JP7472577B2 - 電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム - Google Patents

電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP7472577B2
JP7472577B2 JP2020051503A JP2020051503A JP7472577B2 JP 7472577 B2 JP7472577 B2 JP 7472577B2 JP 2020051503 A JP2020051503 A JP 2020051503A JP 2020051503 A JP2020051503 A JP 2020051503A JP 7472577 B2 JP7472577 B2 JP 7472577B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
constant current
voltage
current
value
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020051503A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021149839A (ja
Inventor
佳佑 若園
佑樹 杉沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Wiring Systems Ltd
AutoNetworks Technologies Ltd
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Wiring Systems Ltd, AutoNetworks Technologies Ltd, Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Wiring Systems Ltd
Priority to JP2020051503A priority Critical patent/JP7472577B2/ja
Priority to US17/906,824 priority patent/US20230370055A1/en
Priority to PCT/JP2021/008502 priority patent/WO2021192898A1/ja
Priority to CN202180020680.1A priority patent/CN115280258A/zh
Priority to DE112021001769.1T priority patent/DE112021001769T5/de
Publication of JP2021149839A publication Critical patent/JP2021149839A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7472577B2 publication Critical patent/JP7472577B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/087—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/122—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for inverters, i.e. dc/ac converters
    • H02H7/1225—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for inverters, i.e. dc/ac converters responsive to internal faults, e.g. shoot-through
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
    • H03K17/145—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0063—High side switches, i.e. the higher potential [DC] or life wire [AC] being directly connected to the switch and not via the load

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)

Description

本開示は、電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラムに関する。
車両には、バッテリから負荷への電力供給を制御するスイッチ制御装置（例えば、特許文献１を参照）が搭載されている。特許文献１に記載のスイッチ制御装置では、バッテリから負荷に流れる電流の電流経路に半導体スイッチが配置されている。半導体スイッチをオン又はオフに切替えることによって負荷への電力供給を制御する。半導体スイッチの上流側に抵抗の一端が接続されている。特許文献１に記載のスイッチ制御装置は定電流回路を備え、定電流回路はバッテリから抵抗を介して定電流を引き込んでいる。
半導体スイッチがオンである場合において、半導体スイッチの下流側の一端の電圧を抵抗の他端の電圧と比較する。これにより、半導体スイッチを介して流れる電流が電流閾値以上であるか否かを判定することができる。電流閾値は、（抵抗の抵抗値）・（定電流）／（半導体スイッチのオン抵抗値）で表される。「・」は積を表す。オン抵抗値は、半導体スイッチがオンである場合における半導体スイッチの抵抗値である。
電流閾値は一定であることが好ましい。しかしながら、半導体スイッチのオン抵抗値は、半導体スイッチの温度に応じて変化する。このため、特許文献１に記載のスイッチ制御装置では、半導体スイッチの温度と同様に変動する半導体スイッチの周囲温度に応じて、定電流を変動させる。結果、半導体スイッチの温度に応じた電流閾値の変動幅が小さい構成が実現される。
特開２０１７－２２９１３８号公報
特許文献１に記載されているように、半導体スイッチの下流側の一端の電圧を抵抗の他端の電圧と比較するスイッチ制御装置では、例えばＣＰＵ(Central Processing Unit)を有する処理部が半導体スイッチの周囲温度に応じた定電流の値を設定してもよい。この場合、定電流回路が引き込む定電流は、処理部が設定した設定値に基づいて調整される。
ここで、調整後の定電流が設定値と異なる場合、電流閾値が予め設定されている目標値に調整されないので、適切なタイミングで半導体スイッチがオンからオフに切替わらない可能性がある。
本開示は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、定電流回路が引き込む定電流を処理部が設定した値に一致させることができる電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラムを提供することにある。
本開示の一態様に係る電流制御装置は、電圧が印加されており、印加されている電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路と、処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記定電流回路が引き込む定電流の値を設定し、前記定電流回路に印加されている電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整し、前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得し、取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加されている電圧を調整するか否かを判定する。
本開示の一態様に係るスイッチ制御装置は、前述した電流制御装置と、電流が流れる半導体スイッチと、前記半導体スイッチの上流側の一端に接続される第２の抵抗と、前記半導体スイッチの下流側の一端のスイッチ電圧が、前記第２の抵抗の下流側の一端の抵抗電圧未満である場合に前記半導体スイッチをオフに切替える切替え部とを備え、前記定電流回路は、前記第２の抵抗を介して前記定電流を引き込む。
本開示の一態様に係る電流制御方法では、電圧が印加され、印加された電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路の前記定電流の値を設定するステップと、前記定電流回路に印加する電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整するステップと、前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得するステップと、取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加する電圧を調整するか否かを判定するステップとをコンピュータが実行する。
本開示の一態様に係るコンピュータプログラムは、電圧が印加され、印加された電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路の前記定電流の値を設定するステップと、前記定電流回路に印加する電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整するステップと、前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得するステップと、取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加する電圧を調整するか否かを判定するステップとをコンピュータに実行させる。
