JP7435739B2 - 研磨剤、複数液式研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
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Description
本明細書において、「研磨速度」とは、被研磨材料が研磨により除去される速度(例えば、時間あたりの被研磨材料の厚みの低減量。Removal Rate)を意味する。「工程」との語には、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できないもののその工程の所期の作用が達成される工程が含まれる。「膜」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。数値範囲の「A以上」とは、A、及び、Aを超える範囲を意味する。数値範囲の「A以下」とは、A、及び、A未満の範囲を意味する。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「A又はB」とは、A及びBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、一種を単独で、又は、二種以上を組み合わせて使用できる。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
本実施形態に係る研磨剤は、コバルトを含む被研磨面の研磨に用いられる研磨剤である。本実施形態に係る研磨剤は、少なくとも、砥粒(研磨砥粒)と、第4級ホスホニウム塩と、水と、を含有し、pHが4.0を超える。本実施形態に係る研磨剤は、CMP用研磨剤として用いることができる。
本実施形態に係る研磨剤は、砥粒を含有する。本明細書において「砥粒」とは、複数の粒子の集合を意味するが、便宜的に、砥粒を構成する一の粒子を砥粒と呼ぶことがある。砥粒は、一種又は複数種の粒子を含んでよい。
本実施形態に係る研磨剤は、第4級ホスホニウム塩を含有する。第4級ホスホニウム塩は、研磨剤中において第4級ホスホニウムカチオンと対アニオンとに解離していてよい。
本実施形態に係る研磨剤は、ホスホノ基(-PO(OH)2)及びホスホン酸塩基(ホスホノ基の水素原子の少なくとも1つがナトリウム等の金属原子に置換されて得られる官能基)からなる群より選ばれる少なくとも一種を有するホスホン酸化合物(第4級ホスホニウム塩に該当する化合物を除く)を含有してよい。すなわち、本実施形態に係る研磨剤は、ホスホン酸及びホスホン酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一種のホスホン酸化合物を含有してよい。
本実施形態に係る研磨剤は、スルホ基(-SO3H)及びスルホン酸塩基(スルホ基の水素原子がナトリウム等の金属原子に置換されて得られる官能基)からなる群より選ばれる少なくとも一種を有するスルホン酸化合物(第4級ホスホニウム塩又はホスホン酸化合物に該当する化合物を除く)を含有してよい。すなわち、本実施形態に係る研磨剤は、スルホン酸及びスルホン酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一種のスルホン酸化合物を含有してよい。本実施形態に係る研磨剤は、ホスホン酸化合物及びスルホン酸化合物を含有してよく、ホスホン酸化合物を含有することなくスルホン酸化合物を含有してよい。
本実施形態に係る研磨剤は、アミン(第4級ホスホニウム塩、ホスホン酸化合物又はスルホン酸化合物に該当する化合物を除く)を含有してよい。研磨剤がアミンを含有することで、酸化珪素が過剰に研磨されることを抑制しやすい。アミンを研磨剤のpHを調整する目的で用いてもよい。
本実施形態に係る研磨剤は、研磨剤のpHを調整するために、pH調整剤(第4級ホスホニウム塩、ホスホン酸化合物、スルホン酸化合物又はアミンに該当する化合物を除く)を含有してよい。pH調整剤としては、有機酸、塩基成分等が挙げられる。研磨剤は、pHの調整以外の目的で、pH調整剤に該当する化合物を含有してよい。
本実施形態に係る研磨剤は、酸化剤(酸化剤成分、金属酸化剤。第4級ホスホニウム塩、ホスホン酸化合物、スルホン酸化合物又はアミンに該当する化合物を除く)を含有してよい。研磨剤が酸化剤を含有することにより金属材料(コバルト等)が充分に酸化され、金属材料の適切な研磨速度を得やすいと共に金属材料(コバルト、タングステン等)の過剰な腐食を抑制しやすい。
本実施形態に係る研磨剤は、金属防食剤(第4級ホスホニウム塩、ホスホン酸化合物、スルホン酸化合物又はアミンに該当する化合物を除く)を含有してよい。金属防食剤は、例えば、金属材料(コバルト、タングステン等)と反応してキレート錯体を形成することで、金属材料を含む被研磨面が過度に腐食されることを防ぎ、金属材料に対して保護膜を形成し得る化合物である。研磨剤が金属防食剤を含有することにより、金属材料に対して保護膜を形成することで金属材料のエッチングを抑制しやすい。
本実施形態に係る研磨剤は、水を含有する。研磨剤に含まれる水としては、イオン交換水(脱イオン水)、純水、超純水、蒸留水等を用いることができる。本実施形態では、イオン交換樹脂による不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって純度を高めた水を用いてよい。
