JP7171229B2 - 積層体 - Google Patents

Description

本発明は、積層体に関する。

基材と、この基材上に設けられた導電層と、を備えた積層体は、例えば、導電層をパターニングすることで、回路基板をはじめとする各種配線板として利用可能であり、利用価値が高い。
このような積層体としては、例えば、導電性インクを用いて導電層を形成したものが開示されている（特許文献１参照）。

特開２０１２－２１８３１８号公報

しかし、特許文献１で開示されている積層体は、この積層体を折り曲げたときに、導電性の低下を十分に抑制できるか否かが定かではない。積層体を折り曲げたときに、導電層の一部が欠落して、導電層の形状が過度に損なわれたりすると、導電層の導電性が低下してしまう。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基材と導電層を備えた積層体であって、この積層体を折り曲げたときに、導電層の導電性の低下を抑制できる積層体を提供することを課題とする。

上記課題を解決するため、本発明は、基材と、前記基材上に設けられた導電層と、を備え、前記導電層の幅が５～５９０μｍであり、前記導電層の厚さが０．０１～０．２μｍである、積層体を提供する。

本発明の積層体においては、前記基材が、ポリカーボネート製シートであるか、又は、ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面に対して、前記導電層との接着力を向上させるための処理が施されたシートであることが好ましい。
本発明の積層体は、ＪＩＳ Ｋ ５６００－５－６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、分類０を満たすことが好ましい。

本発明によれば、基材と導電層を備えた積層体であって、この積層体を折り曲げたときに、導電層の導電性の低下を抑制できる積層体が提供される。

本発明の一実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。 積層体の折り曲げ方法の一例を模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法を模式的に説明するための断面図である。 実施例１～６３及び比較例１～１４における、銀層の幅と厚さとの関係に関するデータをプロットして得られたグラフである。 比較例１５～３２、３６～３８における、銀層の幅と厚さとの関係に関するデータをプロットして得られたグラフである。 比較例３３～３５における、銀層の幅と厚さとの関係に関するデータをプロットして得られたグラフである。

＜＜積層体＞＞
本発明の一実施形態に係る積層体は、基材と、前記基材上に設けられた導電層と、を備え、前記導電層の幅が５～５９０μｍであり、前記導電層の厚さが０．０１～０．２μｍである。
本実施形態の積層体においては、導電層の幅及び厚さが、上記のとおり、特定範囲内であることにより、この積層体を折り曲げたときに、導電層の導電性の低下を抑制できる。
以下、まず、本実施形態の積層体の全体構成について、説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。
ここに示す積層体１は、基材１１と、基材１１上に設けられた導電層１２と、を備える。換言すると、積層体１は、基材１１及び導電層１２が、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。
積層体１においては、基材１１の、導電層１２側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１１ａの一部の領域に、導電層１２が積層されている。

図１は、導電層１２の幅方向に対して平行な方向における積層体１の断面図である。
この断面において、導電層１２の形状（すなわち断面形状）は、四角形状である。

導電層１２の幅Ｗ_１２は、５～５９０μｍであり、導電層１２の厚さ（高さ）Ｔ_１２は、０．０１～０．２μｍである。
導電層１２の幅Ｗ_１２は、同じ方向での基材１１の幅に対して、同等以下であればよく、ここでは、同じ方向での基材１１の幅よりも、狭くなっている場合を示している。

導電層１２よりも上方に位置し、導電層１２からは離れた箇所から、導電層１２を見下ろして平面視したときの、導電層１２の形状（すなわち平面形状）は、ここでは直線状である。ここで、導電層１２の平面形状は、導電層１２の、基材１１側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１２ａの形状と同義である。

基材１１の第１面１１ａは、基材１１の、導電層１２側とは反対側の面（本明細書においては、「第２面」と称することがある）１１ｂと比較したときに、異なる特性を有するように、表面処理が施されたものであってもよい。
本明細書においては、基材１１の前記表面処理が施されている、第１面１１ａ側の層を「第２層」と称し、基材１１の前記第２層を除いた領域を「第１層」と称する。

図２は、このような基材を備えた、本発明の一実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。
なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。

ここに示す積層体２は、基材２１と、基材２１上に設けられた導電層１２と、を備える。換言すると、積層体２は、基材２１及び導電層１２が、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。
積層体２は、基材１１に代えて基材２１を備えている点以外は、図１に示す積層体１と同じである。

基材２１は、導電層１２側の第１層２１１と、導電層１２側とは反対側の第２層２１２と、を有する。
基材２１の導電層１２側の面、すなわち第１面２１ａは、基材２１の導電層１２側とは反対側の面、すなわち第２面２１ｂとは、異なる特性を有する。

基材２１において、第１層２１１は、例えば、第２層２１２と同じ構成材料からなる単一層のうち、導電層１２側となる領域が、化学反応によって、組成が変化して形成された化学的処理層であってもよいし、前記領域が、物理的作用によって、構造が変化して形成された物理的処理層であってもよいし、第２層２１２と同じ構成材料からなる単一層の、導電層１２側となる面において、この層とは組成が異なる化学物質の堆積によって形成された堆積層であってもよい。

前記化学的処理層としては、例えば、前記単一層の導電層１２側となる領域が、酸によって処理された層、前記領域が放射線の照射によって処理された層、前記領域が加熱によって処理された層等が挙げられる。
前記物理的処理層としては、例えば、前記単一層の導電層１２側となる領域が、微粒子の衝突によって処理（例えば、粗化処理）された層等が挙げられる。
前記堆積層としては、例えば、基材と導電層１２との接着性を向上させるために、新たに形成された接着剤層等が挙げられる。

これらの中でも、基材２１の第１層２１１は、前記接着剤層であることが好ましい。

本実施形態の積層体は、図１～図２に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１～図２に示すものにおいて、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。

例えば、図１～図２において、導電層の断面形状は、四角形状であるが、他の多角形状であってもよいし、非多角形状であってもよい。非多角形状としては、例えば、円又は楕円の一部の周が曲線から直線に差し替えられた形状、不定形状等が挙げられる。
本実施形態の積層体において、導電層の前記断面形状は、積層体の用途に応じて任意に設定できる。

例えば、図１～図２の断面において、導電層の幅は、導電層の厚さ方向において一定であるが、一定でない場合には、幅の平均値を導電層の幅として採用すればよい。
導電層の厚さも同様である。すなわち、図１～図２の断面において、導電層の厚さは、導電層の幅方向において一定であるが、一定でない場合には、厚さの平均値を導電層の厚さとして採用すればよい。

例えば、図１～図２において、導電層の前記平面形状は、直線状であるが、２本以上の直線が連結された折れ線状であってもよいし、曲線状であってもよいし、１本以上の直線と１本以上の曲線とが連結された複合線状であってもよい。導電層の前記平面形状は、直線のみで構成されていてもよいし、曲線のみで構成されていてもよいし、直線及び曲線で構成されていてもよい。
導電層の前記平面形状は、線状以外の形状であってもよい。
導電層はパターニングされていてもよいし、されていなくてもよい。
本実施形態の積層体において、導電層の前記平面形状は、積層体の用途に応じて任意に設定できる。例えば、パターニングされている導電層は、回路として有用である。

例えば、図１～図２において、これら断面では、導電層の数は１であるが、基材上の導電層の数は、２以上であってもよく、その場合、これら２以上の導電層は、互いに同一でも異なっていてもよい。ここで、「２以上の導電層は、互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての導電層が同一であってもよいし、すべての導電層が異なっていてもよいし、一部の導電層のみが同一であってもよい」ことを意味する。さらに「導電層が互いに異なる」とは、「導電層の構成材料、幅、厚さ及び形状のいずれか一以上が互いに異なる」ことを意味する。

例えば、図１～図２において、導電層の幅は、導電層の長手方向において一定であるが、一定でない場合には、長手方向における幅の平均値を導電層の幅として採用すればよい。
導電層の厚さも同様である。すなわち、図１～図２において、導電層の厚さは、導電層の長手方向において一定であるが、一定でない場合には、長手方向における厚さの平均値を導電層の厚さとして採用すればよい。

例えば、本実施形態の積層体は、基材及び導電層以外の他の層を備えていてもよい。
前記他の層は特に限定されず、その種類、厚さ及び配置位置等は、目的に応じて任意に選択できる。

前記他の層としては、例えば、少なくとも導電層を被覆する被覆層等が挙げられる。
前記被覆層は、導電層の露出面を被覆して、かつ基材の露出面の一部又は全ての領域を被覆していなくてもよいし、導電層を被覆して、かつ基材の露出面の全ての領域を被覆していてもよいし、導電層を被覆して、かつ基材の露出面の一部の領域のみを被覆していてもよい。
前記被覆層は、導電層の露出面の一部の領域のみを被覆していてもよいし、導電層の露出面の全ての領域を被覆していてもよい。

図３は、このような被覆層を備えた、本発明の一実施形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。
ここに示す積層体３は、図１に示す積層体１に、さらに被覆層１３が設けられたものである。
積層体３は、基材１１と、基材１１上に設けられた導電層１２と、導電層１２上に設けられた被覆層１３と、を備える。換言すると、積層体３は、導電層１２を備える領域においては、基材１１、導電層１２及び被覆層１３がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成され、導電層１２を備えていない領域においては、基材１１及び被覆層１３が、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。

積層体３においては、基材１１の第１面１１ａのうち、一部の領域に、導電層１２が積層され、基材１１の第１面１１ａのうち、導電層１２が積層されていない領域と、導電層１２の第１面１２ａと、に被覆層１３が積層されている。さらに、導電層１２の側面１２ｃにも、被覆層１３が積層されている。
積層体３は、さらに被覆層１３を備えている点以外は、図１に示す積層体１と同じである。

ここでは、図１に示す積層体１がさらに被覆層を備えたものについて説明したが、被覆層を備えた本実施形態の積層体は、これに限定されず、例えば、図２に示す積層体２がさらに被覆層を備えたものであってもよい。そして、被覆層の配置形態も、図３に示すものに限定されず、先に説明したとおり、種々のものが挙げられる。

前記他の層としては、例えば、前記導電層と前記被覆層との間に配置された中間層等も挙げられる。
前記中間層は、本実施形態の積層体に目的とする機能を付与するための層である。

本実施形態の積層体は、基材の第２面（例えば、図１に示す積層体１の場合には、基材１１の第２面１１ｂ）上に、何らかの層を備えていてもよい。前記第２面上の層としては、これまでに説明した、基材の第１面上のいずれかの層と同様の層が挙げられる。
例えば、前記積層体が、その前記第２面上に、導電層、被覆層及び中間層からなる群から選択される１種又は２種以上の層を備えている場合には、これら層は、基材の第１面上の層と同様の形態であってよく、基材の第１面上の層と同一であってもよいし、異なっていてもよい。

本実施形態の積層体は、例えば、図１～３に示すように、前記基材に直接接触して、前記導電層が設けられているものが好ましい。
次に、本実施形態の積層体の各構成について、説明する

＜基材＞
前記基材は、前記導電層の保持が可能であり、積層体全体の折り曲げを可能とするものであれば、特に限定されない。
基材は、シート状又はフィルム状であることが好ましい。

前記基材は、その構成材料として樹脂を含有するものが好ましく、樹脂を主たる構成材料とするものがより好ましく、このような基材としては、例えば、樹脂の含有量が５０質量％以上であるものが挙げられる。

好ましい前記樹脂としては、例えば、ポリカーボネート（本明細書においては、「ＰＣ」と略記することがある）、ポリエチレンテレフタレート（本明細書においては、「ＰＥＴ」と略記することがある）等が挙げられる。

前記基材は、ポリカーボネート又はポリエチレンテレフタレートを主たる構成材料とする樹脂シートであることが好ましく、前記樹脂シートは、先に説明した表面処理が施されていてもよい。

前記基材は、ポリカーボネート製シートであるか、又は、ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面（すなわち、第１面）に対して、前記導電層との接着力を向上させるための処理（本明細書においては、「易接着処理」と称することがある）が施されたシートであることが好ましい。ここで、前記易接着処理されたポリエチレンテレフタレート製シートとしては、例えば、図２に示す基材２１等が挙げられる。

