JP7454772B2 - 積層体及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体及びその製造方法に関する。

基材と、前記基材の一方の面上に設けられた金属銀層と、を備えた積層体は、前記金属銀層の配置形態に応じて、種々の用途に利用できる。

例えば、金属銀層が線状である場合には、金属銀層を配線として機能させることができ、その場合の前記積層体は、配線基板として利用できる。
また、例えば、金属銀層の表面積が広目である場合には、金属銀層の表面を鏡面として利用できる。
また、例えば、金属銀層の全体形状が意匠性を有する場合には、前記積層体は、化粧板として利用できる。
なお、ここに挙げたものは、積層体の用途の一例であり、積層体の用途はこれらに限定されない。

このような積層体の製造方法は、これまでにいくつか開示されているが、インクジェット印刷法により、金属銀粒子を含むインクを基材上に吐出し、吐出後のインクを必要に応じて乾燥させた後、金属銀粒子を焼結することにより、金属銀層を基材上に形成して、積層体を得る方法が開示されている。この方法は、インクジェット印刷法を適用することで、簡便なプロセスによって、設計の自由度が高い金属銀層を形成できるため、他の方法よりも有用性が高い。

しかし、インクジェット印刷法を適用する場合には、吐出後のインクが基材上で滲むことがあるため、目的とする形状やサイズを高精度に実現した金属銀層を形成するためには、この滲みを抑制する必要がある。

このような滲みを抑制して、インクジェット印刷法により、金属銀層を基材上に形成する方法としては、撥液性を有する基材上に、濡れ性向上剤と金属銀粒子を含む金属インクを、インクジェット印刷法により吐出し、金属銀粒子を焼結することにより、滲みが抑制された金属銀の配線パターンを形成する方法が開示されている（特許文献１参照）。
また、基材上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にカップリング剤膜を形成し、前記カップリング剤膜上に、金属銀粒子を含む導電性インクを、インクジェット印刷法により吐出し、金属銀粒子を焼結することにより、滲みが抑制された金属銀の配線パターンを形成する方法が開示されている（特許文献２参照）。
また、撥液性を有する基材上に、中間層を形成し、前記中間層上に、金属銀粒子を含む液体材料を、インクジェット印刷法により吐出し、金属銀粒子を焼結することにより、滲みが抑制され、基材との密着性が高い金属銀の配線を形成する方法が開示されている（特許文献３参照）。

特開２０１９－９６４４２号公報 特開２０１０－１８２７７６号公報 特許第４０６８８８３号公報

しかし、特許文献１で開示されている方法では、金属インクが、濡れ性向上剤を含んでいることによって、その保存安定性が低いという問題点があった。
特許文献２で開示されている方法では、基材上に絶縁層を形成し、さらに絶縁層上にカップリング剤膜を形成する必要があるため、積層体の製造方法が煩雑であるという問題点があった。
特許文献３で開示されている方法では、基材の撥液処理と、さらに中間層の形成が必要であるため、積層体の製造方法が煩雑であるという問題点があった。

本発明は、基材と、前記基材上に設けられた金属銀層と、を備えた積層体であって、金属銀層を形成可能で、濡れ性向上剤の配合が不要な銀インク組成物を、インクジェット印刷法によって、基材上に吐出する工程を有し、基材上での銀インク組成物の滲みを抑制でき、かつ簡便な方法で製造可能な、新規の積層体を提供することを課題とする。

本発明は、基材と、前記基材の一方の面上に設けられたシリコーン系樹脂層と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に設けられた金属銀層と、を備えており、前記シリコーン系樹脂層の厚さが１ｎｍ以下である、積層体を提供する。
本発明の積層体においては、前記金属銀層が、幅が３３０μｍ以下の線状であることが好ましい。

また、本発明は、積層体の製造方法であって、前記積層体は、基材と、前記基材の一方の面上に設けられたシリコーン系樹脂層と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に設けられた金属銀層と、を備えており、前記シリコーン系樹脂層の厚さが１ｎｍ以下であり、前記製造方法は、前記基材の一方の面上に、厚さが１ｎｍ以下である前記シリコーン系樹脂層を形成する工程と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に、前記金属銀層を形成する工程と、を有し、前記金属銀層を形成する工程において、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に、インクジェット印刷法により、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を吐出し、固化させることにより、前記金属銀層を形成する、積層体の製造方法を提供する。
本発明の積層体の製造方法においては、前記シリコーン系樹脂層を形成する工程において、シリコーン系樹脂を含有する材料を、前記基材の一方の面上に接触させることにより、前記シリコーン系樹脂層を形成することが好ましい。

本発明によれば、基材と、前記基材上に設けられた金属銀層と、を備えた積層体であって、金属銀層を形成可能で、濡れ性向上剤の配合が不要な銀インク組成物を、インクジェット印刷法によって、基材上に吐出する工程を有し、基材上での銀インク組成物の滲みを抑制でき、かつ簡便な方法で製造可能な、新規の積層体が提供される。

本発明の一実施形態に係る積層体の一例を模式的に示す断面図である。 図１に示す積層体を、その上方から見下ろして平面視したときの、形態の一例を示す平面図である。 図１に示す積層体を、その上方から見下ろして平面視したときの、形態の他の例を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。 実施例１において、シリコーン系樹脂層を形成した基材の、シリコーン系樹脂層側の表面を、ＴＯＦ－ＳＩＭＳにより分析したときに取得した、イオン強度の分布データである。 実施例３４～３８及び比較例１８における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値を示すグラフである。 実施例３９～４３及び比較例１９における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値を示すグラフである。 実施例４４～４９及び比較例２０における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値を示すグラフである。 実施例５０～５５における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値を示すグラフである。

＜＜積層体＞＞
本発明の一実施形態に係る積層体は、基材と、前記基材の一方の面上に設けられたシリコーン系樹脂層と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に設けられた金属銀層と、を備えており、前記シリコーン系樹脂層の厚さが１ｎｍ以下である。
本実施形態の積層体は、厚さが１ｎｍ以下である前記シリコーン系樹脂層を備えている点で、金属銀層を備えた従来の積層体とは相違する。また、本実施形態の積層体が、厚さが１ｎｍ以下である前記シリコーン系樹脂層を備えていることによって、前記金属銀層は、目的とする形状及びサイズを高精度に実現したものとなっている。これは、金属銀層を形成可能な銀インク組成物を、インクジェット印刷法によって、基材上に吐出する工程を経て、前記積層体を製造する過程において、基材上に前記シリコーン系樹脂層を形成することによって、基材上での前記銀インク組成物の滲みを抑制できるためである。このとき、前記銀インク組成物としては、濡れ性向上剤の配合が不要なものを使用できる。この製造方法によれば、基材の複数段階での前処理を必要としないなど、簡便な方法で前記積層体を製造できる。

以下、図面を参照しながら、本実施形態の積層体について、詳細に説明する。
なお、以降の説明で用いる図においては、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。

まず、本実施形態の積層体の構造全般について説明する。
図１は、本実施形態の積層体の一例を模式的に示す断面図である。

ここに示す積層体１は、基材１１と、基材１１の一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１１ａ上に設けられたシリコーン系樹脂層１２と、シリコーン系樹脂層１２の基材１１側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１２ａ上に設けられた金属銀層１３と、を備えて構成されている。すなわち、積層体１は、基材１１、シリコーン系樹脂層１２及び金属銀層１３がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。

基材１１は、例えば、フィルム状、シート状又はプレート状であってもよく、これら以外の他の形状であってもよい。

基材１１は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。基材１１が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
本明細書においては、基材の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。

基材１１の厚さは、特に限定されないが、１０～４００μｍであることが好ましく、５０～３６０μｍであることがより好ましく、１００～３２０μｍであることがさらに好ましい。基材１１の厚さが前記下限値以上であることで、積層体１の構造をより安定して維持できる。基材１１の厚さが前記上限値以下であることで、積層体１の厚さが過剰となることが避けられ、例えば、積層体１の取り扱い性がより高くなる。
基材１１が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材１１の厚さとなるようにするとよい。

シリコーン系樹脂層１２の形状は、シリコーン系樹脂層１２の厚さＴ_１２が１ｎｍ以下であれば、金属銀層１３の形状に応じて、任意に選択できる。
シリコーン系樹脂層１２の形状は、積層体１中のすべての金属銀層１３が、シリコーン系樹脂層１２上に設けられることを可能とする形状であることが好ましい。例えば、積層体１を、その金属銀層１３側の上方から見下ろして平面視したときの、シリコーン系樹脂層１２の平面形状（例えば、シリコーン系樹脂層１２の第１面１２ａの形状）は、金属銀層１３の平面形状の相似形であってもよいし、非相似形であってもよい。そして、シリコーン系樹脂層１２は、基材１１の第１面１１ａの全域に設けられていてもよい。

シリコーン系樹脂層１２は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。シリコーン系樹脂層１２が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

シリコーン系樹脂層１２の厚さＴ_１２は、１ｎｍ以下であり、本発明の効果がより高くなる点では、０．１ｎｍ以上であることが好ましい。
すなわち、Ｔ_１２は、０．１～１ｎｍであることが好ましい。
シリコーン系樹脂層１２が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましいシリコーン系樹脂層１２の厚さとなるようにするとよい。

シリコーン系樹脂層１２の厚さＴ_１２は、極めて薄いため、観測等により直接測定できないことがある。しかし、基材１１上のシリコーン系樹脂層１２の形成箇所を、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）により分析することで、厚さＴ_１２が１ｎｍ以下のシリコーン系樹脂層１２の有無を確認できる。
ＴＯＦ－ＳＩＭＳでは、分析対象試料の表面から１ｎｍ以下の深さに存在する元素又は分子種に関する情報が得られる。したがって、基材１１上の目的とする箇所を、ＴＯＦ－ＳＩＭＳにより分析したときに、シリコーン系樹脂層１２の含有成分に由来するイオン種が検出されれば、基材１１上にシリコーン系樹脂層１２が存在することを確認できる。そして、このとき同時に、基材１１の含有成分に由来するイオン種も検出されれば、シリコーン系樹脂層１２の第１面１２ａから１ｎｍ以下の深さに基材１１が存在することになり、シリコーン系樹脂層１２の厚さは１ｎｍ以下であると断定できる。

金属銀層１３の形状は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
金属銀層１３は、シリコーン系樹脂層１２上に設けられているために、目的とする形状及びサイズを高精度に実現したものとなっている。

図２は、図１に示す積層体１を、その金属銀層１３側の上方から見下ろして平面視したときの、形態の一例を示す平面図である。
なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図２において、金属銀層１３は線状であり、ここに示す範囲では直線状である。
線状の金属銀層１３は、後述するドット状の複数個の金属銀層を互いに重ねて（換言すると重複させて）配置することで、形成できる。

金属銀層１３が線状である場合、その幅（線幅）Ｗ_１２１は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、３３０μｍ以下であることが好ましい。幅Ｗ_１２１が３３０μｍ以下の線状である金属銀層１３は、細線状であって、例えば、回路を構成する配線として好適である。

金属銀層１３が線状である場合の、その幅（線幅）Ｗ_１２１は、例えば、３００μｍ以下、２７０μｍ以下、２４０μｍ以下、２１０μｍ以下、１８０μｍ以下、及び１５０μｍ以下のいずれかであってもよい。Ｗ_１２１が狭い金属銀層１３ほど、本発明の適用に好適である。

金属銀層１３が線状である場合の、その幅（線幅）Ｗ_１２１の下限値は、特に限定されない。例えば、金属銀層１３の形成がより容易である点では、Ｗ_１２１は５０μｍ以上であることが好ましい。

金属銀層１３が線状である場合の、その幅（線幅）Ｗ_１２１は、上述の下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、Ｗ_１２１は、５０～３３０μｍ、５０～３００μｍ、５０～２７０μｍ、５０～２４０μｍ、５０～２１０μｍ、５０～１８０μｍ、及び５０～１５０μｍ以下のいずれかであってもよい。ただし、これらは、Ｗ_１２１の一例である。

図２において、線状の金属銀層１３の数は、ここに示す範囲では１であるが、積層体１中の金属銀層１３の数は、１であってもよいし、２以上であってもよく、目的に応じて任意に選択できる。

図２において、金属銀層１３は直線状であるが、金属銀層１３は曲線状であってもよいし、直線状の部分と曲線状の部分をともに有していてもよい。

図３は、図１に示す積層体１を、その金属銀層１３側の上方から見下ろして平面視したときの、形態の他の例を示す平面図である。
図３において、金属銀層１３はドット状である。

金属銀層１３がドット状である場合、その最大径Ｗ_１２２は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、Ｗ_１２１と同様であることが好ましい。最大径Ｗ_１２２がこのような範囲であるドット状の金属銀層１３は、例えば、文字、画像等の形成を高精度に行うのに好適である。

金属銀層１３がドット状であり、積層体１を、その金属銀層１３側の上方から見下ろして平面視したときの、金属銀層１３の平面形状が円である場合には、金属銀層１３の最大径Ｗ_１２２は、前記円の直径である。一方、金属銀層１３の前記平面形状が円以外である場合には、金属銀層１３の最大径Ｗ_１２２は、上記のように平面視したときの、金属銀層１３の外周における任意の二点を結ぶ線分の長さの最大値である。

