CN203645132U - 一种dbr电流控制电路以及光模块 - Google Patents

一种dbr电流控制电路以及光模块 Download PDF

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CN203645132U CN201320833595.XU CN201320833595U CN203645132U CN 203645132 U CN203645132 U CN 203645132U CN 201320833595 U CN201320833595 U CN 201320833595U CN 203645132 U CN203645132 U CN 203645132U
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杨思更
赵其圣
李明
路磊
薛登山
贲仕健
闫洪平
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Abstract

本实用新型公开了一种DBR电流控制电路以及光模块，涉及光纤通信技术领域，用以对DBR电流进行精确控制的前提下降低成本。所述DBR电流控制电路包括：电源、微控制器、第一电阻单元、三极管单元；所述第一电阻单元的一端连接所述电源，另一端连接所述三极管单元的集电极；所述微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述第一电阻单元的两端，用于采集所述第一电阻单元两端的电压；所述微控制器的脉宽调制引脚连接所述三极管单元的基极；所述微控制器用于根据所述电压，控制输入到所述三极管单元基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流。

Description

一种DBR电流控制电路以及光模块
技术领域
本实用新型涉及光纤通信技术领域，具体的说，是涉及一种DBR电流控制电路以及光模块。
背景技术
随着时分复用无源光网络（Time Division Multiplexing PassiveOptical Network，简称TDM-PON）、波分复用无源光网络（WavelengthDivision Multiplexing Passive Optical Network，简称WDM-PON）技术的发展，人们成功研制出可调谐激光器，即在同一激光器模块上控制输出一定带宽内的不同波长，且这些波长和间隔满足国际电信联盟远程通信标准化组织（ITU-T）的要求。
现有的可调谐激光器想要实现波长的精确输出就需要对其分布式布拉格反射（Distributed Bragg Reflective，简称DBR）区的电流实现精确控制，目前实现方式为使用微控制器（Microprogrammed ControlUnit，简称MCU，也可称为微处理器、单片机）中集成有高精度14位以上的IDAC（I-Digital Analog Converter，电流型数模转换）输出DBR电流，但是采用集成有高精度14位以上IDAC的MCU的所需的成本很高。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路以及光模块，用以在对DBR电流进行精确控制的前提下降低成本。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路，包括：电源、微控制器、第一电阻单元、三极管单元；
所述第一电阻单元的一端连接所述电源，另一端连接所述三极管单元的集电极；
所述微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述第一电阻单元的两端，用于采集所述第一电阻单元两端的电压；所述微控制器的脉宽调制引脚连接所述三极管单元的基极；所述微控制器用于根据所述电压，控制输入到所述三极管单元基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流。
可选的，所述DBR电流控制电路还包括：第二电阻单元；所述第二电阻单元的一端与所述电源连接、另一端与所述第一电阻单元连接，所述第二电阻单元用于调节所述电源通过所述第一电阻单元输入到所述三极管单元集电极的电流。
可选的，所述DBR电流控制电路还包括：第三电阻单元；
所述第三电阻单元的一端与所述微控制器的脉宽调制引脚连接，另一端与所述三极管单元的基极连接，所述第三电阻单元用于对所述微控制器输入到所述三极管单元基极的电流进行限流保护。
可选的，所述DBR电流控制电路还包括：电容单元；
所述电容单元的一端与所述三极管单元的基极连接，另一端与接地点连接，所述电容单元用于保持所述微控制器输入到所述三极管单元基极电流的稳定。