前記基材は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。基材が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。２層以上の複数層から基材としては、例えば、図２に示す基材２１等が挙げられる。
なお、本明細書においては、基材の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。

前記基材の厚さは、目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
通常、基材の厚さは、１０～４００μｍであることが好ましく、５０～３５０μｍであることがより好ましく、１００～３００μｍであることが特に好ましい。基材の厚さが前記下限値以上であることで、前記導電層の構造をより安定して維持できる。基材の厚さが前記上限値以下であることで、前記積層体を折り曲げたときに、導電層の導電性の低下を抑制する効果がより高くなり、また、目的物である積層体の折り曲げが容易となるなど、積層体の取り扱い性がより良好となる。
基材が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材の厚さとなるようにするとよい。

前記基材の厚さは、例えば、前記基材の種類に応じて、設定してもよい。基材の厚さをこのように設定することで、導電層の導電性の低下を抑制する効果がより高くなることがある。

例えば、前記基材が、ポリエチレンテレフタレートを主たる構成材料とする樹脂シートである場合、好ましくは、ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面（すなわち、第１面）に対して、前記導電層との接着力を向上させるための処理（すなわち、前記易接着処理）が施されたシートである場合には、前記基材の厚さは、８０～３５０μｍ、１２０～３００μｍ、及び１６０～２７０μｍのいずれかであってもよい。

例えば、前記基材が、ポリカーボネートを主たる構成材料とする樹脂シートである場合、好ましくは、ポリカーボネート製シートである場合には、前記基材の厚さは、５０～３００μｍ、７５～２５０μｍ、及び１００～２００μｍのいずれかであってもよい。

前記基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。一方の面が表面処理された基材を製造する場合、前記表面処理は、先に説明した方法で行うことができる。

＜導電層＞
前記導電層の幅は、先の説明のとおり、５～５９０μｍであり、２５～５９０μｍであることが好ましく、５０～５９０μｍであることがより好ましく、７５～５９０μｍであることがさらに好ましく、例えば、１００～５８０μｍ、及び１１５～５７５μｍのいずれかであってもよい。導電層の幅がこのような範囲内であることで、前記積層体を折り曲げたときに、導電層の導電性の低下を抑制できる。

前記導電層の厚さは、先の説明のとおり、０．０１～０．２μｍであり、０．０１１～０．１９μｍであることが好ましい。導電層の厚さがこのような範囲内であることで、前記積層体を折り曲げたときに、導電層の導電性の低下を抑制できる。

前記導電層においては、その幅が上述のいずれかの数値範囲であり、かつ、その厚さが上述のいずれかの数値範囲であることが好ましい。この場合、導電層の幅の数値範囲と、導電層の厚さの数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
例えば、一実施形態の導電層においては、好ましくは、その幅が２５～５９０μｍであり、かつ、その厚さが０．０１１～０．１９μｍであり；より好ましくは、その幅が５０～５９０μｍであり、かつ、その厚さが０．０１１～０．１９μｍであり；さらに好ましくは、その幅が７５～５９０μｍであり、かつ、その厚さが０．０１１～０．１９μｍであり、例えば、その幅が１００～５８０μｍであり、かつ、その厚さが０．０１１～０．１９μｍであってもよいし、その幅が１１５～５７５μｍであり、かつ、その厚さが０．０１１～０．１９μｍであってもよい。ただし、これらは、導電層の幅と、導電層の厚さと、の組み合わせの一例である。

前記導電層の幅及び厚さは、例えば、前記基材の種類に応じて、設定してもよい。

例えば、前記基材が、ポリエチレンテレフタレートを主たる構成材料とする樹脂シートである場合、好ましくは、ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面（すなわち、第１面）に対して、前記導電層との接着力を向上させるための処理（すなわち、前記易接着処理）が施されたシートである場合には、前記導電層の幅は、５～５９０μｍであり、２５～５９０μｍ、５０～５８５μｍ、７５～５８０μｍ、１００～５７０μｍ、及び１１５～５６０μｍのいずれかであってもよい。また、基材がこのようなものである場合には、前記導電層の厚さは、０．０１～０．２μｍであり、０．０３～０．２μｍ、０．０４５～０．２μｍ、及び０．０５８～０．２μｍのいずれかであってもよい。

例えば、前記基材が、ポリカーボネートを主たる構成材料とする樹脂シートである場合、好ましくは、ポリカーボネート製シートである場合には、前記導電層の幅は、５～５９０μｍであり、３０～５９０μｍ、５５～５９０μｍ、８０～５８５μｍ、１１０～５８１μｍ、及び１３０～５７８μｍのいずれかであってもよい。また、基材がこのようなものである場合には、前記導電層の厚さは、０．０１～０．２μｍであり、０．０１～０．１７μｍ、０．０１～０．１４μｍ、及び０．０１～０．１２μｍのいずれかであってもよい。

前記積層体を折り曲げたときの、導電層の導電性の低下を抑制する効果は、下記方法により確認できる。
まず、積層体を折り曲げる前に、この積層体中の導電層の体積抵抗率（本明細書においては、「初期体積抵抗率」と称することがある）を求める。導電層の体積抵抗率は、公知の方法で求められる。例えば、導電層の抵抗値を測定し、この測定値に導電層の断面積を乗じ、導電層の長さで除することにより、導電層の体積抵抗率が求められる（［導電層の体積抵抗率］＝［導電層の抵抗値］×［導電層の断面積］／［導電層の長さ］＝［導電層の抵抗値］×［導電層の幅］×［導電層の厚さ］／［導電層の長さ］）。ここで、「導電層の断面積」とは、導電層の長さ方向に対して直交する方向の、導電層の断面の面積である。

次いで、この抵抗値を測定した後の積層体を折り曲げる。
図４は、積層体の折り曲げ方法の一例を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図１に示す積層体１を折り曲げる場合について説明するが、他の積層体の場合も、同様に折り曲げればよい。
図４は、図１とは異なり、導電層１２の幅方向に対して垂直な方向における、折り曲げ後の積層体１の断面図である。

積層体１を折り曲げる場合には、ここに示すように、導電層１２が存在する領域において、１８０°の角度で、積層体１を折り曲げる。
折り曲げの方向は、折り曲げ後の積層体１において、基材１１の第１面１１ａが内側を向き、基材１１の第２面１１ｂが外側を向く方向である。この折り曲げによって、積層体１中の互いに離れていた導電層１２同士が、これらの第１面１２ａにおいて密着する。

次いで、この折り曲げた積層体を、その折り曲げ角度が０°となるように、折り曲げられていない元の状態に戻す。そして、この折り曲げを経た積層体について、上記と同じ方法（前記初期体積抵抗率の場合と同じ方法）で、導電層の体積抵抗率（本明細書においては、「折り曲げ後体積抵抗率」と称することがある）を求める。

次いで、求めた初期体積抵抗率と折り曲げ後体積抵抗率とから、下記式に従って、導電層の体積抵抗率変化率を算出する。
［導電層の体積抵抗率変化率（％）］＝（［導電層の折り曲げ後体積抵抗率］－［導電層の初期体積抵抗率］）／［導電層の初期体積抵抗率］×１００

前記積層体において、導電層の体積抵抗率変化率は、５０％以下であることが好ましく、例えば、４０％以下、３０％以下、２０％以下、及び１０％以下のいずれかであってもよい。体積抵抗率変化率が前記上限値以下である積層体は、導電層の導電性の低下を抑制する効果が十分に高い。

前記積層体において、導電層の初期体積抵抗率は、特に限定されず、積層体の用途に応じた値であればよい。通常、導電層の初期体積抵抗率は、３１０μΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、例えば、２００μΩ・ｃｍ以下、１３０μΩ・ｃｍ以下、１００μΩ・ｃｍ以下、及び８０μΩ・ｃｍ以下のいずれかであってもよい。このような導電層は、導電性に特に優れている。
前記積層体において、導電層の初期体積抵抗率の下限値は、小さいほど好ましい。通常、初期体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍ以上である導電性は、形成が比較的容易である。

導電層は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。導電層が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
導電層が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の導電層の厚さとなるようにするとよい。
前記積層体においては、これを折り曲げたときに、導電層の導電性の低下を抑制する効果がより高くなり、かつ、導電層の形成がより容易である点では、導電層は１層からなるものが好ましい。

前記導電層は、この導電層を形成するための成分（導電層形成成分）が配合されてなる液状組成物（本明細書においては、「導電層形成用組成物」と称することがある）を用いて形成されたものが好ましい。
導電層は、前記導電層形成用組成物を、導電層の形成対象面に付着させて組成物層を形成し、この組成物層（導電層形成用組成物層）に対して、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理を適宜選択して行うことで形成できる。

導電層は、金属層であることが好ましい。

導電層は、後述するように、導電層形成用組成物の種類によっては、光沢性がより高くなる。
例えば、後述するような、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されてなる銀インク組成物を用いて形成された銀層は、光反射率、例えば、波長が４００～７００ｎｍの光の反射率に優れる。
例えば、このような場合、金属銀（銀層）の波長５５０ｎｍの光の反射率は、好ましくは５０％以上であり、例えば、５５％以上、６０％以上、６５％以上、７０％以上及び７５％以上等のいずれかであってもよい。ただし、これらは、金属銀の波長５５０ｎｍの光の反射率の一例である。
また、上述の金属銀（銀層）の、波長５５０ｎｍの光の反射率の上限値は、特に限定されず、例えば、９０％とすることができるが、これは前記上限値の一例である。

前記銀インク組成物を用いて形成した金属銀（銀層）の、波長５５０ｎｍの光の反射率は、上述のいずれかの下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、前記光の反射率は、好ましくは５０～９０％であり、例えば、５５～９０％、６０～９０％、６５～９０％、７０～９０％、及び７５～９０％のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記光の反射率の一例である。

◎導電層形成用組成物
前記導電層形成用組成物は、前記金属層を形成するための金属インク組成物であることが好ましい。
前記金属インク組成物としては、例えば、金属と、金属の形成材料と、のいずれか一方又は両方が配合されてなる組成物が挙げられる。
配合される前記金属及び金属の形成材料は、いずれも、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、目的に応じて任意に調節できる。

配合される前記金属（単体金属又は合金）は、粒子状又は繊維状（チューブ状、ワイヤー状等）であることが好ましく、ナノ粒子又はナノワイヤーであることがより好ましく、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤー、銅ナノ粒子又は銅ナノワイヤーであることがさらに好ましく、銀ナノ粒子又は銀ナノワイヤーであることが特に好ましい。
なお、本明細書において、「ナノ粒子」とは、粒径が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１～１００ｎｍである粒子を意味し、「ナノワイヤー」とは、幅が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１～１００ｎｍであるワイヤーを意味する。

配合される前記金属の形成材料は、該当する金属原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属を生じるものであればよい。このような金属の形成材料としては、例えば、金属塩、金属錯体、金属－炭素結合を有する化合物等が挙げられる。前記金属塩、金属錯体、金属－炭素結合を有する化合物は、いずれも、有機基を有する金属化合物（有機金属化合物）及び有機基を有しない金属化合物（無機金属化合物）のいずれであってもよい。なかでも金属の形成材料は、金属塩又は金属錯体であることが好ましく、銀塩、銅塩、銀錯体又は銅錯体であることがより好ましく、銀塩又は銀錯体であることが特に好ましい。

前記金属インク組成物のうち、少なくとも金属が配合されてなるものとしては、例えば、金属粒子と、バインダーと、が配合されてなる金属粒子組成物が挙げられる。
前記金属粒子で好ましいものとしては、例えば、銀粒子、銅粒子が挙げられ、銀粒子が好ましい。
前記金属粒子組成物としては、市販品を用いてもよい。

前記金属インク組成物は、少なくとも前記金属の形成材料が配合されてなるものが好ましく、バインダー等の樹脂成分を含有しないものがより好ましく、前記金属の形成材料が均一に分散されたものが特に好ましい。

