、正孔の注入効率が改善するため、駆動電圧低減効果も期待できる。
さらに、井戸層およびバリア層のAl組成(t,s)や膜厚を変えることで、得られる発光波長を調整することが可能である。
より高い光出力を実現する観点から、多重量子井戸構造の周期数(井戸層の層数;ファイナル井戸層は含まない)は3以上5以下であることが好ましい。3周期以上にすることで、キャリアの閉じ込め効果を高めることが可能となる。また、5周期以下にすることで、井戸層の格子緩和を抑制し、結晶性の悪化を抑えることができる。
<電子ブロック層>
一態様の窒化物半導体素子は、多重量子井戸構造と電子ブロック層との間に、電子ブロック層と接するファイナル井戸層を有する。電子ブロック層は、井戸層内への電子の閉じ込め効果を向上させる観点から、多重量子井戸構造(発光層)を形成する井戸層およびバリア層よりバンドギャップエネルギーの大きい材料で形成されていることが好ましい。電子ブロック層には、伝導型制御ために不純物が添加されていても良い。電子ブロック層の一例としては、AlzGa(1-z)N層が挙げられ、Al組成zは0.70以上1.00以下であることが好ましく、より好ましくは0.75以上1.00以下である。上記範囲に設定することで、電子のオーバーフローを抑制でき、効率良く電子を井戸層へ閉じ込めることができるため、高い光出力が得られる。
また、電子ブロック層の膜厚は、5nm以上30nm以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは10nm以上25nm以下である。上記範囲に設定することで、電子のオーバーフローを抑制しつつ、井戸層への正孔注入を阻害しないため、効率良く井戸層へ電子と正孔を注入することが可能となる。
<第二伝導型の窒化物半導体層>
第二伝導型の窒化物半導体層の伝導型は、第一伝導型の窒化物半導体層の伝導型と異なる。
第二伝導型の窒化物半導体層を正孔供給層とする場合、第二伝導型はp型である。
第二伝導型の窒化物半導体層の材料は、AlN、GaN、InNの単体およびこれらの1つ以上を含む混晶のいずれかであることが好ましい。p型の窒化物半導体層としては、例えば、p-GaN層またはp-AlGaN層などが挙げられるが、第二の電極層とのコンタクト性を高める観点から、p-GaN層であることがより好ましい。つまり、好ましいp型の窒化物半導体層の具体例は、p-AlGa(1-w)N(0≦w<1)で表すことができる。C、H、F、O、Mg、Siなどの不純物が含まれていてもよく、不純物の種類はこれらに限定されない。
第二伝導型の窒化物半導体層の膜厚は、発光層から出た紫外光の吸収を抑制する観点と電気的な不良を引き起こすリスクを低減する観点から、5nm以上100nm以下であることが好ましく、光出力を高める観点から5nm以上20nm以下であることがより好ましい。この膜厚範囲の特定により、発光層が紫外線を発光する構成の場合、発光した紫外線を効率良く(吸収や損失が抑制された状態で)発光素子から取り出すことができるとともに、第二の電極層に対する良好な接触状態を維持して駆動電圧の増加や電気的不良を抑制することができる。
p型ドーパントとしては、Mg、Cd、Zn、Be等が挙げられる。Mgをp型ドーパントして用いる場合、電気伝導率を高めて第二電極と良好なコンタクトを形成させる観点から、Mgのドーピング濃度は5×1018cm-3以上であることが好ましい。さらに、p-GaN層の表面の平坦性を高めて第二電極層とのコンタクト性を高める観点から、Mgのドーピング濃度は、1×1020cm-3以上8×1020cm-3未満であることが好ましく、2×1020cm-3以上6×1020cm-3以下であることがより好ましい。
<第一伝導型の窒化物半導体上の組成傾斜層:第一の組成傾斜層>
一態様の窒化物半導体素子は、第一伝導型の窒化物半導体と多重量子井戸構造との間に、組成傾斜層(第一の組成傾斜層)が配置されていることが好ましい。第一の組成傾斜層はAlxGa(1-x)N(0.00≦x≦1.00)層であって、Al組成xが第一伝導型の窒化物半導体層側の面から多重量子井戸構造側の面に向けて増加する層である。
第一の組成傾斜層のAl組成xは、第一伝導型の窒化物半導体層側の面から多重量子井戸構造型の面に向けて増加する。そのAl組成xのプロファイルは、第一伝導型の窒化物半導体層側の面から多重量子井戸構造側の面に向けて連続的に増加してもよいし、断続的に増加してもよい。「断続的に増加する」とは、第一の組成傾斜層の膜厚方向にAl組成xが同じになっている部分を含むことを意味する。つまり、第一の組成傾斜層には、第一伝導型の窒化物半導体層側から多重量子井戸構造側に向けてAl組成xが減少しない部分が含まれていてもよい。第一の組成傾斜層には、Al組成xが同じになっている部分が例えば数nm~数十nmの厚さで含まれることがある。
