JP7473153B2 - 水素製造装置、及び、水素製造方法 - Google Patents
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Description
[2] 上記アノード電極触媒層が、金属イリジウム、金属ルテニウム、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、及び、これらの複合体からなる群より選択される少なくとも1種を含有する、[1]に記載の水素製造装置。
[3] 上記カソード電極触媒層が、金属プラチナ、金属ルテニウム、プラチナ-コバルト合金、及び、ルテニウム-コバルト合金からなる群より選択される少なくとも1種の金属触媒、又は、上記金属触媒が炭素材料に担持された、金属担持炭素触媒を含有する、[1]又は[2]に記載の水素製造装置。
[4] 更に、制御部を有し、上記制御部は、上記セル加熱部を制御して、上記水電解セルの温度を100℃を超えて180℃以下に保持する、[1]~[3]のいずれかに記載の水素製造装置。
[5] 更に、アノード側に水を供給するための水供給部を有し、上記水供給部は、上記水の温度を制御するための第2のヒータを有する、[1]~[4]のいずれかに記載の水素製造装置。
[6] 上記制御部が、上記水電解セルの温度を120℃を超えて、180℃以下に保持する、[4]に記載の水素製造装置。
[7] 上記高分子化合物が上記部分構造を有する繰り返し単位を有する[1]~[6]のいずれかに記載の水素製造装置。
[8] 上記高分子化合物が後述する式2で表される繰り返し単位を有する[1]~[7]のいずれかに記載の水素製造装置。
[9] 上記高分子化合物が後述する式3で表される繰り返し単位を有する、[1]~[8]のいずれかに記載の水素製造装置。
[10] 上記高分子化合物が後述する式4で表される繰り返し単位を有する、[1]~[9]のいずれかに記載の水素製造装置。
[11] 上記高分子化合物が後述する式Aで表される繰り返し単位を有する、[1]~[10]のいずれかに記載の水素製造装置。
[12] 後述する式1で表され、繰り返し単位1個あたり少なくとも1個以上のスルホン酸基含有基を有する高分子化合物を含有する固体高分子電解質膜と、上記固体高分子電解質膜の一方側に配置されたアノード電極触媒層と、上記固体高分子電解質膜の他方側に配置されたカソード電極触媒層と、上記アノード電極触媒層及び上記カソード電極触媒層のそれぞれに電気的に接続された一対の給電体とを有する水電解セルの温度を100℃を超えて180℃以下に制御し、上記給電体の間に電流を印加して水を電気分解して水素を発生する水素製造方法。
[13]上記水電解セルの温度を120℃を超えて180℃以下に制御する、[12]に記載の水素製造方法。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されるものではない。
なお、本明細書において、「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本明細書で使用される用語の定義を以下に示す。なお、下記のとおり本明細書で特別に定義される場合を除いて、使用される全ての技術的、及び、科学的用語は、本発明が属する分野の当業者が通常理解する意味と同一の意味を有するものとする。
本明細書においてスルホン酸基含有基とは、スルホン酸基をその構造中に有する原子団を意味する。ここでのスルホン酸基には、*-SO3Hに加えて、*-SO3 -、及び、*-SO3M(Mは金属原子)も含まれるものとする。なお、「*」は結合位置を表し、以下、本明細書において同様である。
式S1中、R1は水素原子、又は、1価の置換基を表し、水素原子が好ましい。
また、より優れた本発明の効果が得られる点で、mが0で、かつ、nが1であることが好ましい。
また、上記のアルキレン基の有する水素原子の少なくとも1つ以上がハロゲン原子(特にフッ素原子が好ましい)で置換された基であってもよい。