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路，通过将电阻的一端连接电源，另一端连接三极管的集电极，并将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接电阻的两端，以采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极；微控制器用于根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；通过采用电源、微控制器、电阻、三极管等普通器件的连接，设计了一种DBR电流控制电路，采用集成有普通精度为10位IDAC的MCU，并经过三极管放大以实现对DBR电流的精确控制，无需通过在MCU中集成有高精度的IDAC输出DBR电流，且价格是原来使用高精度IDAC的MCU的1/6，因此降低了成本。
本实用新型实施例还提供了一种DBR电流控制电路，包括：电源、微控制器、三极管单元、第一电阻单元；
所述电源与所述三极管单元的集电极连接；
所述第一电阻单元的一端与所述三极管单元的发射极连接；
所述微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述第一电阻单元的两端，用于采集所述第一电阻单元两端的电压；所述微控制器的脉宽调制引脚连接所述三极管单元的基极；所述微控制器用于根据所述电压，控制输入到所述三极管单元基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流。
可选的，所述DBR电流控制电路还包括：第二电阻单元；所述第二电阻单元的一端与所述电源连接、另一端与所述三极管单元的集电极连接，所述第二电阻单元用于调节所述电源输入到所述三极管单元的集电极电流。
可选的，所述DBR电流控制电路还包括：第三电阻单元；
所述第三电阻单元的一端与所述微控制器的脉宽调制引脚连接，另一端与所述三极管单元的基极连接，所述第三电阻单元用于对所述微控制器输入到所述三极管单元基极的电流进行限流保护。
可选的，所述DBR电流控制电路还包括：电容单元；
所述电容单元的一端与所述三极管单元的基极连接，另一端与接地点连接，所述电容单元用于保持所述微控制器输入到所述三极管单元基极电流的稳定。
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路，通过将电源与三极管单元的集电极连接，将电阻的一端与三极管的发射极连接，且将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述电阻的两端，采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极，微控制器根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；通过采用电源、微控制器、电阻、三极管等普通器件的连接，设计了一种DBR电流控制电路，采用集成有普通精度为10位IDAC的MCU，并经过三极管放大以实现对DBR电流的精确控制，无需通过在MCU中集成有高精度的IDAC输出DBR电流，且价格是原来使用高精度IDAC的MCU的1/6，因此降低了成本。
本实用新型实施例还提供了一种光模块，包括：电路板以及包含有DBR区的激光器；其中，在所述电路板上形成有上述实施例中所描述的DBR电流控制电路，所述DBR电流控制电路用于控制提供给所述激光器DBR区的电流。
本实用新型实施例提供了一种光模块，在该光模块的电路板上形成有用于控制提供给激光器DBR区电流的DBR电流控制电路，该DBR电流控制电路可以为将电阻的一端连接电源，另一端连接三极管的集电极，并将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接电阻的两端，以采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极；微控制器用于根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；或者也可以为将电源与三极管单元的集电极连接，将电阻的一端与三极管的发射极连接，且将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述电阻的两端，采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极，微控制器根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；通过采用电源、微处理器、电阻、三极管等普通器件的连接，设计了一种DBR电流控制电路，采用集成有普通精度为10位IDAC的MCU，并经过三极管放大以实现对DBR电流的精确控制，无需通过在MCU中集成有高精度的IDAC输出DBR电流，且价格是原来使用高精度IDAC的MCU的1/6，因此降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种DBR电流控制电路的示意图；
图2为本实用新型实施例提供的另一种DBR电流控制电路的示意图；
图3为本实用新型实施例提供的一种DBR电流控制电路的实体装置示意图；
图4为本实用新型实施例提供的另一种DBR电流控制电路的示意图；
图5为本实用新型实施例提供的另一种DBR电流控制电路的示意图；