なお、本開示を、このような特徴的な処理部を備える電流制御装置として実現することができるだけでなく、かかる特徴的な処理をステップとする電流制御方法として実現したり、かかるステップをコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムとして実現したりすることができる。また、本開示を、電流制御装置の一部又は全部を実現する半導体集積回路として実現したり、電流制御装置を含む電流制御システムとして実現したりすることができる。
上記の態様によれば、定電流回路が引き込む定電流を処理部が設定した定電流の値に一致させることができる。
実施形態１における電源システムの要部構成を示すブロック図である。 半導体スイッチの動作を説明するためのタイミングチャートである。 オン抵抗値及び半導体スイッチの周囲温度の関係を示すグラフである。 定電流回路及び電流調整器の要部構成を示す回路図である。 マイコンの要部構成を示すブロック図である。 オン抵抗値の変化率と半導体スイッチの周囲温度との関係を示すグラフである。 デューティ及びスイッチ電流の設定値の関係を示すグラフである。 電流調整処理の手順を示すフローチャートである。 電流調整処理の効果の説明図である。 微調整処理の手順を示すフローチャートである。 実施形態２における電流制御装置の要部構成を示すブロック図である。 マイコンの要部構成を示すブロック図である。
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列挙して説明する。以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
（１）本開示の一態様に係る電流制御装置は、電圧が印加されており、印加されている電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路と、処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記定電流回路が引き込む定電流の値を設定し、前記定電流回路に印加されている電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整し、前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得し、取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加されている電圧を調整するか否かを判定する。
（２）本開示の一態様に係る電流制御装置では、前記定電流回路は、前記定電流の電流経路にて、コレクタがエミッタの上流側に配置されるＮＰＮ型のバイポーラトランジスタと、前記電流経路において、前記バイポーラトランジスタの下流側に配置される抵抗とを有し、前記処理部は、前記定電流回路が有する前記バイポーラトランジスタのベースの電圧を、設定した設定値に応じた電圧に調整する。
（３）本開示の一態様に係る電流制御装置では、前記電流情報は前記抵抗の両端間の電圧である。
（４）本開示の一態様に係る電流制御装置は、ＰＷＭ信号を出力する信号出力部と、前記信号出力部が出力したＰＷＭ信号の電圧を平滑する平滑回路とを備え、前記平滑回路が平滑した電圧が前記バイポーラトランジスタのベースに印加され、前記処理部は、前記ＰＷＭ信号のデューティを、設定した設定値に応じたデューティに調整する。
（５）本開示の一態様に係るスイッチ制御装置は、前述した電流制御装置と、電流が流れる半導体スイッチと、前記半導体スイッチの上流側の一端に接続される第２の抵抗と、前記半導体スイッチの下流側の一端のスイッチ電圧が、前記第２の抵抗の下流側の一端の抵抗電圧未満である場合に前記半導体スイッチをオフに切替える切替え部とを備え、前記定電流回路は、前記第２の抵抗を介して前記定電流を引き込む。
（６）本開示の一態様に係るスイッチ制御装置は、前記半導体スイッチの周囲温度を検出する温度検出部を備え、前記処理部は、前記温度検出部が検出した周囲温度に応じて、前記定電流回路が引き込む定電流の値を設定する。
（７）本開示の一態様に係る電流制御方法では、電圧が印加され、印加された電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路の前記定電流の値を設定するステップと、前記定電流回路に印加する電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整するステップと、前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得するステップと、取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加する電圧を調整するか否かを判定するステップとをコンピュータが実行する。
（８）本開示の一態様に係るコンピュータプログラムは、電圧が印加され、印加された電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路の前記定電流の値を設定するステップと、前記定電流回路に印加する電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整するステップと、前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得するステップと、取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加する電圧を調整するか否かを判定するステップとをコンピュータに実行させる。
上記の態様に係る電流制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラムにあっては、例えば、定電流回路が引き込む定電流の値と異なる場合、定電流回路に印加する電圧を調整することによって、定電流の微調整を行う。このため、定電流回路が引き込む定電流を、処理部が設定した定電流の値に一致させることができる。「一致」の意味は厳密な意味に限定されない。定電流回路が引き込む電流と設定した定電流の値との差分値が一定値未満である場合に両者が一致しているとみなしてもよい。一定値は、例えば、誤差とみなすことができる値である。
上記の態様に係る電流制御装置にあっては、バイポーラトランジスタのコレクタ及びエミッタ間の抵抗値は、コレクタ及びエミッタを介して流れる電流が、バイポーラトランジスタのベースの電圧によって決まる電流となるように調整され、定電流が流れる。ベースの電圧が高い程、定電流は大きい。
上記の態様に係る電流制御装置にあっては、抵抗の両端間の電圧は、定電流回路が引き込む定電流に比例し、抵抗の両端間の電圧から定電流を算出する。
上記の態様に係る電流制御装置にあっては、ＰＷＭ信号のデューティを調整することによって、バイポーラトランジスタのベースの電圧を調整する。ベースの電圧はデューティが大きい程、高い。
上記の態様に係るスイッチ制御装置にあっては、スイッチ電圧が抵抗電圧未満であることは、半導体スイッチを介して流れる電流が、（第２の抵抗の抵抗値）・（定電流）／（半導体スイッチのオン抵抗値）によって表される電流閾値を超えていることに相当する。「・」は積を意味する。半導体スイッチを介して流れる電流が電流閾値を超えた場合、半導体スイッチをオフに切替える。これにより、電流閾値を大きく超える過電流が半導体スイッチを介して流れることが防止される。
上記の態様に係るスイッチ制御装置にあっては、半導体スイッチのオン抵抗値は、半導体スイッチの温度、即ち、半導体スイッチの周囲温度に応じて変動する。定電流の設定値は半導体スイッチの周囲温度に応じて設定されるので、（第２の抵抗の抵抗値）・（定電流）／（半導体スイッチのオン抵抗値）によって表される電流閾値を、半導体スイッチの周囲温度に依存しない一定値に維持することができる。
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る電源システムの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
（実施形態１）
＜電源システムの構成＞
図１は、実施形態１における電源システム１の要部構成を示すブロック図である。電源システム１は、好適に車両に搭載されており、スイッチ制御装置１０、バッテリ１１及び負荷１２を備える。スイッチ制御装置１０は半導体スイッチ２０を有する。半導体スイッチ２０はＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である。半導体スイッチ２０のドレインはバッテリ１１の正極に接続されている。半導体スイッチ２０のソースは負荷１２の一端に接続されている。バッテリ１１の負極と、負荷１２の他端とは接地されている。
半導体スイッチ２０がオンである場合、バッテリ１１の正極から、電流が半導体スイッチ２０のドレイン及びソースを介して負荷１２に流れ、バッテリ１１は半導体スイッチ２０を介して負荷１２に電力を供給する。半導体スイッチ２０がオフである場合、半導体スイッチ２０のドレイン及びソースを介して電流が流れず、負荷１２に電力が供給されることはない。負荷１２は、車両に搭載されている電気機器である。負荷１２に電力が供給されている間、負荷１２は作動する。負荷１２への電力供給が停止した場合、負荷１２は動作を停止する。スイッチ制御装置１０では、半導体スイッチ２０をオン又はオフに切替えることによってバッテリ１１から負荷１２への電力供給を制御する。