図３において、ドット状の金属銀層１３の数は、ここに示す範囲では５であるが、積層体１中の金属銀層１３の数は、１であってもよいし、２以上であってもよく、目的に応じて任意に選択できる。

図３において、金属銀層１３はドット状であるが、非線状の金属銀層１３は、他の形状であってもよい。

図３において、複数個のドット状の金属銀層１３は、互いに接触せず、離間して配置されているが、複数個のドット状の金属銀層１３が、互いに重なり合って（換言すると、少なくとも一部が重複して）配置されていてもよい。

積層体１中の金属銀層１３の数が２以上である場合には、これら金属銀層１３は、構成材料、形状又は大きさの点で、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。

金属銀層１３は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。金属銀層１３が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

金属銀層１３の厚さは、目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
通常は、金属銀層１３の厚さは、金属銀層１３の形状によらず、２００ｎｍ以下であることが好ましく、例えば、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、及び３０ｎｍ以下のいずれかであってもよい。厚さが前記上限値以下である金属銀層１３は、本発明の適用により好適である。

金属銀層１３の厚さの下限値は、特に限定されない。例えば、金属銀層１３の形成がより容易である点では、前記厚さは３ｎｍ以上であることが好ましい。

金属銀層１３の厚さは、上述の下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、前記厚さは、３～２００ｎｍ、３～１５０ｎｍ、３～１００ｎｍ、３～５０ｎｍ、及び３～３０ｎｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記厚さの一例である。

金属銀層１３が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい金属銀層１３の厚さとなるようにするとよい。

本実施形態の積層体は、図１～３に示すものに限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、図１～３に示すものにおいて、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。

例えば、図１～３に示す積層体１は、基材１１、シリコーン系樹脂層１２及び金属銀層１３を備えて構成されているが、本実施形態の積層体は、これらのいずれにも該当しない１種又は２種以上の他の層を、１層又は２層以上備えていてもよい。
前記他の層の配置位置は、他の層の種類に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。

前記他の層としては、例えば、積層体の金属銀層側の露出面（基材、シリコーン系樹脂層又は金属銀層の露出面）を被覆する保護層；基材とシリコーン系樹脂層との間に配置され、これらの層の密着性を向上させる密着層；隣接する２層を接着するための接着層等が挙げられる。ただし、前記他の層はこれに限定されない。

ただし、本実施形態の積層体においては、シリコーン系樹脂層及び金属銀層が直接接触して設けられていることが好ましく、シリコーン系樹脂層及び金属銀層が直接接触して設けられ、かつ基材及びシリコーン系樹脂層が直接接触して設けられていることがより好ましい。

前記他の層は、その種類に応じて、適した構成材料を含有していればよい。
前記他の層の厚さも、その種類に応じて、適したものとすればよく、特に限定されない。
前記他の層は、例えば、その構成材料を含有する組成物を用いて形成できる。

ここまでは、本実施形態の積層体の構造全般について説明したが、次いで、前記積層体中の各層の詳細について、説明する。

＜基材＞
前記基材としては、例えば、樹脂製基材、ガラス製基材等が挙げられる。
前記樹脂製基材は、樹脂のみを含有する（樹脂からなる）か、又は樹脂を主要構成材料とする基材であり、例えば、基材において、基材の総質量に対する、樹脂の含有量の割合が、好ましくは８０～１００質量％、より好ましくは９０～１００質量％であるものが挙げられる。
前記ガラス製基材は、ガラスのみを含有する（ガラスからなる）か、又はガラスを主要構成材料とする基材であり、例えば、基材において、基材の総質量に対する、ガラスの含有量の割合が、好ましくは８０～１００質量％、より好ましくは９０～１００質量％であるものが挙げられる。

前記基材が前記樹脂を含有する場合、含有する前記樹脂は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記基材が、前記主要構成材料と、それ以外の他の成分と、を含有する場合、前記他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
前記他の成分としては、例えば、帯電防止剤、顔料等、当該分野で公知の各種添加剤が挙げられる。

前記基材が含有する前記他の成分は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

好ましい前記基材としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）製の基材、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の基材、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）製の基材、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の層とポリカーボネート（ＰＣ）の層とが積層された２層構造を有する基材、ガラス製の基材等が挙げられる。
ただし、基材が、ポリメタクリル酸メチルの層とポリカーボネートの層とが積層された２層構造を有する基材である場合には、この基材は、前記積層体中において、そのポリメタクリル酸メチルの層が前記シリコーン系樹脂層側に配置されていることが好ましい。

前記２層構造を有する基材において、ポリメタクリル酸メチルの層の厚さは、ポリカーボネートの層の厚さに対して、例えば、０．１～２０％、及び１～１４％のいずれかであってもよい。

ポリエチレンテレフタレート製の基材は、これに隣接する層（例えば、シリコーン系樹脂層）との接着力を向上させるための表面処理（本明細書においては、「易接着処理」と称することがある）が施されていてもよい。
基材の表面処理（易接着処理）としては、例えば、メタクリル酸メチル若しくはその誘導体、又は、アクリル酸エチル若しくはその誘導体等の表面処理剤による処理が挙げられる。ただし、これらは、表面処理の一例である。

本明細書においては、ある特定の化合物において、１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換された構造が想定される場合、このような置換された構造を有する化合物を、上述の特定の化合物の「誘導体」と称する。
本明細書において、「基」とは、特に断りのない限り、複数個の原子が結合して構成された原子団だけでなく、１個の原子も包含するものとする。

基材が前記２層構造を有する基材以外である場合には、この基材は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。

基材は、透明及び不透明のいずれであってもよいし、有色及び無色のいずれであってもよい。

基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、その樹脂等の構成材料を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。表面処理された基材は、例えば、基材とするための未処理の基材の表面を、表面処理剤で処理することで製造できる。複数層からなる基材は、例えば、各層を構成するフィルム又はシートをラミネートすることで、又は、各層を構成するための樹脂組成物を共押出成形することで、製造できる。
基材としては、市販品を用いてもよい。

＜シリコーン系樹脂層＞
前記シリコーン系樹脂層は、シリコーン系樹脂を含有する。
本明細書において、「シリコーン系樹脂」とは、シロキサン結合を有する樹脂を意味し、オリゴマー又はポリマーである。

シリコーン系樹脂は、鎖状及び環状のいずれであってもよい。鎖状のシリコーン系樹脂とは、シロキサン結合が鎖状構造のみを構成し、環状構造を構成していない樹脂である。環状のシリコーン系樹脂とは、シロキサン結合が環状構造を構成している樹脂であり、シロキサン結合は、別途、鎖状構造を構成していてもよいし、構成していなくてもよい。

シリコーン系樹脂としては、例えば、ポリジメチルシロキサン等のポリジアルキルシロキサン；ポリジアリールシロキサン；ポリアルキルアリールシロキサン等が挙げられる。

シリコーン系樹脂層が含有するシリコーン系樹脂は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

シリコーン系樹脂層は、シリコーン系樹脂のみを含有していてもよい（シリコーン系樹脂からなるものであってもよい）し、シリコーン系樹脂と、それ以外の他の成分と、を含有していてもよい（シリコーン系樹脂と、それ以外の他の成分と、からなるものであってもよい）。

シリコーン系樹脂層が含有する前記他の成分は、特に限定されない。
前記他の成分としては、例えば、帯電防止剤等、当該分野で公知の各種添加剤が挙げられる。

シリコーン系樹脂層が含有する前記他の成分は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

シリコーン系樹脂層において、シリコーン系樹脂層の総質量に対する、シリコーン系樹脂の含有量の割合は、７０～１００質量％であることが好ましく、８０～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることがさらに好ましく、例えば、９５～１００質量％、９７～１００質量％、及び９９～１００質量％のいずれかであってもよい。

シリコーン系樹脂層は、例えば、シリコーン系樹脂を含有する材料を、シリコーン系樹脂層の形成対象面（例えば、基材の第１面）に接触させることにより、形成できる。
また、シリコーン系樹脂層は、例えば、シリコーン系樹脂又はその誘導体を含有する溶液を、シリコーン系樹脂層の形成対象面（例えば、基材の第１面）に滴下し、乾燥させることでも、形成できる。前記シリコーン系樹脂の誘導体としては、例えば、シリコーン系樹脂として、前記形成対象面に存在する基と結合可能な基を有するものが挙げられる。前記シリコーン系樹脂の誘導体中の前記結合可能な基が、前記形成対象面に存在する基と反応し、結合を形成することで、シリコーン系樹脂層が形成される。

＜金属銀層＞
前記金属銀層は、金属銀を主要構成材料とする。
前記金属銀層において、金属銀層の総質量に対する、金属銀の質量の割合は、好ましくは９７質量％以上、より好ましくは９８質量％以上、特に好ましくは９９質量％以上である。前記割合の上限値は、例えば、１００質量％、９９．９質量％、９９．８質量％、９９．７質量％、９９．６質量％、９９．５質量％、９９．４質量％、９９．３質量％、９９．２質量％及び９９．１質量％のいずれかであってもよいが、これらに限定されない。

金属銀層は、目的とする形状及びサイズを高精度に実現したものとなっている。
例えば、前記シリコーン系樹脂層を形成しなかった点以外は、本実施形態の積層体の場合と同じ方法で製造した、前記シリコーン系樹脂層を備えていない比較用積層体と、本実施形態の積層体と、を用いて、これら積層体中の金属銀層同士の特性を比較することによって、本実施形態の積層体が奏する効果を確認できる。

本明細書においては、比較用積層体中の金属銀層を「比較用金属銀層」と称することがある。また、線状である比較用金属銀層の線幅を「基準線幅」と称することがある。また、ドット状である比較用金属銀層の最大径を「基準最大径」と称することがある。また、線状である比較用金属銀層の抵抗値（Ω／ｍｍ）を「基準抵抗値（Ω／ｍｍ）」と称することがある。

本実施形態における金属銀層及び比較用金属銀層が線状である場合、本実施形態における金属銀層が、目的とする形状及びサイズを高精度に実現していることは、下記式（ｉ）で算出される線幅比率が小さいことによって、確認できる。
［線幅比率（％）］＝［本実施形態の積層体中の金属銀層の線幅］／［基準線幅］×１００ （ｉ）

本実施形態において、前記線幅比率は、好ましくは８０％以下、より好ましくは７５％以下であり、例えば、７０％以下、６０％以下、５０％以下、及び４０％以下のいずれかであってもよい。
前記線幅比率の下限値は特に限定されない。例えば、前記線幅比率が３０％以上である金属銀層は、より容易に形成できる。
前記線幅比率は、上述の下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜設定できる。例えば、一実施形態において、前記線幅比率は、好ましくは３０～８０％、より好ましくは３０～７５％であり、例えば、３０～７０％、３０～６０％、３０～５０％、及び３０～４０％のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記線幅比率の一例である。

本実施形態における金属銀層及び比較用金属銀層がドット状である場合、本実施形態における金属銀層が、目的とする形状及びサイズを高精度に実現していることは、下記式（ｉ’）で算出される最大径比率が小さいことによって、確認できる。
［最大径比率（％）］＝［本実施形態の積層体中の金属銀層の最大径］／［基準最大径］×１００ （ｉ’）

本実施形態において、前記最大径比率は、好ましくは８０％以下、より好ましくは７５％以下であり、例えば、７０％以下、６０％以下、５０％以下、及び４０％以下のいずれかであってもよい。
前記最大径比率の下限値は特に限定されない。例えば、前記最大径比率が３０％以上である金属銀層は、より容易に形成できる。
前記最大径比率は、上述の下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜設定できる。例えば、一実施形態において、前記最大径比率は、好ましくは３０～８０％、より好ましくは３０～７５％であり、例えば、３０～７０％、３０～６０％、３０～５０％、及び３０～４０％のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記最大径比率の一例である。

本実施形態における金属銀層及び比較用金属銀層が線状である場合、本実施形態における金属銀層が、目的とする形状及びサイズを高精度に実現していることは、下記式（ｉｉ）で算出される抵抗値比率によって、確認できる。
［抵抗値比率（％）］＝［本実施形態の積層体中の金属銀層の抵抗値（Ω／ｍｍ）］／［基準抵抗値（Ω／ｍｍ）］×１００ （ｉｉ）

本実施形態において、前記抵抗値比率は、好ましくは９０％以下であり、例えば、７５％以下、６０％以下、４５％以下、３０％以下、及び１５％以下のいずれかであってもよい。
前記抵抗値比率の下限値は特に限定されない。例えば、前記抵抗値比率が０．５％以上である金属銀層は、より容易に形成できる。
前記抵抗値比率は、上述の下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜設定できる。例えば、一実施形態において、前記抵抗値比率は、好ましくは０．５～９０％であり、例えば、０．５～７５％、０．５～６０％、０．５～４５％、０．５～３０％、及び０．５～１５％のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記抵抗値比率の一例である。