第一伝導型の窒化物半導体層側の面における第一の組成傾斜層のAl組成をx1、多重量子井戸構造側の面における第一の組成傾斜層のAl組成をx2とすると、x1<x2≦1となるが、x1とx2の値は特に限定されない。なお、組成傾斜層のAl組成x2は、低すぎると電子の運動エネルギー低減効果が乏しいため十分な光出力改善効果が得られないが、高すぎても電子の井戸層への注入を妨げてしまうため、最適範囲が存在する。上記の観点から、組成傾斜層のAl組成x2は、(x1+0.02)<x2≦0.85であることが好ましい。
第一伝導型の窒化物半導体層と第一の組成傾斜層は接触していてもよいし、第一伝導型の窒化物半導体層と第一の組成傾斜層との間に別の層が存在していてもよい。第一の組成傾斜層と多重量子井戸構造は接触していてもよいし、第一の組成傾斜層と第二伝導型の窒化物半導体層との間に別の層が存在していてもよい。
各層での界面におけるポテンシャル不連続性を低減し、第一伝導型の窒化物半導体層から多重量子井戸構造への電子注入を向上させる観点からは、第一の組成傾斜層のAl組成x1と第一伝導型の窒化物半導体層のAl組成vとの差は0.05以下であることが好ましい。
第一の組成傾斜層は、第一伝導型の窒化物半導体層から注入される電子の運動エネルギーを低減させて、井戸層への電子の閉じ込めを促進させる働きがある。その結果、光出力の向上が期待できる。特に、井戸層とバリア層の膜厚が条件Aを満たすとともに、ファイナル井戸層を有する場合において、より高い出力改善効果が期待できる。
第一の組成傾斜層の膜厚は、1.0nm以上30.0nm以下であることが好ましく、より好ましくは1.5nm以上10.0nmである。この範囲にすることで、効率良く電子の運動エネルギーを低減して井戸層での閉じ込めを促進することができる。
組成傾斜層にはC、H、F、O、Mg、Siなどの不純物が含まれていてもよく、不純物の種類はこれらに限定されない。
<電子ブロック層上の組成傾斜層:第二の組成傾斜層>
一態様の窒化物半導体素子は、電子ブロック層と第二伝導型の窒化物半導体層との間に、組成傾斜層(第二の組成傾斜層)が配置されていることが好ましい。第二の組成傾斜層は、AlyGa(1-y)N(0.00≦y≦1.00)層であって、電子ブロック層側の面から第二伝導型の窒化物半導体層側の面に向けて、Al組成yが減少する層である。
第二の組成傾斜層のAl組成yは、電子ブロック層側の面から第二伝導型の窒化物半導体層側の面に向けて減少する。そのAl組成yのプロファイルは、電子ブロック層側の面から第二伝導型の窒化物半導体層側の面に向けて連続的に減少してもよいし、断続的に減少してもよい。「断続的に減少する」とは、第二の組成傾斜層の膜厚方向にAl組成yが同じになっている部分を含むことを意味する。つまり、第二の組成傾斜層には、電子ブロック層側から第二伝導型の窒化物半導体層側に向けてAl組成yが減少しない部分が含まれていてもよい。第二の組成傾斜層には、Al組成yが同じになっている部分が例えば数nm~数十nmの厚さで含まれることがある。
電子ブロック層側の面における第二の組成傾斜層のAl組成をy3、第二伝導型の窒化物半導体層側の面における第二の組成傾斜層のAl組成をy4とすると、y3>y4となるが、y1とy2の値は特に限定されない。
電子ブロック層がAlzGa(1-z)N層である場合、第二の組成傾斜層のAl組成y3と電子ブロック層のAl組成zは、同じでもよいし異なっていてもよい。y3とzが異なる場合はどちらが大きくてもよい。第二伝導型の窒化物半導体層がAlwGa(1-w)N(0≦w<1)である場合、第二の組成傾斜層のAl組成y4と第二伝導型の窒化物半導体層のAl組成wは、同じでもよいし異なっていてもよい。y4とwが異なる場合はどちらが大きくてもよい。
電子ブロック層と第二の組成傾斜層は接触していてもよいし、電子ブロック層と第二の組成傾斜層との間に別の層が存在していてもよい。第二の組成傾斜層と第二伝導型の窒化物半導体層は接触していてもよいし、第二の組成傾斜層と第二伝導型の窒化物半導体層との間に別の層が存在していてもよい。
各層での界面におけるポテンシャル障壁を低減し、第二の組成傾斜層からの正孔の注入効率を向上させる観点からは、第二の組成傾斜層のAl組成y3と電子ブロック層のAl組成zとの差は0.3以下、第二の組成傾斜層のAl組成y4と第二伝導型の窒化物半導体層のAl組成wとの差は0.4以下であることが好ましい。
第二の組成傾斜層にはC、H、F、O、Mg、Siなどの不純物が含まれていてもよく、不純物の種類はこれらに限定されない。
第二の組成傾斜層は、分極ドーピング効果により正孔を生成させて、正孔を効率良く多重量子井戸構造に注入する作用を有するため、電子ブロック層と第二伝導型の窒化物半導体層との間に設けることで、光出力を向上させ、駆動電圧を低減することができる。