金属の形成材料を用いることで、この材料から金属が生じ、この金属を主成分として含む金属層（前記導電層）が形成される。この場合の金属層においては、好ましくは前記樹脂成分を用いないことにより、金属層が見かけ上金属だけからなるとみなし得る程度に、前記金属の割合を十分に高くすることができる。この場合、例えば、金属層の全質量に対する、金属層中の金属の合計質量の割合（換言すると、金属層の金属の含有量（質量％））は、好ましくは９７質量％以上、より好ましくは９８質量％以上、特に好ましくは９９質量％以上である。前記割合の上限値は、例えば、１００質量％、９９．９質量％、９９．８質量％、９９．７質量％、９９．６質量％、９９．５質量％、９９．４質量％、９９．３質量％、９９．２質量％及び９９．１質量％のいずれかであってもよいが、これらに限定されない。

以下、金属インク組成物として、金属銀の形成材料が配合されてなる銀インク組成物を用いた場合の、金属層（導電層）の形成方法について説明するが、金属種が銀以外の場合にも同様の方法で、金属層を形成できる。

金属銀の形成材料で好ましいものとしては、例えば、有機銀化合物が挙げられる。前記有機銀化合物は、一分子中に有機基及び銀原子を有し、分解等の構造変化によって金属銀を生じる化合物である。
すなわち、前記銀インク組成物は、有機銀化合物が配合されてなるものが好ましく、例えば、有機銀化合物と、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、が配合されてなるものであってもよい。そして、前記有機銀化合物は、カルボン酸銀又は有機銀錯体であることが好ましい。

好ましい前記銀インク組成物としては、例えば、カルボン酸銀と、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、が配合されてなる銀インク組成物（本明細書においては、「銀インク組成物（Ｉ）」と称することがある）；カルボン酸銀が配合されてなり、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていない銀インク組成物（本明細書においては、「銀インク組成物（ＩＩ）」と称することがある）；有機銀錯体と、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、含窒素化合物と、が配合されてなる銀インク組成物（本明細書においては、「銀インク組成物（ＩＩＩ）」と称することがある）等が挙げられる。
以下、各銀インク組成物について、詳細に説明する。

〇銀インク組成物（Ｉ）
銀インク組成物（Ｉ）は、前記有機銀化合物として、カルボン酸銀（カルボン酸の銀塩）が配合され、さらに、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されてなる。

［カルボン酸銀］
前記カルボン酸銀は、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有する。
前記カルボン酸銀は、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。

本実施形態において、カルボン酸銀は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ－ケトカルボン酸銀（以下、「β－ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β－ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。

（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」、「Ｒ^１－ＣＨＹ^１－」、「Ｒ^２Ｏ－」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ－」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ^１－」若しくは「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基であり；
Ｙ^１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ^１は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ^２は炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^３は炭素数１～１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に炭素数１～１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^６は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基であり；
Ｘ^１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ－フタロイル－３－アミノプロピル基、２－エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ^７Ｏ－」、「Ｒ^７Ｓ－」、「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」若しくは「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－」で表される基であり；
Ｒ^７は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）

（式中、Ｒ^８は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の前記メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）

（β－ケトカルボン酸銀（１））
β－ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」、「Ｒ^１－ＣＨＹ^１－」、「Ｒ^２Ｏ－」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ－」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ^１－」若しくは「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基である。

Ｒにおける炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１０であることが好ましく、１～６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。

Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、２，２－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、３－エチルブチル基、１－エチル－１－メチルプロピル基、ｎ－ヘプチル基、１－メチルヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、４－メチルヘキシル基、５－メチルヘキシル基、１，１－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、４，４－ジメチルペンチル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、４－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、１－プロピルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、１－メチルヘプチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、１－エチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、５－エチルヘキシル基、１，１－ジメチルヘキシル基、２，２－ジメチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、４，４－ジメチルヘキシル基、５，５－ジメチルヘキシル基、１，２，３－トリメチルペンチル基、１，２，４－トリメチルペンチル基、２，３，４－トリメチルペンチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、１，４，４－トリメチルペンチル基、３，４，４－トリメチルペンチル基、１，１，２－トリメチルペンチル基、１，１，３－トリメチルペンチル基、１，１，４－トリメチルペンチル基、１，２，２－トリメチルペンチル基、２，２，３－トリメチルペンチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、１，３，３－トリメチルペンチル基、２，３，３－トリメチルペンチル基、３，３，４－トリメチルペンチル基、１－プロピルペンチル基、２－プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。

Ｒにおける前記アルケニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ－Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
このような前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基（エテニル基、－ＣＨ＝ＣＨ_２）、アリル基（２－プロペニル基、－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_２）、１－プロペニル基（－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３）、イソプロペニル基（－Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）、１－ブテニル基（－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_３）、２－ブテニル基（－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３）、３－ブテニル基（－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等が挙げられる。

Ｒにおける前記アルキニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ－Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
このような前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基（－Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（－ＣＨ_２－Ｃ≡ＣＨ）等が挙げられる。

Ｒにおける炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、前記脂肪族炭化水素基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。

Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、炭素数が１～１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（－ＯＨ）、シアノ基（－Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（－Ｏ－Ｃ_６Ｈ_５）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

ＲにおけるＹ^１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」及び「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」においては、それぞれ複数個のＹ^１は、互いに同一でも異なっていてもよい。

ＲにおけるＲ^１は、炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ_６Ｈ_５－）である。Ｒ^１における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^２は、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基であり、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^３は、炭素数１～１６の脂肪族炭化水素基である。Ｒ^３における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に炭素数１～１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ^４及びＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４及びＲ^５における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^６は、炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基である。Ｒ^６における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ^６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基であることが好ましい。

一般式（１）において、Ｘ^１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ_６Ｈ_５－ＣＨ_２－）、シアノ基、Ｎ－フタロイル－３－アミノプロピル基、２－エトキシビニル基（Ｃ_２Ｈ_５－Ｏ－ＣＨ＝ＣＨ－）、又は一般式「Ｒ^７Ｏ－」、「Ｒ^７Ｓ－」、「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」若しくは「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－」で表される基である。
Ｘ^１における炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｘ^１におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
Ｘ^１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（－ＮＯ_２）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びベンジル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｘ^１におけるＲ^７は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ_４Ｈ_３Ｓ－）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ_６Ｈ_５－Ｃ_６Ｈ_４－）である。Ｒ^７における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。また、Ｒ^７におけるフェニル基及びジフェニル基が有する前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びジフェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘ^１において隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２－チエニル基及び３－チエニル基のいずれでもよい。

一般式（１）において、２個のＸ^１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよい。このようなＸ^１としては、例えば、式「＝ＣＨ－Ｃ_６Ｈ_４－ＮＯ_２」で表される基等が挙げられる。

Ｘ^１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ^１が水素原子であることが好ましい。

β－ケトカルボン酸銀（１）は、２－メチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－エチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ_３ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－ｎ－ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ_６Ｈ_５－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）であることが好ましい。

β－ケトカルボン酸銀（１）を用いて、銀インク組成物（Ｉ）の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）においては、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。このような導電体においては、原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。

β－ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０～２１０℃、より好ましくは６０～２００℃という低温で分解し、金属銀を形成できる。そして、β－ケトカルボン酸銀（１）は、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。

本発明において、β－ケトカルボン酸銀（１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

（カルボン酸銀（４））
カルボン酸銀（４）は、前記一般式（４）で表される。
式中、Ｒ^８は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）又は式「－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。ただし、Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１５であることが好ましく、１～１０であることがより好ましい。

Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（－ＣＨ_２－）を有する場合、１個以上の前記メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「－ＣＨ_２－」で表される基だけでなく、式「－ＣＨ_２－」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「－ＣＨ_２－」で表される基も含むものとする。

カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ_３－（ＣＨ_２）_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－エチルへキサン酸銀（ＣＨ_３－（ＣＨ_２）_３－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）の２個の式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「－ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ、ＨＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）も好ましい。

カルボン酸銀（４）を用いた場合にも、β－ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合と同様に、銀インク組成物（Ｉ）の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、カルボン酸銀（４）は、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。

本発明において、カルボン酸銀（４）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記カルボン酸銀は、２－メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２－エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２－ｎ－ブチルアセト酢酸銀、２－ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀、アセトンジカルボン酸銀、ピルビン酸銀、酢酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、２－エチルへキサン酸銀、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀及びマロン酸銀からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２－メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、イソブチリル酢酸銀及びピバロイル酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物（Ｉ）の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。

銀インク組成物（Ｉ）の全質量に対する、銀インク組成物（Ｉ）中の前記カルボン酸銀に由来する銀の合計質量の割合（換言すると、銀インク組成物（Ｉ）の、前記カルボン酸銀に由来する銀の含有量）は、５質量％以上であることが好ましく、８質量％以上であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、形成された導電層（銀層）は、より優れた品質となる。前記割合の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、銀インク組成物（Ｉ）の取り扱い性等を考慮すると、２５質量％であることが好ましい。
なお、本明細書において、「カルボン酸銀に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物（Ｉ）の製造時に配合されたカルボン酸銀中の銀と同義であり、配合後も引き続きカルボン酸銀を構成している銀と、配合後にカルボン酸銀の分解で生じた分解物中の銀と、配合後にカルボン酸銀の分解で生じた銀そのもの（金属銀）と、のすべてを含む概念とする。

［炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸］
銀インク組成物（Ｉ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（本明細書においては、「分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸」と略記することがある）が配合されていることで、光沢性と導電性がより高い銀層を形成できる。

前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族炭化水素の１個又は２個以上の水素原子が、カルボキシ基で置換された構造を有する。換言すると、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、１分子中の炭素数が８～１０で、かつ、１個又は２個以上のカルボキシ基が分岐鎖状飽和脂肪族炭化水素基に結合している化合物である。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、１分子中にカルボキシ基を１個のみ有する一価（モノ）カルボン酸、及び１分子中にカルボキシ基を２個以上有する多価カルボン酸、のいずれであってもよい。
分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が１分子中に有するカルボキシ基の数は、１～３個であることが好ましく、１個又は２個であることがより好ましく、１個であることが特に好ましい。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸において、カルボキシ基が結合している炭素原子の位置は、特に限定されない。例えば、カルボキシ基が結合している炭素原子は、分子の末端の炭素原子であってもよいし、分子の末端以外の炭素原子であってもよい。
分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が多価カルボン酸である場合、すべてのカルボキシ基が、互いに異なる炭素原子に結合していてもよいし、２個又は３個のカルボキシ基が、同一の炭素原子に結合していてもよい。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸において、分岐鎖が結合している、主鎖中の炭素原子の位置は、特に限定されない。例えば、分岐鎖が結合している前記炭素原子は、主鎖のカルボキシ基が結合している側の末端の炭素原子であってもよいし、主鎖のカルボキシ基が結合している側とは反対側の末端の炭素原子に隣接する炭素原子（前記反対側の末端から２番目の炭素原子）であってもよいし、上述のカルボキシ基が結合している側の末端の炭素原子と、上述のカルボキシ基が結合している側とは反対側の末端の炭素原子に隣接する炭素原子と、の間に位置する主鎖中の炭素原子であってもよい。
ここで、「主鎖」とは、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸中の鎖状構造のうち、炭素数が最大であるものを意味する。炭素数が最大である鎖状構造が複数ある場合には、いずれの鎖状構造を主鎖として取り扱ってもよい。主鎖の炭素数は、必ず分岐鎖の炭素数以上となる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、下記一般式（６）で表されるモノカルボン酸（本明細書においては、「モノカルボン酸（６）」と略記することがある）であることが好ましい。
Ｒ^３１－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨ ・・・・（６）
（式中、Ｒ^３１は、炭素数７～９の分岐鎖状のアルキル基である。）