本実施形態において、金属銀層の体積抵抗率は、３１０μΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、例えば、２００μΩ・ｃｍ以下、１５０μΩ・ｃｍ以下、１００μΩ・ｃｍ以下、及び５０μΩ・ｃｍ以下のいずれかであってもよい。体積抵抗率が前記上限値以下である金属銀層は、金属としての特性がより高い。

金属銀層の体積抵抗率の下限値は、特に限定されない。例えば、金属銀層の形成がより容易である点では、前記体積抵抗率は３μΩ・ｃｍ以上であることが好ましい。

金属銀層の体積抵抗率は、上述の下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、前記体積抵抗率は、３～３１０μΩ・ｃｍ、３～２００μΩ・ｃｍ、３～１５０μΩ・ｃｍ、３～１００μΩ・ｃｍ、及び３～５０μΩ・ｃｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記体積抵抗率の一例である。

金属銀層の体積抵抗率は、公知の方法で測定できる。例えば、金属銀層の抵抗値（Ω）、幅、厚さ、長さ等を測定し、これら測定値を用いて、下記式により、金属銀層の体積抵抗率を算出できる。
［金属銀層の体積抵抗率］＝［金属銀層の抵抗値］×［金属銀層の断面積］／［金属銀層の長さ］＝［金属銀層の抵抗値］×［金属銀層の幅］×［金属銀層の厚さ］／［金属銀層の長さ］＝［金属銀層の単位長さあたりの抵抗値］×［金属銀層の幅］×［金属銀層の厚さ］

本実施形態における金属銀層が線状である場合、その線幅は、８０～３５０μｍであることが好ましく、１００～３３０μｍであることがより好ましい。
本実施形態における金属銀層がドット状である場合、その最大径は、８０～３５０μｍであることが好ましく、１００～３３０μｍであることがより好ましい。

本実施形態における金属銀層が線状である場合、その抵抗値は、５～５００Ω／ｍｍであることが好ましく、１０～４３０Ω／ｍｍであることがより好ましい。

金属銀層は、例えば、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を用いて形成できる。
前記金属銀の形成材料及び前記銀インク組成物については、別途、詳細に説明する。

＜＜積層体の製造方法＞＞
本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法は、基材と、前記基材の一方の面（第１面）上に設けられたシリコーン系樹脂層と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面（第１面）上に設けられた金属銀層と、を備え、前記シリコーン系樹脂層の厚さが１ｎｍ以下である積層体の製造方法であって、前記製造方法は、前記基材の一方の面（第１面）上に、厚さが１ｎｍ以下である前記シリコーン系樹脂層を形成する工程（本明細書においては、「シリコーン系樹脂層形成工程」と略記することがある）と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面（第１面）上に、前記金属銀層を形成する工程（本明細書においては、「金属銀層形成工程」と略記することがある）と、を有し、前記金属銀層を形成する工程において、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面（第１面）上に、インクジェット印刷法により、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を吐出し、固化させることにより、前記金属銀層を形成する。
本実施形態の製造方法により、上述の本発明の一実施形態に係る積層体を製造できる。

以下、図１に示す積層体１を例に挙げて、前記積層体の製造方法について説明する。
図４は、本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法の一例を模式的に説明するための断面図であり、断面の位置は、図１の場合と同じである。

＜シリコーン系樹脂層形成工程＞
前記シリコーン系樹脂層形成工程においては、図４（ａ）～（ｂ）に示すように、基材１１の一方の面（第１面）１１ａ上に、厚さＴ_１２が１ｎｍ以下であるシリコーン系樹脂層１２を形成する。
シリコーン系樹脂層１２は、例えば、シリコーン系樹脂を含有する材料を、基材１１の第１面１１ａ上に接触させることにより、前記シリコーン系樹脂層を形成する。このようにすることで、前記材料中のシリコーン系樹脂が、基材１１の第１面１１ａに転写されることで、シリコーン系樹脂層１２が形成されると考えられる。

シリコーン系樹脂層形成工程においては、例えば、シリコーン系樹脂層の形成手段として、シリコーン系樹脂を含有するロールを用い、そのロール面を基材１１の第１面１１ａ上に接触させ、前記ロールを基材１１の第１面１１ａ上で転がすことによって、基材１１の第１面１１ａ上にシリコーン系樹脂層１２を形成できる。この場合、シリコーン系樹脂を含有する材料は、前記ロールの構成材料である。このような方法は、厚さＴ_１２が薄いシリコーン系樹脂層１２を形成する方法として、特に好適である。

シリコーン系樹脂層の形成手段として、前記ロールを用いる場合には、そのロール面をクリーニングしてから用いることが好ましい。このようにすることで、シリコーン系樹脂層１２を、より効率的に形成できる。
ロール面のクリーニングとは、ロール面に付着している、ロールの構成材料以外の材料からなる不純物を取り除くことを意味する。

前記ロールを用いる場合、前記ロールを基材１１の第１面１１ａ上で転がすときの速度（換言すると移動速度）は、特に限定されないが、５～４５ｃｍ／ｓであることが好ましく、例えば、５～３６ｃｍ／ｓであってもよい。

前記ロールを用いる場合、前記ロールを基材１１の第１面１１ａ上で転がすときに、前記ロールによって基材１１に加える圧力は、特に限定されないが、０．００５～１ＭＰａであることが好ましく、０．０１～０．８ＭＰａであることがより好ましい。
例えば、実施例で後述するように、手動で前記ロールを基材１１の第１面１１ａ上で転がす場合には、前記ロールによって基材１１に加える圧力は、０．００５～０．１ＭＰａ、及び０．０１～０．０５ＭＰａのいずれかであってもよい。
例えば、実施例で後述するように、自動で前記ロールを基材１１の第１面１１ａ上で転がす場合には、前記ロールによって基材１１に加える圧力は、０．１～１ＭＰａ、及び０．２～０．８ＭＰａのいずれかであってもよい。

シリコーン系樹脂層形成工程においては、例えば、シリコーン系樹脂又はその誘導体を含有する溶液を、基材１１の第１面１１ａに滴下し、乾燥させることでも、基材１１の第１面１１ａ上にシリコーン系樹脂層１２を形成できる。この場合、シリコーン系樹脂自体が、又はシリコーン系樹脂の誘導体が、基材１１の第１面１１ａ上で、自己組織化によって単分子膜を形成することで、シリコーン系樹脂層１２を形成する。このような方法も、厚さＴ_１２が薄いシリコーン系樹脂層１２を形成する方法として、特に好適である。

＜金属銀層形成工程＞
前記金属銀層形成工程においては、図４（ｄ）に示すように、シリコーン系樹脂層１２の基材１１側とは反対側の面（第１面）１２ａ上に、金属銀層１３を形成する。
このとき、図４（ｃ）に示すように、シリコーン系樹脂層１２の第１面１２ａ上に、インクジェット印刷法により、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を吐出し、印刷層１３’を形成して、印刷層１３’（銀インク組成物）を固化させることにより、金属銀層１３を形成する。
以上により、目的とする積層体１が得られる。

金属銀層形成工程においては、銀インク組成物が、濡れ性向上剤が未配合のものであっても、シリコーン系樹脂層１２上で、吐出された銀インク組成物（印刷層１３’）の滲みが抑制される。これにより、金属銀層１３は、目的とする形状及びサイズを高精度に実現したものとなる。その結果発現する金属銀層の特性（線幅、抵抗値、厚さ、体積抵抗率等）は、先に説明したとおりである。

インクジェット印刷時の印刷条件は、適宜調節できる。
インクジェット印刷時の銀インク組成物の吐出量及び吐出回数、並びに銀インク組成物における金属銀の形成材料の配合量を調節することで、金属銀層の線幅及び厚さを調節できる。
例えば、銀インク組成物の液滴量（換言すると、１回の吐出での吐出量）は、４～４２ｐＬであることが好ましい。

印刷層１３’（銀インク組成物）の固化は、例えば、乾燥により行うことができる。
印刷層１３’（銀インク組成物）の乾燥（固化）処理については、後ほど詳細に説明する。

図１に示す積層体１以外の前記積層体も、その構成に応じて、上述と同様の方法で製造できる。積層体１以外の前記積層体は、積層体１との構成の相違に基づいて、必要に応じて、前記シリコーン系樹脂層形成工程と、前記金属銀層形成工程と、のいずれにも該当しない他の工程をさらに有する上述の製造方法によって、製造してもよい。前記他の工程は、目的とする前記積層体の構成を考慮して、適したタイミングで、適した箇所に対して、上述の製造方法に適宜追加して行うことができる。
前記他の工程としては、例えば、先に説明した他の層を設ける工程が挙げられる。
次に、前記銀インク組成物について詳細に説明する。

◎銀インク組成物
前記銀インク組成物は、金属銀の形成材料が配合されてなる。
前記金属銀の形成材料は、加熱等によって分解し、金属銀を形成する材料である。
前記金属銀の形成材料としては、例えば、下記一般式（１）：

（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」、「Ｒ^１－ＣＨＹ^１－」、「Ｒ^２Ｏ－」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ－」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ^１－」若しくは「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基であり；
Ｙ^１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ^１は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ^２は炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^３は炭素数１～１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に炭素数１～１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^６は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基であり；
Ｘ^１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ－フタロイル－３－アミノプロピル基、２－エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ^７Ｏ－」、「Ｒ^７Ｓ－」、「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」若しくは「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－」で表される基であり；
Ｒ^７は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
で表わされるβ－ケトカルボン酸銀（本明細書においては、「β－ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）、及び有機銀錯体等が挙げられる。

好ましい前記銀インク組成物としては、例えば、β－ケトカルボン酸銀（１）と、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、が配合されてなる銀インク組成物（本明細書においては、「銀インク組成物（Ｉ）」と称することがある）；β－ケトカルボン酸銀（１）が配合されてなり、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていない銀インク組成物（本明細書においては、「銀インク組成物（ＩＩ）」と称することがある）；有機銀錯体と、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、含窒素化合物と、が配合されてなる銀インク組成物（本明細書においては、「銀インク組成物（ＩＩＩ）」と称することがある）等が挙げられる。
以下、各銀インク組成物について、詳細に説明する。

〇銀インク組成物（Ｉ）
［β－ケトカルボン酸銀（１）］
β－ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表わされる。
一般式（１）中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」、「Ｒ^１－ＣＨＹ^１－」、「Ｒ^２Ｏ－」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ－」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ^１－」若しくは「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基である。

Ｒにおける炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１０であることが好ましく、１～６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。

Ｒにおける直鎖状又は分岐鎖状の前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、２，２－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、３－エチルブチル基、１－エチル－１－メチルプロピル基、ｎ－ヘプチル基、１－メチルヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、４－メチルヘキシル基、５－メチルヘキシル基、１，１－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、４，４－ジメチルペンチル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、４－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、１－プロピルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、１－メチルヘプチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、１－エチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、５－エチルヘキシル基、１，１－ジメチルヘキシル基、２，２－ジメチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、４，４－ジメチルヘキシル基、５，５－ジメチルヘキシル基、１，２，３－トリメチルペンチル基、１，２，４－トリメチルペンチル基、２，３，４－トリメチルペンチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、１，４，４－トリメチルペンチル基、３，４，４－トリメチルペンチル基、１，１，２－トリメチルペンチル基、１，１，３－トリメチルペンチル基、１，１，４－トリメチルペンチル基、１，２，２－トリメチルペンチル基、２，２，３－トリメチルペンチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、１，３，３－トリメチルペンチル基、２，３，３－トリメチルペンチル基、３，３，４－トリメチルペンチル基、１－プロピルペンチル基、２－プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。

Ｒにおける前記アルケニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ－Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
このような前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基（エテニル基、－ＣＨ＝ＣＨ_２）、アリル基（２－プロペニル基、－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_２）、１－プロペニル基（－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３）、イソプロペニル基（－Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）、１－ブテニル基（－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_３）、２－ブテニル基（－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３）、３－ブテニル基（－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等が挙げられる。

Ｒにおける前記アルキニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ－Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
このような前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基（－Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（－ＣＨ_２－Ｃ≡ＣＨ）等が挙げられる。

Ｒにおける炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、前記脂肪族炭化水素基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。

Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、炭素数が１～１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（－ＯＨ）、シアノ基（－Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（－Ｏ－Ｃ_６Ｈ_５）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

ＲにおけるＹ^１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」及び「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」においては、それぞれ複数個のＹ^１は、互いに同一でも異なっていてもよい。

ＲにおけるＲ^１は、炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ_６Ｈ_５－）である。Ｒ^１における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^２は、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基であり、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^３は、炭素数１～１６の脂肪族炭化水素基である。Ｒ^３における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に炭素数１～１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ^４及びＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４及びＲ^５における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^６は、炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基である。Ｒ^６における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ^６は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基であることが好ましい。