第二の組成傾斜層の膜厚は、高い光出力を実現する観点から、5nm以上110nm以下であることが好ましく、15nm以上90nm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは20nm以上70nm以下である。
第二の組成傾斜層の代わりに、格子定数の異なる半導体層の周期的構造(SPSL)を設けることもできる。一例としては、AlaGa(1-a)N/AlbGa(1-b)N(a≠b)の周期的構造が挙げられる。上記の構造では、膜中の歪に起因する分極効果により生成する2次元正孔ガスが多重量子井戸構造へ注入される。SPSLには不純物が添加されていてもよい。
<測定方法>
(不純物濃度およびドーピング濃度の測定)
一態様の窒化物半導体発光素子を構成する基板および各層に含まれるドーパントや不純物の濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS)により測定できる。
各層に含まれるドーパントや不純物の濃度を、デバイスに加工された後にSIMSで測定する場合は、化学的なエッチングや物理研磨により電極を除去した状態で行うことができる。また、電極が形成されていない基板側からスパッタして測定することもできる。
具体的には、エバンス・アナリティカル・グループ(EAG)社が提供する測定条件によりSIMS測定を実施する。測定時の試料のスパッタには、14.5keVのエネルギーを有したセシウム(Cs)イオンビームを用いる。
(膜厚の測定方法)
一態様の窒化物半導体素子を構成する各層の膜厚は、基板に垂直な所定断面を切り出して、この断面を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察し、TEMの測長機能を使用することで測定できる。測定方法としては、先ず、TEMを用いて、窒化物半導体素子の基板の主面に対して垂直な断面を観察する。具体的には、例えば、窒化物半導体素子の基板の主面に対して垂直な断面を示すTEM画像内の、基板の主面に対して平行な方向において2μm以上の範囲を観察幅とする。この観察幅の範囲において、組成の異なる二層の界面にはコントラストが観察されるので、この界面までの厚さを、幅200nmの連続する観察領域で観察する。この200nm幅の観察領域内に含まれる各層の厚さの平均値を、上記2μm以上の観察幅から任意に抽出した5箇所から算出することで、各層の膜厚を得る。
(第一伝導型の窒化物半導体層の格子緩和率とAl組成の測定方法)
第一伝導型の窒化物半導体層のAl組成xおよび格子緩和率を測定する方法としては、X線回折(XRD:X-Ray Diffaction)法による逆格子マッピング測定(RSM:Reciprocal Space Mapping)が挙げられる。具体的には、非対称面を回折面として得られる回折ピーク近傍の逆格子マッピングデータを解析することにより、下地に対する格子緩和率とAl組成が得られる。上記回折面としては、例えば(10-15)面や(20-24)面が挙げられる。
(井戸層、バリア層、電子ブロック層、組成傾斜層のAl組成の測定方法)
多重量子井戸層を構成する井戸層およびバリア層のAl組成、および組成傾斜層と電子ブロック層のAl組成は、半導体積層体中における原子マッピングにより測定できる。この原子マッピングは、例えばアトムプローブトモグラフィー(APT)を用いて観察できる。具体的には、東芝ナノアナリシス株式会社が提供する測定条件により、Al組成の定量を行う。
以下、測定条件の詳細を説明する。
窒化物半導体積層体のAPT解析では、収束イオンビーム(FIB)加工技術を用いて、観察したい多層膜部位を先端の曲率半径100nm程度の針状試料へ加工する。半導体多層膜表面に電極が形成されている場合は電極が着いた状態で、電極がない場合はWなどの保護膜を形成した状態で、FIBにより針状試料へ加工する。半導体積層体の膜の垂直方向が針状試料の軸方向になり、かつ観察したいMQWなどの多層膜部分が針の先端付近にくるように加工する。
この針状試料へ電圧パルス印加、あるいは電圧パルス印加と観察部位へのレーザーパルス照射を行うことによって、針状試料先端からの単原子イオン、あるいは複数の原子からなるクラスターイオンを電界蒸発させる。電界蒸発によって放出されたイオンを質量分析することによってイオン種を同定し、かつイオンが放出された針状試料内の位置を二次元検出器によって同定することで、針状試料内の原子の3次元分布を原子レベルの分解能で得る。
以上により、APTによって膜中の原子のマッピングを深さ方向、面内方向で観察する。