Ｒ^３１の炭素数７～９の分岐鎖状のアルキル基（一価の飽和脂肪族炭化水素基）としては、例えば、１－メチルヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、４－メチルヘキシル基、５－メチルヘキシル基、１，１－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、４，４－ジメチルペンチル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、４－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、１－プロピルブチル基等の炭素数７の分岐鎖状のアルキル基；
イソオクチル基、１－メチルヘプチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、１－エチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、５－エチルヘキシル基、１，１－ジメチルヘキシル基、２，２－ジメチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、４，４－ジメチルヘキシル基、５，５－ジメチルヘキシル基、１，２，３－トリメチルペンチル基、１，２，４－トリメチルペンチル基、２，３，４－トリメチルペンチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、１，４，４－トリメチルペンチル基、３，４，４－トリメチルペンチル基、１，１，２－トリメチルペンチル基、１，１，３－トリメチルペンチル基、１，１，４－トリメチルペンチル基、１，２，２－トリメチルペンチル基、２，２，３－トリメチルペンチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、１，３，３－トリメチルペンチル基、２，３，３－トリメチルペンチル基、３，３，４－トリメチルペンチル基、１－プロピルペンチル基、２－プロピルペンチル基等の炭素数８の分岐鎖状のアルキル基；
１－メチルオクチル基、２－メチルオクチル基、３－メチルオクチル基、４－メチルオクチル基、５－メチルオクチル基、６－メチルオクチル基、７－メチルオクチル基、６，６－ジメチルヘプチル基、５，５－ジメチルヘプチル基、４，４－ジメチルヘプチル基、３，３－ジメチルヘプチル基、２，２－ジメチルヘプチル基、１，１－ジメチルヘプチル基、１，２－ジメチルヘプチル基、１，３－ジメチルヘプチル基、１，４－ジメチルヘプチル基、１，５－ジメチルヘプチル基、１，６－ジメチルヘプチル基、２，３－ジメチルヘプチル基、２，４－ジメチルヘプチル基、２，５－ジメチルヘプチル基、２，６－ジメチルヘプチル基、３，４－ジメチルヘプチル基、３，５－ジメチルヘプチル基、３，６－ジメチルヘプチル基、４，５－ジメチルヘプチル基、４，６－ジメチルヘプチル基、５，６－ジメチルヘプチル基、１，２，３－トリメチルヘキシル基、１，２，４－トリメチルヘキシル基、１，２，５－トリメチルヘキシル基、２，３，４－トリメチルヘキシル基、２，３，５－トリメチルヘキシル基、３，４，５－トリメチルヘキシル基、１，１，２－トリメチルヘキシル基、１，１，３－トリメチルヘキシル基、１，１，４－トリメチルヘキシル基、１，１，５－トリメチルヘキシル基、１，２，２－トリメチルヘキシル基、２，２，３－トリメチルヘキシル基、２，２，４－トリメチルヘキシル基、２，２，５－トリメチルヘキシル基、１，３，３－トリメチルヘキシル基、２，３，３－トリメチルヘキシル基、３，３，４－トリメチルヘキシル基、３，３，５－トリメチルヘキシル基、１，４，４－トリメチルヘキシル基、２，４，４－トリメチルヘキシル基、３，４，４－トリメチルヘキシル基、４，４，５－トリメチルヘキシル基、１，５，５－トリメチルヘキシル基、２，５，５－トリメチルヘキシル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、４，５，５－トリメチルヘキシル基、１，２，３，４－テトラメチルペンチル基、１，１，２，３－テトラメチルペンチル基、１，１，２，４－テトラメチルペンチル基、１，１，３，４－テトラメチルペンチル基、１，２，２，３－テトラメチルペンチル基、１，２，２，４－テトラメチルペンチル基、２，２，３，４－テトラメチルペンチル基、１，２，３，３－テトラメチルペンチル基、２，３，３，４－テトラメチルペンチル基、１，３，３，４－テトラメチルペンチル基、１，２，４，４－テトラメチルペンチル基、２，３，４，４－テトラメチルペンチル基、１，３，４，４－テトラメチルペンチル基、１－エチル－１－メチルヘキシル基、１－エチル－２－メチルヘキシル基、１－エチル－３－メチルヘキシル基、１－エチル－４－メチルヘキシル基、１－エチル－５－メチルヘキシル基、２－エチル－１－メチルヘキシル基、２－エチル－２－メチルヘキシル基、２－エチル－３－メチルヘキシル基、２－エチル－４－メチルヘキシル基、２－エチル－５－メチルヘキシル基、３－エチル－１－メチルヘキシル基、３－エチル－２－メチルヘキシル基、３－エチル－３－メチルヘキシル基、３－エチル－４－メチルヘキシル基、３－エチル－５－メチルヘキシル基、４－エチル－１－メチルヘキシル基、４－エチル－２－メチルヘキシル基、４－エチル－３－メチルヘキシル基、４－エチル－４－メチルヘキシル基、４－エチル－５－メチルヘキシル基、１，１－ジエチルペンチル基、１，２－ジエチルペンチル基、１，３－ジエチルペンチル基、２，２－ジエチルペンチル基、２，３－ジエチルペンチル基、３，３－ジエチルペンチル基、１－エチル－１－プロピルブチル基、２－エチル－１－プロピルブチル基等の炭素数９の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。

モノカルボン酸（６）に限定されず、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸１分子中の分岐鎖の数は、１～３本であることが好ましい。
モノカルボン酸（６）に限定されず、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の１本の分岐鎖の炭素数は、１～３であることが好ましい。
モノカルボン酸（６）に限定されず、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、これらの条件をともに満たすもの、すなわち、１分子中の分岐鎖の数が１～３本であり、かつ１本の分岐鎖の炭素数が１～３個であるものがより好ましい。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、金属銀（銀層）の光沢性と導電性の低下を抑制する適度な反応性を有し、かつ、銀インク組成物（Ｉ）中から揮発し難い一方で、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理時には気化し易い、適度な沸点を有しており、先に説明した効果を向上させるものとして、特に適した特性を有する。
例えば、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の沸点は、１８０～２７０℃であることが好ましく、２００～２６０℃であることがより好ましく、２１５～２５５℃であることが特に好ましい。分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の沸点が前記下限値以上であることで、銀インク組成物（Ｉ）中からの分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の揮発が抑制されて、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の沸点が前記上限値以下であることで、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって得られた金属銀中での分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の残存が抑制され、光沢性、導電性等が高いなど、より好ましい特性の金属銀が得られる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（例えば、モノカルボン酸（６））で特に好ましいものとしては、ネオデカン酸（Ｃ_９Ｈ_１９ＣＯＯＨ）、２－プロピル吉草酸（２－プロピルペンタン酸、（ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２）ＣＯＯＨ）、３，５，５－トリメチルヘキサン酸（（ＣＨ_３）_３ＣＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＯＯＨ）等が挙げられる。
なお、本明細書において、ネオデカン酸とは、炭素数１０の飽和脂肪族モノカルボン酸の異性体の混合物を意味し、前記混合物には炭素数１０の分岐鎖状飽和脂肪族モノカルボン酸が必ず含まれる。このように、ネオデカン酸とは、１種の化合物だけを意味するものではない。
そして、ネオデカン酸中の、２種以上の炭素数１０の飽和脂肪族モノカルボン酸の組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

上述のとおり、銀インク組成物（Ｉ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていることで、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって、光沢性と導電性がより高い金属銀を形成できる。その理由は定かではないが、以下のように推測される。
すなわち、銀層の形成対象面に付着した銀インク組成物（Ｉ）中においては、カルボン酸銀から銀イオン（Ａｇ^＋）が生じる。この場合、銀インク組成物（Ｉ）の初期の固化処理によって、銀イオンに酸素が配位する（Ａｇ^＋・・・Ｏ）。次いで、金属銀を形成するための、銀インク組成物（Ｉ）の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理によって、酸素が配位した銀イオンから酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）が生じる。ここで、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていない銀インク組成物の場合には、この銀インク組成物の固化処理によって最終的に生成した金属銀中に、副生した酸化銀が不純物として混入し、金属銀の光沢性が低下してしまい、導電性も低下してしまうと推測される。一方で、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されている銀インク組成物（Ｉ）の場合には、この分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が酸化銀と反応することで、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の銀塩（本明細書においては、「分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸銀」と略記することがある）が生じる。この分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸銀は、上述のカルボン酸銀（４）であり、当初から配合されているカルボン酸銀と同様に、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって最終的に金属銀（銀層）を生成する。このように本実施形態の銀インク組成物（Ｉ）を用いることにより、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理が原因となって生じた酸化銀が、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の作用によって、金属銀の光沢性と導電性の低下原因である不純物ではなく、金属銀そのものに転換されることによって、光沢性と導電性がより高い金属銀を形成できると推測される。

銀インク組成物（Ｉ）において、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量は、前記有機銀化合物中の銀原子の配合量１モルあたり、０．０１～１モルであることが好ましく、０．０２～０．７モルであることがより好ましく、０．０３～０．４モルであることが特に好ましい。分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の前記配合量がこのような範囲であることで、光沢性と導電性が高い金属銀を形成する効果がより高くなる。

分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外のカルボン酸にも、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と同様に、光沢性と導電性がより高い金属銀の形成を可能とするものがある。
このような分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外のカルボン酸（本明細書においては「他のカルボン酸」と称することがある）は、一価カルボン酸であってもよいし、二価以上の多価カルボン酸であってもよく、脂肪族カルボン酸であってもよいし、芳香族カルボン酸であってもよい。

前記他のカルボン酸は、ホルミル基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｈ）等の還元力を有する基を含まないものが好ましい。このような基を含まない他のカルボン酸が配合されてなる銀インク組成物（Ｉ）は、その保存中にカルボン酸銀由来の不溶物の生成が抑制され、取り扱い性がより高い。

前記他のカルボン酸の炭素数は、５～１７であることが好ましく、例えば、５～１５、５～１３及び５～１１のいずれかであってもよい。

前記他のカルボン酸の沸点は、１５０～２９０℃であることが好ましく、例えば、１５５～２８０℃、１６０～２７０℃及び１６０～２６０℃のいずれかであってもよい。他のカルボン酸の沸点が前記下限値以上であることで、銀インク組成物（Ｉ）中からの他のカルボン酸の揮発が抑制されて、他のカルボン酸を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、他のカルボン酸の沸点が前記上限値以下であることで、銀インク組成物（Ｉ）の固化処理によって得られた金属銀中での他のカルボン酸の残存が抑制され、光沢性、導電性等が高いなど、より好ましい特性の金属銀が得られる。

前記他のカルボン酸は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

銀インク組成物（Ｉ）において、前記他のカルボン酸の配合量は、上述の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量と同じとすることができる。

［含窒素化合物］
銀インク組成物（Ｉ）は、前記カルボン酸銀及び分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外に、さらに含窒素化合物が配合されてなるものが好ましい。
前記含窒素化合物は、炭素数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、及びアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

（アミン化合物、第４級アンモニウム塩）
前記アミン化合物は、炭素数が１～２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４～２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（－ＮＨ_２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。

前記第１級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が挙げられる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、このようなアルキル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。前記アルキル基は、炭素数が１～１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ｎ－ブチルアミン、ｎ－へキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、３－アミノペンタン、３－メチルブチルアミン、２－ヘプチルアミン（２－アミノヘプタン）、２－アミノオクタン、２－エチルヘキシルアミン、１，２－ジメチル－ｎ－プロピルアミン等が挙げられる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。前記アリール基の炭素数は、６～１０であることが好ましい。

前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子等が挙げられる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３～１２員環であることが好ましい。

前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１～４個有する単環状のものとしては、例えば、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、フラニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、チエニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する単環状のものとしては、例えば、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する単環状のものとしては、例えば、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１～５個有する多環状のものとしては、例えば、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。

前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、例えば、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（－ＮＨ_２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたもの等が挙げられる。
前記ジアミンは炭素数が１～１０であることが好ましく、より好ましいものとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン等が挙げられる。

前記第２級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が挙げられる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２－エチルへキシル）アミン等が挙げられる。

前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６～１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６～１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記第３級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が挙げられる。

前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。

前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６～１０であることが好ましい。

本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が挙げられる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、例えば、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。

ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、例えば、ピリジン等が挙げられる。

前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。

前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（－ＣＦ_３）等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１～５のアルキル基を有する、炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、２－フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３－ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、例えば、２－ブロモベンジルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、前記アリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６～１０のアリール基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、例えば、ブロモフェニルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ジエタノールアミン、Ｎ－メチルベンジルアミン等が挙げられる。

前記アミン化合物は、ｎ－プロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、ｎ－へキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、３－アミノペンタン、３－メチルブチルアミン、２－ヘプチルアミン、２－アミノオクタン、２－エチルヘキシルアミン、２－フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ－メチルベンジルアミン、ジ（２－エチルへキシル）アミン、１，２－ジメチル－ｎ－プロピルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２－エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物（Ｉ）の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。