一般式（１）において、Ｘ^１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ_６Ｈ_５－ＣＨ_２－）、シアノ基、Ｎ－フタロイル－３－アミノプロピル基、２－エトキシビニル基（Ｃ_２Ｈ_５－Ｏ－ＣＨ＝ＣＨ－）、又は一般式「Ｒ^７Ｏ－」、「Ｒ^７Ｓ－」、「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」若しくは「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－」で表される基である。
Ｘ^１における炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｘ^１におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
Ｘ^１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（－ＮＯ_２）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びベンジル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｘ^１におけるＲ^７は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ_４Ｈ_３Ｓ－）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ_６Ｈ_５－Ｃ_６Ｈ_４－）である。Ｒ^７における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。また、Ｒ^７におけるフェニル基及びジフェニル基が有する前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びジフェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘ^１において隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２－チエニル基及び３－チエニル基のいずれでもよい。

一般式（１）において、２個のＸ^１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよい。このようなＸ^１としては、例えば、式「＝ＣＨ－Ｃ_６Ｈ_４－ＮＯ_２」で表される基等が挙げられる。

Ｘ^１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ^１が水素原子であることが好ましい。

β－ケトカルボン酸銀（１）は、２－メチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－エチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ_３ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－ｎ－ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ_６Ｈ_５－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）であることが好ましい。

β－ケトカルボン酸銀（１）を用いて、銀インク組成物（Ｉ）の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）においては、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。このような導電体においては、原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。

β－ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０～２１０℃、より好ましくは６０～２００℃という低温で分解し、金属銀を形成できる。そして、β－ケトカルボン酸銀（１）は、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。

本実施形態において、β－ケトカルボン酸銀（１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

β－ケトカルボン酸銀（１）は、２－メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２－エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２－ｎ－ブチルアセト酢酸銀、２－ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２－エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
そして、これらの中でも、２－メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、イソブチリル酢酸銀及びピバロイル酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物（Ｉ）の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。

銀インク組成物（Ｉ）の総質量に対する、銀インク組成物（Ｉ）中のβ－ケトカルボン酸銀（１）に由来する銀の合計質量の割合（換言すると、銀インク組成物（Ｉ）の、β－ケトカルボン酸銀（１）に由来する銀の含有量）は、５質量％以上であることが好ましく、８質量％以上であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、形成された導電体（金属銀）は、より優れた品質となる。前記割合の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、銀インク組成物（Ｉ）の取り扱い性等を考慮すると、２５質量％であることが好ましい。
なお、本明細書において、「β－ケトカルボン酸銀（１）に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物（Ｉ）の製造時に配合されたβ－ケトカルボン酸銀（１）中の銀と同義であり、配合後も引き続きβ－ケトカルボン酸銀（１）を構成している銀と、配合後にβ－ケトカルボン酸銀（１）の分解で生じた分解物中の銀と、配合後にβ－ケトカルボン酸銀（１）の分解で生じた銀そのもの（金属銀）と、のすべてを含む概念とする。

［炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸］
銀インク組成物（Ｉ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（本明細書においては、「分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸」と略記することがある）が配合されていることで、光沢性と導電性がより高い金属銀を形成できる。

前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族炭化水素の１個又は２個以上の水素原子が、カルボキシ基で置換された構造を有する。換言すると、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、１分子中の炭素数が８～１０で、かつ、１個又は２個以上のカルボキシ基が分岐鎖状飽和脂肪族炭化水素基に結合している化合物である。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、１分子中にカルボキシ基を１個のみ有する一価（モノ）カルボン酸、及び１分子中にカルボキシ基を２個以上有する多価カルボン酸、のいずれであってもよい。
分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が１分子中に有するカルボキシ基の数は、１～３個であることが好ましく、１個又は２個であることがより好ましく、１個であることが特に好ましい。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸において、カルボキシ基が結合している炭素原子の位置は、特に限定されない。例えば、カルボキシ基が結合している炭素原子は、分子の末端の炭素原子であってもよいし、分子の末端以外の炭素原子であってもよい。
分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が多価カルボン酸である場合、すべてのカルボキシ基が、互いに異なる炭素原子に結合していてもよいし、２個又は３個のカルボキシ基が、同一の炭素原子に結合していてもよい。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸において、分岐鎖が結合している、主鎖中の炭素原子の位置は、特に限定されない。例えば、分岐鎖が結合している前記炭素原子は、主鎖のカルボキシ基が結合している側の末端の炭素原子であってもよいし、主鎖のカルボキシ基が結合している側とは反対側の末端の炭素原子に隣接する炭素原子（前記反対側の末端から２番目の炭素原子）であってもよいし、上述のカルボキシ基が結合している側の末端の炭素原子と、上述のカルボキシ基が結合している側とは反対側の末端の炭素原子に隣接する炭素原子と、の間に位置する主鎖中の炭素原子であってもよい。
ここで、「主鎖」とは、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸中の鎖状構造のうち、炭素数が最大であるものを意味する。炭素数が最大である鎖状構造が複数ある場合には、いずれの鎖状構造を主鎖として取り扱ってもよい。主鎖の炭素数は、必ず分岐鎖の炭素数以上となる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、下記一般式（６）で表されるモノカルボン酸（本明細書においては、「モノカルボン酸（６）」と略記することがある）であることが好ましい。
Ｒ^３１－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨ ・・・・（６）
（式中、Ｒ^３１は、炭素数７～９の分岐鎖状のアルキル基である。）

Ｒ^３１の炭素数７～９の分岐鎖状のアルキル基（一価の飽和脂肪族炭化水素基）としては、例えば、１－メチルヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、４－メチルヘキシル基、５－メチルヘキシル基、１，１－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、４，４－ジメチルペンチル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、４－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、１－プロピルブチル基等の炭素数７の分岐鎖状のアルキル基；
イソオクチル基、１－メチルヘプチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、１－エチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、５－エチルヘキシル基、１，１－ジメチルヘキシル基、２，２－ジメチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、４，４－ジメチルヘキシル基、５，５－ジメチルヘキシル基、１，２，３－トリメチルペンチル基、１，２，４－トリメチルペンチル基、２，３，４－トリメチルペンチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、１，４，４－トリメチルペンチル基、３，４，４－トリメチルペンチル基、１，１，２－トリメチルペンチル基、１，１，３－トリメチルペンチル基、１，１，４－トリメチルペンチル基、１，２，２－トリメチルペンチル基、２，２，３－トリメチルペンチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、１，３，３－トリメチルペンチル基、２，３，３－トリメチルペンチル基、３，３，４－トリメチルペンチル基、１－プロピルペンチル基、２－プロピルペンチル基等の炭素数８の分岐鎖状のアルキル基；
１－メチルオクチル基、２－メチルオクチル基、３－メチルオクチル基、４－メチルオクチル基、５－メチルオクチル基、６－メチルオクチル基、７－メチルオクチル基、６，６－ジメチルヘプチル基、５，５－ジメチルヘプチル基、４，４－ジメチルヘプチル基、３，３－ジメチルヘプチル基、２，２－ジメチルヘプチル基、１，１－ジメチルヘプチル基、１，２－ジメチルヘプチル基、１，３－ジメチルヘプチル基、１，４－ジメチルヘプチル基、１，５－ジメチルヘプチル基、１，６－ジメチルヘプチル基、２，３－ジメチルヘプチル基、２，４－ジメチルヘプチル基、２，５－ジメチルヘプチル基、２，６－ジメチルヘプチル基、３，４－ジメチルヘプチル基、３，５－ジメチルヘプチル基、３，６－ジメチルヘプチル基、４，５－ジメチルヘプチル基、４，６－ジメチルヘプチル基、５，６－ジメチルヘプチル基、１，２，３－トリメチルヘキシル基、１，２，４－トリメチルヘキシル基、１，２，５－トリメチルヘキシル基、２，３，４－トリメチルヘキシル基、２，３，５－トリメチルヘキシル基、３，４，５－トリメチルヘキシル基、１，１，２－トリメチルヘキシル基、１，１，３－トリメチルヘキシル基、１，１，４－トリメチルヘキシル基、１，１，５－トリメチルヘキシル基、１，２，２－トリメチルヘキシル基、２，２，３－トリメチルヘキシル基、２，２，４－トリメチルヘキシル基、２，２，５－トリメチルヘキシル基、１，３，３－トリメチルヘキシル基、２，３，３－トリメチルヘキシル基、３，３，４－トリメチルヘキシル基、３，３，５－トリメチルヘキシル基、１，４，４－トリメチルヘキシル基、２，４，４－トリメチルヘキシル基、３，４，４－トリメチルヘキシル基、４，４，５－トリメチルヘキシル基、１，５，５－トリメチルヘキシル基、２，５，５－トリメチルヘキシル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、４，５，５－トリメチルヘキシル基、１，２，３，４－テトラメチルペンチル基、１，１，２，３－テトラメチルペンチル基、１，１，２，４－テトラメチルペンチル基、１，１，３，４－テトラメチルペンチル基、１，２，２，３－テトラメチルペンチル基、１，２，２，４－テトラメチルペンチル基、２，２，３，４－テトラメチルペンチル基、１，２，３，３－テトラメチルペンチル基、２，３，３，４－テトラメチルペンチル基、１，３，３，４－テトラメチルペンチル基、１，２，４，４－テトラメチルペンチル基、２，３，４，４－テトラメチルペンチル基、１，３，４，４－テトラメチルペンチル基、１－エチル－１－メチルヘキシル基、１－エチル－２－メチルヘキシル基、１－エチル－３－メチルヘキシル基、１－エチル－４－メチルヘキシル基、１－エチル－５－メチルヘキシル基、２－エチル－１－メチルヘキシル基、２－エチル－２－メチルヘキシル基、２－エチル－３－メチルヘキシル基、２－エチル－４－メチルヘキシル基、２－エチル－５－メチルヘキシル基、３－エチル－１－メチルヘキシル基、３－エチル－２－メチルヘキシル基、３－エチル－３－メチルヘキシル基、３－エチル－４－メチルヘキシル基、３－エチル－５－メチルヘキシル基、４－エチル－１－メチルヘキシル基、４－エチル－２－メチルヘキシル基、４－エチル－３－メチルヘキシル基、４－エチル－４－メチルヘキシル基、４－エチル－５－メチルヘキシル基、１，１－ジエチルペンチル基、１，２－ジエチルペンチル基、１，３－ジエチルペンチル基、２，２－ジエチルペンチル基、２，３－ジエチルペンチル基、３，３－ジエチルペンチル基、１－エチル－１－プロピルブチル基、２－エチル－１－プロピルブチル基等の炭素数９の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。

モノカルボン酸（６）に限定されず、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸１分子中の分岐鎖の数は、１～３本であることが好ましい。
モノカルボン酸（６）に限定されず、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の１本の分岐鎖の炭素数は、１～３であることが好ましい。
モノカルボン酸（６）に限定されず、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、これらの条件をともに満たすもの、すなわち、１分子中の分岐鎖の数が１～３本であり、かつ１本の分岐鎖の炭素数が１～３個であるものがより好ましい。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、導電体（金属銀）の光沢性と導電性の低下を抑制する適度な反応性を有し、かつ、銀インク組成物（Ｉ）中から揮発し難い一方で、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理時には気化し易い、適度な沸点を有しており、先に説明した効果を向上させるものとして、特に適した特性を有する。
例えば、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の沸点は、１８０～２７０℃であることが好ましく、２００～２６０℃であることがより好ましく、２１５～２５５℃であることが特に好ましい。分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の沸点が前記下限値以上であることで、銀インク組成物（Ｉ）中からの分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の揮発が抑制されて、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の沸点が前記上限値以下であることで、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって得られた金属銀中での分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の残存が抑制され、光沢性、導電性等が高いなど、より好ましい特性の金属銀が得られる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（例えば、モノカルボン酸（６））で特に好ましいものとしては、ネオデカン酸（Ｃ_９Ｈ_１９ＣＯＯＨ）、２－プロピル吉草酸（２－プロピルペンタン酸、（ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２）ＣＯＯＨ）、３，５，５－トリメチルヘキサン酸（（ＣＨ_３）_３ＣＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＯＯＨ）等が挙げられる。
なお、本明細書において、ネオデカン酸とは、炭素数１０の飽和脂肪族モノカルボン酸の異性体の混合物を意味し、前記混合物には炭素数１０の分岐鎖状飽和脂肪族モノカルボン酸が必ず含まれる。このように、ネオデカン酸とは、１種の化合物だけを意味するものではない。
そして、ネオデカン酸中の、２種以上の炭素数１０の飽和脂肪族モノカルボン酸の組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

上述のとおり、銀インク組成物（Ｉ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていることで、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって、光沢性と導電性がより高い金属銀を形成できる。その理由は定かではないが、以下のように推測される。
すなわち、金属銀の形成対象面に付着した銀インク組成物（Ｉ）中においては、カルボン酸銀から銀イオン（Ａｇ^＋）が生じる。この場合、銀インク組成物（Ｉ）の初期の固化処理によって、銀イオンに酸素が配位する（Ａｇ^＋・・・Ｏ）。次いで、金属銀を形成するための、銀インク組成物（Ｉ）の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理によって、酸素が配位した銀イオンから酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）が生じる。ここで、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていない銀インク組成物の場合には、この銀インク組成物の固化処理によって最終的に生成した金属銀中に、副生した酸化銀が不純物として混入し、金属銀の光沢性が低下してしまい、導電性も低下してしまうと推測される。一方で、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されている銀インク組成物（Ｉ）の場合には、この分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が酸化銀と反応することで、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の銀塩（本明細書においては、「分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸銀」と略記することがある）が生じる。この分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸銀は、β－ケトカルボン酸銀（１）と同様に、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって最終的に金属銀（銀層）を生成する。このように、銀インク組成物（Ｉ）を用いることにより、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理が原因となって生じた酸化銀が、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の作用によって、金属銀の光沢性と導電性の低下原因である不純物ではなく、金属銀そのものに転換されることによって、光沢性と導電性がより高い金属銀を形成できると推測される。