このAPT法によって得られた井戸層、バリア層、および電子ブロック層の原子マッピングのデータに対して、Al組成を算出する方法は以下の通りである。形成された針状試料に対して、面内方向では、試料中心の25%の領域を除去する。残りの領域において、一層分の面内方向および深さ方向を含めたマッピング値の平均値を計算し、その値を井戸層、バリア層、および電子ブロック層のAl組成とする。このとき、深さ方向に対して少なくとも界面近傍1nmの領域を除去し、マッピング値の平均値を計算する。もし、界面近傍1nmの領域を除くことができないほど膜厚の薄い測定対象を評価する場合には、深さ方向に対するAl組成の最大値(面内における平均Al組成)をその層のAl組成とする。
一態様の窒化物半導体素子を構成する多重量子井戸層構造は、井戸層とバリア層とが周期的に多層化されたものであるため、複数の井戸層のAl組成を平均した値を井戸層のAl組成とし、複数のバリア層のAl組成を平均した値をバリア層のAl組成とする。
組成傾斜層のAl組成については、一層分の面内方向および深さ方向を含めたマッピング値の平均値を計算するのではなく、一層ずつの面内方向のマッピング値の平均値を計算し、それらの深さ方向に対するプロファイルを求めることで、Al組成の傾斜を調べる。
(その他のAl組成測定方法)
APT法以外にも、Al組成は、XPS、エネルギー分散型X線分光法(EDX)、および電子エネルギー損失分光法(EELS)によって測定することができる。
EELSでは、電子線が試料を透過する際に失うエネルギーを測定することで、試料の組成を分析する。具体的には、例えば、TEM観察等で使用する薄片化試料において、透過電子線の強度のエネルギー損失スペクトルを測定・解析する。そして、エネルギー損失量20eV付近に現れるピークのピーク位置が、各層の組成に応じて変化することを利用し、ピーク位置から組成を求めることができる。
上述のTEM観察による膜厚算出方法と同様にして、観察幅200nmにおけるAl組成の平均値を、2μm以上の観察領域から任意に抽出した5箇所から算出することで、各層のAl組成を得る。
EDXでは、上述のTEM観察等で使用する薄片化試料において電子線によって発生する特性X線を測定・解析する。上述のTEM観察による膜厚算出方法と同様にして、観察幅200nmにおけるAl組成の平均値を、2μm以上の観察領域から任意に抽出した5箇所から算出することで、各層のAl組成を得る。
XPSでは、イオンビームを用いたスパッタエッチングを行いながらXPS測定を行うことで、深さ方向の評価が可能である。イオンビームには一般的にAr+が用いられるが、XPS装置に搭載されたエッチング用イオン銃で照射できるイオンであれば、例えばArクラスターイオンなどの他のイオン種でもよい。Al、Ga、NのXPSピーク強度を測定・解析して各層のAl組成の深さ方向分布を得る。スパッタエッチングの代わりに、基板の主面に対して垂直な断面が拡大されて露出されるように窒化物半導体素子を斜め研磨して、露出断面をXPSで測ってもよい。
XPSだけでなくオージエ電子分光法(AES)を用いても、スパッタエッチングあるいは斜め研磨により露出させた断面の測定を行うことで、各層の組成を測定できる。また、斜め研磨により露出させた断面に対するSEM-EDX測定によっても、各層の組成を測定できる。
〔実施形態〕
以下、この発明の実施形態について説明するが、この発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、この発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定はこの発明の必須要件ではない。
この実施形態では、本発明の一態様の窒化物半導体素子が紫外線発光素子に適用された例が記載されている。また、第一伝導型の窒化物半導体層の伝導型をn型、第二伝導型の窒化物半導体層の伝導型をp型としている。
[全体構成]
先ず、図1~図3を用いて、この実施形態の紫外線発光素子10の全体構成を説明する。
図1および図2に示すように、紫外線発光素子10は、AlN基板1と、n型III族窒化物半導体層(第一伝導型の窒化物半導体層)2と、窒化物半導体積層体3と、第一電極層4と、第二電極層5と、第一パッド電極6と、第二パッド電極7と、絶縁層8を有する。n型III族窒化物半導体層2は、AlN基板1上に形成されている。窒化物半導体積層体3は、n型III族窒化物半導体層2上の一部に形成されたメサ部であり、側面が斜面となっている。
図2に示すように、窒化物半導体積層体3は、AlN基板1側から、n型III族窒化物半導体層(第一伝導型の窒化物半導体層)31、第一の組成傾斜層32、多重量子井戸構造(発光層)33、ファイナル井戸層34、電子ブロック層35、第二の組成傾斜層36、およびp型III族窒化物半導体層(第二伝導型の窒化物半導体層)37が、この順に形成されたものである。