图6为本实用新型实施例提供的另一种DBR电流控制电路的实体装置示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路，如图1所示，包括：电源10、微控制器11、第一电阻单元12、三极管单元13；
所述第一电阻单元12的一端连接所述电源10，另一端连接所述三极管单元13的集电极；
所述微控制器11的第一模数转换引脚（Analog to DigitalConverter，简称ADC1）和第二模数转换引脚（ADC2）分别连接所述第一电阻单元12的两端，用于采集所述第一电阻单元12两端的电压；所述微控制器11的脉宽调制引脚（Pulse-Width Modulation，简称PWM）连接所述三极管单元13的基极；所述微控制器11用于根据所述电压，控制输入到所述三极管单元13基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流。
可选的，如图2所示，所述DBR电流控制电路还包括：第二电阻单元14；所述第二电阻单元14的一端与所述电源10连接、另一端与所述第一电阻单元12连接，所述第二电阻单元用于调节所述电源10通过所述第一电阻单元12输入到所述三极管单元13集电极的电流。
可选的，如图2所示，所述DBR电流控制电路还包括：第三电阻单元15；所述第三电阻单元15的一端与所述微控制器11的脉宽调制引脚连接，另一端与所述三极管单元13的基极连接，所述第三电阻单元用于对所述微控制器11输入到所述三极管单元13基极的电流进行限流保护。
可选的，如图2所示，所述DBR电流控制电路还包括：电容单元16；所述电容单元16的一端与所述三极管单元13的基极连接，另一端与接地点连接，所述电容单元用于保持所述微控制器11输入到所述三极管单元13基极电流的稳定。
其中，上述任一电阻单元可以包括至少一个电阻，当上述任一电阻单元中包含至少两个电阻时，所述电阻单元内的电阻可以并联的，也可以是串联的，且所述电阻的大小可以是固定的，也可以是变化的；上述电容单元可以包括至少一个电容，当上述电容单元中包含至少两个电容时，所述电容单元内的电容可以是并联的，也可以是串联的，且所述电容的大小可以是固定的，也可以是变化的；上述三极管单元可以包括至少一个三极管。
示例的，以所述第一电阻单元12只包含一电阻R1，所述三极管单元13只包含一三极管Q1，所述第二电阻单元14只包含一电阻R3，所述第三电阻单元15只包含一电阻R2，所述电容单元16只包含一电容C1为例，对DBR电流控制电路中各部件间的连接关系进行具体描述。
如图3所示，电阻R3的第一端与电源Vcc连接，第二端与电阻R1的第一端连接；电阻R1的第二端与三极管Q1的集电极（Collector，简称C，即图3中的3）连接，同时，电阻R1的第一端与微处理器（Microprogrammed Control Unit，简称MCU，也可称为微控制器、单片机）的第一模数转化引脚（Analog to Digital Converter，简称ADC；如图3中的ADC1所示）连接，所述电阻R1的第二端与微处理器的第二模数转化引脚ADC2连接；电阻R2的第一端与微处理器的脉冲调制（Pulse-Width Modulation，简称PWM）引脚连接，第二端与三极管Q1的基极（Base，简称B，即图3中的2）连接，电容C1的第一端与三极管Q1的基极连接，第二端与接地点连接，三极管Q1的发射极（Emitter，简称E，即图3中1）输出DBR电流。
其中，电阻R3主要用于调节电源Vcc通过R1输入到三极管Q1集电极的电路，以保证ADC1的输入电压不会超过其输入上限，电容C1是为了保持PWM输出的稳定性，电阻R2起到限流保护的作用。
具体的，电阻R1的两端分别输入到MCU的ADC1、ADC2，假设ADC1和ADC2的电压值分别是Vadc1，Vadc2，那么流过R1的电流为IR1=（Vadc1-Vadc2）/R1，微处理器得到经过R1的电流IR1的大小；当三极管Q1处于导通状态时，Ie=Ib+Ic，由于Ic=βIb，所以Ie≈Ic，那么流过DBR的电流Idbr=Ie=Ic，当需要将Idbr减小时，可以减小PWM的输出电流，进而减小了Ie和Ic，等于减小了Idbr；同样，增大PWM的输出电流，进而增加了Ie和Ic，即可增加通过DBR的电流。进一步，MCU可以通过监控Vadc1，Vadc2，可以监控到Idbr的大小，进而实现对DBR电流的精确控制。
需要说明的是，图3中所描述的DBR电流控制电路仅为方便本实用新型实施例描述的一种结构示意图，图3中用二极管的形式来标识DBR器件，也仅仅是为描述和撰写方便而已，其他任何具有上述特征所构成的DBR电流控制电路，均属于本实用新型实施例所有保护的范围。
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路，通过将电阻的一端连接电源，另一端连接三极管的集电极，并将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接电阻的两端，以采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极；微控制器用于根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；通过采用电源、微控制器、电阻、三极管等普通器件的连接，设计了一种DBR电流控制电路，采用集成有普通精度为10位IDAC的MCU，并经过三极管放大以实现对DBR电流的精确控制，无需通过在MCU中集成有高精度的IDAC输出DBR电流，且价格是原来使用高精度IDAC的MCU的1/6，因此降低了成本。
