JP7434571B2 - マイクロフォン及びそれを有する電子機器 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本願は、２０２０年１月１７日に提出された中国特許出願第２０２０１００５１６９４．７号の優先権を主張し、その内容は参照により組み込まれる。
本開示は、一般に、マイクロフォンの技術分野に関する。
マイクロフォンは、日常の通信装置に広く使用されている。様々な環境で良好な通信品質を実現するために、高い信号対雑音比（ＳＮＲ）と優れた耐ノイズ性能を備えたマイクロフォンが、ますます普及してきている。優れた性能を備えたマイクロフォンは、通常、滑らかな周波数応答曲線と高いＳＮＲを有する。滑らかな周波数応答曲線を滑らかにするための既存の方法では、通常、マイクロフォンの振動装置の変位共振曲線のフォルマントの前の平坦な領域が使用される。振動装置の共振周波数を大きな値に設定しなければならない場合があるが、その結果、マイクロフォンのＳＮＲ又は感度が低下して、マイクロフォンの通信品質が低下する。マイクロフォンのＳＮＲ又は感度を向上させるための既存の方法では、通常、共振周波数が音声周波数帯域に設定される。マイクロフォンの振動装置が大きなＱ値（又は小さな減衰）を有し、フォルマント周波数（周波数応答曲線の高いピーク）の近くで多くの音信号をピックアップするため、周波数帯域全体における周波数信号の分布が不均一になり、明瞭度が低くなり、さらに音信号の歪みが生じる。従って、高い感度、滑らかな周波数応答曲線、及び広い周波数帯域などの高性能を備えたマイクロフォンを提供することが望ましい。
本開示の一態様は、マイクロフォンを紹介する。前記マイクロフォンは、振動信号を受信するためのハウジングと、前記ハウジング内にある、前記振動信号を電気信号に変換するための変換コンポーネントと、前記電気信号を処理するための処理回路と、を含んでもよい。前記変換コンポーネントは、トランスデューサ、及び前記トランスデューサに取り付けられた少なくとも１つの減衰フィルムを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記トランスデューサの少なくとも１つの表面の少なくとも一部を覆う。
いくつかの実施形態では、前記トランスデューサの少なくとも１つの表面は、上面、前記トランスデューサの下面、側面、又は内面のうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記トランスデューサの上面、前記トランスデューサの下面、前記トランスデューサの側面、又は前記トランスデューサの内部を含む少なくとも１つの位置に配置される。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記トランスデューサの少なくとも１つの表面に所定の角度で配置される。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記ハウジングに接続されない。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記ハウジングに接続される。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、少なくとも２つの減衰フィルムを含み、前記少なくとも２つの減衰フィルムは、前記トランスデューサの中心線に対して対称的に配置される。
いくつかの実施形態では、前記変換コンポーネントは、少なくとも１つの弾性要素をさらに含み、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記トランスデューサ及び前記少なくとも１つの弾性要素にそれぞれ接続される。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの弾性要素及び前記トランスデューサは、所定の分布モードで配置される。
いくつかの実施形態では、前記所定の分布モードは、水平分布モード、垂直分布モード、アレイ分布モード、又はランダム分布モードのうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記少なくとも１つの弾性要素の少なくとも１つの表面の少なくとも一部を覆う。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムの幅は可変である。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１つの減衰フィルムの厚さは可変である。
いくつかの実施形態では、前記トランスデューサは、ダイアフラム、圧電セラミックプレート、ピエゾフィルム、又は静電フィルムのうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態では、前記トランスデューサの構造は、フィルム、カンチレバー、又はプレートのうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態では、前記振動信号は、気体、液体、又は固体のうちの少なくとも１つによって引き起こされる。
いくつかの実施形態では、前記振動信号は、非接触モード又は接触モードに従って、前記ハウジングから前記変換コンポーネントに送信される。
いくつかの実施形態では、前記トランスデューサと前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記マイクロフォンの周波数応答曲線に応じて設計される。
本開示の別の態様によれば、マイクロフォンを含む電子機器が提供される。前記マイクロフォンは、振動信号を受信するためのハウジングと、前記ハウジング内にある、前記振動信号を電気信号に変換するための変換コンポーネントと、前記電気信号を処理するための処理回路と、を含んでもよい。前記変換コンポーネントは、トランスデューサ、及び前記トランスデューサに取り付けられた少なくとも１つの減衰フィルムを含んでもよい。