なお、窒化物半導体積層体3は、AlN基板1上に、n型III族窒化物半導体層、第一の組成傾斜層、多重量子井戸層、ファイナル井戸層、電子ブロック層、第二の組成傾斜層、およびp型III族窒化物半導体層を、この順に形成して得た積層体に対して、メサエッチングで、第一電極層4が形成される部分をn型III族窒化物半導体層の厚さ方向の途中まで除去することで形成されている。つまり、窒化物半導体積層体3のn型III族窒化物半導体層31は、n型III族窒化物半導体層2上に連続して成膜されたものである。
第一電極層4は、n型III族窒化物半導体層2上に例えば図3に示す平面形状で形成されている。第二電極層5は、p型III族窒化物半導体層37上に例えば図3に示す平面形状で形成されている。第一パッド電極6は、第一電極層4上に第一電極層4と同じ平面形状で形成されている。第二パッド電極7は、第二電極層5上に第二電極層5と同じ平面形状で形成されている。
紫外線発光素子10は、中心波長が215~300nmの紫外線を発光する素子である。
AlN基板1上に形成されたn型III族窒化物半導体層2,31は、n-AlvGa(1-v)N(0.40≦v≦0.90)層である。第一の組成傾斜層32は、AlxGa(1-x)N(0.00≦x≦1.00)層であって、Al組成xがn型III族窒化物半導体層31側の面から多重量子井戸構造33側の面に向けて増加する。
多重量子井戸構造33は、AlGaNで形成された井戸層とAlGaNまたはAlNで形成されたバリア層とが、交互に複数積層されたものである。多重量子井戸構造33を構成する井戸層の膜厚とバリア層の膜厚との関係は、上述の条件Aを満たす。
ファイナル井戸層34の膜厚は、多重量子井戸構造33内の井戸層の膜厚と等しい。電子ブロック層35は、AlzGa(1-z)N(0.70≦z≦1.00)層である。
第二の組成傾斜層36は、AlyGa(1-y)N(0.00≦y≦1.00)層であって、Al組成yが電子ブロック層35と接する面(多重量子井戸構造33側の面)からp型III族窒化物半導体層37に接する面に向かって減少する。第二の組成傾斜層36の膜厚は5nm以上110nm以下である。
p型III族窒化物半導体層37は、不純物としてMgを1×1020cm-3以上8×1020cm-3未満の範囲で含むGaN層であり、その膜厚が5nm以上100nm以下である。
第一電極層4はAlおよびNiを含む材料の合金層で形成されている。
第二電極層5はNiとAuとの合金層である。
第一パッド電極6および第二パッド電極7の材料としては、例えばAu、Al、Cu、Ag、Wなどが挙げられるが、導電性の高いAuが望ましい。
絶縁層8は、n型III族窒化物半導体層2の第一電極層4で覆われていない部分と、窒化物半導体積層体3の第二電極層5で覆われていない部分と、第一電極層4の第一パッド電極6で覆われていない部分と、第二電極層5の第二パッド電極7で覆われていない部分と、第一パッド電極6および第二パッド電極7の下部の側面に形成されている。絶縁層8は第一パッド電極6および第二パッド電極7の上部の一部を覆うこともある。絶縁層8としては、例えば、SiN、SiO2、SiON、Al23、ZrO層などの酸化物や窒化物が挙げられる。
[作用、効果]
実施形態の紫外線発光素子10は、多重量子井戸構造(発光層)33を構成する井戸層の膜厚とバリア層の膜厚との関係が上述の条件Aを満たすとともに、多重量子井戸構造33と電子ブロック層35との間にファイナル井戸層34を有することにより、高い光出力が得られる。
また、第一の組成傾斜層32および第二の組成傾斜層36を有することで、多重量子井戸構造33への電子・正孔注入効率が向上するため、より高い光出力が得られる。
<サンプルNo.1-1~No.1-12>
これらのサンプルは、実施形態に記載された構造の紫外線発光素子10であって、以下の構成を有する。
n型III族窒化物半導体層2とn型III族窒化物半導体層31は、Siを不純物として用いたn型Al0.7Ga0.3N層であって、n型III族窒化物半導体層2とn型III族窒化物半導体層31の合計厚さ(つまり、AlN基板1と第一の組成傾斜層32との間のn型III族窒化物半導体層の膜厚)は500nmである。第一の組成傾斜層32の膜厚は3nmであり、n型Al0.7Ga0.3N層側の面のAl組成は0.7であり、多重量子井戸構造側の面のAl組成は0.76である。
多重量子井戸構造(発光層)33は、Al0.52Ga0.48N(井戸層)とAl0.77Ga0.23N(バリア層)とを交互にそれぞれ4層有する。ファイナル井戸層34はAl0.52Ga0.48Nであり、ファイナル井戸層34の膜厚は多重量子井戸構造33の井戸層の膜厚と同じである。電子ブロック層35は15nmのAl0.80Ga0.20N層である。各サンプルにおける、井戸層の膜厚Tw[nm]およびバリア層の膜厚Tb[nm]は、表1に示す通りである。
