JP7458442B2 - 基板容器システム - Google Patents
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Description
本発明は、壊れ易い物品（ウェハ等）が、保管、運搬、輸送の際に、環境汚染を受けることを防止するための運搬可能な容器に関するものであり、特に、容器システム内に浄化気体（パージガス）を分布させることができる容器システムに関するものである。
現代の半導体製造過程では、精密な加工部品（例えば、ウェハ、レチクル／フォトマスク）は、集積回路として製造される前に、複数の処理装置を通して多くの製造工程にかけられる。ウェハは、通常、ウェハの製造施設から他の場所に運搬または輸送され、そこでウェアに対し更なる処理を行う。このような精密装置の移動は、通常、専用の基板容器（例えば、前開き式基板搬送箱：FOUP, Front Opening Unified Pod）によって行われる。
FOUPは、通常、複数の製造工程箇所との間で、300mmまたは450mmのウェハを収納するために使用される。従来、FOUPは、一つのケースを有し、開放された内部空間を規定し、かつ、前記ケース中に複数個のフレームを有し、間隔をあけた複数のウェハを固定するために用いられる。さらに、ケースには、前部開口があり、前部開口は、前面ドア部材によって覆われ、前記前面ドア部材には、シール部材とラッチ機構が組み込まれ、ドアとケースとの間に気密係合を確立している。
理想的には、基板の取込み時や取出し時（例えば、前面ドアを外して内部が露出する時）に、周囲の汚染物質（例えば、空気／粉じん／湿気）が基板容器内に侵入するのを抑制する必要がある。周囲の環境が防塵室であっても、汚染物質が容器内に侵入すると、中に設置された基板の生産性に悪影響を及ぼすことがある。そのため、カートリッジシステムには浄化装置が組み込まれ、カートリッジのロード／アンロード時の浄化処理（purging process）を支援している。
上記問題点に鑑み、本発明は、背面板に容器本体の背面板の高さよりも小さい後部開口を形成し、この後部開口をフィルタユニットで覆うことにより、フィルタユニットによって、非全面的に浄化気体が供給される基板容器システムを提供する。
本発明の一態様によれば、基板容器システムを提供し、容器本体と、フィルタユニットと、後部蓋と、を含む。容器本体は、天面と、天面に対向する底面と、天面と底面を連接する背面板と、を含む。容器本体は、前部開口と、後部開口と、を有し、前部開口は、天面と底面との間に位置し、基板の通過に用いられ、後部開口は、背面板上に位置し、前面開口に対向する。そのうち、背面板は、第一高度を有し、後部開口は、第一高度より小さい第二高度を有する。フィルタユニットは、後部開口を覆う。後部蓋は、容器本体と密接に接合するために用いられ、後部蓋と容器本体との間に、気体誘導通路を形成し、第一高度の方向に延伸する。後部蓋とフィルタユニットが、緩衝室を画定し、気体誘導通路は、出口を有し、緩衝室に接続される。
一つの実施例では、第二高度は、第一高度の約10％から約90％である。
更なる一つの実施例では、第二高度は、第一高度の約10％から約50％であり、かつ、後部開口は、天面に近隣する箇所に位置する。
一つの実施例では、フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は後部開口の面積より大きく、気体放出面は、前記背面板に平行する平面を有する。
更に一つの実施例では、フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は後部開口の面積より大きく、気体放出面は、背面板に対して鋭角である平面を有する。
他の一つの実施例では、フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は後部開口の面積より大きく、気体放出面は、波状面を有する。
その他の一つの実施例では、フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は後部開口の面積より大きく、気体放出面は、後部開口を通過し、容器本体に向かって延伸し、湾曲状輪郭を形成する。
更に一つの実施例では、フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は後部開口の面積より大きく、気体放出面は、後部開口を通過し、後部蓋に向かって延伸し、湾曲状輪郭を形成する。
一つの実施例では、後部蓋は、容器本体に向かって突出する複数個の肋状凸部を有し、フィルタユニットに当接するために用いられ、肋状凸部は、間隔を空けて配置することで、その中に複数個の凹槽を形成し、気体誘導通路の前記出口は、少なくとも凹槽を含む。
一つの実施例では、後部蓋は、気体進入構造を含み、容器本体の底面下方に湾曲して延伸し、気体進入構造は、底面と対向して、下方を向く気体進入溝を含むことで、外部浄化設備に接続する。基板容器システムは、更に、ガスバルブユニットを含み、浄化気体の通過に用いられる。そのうち、気体進入溝は、接続構造を有し、ガスバルブユニットは、接続構造を経由して、気体進入溝に接続する。ガスバルブユニットは、ガスバルブ本体と、第一弾性材料と、を含み、第一弾性材料は、ガスバルブ本体の一側に設置され、並びに、羽根片を有する。ガスバルブユニットが、接続構造に組み込まれた際、羽根片は、形状変更を発生させることで、接続構造と密接な接合を設立する。ガスバルブユニットは、さらに、第二弾性材料を含み、ガスバルブ本体の他の一側に設置され、結合面を有し、外部浄化設備と結合するために用いることで、密接な接合を形成する。