L3としては、窒素原子、3価の炭化水素基(炭素数1~10個が好ましい。なお、炭化水素基は、芳香族炭化水素基でもよく脂肪族炭化水素基でもよい。)、又は、3価の複素環基(5員環~7員環の複素環基が好ましい)が挙げられ、炭化水素基にはヘテロ原子(例えば、-O-)が含まれていてもよい。L3の具体例としては、窒素原子、グリセリン残基、トリメチロールプロパン残基、フロログルシノール残基、及び、シクロヘキサントリオール残基等が挙げられる。
なお、L4の好適形態としては、4価の炭化水素基(炭素数1~10個が好ましい。なお、炭化水素基は、芳香族炭化水素基でもよく脂肪族炭化水素基でもよい。)、4価の複素環基(5~7員環の複素環基が好ましい)が挙げられ、炭化水素基にはヘテロ原子(例えば、-O-)が含まれていてもよい。L4の具体例としては、ペンタエリスリトール残基、及びジトリメチロールプロパン残基等が挙げられる。
なお、L5の好適形態としては、5価の炭化水素基(炭素数2~10個が好ましい。なお、炭化水素基は、芳香族炭化水素基でもよく脂肪族炭化水素基でもよい。)、又は、5価の複素環基(5~7員環の複素環基が好ましい)が挙げられ、炭化水素基にはヘテロ原子(例えば、-O-)が含まれていてもよい。L5の具体例としては、アラビニトール残基、フロログルシドール残基、及びシクロヘキサンペンタオール残基等が挙げられる。
なお、L6の好適形態としては、6価の炭化水素基(炭素数2~10個が好ましい。なお、炭化水素基は、芳香族炭化水素基でもよく脂肪族炭化水素基でもよい。)、又は、6価の複素環基(6~7員環の複素環基が好ましい)が挙げられ、炭化水素基にはヘテロ原子(例えば、-O-)が含まれていてもよい。L6の具体例としては、マンニトール残基、ソルビトール残基、ジペンタエリスリトール残基、ヘキサヒドロキシベンゼン、及び、ヘキサヒドロキシシクロヘキサン残基等が挙げられる。
次に、本発明に係る水素製造装置(以下、「本装置」ともいう。)について説明する。
図1は、本発明に係る水素製造装置のハードウェア構成の一例を示す図である。
水素製造装置100は、プロセッサ101と、記憶デバイス102と、出力デバイス103と、入力デバイス104を、第1のヒータ105(図1中では、「ヒータ1」と表示した)と、電源106と、ポンプ107と、水電解セル108と、給水槽110と、第2のヒータ111(図1中では、「ヒータ2」と表示した)と、を有する。
プロセッサ101、記憶デバイス102、出力デバイス103、入力デバイス104、第1のヒータ105、電源106、及び、ポンプ107はバス109を介して互いにデータを交換可能に構成されている。
出力デバイス103は、出力デバイス103としては、タッチパネル、ディスプレイ、及び、プリンタ等がある。
入力デバイス104は、データを入力する。
入力デバイス104としては、タッチパネル、キーボード、ボタン、マウス、テンキー、及び、スキャナ等がある。
電源106は後述する水電解セル108の給電体を介してアノード電極触媒層、及び、カソード電極触媒層に電流(典型的には直流電流)を印加する。
ポンプ107は、給水槽110に貯留された水、及び/又は、水蒸気(以下
「水等」ともいう。)を後述する水電解セル108の少なくともアノード側に供給する。
第2のヒータ111は、第1のヒータ105と同様のものが使用でき、プロセッサ101等とバスを介してデータを交換可能に構成されていてもよい。
また、給水槽110は水電解セル108との間で水等を循環可能に構成されていてもよい。
水素製造装置100は、給水槽110と第2のヒータ111とを有しているため、水電解セル108に導入される水等を十分に加熱することができるため、より効率的に水素製造できる。
また、より優れた水素発生効率を有する水素製造装置が得られる点で、カソード電極触媒層としては、金属プラチナ(Pt)、金属ルテニウム(Ru)、プラチナ-コバルト合金、及び、ルテニウム-コバルト合金からなる群より選択される少なくとも1種の金属触媒、又は、上記金属触媒が炭素材料に担持された金属担持炭素触媒を含有することが好ましい。