銀インク組成物（Ｉ）において、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量は、β－ケトカルボン酸銀（１）中の銀原子の配合量１モルあたり、０．０１～１モルであることが好ましく、０．０２～０．７モルであることがより好ましく、０．０３～０．４モルであることが特に好ましい。分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の前記配合量がこのような範囲であることで、光沢性と導電性が高い金属銀を形成する効果がより高くなる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外のカルボン酸にも、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と同様に、光沢性と導電性がより高い金属銀の形成を可能とするものがある。
このような分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外のカルボン酸（本明細書においては「他のカルボン酸」と称することがある）は、一価カルボン酸であってもよいし、二価以上の多価カルボン酸であってもよく、脂肪族カルボン酸であってもよいし、芳香族カルボン酸であってもよい。

前記他のカルボン酸は、ホルミル基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｈ）等の還元力を有する基を含まないものが好ましい。このような基を含まない他のカルボン酸が配合されてなる銀インク組成物（Ｉ）は、その保存中にカルボン酸銀由来の不溶物の生成が抑制され、取り扱い性がより高い。

前記他のカルボン酸の炭素数は、５～１７であることが好ましく、例えば、５～１５、５～１３及び５～１１のいずれかであってもよい。

前記他のカルボン酸の沸点は、１５０～２９０℃であることが好ましく、例えば、１５５～２８０℃、１６０～２７０℃及び１６０～２６０℃のいずれかであってもよい。他のカルボン酸の沸点が前記下限値以上であることで、銀インク組成物（Ｉ）中からの他のカルボン酸の揮発が抑制されて、他のカルボン酸を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、他のカルボン酸の沸点が前記上限値以下であることで、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって得られた金属銀中での他のカルボン酸の残存が抑制され、光沢性、導電性等が高いなど、より好ましい特性の金属銀が得られる。

前記他のカルボン酸は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

銀インク組成物（Ｉ）において、前記他のカルボン酸の配合量は、上述の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量と同じとすることができる。

［含窒素化合物］
銀インク組成物（Ｉ）は、β－ケトカルボン酸銀（１）及び分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外に、さらに含窒素化合物が配合されてなるものが好ましい。
前記含窒素化合物は、炭素数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、及びアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
前記アミン化合物は、炭素数が１～２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４～２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（－ＮＨ_２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。

前記第１級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が挙げられる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、このようなアルキル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。前記アルキル基は、炭素数が１～１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ｎ－ブチルアミン、ｎ－へキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、３－アミノペンタン、３－メチルブチルアミン、２－ヘプチルアミン（２－アミノヘプタン）、２－アミノオクタン、２－エチルヘキシルアミン、１，２－ジメチル－ｎ－プロピルアミン等が挙げられる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。前記アリール基の炭素数は、６～１０であることが好ましい。

前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子等が挙げられる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３～１２員環であることが好ましい。

前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１～４個有する単環状のものとしては、例えば、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、フラニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、チエニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する単環状のものとしては、例えば、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する単環状のものとしては、例えば、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１～５個有する多環状のものとしては、例えば、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。

前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、例えば、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（－ＮＨ_２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたもの等が挙げられる。
前記ジアミンは炭素数が１～１０であることが好ましく、より好ましいものとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン等が挙げられる。

前記第２級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が挙げられる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２－エチルへキシル）アミン等が挙げられる。

前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６～１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６～１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記第３級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が挙げられる。

前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。

前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６～１０であることが好ましい。

前記第４級アンモニウム塩としては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が挙げられる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、例えば、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。

ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、例えば、ピリジン等が挙げられる。

前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。

前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（－ＣＦ_３）等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１～５のアルキル基を有する、炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、２－フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３－ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、例えば、２－ブロモベンジルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、前記アリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６～１０のアリール基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、例えば、ブロモフェニルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ジエタノールアミン、Ｎ－メチルベンジルアミン等が挙げられる。

前記アミン化合物は、ｎ－プロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、ｎ－へキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、３－アミノペンタン、３－メチルブチルアミン、２－ヘプチルアミン、２－アミノオクタン、２－エチルヘキシルアミン、２－フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ－メチルベンジルアミン、ジ（２－エチルへキシル）アミン、１，２－ジメチル－ｎ－プロピルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２－エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物（Ｉ）の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。

（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩である。前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、例えば、ｎ－プロピルアミン塩酸塩、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン塩酸塩等が挙げられるが、これらに限定されない。

（アンモニア由来のアンモニウム塩）
前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩である。ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが挙げられる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、例えば、塩化アンモニウム等が挙げられるが、これに限定されない。

前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

本実施形態においては、例えば、前記含窒素化合物として、炭素数が８以上の第１含窒素化合物と、炭素数が７以下の第２含窒素化合物と、を併用してもよい。
前記第１含窒素化合物及び第２含窒素化合物を併用する場合、銀インク組成物（Ｉ）において、第１含窒素化合物の配合量に対する第２含窒素化合物の配合量の割合は、０モル％より大きく、１８モル％未満であることが好ましく、１～１７モル％であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、例えば、細線状の銀層をより安定して形成できる。

前記含窒素化合物を用いる場合、銀インク組成物（Ｉ）において、前記含窒素化合物の配合量は、β－ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．３～１５モルであることが好ましく、０．３～１２モルであることがより好ましく、０．３～８モルであることが特に好ましく、例えば、１～８モル、２．５～８モル、及び４～８モルのいずれかであってもよい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ｉ）は安定性がより向上し、金属銀の品質がより向上する。

［アルコール］
銀インク組成物（Ｉ）は、前記カルボン酸銀及び分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外に、さらにアルコールが配合されてなるものが好ましい。

前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。

（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）

（アセチレンアルコール（２））
アセチレンアルコール（２）は、前記一般式（２）で表される。
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１～２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。

Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、例えば、炭素数が１～１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が挙げられる。これら前記置換基は、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様のものである。そして、置換基を有する前記フェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｒ’及びＲ’’は、水素原子、又は炭素数１～２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。

好ましいアセチレンアルコール（２）としては、例えば、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、３－メチル－１－ブチン－３－オール、３－メチル－１－ペンチン－３－オール、２－プロピン－１－オール、４－エチル－１－オクチン－３－オール、３－エチル－１－ヘプチン－３－オール等が挙げられる。

アセチレンアルコール（２）を用いる場合、銀インク組成物（Ｉ）において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、β－ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０１～０．７モルであることが好ましく、０．０２～０．５モルであることがより好ましく、０．０２～０．３モルであることが特に好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ｉ）の安定性がより向上する。

前記アルコールは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

［他の成分］
銀インク組成物（Ｉ）は、β－ケトカルボン酸銀（１）と、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、含窒素化合物と、アルコールと、のいずれにも該当しない、他の成分（本明細書においては、「他の成分」と略記することがある）が配合されてなるものでもよい。
銀インク組成物（Ｉ）における前記他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。前記他の成分で、好ましいものとしては、例えば、アルコール以外の溶媒等が挙げられ、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。
銀インク組成物（Ｉ）において、前記他の成分は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

（溶媒）
前記溶媒は、アルコール以外のもの（水酸基を有しないもの）であれば、特に限定されない。
ただし、前記溶媒は、常温で液状であるものが好ましい。

前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；酢酸エチル、グルタル酸モノメチル、グルタル酸ジメチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２－ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）等のエーテル；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド等が挙げられる。

銀インク組成物（Ｉ）における前記他の成分の配合量は、前記他の成分の種類に応じて、適宜選択すればよい。

例えば、前記他の成分がアルコール以外の溶媒である場合、前記溶媒の配合量は、銀インク組成物（Ｉ）の粘度等、目的に応じて選択すればよい。ただし通常は、銀インク組成物（Ｉ）において、配合成分の総質量に対する、前記溶媒の配合量の割合は、３５質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２５質量％以下であることが特に好ましい。

例えば、前記他の成分が前記溶媒以外の成分である場合、銀インク組成物（Ｉ）において、配合成分の総質量に対する、前記他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。

配合成分の総質量に対する、前記他の成分の配合量の割合が０質量％、すなわち他の成分を配合しなくても、銀インク組成物（Ｉ）は十分にその効果を発現する。

銀インク組成物（Ｉ）においては、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。

○銀インク組成物（Ｉ）の製造方法
銀インク組成物（Ｉ）は、前記カルボン酸銀、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸、及び、必要に応じて、これら以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られた配合物をそのまま銀インク組成物（Ｉ）としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られた精製物を銀インク組成物（Ｉ）としてもよい。本実施形態においては、β－ケトカルボン酸銀（１）を用いることで、上記の各成分の配合時において、光沢性及び導電性を低下させる不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できる。したがって、精製操作を行っていない銀インク組成物（Ｉ）を用いても、十分な光沢性及び導電性を有する金属銀が得られる。

各成分の配合順序は、特に限定されない。各成分の好ましい配合方法の一例としては、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を最後に配合する方法が挙げられる。すなわち、前記銀インク組成物（Ｉ）の好ましい製造方法の一例としては、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外の成分をすべて配合した後、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を最後に配合する製造方法が挙げられる。

各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物（Ｉ）において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用することが好ましい。

配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、－５～６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０分～３６時間であることが好ましい。

〇銀インク組成物（ＩＩ）
銀インク組成物（ＩＩ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていない点以外は、銀インク組成物（Ｉ）と同じであってよい。
すなわち、銀インク組成物（ＩＩ）の配合成分としては、β－ケトカルボン酸銀（１）、前記含窒素化合物、前記アルコール、及び前記他の成分が挙げられる。
銀インク組成物（ＩＩ）における、β－ケトカルボン酸銀（１）、含窒素化合物、アルコール、及び他の成分の配合量は、銀インク組成物（Ｉ）の場合と同じであってよい。

○銀インク組成物（ＩＩ）の製造方法
銀インク組成物（ＩＩ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を配合しない点以外は、銀インク組成物（Ｉ）の場合と同じ方法で製造できる。
すなわち、銀インク組成物（ＩＩ）は、β－ケトカルボン酸銀（１）、及び、必要に応じて任意成分を配合することで得られる。ここで「任意成分」とは、β－ケトカルボン酸銀（１）に該当しない成分を意味する。例えば、銀インク組成物（ＩＩ）の製造時においては、各成分の配合順序は、特に限定されない。

○銀インク組成物（ＩＩＩ）
銀インク組成物（ＩＩＩ）は、有機銀錯体と、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸）と、含窒素化合物と、が配合されてなる。
このような銀インク組成物（ＩＩＩ）としては、例えば、有機銀錯体の前駆体化合物と、これ以外の含窒素化合物と、の反応によって、有機銀錯体が形成され、かつ余剰の前記含窒素化合物が残存している反応液と、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、を含むものが挙げられる。このような銀インク組成物（ＩＩＩ）として、より具体的には、「特許第５２４３４０９号公報」に記載のものに、さらに分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されてなるものが挙げられる。
すなわち、銀インク組成物（ＩＩＩ）としては、例えば、下記一般式（９１）で表される銀化合物（本明細書においては、「銀化合物（９１）」と略記することがある）と、下記一般式（９２）で表される化合物（本明細書においては、「含窒素化合物（９２）」と略記することがある）及び下記一般式（９３）で表される化合物（本明細書においては、「含窒素化合物（９３）」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上の含窒素化合物と、を反応させて得られた有機銀錯体を含有し、さらに、前記含窒素化合物と、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、を含有する液状組成物が挙げられる。

（式中、ｎ_１０１は、１～３の整数であり；Ｘ^１０１は、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアネート基、カーボネート基、ニトレート基、ニトライト基、サルフェート基、ホスフェート基、チオシアネート基、クロレート基、パークロレート基、テトラフルオロボレート基、アセチルアセトネート基、カルボキシレート基、及びこれらの誘導体からなる群よから選択される基であり；Ｒ^１０１～Ｒ^１１１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～３０の脂肪族若しくは脂環族アルキル基又はアリール基、官能基が置換されたアルキル基又はアリール基、及びヘテロ環式基からなる群から選択される基であり、ただし、Ｒ^１０１～Ｒ^１１１がすべて水素原子になることはない。）

前記有機銀錯体としては、例えば、下記一般式（９５）－１で表される化合物（本明細書においては、「有機銀錯体（９５）－１」と略記することがある）、及び下記一般式（９５）－２で表される化合物（本明細書においては、「有機銀錯体（９５）－２」と略記することがある）が挙げられる。