（アミン化合物由来のアンモニウム塩）
本実施形態において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩である。前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、例えば、ｎ－プロピルアミン塩酸塩、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン塩酸塩等が挙げられるが、これらに限定されない。

（アンモニア由来のアンモニウム塩）
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩である。ここで酸としては、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが挙げられる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、例えば、塩化アンモニウム等が挙げられるが、これに限定されない。

本実施形態においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

本実施形態においては、例えば、前記含窒素化合物として、炭素数が８以上の第１含窒素化合物と、炭素数が７以下の第２含窒素化合物と、を併用してもよい。
前記第１含窒素化合物及び第２含窒素化合物を併用する場合、銀インク組成物（Ｉ）において、第１含窒素化合物の配合量に対する第２含窒素化合物の配合量の割合は、０モル％より大きく、１８モル％未満であることが好ましく、１～１７モル％であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、例えば、細線状の銀層をより安定して形成できる。

前記含窒素化合物を用いる場合、銀インク組成物（Ｉ）において、前記含窒素化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．３～１５モルであることが好ましく、０．３～１２モルであることがより好ましく、０．３～８モルであることが特に好ましく、例えば、１～８モル、２．５～８モル、及び４～８モルのいずれかであってもよい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ｉ）は安定性がより向上し、金属銀の品質がより向上する。

［アルコール］
銀インク組成物（Ｉ）は、前記カルボン酸銀及び分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外に、さらにアルコールが配合されてなるものが好ましい。

前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。

（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）

（アセチレンアルコール（２））
アセチレンアルコール（２）は、前記一般式（２）で表される。
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１～２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。

Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、例えば、炭素数が１～１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が挙げられる。これら前記置換基は、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様のものである。そして、置換基を有する前記フェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｒ’及びＲ’’は、水素原子、又は炭素数１～２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。

好ましいアセチレンアルコール（２）としては、例えば、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、３－メチル－１－ブチン－３－オール、３－メチル－１－ペンチン－３－オール、２－プロピン－１－オール、４－エチル－１－オクチン－３－オール、３－エチル－１－ヘプチン－３－オール等が挙げられる。

アセチレンアルコール（２）を用いる場合、銀インク組成物（Ｉ）において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、前記有機銀化合物の配合量１モルあたり０．０１～０．７モルであることが好ましく、０．０２～０．５モルであることがより好ましく、０．０２～０．３モルであることが特に好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ｉ）の安定性がより向上する。

前記アルコールは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

［他の成分］
銀インク組成物（Ｉ）は、前記カルボン酸銀と、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、含窒素化合物と、アルコールと、のいずれにも該当しない、その他の成分（本明細書においては、「他の成分」と略記することがある）が配合されてなるものでもよい。
銀インク組成物（Ｉ）における前記他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。前記他の成分で、好ましいものとしては、例えば、アルコール以外の溶媒等が挙げられ、配合成分の種類や量に応じて任意に選択できる。
銀インク組成物（Ｉ）において、前記他の成分は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

（溶媒）
前記溶媒は、アルコール以外のもの（水酸基を有しないもの）であれば、特に限定されない。
ただし、前記溶媒は、常温で液状であるものが好ましい。

前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；酢酸エチル、グルタル酸モノメチル、グルタル酸ジメチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２－ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）等のエーテル；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド等が挙げられる。

銀インク組成物（Ｉ）における前記他の成分の配合量は、前記他の成分の種類に応じて、適宜選択すればよい。

例えば、前記他の成分がアルコール以外の溶媒である場合、前記溶媒の配合量は、銀インク組成物（Ｉ）の粘度等、目的に応じて選択すればよい。ただし通常は、銀インク組成物（Ｉ）において、配合成分の総量に対する前記溶媒の配合量の割合は、３５質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２５質量％以下であることが特に好ましい。

例えば、前記他の成分が前記溶媒以外の成分である場合、銀インク組成物（Ｉ）において、配合成分の総量に対する前記他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。

配合成分の総量に対する前記他の成分の配合量の割合が０質量、すなわち他の成分を配合しなくても、銀インク組成物（Ｉ）は十分にその効果を発現する。

銀インク組成物（Ｉ）においては、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。

○銀インク組成物（Ｉ）の製造方法
銀インク組成物（Ｉ）は、前記カルボン酸銀、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸、及び、必要に応じて、これら以外の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られた配合物をそのまま銀インク組成物（Ｉ）としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られた精製物を銀インク組成物（Ｉ）としてもよい。本実施形態においては、特に前記カルボン酸銀としてβ－ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合、上記の各成分の配合時において、光沢性及び導電性を低下させる不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できる。したがって、精製操作を行っていない銀インク組成物（Ｉ）を用いても、十分な光沢性及び導電性を有する金属銀が得られる。

各成分の配合順序は、特に限定されない。各成分の好ましい配合方法の一例としては、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を最後に配合する方法が挙げられる。すなわち、前記銀インク組成物（Ｉ）の好ましい製造方法の一例としては、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸以外の成分をすべて配合した後、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を最後に配合する製造方法が挙げられる。

各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物（Ｉ）において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用することが好ましい。

配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、－５～６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０分～３６時間であることが好ましい。

［二酸化炭素］
銀インク組成物（Ｉ）は、さらに二酸化炭素が供給されてなるものでもよい。このような銀インク組成物（Ｉ）は高粘度となり、例えば、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等の、インクを厚盛りすることが必要な印刷法への適用に好適である。

二酸化炭素は、銀インク組成物（Ｉ）製造時のいずれの時期に供給してもよい。
供給される二酸化炭素（ＣＯ_２）は、ガス状及び固形状（ドライアイス）のいずれでもよく、ガス状及び固形状の両方でもよい。供給された二酸化炭素は、供給対象物に溶け込み、いずれかの含有成分に作用することで、得られる銀インク組成物（Ｉ）の粘度が上昇すると推測される。

二酸化炭素ガスの供給は、液体中にガスを吹き込む公知の各種方法で行えばよく、適した供給方法を適宜選択すればよい。例えば、配管の一端を供給対象物中に浸漬し、他端を二酸化炭素ガスの供給源に接続して、この配管を通じて二酸化炭素ガスを供給対象物に供給する方法等が挙げられる。この時、配管の端部から直接二酸化炭素ガスを供給してもよいが、例えば、多孔質性のものなど、ガスの流路となり得る空隙部が多数設けられ、導入されたガスを拡散させて微小な気泡として放出することが可能なガス拡散部材を配管の端部に接続し、このガス拡散部材を介して二酸化炭素ガスを供給してもよい。また、供給対象物を撹拌しながら二酸化炭素ガスを供給してもよい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。

二酸化炭素ガスの供給量は、供給対象物の量や、目的とする銀インク組成物（Ｉ）の粘度等に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、２０～２５℃における粘度が５Ｐａ・ｓ以上である銀インク組成物（Ｉ）を１００～１０００ｇ程度得るためには、二酸化炭素ガスを１００Ｌ以上供給することが好ましく、２００Ｌ以上供給することがより好ましい。なお、ここでは銀インク組成物（Ｉ）の２０～２５℃における粘度について説明したが、銀インク組成物（Ｉ）の使用時の温度は、２０～２５℃に限定されるものではなく、任意に選択できる。また、なお、本明細書において「粘度」とは、特に断りのない限り、超音波振動式粘度計を用いて測定したものを意味する。

二酸化炭素ガスの流量は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量を考慮して適宜調節すればよいが、供給対象物１ｇあたり０．５ｍＬ／分以上であることが好ましく、１ｍＬ／分以上であることがより好ましい。前記流量の上限値は特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると、供給対象物１ｇあたり４０ｍＬ／分であることが好ましい。
そして、二酸化炭素ガスの供給時間は、必要とされる二酸化炭素ガスの供給量や、流量を考慮して適宜調節すればよい。

二酸化炭素ガス供給時の供給対象物の温度は、５～７０℃であることが好ましく、７～６０℃であることがより好ましく、１０～５０℃であることが特に好ましい。前記温度が前記下限値以上であることで、より効率的に二酸化炭素を供給でき、前記温度が前記上限値以下であることで、不純物が少ないより良好な品質の銀インク組成物（Ｉ）が得られる。

二酸化炭素ガスの流量及び供給時間、並びに二酸化炭素ガス供給時の前記温度は、それぞれの値を相互に考慮しながら適した範囲に調節すればよい。例えば、前記温度を低めに設定しても、二酸化炭素ガスの流量を多めに設定するか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。また、二酸化炭素ガスの流量を少なめに設定しても、前記温度を高めにするか、二酸化炭素ガスの供給時間を長めに設定することで、あるいはこの両方を行うことで、効率的に二酸化炭素を供給できる。すなわち、二酸化炭素ガスの流量、二酸化炭素ガス供給時の前記温度として例示した上記数値範囲の中の数値を、二酸化炭素ガスの供給時間も考慮しつつ柔軟に組み合わせることで、良好な品質の銀インク組成物（Ｉ）が効率的に得られる。

二酸化炭素ガスの供給は、供給対象物を撹拌しながら行うことが好ましい。このようにすることで、供給した二酸化炭素ガスがより均一に供給対象物中に拡散し、より効率的に二酸化炭素を供給できる。
この時の撹拌方法は、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物（Ｉ）の製造時における前記混合方法の場合と同様でよい。

ドライアイス（固形状二酸化炭素）の供給は、供給対象物中にドライアイスを添加することで行えばよい。ドライアイスは、全量を一括して添加してもよいし、分割して段階的に（添加を行わない時間帯を挟んで連続的に）添加してもよい。
ドライアイスの使用量は、上記の二酸化炭素ガスの供給量を考慮して調節すればよい。
ドライアイスの添加中及び添加後は、供給対象物を撹拌することが好ましく、例えば、二酸化炭素を用いない上記の銀インク組成物（Ｉ）の製造時と同様の方法で撹拌することが好ましい。このようにすることで、効率的に二酸化炭素を供給できる。
撹拌時の温度は、二酸化炭素ガス供給時と同様でよい。また、撹拌時間は、撹拌温度に応じて適宜調節すればよい。

例えば、銀インク組成物（Ｉ）をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の、高粘度インクを使用する印刷法へ適用する場合には、二酸化炭素が供給されてなる銀インク組成物（Ｉ）の、２０～２５℃における粘度は、１Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。

なお、上記のように二酸化炭素の供給によって、粘度が通常よりも高い銀インク組成物（Ｉ）において、前記カルボン酸銀の少なくとも一部から金属銀が形成され、この金属銀が析出することがある。このとき、銀インク組成物（Ｉ）の粘度が高い場合には、析出した金属銀の凝集が抑制され、得られた銀インク組成物（Ｉ）中での金属銀の分散性が向上する。このような銀インク組成物（Ｉ）を用いて、後述する方法で金属銀を形成して得られた銀層は、粘度が低い、すなわち二酸化炭素が供給されていない銀インク組成物（Ｉ）を用いた場合の銀層よりも、光沢性が高く、導電性が高く（体積抵抗率が低く）、表面粗さも小さくなり、より好ましい特性を有するものとなる。

〇銀インク組成物（ＩＩ）
銀インク組成物（ＩＩ）は、前記有機銀化合物として、カルボン酸銀（カルボン酸の銀塩）が配合されてなり、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていないものである。

銀インク組成物（ＩＩ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていない点以外は、銀インク組成物（Ｉ）と同じであってよい。
すなわち、銀インク組成物（ＩＩ）の配合成分としては、前記カルボン酸銀、含窒素化合物、アルコール、及び他の成分が挙げられる。
銀インク組成物（ＩＩ）における、前記カルボン酸銀、含窒素化合物、アルコール、及び他の成分の配合量は、銀インク組成物（Ｉ）の場合と同じであってよい。
銀インク組成物（ＩＩ）は、さらに二酸化炭素が供給されてなるものでもよい。この場合の二酸化炭素の供給方法は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合成分ではない点を除けば、上述の銀インク組成物（Ｉ）の場合と同じである。

［還元剤］
銀インク組成物（ＩＩ）は、前記カルボン酸銀以外に、さらに還元剤が配合されてなるものでもよい。
前記還元剤は、シュウ酸（ＨＯＯＣ－ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ_２Ｎ－ＮＨ_２）及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上のものである。
Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^２１ ・・・・（５）
（式中、Ｒ^２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
すなわち、配合される還元剤は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記還元剤としてのヒドラジンは、一水和物（Ｈ_２Ｎ－ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）であってもよい。