第二の組成傾斜層36は、AlyGa(1-y)N層であり、Al組成yが、電子ブロック層35からp型III族窒化物半導体層37に向けて0.86から0.25へ連続的に変化する層である。p型III族窒化物半導体層37は、不純物としてMgを2×1020cm-3含むp型GaN層である。
第一電極層4は、Ti/Al/Ni/Auであり、第二電極層5はNi/Auである。第一パッド電極6および第二パッド電極7はTiとAuとの積層構造である。
上記構成の各素子を以下の方法で作製した。
先ず、MOCVD法により、AlN基板の全面に、不純物としてSiを含む厚さ500nmのn型Al0.70Ga0.30N層、第一の組成傾斜層32となるAlGa(1-x)N層(Al組成xを0.70から0.76に連続的に変化させた)、上記多重量子井戸構造33となる各層(井戸層およびバリア層を交互に)、ファイナル井戸層34となる各層(井戸層およびバリア層を交互に)、電子ブロック層35となるAl0.80Ga0.20N層、第二の組成傾斜層36となる膜厚28nmのAlyGa(1-y)N層(Al組成yを0.86から0.25に連続的に変化させた)、p型III族窒化物半導体層37となる不純物としてMgを2.0×1020cm-3含む厚さ10nmのp型GaN層を、この順に成膜した。これにより、AlN基板1上に積層体が形成された物体を得た。
原料としては、トリエチルガリウム(TEGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、アンモニア(NH3)、モノシラン(SiH4)、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を使用した。各層のAl組成はトリエチルガリウム(TEGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)の供給比を制御することで、膜厚は成長時間を変化させることでそれぞれ制御を行った。Siのドーピング濃度は、モノシラン(SiH4)の供給量を調整することにより制御した。
成膜中は基板温度を1100℃、成長圧力を50hPaに制御し、V族原料であるNH3とIII族原料(トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウム)との原料供給比(V/III比)は3000とした。発光層を構成する井戸層およびバリア層、電子ブロック層、組成傾斜層の各Al組成はアトムプローブ法により、n型III族窒化物半導体層のAl組成はXRD法により、各層のドーピング濃度はSIMS法により、各層の膜厚は断面TEMにより評価した。
次に、AlN基板1上の積層体に対して、面内の一部を所定深さで除去するエッチングを行うことにより、図2に示す窒化物半導体積層体3を形成した。エッチング深さは、n型III族窒化物半導体層2が一部除去される深さであり、このエッチングにより平面視でn型III族窒化物半導体層2の一部が露出する。エッチングされない部分が窒化物半導体積層体3のn型III族窒化物半導体層31として残る。エッチング方法としては、誘導結合型プラズマ方式の装置を用いたドライエッチングを行った。
次に、この状態のAlN基板1の全面に絶縁層8を形成した後、面内の一部の絶縁層8を除去してn型III族窒化物半導体層2の一部を露出するために、BHFによるエッチングを行った。
次に、n型III族窒化物半導体層2の平面視で露出面となった領域に、以下の方法で第一電極層4を形成した。
先ず、この領域に図3に示す第一電極層4の平面形状で、チタン(Ti)層、アルミニウム(Al)層、ニッケル(Ni)層、金(Au)層を、この順に20nm/130nm/35nm/50nmの厚さに蒸着法で形成することで、金属積層体を得た。次に、この状態のAlN基板1を熱処理装置に入れて、金属積層体をRTA(Rapid Thermal Annealing)法で加熱処理した。
加熱処理は、AlN基板1の温度を850℃に保持し、熱処理装置内に150℃の窒素ガスを導入して、2分間行った。窒素ガスの温度はガス配管にヒーターを取り付けて調整した。
次に、第一電極層4が形成された後のAlN基板1に対して、窒化物半導体積層体3のp型III族窒化物半導体層37の一部を露出するため、BHFによるエッチングを行った。
次に、この状態のAlN基板1を蒸着装置に入れ、窒化物半導体積層体3のp型III族窒化物半導体層37上に、図1に示す第二電極層5の平面形状で、ニッケル(Ni)層、金(Au)層をこの順に形成した後、既知の加熱処理を行って第二電極層5を形成した。
次に、この状態のAlN基板1の第二電極層5が形成されている面の全体に絶縁層8を形成した後、絶縁層8に第一パッド電極6および第二パッド電極7を形成する開口部を形成した。