すなわち、対象の特定高分子につき、所定の濃度のNaOH水溶液を用いて滴定を行い、pHが7になるまで中和したときのNaOH水溶液の量([A]ml)と、そのNaOH水溶液の濃度([B]g/ml)に基づき、計算式:イオン交換容量(IEC)(meq/g)=[A]×[B]/試料質量(g)によってイオン交換容量を求め、これを理論値と比較することで1つの繰り返し単位あたりのスルホン基の平均数(小数となる場合もある)を算出することができる。
炭化水素基としては、特に制限されないが、炭素数1~20個のアルキレン基、炭素数3~20個のシクロアルキレン基、炭素数2~20個のアルケニレン基、及び、スルホン酸基含有基を有さないヘテロ原子を有していてもよいアリーレン基等が挙げられる。
より優れた本発明の効果を有する装置が得られる点で、特定高分子は単位Aとして、以下の式2で表される繰り返し単位(以下、「特定単位」ともいう。)を有することが好ましい。
なお、式中、複数あるLA2、及び、Ar2はそれぞれ同一でも異なってもよい。
また、式2中LBは、単結合、又は、2価の基を表し、LBの2価の基は、すでに説明した式1中のLAの形態と同様であり、好適形態もすでに説明したとおりである。
また、式3中、X2はすでに説明したスルホン酸基含有基であり、その形態、及び、好適形態はすでに説明したとおりである。また、式3中、tは1~4の整数を表し、1~3が好ましく、2~3がより好ましい。また、式3中複数あるLA3、及び、X2は同一でも異なっていてもよい。
式4で表される特定単位としては、特に制限されないが、例えば、以下の式Aで表される単位からなる群より選択される単位が好ましい。
特に制限されないが、X1の具体例としては、以下の式NF3-1~式NF3-4で表される基が挙げあれる。なお、下記式中*は結合位置を表す。
特定高分子はスルホン酸基含有基を有しない繰り返し単位(以下「単位B」ともいう。)を有していてもよい。単位Bとしては特に制限されないが、すでに説明した式2~式4で表される繰り返し単位において、スルホン酸基含有基を水素原子で置き換えた繰り返し単位、及び、フルオロオレフィンに基づく繰り返し単位等が挙げられる。
より具体的には、特定高分子は、芳香族ジハロゲン化合物と、芳香族ジヒドロキシ化合物とを用いて、非プロトン性極性溶媒中、炭酸カリウムの存在下で脱塩重縮合する方法が挙げられ、一例を以下のスキーム1に示した。
特に、特定高分子が式1で表される部分構造を有する場合、特定高分子の分子内、及び/又は、分子間において、架橋構造を容易に形成できる点で優れている。
このような特定高分子の架橋反応の例を以下のスキーム4に示す。なお、スキーム4中、nは2以上の整数を表す。
脱水剤を用いる場合、公知の脱水剤を使用でき、特に制限されないが、五酸化リン、及び、ポリリン酸等が挙げられ、これらを溶媒に溶解して液状の脱水剤として使用してもよい。溶媒としては、メタンスルホン酸、及び、トリフルオロメタンスルホン酸等のアルキルスルホン酸;クロロベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸;等が挙げられる。
架橋反応の条件としては特に制限されないが、例えば、特開2007-70563号公報に記載の条件を適用可能である。
2H2O→4H++4e-+O2
4H++4e-→2H2
一方、上記水電解セル108では特定高分子を用いるために系中に水が共存し得る温度(例えば、100~170℃)でも、安定して駆動できる。そのため、触媒活性が十分に高まる温度が100~170℃の範囲内にある場合には、上記ナフィオン-PBI-リン酸系電解質膜よりも低エネルギーコストで電気分解ができる。
なお、セパレータ202と給電体206とは一体として構成されていてもよい。また、水電解セルはセパレータを有していなくてもよい。
水素製造装置100は、制御部301と、記憶部302と、出力部303と、入力部304と、セル加熱部305と、水電解部306と、水供給部307とを有している。