以下の説明においては、さらなる特徴の一部が記載され、これらの特徴の一部は、以下の検討や添付図面によって、当業者には明らかになるか又は実施例の製造又は動作によってわかるであろう。本開示の特徴は、以下に説明する具体的な実施例に記載された方法、機器及び組み合わせの様々な態様を実施又は使用することにより、実現及び達成されるであろう。
本開示を例示的な実施形態をもとにさらに説明する。これらの例示的な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。これらの実施形態は、非限定的で例示的な実施形態であり、図面のいくつかの図にわたって、同様の参照符号は、類似する構造を示す。
本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示すブロック図である。 本開示のいくつかの実施形態による、変換コンポーネントの例示的なばね－質量－ダンパシステムを示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、ばね－質量－ダンパシステムの変位共振曲線の例示的な正規化を示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、元の変換コンポーネントの例示的な周波数応答曲線と、元の変換コンポーネントの共振ピークを前方に移動した後の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、変換コンポーネントの共振ピークを前方に移動した後の例示的な周波数応答曲線と、変換コンポーネントに減衰材料を追加した後の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサ及び減衰フィルムを含む変換コンポーネントの例示的な等価モデルを示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、元の変換コンポーネントの例示的な周波数応答曲線と、元の変換コンポーネントの共振ピークを前方に移動した後の例示的な周波数応答曲線と、変換コンポーネントに減衰材料を追加した後の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサの例示的な周波数応答曲線と、弾性要素の例示的な周波数応答曲線と、トランスデューサ及び弾性要素を含む変換コンポーネントの例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサの例示的な周波数応答曲線と、１つのトランスデューサ及び１つの弾性要素を含む変換コンポーネントの例示的な周波数応答曲線と、１つのトランスデューサ及び２つの弾性要素を含む変換コンポーネントの例示的な周波数応答曲線と、１つのトランスデューサ及び３つの弾性要素を含む変換コンポーネントの例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、減衰フィルムがマイクロフォンの少なくとも１つのトランスデューサから切断されるときのマイクロフォンの例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、減衰フィルムがマイクロフォンの少なくとも１つのトランスデューサに接続されるときのマイクロフォンの例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、減衰フィルムを備えないマイクロフォンと、カンチレバートランスデューサの表面に９０°で配置された少なくとも１つの減衰フィルムを含むマイクロフォンの例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォンを示す構造概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサを含むマイクロフォンと、トランスデューサ及び２つの弾性要素を含むマイクロフォンの例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。 本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサを含むマイクロフォンと、２つのトランスデューサ（１つのトランスデューサで出力する）を含むマイクロフォンとの例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。
以下の説明は、当業者が本開示を実施及び使用すること可能にするために提示され、特定の用途及びその要件に照らして提供される。開示された実施形態の様々な変形例は、当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義された一般原則は、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、他の実施形態及び用途にも適用することができる。従って、本開示は、示された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲と一致する最も広い範囲が与えられるべきである。
本明細書において使用される用語は、単に特定の例示的な実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定的なものではない。本明細書において使用されるように、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」及び「上記（ｔｈｅ）」は、文脈中に特に明示しない限り、同様に複数形も含むことを意図し得る。さらに、本開示において使用される場合、用語「含み／含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ／ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ、ｉｎｃｌｕｄｅｓ／ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」が、記載された特徴、整数、ステップ、動作、素子、及び／又は、構成要素の存在を特定するものであるが、１つ以上の他の特徴、整数、ステップ、動作、素子、構成要素、及び／又は、これらのグループの存在や追加を排除するものではないことが理解されよう。