次に、第一パッド電極6および第二パッド電極7をTiとAuとの積層膜で形成した。
<サンプルNo.2-1~No.2-12>
これらのサンプルは第二の組成傾斜層36を有さない。この点を除いて実施形態の紫外線発光素子10と同じ構造を有する。また、各サンプルにおける、井戸層の膜厚Tw[nm]およびバリア層の膜厚Tb[nm]は、表2に示す通りである。
サンプルNo.2-1~2-12の紫外線発光素子の製造方法は、第二の組成傾斜層36を形成しない以外は、上述のサンプルNo.1-1~1-12の紫外線発光素子10の製造方法と同じである。
<サンプルNo.3-1~No.3-44>
これらのサンプルは、第一の組成傾斜層32および第二の組成傾斜層36を有さない。この点を除いて実施形態の紫外線発光素子10と同じ構造を有する。また、各サンプルにおける、井戸層の膜厚Tw[nm]およびバリア層の膜厚Tb[nm]は、表3に示す通りである。
サンプルNo.3-1~No.3-44の紫外線発光素子の製造方法は、第一の組成傾斜層32および第二の組成傾斜層36を形成しない以外は、上述のサンプルNo.1-1~1-12の紫外線発光素子10の製造方法と同じである。
<サンプルNo.4-1~No.4-14>
これらのサンプルは、第一の組成傾斜層32、ファイナル井戸層34、および第二の組成傾斜層36を有さない。この点を除いて実施形態の紫外線発光素子10と同じ構造を有する。また、各サンプルにおける、井戸層の膜厚Tw[nm]およびバリア層の膜厚Tb[nm]は、表4に示す通りである。
サンプルNo.3-1~No.3-14の紫外線発光素子の製造方法は、第一の組成傾斜層32、ファイナル井戸層34、および第二の組成傾斜層36を形成しない以外は、上述のサンプルNo.1-1~1-12の紫外線発光素子10の製造方法と同じである。
<サンプルNo.5-1~No.5-8>
これらのサンプルは、第一の組成傾斜層32および第二の組成傾斜層36を有さない。また、基板1はサファイア基板のテンプレートである。これらの点を除いて実施形態の紫外線発光素子10と同じ構造を有する。また、各サンプルにおける、井戸層の膜厚Tw[nm]およびバリア層の膜厚Tb[nm]は、表5に示す通りである。
サンプルNo.5-1~No.5-8の紫外線発光素子の製造方法は、AlN基板の代わりにサファイア基板のテンプレートを用いたことと、第一の組成傾斜層32および第二の組成傾斜層36を形成しない以外は、上述のサンプルNo.1-1~1-12の紫外線発光素子10の製造方法と同じである。
<性能評価>
得られた各サンプルの紫外線発光素子に500mAの電流を流して、光出力(Pt)を測定した。また、各サンプルの測定値を、基準となる構成を有するサンプルNo.3-6の測定値で除した値(相対値)を算出した。これらの結果を各サンプルの構成とともに表1~表5に示す。
各表では、各サンプルについて、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が条件A(Tbをx軸とし、Twをy軸とした座標平面上で、上記式(a)~式(g)で示される全ての直線で囲まれる領域内の点またはこの領域を形成する直線上の点として表される。)を満たす場合に「○」と記載し、満たさない場合に「×」と記載した。
Figure 0007473333000001
Figure 0007473333000002
Figure 0007473333000003
Figure 0007473333000004
Figure 0007473333000005
表3に示すように、ファイナル井戸層を有し、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係は条件Aを満たすが、第一の組成傾斜層および第二の組成傾斜層のいずれも有さないサンプルNo.3-6~No.3-8、No.3-12~No.3-16、No.3-19~No.3-24、No.3-27~No.3-31、No.3-35~No.3-38の光出力の相対値は、1.00以上1.10以下であった。
また、表4に示すように、ファイナル井戸層、第一の組成傾斜層、および第二の組成傾斜層のいずれも有さないサンプルNo.4-1~No.4-14の光出力の相対値は、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が条件Aを満たすものであっても、0.79以下と低かった。
また、ファイナル井戸層を有し、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が条件Aを満たし、第一の組成傾斜層を有するが、第二の組成傾斜層を有さないサンプルNo.2-1~No.2-12の光出力の相対値は、表2に示すように、1.16以上1.32以下であった。つまり、第一の組成傾斜層を有することで、より高い光出力が得られることが分かる。