水電解セル108の温度は、触媒活性等に鑑みて適宜選択されればよいが、100℃を超える場合、水蒸気を利用することにより、より低エネルギーコストでの水素製造が可能になる。
また、水電解セル108の温度が180℃以下である場合、加熱に必要なエネルギーに対する触媒活性がより高くなりやすく、より効率的に水素製造が可能である。
このような場合、制御部301が、セル加熱部305を制御して、水電解セル108の温度を120℃を超えて、180℃以下に保持するように構成すると、より効率的に水素製造ができる。
このようにすると、固体高分子電解質膜の湿潤状態が保たれ、優れたイオン伝導性を保ちつつ、水蒸気の電解による低エネルギー化の効果も享受できる。
また、水供給部307は、ポンプ107、給水槽110、及び、第2のヒータ111を含んで構成され、記憶部302に記憶されたプログラムを制御部301が実行し、これにより制御されたポンプ107等によって実現される機能である。
電源106が給電体206に電流を印加することで、水電解反応が起こり、水電解セル108のカソード側から水素が発生し、アノード側から酸素が発生する。
まず、入力部304を介してユーザーから動作開始の指示を受け付けると、記憶部302に記憶されたプログラムを制御部301が実行し、水供給部307から、水電解部306に水が供給される。この水は給水槽110に設けれれた第2のヒータ111によって加熱されている。このときの水の温度は例えば、10~100℃程度が好ましい。
そして、カソード電極触媒層204を有するカソード側で、固体高分子電解質膜203中を移動してきた水素イオンが電子を受け取り水素が発生する。
まず、PPSU(ポリフェニルスルホン)ビーズ35gと2L硫酸を混合し、60℃で2日間保持してスルホン化した。その後、スルホン化したPPSUを冷却して析出させ、透析膜を用いてpH7まで洗い、水を除去することでSPPSUを得た。得られたSPPSU中のスルホン酸基の含有量を滴定法により求めたところ、全繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数は平均2個であった。
合成したSPPSUの5g(IEC=3.4meq/g)をDMSO(ジメチルスルホキシド)の21mlに溶解して組成物を調製した。
次に、フィルムアプリケータを用いて、上記組成物をガラス板上に塗布し、24時間乾燥させて組成物膜を得た。このとき、コーター温度を40℃とし、ギャップを0.5mmとした。
更に上記熱架橋されたSPPSU膜を、0.5M水酸化ナトリウム水溶液に一晩浸漬させた。次に、上記膜を沸騰水中で2時間保持した後、80℃の1M硫酸中で2時間保持し、その後、沸騰水中で2時間保持した後、乾燥させて、固体高分子電解質膜を得た。
アノード側給電体には、チタン多孔質シート(東邦チタニウム社製、商品名「WEBTi-S」)を用いた。このシートの固体高分子電解質膜と接する面に、酸化イリジウム(IV)(n水和物)の水性スラリーを塗布して焼成し、アノード電極触媒層を形成させ、アノード電極触媒層と給電体とが一体化したアノード電極を作成した。
次いで、カーボンセパレータを介してアノード電極、及び、カソード電極に電流を印加できるよう電源を接続した。これを温度制御が可能なオーブンの中に載置した。
カソード室からは、水と水素を取り出せるよう、配管を接続した。また、タンク中の水の温度を調整できるよう、オイルバスを設置した。
水電解セルの温度をそれぞれ、40、60、80、100、120、150、及び、180℃となるよう制御し、水分解セル中における水の温度がそれぞれ、40、60、80、99、101、104、及び、108℃となるよう調整した。
このとき、水電解セルの給電体間の電位差を1.4~1.8Vとした場合の電圧(縦軸)、及び、電流密度(横軸)の関係を図4に示した。
また、図4の記載から、水電解セルの温度を120~180℃とすると更に高い電流密度が得られることが分かった。
また、図4の記載から水電解セルの温度を120℃を超えて、180℃以下とすると、特に高い電流密度が得られることが分かった。