半導体スイッチ２０がオンである場合、電流は半導体スイッチ２０のドレイン及びソースの順に流れる。従って、半導体スイッチ２０のドレインは、半導体スイッチ２０の上流側の一端である。半導体スイッチ２０のソースは、半導体スイッチ２０の下流側の一端である。
＜スイッチ制御装置１０の構成＞
スイッチ制御装置１０は、半導体スイッチ２０に加えて、装置抵抗２１、温度検出部２２、駆動回路２３、制御器２４、コンパレータ２５及び電流制御装置２６を有する。コンパレータ２５は、プラス端、マイナス端及び出力端を有する。電流制御装置２６は定電流回路３０及び電流調整器３１を有する。
半導体スイッチ２０のドレインは、装置抵抗２１の一端に接続されている。装置抵抗２１は第２の抵抗として機能する。装置抵抗２１の他端は定電流回路３０に接続されている。定電流回路３０は接地されている。電流制御装置２６内では、定電流回路３０は電流調整器３１に接続されている。電流調整器３１は、更に、温度検出部２２に接続されている。半導体スイッチ２０のゲートは駆動回路２３に接続されている。駆動回路２３は、更に、制御器２４とコンパレータ２５の出力端とに各別に接続されている。コンパレータ２５のプラス端は半導体スイッチ２０のソースに接続されている。コンパレータ２５のマイナス端は、装置抵抗２１の他端に接続されている。
半導体スイッチ２０において、基準電位がソースの電位であるゲートの電圧が一定電圧値以上である場合、半導体スイッチ２０はオンである。半導体スイッチ２０において、基準電位がソースの電位であるゲートの電圧が一定電圧未満である場合、半導体スイッチ２０はオフである。
制御器２４及びコンパレータ２５それぞれは、ハイレベル電圧又はローレベル電圧を駆動回路２３に出力する。駆動回路２３は、制御器２４及びコンパレータ２５の出力電圧に応じて、半導体スイッチ２０をオン又はオフに切替える。駆動回路２３は、半導体スイッチ２０をオンに切替える場合、基準電位が接地電位であるゲートの電圧を上昇させる。これにより、基準電位がソースの電位であるゲートの電圧が上昇し、一定電圧以上となる。結果、半導体スイッチ２０がオンに切替わる。駆動回路２３は、半導体スイッチ２０をオフに切替える場合、基準電位が接地電位である半導体スイッチ２０のゲートの電圧を低下させる。これにより、基準電位がソースの電位であるゲートの電圧が低下し、一定電圧未満となる。結果、半導体スイッチ２０がオフに切替わる。
以下では、半導体スイッチ２０のソースの電圧をスイッチ電圧と記載する。装置抵抗２１の定電流回路３０側の一端の電圧を抵抗電圧と記載する。スイッチ電圧及び抵抗電圧は、基準電位が接地電位である電圧である。コンパレータ２５は、スイッチ電圧が抵抗電圧以上である場合、ハイレベル電圧を駆動回路２３に出力する。コンパレータ２５は、スイッチ電圧が抵抗電圧未満である場合、ローレベル電圧を駆動回路２３に出力する。
電流制御装置２６の定電流回路３０は、バッテリ１１の正極から装置抵抗２１を介して定電流を引き込む。定電流回路３０に引き込まれた定電流はバッテリ１１の負極に戻る。電流調整器３１は定電流回路３０に電圧を印加している。定電流回路３０は、電流調整器３１が印加した電圧に応じた定電流を引き込む。定電流回路３０から電流調整器３１に、定電流回路３０が引き込む定電流を示す電流情報が出力される。
温度検出部２２は、半導体スイッチ２０の周囲温度を検出し、検出した周囲温度を示す温度情報を電流調整器３１に出力する。電流調整器３１は、温度検出部２２及び定電流回路３０から入力された温度情報及び電流情報に基づいて、定電流回路３０に印加されている電圧、即ち、定電流回路３０が引き込む定電流を調整する。
バッテリ１１の出力電圧をＶｄと記載する。半導体スイッチ２０を介して流れるスイッチ電流をＩｓと記載する。定電流回路３０が引き込む定電流をＩｃと記載する。Ｉｓ及びＩｃは数値である。半導体スイッチ２０のオン抵抗値をＲｏｎと記載する。オン抵抗値は、半導体スイッチ２０がオンである場合における半導体スイッチ２０のドレイン及びソース間の抵抗値である。装置抵抗２１の抵抗値をＲｃと記載する。この場合、スイッチ電圧は（Ｖｄ－Ｒｏｎ・Ｉｓ）で表される。抵抗電圧は（Ｖｄ－Ｒｃ・Ｉｃ）で表される。Ｖｄ、Ｉｓ、Ｉｃ、Ｒｏｎ及びＲｃは正値である。
半導体スイッチ２０はオンであると仮定する。前述したように、スイッチ電圧が抵抗電圧以上である場合、即ち、下記式が満たされる場合、コンパレータ２５はハイレベル電圧を出力する。
Ｖｄ－Ｒｏｎ・Ｉｓ≧Ｖｄ－Ｒｃ・Ｉｃ
この不等式を展開した場合、下記式が得られる。
Ｉｓ≦Ｒｃ・Ｉｃ／Ｒｏｎ
Ｒｃ・Ｉｃ／Ｒｏｎで表される電流閾値をＩｔｈと記載する。展開した不等式が示すように、スイッチ電圧が抵抗電圧以上であることは、スイッチ電流Ｉｓが電流閾値Ｉｔｈ以下であることを意味する。装置抵抗２１の抵抗値Ｒｃ、定電流Ｉｃ及びオン抵抗値Ｒｏｎは正値であるため、電流閾値Ｉｔｈも正値である。
前述したように、スイッチ電圧が抵抗電圧未満である場合、即ち、下記式が満たされる場合、コンパレータ２５はローレベル電圧を出力する。
Ｖｄ－Ｒｏｎ・Ｉｓ＜Ｖｄ－Ｒｃ・Ｉｃ
この不等式を展開した場合、下記式が得られる。
Ｉｓ＞Ｒｃ・Ｉｃ／Ｒｏｎ（＝Ｉｔｈ）
スイッチ電圧が抵抗電圧未満であることは、スイッチ電流Ｉｓが電流閾値Ｉｔｈを超えていることを意味する。
従って、コンパレータ２５は、スイッチ電流Ｉｓが電流閾値Ｉｔｈ以下である場合、ハイレベル電圧を駆動回路２３に出力する。コンパレータ２５は、スイッチ電流Ｉｓが電流閾値Ｉｔｈを超えている場合、ローレベル電圧を駆動回路２３に出力する。
半導体スイッチ２０がオフである場合、スイッチ電圧はゼロＶである。抵抗電圧は、Ｖｄ－Ｒｃ・Ｉｃで表される。この値は正値である。従って、半導体スイッチ２０がオフである場合、スイッチ電圧は抵抗電圧未満であるので、コンパレータ２５はローレベル電圧を出力する。
＜半導体スイッチ２０の動作＞
図２は、半導体スイッチ２０の動作を説明するためのタイミングチャートである。図２は、半導体スイッチ２０の状態の推移と、コンパレータ２５及び制御器２４の出力電圧の推移と、スイッチ電流の推移とが示されている。これらの推移の横軸には時間が示されている。図２では、ハイレベル電圧及びローレベル電圧それぞれは、「Ｈ」及び「Ｌ」によって示されている。
制御器２４がローレベル電圧を駆動回路２３に出力している場合、駆動回路２３は、半導体スイッチ２０をオフに維持する。半導体スイッチ２０がオフである場合、スイッチ電流はゼロＡであり、コンパレータ２５はローレベル電圧を駆動回路２３に出力する。
制御器２４が出力電圧をローレベル電圧からハイレベル電圧に切替えた場合、駆動回路２３は半導体スイッチ２０をオフからオンに切替える。これにより、バッテリ１１の正極から半導体スイッチ２０を介して負荷１２に電流が流れる。電源システム１が正常である場合においては、半導体スイッチ２０がオンであるとき、スイッチ電流は電流閾値Ｉｔｈ以下である。このため、コンパレータ２５は、出力電圧をローレベル電圧からハイレベル電圧に切替える。
制御器２４が出力電圧をハイレベル電圧からローレベル電圧に切替えた場合、駆動回路２３は半導体スイッチ２０をオンからオフに切替える。これにより、半導体スイッチ２０を介して電流の通流が停止する。結果、スイッチ電流がゼロＡに低下し、コンパレータ２５の出力電圧はハイレベル電圧からローレベル電圧に切替わる。
以上のように、電源システム１が正常である場合、駆動回路２３は、制御器２４の出力電圧に応じて、半導体スイッチ２０をオン又はオフに切替える。制御器２４は、負荷１２を作動させる場合、ハイレベル電圧を駆動回路２３に出力する。制御器２４は、負荷１２の動作を停止させる場合、ローレベル電圧を駆動回路２３に出力する。
前述したように、制御器２４がハイレベル電圧を出力している場合、半導体スイッチ２０はオンであり、半導体スイッチ２０を介してスイッチ電流が流れる。電源システム１が正常である場合、スイッチ電流は電流閾値Ｉｔｈ未満であり、コンパレータ２５はハイレベル電圧を出力している。
半導体スイッチ２０がオンである状態で電源システム１において異常が発生し、スイッチ電流が上昇したと仮定する。スイッチ電流が電流閾値Ｉｔｈを超えた場合、コンパレータ２５は、出力電圧をハイレベル電圧からローレベル電圧に切替える。制御器２４の出力電圧がハイレベル電圧である状態でコンパレータ２５の出力電圧がハイレベル電圧からローレベル電圧に切替わった場合、駆動回路２３は半導体スイッチ２０をオフに切替える。これにより、スイッチ電流はゼロＡに低下する。結果、電流閾値Ｉｔｈを大きく超える過電流が半導体スイッチ２０を介して流れることが防止される。駆動回路２３は切替え部として機能する。図２の例では、半導体スイッチ２０がオフに切替わった後、半導体スイッチ２０はオフに維持されている。前述したように、半導体スイッチ２０がオフである場合、コンパレータ２５の出力電圧はローレベル電圧である。
＜半導体スイッチ２０のオン抵抗値の温度依存性＞
図３はオン抵抗値Ｒｏｎ及び半導体スイッチ２０の周囲温度の関係を示すグラフである。半導体スイッチ２０のオン抵抗値Ｒｏｎは半導体スイッチ２０の温度に応じて変動する。半導体スイッチ２０の周囲温度は、半導体スイッチ２０の温度と同様に変動する。従って、半導体スイッチ２０のオン抵抗値Ｒｏｎは半導体スイッチ２０の周囲温度に応じて変動する。図３に示すように、オン抵抗値Ｒｏｎは、半導体スイッチ２０の周囲温度が上昇した場合、上昇する。
従って、装置抵抗２１の抵抗値Ｒｃ及び定電流Ｉｃが固定されている場合において、半導体スイッチ２０の周囲温度が高いとき、オン抵抗値Ｒｏｎが大きいので、電流閾値Ｉｔｈは小さい。従って、半導体スイッチ２０の周囲温度が高い場合、スイッチ電流は正常な電流であるにも関わらず、駆動回路２３が半導体スイッチ２０を誤ってオフに切替える可能性がある。