（式中、Ｒ^１０１～Ｒ^１１１は、上記と同じであり；ｍ_１０１及びｍ_１０２は、それぞれ独立に、０．５～１．５である。）

［銀化合物（９１）］
銀化合物（９１）としては、例えば、酸化銀、チオシアネート化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、リン酸銀、過塩素酸銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀等が挙げられる。

銀化合物（９１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

銀インク組成物（ＩＩＩ）において、銀化合物（９１）に由来する銀の含有量は、２質量％以上であることが好ましく、４質量％以上であることがより好ましい。前記銀の含有量がこのような範囲であることで、形成された導電体（金属銀）は品質により優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、銀インク組成物（ＩＩＩ）の取り扱い性等を考慮すると、２０質量％であることが好ましい。
なお、ここで、「銀化合物（９１）に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物（ＩＩＩ）の製造時に配合された銀化合物（９１）中の銀と同義であり、配合後も引き続き銀化合物（９１）を構成している銀と、配合後に銀化合物（９１）の反応で生じた反応物中の銀と、配合後に銀化合物（９１）の反応で生じた銀そのもの（金属銀）と、のすべてを含む概念とする。

［含窒素化合物（９２）］
含窒素化合物（９２）は、アンモニウムカルバメート系化合物である。
含窒素化合物（９２）において、Ｒ^１０１～Ｒ^１０５は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、シアノエチル基、メトキシエトキシエチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、ヘキサメチレンイミニル基、モルホリノ基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピリジニル基、カルボキシメチル基、トリメトキシシリルプロピル基、トリエトキシシリルプロピル基、フェニル基、メトキシフェニル基、シアノフェニル基、トリル基、ベンジル基、又はこれらの基において一部が置換された基であることが好ましい。ただし、Ｒ^１０１～Ｒ^１０５がすべて水素原子になることはない。

含窒素化合物（９２）としては、例えば、エチルアンモニウム エチルカルバメート、イソプロピルアンモニウム イソプロピルカルバメート、ｎ－ブチルアンモニウム ｎ－ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウム イソブチルカルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルアンモニウム ｔｅｒｔ－ブチルカルバメート、２－エチルヘキシルアンモニウム ２－エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカルバメート、２－メトキシエチルアンモニウム ２－メトキシエチルカルバメート、２－シアノエチルアンモニウム ２－シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウム ジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウム ジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウム ヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリノアンモニウム モルホリノカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、ベンジルアンモニウム ベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカルバメート等が挙げられる。
そして、これら含窒素化合物（９２）の中でも、２－エチルヘキシルアンモニウム ２－エチルヘキシルカルバメートは、銀化合物（９１）との相溶性に優れ、銀インク組成物（ＩＩＩ）の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。

含窒素化合物（９２）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

含窒素化合物（９２）は、公知の方法で製造でき、例えば、「米国特許第４５４２２１４号明細書」に記載の方法で製造できる。

［含窒素化合物（９３）］
含窒素化合物（９３）は、アンモニウムカーボネート系化合物である。
含窒素化合物（９３）において、Ｒ^１０６～Ｒ^１１１は、含窒素化合物（９２）におけるＲ^１０１～Ｒ^１０５と同様のものである。ただし、Ｒ^１０６～Ｒ^１１１がすべて水素原子になることはない。

含窒素化合物（９３）としては、例えば、エチルアンモニウム エチルカーボネート、イソプロピルアンモニウム イソプロピルカーボネート、ｎ－ブチルアンモニウム ｎ－ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウム イソブチルカーボネート、ｔｅｒｔ－ブチルアンモニウム ｔｅｒｔ－ブチルカーボネート、２－エチルヘキシルアンモニウム ２－エチルヘキシルカーボネート、２－メトキシエチルアンモニウム ２－メトキシエチルカーボネート、２－シアノエチルアンモニウム ２－シアノエチルカーボネート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウム ジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウム ジオクタデシルカーボネート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミニルアンモニウム ヘキサメチレンイミニルカーボネート、モルホリノアンモニウム モルホリノカーボネート、ベンジルアンモニウム ベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカーボネート等が挙げられる。

含窒素化合物（９３）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

含窒素化合物（９３）は、公知の方法で製造でき、例えば、「米国特許第４５４２２１４号明細書」に記載の方法で製造できる。

銀化合物（９１）と反応させる含窒素化合物は、１種又は２種以上の含窒素化合物（９２）のみであってもよいし、１種又は２種以上の含窒素化合物（９３）のみであってもよいし、１種又は２種以上の含窒素化合物（９２）と、１種又は２種以上の含窒素化合物（９３）と、の両方であってもよい。

銀化合物（９１）と、含窒素化合物（９２）及び含窒素化合物（９３）からなる群から選択される１種又は２種以上と、の反応は、例えば、窒素雰囲気下において、常圧の状態で又は加圧した状態で、溶媒を用いずに行うことができる。

［溶媒］
前記反応は、溶媒を用いて行ってもよい。このときの溶媒としては、例えば、水；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール；エチレングリコール、グリセリン等のグリコール；エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテート等のアセテート；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；メチルエチルケトン、アセトン等のケトン；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素；クロロホルム、メチレンクロライド、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素等が挙げられる。
溶媒は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記溶媒は、銀インク組成物（ＩＩＩ）の配合成分であってもよい。

前記反応時において、含窒素化合物（９２）及び含窒素化合物（９３）の合計使用量は、使用する銀化合物（９１）中の銀原子の量に対して、１～４倍モル量である（［含窒素化合物（９２）及び含窒素化合物（９３）の合計使用量（モル）］／［使用する銀化合物（９１）中の銀原子の量（モル）］の値が１～４である）ことが好ましい。

［炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸］
銀インク組成物（ＩＩＩ）における、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、銀インク組成物（Ｉ）における炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸）と同じである。
銀インク組成物（ＩＩＩ）における前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、銀インク組成物（Ｉ）における前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、同様の作用を示すと推測される。

銀インク組成物（ＩＩＩ）において、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量は、前記有機銀錯体中の銀原子の配合量１モルあたり、０．０１～１モルであることが好ましく、０．０２～０．７モルであることがより好ましく、０．０３～０．４モルであることが特に好ましい。分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の前記配合量がこのような範囲であることで、印刷対象物を加熱しながら印刷を行った場合であっても、光沢性が高い金属銀を形成する効果がより高くなる。
銀インク組成物（ＩＩＩ）の製造時に、前記有機銀錯体の前駆体化合物を用いる場合には、前記前駆体化合物中の銀原子の配合量１モルあたりの、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量を、上述の数値範囲とすることができる。

上述のとおり、前記銀インク組成物（ＩＩＩ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていることで、印刷対象物を加熱しながら印刷を行った場合であっても、光沢性が高い金属銀を形成できる。その理由は定かではないが、上述の銀インク組成物（Ｉ）の場合と同じであると推測される。

〇銀インク組成物の使用方法
前記金属銀層形成工程においては、銀インク組成物（Ｉ）、銀インク組成物（ＩＩ）及び銀インク組成物（ＩＩＩ）の場合に限定されず、前記銀インク組成物を用い、インクジェット印刷法により、前記基材上に銀インク組成物の印刷層を形成できる。

銀インク組成物を乾燥処理する場合には、公知の方法で行えばよい。すなわち前記乾燥処理は、例えば、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれであってもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、例えば、１８～３０℃で大気下において乾燥させる方法が挙げられる。

銀インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０～３７０℃であることが好ましく、７０～２８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分～２４時間であることが好ましく、１分～１２時間であることがより好ましい。β－ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀の形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。

銀インク組成物を耐熱性が低い目的物に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、加熱温度は１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。

銀インク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されない。前記加熱処理は、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱、高周波照射による加熱、誘電加熱等で行うことができる。また、前記加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、前記加熱処理は、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。

本明細書において「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。

銀インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行う場合の相対湿度は、１０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることが特に好ましく、９０％以上であってもよいし、１００％であってもよい。そして、加湿条件下での加熱処理は、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、短時間でより高純度の金属銀を形成できる。

以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。

各実施例及び比較例で用いた基材を表１に示す。

各実施例及び比較例で用いた、シリコーン系樹脂層の形成手段を、表２に示す。

［実施例１］
＜＜積層体の製造＞＞
銀インク組成物（Ｉ）を用い、以下に示す手順により、図１に示す積層体を製造した。

＜銀インク組成物の製造＞
ビーカー中に２－エチルヘキシルアミン（後述する２－メチルアセト酢酸銀に対して６．５３倍モル量）と、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール（以下、「ＤＭＨＯ」と略記することがある）（後述する２－メチルアセト酢酸銀に対して０．１０倍モル量）と、を加えて混合し、メカニカルスターラーを回転させて撹拌しながら、さらにここへ、液温が４０℃以下となるように２－メチルアセト酢酸銀を添加して、各配合成分を溶解させ、室温でそのまま１日撹拌を続けた。
次いでこの撹拌液に、液温が３０℃以下となるように、ネオデカン酸（２－メチルアセト酢酸銀に対して０．１３倍モル量）を滴下して撹拌することにより、銀インク組成物として銀インク組成物（Ｉ）－１を得た。
なお、ＤＭＨＯとしては、日信化学社製「サーフィノール６１」を用い、ネオデカン酸としては、ジャパンケムテック社製「バーサティック１０」を用いた。これは、以降の実施例及び比較例でも同様である。

各配合成分の種類と配合比を表３に示す。表３中、「含窒素化合物（モル比）」とは、β－ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたりの含窒素化合物の配合量（モル数）（［含窒素化合物のモル数］／［β－ケトカルボン酸銀（１）のモル数］）を意味する。「アルコール（モル比）」も同様に、β－ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたりのアルコールの配合量（モル数）（［アルコールのモル数］／［β－ケトカルボン酸銀（１）のモル数］）を意味する。「分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（モル比）」も同様に、β－ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたりの分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量（モル数）（［分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸のモル数］／［β－ケトカルボン酸銀（１）のモル数］）を意味する。

＜シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）＞
クリーニングパッド（オーディオテクニカ社製「ＤＭＴ－２０３２Ｂ」、非シリコンポリエチレン系樹脂製）を用いて、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、平面形状が矩形である基材（Ｓ）－１の一方の表面に、手動により、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、基材（Ｓ）－１の縦方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。
次いで、前記クリーニングパッドを用いて、前記形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、基材（Ｓ）－１の前記形成手段（Ｗ）－１を転がしたこの領域内の表面に、手動により、再度クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、今度は基材（Ｓ）－１の横方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。前記縦方向及び横方向のいずれの場合も、前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、基材（Ｓ）－１上を移動させる速度を、４０ｃｍ／ｓとし、前記形成手段（Ｗ）－１によって基材（Ｓ）－１に加える圧力を、０．０１４～０．０３６ＭＰａとした。
このように、基材（Ｓ）－１の一方の表面上で、互いに直交する２方向において、１往復ずつ前記形成手段（Ｗ）－１を手動により転がすことによって、前記表面にシリコーン系樹脂層を形成した。

上記で得られた、シリコーン系樹脂層を形成した基材（Ｓ）－１を用いて、そのシリコーン系樹脂層側の表面について、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）により分析した。分析には帯電補正用中和銃を使用した。その他の分析条件は、以下のとおりである。さらに、シリコーン系樹脂層を形成していない基材（Ｓ）－１の表面についても、同様に分析した。結果を表４に示す。
［ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析条件］
照射１次イオン：Ｂｉ_３ ^２＋
１次イオン加速電圧：２５ｋＶ
測定面積：３００μｍ×３００μｍ

さらに、シリコーン系樹脂層側の表面を分析したときに取得した、イオン強度の分布データを図５に示す。図５で示しているのは、左側から順に、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋（ｍ／ｚ １４７）の分布データ、正トータルイオン（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｏｔａｌ ｉｏｎ）の分布データ、これら分布データを重ね合わせたデータである。

表４に示すとおり、シリコーン系樹脂層を形成していない基材（Ｓ）－１の場合には、ＴＯＦ－ＳＩＭＳにより、基材（Ｓ）－１の含有成分であるメタクリル酸メチル、アクリル酸エチル及びアルキルベンゼンスルホン酸に由来すると考えられるイオン種が検出された。メタクリル酸メチル及びアクリル酸エチルは易接着処理に関係する成分であり、アルキルベンゼンスルホン酸は帯電防止処理に関係する成分であると推測された。一方、シリコーン系樹脂層に関係する成分に由来すると考えられるイオン種は、検出されなかった。
これに対して、シリコーン系樹脂層を形成した基材（Ｓ）－１の場合には、ＴＯＦ－ＳＩＭＳにより、前記形成手段（Ｗ）－１の含有成分であるポリジメチルシロキサンに由来すると考えられるイオン種が検出され、基材（Ｓ）－１の表面に確かにシリコーン系樹脂層が形成されていることを確認できた。さらに、基材（Ｓ）－１の含有成分であるメタクリル酸メチル、アクリル酸エチル及びアルキルベンゼンスルホン酸に由来すると考えられるイオン種も検出され、シリコーン系樹脂層の厚さが確かに１ｎｍ以下であることを確認できた。