一つの実施例では、基板容器システムは、さらに、密封構造を含み、第一密封環状部と、第二密封環状部と、を有し、第一密封環状部は、後部蓋と容器本体との間に配置され、第二密封環状部は、フィルタユニットと容器本体との間に配置される。
本発明の実施例の基板容器システムのうち、背面版は、第一高度を有し、後部開口は、第一高度より小さい第二高度を有し、フィルタユニットは、後部開口に設置されることで、フィルタユニットが、非全面的に浄化気体を供給し、容器本体の内部空間に高さ方向に異なる浄化気体の流速を有させ、基板の取入れ時または取出し時に、粉じん、粒子、湿気などの汚染物質と共に外部気体が容器本体内に侵入することを防止し、純潔度を維持することができ、湿度の上昇を抑えることができる。
本発明の上記及び他の特徴、利点及び実施例をより明白かつ理解しやすくするために、図面の説明を以下に付す。
本発明における一実施例の基板容器システムの立体分解図である。
本発明における図１の容器本体の立体図である。
本発明における図２の容器本体の概略図である。
本発明における図３の切断線P1に沿った容器本体の断面図である。
本発明における図３の容器本体の背面図である。
本発明における他の実施例の容器本体の背面図である。
本発明におけるその他の実施例の容器本体の背面図である。
本発明における更なる実施例の容器本体の背面図である。
本発明における他の実施例の容器本体の背面図である。
本発明における図１の基板容器システムの組立前の概略図である。
本発明における図１の容器本体、密封構造およびフィルタユニットの組立後の概略図である。
本発明における図１の基板容器システムの組立後の概略図である。
本発明における図１のフィルタユニットの立体図である。
本発明における図１のフィルタユニットの側面図である。
本発明における他の実施例のフィルタユニットの立体図である。
本発明における他の実施例のフィルタユニットの側面図である。
本発明における図１４ｂのフィルタユニットと背面板の概略図である。
本発明における図１４ｃのフィルタユニットと背面板の他の実施例の概略図である。
本発明における他の実施例のフィルタユニットの立体図である。
本発明における他の実施例のフィルタユニットの側面図である。
本発明における更なる実施例のフィルタユニットの立体図である。
本発明における更なる実施例のフィルタユニットの側面図である。
本発明における図１の後部蓋、フィルタユニット、密封構造の組立前の概略図である。
本発明における図１の後部蓋、フィルタユニット、密封構造の組立後の概略図である。
本発明における図１８の切断線P2に沿った立体断面図である。
本発明における図１の基板容器システムの概略図である。
本発明における図２０の切断線P3に沿った断面図である。
本発明における一実施例のガスバルブユニットの立体図である。
本発明における図２２の切断線P4に沿ったガスバルブユニットの断面図である。
本発明におけるガスバルブユニットが気体進入溝に組み立てられたときの概略図である。
本発明における図２２のガスバルブユニットを他の角度から見た立体図である。
本特許発明は、2021年6月30日に出願された「SUBSTRATE CONTAINER SYSTEM」と題する米国特許出願第17/363,328号の国際優先権を主張する。これは2020年5月12日出願の米国出願第16/872,392号の一部継続案(Continuation-In-Part)であり、その内容は参照によりここに組み込まれ、本明細書の一部とされる。
以下、本明細書によって補足された図面を参照しながら、本発明の開示内容をより詳細に説明する。図面に示された本発明の例示的な実施例は、本発明を限定することを意図したものではなく、実際、本発明は多くの異なる形態で実施することができ、本明細書に記載された例示的な実施例に限定されると解釈されるべきでもない。これらの例示的な実施例は、本発明の説明をより開放的かつ完全なものにし、本発明の全範囲を当業者に伝えるために提供される。
実施例の詳細な説明において、同一の絵記号は、同一または類似の構成要素を示す。本明細書で使用される用語は、特定の例示的な実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定することを意図するものではない。本明細書で使用される場合、単数形の「一」、「一つの」および「前述の」は、文脈上明らかに異なることが示されない限り、複数形も含むことが意図されている。その他、本明細書で使用する場合、「含む」、「備える」および「有する」の範囲は、一つまたは複数個の他の特徴、領域、整数、工程、操作、構成要素、ユニットおよび／またはグループの存在または追加を除外しない。