このため、スイッチ制御装置１０では、電流調整器３１は、定電流回路３０が引き込む定電流Ｉｃを、温度検出部が検出した半導体スイッチ２０の周囲温度に応じて、オン抵抗値Ｒｏｎと同様に変化させる。具体的には、半導体スイッチ２０の周囲温度の変化によって、オン抵抗値Ｒｏｎが１．２倍の値に上昇した場合、電流調整器３１は定電流Ｉｃを１．２倍の値に調整する。これにより、電流閾値Ｉｔｈを、半導体スイッチ２０の周囲温度に依存しない一定の目標値に維持することができる。
装置抵抗２１の抵抗値Ｒｃは、半導体スイッチ２０の周囲温度に無関係に一定である。
電流調整器３１は、温度検出部２２から入力された温度情報が示す半導体スイッチ２０の周囲温度に応じて、定電流Ｉｃの値を設定し、定電流回路３０に印加されている電圧を、設定した定電流の値（以下、設定値という）に対応する電圧に調整する。これにより、定電流回路３０は定電流を調整する。電流調整器３１は、定電流回路３０から入力された電流情報が示す定電流が設定値と異なる場合、定電流回路３０に印加している電圧を調整することによって、定電流の微調整を行う。
＜定電流回路３０の構成＞
図４は、定電流回路３０及び電流調整器３１の要部構成を示す回路図である。定電流回路３０はトランジスタ４０及び回路抵抗４１を有する。トランジスタ４０は、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタである。トランジスタ４０のコレクタは装置抵抗２１の他端に接続されている。トランジスタ４０のエミッタは、電流調整器３１と回路抵抗４１の一端とに接続されている。回路抵抗４１の他端は接地されている。トランジスタ４０のベースは電流調整器３１に接続されている。
定電流は、装置抵抗２１、トランジスタ４０のコレクタ、トランジスタ４０のエミッタ及び回路抵抗４１の順に流れる。従って、定電流の電流経路において、トランジスタ４０のコレクタは、トランジスタ４０のエミッタの上流側に配置されている。定電流の電流経路において、回路抵抗４１はトランジスタ４０の下流側に配置されている。
電流調整器３１は、基準電位が接地電位である電圧をトランジスタ４０のベースに印加している。以下では、基準電位が接地電位であるトランジスタ４０のベースの電圧をＶｂと記載する。基準電位が接地電位であるトランジスタ４０のエミッタの電圧をＶｅと記載する。トランジスタ４０のベース及びエミッタ間の電圧をＶｂｅと記載する。電圧Ｖｂｅは実質的に一定である。トランジスタ４０がシリコンで形成されている場合、電圧Ｖｂｅは、約０．６Ｖである。
トランジスタ４０のコレクタ及びエミッタ間の抵抗値は、エミッタの電圧Ｖｅが（Ｖｂ－Ｖｂｅ）に一致するように調整される。具体的には、ベースの電圧Ｖｂが上昇した場合、トランジスタ４０のコレクタ及びエミッタ間の抵抗値は低下する。これにより、装置抵抗２１、トランジスタ４０及び回路抵抗４１の合成抵抗値が低下し、バッテリ１１の正極から回路抵抗４１を流れる電流が上昇する。これにより、エミッタの電圧Ｖｅが（Ｖｂ－Ｖｂｅ）まで上昇する。
ベースの電圧Ｖｂが低下した場合、トランジスタ４０のコレクタ及びエミッタ間の抵抗値は上昇する。これにより、装置抵抗２１、トランジスタ４０及び回路抵抗４１の合成抵抗値が上昇し、バッテリ１１の正極から回路抵抗４１を流れる電流が上昇する。これにより、エミッタの電圧Ｖｅが（Ｖｂ－Ｖｂｅ）まで低下する。
回路抵抗４１の抵抗値をＲｋと記載した場合、回路抵抗４１を流れる電流は、（Ｖｂ－Ｖｂｅ）／Ｒｋに調整され、トランジスタ４０のコレクタ及びエミッタを介して定電流が流れる。
バッテリ１１の出力電圧が変動した場合であっても、定電流は（Ｖｂ－Ｖｂｅ）／Ｒｋに調整される。バッテリ１１の出力電圧が低下した場合、トランジスタ４０のコレクタ及びエミッタ間の抵抗値は低下し、定電流が（Ｖｂ－Ｖｂｅ）／Ｒｋに維持される。バッテリ１１の出力電圧が上昇した場合、トランジスタ４０のコレクタ及びエミッタ間の抵抗値が上昇し、定電流が（Ｖｂ－Ｖｂｅ）／Ｒｋに維持される。
トランジスタ４０において、（コレクタに流れ込む電流）／（ベースに流れ込む電流）で表される電流増幅率をｈｆｅと記載する。コレクタに流れ込む電流は定電流Ｉｃであるので、電流調整器３１からトランジスタ４０のベースに流れる電流はＩｃ／ｈｆｅで表される。従って、トランジスタ４０のエミッタから回路抵抗４１に向けて出力される電流は、（１＋ｈｆｅ）・Ｉｃ／ｈｆｅで表される。
この電流は、（Ｖｂ－Ｖｂｅ）／Ｒｋに一致するので、定電流Ｉｃは下記式で表される。
Ｉｃ＝ｈｆｅ・（Ｖｂ－Ｖｂｅ）／（（１＋ｈｆｅ）・Ｒｋ）
電流増幅率ｈｆｅ、電圧Ｖｂｅ及び抵抗値Ｒｋは実質的に一定である。このため、ベースの電圧Ｖｂを調整することによって定電流Ｉｃを調整することができる。電流調整器３１はベースの電圧Ｖｂを調整する。ベースの電圧Ｖｂが高い程、定電流Ｉｃは大きい。
エミッタの電圧Ｖｅは下記式で表される。
Ｖｅ＝Ｒｋ・（１＋ｈｆｅ）・Ｉｃ／ｈｆｅ
エミッタの電圧Ｖｅは定電流Ｉｃに比例する。抵抗値Ｒｋ及び電流増幅率ｈｆｅは定数であるので、エミッタの電圧Ｖｅに基づいて、定電流Ｉｃを算出することができる。定電流Ｉｃを示す電流情報として、エミッタの電圧Ｖｅ、即ち、回路抵抗４１の両端間の電圧が電流調整器３１に出力される。
＜電流調整器３１の構成＞
図４に示すように、電流調整器３１は、マイクロコンピュータ（以下、マイコンという）５０及び平滑回路５１を有する。平滑回路５１は、第１抵抗６０、第２抵抗６１及びキャパシタ６２を有する。マイコン５０は、温度検出部２２及びトランジスタ４０のエミッタに接続されている。マイコン５０は、更に、平滑回路５１の第１抵抗６０及び第２抵抗６１の一端に接続されている。第１抵抗６０の他端は、トランジスタ４０のベースと、キャパシタ６２の一端に接続されている。第１抵抗６０及びキャパシタ６２それぞれの他端は接地されている。
マイコン５０は、平滑回路５１に向けて、ハイレベル電圧及びローレベル電圧によって構成されるＰＷＭ(Pulse Width Modulation)信号を出力する。ＰＷＭ信号の電圧は、基準電位が接地電位である電圧である。ＰＷＭ信号のハイレベル電圧は、正の一定電圧であり、例えば、５Ｖである。ＰＷＭ信号のローレベル電圧は、ハイレベル電圧よりも低い電圧であり、例えば、ゼロＶである。
ＰＷＭ信号では、ローレベル電圧からハイレベル電圧への切替え、又は、ハイレベル電圧からローレベル電圧の切替えが周期的に行われる。マイコン５０は、ＰＷＭ信号に関して、１周期において、電圧がハイレベル電圧である期間が占める割合、即ち、デューティを調整する。デューティは、ゼロ以上であり、かつ、１以下である値である。デューティが大きい程、１周期において電圧がハイレベル電圧である期間が長い。
ＰＷＭ信号の電圧がハイレベル電圧である場合、マイコン５０から電流が第１抵抗６０及びキャパシタ６２の順に流れ、キャパシタ６２が充電される。第１抵抗６０の抵抗値をＲ１と記載する。キャパシタ６２のキャパシタンスをＣと記載する。キャパシタ６２の充電速度は、Ｒ１・Ｃで表される第１時定数が大きい程、遅い。ＰＷＭ信号の電圧がローレベル電圧である場合、キャパシタ６２から電流が第１抵抗６０及び第２抵抗６１の順に流れ、キャパシタ６２は放電する。第２抵抗６１の抵抗値をＲ２と記載する。キャパシタ６２の放電速度は、（Ｒ１＋Ｒ２）・Ｃで表される第２時定数が大きい程、遅い。
以上のように、キャパシタ６２は充放電を行うことによって、ＰＷＭ信号の電圧を平滑する。第１時定数及び第２時定数は十分に大きい。このため、キャパシタ６２の両端間の電圧は、１周期のＰＷＭ信号の電圧の平均値に実質的に一致する。キャパシタ６２が平滑した電圧、即ち、キャパシタ６２の両端間の電圧がトランジスタ４０のベースに印加される。トランジスタ４０のベースの電圧Ｖｂは、ＰＷＭ信号のデューティに応じて変化する。ＰＷＭ信号のデューティが大きい程、トランジスタ４０のベースの電圧Ｖｂは高い。
マイコン５０は、ＰＷＭ信号のデューティを調整することによってベースの電圧Ｖｂを調整する。温度検出部２２からマイコン５０に温度情報が出力される。定電流回路３０からマイコン５０に電流情報が出力される。マイコン５０は、温度情報及び電流情報に基づいて、ＰＷＭ信号のデューティ、即ち、ベースの電圧Ｖｂを調整する。
なお、第１抵抗６０を介して、又は、キャパシタ６２からトランジスタ４０のベースに電流が流れ込む。
＜マイコン５０の構成＞
図５はマイコン５０の要部構成を示すブロック図である。マイコン５０は、Ａ／Ｄ変換部７０，７１、信号出力部７２、記憶部７３及び制御部７４を有する。これらは内部バス７５に接続されている。Ａ／Ｄ変換部７０は、更に、温度検出部２２接続されている。Ａ／Ｄ変換部７１は、更に、定電流回路３０の回路抵抗４１の一端に接続されている。信号出力部７２は、更に、平滑回路５１のキャパシタ６２の一端に接続されている。
温度検出部２２からアナログの温度情報がＡ／Ｄ変換部７０に出力される。アナログの温度情報は、例えば、半導体スイッチ２０の周囲温度に応じて変動する電圧である。Ａ／Ｄ変換部７０は、入力されたアナログの温度情報をデジタルの温度情報に変換する。制御部７４は、Ａ／Ｄ変換部７０からデジタルの温度情報を取得する。制御部７４が取得した温度情報が示す半導体スイッチ２０の周囲温度は、取得時点における半導体スイッチ２０の周囲温度と実質的に一致する。
信号出力部７２は、平滑回路５１に向けてＰＷＭ信号を出力している。ＰＷＭ信号のデューティは制御部７４によって調整される。平滑回路５１は、信号出力部７２が出力したＰＷＭ信号の電圧を平滑する。
定電流回路３０からアナログの電流情報がＡ／Ｄ変換部７１に出力される。アナログの電流情報は、前述したように、トランジスタ４０のエミッタの電圧である。Ａ／Ｄ変換部７１は、入力されたアナログの電流情報をデジタルの電流情報に変換する。制御部７４は、Ａ／Ｄ変換部７１からデジタルの電流情報を取得する。制御部７４が取得した電流情報が示す定電流は、取得時点における定電流と実質的に一致する。