図５から明らかなように、基材（Ｓ）－１上では、ポリジメチルシロキサンに由来すると考えられるＣ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋は、均一に分布し、正トータルイオンも均一に分布しており、これは、基材（Ｓ）－１上では、むらなく、厚さの均一性が高い状態でシリコーン系樹脂層が形成されていることを示していた。

＜金属銀層の形成（金属銀層形成工程）＞
インクジェット印刷装置（コニカミノルタ社製「ＩＪＣＳ－１」、インクジェットヘッド「ＫＭ５１２ＭＨ」、液滴量１４ｐＬ）と、上記で得られた銀インク組成物（Ｉ）－１と、を用いて、インクジェット印刷法により、基材（Ｓ）－１上のシリコーン系樹脂層の第１面（露出面）上に、３本の直線状の印刷層を互いに平行に形成した。このとき、各印刷層の両端部以外の設計線幅はすべて、銀インク組成物（Ｉ）－１の１ドット分とし、各印刷層の印刷回数は１とした。

次いで、前記印刷層に対して、１３０℃の熱風を５分吹き付けて、印刷層（すなわち銀インク組成物）を加熱処理することにより、印刷層から金属銀を形成して、基材（Ｓ）－１上に、３本の直線状の金属銀層を形成した。これら金属銀層の長さはすべて２５ｍｍであった。
以上により、目的とする積層体を製造した。
なお、以降のすべての実施例及び比較例においても、形成した金属銀層の長さはすべて２５ｍｍであった。

＜＜積層体の評価＞＞
＜金属銀層の線幅の測定、線幅比率の算出＞
レーザー顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫ－Ｘ１００」）を用いて、上記で得られた直線状の金属銀層について、その長さ方向における中央部と、両端部の近傍と、の合計３箇所で、線幅を測定した。このような線幅の測定を、３本の金属銀層すべてで行い、合計９つの測定値の平均値を求め、この平均値を本実施例での金属銀層の線幅として採用した。結果を表５に示す。

さらに、比較例１で後述するように、シリコーン系樹脂層の形成を行わなかった点以外は、本実施例の場合と同じ方法で製造した比較用積層体において、本実施例の場合と同じ方法で金属銀層（比較用金属銀層）の線幅（基準線幅）を求め、前記式（ｉ）により、線幅比率を算出した。結果を表５に示す。

＜金属銀層の厚さの測定＞
上述の金属銀層の線幅の測定時に、同じ箇所での金属銀層の厚さを測定した。このような厚さの測定を、３本の金属銀層すべてで行い、合計９つの測定値の平均値を求め、この平均値を本実施例での金属銀層の厚さとして採用した。結果を表５に示す。

＜金属銀層の抵抗値の測定、抵抗値比率の算出＞
デジタルマルチメーター（ＡＤＣ社製「ＡＤＣＭＴ ７３５２Ａ」）を用いて、上記で得られた積層体中の金属銀層の、両端部間の抵抗値（Ω）を測定した。このような抵抗値の算出を、３本の金属銀層すべてで行い、合計３つの測定値の平均値を求め、この平均値を本実施例での金属銀層の抵抗値（Ω）として採用した。そして、得られた抵抗値（Ω）を金属銀層の長さ（２５ｍｍ）で除して、単位長さあたりの抵抗値（Ω／ｍｍ）を算出した。結果を表５に示す。

さらに、前記比較用（比較例１）の積層体において、本実施例の場合と同じ方法で、金属銀層の単位長さあたりの抵抗値（基準抵抗値）（Ω／ｍｍ）を求め、前記式（ｉｉ）により、抵抗値比率を算出した。結果を表５に示す。

＜金属銀層の体積抵抗率の算出＞
ここまでで得られた金属銀層の線幅（μｍ）、厚さ（μｍ）及び抵抗値（Ω／ｍｍ）の値から、金属銀層の体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）を算出した。結果を表５に示す。

＜＜積層体の製造及び評価＞＞
［実施例２］
印刷層の形成時に、前記設計線幅を銀インク組成物（Ｉ）－１の１ドット分に代えて２ドット分とした点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例３］
印刷層の形成時に、前記設計線幅を銀インク組成物（Ｉ）－１の１ドット分に代えて３ドット分とした点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［比較例１］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

なお、表１中、「抵抗値（Ω）」、「抵抗値（Ω／ｍｍ）」及び「基準抵抗値（Ω／ｍｍ）」の欄中の「ＯＬ」との記載は、その値が大き過ぎて、測定不能（非導通）であったことを意味する。そして、「抵抗値／基準抵抗値×１００（％）」の欄中の「算出不能」との記載は、「基準抵抗値（Ω／ｍｍ）」が「ＯＬ」であったことによって、「抵抗値／基準抵抗値×１００（％）」を算出できなかったことを意味する。
また、「厚さ（μｍ）」の欄中の「－」との記載は、金属銀層の厚さが未測定であることを意味する。
また、「体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）」の欄中の「算出不能」との記載は、金属銀層の「抵抗値（Ω／ｍｍ）」が「ＯＬ」であったことによって、金属銀層の「体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）」を算出できなかったことを意味する。そして、「体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）」の欄中の「－」との記載は、金属銀層の「厚さ（μｍ）」が「－」（未測定）であることによって、金属銀層の「体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）」が未算出であることを意味する。

［比較例２］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［比較例３］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例４］
各印刷層の形成時に、その印刷回数を１に代えて３とした点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。
本実施例では、１回目の印刷で形成した印刷層の上に、２回目の印刷でさらに印刷層を形成し、２回目の印刷で形成した印刷層の上に、３回目の印刷でさらに印刷層を形成した。
以降で示す実施例及び比較例のうち、印刷回数が２以上のものでも、同様に印刷層を形成している。
結果を表５に示す。

［実施例５］
各印刷層の形成時に、その印刷回数を１に代えて３とした点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例６］
各印刷層の形成時に、その印刷回数を１に代えて３とした点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［比較例４］
各印刷層の形成時に、その印刷回数を１に代えて３とした点以外は、比較例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［比較例５］
各印刷層の形成時に、その印刷回数を１に代えて３とした点以外は、比較例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［比較例６］
各印刷層の形成時に、その印刷回数を１に代えて３とした点以外は、比較例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例７］
シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１に代えて（Ｗ）－２を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例８］
シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１に代えて（Ｗ）－２を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例９］
シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１に代えて（Ｗ）－２を用いた点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例１０］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－２を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［実施例１１］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－２を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［実施例１２］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－２を用いた点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［比較例７］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例１０の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［比較例８］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例１１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［比較例９］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例１２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［実施例１３］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－５を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［実施例１４］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－５を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［実施例１５］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－５を用いた点と、印刷層の形成時に、前記設計線幅を銀インク組成物（Ｉ）－１の１ドット分に代えて４ドット分とした点、以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［比較例１０］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例１３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［比較例１１］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例１４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［比較例１２］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例１５の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表６に示す。

［実施例１６］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－３を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例１７］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－３を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例１８］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－３を用いた点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例１９］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－４を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２０］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－４を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２１］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－４を用いた点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２２］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－６を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２３］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－６を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２４］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－６を用いた点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２５］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－７を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２６］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－７を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２７］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－７を用いた点以外は、実施例３の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［比較例１３］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例２５の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［比較例１４］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例２６の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［比較例１５］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例２７の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表７に示す。

［実施例２８］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－８を用いた点と、印刷層の形成時に、前記設計線幅を銀インク組成物（Ｉ）－１の１ドット分に代えて２ドット分とした点、以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表８に示す。

［実施例２９］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－８上で、互いに直交する２方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、３往復させた点以外は、実施例２８の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表８に示す。

［実施例３０］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－８上で、互いに直交する２方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、５往復させた点以外は、実施例２８の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表８に示す。

［比較例１６］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例２８の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表８に示す。

［実施例３１］
基材（Ｓ）－１に代えて基材（Ｓ）－９を用いた点と、印刷層の形成時に、前記設計線幅を銀インク組成物（Ｉ）－１の１ドット分に代えて２ドット分とした点、以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表８に示す。

［実施例３２］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－９上で、互いに直交する２方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、３往復させた点以外は、実施例３１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表８に示す。

［実施例３３］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－９上で、互いに直交する２方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、５往復させた点以外は、実施例３１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表８に示す。

［比較例１７］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例３１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表８に示す。

［実施例３４］
＜＜積層体の製造＞＞
＜銀インク組成物の製造＞
実施例１の場合と同じ方法で、銀インク組成物（Ｉ）－１を製造した。

＜シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）＞
クリーニングパッド（オーディオテクニカ社製「ＤＭＴ－２０３２Ｂ」、非シリコンポリエチレン系樹脂製）を用いて、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、平面形状が矩形である基材（Ｓ）－１の一方の表面に、手動により、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、基材（Ｓ）－１の縦方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。
次いで、前記クリーニングパッドを用いて、前記形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、基材（Ｓ）－１の前記形成手段（Ｗ）－１を転がしたこの領域内の表面に、手動により、再度クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、今度は基材（Ｓ）－１の横方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。前記縦方向及び横方向のいずれの場合も、前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、基材（Ｓ）－１上を移動させる速度を、４０ｃｍ／ｓとし、前記形成手段（Ｗ）－１によって基材（Ｓ）－１に加える圧力を、０．０１４～０．０３６ＭＰａとした。
このように、基材（Ｓ）－１の一方の表面上で、互いに直交する２方向において、１往復ずつ前記形成手段（Ｗ）－１を手動により転がすことによって、前記表面にシリコーン系樹脂層を形成した。

＜金属銀層の形成（金属銀層形成工程）＞
インクジェット印刷装置（コニカミノルタ社製「ＩＪＣＳ－１」、インクジェットヘッド「ＫＭ５１２ＭＨ」、液滴量１４ｐＬ）と、上記で得られた銀インク組成物（Ｉ）－１と、を用いて、インクジェット印刷法により、基材（Ｓ）－１上のシリコーン系樹脂層の第１面（露出面）上に、３本の直線状の印刷層を互いに平行に形成した。このとき、各印刷層の両端部以外の設計線幅はすべて、銀インク組成物（Ｉ）－１の２ドット分とし、各印刷層の印刷回数は１とした。

次いで、前記印刷層に対して、１３０℃の熱風を５分吹き付けて、印刷層（すなわち銀インク組成物）を加熱処理することにより、印刷層から金属銀を形成して、基材（Ｓ）－１上に、３本の直線状の金属銀層を形成した。
以上により、目的とする積層体を製造した。

＜＜積層体の評価＞＞
上記で得られた積層体を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表９に示す。

［実施例３５］
＜＜積層体の製造＞＞
＜銀インク組成物の製造＞
実施例１の場合と同じ方法で、銀インク組成物（Ｉ）－１を製造した。

＜シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）＞
クリーニングパッド（オーディオテクニカ社製「ＤＭＴ－２０３２Ｂ」、非シリコンポリエチレン系樹脂製）を用いて、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、平面形状が矩形である基材（Ｓ）－１の一方の表面に、手動により、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、基材（Ｓ）－１の縦方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。
次いで、前記クリーニングパッドを用いて、前記形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、基材（Ｓ）－１の前記形成手段（Ｗ）－１を転がしたこの領域内の表面に、手動により、再度クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、今度は基材（Ｓ）－１の横方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。
次いで、上記のように、前記形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングし、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１を、基材（Ｓ）－１の同じ領域内で、縦方向に転がして１往復させ、前記形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングし、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１を、基材（Ｓ）－１の同じ領域内で、横方向に転がして１往復させる工程を、もう一度繰り返し行った。４往復（縦方向及び横方向２往復ずつ）のいずれの場合も、前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、基材（Ｓ）－１上を移動させる速度を、４０ｃｍ／ｓとし、前記形成手段（Ｗ）－１によって基材（Ｓ）－１に加える圧力を、０．０１４～０．０３６ＭＰａとした。
このように、基材（Ｓ）－１の一方の表面上で、互いに直交する２方向において、２往復ずつ、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１を手動により転がすことによって、前記表面にシリコーン系樹脂層を形成した。

＜金属銀層の形成（金属銀層形成工程）＞
上記で得られた、シリコーン系樹脂層を備えた基材（Ｓ）－１を用いて、実施例３４の場合と同じ方法で、金属銀層を形成した。
以上により、目的とする積層体を製造した。

＜＜積層体の評価＞＞
上記で得られた積層体を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表９に示す。

＜＜積層体の製造及び評価＞＞
［実施例３６］
シリコーン系樹脂層の形成時において、基材（Ｓ）－１の縦方向及び横方向での、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１の往復回数を、２に代えて３とした点以外は、実施例３５の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［実施例３７］
シリコーン系樹脂層の形成時において、基材（Ｓ）－１の縦方向及び横方向での、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１の往復回数を、２に代えて５とした点以外は、実施例３５の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［実施例３８］
シリコーン系樹脂層の形成時において、基材（Ｓ）－１の縦方向及び横方向での、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１の往復回数を、２に代えて１０とした点以外は、実施例３５の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［比較例１８］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例３４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［実施例３９］
実施例３４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［実施例４０］
＜＜積層体の製造＞＞
＜銀インク組成物の製造＞
実施例１の場合と同じ方法で、銀インク組成物（Ｉ）－１を製造した。