本発明の実施例の基板容器システムにおいて、容器本体の背面板は後部開口を有し、後部開口は非全面的に浄化気体を供給し、容器本体の内部空間に高さ方向に異なる浄化気体の流速を有させることで、粉じん、粒子、湿気などの汚染物質と共に外部気体が容器本体内に侵入することを防止し、清浄性を維持することができ、湿度の上昇を抑えることができる。以下、本発明の本実施例に係る基板容器システムについて、図１～図２５を補足して詳細に説明する。本発明の実施例の図面では、本発明の特徴を明確に説明するために、例示的な基板容器システムの構成要素または構造の一部を図面に示していない。
図１および図２の両方を参照されたい。図１は本発明の実施例に係る基板容器システムの立体分解図であり、図２は図１の容器本体の立体図である。本実施例の基板容器システム2000は、容器本体2100と、フィルタユニット2300と、後部蓋2500と、を含む。基板容器システム2000は、例えば、前開き式基板搬送箱（FOUP, Front Opening Unified Pod）である。本実施例の容器本体2100は、天面2110と、天面2110に対向する底面2130と、天面2110と底面2130とを連結する背面板2150と、を含む。容器本体2100は、前部開口2100aと、後部開口2100bと、を有し、前部開口2100aは、天面2110と底面2130との間に位置し、基板との通過に用いられる。基板容器システム2000は、さらに、前部扉（図示せず）を含み、前部扉は、ラッチ機構と気密構造を備えており、前部扉が前部開口2100aを覆い、容器本体2100にロックされると、前部扉と容器本体2100は気密な内部空間を形成することで、高純潔度を要するウェハやフォトマスク等の基板の搬送を可能にする。
本実施例では、容器本体2100は、プラスチックから一体形成され、さらに、二つの側壁2170を含み、天面2110と底面2130との間に接続され、二つの側壁2170は、それぞれ背面板2150の反対の両側に位置している。全体として、容器本体2100は、天面2110、底面2130、二つの側壁2170および背面板2150を経由して、基板収納用の一つの箱を形成している。前部開口2100aは、天面2110、底面2130および二つの側壁2170によって形成され、後部開口2100bよりも幅および高さが広くなっている。
図３及び図４の両方を参照されたい。図３は図２の容器本体2100の概略図であり、図４は図３の断面P1に沿った容器本体2100の断面を示している。後部開口2100bは、背面板2150に位置し、前部開口2100aと相対する。そのうち、背面板2150は、第一高度H1を有し、後部開口2100bは、第一高度H1より小さい第二高度H2を有する。天面2110と底面2130との距離は、前部開口2100aおよび後部開口2100bの方向において、背面板2150の位置まで徐々に小さくなっている。背面板2150は、天面2110と底面2130とに、背面板2150の第一高度H1は、この箇所で容器本体2100の高さとほぼ等しくなっている。後部開口2100bの第二高度H2は、背面板2150の第一高度H1よりも小さく、後部開口2100bが背面板2150全体を占めず、後部開口2100bは非全面的に形成されていることが分かる。
前述によれば、後部開口部2100bの第二高度H2は、背面板2150の第一高度H1より小さく、一実施例では、第二高度H2は第一高度H1の約10％～約90％である。更なる実施例では、第二高度H2は第一高度H1の約10％～約50％であり、後部開口2100bは上面2110に隣接した箇所に位置する。
図５を参照されたい。図５は、図３の容器本体の背面図を示している。図５の実施例では、第二高度H2は第一高度H1の約40％であり、後部開口2100bは天面2110に隣接して位置し、すなわち後部開口2100bは天面2110に近い上方に位置する。
図６を参照されたい。図６は、本発明の他の実施例の容器本体の背面図を示す。図６の実施形態では、第二高度H2(i)は、第一高度H1(i)の約90％であり、後部開口2100b(i)は、天面2110(i)に隣接した箇所に位置する。
図７を参照されたい。図７は、本発明の他の実施例の容器本体の背面図を示す。図７の実施形態では、第二高度H2(ii)は、第一高度H1(ii)の約10％であり、後部開口2100b(ii)は、天面2110(ii)に隣接した箇所に位置する。
図８を参照されたい。図８は、本発明の他の実施例の容器本体の背面図を示す。図８の実施形態では、第二高度H2(iii)は、第一高度H1(iii)の約50％であり、後部開口2100b(iii)は、天面2110(iii)に隣接した箇所に位置する。
図９を参照されたい。図９は、本発明の他の実施例の容器本体の背面図を示す。図９の実施形態では、第二高度H2(iv)は、第一高度H1(iv)の約20％であり、後部開口2100b(iv)は、天面2110(iv)から距離を有している。
前述した多様な第一高度H1(i)～H1(iv)と第二高度H2(i)～H2(iv)の実施例は、本発明を制限するものではなく、第二高度H2が第一高度H1の約10％～約90％であれば、本発明の範囲内である。その他、後部開口2100bのより良い高さ方向は、天面2110付近の上方に位置しており、浄化気体を供給する際に、異なる高さで異なる流速の浄化気体を供給できるようになっているが、この点については後述する。