記憶部７３は不揮発性メモリである。記憶部７３には、コンピュータプログラムＰが記憶されている。制御部７４は、処理を実行する処理素子、例えば、ＣＰＵ(Central Processing Unit)を有し、処理部として機能する。制御部７４の処理素子は、コンピュータプログラムＰを実行することによって、電流調整処理及び微調整処理を実行する。電流調整処理は、定電流を設定値に調整する処理である。微調整処理は、定電流の微調整を行う処理である。
なお、コンピュータプログラムＰは、制御部７４の処理素子が読み取り可能に記憶媒体Ａに記憶されていてもよい。この場合、図示しない読み出し装置によって記憶媒体Ａから読み出されたコンピュータプログラムＰが記憶部７３に書き込まれる。記憶媒体Ａは、光ディスク、フレキシブルディスク、磁気ディスク、磁気光ディスク又は半導体メモリ等である。光ディスクは、ＣＤ（Compact Disc）－ＲＯＭ(Read Only Memory)、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）－ＲＯＭ、又は、ＢＤ（Blu-ray(登録商標) Disc）等である。磁気ディスクは、例えばハードディスクである。また、図示しない通信網に接続されている図示しない装置からコンピュータプログラムＰをダウンロードし、ダウンロードしたコンピュータプログラムＰを記憶部７３に書き込んでもよい。
制御部７４が有する処理素子の数は、１に限定されず、２以上であってもよい。この場合、複数の処理素子がコンピュータプログラムＰに従って、電流調整処理及び微調整処理等を協同で実行してもよい。
記憶部７３には、コンピュータプログラムＰの他に、半導体スイッチ２０のオン抵抗値に関する基準値を示す基準値データが記憶されている。基準値は、半導体スイッチ２０の周囲温度が所定温度、例えば、２７度である場合における半導体スイッチ２０のオン抵抗値である。半導体スイッチ２０として用いられるスイッチの基準値、即ち、所定温度におけるスイッチのオン抵抗値に関して、製造誤差が存在する。このため、スイッチ制御装置１０の製造者は、スイッチ制御装置１０の半導体スイッチ２０として用いるスイッチについて、事前に、所定温度におけるスイッチのオン抵抗値を測定し、測定したオン抵抗値を示すデータを基準値データとして記憶部７３に記憶する。
記憶部７３には、更に、定電流の設定値を示す設定値データが記憶されている。設定値データが示す設定値は、制御部７４によって更新される。記憶部７３には、更に、オン抵抗値の変化率と半導体スイッチ２０の周囲温度との関係を示すグラフと、ＰＷＭ信号のデューティ及び定電流の設定値の関係を示すグラフとが記憶されている。
図６は、オン抵抗値の変化率と半導体スイッチの周囲温度との関係を示すグラフである。オン抵抗値の変化率は、基準値データが示す基準値との比率である。オン抵抗値が基準値のＸ倍である場合、オン抵抗値の変化率はＸである。Ｘは正の実数である。図６に示すように、オン抵抗値の変化率は半導体スイッチ２０の周囲温度が高い程、高い。
図７は、デューティ及び定電流の設定値の関係を示すグラフである。定電流の設定値がゼロを超える範囲においては、ＰＷＭ信号のデューティの設定値は、定電流の設定値に比例する。定電流の設定値が大きい程、ＰＷＭ信号のデューティは大きい。トランジスタ４０において、基準電位が接地電位であるベースの電圧が一定値以上とならない限り、電流がトランジスタ４０のコレクタ及びエミッタを介して流れない。このため、定電流の設定値がゼロＡである場合におけるデューティの設定値として複数の値が存在する。
オン抵抗値の変化率と半導体スイッチ２０の周囲温度との関係を示すグラフと、デューティ及び定電流の設定値の関係を示すグラフとが記憶部７３に予め記憶されている。
＜電流調整処理＞
図８は電流調整処理の手順を示すフローチャートである。制御部７４は、電流調整処理を周期的に実行する。電流調整処理では、制御部７４は、Ａ／Ｄ変換部７１から温度情報を取得する（ステップＳ１）。次に、制御部７４は、半導体スイッチ２０のオン抵抗値の変化率を、ステップＳ１で取得した温度情報が示す半導体スイッチ２０の周囲温度に対応する変化率に設定する（ステップＳ２）。ステップＳ２では、制御部７４は、例えば、変化率を、オン抵抗値の変化率と半導体スイッチの周囲温度との関係を示すグラフ（図６参照）においてステップＳ１で取得した温度情報が示す周囲温度に対応する変化率に設定する。
なお、変化率を設定する方法は、グラフを用いた方法に限定されず、例えば、オン抵抗値の変化率と半導体スイッチの周囲温度との関係を示す関係式を用いた方法であってもよい。この場合、制御部７４は、関係式において、周囲温度の変数に、ステップＳ１で取得した温度情報が示す周囲温度を代入し、変化率を算出する。制御部７４は、変化率を、算出した変化率に設定する。
次に、制御部７４は、ステップＳ２で設定した変化率に、基準値データが示す基準値を乗算することによって、半導体スイッチ２０のオン抵抗値を算出する（ステップＳ３）。次に、制御部７４は、定電流回路３０が引き込む定電流の設定値を、電流閾値が予め設定されている目標値となる定電流に設定する（ステップＳ４）。前述したように、電流閾値ＩｔｈはＲｃ・Ｉｃ／Ｒｏｈで表される。Ｒｃ、Ｉｃ及びＲｏｎそれぞれは、装置抵抗２１の抵抗値、定電流及びオン抵抗値である。電流閾値の目標値をＩｇをと記載した場合、電流閾値Ｉｔｈが目標値Ｉｇとなる定電流ＩｃはＲｏｎ・Ｉｇ／Ｒｃで表される。
ステップＳ４では、制御部７４は、定電流の設定値をＲｏｎ・Ｉｇ／Ｒｃに設定する。ここで、目標値Ｉｇ及び抵抗値Ｒｃは定数である。オン抵抗値ＲｏｎはステップＳ３で算出したオン抵抗値である。オン抵抗値Ｒｏｎが基準値である場合において、電流閾値Ｉｔｈが目標値Ｉｇとなる定電流Ｉｃを基準電流値と記載する。従って、半導体スイッチ２０の周囲温度が変動に応じてオン抵抗値Ｒｏｎが基準値のＸ倍となったと仮定する。この場合、ステップＳ４では、定電流の設定値は、基準電流値のＸ倍に設定される。前述したように、Ｘは正の実数である。
ステップＳ３で算出したオン抵抗値は、温度情報が示す半導体スイッチ２０の周囲温度に応じた値であるため、ステップＳ４で設定される設定値も半導体スイッチ２０の周囲温度に応じた値である。
次に、制御部７４は、設定値データが示す定電流の設定値を、ステップＳ４で設定した設定値に更新し（ステップＳ５）、ＰＷＭ信号のデューティの設定値を、設定値データが示す定電流の設定値に対応するデューティの設定値に設定する（ステップＳ６）。ステップＳ６では、制御部７４は、例えば、デューティの設定値を、デューティの設定値と定電流の設定値との関係を示すグラフ（図７参照）において、設定値データが示す定電流の設定値に対応する設定値に設定する。
なお、デューティの設定値を設定する方法は、グラフを用いた方法に限定されず、例えば、デューティの設定値と定電流の設定値との関係を示す関係式を用いた方法であってもよい。この場合、制御部７４は、関係式において、定電流の設定値の変数に、設定値データが示す設定値を代入し、デューティの設定値を算出する。制御部７４は、デューティの設定値を、算出した設定値に設定する。
次に、制御部７４は、信号出力部７２が出力しているＰＷＭ信号のデューティを、ステップＳ６で設定したデューティの設定値に調整する（ステップＳ７）。これにより、電流調整器３１が印加しているトランジスタ４０のベースの電圧は、ステップＳ６で設定したデューティの設定値、即ち、ステップＳ４で設定した定電流の設定値に応じた電圧に調整される。前述したように、ベースの電圧は、デューティが大きい程、高い。定電流は、調整されたベースの電圧に対応する値に調整される。前述したように、定電流は、ベースの電圧が高い程、大きい。
制御部７４は、ステップＳ７を実行した後、電流調整処理を終了する。制御部７４は、電流調整処理を周期的に実行することによって、定電流を半導体スイッチ２０のオン抵抗値に応じた値に調整する。
＜電流調整処理の効果＞
図９は電流調整処理の効果の説明図である。図９には、オン抵抗値及び周囲温度の関係を示すグラフと、定電流及び周囲温度の関係を示すグラフと、電流閾値及び周囲温度の関係を示すグラフとが示されている。ここで、周囲温度は、半導体スイッチ２０の周囲温度である。
種々の原因で、半導体スイッチ２０の温度、即ち、半導体スイッチ２０の周囲温度は変動する。図９に示すように、半導体スイッチ２０の周囲温度が変動した場合、半導体スイッチ２０のオン抵抗値も変動する。制御部７４は電流調整処理を周期的に実行する。これにより、定電流は、半導体スイッチ２０の周囲温度に応じてオン抵抗値と同様に変動する。具体的には、周囲温度の変動によって、オン抵抗値が基準値のＸ倍になった場合、電流調整処理において、定電流は、基準電流値のＸ倍に調整される。前述したように、Ｘは正の実数であり、基準電流値は、オン抵抗値が基準値である場合において、電流閾値が目標値となる定電流である。以上のように定電流が調整されるので、電流閾値は、図９に示すように、半導体スイッチ２０の周囲温度に無関係に一定の目標値に維持される。
＜微調整処理＞
図１０は微調整処理の手順を示すフローチャートである。電流調整処理では、定電流が設定値となるように、ＰＷＭ信号のデューティ、即ち、トランジスタ４０のベースの電圧が調整される。しかしながら、電流調整処理の実行によって、実際の定電流が設定値に調整されていない可能性がある。微調整処理は、実際の定電流を設定値に調整する処理である。制御部７４は周期的に微調整処理を実行する。