前記還元剤で好ましいものとしては、例えば、ギ酸（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨ）；ギ酸メチル（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣＨ_３）、ギ酸エチル（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ギ酸ブチル（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ_３）等のギ酸エステル；プロパナール（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２ＣＨ_３）、ブタナール（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３）、ヘキサナール（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－（ＣＨ_２）_４ＣＨ_３）等のアルデヒド；ホルムアミド（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ_２）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（ＣＨ_３）_２）等のホルムアミド類（式「Ｈ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（－）－」で表される基を有する化合物）；シュウ酸等が挙げられる。

還元剤を用いる場合、銀インク組成物（ＩＩ）において、還元剤の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．０４～３．５モルであることが好ましく、０．０６～２．５モルであることがより好ましい。還元剤の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（ＩＩ）は、より容易に、より安定して金属銀を形成できる。

○銀インク組成物（ＩＩ）の製造方法
銀インク組成物（ＩＩ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸を配合せず、必要に応じて前記還元剤を配合する点以外は、銀インク組成物（Ｉ）の場合と同じ方法で製造できる。
すなわち、銀インク組成物（ＩＩ）は、前記カルボン酸銀、及び、必要に応じて任意成分を配合することで得られる。ここで「任意成分」とは、還元剤、及び、前記カルボン酸銀と、還元剤と、のいずれにも該当しない成分、を意味する。例えば、銀インク組成物（ＩＩ）の製造時においては、各成分の配合順序は、特に限定されない。

〇銀インク組成物（ＩＩＩ）
銀インク組成物（ＩＩＩ）は、前記有機銀化合物として、有機銀錯体が配合され、さらに、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸）及び含窒素化合物が配合されてなる。
このような銀インク組成物（ＩＩＩ）としては、例えば、有機銀錯体の前駆体化合物と、これ以外の含窒素化合物と、の反応によって、有機銀錯体が形成され、かつ余剰の前記含窒素化合物が残存している反応液と、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、を含むものが挙げられる。このような銀インク組成物（ＩＩＩ）として、より具体的には、特許第５２４３４０９号公報に記載のものに、さらに分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されてなるものが挙げられる。
すなわち、銀インク組成物（ＩＩＩ）としては、例えば、下記一般式（９１）で表される銀化合物（本明細書においては、「銀化合物（９１）」と略記することがある）と、下記一般式（９２）で表される化合物（本明細書においては、「含窒素化合物（９２）」と略記することがある）及び下記一般式（９３）で表される化合物（本明細書においては、「含窒素化合物（９３）」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上の含窒素化合物と、を反応させて得られた有機銀錯体を含有し、さらに、前記含窒素化合物と、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、を含有する液状組成物が挙げられる。

（式中、ｎ_１０１は、１～３の整数であり；Ｘ^１０１は、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアネート基、カーボネート基、ニトレート基、ニトライト基、サルフェート基、ホスフェート基、チオシアネート基、クロレート基、パークロレート基、テトラフルオロボレート基、アセチルアセトネート基、カルボキシレート基、及びこれらの誘導体からなる群よから選択される基であり；Ｒ^１０１～Ｒ^１１１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～３０の脂肪族若しくは脂環族アルキル基又はアリール基、官能基が置換されたアルキル基又はアリール基、及びヘテロ環式基からなる群から選択される基であり、ただし、Ｒ^１０１～Ｒ^１１１がすべて水素原子になることはない。）

前記有機銀錯体としては、例えば、下記一般式（９５）－１で表される化合物（本明細書においては、「有機銀錯体（９５）－１」と略記することがある）、及び下記一般式（９５）－２で表される化合物（本明細書においては、「有機銀錯体（９５）－２」と略記することがある）が挙げられる。

（式中、Ｒ^１０１～Ｒ^１１１は、上記と同じであり；ｍ_１０１及びｍ_１０２は、それぞれ独立に、０．５～１．５である。）

［銀化合物（９１）］
銀化合物（９１）としては、例えば、酸化銀、チオシアネート化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、燐酸銀、過塩素酸銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀等が挙げられる。

銀化合物（９１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

銀インク組成物（ＩＩＩ）の全質量に対する、銀インク組成物（ＩＩＩ）中の銀化合物（９１）に由来する銀の合計質量の割合（換言すると、銀インク組成物（ＩＩＩ）の、銀化合物（９１）に由来する銀の含有量）は、２質量％以上であることが好ましく、４質量％以上であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、形成された導電層（銀層）は品質により優れたものとなる。前記割合の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、銀インク組成物（ＩＩＩ）の取り扱い性等を考慮すると、２０質量％であることが好ましい。
なお、ここで、「銀化合物（９１）に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物（ＩＩＩ）の製造時に配合された銀化合物（９１）中の銀と同義であり、配合後も引き続き銀化合物（９１）を構成している銀と、配合後に銀化合物（９１）の反応で生じた反応物中の銀と、配合後に銀化合物（９１）の反応で生じた銀そのもの（金属銀）と、のすべてを含む概念とする。

［含窒素化合物（９２）］
含窒素化合物（９２）は、アンモニウムカルバメート系化合物である。
含窒素化合物（９２）において、Ｒ^１０１～Ｒ^１０５は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、シアノエチル基、メトキシエトキシエチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、ヘキサメチレンイミニル基、モルホリノ基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピリジニル基、カルボキシメチル基、トリメトキシシリルプロピル基、トリエトキシシリルプロピル基、フェニル基、メトキシフェニル基、シアノフェニル基、トリル基、ベンジル基、又はこれらの基において一部が置換された基であることが好ましい。ただし、Ｒ^１０１～Ｒ^１０５がすべて水素原子になることはない。

含窒素化合物（９２）としては、例えば、エチルアンモニウム エチルカルバメート、イソプロピルアンモニウム イソプロピルカルバメート、ｎ－ブチルアンモニウム ｎ－ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウム イソブチルカルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルアンモニウム ｔｅｒｔ－ブチルカルバメート、２－エチルヘキシルアンモニウム ２－エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカルバメート、２－メトキシエチルアンモニウム ２－メトキシエチルカルバメート、２－シアノエチルアンモニウム ２－シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウム ジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウム ジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウム ヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリノアンモニウム モルホリノカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、ベンジルアンモニウム ベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカルバメート等が挙げられる。
そして、これら含窒素化合物（９２）の中でも、２－エチルヘキシルアンモニウム ２－エチルヘキシルカルバメートは、銀化合物（９１）との相溶性に優れ、銀インク組成物（ＩＩＩ）の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。

含窒素化合物（９２）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

含窒素化合物（９２）は、公知の方法で製造でき、例えば、米国特許第４５４２２１４号明細書に記載の方法で製造できる。

［含窒素化合物（９３）］
含窒素化合物（９３）は、アンモニウムカーボネート系化合物である。
含窒素化合物（９３）において、Ｒ^１０６～Ｒ^１１１は、含窒素化合物（９２）におけるＲ^１０１～Ｒ^１０５と同様のものである。ただし、Ｒ^１０６～Ｒ^１１１がすべて水素原子になることはない。

含窒素化合物（９３）としては、例えば、エチルアンモニウム エチルカーボネート、イソプロピルアンモニウム イソプロピルカーボネート、ｎ－ブチルアンモニウム ｎ－ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウム イソブチルカーボネート、ｔｅｒｔ－ブチルアンモニウム ｔｅｒｔ－ブチルカーボネート、２－エチルヘキシルアンモニウム ２－エチルヘキシルカーボネート、２－メトキシエチルアンモニウム ２－メトキシエチルカーボネート、２－シアノエチルアンモニウム ２－シアノエチルカーボネート、オクタデシルアンモニウム オクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウム ジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウム ジオクタデシルカーボネート、メチルデシルアンモニウム メチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミニルアンモニウム ヘキサメチレンイミニルカーボネート、モルホリノアンモニウム モルホリノカーボネート、ベンジルアンモニウム ベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウム トリエトキシシリルプロピルカーボネート等が挙げられる。

含窒素化合物（９３）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

含窒素化合物（９３）は、公知の方法で製造でき、例えば、米国特許第４５４２２１４号明細書に記載の方法で製造できる。

銀化合物（９１）と反応させる含窒素化合物は、１種又は２種以上の含窒素化合物（９２）のみであってもよいし、１種又は２種以上の含窒素化合物（９３）のみであってもよいし、１種又は２種以上の含窒素化合物（９２）と、１種又は２種以上の含窒素化合物（９３）と、の両方であってもよい。

銀化合物（９１）と、含窒素化合物（９２）及び含窒素化合物（９３）からなる群から選択される１種又は２種以上と、の反応は、例えば、窒素雰囲気下において、常圧の状態で又は加圧した状態で、溶媒を用いずに行うことができる。

［溶媒］
前記反応は、溶媒を用いて行ってもよい。このときの溶媒としては、例えば、水；メタノール、エタノール、２－プロパノール、ブタノール等のアルコール；エチレングリコール、グリセリン等のグリコール；エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテート等のアセテート；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；メチルエチルケトン、アセトン等のケトン；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素；クロロホルム、メチレンクロライド、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素等が挙げられる。
溶媒は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

前記溶媒は、銀インク組成物（ＩＩＩ）の配合成分であってもよい。

前記反応時において、含窒素化合物（９２）及び含窒素化合物（９３）の合計使用量は、使用する銀化合物（９１）中の銀原子の量に対して、１～４倍モル量である（［含窒素化合物（９２）及び含窒素化合物（９３）の合計使用量（モル）］／［使用する銀化合物（９１）中の銀原子の量（モル）］の値が１～４である）ことが好ましい。

［炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸］
銀インク組成物（ＩＩＩ）における、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、銀インク組成物（Ｉ）における炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸）と同じである。
銀インク組成物（ＩＩＩ）における前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸は、銀インク組成物（Ｉ）における前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、同様の作用を示すと推測される。

銀インク組成物（ＩＩＩ）において、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量は、前記有機銀錯体中の銀原子の配合量１モルあたり、０．０１～１モルであることが好ましく、０．０２～０．７モルであることがより好ましく、０．０３～０．４モルであることが特に好ましい。分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の前記配合量がこのような範囲であることで、印刷対象物を加熱しながら印刷を行った場合であっても、光沢性が高い金属銀を形成する効果がより高くなる。
銀インク組成物（ＩＩＩ）の製造時に、前記有機銀錯体の前駆体化合物を用いる場合には、前記前駆体化合物中の銀原子の配合量１モルあたりの、分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量を、上述の数値範囲とすることができる。

上述のとおり、前記銀インク組成物（ＩＩＩ）は、前記分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸が配合されていることで、銀インク組成物（ＩＩＩ）を固化処理したときに、光沢性と導電性がより高い金属銀を形成できる。その理由は定かではないが、上述の銀インク組成物（Ｉ）の場合と同じであると推測される。

本実施形態で用いる銀インク組成物については、以上のとおりである。
次いで、前記銀インク組成物の使用方法について説明する。

○銀インク組成物の使用方法
銀インク組成物（Ｉ）、銀インク組成物（ＩＩ）及び銀インク組成物（ＩＩＩ）の場合に限定されず、前記銀インク組成物は、印刷法、塗布法等の公知の方法によって、目的物へ付着させることができる。これは、銀インク組成物以外の導電層形成用組成物も同様である。

前記印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、ジェットディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が挙げられる。
これらの中でも、前記印刷法は、インクジェット式印刷法であることが好ましい。

前記塗布法としては、例えば、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターを用いる方法；ワイヤーバーを用いる方法；スロットダイ等のコーティング装置を用いる方法；スプレー法等が挙げられる。

銀インク組成物を目的とする箇所に付着させ、この付着後の銀インク組成物の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により、銀層を形成する場合には、目的とする箇所へ付着させる銀インク組成物の量、又は銀インク組成物における前記有機銀化合物の配合量を調節することで、銀層の形成量や、銀層の厚さを調節できる。