図１０～図１２も参照されたい。図１０は図１の基板容器システムの組立前の概略図であり、図１１は図１の容器本体、密封構造およびフィルタユニットの組立後の概略図であり、図１２は図１の基板容器システムの組立後の概略図である。本実施例の基板容器システム2000では、フィルタユニット2300が後部開口2100bを覆う。後部蓋2500は、容器本体2100と密接に接合するために用いられ、後部蓋2500と容器本体2100との間に、気体誘導通路2140を形成し、第一高度H1の方向に延伸する。後部蓋2500とフィルタユニット2300が、共同で緩衝室2340を画定し、気体誘導通路2140は、出口2140aを有し、緩衝室2340に接続される。
基板容器システム2000に浄化気体が供給された後、浄化気体は、底部から気体誘導通路2140に入り、その後、第一高度H1の方向に拡散移動し、出口2140aから緩衝室2340に入る。フィルタユニット2300は多孔質材料で、例えば多孔質の焼結材料から一体に形成され、その材料は、例えば、セラミック材料やポリマー材料に限定しない材料とすることができる。浄化気体が緩衝室2340に入り、設計された圧力しきい値（または飽和圧力）まで蓄積されると、浄化気体はフィルタユニット2300を均一に透過し、圧力は浄化動作中に一定のレベルに維持される。
フィルタユニット2300は、好ましくは、プレート構造であり、容器本体2100の内部空間に面する気体放出面2310を有する。プレート構造のフィルタユニット2300の設計を通じて、他の従来のタイプのフィルタユニット（例えば、柱状のガス拡散塔）と比較すると、気体放出面積が同じ条件下で、プレート構造のフィルタユニット2300の内部は、より大きな通気空間を有し（相対的に、柱状のガス拡散塔の内部の通気空間は、より小さい）、プレート構造のフィルタユニット2300の気体放出面2310は、全面が容器本体2100の内部空間に向かっており、浄化ガスを拡散させるので（相対的に、柱状のガス拡散塔の気体放出面は、一部が容器後方に向かっており、浄化気体を拡散させる）、浄化効率を高めることができる。
図１、図１３ａ、及び図１３ｂを参照されたい。図１３ａ及び図１３ｂは、それぞれ図１のフィルタユニットの立体図と側面図である。フィルタユニット2300の気体放出面2310の面積は、後部開口2100bの面積よりも大きい。浄化気体は気体放出面2310から均一に安定的に透過した後、容器本体2100の内部空間に入り、基板に対する浄化動作を行う。本実施例では、気体放出面2310は波状面を有し、気体放出面は凹凸起伏状態である。組み立て時には、前記気体放出面2310は、後部開口2100bを通過して容器本体2100の内部（例えば、図１及び図１０に示す延伸方向Dに沿って）に延伸して進入するので、気体放出面の面積が増加し、浄化効率を高めることができる。
図１４ａ～図１４ｃを参照されたい。図１４ａ及び図１４ｂは、それぞれ他の実施例のフィルタユニットの立体図と側面図であり、図１４ｃは図１４ｂのフィルタユニットと背面板の概略図である。フィルタユニット2300(i)の気体放出面2310(i)の面積は、後部開口2100bの面積よりも大きい。浄化気体は気体放出面2310(i)から均一に安定的に透過した後、容器本体2100の内部空間に入り、基板に対する浄化動作を行う。本実施例では、気体放出面2310(i)は、背面板2150の平面と平行である面を有し、浄化気体の透過の均一化に寄与する。組み立て時には、気体放出面2310(i)は、後部開口2100bを通過して容器本体2100の内部（例えば、図１および図１０に示す延伸方向Dに沿って）に延伸して進入するので、浄化効率を高めることができる。
図１４ｄを参照されたい。図１４ｄは、図１４ｃのフィルタユニットと背面板の他の実施例の概略図である。別の実施例では、フィルタユニット2300(i)’の気体放出面2310(i)’は、背面板2150に対して鋭角である平面を有する。このような実施例では、平面は背面板2150と平行ではなく、容器本体2100の天面2110又は底面2130に向かって任意に傾斜させることが可能で、気体放出面2310(i)’から気体が透過する角度を調整することができる。ここで説明した平面と背面板2150との間に形成される鋭角は、製品のニーズまたは仕様に応じて調整することが可能である。
図１５ａ及び図１５ｂの両方を参照されたい。図１５ａ及び図１５ｂは、それぞれ他の実施例のフィルタユニットの立体図と側面図である。フィルタユニット2300(ii)の気体放出面2310（ii）の面積は、後部開口2100bの面積よりも大きい。浄化気体は気体放出面2310(ii)から均一に安定的に透過した後、容器本体2100の内部空間に入り、基板に対する浄化動作を行う。本実施例では、気体放出面2310(ii)は、後部開口2100bを通過し、後部蓋2500に向かって延伸し（例えば、図１及び図１０に示す延伸方向Dの反対方向に沿って）、湾曲状輪郭を形成することにより、凹状態を形成し、気体放出面2310(ii)の面積を増やすことができるので、浄化効率を高めることができる。
図１６ａ及び図１６ｂの両方を参照されたい。図１６ａ及び図１６ｂは、それぞれ更なる実施例のフィルタユニットの立体図と側面図である。フィルタユニット2300(iii)の気体放出面2310（iii）の面積は、後部開口2100bの面積よりも大きい。浄化気体は気体放出面2310(iii)から均一に安定的に透過した後、容器本体2100の内部空間に入り、基板に対する浄化動作を行う。本実施例では、気体放出面2310(iii)は、後部開口2100bを通過し、容器本体2100に向かって延伸し（例えば、図１及び図１０に示す延伸方向Dに沿って）、湾曲状輪郭を形成することにより、凸状態を形成し、気体放出面2310(iii)の面積を増やすことができるので、浄化効率を高めることができる。