微調整処理では、制御部７４は、設定値データが示す定電流の設定値を読み出し（ステップＳ１１）、Ａ／Ｄ変換部７１から電流情報を取得する（ステップＳ１２）。前述したように、電流情報は、回路抵抗４１の両端間の電圧であり、実際の定電流を示す。次に、制御部７４は、ステップＳ１２で取得した電流情報が示す実際の定電流がステップＳ１１で読み出した設定値と一致するか否かを判定する（ステップＳ１３）。ここで、ステップＳ１３の「一致」の意味は厳密な意味に限定されない。例えば、実際の定電流と設定値との差分値が所定値未満である場合に、制御部７４は、ステップＳ１３において実際の電流値が設定値と一致していると判定してもよい。この場合、実際の電流値と設定値との差分値が所定値以上である場合に、制御部７４は、ステップＳ１３において実際の電流値が設定値と異なっていると判定する。所定値は、予め設定されており、例えば、誤差と見なすことができる値である。
制御部７４は、実際の定電流が設定値と一致していると判定した場合（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、微調整処理を終了する。制御部７４は、実際の定電流が設定値と一致していない、即ち、実際の定電流が設定値と異なっていると判定した場合（ステップＳ１３：ＮＯ）、ステップＳ１２で取得した電流情報が示す実際の定電流がステップＳ１１で読み出した設定値を超えているか否かを判定する（ステップＳ１４）。制御部７４は、実際の定電流が設定値を超えていると判定した場合（Ｓ１４：ＹＥＳ）、信号出力部７２が出力しているＰＷＭ信号のデューティを下げる（ステップＳ１５）。これにより、トランジスタ４０のベースの電圧が低下し、定電流が低下する。第１例として、デューティの下げ幅は一定値であってもよい。第２例として、デューティの下げ幅は、定電流及び設定値の差分値に応じた幅であってもよい。この場合、差分値が大きい程、下げ幅は大きい。
制御部７４は、実際の定電流が設定値を超えていないと判定した場合（Ｓ１４：ＮＯ）、実際の定電流は設定値未満であるので、信号出力部７２が出力しているＰＷＭ信号のデューティを上げる（ステップＳ１６）。これにより、トランジスタ４０のベースの電圧が上昇し、定電流が上昇する。第１例として、デューティの上げ幅は一定値であってもよい。第２例として、デューティの上げ幅は、定電流及び設定値の差分値に応じた幅であってもよい。この場合、差分値が大きい程、上げ幅は大きい。
制御部７４は、ステップＳ１３において、実際の定電流が設定値と一致すると判定した場合、微調整処理を終了し、実際の定電流が設定値と一致しないと判定した場合、定電流回路３０が有するトランジスタ４０のベース電圧を調整する。このため、ステップＳ１３を実行することは、ステップＳ１２で取得した電流情報が示す定電流と、設定値データ示す設定値との差分値に基づいて、トランジスタ４０のベースの電圧を調整するか否かを判定することに相当する。
制御部７４は、ステップＳ１５又はステップＳ１６を実行した後、ステップＳ１３を再び実行する。制御部７４は、実際の定電流が設定値と異なっている場合、実際の定電流が設定値と一致するまで、信号出力部７２が出力しているＰＷＭ信号のデューティ、即ち、トランジスタ４０のベースの電圧を繰り返し調整する。これにより、制御部７４は、定電流回路３０が引き込む実際の定電流を、設定値データが示す設定値、即ち、電流調整処理のステップＳ４で設定された設定値に一致させることができる。定電流及び設定値に関する「一致」の意味は、前述したように、厳密な意味に限定されない。
＜なお書き＞
電流情報は、回路抵抗４１の両端間の電圧に限定されず、例えば、装置抵抗２１の両端間の電圧であってもよい。この場合、装置抵抗２１の両端間の電圧を、装置抵抗２１の抵抗値で除算することによって、定電流を算出することができる。また、定電流の電流経路において、トランジスタ４０の上流側に抵抗を配置してもよい。この場合、電流情報は、この抵抗の両端間の電圧であってもよい。
ＰＷＭ信号のデューティの調整は、トランジスタ４０のベースの電圧の調整に相当する。このため、マイコン５０は、ＰＷＭ信号のデューティではなく、トランジスタ４０のベースの電圧を直接に調整してもよい。ＰＷＭ信号のデューティが高い程、トランジスタ４０のベースの電圧が高いので、制御部７４は、ベースの電圧の設定値をデューティの設定値と同様に設定する。トランジスタ４０のベースの電圧を直接に調整する構成では、マイコン５０は、信号出力部の代わりに、トランジスタ４０のベースに直接に電圧を印加する電圧印加部を有する。電圧印加部は、トランジスタ４０のベースに接続され、マイコン５０の指示に従って、ベースの電圧を調整する。
（実施形態２）
実施形態１における定電流回路３０はトランジスタ４０及び回路抵抗４１によって実現されている。しかしながら、定電流を引き込む定電流回路の構成は定電流回路３０の構成に限定されない。
以下では、実施形態２について、実施形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成は実施形態１と共通している。このため、実施形態１と共通する構成部には、実施形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
＜電流制御装置の構成＞
図１１は実施形態２における電流制御装置２６ａの要部構成を示すブロック図である。実施形態２におけるスイッチ制御装置１０は、実施形態１におけるスイッチ制御装置１０が有する構成部の中で、電流制御装置２６を除く他の構成部を有する。実施形態２におけるスイッチ制御装置１０は、電流制御装置２６の代わりに、電流制御装置２６ａを有する。電流制御装置２６ａは、定電流回路３０ａ、電流調整器３１ａ及びレギュレータ３２を有する。電流調整器３１ａはマイコン５０を有する。
装置抵抗２１の他端は定電流回路３０ａに接続されている。定電流回路３０ａは接地されている。半導体スイッチ２０のドレインはレギュレータ３２に接続されている。レギュレータ３２は、定電流回路３０と、電流調整器３１ａのマイコン５０に接続されている。温度検出部２２は電流調整器３１ａのマイコン５０に接続されている。マイコン５０は、更に、定電流回路３０に接続されている。
電流調整器３１ａの定電流回路３０ａは、実施形態１における定電流回路３０と同様に、バッテリ１１の正極から、装置抵抗２１を介して定電流を引き込む。レギュレータ３２は、基準電位が接地電位であるバッテリ１１の出力電圧を目標電圧に降圧し、目標電圧を定電流回路３０ａに印加する。これにより、レギュレータ３２から定電流回路３０ａに電流が流れる。目標電圧は基準電位が接地電位である電圧である。レギュレータ３２から定電流回路３０ａに流れる電流を参照電流と記載する。参照電流をＩｒで表す。
定電流回路３０ａが引き込む定電流Ｉｃは、参照電流ＩｒのＫ倍に実質的に一致する。Ｋは正の実数である。参照電流Ｉｒは目標電圧に応じて変化する。このため、目標電圧を調整することによって、定電流Ｉｃが調整される。
マイコン５０は、実施形態１と同様に、温度検出部２２から温度情報を取得する。マイコン５０は、更に、定電流回路３０ａから定電流Ｉｃを示す電流情報を取得する。マイコン５０は、取得した温度情報及び電流情報に基づいて、レギュレータ３２が定電流回路３０ａに印加する電圧を調整する。
以上のように、定電流回路３０ａ及び電流調整器３１ａそれぞれは、実施形態１における定電流回路３０及び電流調整器３１ａと同様に作用する。
＜定電流回路３０ａの構成＞
定電流回路３０ａは、第１回路抵抗８０、第２回路抵抗８１及びカレントミラー回路８２を有する。カレントミラー回路８２は第１トランジスタＢ１及び第２トランジスタＢ２を有する。第１トランジスタＢ１及び第２トランジスタＢ２それぞれはＮＰＮ型のバイポーラトランジスタである。
第１回路抵抗８０の一端は、装置抵抗２１の他端に接続されている。第１回路抵抗８０の他端は、第１トランジスタＢ１のコレクタに接続されている。第２回路抵抗８１の一端はレギュレータ３２に接続されている。第２回路抵抗８１の他端は、第２トランジスタＢ２のコレクタ及びベースに接続されている。第１トランジスタＢ１のベースは第２トランジスタＢ２のベースに接続されている。第１トランジスタＢ１及び第２トランジスタＢ２のエミッタは接地されている。第１回路抵抗８０の両端はマイコン５０に接続されている。
定電流Ｉｃは、バッテリ１１の正極から、装置抵抗２１、第１回路抵抗８０及び第１トランジスタＢ１の順に流れる。第１トランジスタＢ１では、定電流Ｉｃはコレクタ及びベースの順に流れる。参照電流Ｉｒは、レギュレータ３２から、第２回路抵抗８１及び第２トランジスタＢ２の順に流れる。第２トランジスタＢ２では、参照電流Ｉｒの大部分がコレクタ及びベースの順に流れる。第２トランジスタＢ２においてコレクタ及びベースを流れる電流は参照電流Ｉｒと実質的に一致する。
前述したように、第１トランジスタＢ１のエミッタ及びベースそれぞれは、第２トランジスタＢ２のエミッタ及びベースに接続されている。このため、第１トランジスタＢ１におけるベース及びエミッタ間の電圧は、第２トランジスタＢ２におけるベース及びエミッタ間の電圧は一致する。ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタにおいて、コレクタ及びエミッタの順に流れるコレクタ電流は、エミッタ及びベース間の電圧によって決まる。このため、定電流Ｉｃは参照電流ＩｒのＫ倍に調整される。
コレクタ電流とエミッタ及びベース間の電圧との関係をトランジスタ特性と記載する。第１トランジスタＢ１及び第２トランジスタＢ２のトランジスタ特性が同じである場合、定電流Ｉｃは参照電流Ｉｒに実質的に一致する。参照電流Ｉｒは、レギュレータ３２が定電流回路３０ａの第２回路抵抗８１の一端に印加する目標電圧が高い程、大きい。
マイコン５０は、目標電圧の設定値を示す目標情報をレギュレータ３２に出力する。レギュレータ３２は、定電流回路３０ａの第２回路抵抗８１の一端に印加する目標電圧を設定値に調整する。マイコン５０は、種々の設定値を示す目標情報をレギュレータ３２に出力することによって目標電圧を調整する。