銀インク組成物を乾燥処理する場合には、公知の方法で行えばよい。すなわち前記乾燥処理は、例えば、常圧下、減圧下及び送風条件下のいずれで行ってもよく、大気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれでおこなってもよい。そして、乾燥温度も特に限定されず、加熱乾燥及び常温乾燥のいずれでもよい。加熱処理が不要な場合の好ましい乾燥方法としては、例えば、１８～３０℃で大気下において乾燥させる方法が挙げられる。

銀インク組成物を加熱（焼成）処理する場合、その条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０～３７０℃であることが好ましく、７０～２８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分～２４時間であることが好ましく、１分～１２時間であることがより好ましい。前記有機銀化合物の中でも前記カルボン酸銀、特にβ－ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の金属銀の形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。

銀インク組成物を耐熱性が低い目的物に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、加熱温度は１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。

銀インク組成物の加熱処理の方法は、特に限定されない。前記加熱処理は、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱、高周波照射による加熱、誘電加熱等で行うことができる。また、前記加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、加湿条件下で行ってもよい。そして、前記加熱処理は、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。

本明細書において「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。

銀インク組成物の加熱処理を加湿条件下で行う場合の相対湿度は、１０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることが特に好ましく、９０％以上であってもよいし、１００％であってもよい。そして、加湿条件下での加熱処理は、１００℃以上に加熱した高圧水蒸気の吹き付けにより行ってもよい。このように加湿条件下で加熱処理することにより、短時間でより高純度の金属銀を形成できる。

銀インク組成物の加熱処理は、二段階で行ってもよい。例えば、一段階目の加熱処理では、金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、金属銀の形成を最後まで行う方法が挙げられる。

一段階目の加熱処理において、加熱温度は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０～１２０℃であることが好ましく、７０～１１０℃であってもよい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、５秒～１２時間であることが好ましく、３０秒～２時間であることがより好ましい。
二段階目の加熱処理において、加熱温度は、金属銀が良好に形成されるように、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよいが、６０～２８０℃であることが好ましく、７０～２６０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、１分～１２時間であることが好ましく、１分～１０時間であることがより好ましい。
銀インク組成物を耐熱性が低い目的物に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目及び二段階目の加熱処理における加熱温度は、１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。

ここまでで説明した銀インク組成物の加熱処理は、いずれも気相中で行うものであるが、銀インク組成物の加熱処理を二段階で行う場合、二段階目の加熱処理は、気相中ではなく液相中で行ってもよい。一段階目の加熱処理を経て、完全に又はある程度乾燥した銀インク組成物は、加熱した液体と接触させることで、その形状を損なうことなく、二段階目の加熱処理を行うことができる。そして、銀インク組成物の、一段階目の加熱処理を行った後の二段階目の液相中での加熱処理は、加熱した液体に銀インク組成物を浸漬することで行うことが好ましい。この液相中での加熱処理における加熱温度及び加熱時間は、先に説明した二段階目の加熱処理における加熱温度及び加熱時間と同じである。
上記の加熱した液体は湯（加熱した水）であることが好ましく、二段階目の加熱処理は、一段階目の加熱処理を行った銀インク組成物を湯中に浸漬すること、すなわち湯煎によって行うことが好ましい。
二段階目の加熱処理を液相中で行った場合には、この加熱処理によって形成された金属銀を、さらに乾燥させればよい。

銀インク組成物の二段階目の加熱処理を液相中で行う場合、銀インク組成物の一段階目の加熱処理は、非加湿条件下で行うことが好ましい。
なお、本明細書において「非加湿」とは、上述の「加湿」を行わないこと、すなわち、湿度を人為的に増大させないことを意味し、好ましくは相対湿度を５％未満とすることである。

加湿条件下での加熱処理を採用する場合、銀インク組成物の加熱処理は、以下に示す二段階の方法で行うことが特に好ましい。すなわち、一段階目の加熱処理において、非加湿条件下で、上述のように金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理において、加湿条件下で、上述のように金属銀の形成を最後まで行うことにより、銀インク組成物の加熱処理を行うことが特に好ましい。

二段階目の加熱処理を加湿条件下で行う場合、一段階目の非加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０～１２０℃であることが好ましく、７０～１１０℃であってもよい。また、加熱時間は、５秒～１時間であることが好ましく、３０秒～３０分であることがより好ましく、３０秒～１５分であることが特に好ましい。
一段階目の非加湿条件下での加熱処理に次いで行う、二段階目の加湿条件下での加熱処理時の加熱温度は、６０～１４０℃であることが好ましく、７０～１３０℃であることがより好ましい。また、加熱時間は、１分～２時間であることが好ましく、１分～１時間であることがより好ましく、１分～３０分であることが特に好ましい。
銀インク組成物を耐熱性が低い目的物に付着させて加熱（焼成）処理する場合には、一段階目の非加湿条件下での加熱処理及び二段階目の加湿条件下での加熱処理における加熱温度は、いずれも１３０℃未満であることが好ましく、１２５℃以下であることがより好ましく、１２０℃以下であることが特に好ましい。

＜他の層＞
前記被覆層、中間層等の、前記他の層は、その種類に応じて、適した構成材料を含有していればよい。
前記他の層の厚さも、その種類に応じて、適したものとすればよく、特に限定されない。
前記他の層は、例えば、その構成材料を含有する組成物を用いて形成できる。

◎基材及び導電層の密着性
前記積層体は、ＪＩＳ Ｋ ５６００－５－６に準拠して、前記基材及び導電層の密着性試験を行ったとき、分類０を満たすものが好ましい。このように、基材及び導電層の密着性が高い積層体は、高い導電性を安定して維持できるため、優れた特性を有する。

前記積層体の好ましい一実施形態としては、例えば、前記基材が、ポリカーボネート製シートであるか、又は、ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面（すなわち、第１面）に対して、前記導電層との接着力を向上させるための処理（すなわち、前記易接着処理）が施されたシートであり、前記密着性試験を行ったとき、分類０を満たすものが挙げられる。

＜＜積層体の製造方法＞＞
本実施形態の積層体は、例えば、基材上に導電層を形成する工程（以下、「導電層形成工程」と略記することがある）を有する製造方法で製造できる。
図５は、図１に示す積層体１の製造方法を模式的に説明するための断面図である。

＜導電層形成工程＞
前記導電層形成工程においては、図５（ａ）に示す基材１１を用い、図５（ｂ）に示すように、この基材１１上に導電層１２を形成する。
導電層１２は、前記導電層形成用組成物を、導電層の形成対象面である、基材１１の第１面１１ａに付着させて組成物層を形成し、この組成物層（導電層形成用組成物層）に対して、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理を適宜選択して行うことで形成できる。
導電層形成用組成物を目的物へ付着させる方法、前記固化処理の方法は、先に説明したとおりである。

ここでは、図１に示す積層体１を例に挙げて、その製造方法について説明したが、本実施形態の他の積層体も、その構造に応じて、同様の方法で製造できる。例えば、前記他の層を備えた積層体は、上述の製造方法において、前記他の層を形成する工程を、適したタイミングで、適した箇所に対して、適宜追加して行うことで、製造できる。

以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。

実施例又は比較例で用いた基材を表１に示す。

［実施例１］
＜積層体の製造＞
導電層形成用組成物として、銀インク組成物（Ｉ）を用い、以下に示す手順により、積層体を製造した。

（銀インク組成物の製造）
ビーカー中に２－エチルヘキシルアミン（後述する２－メチルアセト酢酸銀に対して６．５３倍モル量）と、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール（以下、「ＤＭＨＯ」と略記することがある）（後述する２－メチルアセト酢酸銀に対して０．１０倍モル量）と、を加えて混合し、メカニカルスターラーを回転させて撹拌しながら、さらにここへ、液温が４０℃以下となるように２－メチルアセト酢酸銀を添加して、各配合成分を溶解させ、室温でそのまま１日撹拌を続けた。
次いでこの撹拌液に、液温が３０℃以下となるように、ネオデカン酸（２－メチルアセト酢酸銀に対して０．１３倍モル量）を滴下して撹拌することにより、導電層形成用組成物として銀インク組成物（Ｉ）－１を得た。
なお、ＤＭＨＯとしては、日信化学社製「サーフィノール６１」を用い、ネオデカン酸としては、ジャパンケムテック社製「バーサティック１０」を用いた。これは、以降の実施例及び比較例でも同様である。

各配合成分の種類と配合比を表２に示す。表２中、「含窒素化合物（モル比）」とは、有機銀化合物の配合量１モルあたりの含窒素化合物の配合量（モル数）（［含窒素化合物のモル数］／［有機銀化合物のモル数］）を意味する。「アルコール（モル比）」も同様に、有機銀化合物の配合量１モルあたりのアルコールの配合量（モル数）（［アルコールのモル数］／［有機銀化合物のモル数］）を意味する。「分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸（モル比）」も同様に、有機銀化合物の配合量１モルあたりの分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸の配合量（モル数）（［分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸のモル数］／［有機銀化合物のモル数］）を意味する。
なお、本実施例において「有機銀化合物」とは、「β－ケトカルボン酸銀（１）」のことである。

（積層体の製造）
インクジェット装置（コニカミノルタ社製「ＥＢ１００」、インクジェットヘッド「ＫＭ５１２ＭＨ」）と、上記で得られた銀インク組成物（Ｉ）－１と、を用いて、インクジェット式印刷法により、基材（Ｓ）－１の、帯電防止易接着処理が施されている一方の表面上に、ラインアンドスペースパターンを印刷した。
次いで、このパターンに対して、１３０℃の熱風を１０分吹き付けることにより、このパターン（すなわち銀インク組成物）を加熱処理し、基材（Ｓ）－１上に、導電層として、パターニングされた銀層を形成した。
以上により、積層体を得た。

＜積層体の評価＞
（導電層の幅及び厚さの測定）
形状測定レーザマイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＫ－Ｘ１００」）を用いて、上記で得られた積層体を観察し、銀層の幅及び厚さを測定して、これらの平均値を求めた。結果を表３に示す。表１中の「導電層」の欄の「幅（μｍ）」、「厚さ（μｍ）」は、いずれもこの平均値である。以降の実施例及び比較例においても、導電層（銀層）の幅及び厚さは、いずれも平均値を意味する。この平均値については、先に説明したとおりである。

（導電層の体積抵抗率変化率の算出）
デジタルマルチメーター（ＡＤＣ社製「ＡＤＣＭＴ ７３５２Ａ」）を用いて、上記で得られた積層体中の銀層の抵抗値を測定した。そして、この測定値と、先に求めた銀層の厚さ、幅、及び長さ（線長＝２．５ｃｍ）から、先に説明した方法により、銀層の体積抵抗率（初期体積抵抗率）を算出した。結果を表３に示す。

さらに、この銀層の抵抗値を測定した後の積層体を、先に説明した方法によって、銀層が存在する領域において、１８０°の角度で折り曲げた。すなわち、このとき、折り曲げ後の積層体において、基材の第１面が内側を向き、基材の第２面が外側を向くように、換言すると、互いに離れていた銀層同士が密着するようにした。

次いで、この折り曲げた積層体を、折り曲げられていない元の状態に戻し、この折り曲げ後の積層体について、上記と同じ方法で、銀層の体積抵抗率（折り曲げ後体積抵抗率）を算出した。そして、これら初期体積抵抗率と折り曲げ後体積抵抗率とから、銀層の折り曲げ時の体積抵抗率変化率（％）を算出した。結果を表３に示す。

（基材及び導電層の密着性の評価）
１８０°の角度で折り曲げる前の前記積層体について、ＪＩＳ Ｋ ５６００－５－６に準拠して、基材及び銀層の密着性試験を行った。結果を表３に示す。

＜積層体の製造及び評価＞
［実施例２～３１、比較例１］
インクジェット式印刷法による銀インク組成物の印刷条件を変更して、表３に示すように、銀層の幅及び厚さの少なくとも一方を変更した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表３に示す。