次に、図１７～図１９を参照されたい。図１７は、図１の後部蓋、フィルタユニット、密封構造の組立前の概略図、図１８は、図１の後部蓋、フィルタユニット、密封構造の組立後の概略図、図１９は、図１８の切断線P2に沿った立体断面図である。本実施例では、後部蓋2500は、容器本体2100に向かって（図１及び図１０に示す延伸方向Dに沿って）突出する多数の肋状凸部2510を有し、フィルタユニット2300に当接するために用いられる。多数の肋状凸部2510は、間隔を空けて配置することで、その中に多数の凹槽2510aを形成し、気体誘導通路2140の前記出口2140aは、少なくともこれらの凹槽2510aを含む。
図１、図１０、及び図１７～図１９を参照されたい。基板容器システム2000は、さらに密封構造2700を含み、密封構造2700は、第一密封環状部2710及び第二密封環状部2720を有する。第一密封環状部2710は、後部蓋2500と容器本体2100との間に配置され、第二密封環状部2720は、フィルタユニット2300と容器本体2100との間に配置される。後部蓋2500は、第一密封環状部2710を経由して容器本体2100との間に密接な接合を確立し、フィルタユニット2300は、第二密封環状部2720を経由して容器本体2100に対向する後部開口2100bの周囲部分に密接な接合を確立する。このように、密封構造2700を容器本体2100と後部蓋2500との間に設けることで、両者間の気体誘導通路2140の気密性を高めることで、気体漏れを防止し、浄化気体がフィルタユニット2300を透過してのみ、容器本体2100の内部空間に侵入することを確実にする。
続いて、浄化気体が基板容器システム2000に進入する流入端について説明する。図１７～図２１を参照されたい。図２０は、図１の基板容器システム及び切断線P3の概略図であり、図２１は、図２０の切断線P3に沿った断面図である。基板容器システム2000の裏部蓋2500は、気体進入構造2540を含み、容器本体2100の底面2130の下方に湾曲して延びている。気体進入構造2540は、気体進入溝2541を含み、気体進入溝2541は、容器本体の底面2130に対向し、下向きであり、これによって外部浄化装置（この周辺要素は図面せず）に接続する。気体進入構造2540は、気体誘導通路2140と接続し、本実施例に係る気体進入構造2540と気体誘導通路2140は、一対となる配置であり、それぞれ後部開口2100bに相対する両側に位置する（図１及び図１７に示す）。
基板容器システム2000は、さらに、ガスバルブユニット2900を含み、浄化気体の通過に用いられる。そのうち、気体進入溝2541は、接続構造2542を有し、ガスバルブユニット2900は、接続構造2542を経由して、気体進入溝2541に接続する。
引き続き図２１を参照されたい。浄化気体は、ガスバルブユニット2900を経由して気体進入構造2540に入り、気体誘導通路2140に沿って上方に拡散し（図中の黒色の太い破線矢印で示すように）、気体誘導通路の出口2140a（図２１には図示せず）を通過して緩衝室2340に入る。浄化気体は、緩衝室2340において飽和圧力に達すると、気体放出面2310を経由して容器本体2100の内部空間に向かって均一に透過する。容器本体2100の高さ方向において、フィルタユニット2300の位置に対応する浄化気体の流速は、他の部分の浄化気体の流速よりも大きく、すなわち、浄化気体は、高さによって異なる流速を有することになる。図２１の実施例を例として、フィルタユニット2300は容器本体2100の上部に位置するので、浄化気体の容器本体2100の上部における流速は、容器本体2100の下部における流速よりも大きく、容器本体2100内の上下の中空矢印で示すとおりである。同じ浄化気体流速の条件下で、全面の均一な吹出と比較して、本発明の実施例の非全面吹出は、上部での流速は、下部での流速よりも大きくなり、前面ドアが開く際に、上から下に吹出る外気によって運ばれる外部気体が粉じん、粒子、湿気などの汚染物質と共に容器本体2100内に侵入することを防止し、清浄性を維持することができ、湿度の上昇を抑えることができる。
次に、ガスバルブユニット2900について詳しく説明する。図２２～図２４を参照されたい。図２２は本発明における一実施例のガスバルブユニットの立体図であり、図２３は図２２の切断線P4に沿ったガスバルブユニットの断面図であり、図２４はガスバルブユニットが気体進入溝に組み立てられたときの概略図である。ガスバルブユニット2900は、ガスバルブ本体2930と、第一弾性材料2910とを含む。第一弾性材料2910は、ガスバルブ本体2930の一側に設置され、並びに、羽根片2911を有する。ガスバルブユニット2900が気体進入溝2541の接続構造2542に組み込まれた際、羽根片2911は、形状変更を発生させることで、接続構造2542と密接な接合を設立する。