第１回路抵抗８０の両端間の電圧は、（第１回路抵抗８０の抵抗値）・Ｉｃで表される。第１回路抵抗８０の抵抗値は一定値であるので、第１回路抵抗８０の両端間の電圧を、第１回路抵抗８０の抵抗値で除算することによって定電流Ｉｃを算出することができる。第１回路抵抗８０の両端間の電圧が、定電流Ｉｃを示す電流情報としてマイコン５０に出力される。
マイコン５０は、温度検出部２２から入力される温度情報と、定電流回路３０ａから入力される電流情報とに基づいて、レギュレータ３２が印加する目標電圧を調整する。
＜マイコン５０の構成＞
図１２はマイコン５０の要部構成を示すブロック図である。実施形態２におけるマイコン５０は、実施形態１におけるマイコン５０が有する構成部の中で、信号出力部７２を除く他の構成部を有する。実施形態２におけるマイコン５０は、信号出力部７２の代わりに、電圧調整部７６を有する。電圧調整部７６は、内部バス７５と、レギュレータ３２とに各別に接続されている。
Ａ／Ｄ変換部７１は、実施形態１と同様に作用する。ただし、Ａ／Ｄ変換部７１に入力される電流情報は、回路抵抗４１の両端間の電圧ではなく、第１回路抵抗の両端間の電圧である。
電圧調整部７６は、種々の設定値を示す目標情報を出力することによってレギュレータ３２が定電流回路３０ａの第２回路抵抗８１の一端に印加する目標電圧を調整する。電圧調整部７６は、制御部７４の指示に従って目標電圧を調整する。
＜電流調整処理＞
制御部７４は、図８に示す実施形態１の電流調整処理と同様の電流調整処理を実行する。実施形態２におけるステップＳ６では、制御部７４は、ＰＷＭ信号のデューティではなく、目標電圧の設定値を、設定値データが示す定電流の設定値に対応する目標電圧の設定値に設定する。ステップＳ６では、実施形態１と同様に、制御部７４は、目標電圧の設定値と定電流の設定値との関係を示すグラフを用いて目標電圧の設定値を設定してもよいし、目標電圧の設定値と定電流の設定値との関係を示す関係式を用いて目標電圧の設定値を設定してもよい。ステップＳ６では、定電流の設定値が大きい程、目標電圧の設定値は大きな値に設定される。
実施形態２におけるステップＳ７では、制御部７４は、電圧調整部７６に指示して、目標電圧をステップＳ６で設定した設定値に調整させる。制御部７４はステップＳ７を実行した後、電流調整処理を終了する。
＜微調整処理＞
制御部７４は、図１０に示す実施形態１の微調整処理と同様の微調整処理を実行する。実施形態２におけるステップＳ１５では、制御部７４は、電圧調整部７６に指示して、ＰＷＭ信号のデューティではなく、目標電圧を下げさせる。第１例として、目標電圧の下げ幅は一定値であってもよい。第２例として、目標電圧の下げ幅は、実際の定電流と定電流の設定値との差分値に応じた幅であってもよい。この場合、差分値が大きい程、下げ幅は大きい。
実施形態２におけるステップＳ１６では、制御部７４は、電圧調整部７６に指示して、ＰＷＭ信号のデューティではなく、目標電圧を上げさせる。第１例として、目標電圧の上げ幅は一定値であってもよい。第２例として、目標電圧の上げ幅は、実際の定電流と定電流の設定値との差分値に応じた幅であってもよい。この場合、差分値が大きい程、上げ幅は大きい。
制御部７４は、実施形態１と同様に、ステップＳ１５又はステップＳ１６を実行した後、ステップＳ１３を再び実行する。制御部７４は、実際の定電流が設定値と異なっている場合、実際の定電流が設定値と一致するまで、レギュレータ３２が印加している目標電圧を繰り返し調整する。これにより、制御部７４は、定電流回路３０が引き込む実際の定電流を、設定値データが示す設定値、即ち、電流調整処理のステップＳ４で設定された設定値に一致させることができる。
＜スイッチ制御装置１０の効果＞
実施形態２におけるスイッチ制御装置１０は、実施形態１におけるスイッチ制御装置１０が奏する効果を同様に奏する。従って、電流閾値が大きく超える過電流が半導体スイッチ２０を介して流れることが防止され、電流閾値が半導体スイッチ２０の周囲温度に依存しない一定値に維持される。
＜実施形態２のなお書き＞
実施形態２において、定電流Ｉｃを調整する方法は、目標電圧を調整する方法に限定されない。目標電圧は固定されていてもよい。この場合、例えば、第１回路抵抗８０の代わりに可変抵抗を接続する。可変抵抗の抵抗値を調整することによって定電流Ｉｃを調整することができる。この構成では、マイコン５０は、目標電圧を調整する代わりに、可変抵抗の抵抗値を調整する。可変抵抗の抵抗値が小さい程、定電流Ｉｃは大きい。従って、目標電圧を下げる代わりに、可変抵抗の抵抗値を上げる。目標電圧を上げる代わりに、可変抵抗の抵抗値を下げる。
実施形態２において、第１トランジスタＢ１及び第２トランジスタＢ２それぞれは、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタに限定されず、例えば、Ｎチャネル型のＦＥＴであってもよい。
＜実施形態１，２の変形例＞
実施形態１における電流制御装置２６又は実施形態２における電流制御装置２６ａが用いられる装置は、スイッチ制御装置１０に限定されない。電流制御装置２６，２６ａそれぞれは、負荷に定電流を供給する装置において用いることができる。
実施形態１，２において、半導体スイッチ２０は、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴに限定されず、周囲温度に応じてオン抵抗値が変動する半導体スイッチであればよい。半導体スイッチ２０は、例えば、周囲温度が低下した場合にオン抵抗値が低下する半導体スイッチであってもよい。
開示された実施形態１，２はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１ 電源システム
１０ スイッチ制御装置
１１ バッテリ
１２ 負荷
２０ 半導体スイッチ
２１ 装置抵抗（第２の抵抗）
２２ 温度検出部
２３ 駆動回路（切替え部）
２４ 制御器
２５ コンパレータ
２６，２６ａ 電流制御装置
３０，３０ａ 定電流回路
３１，３１ａ 電流調整器
３２ レギュレータ
４０ トランジスタ
４１ 回路抵抗
５０ マイコン
５１ 平滑回路
６０ 第１抵抗
６１ 第２抵抗
６２ キャパシタ
７０，７１ Ａ／Ｄ変換部
７２ 信号出力部
７３ 記憶部
７４ 制御部（処理部）
７５ 内部バス
７６ 電圧調整部
８０ 第１回路抵抗
８１ 第２回路抵抗
８２ カレントミラー回路
Ａ 記憶媒体
Ｂ１ 第１トランジスタ
Ｂ２ 第２トランジスタ
Ｐ コンピュータプログラム

Claims (8)

  1. 電圧が印加されており、印加されている電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路と、
    処理を実行する処理部と
    を備え、
    前記処理部は、
    前記定電流回路が引き込む定電流の値を設定し、
    前記定電流回路に印加されている電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整し、
    前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得し、
    取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加されている電圧を調整するか否かを判定する
    電流制御装置。
  2. 前記定電流回路は、
    前記定電流の電流経路にて、コレクタがエミッタの上流側に配置されるＮＰＮ型のバイポーラトランジスタと、
    前記電流経路において、前記バイポーラトランジスタの下流側に配置される抵抗と
    を有し、
    前記処理部は、前記定電流回路が有する前記バイポーラトランジスタのベースの電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整する
    請求項１に記載の電流制御装置。
  3. 前記電流情報は前記抵抗の両端間の電圧である
    請求項２に記載の電流制御装置。
  4. ＰＷＭ信号を出力する信号出力部と、
    前記信号出力部が出力したＰＷＭ信号の電圧を平滑する平滑回路と
    を備え、
    前記平滑回路が平滑した電圧が前記バイポーラトランジスタのベースに印加され、
    前記処理部は、前記ＰＷＭ信号のデューティを、設定した定電流の値に応じたデューティに調整する
    請求項２又は請求項３に記載の電流制御装置。
  5. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電流制御装置と、
    電流が流れる半導体スイッチと、
    前記半導体スイッチの上流側の一端に接続される第２の抵抗と、
    前記半導体スイッチの下流側の一端のスイッチ電圧が、前記第２の抵抗の下流側の一端の抵抗電圧未満である場合に前記半導体スイッチをオフに切替える切替え部と
    を備え、
    前記定電流回路は、前記第２の抵抗を介して前記定電流を引き込む
    スイッチ制御装置。
  6. 前記半導体スイッチの周囲温度を検出する温度検出部を備え、
    前記処理部は、前記温度検出部が検出した周囲温度に応じて、前記定電流回路が引き込む定電流の設定値を設定する
    請求項５に記載のスイッチ制御装置。
  7. 電圧が印加され、印加された電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路の前記定電流の値を設定するステップと、
    前記定電流回路に印加する電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整するステップと、
    前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得するステップと、