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路，如图4所示，包括电源40、微控制器41、三极管单元42、第一电阻单元43；
所述电源40与所述三极管单元42的集电极连接；
所述第一电阻单元43的一端与所述三极管单元42的发射极连接；
所述微控制器41的第一模数转换引脚（ADC1）和第二模数转换引脚（ADC2）分别连接所述第一电阻单元43的两端，用于采集所述第一电阻单元43两端的电压；所述微控制器41的脉宽调制引脚（PWM）连接所述三极管单元42的基极；所述微控制器41用于根据所述电压，控制输入到所述三极管单元42基极的电流，进而控制通过发射极输出的并流经所述第一电阻单元43的DBR电流。
可选的，如图5所示，所述DBR电流控制电路还包括：第二电阻单元44；所述第二电阻单元44的一端与所述电源40连接、另一端与所述三极管单元42的集电极连接，所述第二电阻单元用于调节所述电源40输入到所述三极管单元42的集电极电流。
可选的，如图5所示，所述DBR电流控制电路还包括：第三电阻单元45；所述第三电阻单元45的一端与所述微控制器41的脉宽调制引脚连接，另一端与所述三极管单元42的基极连接，所述第三电阻单元用于对所述微控制器41输入到所述三极管单元42基极的电流进行限流保护。
可选的，如图5所示，所述DBR电流控制电路还包括：电容单元46；所述电容单元46的一端与所述三极管单元42的基极连接，另一端与接地点连接，所述电容单元用于保持所述微控制器41输入到所述三极管单元42基极电流的稳定。
其中，上述任一电阻单元可以包括至少一个电阻，当上述任一电阻单元中包含至少两个电阻时，所述电阻单元内的电阻可以并联的，也可以是串联的，且所述电阻的大小可以是固定的，也可以是变化的；上述电容单元可以包括至少一个电容，当上述电容单元中包含至少两个电容时，所述电容单元内的电容可以是并联的，也可以是串联的，且所述电容的大小可以是固定的，也可以是变化的；上述三极管单元可以包括至少一个三极管。
示例的，以所述三极管单元42只包含一三极管Q2，所述第一电阻单元43只包含一电阻R6，所述第二电阻单元44只包含一电阻R5，所述第三电阻单元45只包含一电阻R4，所述电容单元46只包含一电容C2为例，对DBR电流控制电路中各部件间的连接关系进行具体描述。
如图6所示，电阻R4的第一端与电源Vcc连接，第二端与三极管Q2的集电极C（即图6中的3）连接，电阻R5的第一端与微处理器的脉冲调制引脚PWM连接，第二端与三极管Q2的基极B（即图6中的2）连接，电容C2的第一端与三极管Q2的基极连接，第二端与接地点连接，三极管Q2的发射极E（即图6中的1）与电阻R6的第一端连接，微处理器的第一脉冲调制引脚ADC1与电阻R6的第一端连接，第二脉冲调制引脚ADC2与电阻R6的第二端连接。
其中，电阻R4主要用于调节电源输入到三极管Q2的集电极电流，以保证三极管Q2的偏置，电容C2是为了保持PWM输出的稳定性，电阻R5起到限流保护作用。
具体的，电阻R6的两端分别输入到MCU的ADC1、ADC2，假设ADC1和ADC2的电压值分别是Vadc1，Vadc2，那么流过R6的电流为IR6=（Vadc1-Vadc2）/R6；当三极管Q2处于导通状态时，Ie=Ib+Ic，由于Ic=βIb，所以Ie≈Ic，那么流过DBR的电流Idbr=Ie=Ic=IR6。当需要将Idbr减小时，可以减小PWM的输出电流，进而减小了Ie和Ic，等于减小了Idbr；同样，增大PWM的输出电流，进而增加了Ie和Ic，即可增加通过DBR的电流。进一步，MCU可以通过监控Vadc1，Vadc2，可以监控到Idbr的大小，进而实现对DBR器件电流的精确控制。
需要说明的是，图6中所描述的DBR器件的驱动电路仅为方便本实用新型实施例描述的一种结构示意图，图6中用二极管的形式来标识DBR器件，也仅仅是为描述和撰写方便而已，其他任何具有上述特征所构成的DBR电流控制电路，均属于本实用新型实施例所有保护的范围。
本实用新型实施例提供了一种DBR电流控制电路，通过将电源与三极管单元的集电极连接，将电阻的一端与三极管的发射极连接，且将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述电阻的两端，采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极，微控制器根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；通过采用电源、微控制器、电阻、三极管等普通器件的连接，设计了一种DBR电流控制电路，采用集成有普通精度为10位IDAC的MCU，并经过三极管放大以实现对DBR电流的精确控制，无需通过在MCU中集成有高精度的IDAC输出DBR电流，且价格是原来使用高精度IDAC的MCU的1/6，因此降低了成本。