一実施例において、接続構造2542は筒状のスリーブであり、バルブユニット2900を差し込むために用いられる。羽根片2911は、第一弾性材料2910の外表面から突出し、外側に向かってある程度の距離分延伸している。ガスバルブユニット2900が接続構造2542に組み込まれた際、羽根片2911は接続構造2542と干渉して湾曲することで（図２４に示す）、羽根片2911は、接続構造2542と密接な接合を設立する。
図２３～図２５を参照されたい。図２５は、図２２のガスバルブユニットを他の角度から見た立体図である。ガスバルブユニット2900は、さらに、第二弾性材料2920を含み、第二弾性材料2920は、ガスバルブ本体2930の他の一側に設置され、結合面2921を有し、外部浄化設備と結合するために用いることで、密接な接合を形成する。本実施例では、第一弾性材料2910及び第二弾性材料2920は、ガスバルブ本体2930の対向する両側に位置し、第二弾性材料2920を用いて、外部浄化装置と結合面2921の密接な接合を形成することで、気体漏れを防止し、浄化効率を高めることができる。
前述の詳細な説明で挙げた複数の実施例によれば、基板容器システムであって、容器本体と、フィルタユニットと、後部蓋と、を含み、容器本体は、天面と、天面に対向する底面と、天面と底面を連接する背面板と、を含み、容器本体は、前部開口と、後部開口と、を有し、前部開口は、天面と底面との間に位置し、基板の通過に用いられ、後部開口は、背面板上に位置し、前面開口に対向し、そのうち、背面板は、第一高度を有し、後部開口は、第一高度より小さい第二高度を有することと、フィルタユニットは、後部開口を覆うことと、及び、後部蓋は、容器本体と密接に接合するために用いられ、後部蓋と容器本体との間に、気体誘導通路を形成し、第一高度の方向に延伸し、後部蓋とフィルタユニットが、緩衝室を画定し、気体誘導通路は、出口を有し、緩衝室に接続されることと、を特徴とする基板容器システムを提供する。容器本体の背面板は後部開口を有し、後部開口は非全面的に浄化気体を供給し、容器本体の内部空間に高さ方向に異なる浄化気体の流速を有させることで、粉じん、粒子、湿気などの汚染物質と共に外部気体が容器本体内に侵入することを防止し、清浄性を維持することができ、湿度の上昇を抑えることができる。
以上、本発明を多数の実施例を用いて示したが、これらに本発明を限定する意図はない。当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、様々な変更や修正を行うことができ、したがって、本発明の保護範囲は、本願と共に提出された特許請求の範囲に含まれる。
2000 基板容器システム
2100 容器本体
2100a 前部開口
2100b 後部開口
2100b(i) 後部開口
2100b(ii) 後部開口
2100b(iii) 後部開口
2100b(iv) 後部開口
2110 天面
2110(i) 天面
2110(ii) 天面
2110(iii) 天面
2110(iv) 天面
2130 底面
2140 気体誘導通路
2140a 出口
2150 背面板
2170 側壁
2300 フィルタユニット
2300(i) フィルタユニット
2300(i)’ フィルタユニット
2300(ii) フィルタユニット
2300(iii) フィルタユニット
2310 気体放出面
2310(i) 気体放出面
2310(i)’ 気体放出面
2310(ii) 気体放出面
2310(iii) 気体放出面
2340 緩衝室
2500 後部蓋
2510 肋状凸部
2510a 凹槽
2540 気体進入構造
2541 気体進入溝
2542 接続構造
2700 密封構造
2710 第一密封環状部
2720 第二密封環状部
2900 ガスバルブユニット
2910 第一弾性材料
2911 羽根片
2920 第二弾性材料
2921 結合面
2930 ガスバルブ本体
D 延伸方向
H1 第一高度
H1(i) 第一高度
H1(ii) 第一高度
H1(iii) 第一高度
H1(iv) 第一高度
H2 第二高度
H2(i) 第二高度
H2(ii) 第二高度
H2(iii) 第二高度
H2(iv) 第二高度
P1 切断線
P2 切断線
P3 切断線
P4 切断線
2100 容器本体
2100a 前部開口
2100b 後部開口
2100b(i) 後部開口
2100b(ii) 後部開口
2100b(iii) 後部開口
2100b(iv) 後部開口
2110 天面
2110(i) 天面
2110(ii) 天面
2110(iii) 天面
2110(iv) 天面
2130 底面
2140 気体誘導通路
2140a 出口
2150 背面板
2170 側壁
2300 フィルタユニット
2300(i) フィルタユニット
2300(i)’ フィルタユニット
2300(ii) フィルタユニット
2300(iii) フィルタユニット
2310 気体放出面
2310(i) 気体放出面
2310(i)’ 気体放出面
2310(ii) 気体放出面
2310(iii) 気体放出面
2340 緩衝室
2500 後部蓋
2510 肋状凸部
2510a 凹槽
2540 気体進入構造
2541 気体進入溝
2542 接続構造
2700 密封構造
2710 第一密封環状部
2720 第二密封環状部
2900 ガスバルブユニット
2910 第一弾性材料
2911 羽根片
2920 第二弾性材料