    取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加する電圧を調整するか否かを判定するステップと
    をコンピュータが実行する電流制御方法。
  8. 電圧が印加され、印加された電圧に応じた定電流を引き込む定電流回路の前記定電流の値を設定するステップと、
    前記定電流回路に印加する電圧を、設定した定電流の値に応じた電圧に調整するステップと、
    前記定電流回路が引き込む定電流を示す電流情報を取得するステップと、
    取得した電流情報が示す定電流と設定した定電流の値との差分値に基づいて、前記定電流回路に印加する電圧を調整するか否かを判定するステップと
    をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
JP2020051503A 2020-03-23 2020-03-23 電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム Active JP7472577B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020051503A JP7472577B2 (ja) 2020-03-23 2020-03-23 電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム
US17/906,824 US20230370055A1 (en) 2020-03-23 2021-03-04 Current control device, switch control device, current control method, and computer program
PCT/JP2021/008502 WO2021192898A1 (ja) 2020-03-23 2021-03-04 電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム
CN202180020680.1A CN115280258A (zh) 2020-03-23 2021-03-04 电流控制装置、开关控制装置、电流控制方法及计算机程序
DE112021001769.1T DE112021001769T5 (de) 2020-03-23 2021-03-04 Stromsteuervorrichtung, Schaltersteuervorrichtung, Stromsteuerverfahren und Computerprogramm

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020051503A JP7472577B2 (ja) 2020-03-23 2020-03-23 電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021149839A JP2021149839A (ja) 2021-09-27
JP7472577B2 true JP7472577B2 (ja) 2024-04-23

Family

ID=77849183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020051503A Active JP7472577B2 (ja) 2020-03-23 2020-03-23 電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230370055A1 (ja)
JP (1) JP7472577B2 (ja)
CN (1) CN115280258A (ja)
DE (1) DE112021001769T5 (ja)
WO (1) WO2021192898A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006164089A (ja) 2004-12-10 2006-06-22 Sharp Corp 直流安定化電源装置
JP2017229138A (ja) 2016-06-21 2017-12-28 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100622918B1 (ko) * 2005-02-01 2006-09-14 엘지전자 주식회사 이동통신단말기의 배터리 충전전류 자가보상장치 및 이를이용한 보상방법
JP4749049B2 (ja) * 2005-06-15 2011-08-17 ローム株式会社 定電流回路および電子機器
CN201311605Y (zh) * 2008-10-23 2009-09-16 安然 一种恒流控制装置
CN203645132U (zh) * 2013-12-17 2014-06-11 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种dbr电流控制电路以及光模块
CN203645892U (zh) * 2013-12-30 2014-06-11 广东瑞德智能科技股份有限公司 一种恒流可调背光电路
JP6311357B2 (ja) * 2014-03-05 2018-04-18 株式会社オートネットワーク技術研究所 防止装置
CN205179468U (zh) * 2015-11-24 2016-04-20 深圳怡化电脑股份有限公司 一种可调节的恒流驱动电路和红外发光传感器
JP6790350B2 (ja) * 2015-12-03 2020-11-25 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置
CN107479608A (zh) * 2017-09-18 2017-12-15 东莞博力威电池有限公司 一种控制输出恒定电流的电路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006164089A (ja) 2004-12-10 2006-06-22 Sharp Corp 直流安定化電源装置
JP2017229138A (ja) 2016-06-21 2017-12-28 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021192898A1 (ja) 2021-09-30
CN115280258A (zh) 2022-11-01
JP2021149839A (ja) 2021-09-27
DE112021001769T5 (de) 2023-01-05
US20230370055A1 (en) 2023-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9977443B2 (en) Low dropout linear regulators and starting methods therefor
TWI476558B (zh) 電壓調節器
EP3872973A1 (en) Regulator and chip
JP6265092B2 (ja) スイッチング電源装置
JPWO2017098849A1 (ja) 電圧生成回路および過電流検出回路
US20120313609A1 (en) Current limiting circuit
JP2019142377A (ja) 給電制御装置
US20180358806A1 (en) Power supply control apparatus
US20180196453A1 (en) Voltage sensing mechanism to minimize short-to-ground current for low drop-out and bypass mode regulators
JP7472577B2 (ja) 電流制御装置、スイッチ制御装置、電流制御方法及びコンピュータプログラム
JP6543908B2 (ja) 変圧装置
US20190165561A1 (en) Power supply control apparatus, power supply control method, and computer program
TW202010213A (zh) 電池充電電路
US11699952B2 (en) Power supply control device, power supply control method, and computer program
JP7347316B2 (ja) 給電制御装置
JP7404983B2 (ja) 給電制御装置
US11870427B2 (en) Power supply control device
WO2021230051A1 (ja) 給電制御装置
US20230155367A1 (en) Power supply control device, test method, and computer program
US20240178743A1 (en) Latch circuit and power supply control device
US20230402835A1 (en) Power Supply Control Device
JP6760215B2 (ja) 電圧検出器及び信号出力装置
JP2024068841A (ja) リニアレギュレータ
JP5949420B2 (ja) 電源回路
JP4056451B2 (ja) パワーウインド挟み込み防止装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240312

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240325