さらに、ファイナル井戸層を有し、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が条件Aを満たし、第一の組成傾斜層および第二の組成傾斜層の両方を有するサンプルNo.1-1~No.1-12の光出力の相対値は、表1に示すように、1.39以上1.54以下であった。つまり、第一の組成傾斜層と第二の組成傾斜層の両方を有することで、より一層高い光出力が得られることが分かる。
以上は基板がAlN基板の場合の結果であるが、AlN基板の代わりにサファイア基板のテンプレートを用いた場合も、表5に示すように、ファイナル井戸層を有し、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が条件Aを満たすサンプルNo.5-1~No.5-4では、光出力の相対値が0.90以上0.98以下であったのに対し、条件Aを満たさないサンプルNo.5-5~No.5-8の光出力の相対値は0.65以上0.76以下であった。つまり、サファイア基板のテンプレートを用いた場合も、ファイナル井戸層を有するだけでなく、井戸層の膜厚Tw[nm]とバリア層の膜厚Tb[nm]との関係が条件Aを満たすものとすることで、光出力を高くできることが分かる。
1 基板
2 n型III族窒化物半導体層(第一伝導型の窒化物半導体層)
3 窒化物半導体積層体
31 n型III族窒化物半導体層(第一伝導型の窒化物半導体層)
32 第一の組成傾斜層
33 多重量子井戸構造(発光層)
34 ファイナル井戸層(発光層)
35 電子ブロック層
36 第二の組成傾斜層
37 p型III族窒化物半導体層(第二伝導型の窒化物半導体層)
4 第一電極層
5 第二電極層
6 第一パッド電極
7 第二パッド電極
8 絶縁層
10 紫外線発光素子(窒化物半導体発光素子、窒化物半導体素子)

Claims (5)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された、AlおよびGaを含む第一伝導型の窒化物半導体層と、
    前記第一伝導型の窒化物半導体層上に形成された多重量子井戸構造と、
    前記多重量子井戸構造上に形成された電子ブロック層と、
    前記電子ブロック層上に形成された第二伝導型の窒化物半導体層と、
    前記第一伝導型の窒化物半導体層と前記多重量子井戸構造との間に配置されたAl x Ga (1-x) N(0.00≦x≦1.00)層であって、Al組成xが前記第一伝導型の窒化物半導体層側の面から前記多重量子井戸構造側の面に向けて増加する第一の組成傾斜層と
    を有し、
    第一の組成傾斜層の膜厚は、1.0nm以上30.0nm以下であり、
    前記多重量子井戸構造は、少なくともAlおよびGaを含む窒化物半導体で形成された井戸層と、少なくともAlを含む窒化物半導体で形成されたバリア層と、が周期的に多層化されたものであり、
    前記井戸層の膜厚Tw[nm]と前記バリア層の膜厚Tb[nm]との関係は、
    bをx軸とし、Twをy軸とした座標平面上で、下記の式(a)~式(g)で示される全ての直線で囲まれる領域内の点または前記領域を形成する前記直線上の点として表され、
    前記多重量子井戸構造と前記電子ブロック層との間に、前記電子ブロック層と接するファイナル井戸層を有する窒化物半導体素子。
    w=2.0…(a)
    w=4.0…(b)
    b=7.5…(c)
    b=14.0…(d)
    w=(1/3)T+1…(e)
    w=-(1/3)T+5…(f)
    w=T-12…(g)
  2. 前記電子ブロック層と前記第二伝導型の窒化物半導体層との間に配置されたAlyGa(1-y)N(0.00≦y≦1.00)層であって、Al組成yが前記電子ブロック層側の面から前記第二伝導型の窒化物半導体層側の面に向けて減少する第二の組成傾斜層を、
    さらに有する請求項1記載の窒化物半導体素子。
  3. 前記基板はAlN基板である請求項1または2に記載の窒化物半導体素子。
  4. 前記バリア層はn型ドーピングされている請求項1~のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
  5. 請求項1~のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子であって、
    前記多重量子井戸構造および前記ファイナル井戸層は発光層であり、
    中心波長が215~300nmの紫外光を発する窒化物半導体発光素子。
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