2921 結合面
2930 ガスバルブ本体
D 延伸方向
H1 第一高度
H1(i) 第一高度
H1(ii) 第一高度
H1(iii) 第一高度
H1(iv) 第一高度
H2 第二高度
H2(i) 第二高度
H2(ii) 第二高度
H2(iii) 第二高度
H2(iv) 第二高度
P1 切断線
P2 切断線
P3 切断線
P4 切断線
Claims (14)
- 基板容器システムであって、
容器本体と、フィルタユニットと、後部蓋と、を含み、
前記容器本体は、天面と、前記天面に対向する底面と、前記天面と前記底面を連接する背面板と、を含み、前記容器本体は、前部開口と、後部開口と、を有し、前記前部開口は、前記天面と前記底面との間に位置し、基板の通過に用いられ、前記後部開口は、前記背面板上に位置し、前記前部開口に対向し、そのうち、前記背面板は、第一高度を有し、前記後部開口は、前記第一高度より小さい第二高度を有することと、
前記フィルタユニットは、前記後部開口を覆うことと、
前記後部蓋は、前記容器本体と密接に接合するために用いられ、前記後部蓋と前記容器本体との間に、気体誘導通路を形成し、前記第一高度の方向に延伸し、前記後部蓋と前記フィルタユニットが、緩衝室を画定し、前記気体誘導通路は、出口を有し、緩衝室に接続されることと、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記第二高度は、前記第一高度の約10％から約90％であること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項2に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記第二高度は、前記第一高度の約10％から約50％であり、かつ、前記後部開口は、前記天面に近隣する箇所に位置すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は前記後部開口の面積より大きく、前記気体放出面は、前記背面板に平行する平面を有すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は前記後部開口の面積より大きく、前記気体放出面は、前記背面板に対して鋭角である平面を有すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は前記後部開口の面積より大きく、前記気体放出面は、波浪面を有すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は前記後部開口の面積より大きく、前記気体放出面は、前記後部開口を通過し、前記容器本体に向かって延伸し、湾曲状輪郭を形成すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記フィルタユニットは、気体放出面を有し、その面積は前記後部開口の面積より大きく、前記気体放出面は、前記後部開口を通過し、前記後部蓋に向かって延伸し、湾曲状輪郭を形成すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、
前記後部蓋は、前記容器本体に向かって突出する複数個の肋状凸部を有し、前記フィルタユニットに当接するために用いられ、前記肋状凸部は、間隔を空けて配置することで、その中に複数個の凹槽を形成し、前記気体誘導通路の前記出口は、少なくとも前記凹槽を含むこと、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、さらに、
密封構造を含み、
前記密封構造は、第一密封環状部と、第二密封環状部と、を有し、前記第一密封環状部は、前記後部蓋と前記容器本体との間に配置され、前記第二密封環状部は、前記フィルタユニットと前記容器本体との間に配置されること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項1に記載された基板容器システムであって、そのうち、前記後部蓋は、
気体進入構造を含み、
前記気体進入構造は、前記容器本体の前記底面下方に湾曲して延伸し、前記気体進入構造は、前記底面と対向して、下方を向く気体進入溝を含むことで、外部浄化設備に接続すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項11に記載された基板容器システムであって、さらに、
ガスバルブユニットと、を含み、
前記ガスバルブユニットは、浄化気体の通過に用いられ、そのうち、前記気体進入溝は、接続構造を有し、前記ガスバルブユニットは、前記接続構造を経由して、前記気体進入溝に接続すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項12に記載された基板容器システムであって、そのうち、前記ガスバルブユニットは、
ガスバルブ本体と、第一弾性材料と、を含み、
前記第一弾性材料は、前記ガスバルブ本体の一側に設置され、並びに、羽根片を有し、前記ガスバルブユニットが、前記接続構造に組み込まれた際、前記羽根片は、形状変更を発生させることで、前記接続構造と密接な接合を設立すること、を特徴とする基板容器システム。 - 請求項13に記載された基板容器システムであって、そのうち、前記ガスバルブユニットは、さらに、