本実施形態に係る研磨剤のpHは、コバルトの研磨速度として、酸化珪素の研磨速度と同等の研磨速度を安定して得やすい観点、及び、コバルトを含む被研磨面の腐食を抑制しやすい観点から、4.0を超える。研磨剤のpHは、コバルトの研磨速度として、酸化珪素の研磨速度と同等の研磨速度を更に安定して得やすい観点、及び、コバルトを含む被研磨面の腐食を更に抑制しやすい観点から、5.0以上、6.0以上、7.0以上、7.5以上、8.0以上、8.0超、9.0以上、9.0超、9.5以上、又は、10.0以上である。研磨剤のpHは、珪素化合物(酸化珪素、窒化珪素等)を含む被研磨面の溶解、及び、砥粒(特に、シリカを含む砥粒)の溶解を抑制しやすい観点、並びに、コバルトの研磨速度として、酸化珪素の研磨速度と同等の研磨速度を安定して得やすい観点から、12.0以下、11.5以下、11.0以下、10.5以下、又は、10.0以下であってよい。これらの観点から、研磨剤のpHは、4.0超12.0以下、5.0~12.0、6.0~12.0、7.0~11.5、7.5~11.0、8.0~10.5、9.0~10.5、又は、9.5~10.0であってよい。
本実施形態に係る研磨剤は、少なくとも砥粒、第4級ホスホニウム塩及び水を含む1液式研磨剤として保存してもよく、砥粒を含むスラリ(第1の液)と、第4級ホスホニウム塩を含む添加液(第2の液)と、を少なくとも有する複数液式研磨剤として保存してもよい。複数液式研磨剤では、研磨剤の構成成分が少なくともスラリと添加液とに分けられており、スラリと添加液とを混合することにより、本実施形態に係る研磨剤が得られる。スラリは、例えば、少なくとも砥粒及び水を含む。添加液は、例えば、少なくとも第4級ホスホニウム塩及び水を含む。第4級ホスホニウム塩以外の添加剤(ホスホン酸化合物、スルホン酸化合物、アミン、pH調整剤、酸化剤、金属防食剤等)は、スラリ及び添加液のうち添加液に含まれてよい。研磨剤の構成成分は、3液以上に分けて保存してもよい。
本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係る研磨剤を用いて、コバルトを含む被研磨面を研磨する研磨工程を備える。研磨工程において用いる研磨剤は、上記1液式研磨剤、又は、上記複数液式研磨剤により得られる研磨剤(例えば、上述のスラリと添加液とを混合して得られる研磨剤)であってよい。研磨工程では、コバルト含有部を有する被研磨面を研磨してよい。研磨工程では、本実施形態に係る研磨剤を用いて、コバルト含有部の少なくとも一部を研磨して除去することができる。コバルト含有部の構成材料としては、コバルト単体、コバルト合金、コバルトの酸化物、コバルト合金の酸化物等が挙げられる。
砥粒として、平均二次粒子径が60nmのシリカ粒子(コロイダルシリカ)を用意した。シリカ粒子の平均二次粒子径は、BECKMAN COULTER社製の光回折散乱式粒度分布計DELSA MAX PROを用いて光子相関法により測定した。具体的には、シリカ粒子の水分散液を、散乱強度が5.0×104~1.0×106cpsとなるように水で希釈して測定サンプルとし、当該測定サンプルをプラスチックセルに入れ、平均二次粒子径を測定した。
第1~第3の評価用基板として以下の基板を用意した。
・第1の評価用基板:コバルト(Co)からなるコバルト膜(厚さ:200nm)をシリコン基板(直径12インチウエハ)上に製膜して得られた基板。
・第2の評価用基板:酸化珪素膜(SiO2膜、厚さ:1000nm)をシリコン基板(直径12インチウエハ)上に製膜して得られた基板。
・第3の評価用基板:窒化珪素膜(SiN膜、厚さ:200nm)をシリコン基板(直径12インチウエハ)上に製膜して得られた基板。
表1の各成分を混合して実施例及び比較例の研磨剤を調製した。具体的には、第4級ホスホニウム塩(テトラ-n-ブチルホスホニウムヒドロキシド)、ホスホン酸化合物(2-ホスホノブタン-1,2,4-トリカルボン酸)、スルホン酸化合物(ベンゼンスルホン酸)、アミン(イソアミルアミン)、pH調整剤(アスパラギン酸)、及び、金属防食剤(5-メチル-1H-ベンゾトリアゾール)を脱イオン水に加えた後に攪拌して混合物を得た(実施例1~4及び比較例1において、表1で「-」が記載されている成分については使用しなかった)。この混合物に砥粒(コロイダルシリカ)を加えて攪拌した後、酸化剤として過酸化水素水(30質量%水溶液)を加えて混合した。そして、各成分の含有量が表1の含有量(単位:質量%)となるように脱イオン水を加えて混合して実施例1~8及び比較例1の研磨剤を得た。なお、表中の砥粒の含有量は固形分の含有量であり、過酸化水素(H2O2)の含有量は過酸化水素自体の含有量である。
各研磨剤のpHを下記に従って測定した結果、実施例1~8及び比較例1の研磨剤のpHは10.0であった。
・測定温度:25℃
・測定器:pHメータ(株式会社堀場製作所製「Model F-51」)
・測定方法:標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液{pH:4.01(25℃)}、中性リン酸塩pH緩衝液{pH:6.86(25℃)}、及び、ホウ酸塩pH緩衝液{pH:9.18(25℃)})を用いて3点校正した後、電極を研磨剤に入れ、3分以上経過して安定した後の値を測定した。
各研磨剤を用いて下記研磨条件で第1~第3の評価用基板の各被研磨膜を研磨し、コバルトの研磨速度(Co-RR(Removal Rate))、酸化珪素の研磨速度(SiO2-RR)、及び、窒化珪素の研磨速度(SiN-RR)を測定した。酸化珪素膜及び窒化珪素膜の研磨前後の膜厚の差は、光干渉式膜厚測定装置(フィルメトリクス社製、商品名:F-80)を用いて求めた。コバルト膜の研磨前後の膜厚の差は、抵抗測定器VR-120/08S(株式会社日立国際電気製)を用いてコバルト膜の研磨後の電気抵抗値を測定し、電気抵抗値から研磨前後の膜厚を換算することにより求めた。膜厚の差を研磨時間で除算することにより各被研磨膜の研磨速度(単位:nm/min)を求めた。結果を表1に示す。