また、図4の記載から水電解セルの温度を150~180℃とすると最も高い電流密度が得られることがわかった。
101 :プロセッサ
102 :記憶デバイス
103 :出力デバイス
104 :入力デバイス
105 :第1のヒータ
106 :電源
107 :ポンプ
108 :水電解セル
109 :バス
110 :給水槽
111 :第2のヒータ
202 :セパレータ
203 :固体高分子電解質膜
204 :カソード電極触媒層
205 :アノード電極触媒層
206 :給電体
207 :耐熱性パッキン
301 :制御部
302 :記憶部
303 :出力部
304 :入力部
305 :セル加熱部
306 :水電解部
307 :水供給部
Claims (7)
- 水素製造装置であって、
水電解部と、
セル加熱部と、
水供給部と、
前記水電解部、前記セル加熱部、及び前記水供給部を制御する制御部と、を備え、
前記水電解部は、水電解セルと、電源とを有し、
前記水電解セルは、固体高分子電解質膜と、前記固体高分子電解質膜の一方側に配置されたアノード電極触媒層と、前記固体高分子電解質膜の他方側に配置されたカソード電極触媒層と、前記アノード電極触媒層及び前記カソード電極触媒層のそれぞれに電気的に接続された一対の給電体とを有し、
前記電源は、前記給電体の間に電流を印加できるよう前記水電解セルと接続され、
前記セル加熱部は、前記水電解セルの温度を制御するための第1のヒータを有し、
前記水供給部は、前記水電解セルのアノード側に水を供給するように構成され、且つ、前記水の温度を制御するための第2のヒータを有し、
前記制御部は、前記セル加熱部を制御して、前記水電解セルの温度を100℃を超えて180℃以下に保持するように構成され、
前記固体高分子電解質膜は、下記式4で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有する水素製造装置。
- 前記アノード電極触媒層が、金属イリジウム、金属ルテニウム、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、及び、これらの複合体からなる群より選択される少なくとも1種を含有する、請求項1に記載の水素製造装置。
- 前記カソード電極触媒層が、金属プラチナ、金属ルテニウム、プラチナ-コバルト合金、及び、ルテニウム-コバルト合金からなる群より選択される少なくとも1種の金属触媒、又は、前記金属触媒が炭素材料に担持された、金属担持炭素触媒を含有する、請求項1又は2に記載の水素製造装置。
- 前記制御部が、前記水電解セルの温度を120℃を超えて、180℃以下に保持する、請求項1~3のいずれか1項に記載の水素製造装置。
- 前記高分子化合物が下記式Aで表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1種の繰り返し単位を有する、請求項1~4のいずれか1項に記載の水素製造装置。
- 水素製造方法であって、
下記式4で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有する固体高分子電解質膜と、前記固体高分子電解質膜の一方側に配置されたアノード電極触媒層と、前記固体高分子電解質膜の他方側に配置されたカソード電極触媒層と、前記アノード電極触媒層及び前記カソード電極触媒層のそれぞれに電気的に接続された一対の給電体とを有する水電解セルの温度を100℃を超えて180℃以下に制御することと、
前記水電解セルのアノード側に水を供給することと、
前記給電体の間に電流を印加して前記水を電気分解して水素を発生すること、とを含む水素製造方法。
(式4中、X 41 ~X 44 はそれぞれ独立にスルホン酸基含有基を表し、q1~q4はそれぞれ独立に0~4の整数を表し、q1~q4の和であるq1+q2+q3+q4は1以上である。) - 前記水電解セルの温度を120℃を超えて180℃以下に制御する、請求項6に記載の水素製造方法。
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