本实用新型实施例还提供了一种光模块，包括：电路板以及包含有DBR区的激光器；其中，在所述电路板上形成有上述实施例中所描述的DBR电流控制电路，所述DBR电流控制电路用于控制提供给所述激光器DBR区的电流。
本实用新型实施例提供了一种光模块，在该光模块的电路板上形成有用于控制提供给激光器DBR区电流的DBR电流控制电路，该DBR电流控制电路可以为将电阻的一端连接电源，另一端连接三极管的集电极，并将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接电阻的两端，以采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极；微控制器用于根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；或者也可以为将电源与三极管单元的集电极连接，将电阻的一端与三极管的发射极连接，且将微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述电阻的两端，采集电阻两端的电压，同时微控制器的脉宽调制引脚连接三极管的基极，微控制器根据电阻两端的电压，控制输入到三极管基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流；通过采用电源、微处理器、电阻、三极管等普通器件的连接，设计了一种DBR电流控制电路，采用集成有普通精度为10位IDAC的MCU，并经过三极管放大以实现对DBR电流的精确控制，无需通过在MCU中集成有高精度的IDAC输出DBR电流，且价格是原来使用高精度IDAC的MCU的1/6，因此降低了成本。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种DBR电流控制电路，其特征在于，包括：电源、微控制器、第一电阻单元、三极管单元；
所述第一电阻单元的一端连接所述电源，另一端连接所述三极管单元的集电极；
所述微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述第一电阻单元的两端，用于采集所述第一电阻单元两端的电压；所述微控制器的脉宽调制引脚连接所述三极管单元的基极；所述微控制器用于根据所述电压，控制输入到所述三极管单元基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流。
2.根据权利要求1所述的DBR电流控制电路，其特征在于，所述DBR电流控制电路还包括：第二电阻单元；所述第二电阻单元的一端与所述电源连接、另一端与所述第一电阻单元连接，所述第二电阻单元用于调节所述电源通过所述第一电阻单元输入到所述三极管单元集电极的电流。
3.根据权利要求1或2所述的DBR电流控制电路，其特征在于，所述DBR电流控制电路还包括：第三电阻单元；
所述第三电阻单元的一端与所述微控制器的脉宽调制引脚连接，另一端与所述三极管单元的基极连接，所述第三电阻单元用于对所述微控制器输入到所述三极管单元基极的电流进行限流保护。
4.根据权利要求3所述的DBR电流控制电路，其特征在于，所述DBR电流控制电路还包括：电容单元；
所述电容单元的一端与所述三极管单元的基极连接，另一端与接地点连接，所述电容单元用于保持所述微控制器输入到所述三极管单元基极电流的稳定。
5.一种DBR电流控制电路，其特征在于，包括：电源、微控制器、三极管单元、第一电阻单元；
所述电源与所述三极管单元的集电极连接；
所述第一电阻单元的一端与所述三极管单元的发射极连接；
所述微控制器的第一模数转换引脚和第二模数转换引脚分别连接所述第一电阻单元的两端，用于采集所述第一电阻单元两端的电压；所述微控制器的脉宽调制引脚连接所述三极管单元的基极；所述微控制器用于根据所述电压，控制输入到所述三极管单元基极的电流，进而控制通过发射极输出的DBR电流。
6.根据权利要求5所述的DBR电流控制电路，其特征在于，所述DBR电流控制电路还包括：第二电阻单元；所述第二电阻单元的一端与所述电源连接、另一端与所述三极管单元的集电极连接，所述第二电阻单元用于调节所述电源输入到所述三极管单元的集电极电流。
7.根据权利要求5或6所述的DBR电流控制电路，其特征在于，所述DBR电流控制电路还包括：第三电阻单元；
所述第三电阻单元的一端与所述微控制器的脉宽调制引脚连接，另一端与所述三极管单元的基极连接，所述第三电阻单元用于对所述微控制器输入到所述三极管单元基极的电流进行限流保护。
8.根据权利要求7所述的DBR电流控制电路，其特征在于，所述DBR电流控制电路还包括：电容单元；
所述电容单元的一端与所述三极管单元的基极连接，另一端与接地点连接，所述电容单元用于保持所述微控制器输入到所述三极管单元基极电流的稳定。
9.一种光模块，其特征在于，包括：电路板以及包含有DBR区的激光器；其中，在所述电路板上形成有权利要求1-8任一项所述的DBR电流控制电路，所述DBR电流控制电路用于控制提供给所述激光器DBR区的电流。
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