・研磨機:片面用研磨機(APPLIED MATERIALS社製、Reflexion LK)
・研磨パッド:富士紡ホールディングス株式会社製、スウェード状パッド
・コンディショニングディスク:A188(3M社製)
・研磨圧力:10.3kPa
・定盤回転数:98rpm
・ヘッド回転数:87rpm
・研磨剤供給量:250mL/min
・研磨時間:60秒
下記浸漬条件でチップを100mLビーカー内の各研磨剤100mLへ浸漬し、浸漬前後のコバルト層の厚み差を電気抵抗値から換算して求め、厚み差と浸漬時間によりタングステンのエッチング速度(W-ER(Etching Rate)、腐食速度、単位:nm/min)及びコバルトのエッチング速度(Co-ER(Etching Rate)、腐食速度、単位:nm/min)を算出した。結果を表1に示す。
・チップ:表面に形成されたタングステン層(厚さ:200nm)又はコバルト層(厚さ:200nm)を有するシリコンウエハ(8インチ、ブランケットウエハ)を切断して得られた20mm×20mmのチップ
・攪拌速度:200rpm
・浸漬時間:5min
Claims (21)
- コバルトを含む被研磨面の研磨に用いられる研磨剤であって、
砥粒と、第4級ホスホニウム塩と、水と、アミンと、酸化剤と、を含有し、
pHが8.0以上である、研磨剤。 - 前記第4級ホスホニウム塩が、テトラアルキルホスホニウム塩及びテトラアリールホスホニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項1に記載の研磨剤。
- 前記第4級ホスホニウム塩がテトラアルキルホスホニウム塩を含む、請求項1又は2に記載の研磨剤。
- 前記第4級ホスホニウム塩の含有量が、研磨剤の全質量を基準として0.010質量%以上0.10質量%未満である、請求項1~3のいずれか一項に記載の研磨剤。
- ホスホノ基及びホスホン酸塩基からなる群より選ばれる少なくとも一種を有するホスホン酸化合物を更に含有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記ホスホン酸化合物が、カルボキシ基及びカルボン酸塩基からなる群より選ばれる少なくとも一種を更に有する、請求項5に記載の研磨剤。
- 前記ホスホン酸化合物が、2-ホスホノブタン-1,2,4-トリカルボン酸、N,N,N’,N’-エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)、1-ヒドロキシエタン-1,1-ビス(ホスホン酸)、フェニルホスホン酸、O-ホスホリルエタノールアミン及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項5又は6に記載の研磨剤。
- スルホ基及びスルホン酸塩基からなる群より選ばれる少なくとも一種を有するスルホン酸化合物を更に含有する、請求項5~7のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記スルホン酸化合物が、スルホ基及びスルホン酸塩基からなる群より選ばれる少なくとも一種が結合しているアリール基を有する、請求項8に記載の研磨剤。
- 前記スルホン酸化合物が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、イソキノリン-5-スルホン酸、3-アミノ-4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項8又は9に記載の研磨剤。
- 前記砥粒がシリカを含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記砥粒の含有量が、研磨剤の全質量を基準として0.01~20質量%である、請求項1~11のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記アミンが、第1酸解離定数pKaが10.0以上であるアミンを含む、請求項1~12のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 有機酸を更に含有する、請求項1~13のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 金属防食剤を更に含有する、請求項1~14のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記被研磨面が酸化珪素を更に含む、請求項1~15のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記被研磨面が窒化珪素を更に含む、請求項16に記載の研磨剤。
- 請求項1~17のいずれか一項に記載の研磨剤を得るための複数液式研磨剤であって、
前記砥粒を含む第1の液と、前記第4級ホスホニウム塩を含む第2の液と、を少なくとも有する、複数液式研磨剤。 - 請求項1~17のいずれか一項に記載の研磨剤、又は、請求項18に記載の複数液式研磨剤により得られる研磨剤を用いて、コバルトを含む被研磨面を研磨する、研磨方法。
- 前記被研磨面が酸化珪素を更に含む、請求項19に記載の研磨方法。
- 前記被研磨面が窒化珪素を更に含む、請求項20に記載の研磨方法。
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