＜シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）＞
クリーニングパッド（オーディオテクニカ社製「ＤＭＴ－２０３２Ｂ」、非シリコンポリエチレン系樹脂製）を用いて、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、平面形状が矩形である基材（Ｓ）－１の一方の表面に、手動により、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、基材（Ｓ）－１の縦方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。
次いで、前記クリーニングパッドを用いて、前記形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、基材（Ｓ）－１の前記形成手段（Ｗ）－１を転がしたこの領域内の表面に、手動により、再度クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、今度は基材（Ｓ）－１の横方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。
次いで、前記形成手段（Ｗ）－１を、基材（Ｓ）－１の同じ領域内で、縦方向に転がして１往復させ、さらに横方向に転がして１往復させる工程を行った。４往復（縦方向及び横方向２往復ずつ）のいずれの場合も、前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、基材（Ｓ）－１上を移動させる速度を、４０ｃｍ／ｓとし、前記形成手段（Ｗ）－１によって基材（Ｓ）－１に加える圧力を、０．０１４～０．０３６ＭＰａとした。
このように、基材（Ｓ）－１の一方の表面上で、互いに直交する２方向において、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１を手動により１往復転がし、さらに、クリーニング未実施の前記形成手段（Ｗ）－１を手動により１往復転がすことによって、前記表面にシリコーン系樹脂層を形成した。

＜金属銀層の形成（金属銀層形成工程）＞
上記で得られた、シリコーン系樹脂層を備えた基材（Ｓ）－１を用いて、実施例３９の場合と同じ方法で、金属銀層を形成した。
以上により、目的とする積層体を製造した。

＜＜積層体の評価＞＞
上記で得られた積層体を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表９に示す。

＜＜積層体の製造及び評価＞＞
［実施例４１］
シリコーン系樹脂層の形成時において、基材（Ｓ）－１の縦方向及び横方向での、クリーニング未実施の前記形成手段（Ｗ）－１の往復回数を、１に代えて２とした（縦方向及び横方向での往復回数をそれぞれ合計で３とした）点以外は、実施例４０の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［実施例４２］
シリコーン系樹脂層の形成時において、基材（Ｓ）－１の縦方向及び横方向での、クリーニング未実施の前記形成手段（Ｗ）－１の往復回数を、１に代えて４とした（縦方向及び横方向での往復回数をそれぞれ合計で５とした）点以外は、実施例４０の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［実施例４３］
シリコーン系樹脂層の形成時において、基材（Ｓ）－１の縦方向及び横方向での、クリーニング未実施の前記形成手段（Ｗ）－１の往復回数を、１に代えて９とした（縦方向及び横方向での往復回数をそれぞれ合計で１０とした）点以外は、実施例４０の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［比較例１９］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例３９の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表９に示す。

［実施例４４］
＜＜積層体の製造＞＞
＜銀インク組成物の製造＞
実施例１の場合と同じ方法で、銀インク組成物（Ｉ）－１を製造した。

＜シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）＞
クリーニングパッド（オーディオテクニカ社製「ＤＭＴ－２０３２Ｂ」、非シリコンポリエチレン系樹脂製）と、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１と、を備えた自動クリーニング装置（オーディオテクニカ社製「ＴＣＴ－６４０」）を用いて、前記形成手段（Ｗ）－１のロール面をクリーニングした。
次いで、前記自動クリーニング装置を用いて、平面形状が矩形である基材（Ｓ）－１の一方の表面に、クリーニング済みの前記形成手段（Ｗ）－１のロール面を接触させ、基材（Ｓ）－１の縦方向に、基材（Ｓ）－１の両端間で前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、１往復させた。このとき、前記形成手段（Ｗ）－１を転がして、基材（Ｓ）－１上を移動させる速度を、６．２ｃｍ／ｓとし、前記形成手段（Ｗ）－１によって基材（Ｓ）－１に加える圧力を、０．５ＭＰａとした。
このように、基材（Ｓ）－１の一方の表面上で、１方向において１往復、前記形成手段（Ｗ）－１を自動により転がすことによって、前記表面にシリコーン系樹脂層を形成した。

＜金属銀層の形成（金属銀層形成工程）＞
インクジェット印刷装置（コニカミノルタ社製「ＩＪＣＳ－１」、インクジェットヘッド「ＫＭ５１２ＭＨ」、液滴量１４ｐＬ）と、上記で得られた銀インク組成物（Ｉ）－１と、を用いて、インクジェット印刷法により、基材（Ｓ）－１上のシリコーン系樹脂層の第１面（露出面）上に、３本の直線状の印刷層を互いに平行に形成した。このとき、各印刷層の両端部以外の設計線幅はすべて、銀インク組成物（Ｉ）－１の２ドット分とし、各印刷層の印刷回数は１とした。

次いで、前記印刷層に対して、１３０℃の熱風を５分吹き付けて、印刷層（すなわち銀インク組成物）を加熱処理することにより、印刷層から金属銀を形成して、基材（Ｓ）－１上に、３本の直線状の金属銀層を形成した。
以上により、目的とする積層体を製造した。

＜＜積層体の評価＞＞
上記で得られた積層体を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表１０に示す。

＜＜積層体の製造及び評価＞＞
［実施例４５］
シリコーン系樹脂層の形成時において、前記形成手段（Ｗ）－１を移動させる速度を、６．２ｃｍ／ｓに代えて、１８．５ｃｍ／ｓとした点以外は、実施例４４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表１０に示す。

［実施例４６］
シリコーン系樹脂層の形成時において、前記形成手段（Ｗ）－１を移動させる速度を、６．２ｃｍ／ｓに代えて、２５．８ｃｍ／ｓとした点以外は、実施例４４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表１０に示す。

［実施例４７］
シリコーン系樹脂層の形成時において、前記形成手段（Ｗ）－１を移動させる速度を、６．２ｃｍ／ｓに代えて、３５．４ｃｍ／ｓとした点以外は、実施例４４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表１０に示す。

［実施例４８］
シリコーン系樹脂層の形成時において、前記形成手段（Ｗ）－１を移動させる速度を、６．２ｃｍ／ｓに代えて、４２．２ｃｍ／ｓとした点以外は、実施例４４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表１０に示す。

［実施例４９］
シリコーン系樹脂層の形成時において、前記形成手段（Ｗ）－１を移動させる速度を、６．２ｃｍ／ｓに代えて、４３．５ｃｍ／ｓとした点以外は、実施例４４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表１０に示す。

［比較例２０］
シリコーン系樹脂層の形成（シリコーン系樹脂層形成工程）を行わなかった点以外は、実施例４４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表１０に示す。

［実施例５０］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－１上で、１方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、２往復させた点以外は、実施例４４の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表１０に示す。

［実施例５１］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－１上で、１方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、２往復させた点以外は、実施例４５の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表１０に示す。

［実施例５２］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－１上で、１方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、２往復させた点以外は、実施例４６の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表１０に示す。

［実施例５３］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－１上で、互いに直交する２方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、２往復させた点以外は、実施例４７の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表１０に示す。

［実施例５４］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－１上で、１方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、２往復させた点と、前記形成手段（Ｗ）－１を移動させる速度を、４２．２ｃｍ／ｓに代えて、３９．８ｃｍ／ｓとした点、以外は、実施例４８の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表１０に示す。

［実施例５５］
シリコーン系樹脂層の形成時に、基材（Ｓ）－１上で、１方向において、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるのに代えて、２往復させた点以外は、実施例４９の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。前記形成手段（Ｗ）－１のロール面のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の最初の１往復のときのみ、行った。結果を表１０に示す。

上記結果から明らかなように、実施例１～５５においては、濡れ性向上剤が未配合の銀インク組成物（Ｉ）－１を用いて、インクジェット印刷法によって、基材上に金属銀層を形成し、簡便な方法で積層体を製造できた。実施例１～５５においては、金属銀層の線幅が３２３ｎｍ以下（１１０～３２３ｎｍ）であり、金属銀層の線幅比率が７１．６％以下（３５．７～７１．６％）であって、シリコーン系樹脂層を形成することによって、線幅が縮小され、ほぼ設計どおりに細い線幅の金属銀層が形成されていた。これは、基材上での銀インク組成物の滲みが抑制されたことによる効果であった。また、実施例１～５５においては、算出可能であった範囲で、金属銀層の抵抗値が４２８．９６Ω／ｍｍ以下（１１．６８～４２８．９６Ω／ｍｍ）であり、金属銀層の抵抗値比率が８６．９％以下（１．０～８６．９％）であって、金属銀層の抵抗値が低めで安定していた。これは、上記のように、銀インク組成物の滲みが抑制されたことで、金属銀層の厚さが一定値以上で安定したことによる効果であった。

実施例３４～３８及び比較例１８における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値をグラフ化したものを、図６に示す。
図６から明らかなように、クリーニング済みのシリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を基材（Ｓ）－１上で１往復させれば、シリコーン系樹脂層を形成したことによる効果が、十分に得られていた。また、その効果は、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を用いなかった場合に対して、顕著に高かった。

実施例３９～４３及び比較例１９における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値をグラフ化したものを、図７に示す。
図７から明らかなように、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を基材（Ｓ）－１上で往復させる回数によらず、シリコーン系樹脂層を形成したことによる効果は、ほぼ同じであった。換言すると、前記形成手段（Ｗ）－１のクリーニングを、最初の１往復のときに行えば、以降の往復のときに行わなくても、シリコーン系樹脂層を形成したことによる効果が十分に得られた。また、その効果は、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を用いなかった場合に対して、顕著に高かった。

また、図６と図７との比較から、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１のクリーニングは、前記形成手段（Ｗ）－１の往復時に毎回行った場合の方が、最初の１往復のときだけ行った場合よりも、シリコーン系樹脂層を形成したことによる効果が高いことを確認できた。

実施例４４～４９及び比較例２０における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値をグラフ化したものを、図８に示す。
また、実施例５０～５５における、金属銀層の線幅（μｍ）と抵抗値（Ω／ｍｍ）の値をグラフ化したものを、図９に示す。

図８から明らかなように、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を１往復させるときには、前記形成手段（Ｗ）－１の移動速度が、３５．４ｃｍ／ｓ以下（６．２～３５．４ｃｍ／ｓ）の場合に、シリコーン系樹脂層を形成したことによる効果が、より高かった。
一方、図９から明らかなように、シリコーン系樹脂層の形成手段（Ｗ）－１を２往復させるときには、前記形成手段（Ｗ）－１の移動速度が、３５．４ｃｍ／ｓ超の場合も、シリコーン系樹脂層を形成したことによる高い効果が得られた。
すなわち、前記形成手段（Ｗ）－１の移動速度が速い場合には、前記形成手段（Ｗ）－１の往復回数を増やすことで、シリコーン系樹脂層を形成したことによる効果が高くなることを確認できた。
さらに、前記形成手段（Ｗ）－１を自動により移動させた（転がした）場合にも、手動の場合と同様の効果が得られた。

本発明は、基材上に金属銀層からなる配線を備えた配線基板をはじめとして、形状に一定程度の精度が求められる金属銀層を基材上に備えた積層体全般として利用可能である。

１・・・積層体、
１１・・・基材、１１ａ・・・基材の第１面（一方の面）、
１２・・・シリコーン系樹脂層、１２ａ・・・シリコーン系樹脂層の第１面（基材側とは反対側の面）、
１３・・・金属銀層、１３’・・・印刷層、
Ｔ_１２・・・シリコーン系樹脂層の厚さ、
Ｗ_１２１・・・金属銀層の線幅

Claims (4)

1. 基材と、前記基材の一方の面上に設けられたシリコーン系樹脂層と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に設けられた金属銀層と、を備えており、
   前記シリコーン系樹脂層の厚さが１ｎｍ以下である、積層体。
2. 前記金属銀層が、幅が３３０μｍ以下の線状である、請求項１に記載の積層体。
3. 積層体の製造方法であって、
   前記積層体は、基材と、前記基材の一方の面上に設けられたシリコーン系樹脂層と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に設けられた金属銀層と、を備えており、
   前記シリコーン系樹脂層の厚さが１ｎｍ以下であり、
   前記製造方法は、前記基材の一方の面上に、厚さが１ｎｍ以下である前記シリコーン系樹脂層を形成する工程と、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に、前記金属銀層を形成する工程と、を有し、
   前記金属銀層を形成する工程において、前記シリコーン系樹脂層の前記基材側とは反対側の面上に、インクジェット印刷法により、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を吐出し、固化させることにより、前記金属銀層を形成する、積層体の製造方法。
4. 前記シリコーン系樹脂層を形成する工程において、シリコーン系樹脂を含有する材料を、前記基材の一方の面上に接触させることにより、前記シリコーン系樹脂層を形成する、請求項３に記載の積層体の製造方法。

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