［実施例３２］
＜積層体の製造＞
（銀インク組成物の製造）
実施例１の場合と同じ銀インク組成物を製造した。

（積層体の製造）
インクジェット装置（コニカミノルタ社製「ＥＢ１００」、インクジェットヘッド「ＫＭ５１２ＭＨ」）と、上記で得られた銀インク組成物（Ｉ）－１と、を用いて、インクジェット式印刷法により、基材（Ｓ）－２の一方の表面上に、ラインアンドスペースパターンを印刷した。
次いで、このパターンに対して、１３０℃の熱風を１０分吹き付けることにより、このパターン（すなわち銀インク組成物）を加熱処理し、基材（Ｓ）－２上に、導電層として、パターニングされた銀層を形成した。
以上により、積層体を得た。

＜積層体の評価＞
上記で得られた積層体について、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表４に示す。

＜積層体の製造及び評価＞
［実施例３３～５１、比較例２～１４］
インクジェット式印刷法による銀インク組成物の印刷条件を変更して、表４に示すように、銀層の幅及び厚さの少なくとも一方を変更した点以外は、実施例３２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表４に示す。

［実施例５２］
＜積層体の製造＞
（銀インク組成物の製造）
実施例１の場合と同じ銀インク組成物を製造した。

（積層体の製造）
インクジェット装置（コニカミノルタ社製「ＥＢ１００」、インクジェットヘッド「ＫＭ５１２ＭＨ」）と、上記で得られた銀インク組成物（Ｉ）－１と、を用いて、インクジェット式印刷法により、基材（Ｓ）－３の一方の表面上に、ラインアンドスペースパターンを印刷した。
次いで、このパターンに対して、１３０℃の熱風を１０分吹き付けることにより、このパターン（すなわち銀インク組成物）を加熱処理し、基材（Ｓ）－３上に、導電層として、パターニングされた銀層を形成した。
以上により、積層体を得た。

＜積層体の評価＞
上記で得られた積層体について、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表５に示す。

＜積層体の製造及び評価＞
［実施例５３～５７］
インクジェット式印刷法による銀インク組成物の印刷条件を変更して、表５に示すように、銀層の幅及び厚さを変更した点以外は、実施例５２の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

［実施例５８］
＜積層体の製造＞
（銀インク組成物の製造）
実施例１の場合と同じ銀インク組成物を製造した。

（積層体の製造）
インクジェット装置（コニカミノルタ社製「ＥＢ１００」、インクジェットヘッド「ＫＭ５１２ＭＨ」）と、上記で得られた銀インク組成物（Ｉ）－１と、を用いて、インクジェット式印刷法により、基材（Ｓ）－４の、帯電防止易接着処理が施されている一方の表面上に、ラインアンドスペースパターンを印刷した。
次いで、このパターンに対して、１３０℃の熱風を１０分吹き付けることにより、このパターン（すなわち銀インク組成物）を加熱処理し、基材（Ｓ）－４上に、導電層として、パターニングされた銀層を形成した。
以上により、積層体を得た。

＜積層体の評価＞
上記で得られた積層体について、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表５に示す。

＜積層体の製造及び評価＞
［実施例５９～６３］
インクジェット式印刷法による銀インク組成物の印刷条件を変更して、表５に示すように、銀層の幅及び厚さを変更した点以外は、実施例５８の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。結果を表５に示す。

上記結果から明らかなように、基材の構成材料がポリエチレンテレフタレートである場合の、実施例１～３１、５８～６３の積層体においては、銀層の体積抵抗率変化率が４９％以下（２～４９％）であり、これら積層体を折り曲げたときに、銀層の導電性の低下を十分に抑制できた。なお、これら実施例の積層体において、銀層の初期体積抵抗率は３０５μΩ・ｃｍ以下（３７～３０５μΩ・ｃｍ）であった。
実施例１～３１、５８～６３においては、銀層の幅が１１８～５５５μｍであり、銀層の厚さが０．０６１～０．１９８μｍであった。

これに対して、同じ基材を用いた場合の、比較例１の積層体においては、銀層の体積抵抗率変化率が５３％であり、この積層体を折り曲げたときに、銀層の導電性の低下を抑制する効果が劣っていた。
比較例１においては、銀層の幅が４０８μｍであり、銀層の厚さが０．２０６μｍであって、銀層が厚かったために、積層体を折り曲げ後の、銀層の導電性の低下幅が大きかったと推測された。

基材の構成材料がポリカーボネートである場合の、実施例３２～５７の積層体においては、銀層の体積抵抗率変化率が５０％以下（１０～５０％）であり、これら積層体を折り曲げたときに、銀層の導電性の低下を十分に抑制できた。なお、銀層の初期体積抵抗率は７４μΩ・ｃｍ以下（１６～７４μΩ・ｃｍ）であった。
実施例３２～５７においては、銀層の幅が１３２～５７４μｍであり、銀層の厚さが０．０１２～０．１１３μｍであった。

これに対して、同じ基材を用いた場合の、比較例２～１１、１３及び１４の積層体においては、銀層の体積抵抗率変化率が５２％以上であり、これら積層体を折り曲げたときに、銀層の導電性の低下を抑制する効果が劣っていた。
比較例２～１１及び１４においては、銀層の幅が６０３μｍ以上であり、銀層の厚さが０．０２５～０．１５１μｍであって、銀層の幅が広かったために、積層体を折り曲げ後の、銀層の導電性の低下幅が大きかったと推測された。
比較例１３においては、銀層の幅が４５８μｍであり、銀層の厚さが０．００９μｍであって、銀層が薄かったために、積層体を折り曲げ後の、銀層の導電性の低下幅が大きかったと推測された。
一方、比較例１２の積層体においては、銀層の初期体積抵抗率が測定不能であり（表４中、「ＯＬ」と表示している）、銀層の体積抵抗率変化率を求めることができなかった（表４中、「－」と表示している）。比較例１２においては、銀層の幅が３０４μｍであり、銀層の厚さが０．００７μｍであって、銀層が薄かったために、銀層の初期体積抵抗率が極度に大きくなったと推測された。

実施例１～６３全体を包括すると、これら実施例では、基材の構成材料が異なる積層体を含むが、銀層の体積抵抗率変化率は５０％以下（２～５０％）であった。そして、これら実施例では、銀層の幅は１１８～５７４μｍであり、銀層の厚さは０．０１２～０．１９８μｍであった。なお、これら実施例では、銀層の初期体積抵抗率は３０５μΩ・ｃｍ以下（１６～３０５μΩ・ｃｍ）であった。

一方、比較例１～１４全体を包括すると、これら比較例でも、基材の構成材料が異なる積層体を含み、銀層の体積抵抗率変化率は５２％以上であった。そして、これら比較例では、銀層の幅が６０３μｍ未満であり、かつ、銀層の厚さが０．００９μｍ超であり、かつ、銀層の厚さが０．２０６μｍ未満である積層体は、存在しなかった。

実施例１～６３及び比較例１～１４における、銀層の幅と厚さとの関係に関するデータを、すべてプロットして得られたグラフを、図６に示す。

基材及び導電層の密着性は、実施例１～６３、比較例１～１４のすべてにおいて、良好であった。

［比較例１５］
＜積層体の製造＞
導電層形成用組成物として、金属銀粒子組成物を用い、以下に示す手順により、積層体を製造した。
スクリーン版（ＣＡＬ５００－１８φ２３μｍ Ｂ２２．５°）と、銀ペースト（トーヨーケム社製「ＲＥＸＡＬＰＨＡ（登録商標） ＲＡ ＦＳ ０５９」）と、を用いて、スクリーン印刷法により、基材（Ｓ）－１の、帯電防止易接着処理が施されている一方の表面上に、ラインアンドスペースパターンを印刷した。このとき、乳剤厚を９μｍとした。前記銀ペーストは、金属銀粒子とバインダー樹脂を含む。
次いで、このパターンを印刷後の基材（Ｓ）－１を、オーブン内において、１００℃で１０分加熱処理することにより、基材（Ｓ）－１上に、導電層として、パターニングされた銀層を形成した。
以上により、積層体を得た。

＜積層体の評価＞
上記で得られた積層体について、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表６に示す。

＜積層体の製造及び評価＞
［比較例１６～３８］
基材の種類と、スクリーン印刷法による銀ペーストの印刷条件と、のいずれか一方又は両方を変更した点以外は、比較例１５の場合と同じ方法で、積層体を製造し、評価した。基材（Ｓ）－１又は基材（Ｓ）－９を用いた場合には、これら基材の表面処理が施されている側の表面上に、ラインアンドスペースパターンを印刷した。このときの、各比較例での銀層の幅及び厚さは、表６に示すとおりであった。結果を表６に示す。

比較例１５～３２、３６～３８の積層体においては、基材の構成材料がいずれもポリエチレンテレフタレートであった。そして、上記結果から明らかなように、これら比較例においては、銀層の体積抵抗率変化率が７３％以上であり、この積層体を折り曲げたときに、銀層の導電性の低下を抑制する効果が劣っていた。
比較例１５～３２、３６～３８においては、銀層の幅が１１０～５２０μｍであり、銀層の厚さが５．８９μｍ以上であって、銀層が厚過ぎたために、積層体を折り曲げ後の、銀層の導電性の低下幅が大きかったと推測された。

比較例１５～３２、３６～３８における、銀層の幅と厚さとの関係に関するデータをプロットして得られたグラフを、図７に示す。

比較例３３～３５の積層体においては、基材の構成材料がいずれもポリカーボネートであった。
そして、上記結果から明らかなように、比較例３３、３４においては、銀層の体積抵抗率変化率が６６９％以上であり、この積層体を折り曲げたときに、銀層の導電性の低下を抑制する効果が著しく劣っていた。
比較例３３、３４においては、銀層の幅が３２３～５１０μｍであり、銀層の厚さが８．２８μｍ以上であって、銀層が厚過ぎたために、積層体を折り曲げ後の、銀層の導電性の低下幅が大きかったと推測された。
一方、比較例３５の積層体においては、銀層の折り曲げ後体積抵抗率が測定不能であり、銀層の体積抵抗率変化率を求めることができなかった（表６中、「－」と表示している）。比較例３５においては、銀層の幅が１０９μｍであり、銀層の厚さが６．８３μｍであって、銀層が厚過ぎたたけでなく、銀層の幅が比較的狭かったために、折り曲げ後の銀層の欠落量が多く、銀層の形状が過度に損なわれた結果、銀層の折り曲げ後体積抵抗率が極度に大きくなったと推測された。

比較例３３～３５における、銀層の幅と厚さとの関係に関するデータをプロットして得られたグラフを、図８に示す。

比較例１５～３８全体を包括すると、これら比較例では、基材の構成材料が異なる積層体を含み、銀層の体積抵抗率変化率は７３％以上であった。そして、これら比較例では、銀層の厚さが５．８９μｍ未満である積層体は、存在しなかった。

基材及び導電層の密着性は、比較例１５～３８のすべてにおいて、良好であった。

本発明は、回路基板をはじめとする各種配線板として利用可能である。

１，２，３・・・積層体、１１，２１・・・基材、１１ａ，２１ａ・・・基材の第１面、１２・・・導電層、Ｗ_１２・・・導電層の幅、Ｔ_１２・・・導電層の厚さ

Claims (3)

1. 基材と、前記基材上に設けられた導電層と、を備え、
   前記導電層の幅が５～５９０μｍであり、前記導電層の厚さが０．０１～０．２μｍであり、
   前記導電層が、カルボン酸銀と、炭素数８～１０の分岐鎖状飽和脂肪族カルボン酸と、が配合されてなる銀インク組成物を用いて形成された銀層であり、
   前記基材が、ポリカーボネート製シートであるか、又は、ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面に対して、前記導電層との接着力を向上させるための処理が施されたシートであり、
   前記処理が、前記ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面に対する酸処理、放射線照射処理、加熱処理、粗化処理、又は接着剤層の形成処理である、積層体。
2. 前記基材が、前記ポリカーボネート製シートである場合には、前記導電層の幅が１３０～５７８μｍであり、前記導電層の厚さが０．０１～０．１２μｍであり、前記基材が、前記ポリエチレンテレフタレート製シートの前記導電層側の面に対して、前記導電層との接着力を向上させるための処理が施されたシートである場合には、前記導電層の幅が１１５～５６０μｍであり、前記導電層の厚さが０．０５８～０．２μｍである、請求項１に記載の積層体。
3. ＪＩＳ Ｋ ５６００－５－６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、分類０を満たす、請求項１又は２に記載の積層体。

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