第二弾性材料と、を含み、
前記第二弾性材料は、前記ガスバルブ本体の他の一側に設置され、結合面を有し、前記外部浄化設備と結合するために用いることで、密接な接合を形成すること、を特徴とする基板容器システム。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122382A (ja) | 2000-01-28 | 2002-04-26 | Ebara Corp | 基板容器 |
| JP2002170874A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Ebara Corp | 基板搬送容器 |
| JP2002176097A (ja) | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Ebara Corp | 基板搬送容器およびその使用方法 |
| JP2013070014A (ja) | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Gugeng Precision Industrial Co Ltd | 大型前面開閉一体型ウェハポッド |
| US20150357218A1 (en) | 2014-06-09 | 2015-12-10 | Gudeng Precision Industrial Co., Ltd | Gas distributor used in wafer carriers |
| WO2016013536A1 (ja) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
| JP2016096184A (ja) | 2014-11-12 | 2016-05-26 | ミライアル株式会社 | ガスパージ用フィルタ |
| JP2017005082A (ja) | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
| JP2018198332A (ja) | 2018-09-05 | 2018-12-13 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
| JP2021015951A (ja) | 2019-07-13 | 2021-02-12 | 家登精密工業股▲ふん▼有限公司 | 基板キャリア及びその気体拡散モジュール |
| JP2021032415A (ja) | 2019-08-16 | 2021-03-01 | 家登精密工業股▲ふん▼有限公司 | 急速解放弁モジュール、急速解放弁モジュールを備えたレクチルポッド、および、レクチルポッド上に急速解放弁モジュールを迅速に設けるための方法 |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
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| KR102469954B1 (ko) * | 2017-07-14 | 2022-11-23 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 수납 용기 |
| WO2020065968A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | ミライアル株式会社 | 基板収納容器 |
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122382A (ja) | 2000-01-28 | 2002-04-26 | Ebara Corp | 基板容器 |
| JP2002170874A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Ebara Corp | 基板搬送容器 |
| JP2002176097A (ja) | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Ebara Corp | 基板搬送容器およびその使用方法 |
| JP2013070014A (ja) | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Gugeng Precision Industrial Co Ltd | 大型前面開閉一体型ウェハポッド |
| US20150357218A1 (en) | 2014-06-09 | 2015-12-10 | Gudeng Precision Industrial Co., Ltd | Gas distributor used in wafer carriers |
| WO2016013536A1 (ja) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
| JP2016096184A (ja) | 2014-11-12 | 2016-05-26 | ミライアル株式会社 | ガスパージ用フィルタ |
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