本開示のこれら及び他の特徴及び特性、操作の方法、構造の関連する要素及び部品の組み合わせの機能、及び製造上の経済性は、本明細書の一部を形成する添付の図面を参照して以下の記載を検討することによってより明らかとなるであろう。しかしながら、図面は単に例示及び説明のためのものであり、本開示の範囲を限定することを意図するものではないことが明かに理解される。図面は縮尺通りではないことが理解される。
本開示に使用されるフローチャートは、本開示のいくつかの実施形態に従ってシステムが実施する動作を示す。フローチャートの動作は、順番に実行されなくてもよいことが明示的に理解される。逆に、動作は、逆の順序で、又は同時に実行されてもよい。さらに、１つ以上の他の動作は、フローチャートに追加されてもよい。１つ以上の動作は、フローチャートから削除されてもよい。
本開示の一態様は、マイクロフォン及びそれを有する電子機器に関する。この目的のために、マイクロフォンは、フィルムの形態の減衰材料を使用してトランスデューサの少なくとも１つの表面の少なくとも一部を覆って、振動信号を電気信号に変換するための変換コンポーネントを形成することができる。例えば、トランスデューサは、カンチレバーであってもよく、マイクロフォンは、カンチレバーの少なくとも１つの表面を完全に覆う少なくとも１つの減衰フィルムを含んでもよい。別の例として、少なくとも１つの減衰フィルムは、トランスデューサの少なくとも１つの表面に所定の角度で配置されてもよい。マイクロフォンは、少なくとも１つの弾性要素をさらに含んでもよい。少なくとも１つの減衰フィルムは、トランスデューサ及び少なくとも１つの弾性要素にそれぞれ接続されてもよい。このように、マイクロフォンは、高い感度、滑らかな周波数応答曲線、及び広い周波数帯域などの通信品質において優れた性能を有することができる。さらに、マイクロフォンは、信頼性が高く、簡単に製造することができる。
図１は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示すブロック図である。例えば、マイクロフォン１００は、電話、イヤホン、ヘッドホン、ウェアラブルデバイス、スマートモバイルデバイス、仮想現実デバイス、拡張現実デバイス、コンピュータ、ラップトップなどの電子機器のマイクロフォンであってもよい。マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０内にある変換コンポーネント１２０、及び処理回路１３０を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、ハウジング１１０は、振動信号を受信するように構成されてもよい。いくつかの実施形態では、ハウジング１１０は、振動信号を生成する振動源から振動信号を接触モードで受信してもよい。いくつかの実施形態では、ハウジング１１０は、振動源から振動信号を非接触モードで受信してもよい。例えば、ハウジング１１０は、空気、固体、液体などの媒体を介して振動信号を受信してもよい。いくつかの実施形態では、振動源は、検出される振動を生成する任意の装置又は個人を含んでもよい。例えば、振動源は、人体、楽器、機械など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、振動信号は、空気振動信号、固体振動信号、液体振動信号など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、ハウジング１１０は、振動信号を変換コンポーネント１２０に接触モード又は非接触モードで送信してもよい。例えば、変換コンポーネント１２０は、ハウジング１１０内にあり、ハウジング１１０に接触してもよい。変換コンポーネント１２０は、ハウジング１１０から振動信号を直接受信してもよい。別の例として、変換コンポーネント１２０は、ハウジング１１０に接触しなくてもよい。変換コンポーネント１２０は、空気、固体、液体などの媒体を介してハウジング１１０から振動信号を受信してもよい。
いくつかの実施形態では、変換コンポーネント１２０は、振動信号を電気信号に変換するように構成されてもよい。いくつかの実施形態では、変換コンポーネント１２０は、振動信号を受信して、変換コンポーネント１２０の構造を変形させることによって電気信号を生成してもよい。いくつかの実施形態では、変換コンポーネント１２０は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２、少なくとも１つの減衰フィルム１２４、及び少なくとも１つの弾性要素１２６を含んでもよい。例えば、変換コンポーネント１２０は、トランスデューサ１２２のみを含んでもよい。別の例として、変換コンポーネント１２０は、トランスデューサ１２２及びトランスデューサ１２２に取り付けられた減衰フィルム１２４を含んでもよい。別の例として、変換コンポーネント１２０は、トランスデューサ１２２、弾性要素１２６、及びトランスデューサ１２２と弾性要素１２６に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。さらに別の例として、変換コンポーネント１２０は、少なくとも２つのトランスデューサ１２２、少なくとも２つの弾性要素１２６、及び少なくとも２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つのトランスデューサ１２２は、振動信号を電気信号に変換するように構成されてもよい。例えば、振動信号は、ハウジング１１０から送信されて、少なくとも１つのトランスデューサ１２２を変形させて電気信号を出力させてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の信号変換タイプは、電磁型（例えば、可動コイル型、可動鉄片型）、圧電型、逆圧電型、静電型、エレクトレット型、平面磁気型、バランスドアーマチュア型、熱音響型など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのトランスデューサ１２２は、ダイアフラム、圧電セラミックプレート、ピエゾフィルム、静電フィルムなど、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の形状は可変であってもよい。例えば、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の形状は、円形、長方形、正方形、楕円形など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の構造は可変であってもよい。例えば、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の構造は、フィルム、カンチレバー、プレートなど、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つのトランスデューサ１２２のうちの１つのみは電気信号を出力するように構成されてもよく、残りの少なくとも１つのトランスデューサ１２２は、振動信号に応答して変形する弾性要素として機能するように構成されてもよい。残りの少なくとも１つのトランスデューサ１２２の各々は、マイクロフォン１００の周波数応答曲線の共振ピークに寄与してもよい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、変換コンポーネント１２０の複合減衰及び／又は複合重量を変更して変換コンポーネント１２０の周波数応答曲線を調整するように構成されてもよい。例えば、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、変換コンポーネント１２０の複合減衰を調整して、変換コンポーネント１２０が所定のＱ値及び平坦な周波数応答曲線を有するようにしてもよい。別の例として、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、変換コンポーネント１２０の複合重量及び変換コンポーネント１２０の周波数応答曲線の共振周波数を調整してもよい。なお、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、単に例示の目的で提供されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。マイクロフォン１００における減衰は、任意の他の構造であってもよい。例えば、マイクロフォン１００における減衰の構造は、フィルム、ブロック、複合体構造など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つの弾性要素１２６の振動を少なくとも１つのトランスデューサ１２２に伝達するように構成されてもよい。複数の等価な共振ピークは生成されてもよい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの弾性要素１２６は、変換コンポーネント１２０の振動性能を変更するように構成されてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４の材料は、金属、無機非金属、ポリマー材料、複合材料など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２及び少なくとも１つの弾性要素１２６にそれぞれ接続されてもよい。例えば、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つの弾性要素１２６によって生成された振動信号を少なくとも１つのトランスデューサ１２２に送信してもよい。
いくつかの実施形態では、処理回路１３０は、電気信号を処理するように構成されてもよい。
図２は、本開示のいくつかの実施形態による、変換コンポーネント１２０の例示的なばね－質量－ダンパシステムを示す概略図である。マイクロフォンにおいて、その変換コンポーネントは、図２に示すようなばね－質量－ダンパシステムに等価に簡略化されてもよい。マイクロフォンが動作すると、ばね－質量－ダンパシステムは、加振力を受けて強制的に振動してもよい。
図２に示すように、ばね－質量－ダンパシステムは、微分方程式（１）に従って移動してもよい：
Figure 0007434571000001
 式中、Ｍは、ばね－質量－ダンパシステムの質量を表し、ｘは、ばね－質量－ダンパシステムの変位を表し、Ｒは、ばね－質量－ダンパシステムの減衰を表し、Ｋは、ばね－質量－ダンパシステムの弾性係数を表し、Ｆは、駆動力の振幅を表し、ωは、外力の角周波数を表す。
微分方程式（１）を解いて定常状態での変位（２）を得てもよい。
Figure 0007434571000002
 式中、ｘは、出力電気信号の値に等しい、マイクロフォンが動作するときのばね－質量－ダンパシステムの変形を表し、
Figure 0007434571000003
 であり、
Figure 0007434571000004
 は、出力変位を表し、Ｚは、機械インピーダンスを表し、θは、発振位相を表す。
変位振幅の比率Ａの正規化は、式（３）として記述されてもよい：
Figure 0007434571000005
 式中、
Figure 0007434571000006
 であり、
Figure 0007434571000007
 は、定常状態での変位振幅（又はω＝０の場合の変位振幅）を表し、
Figure 0007434571000008
 であり、
Figure 0007434571000009
 は、固有周波数に対する外力の周波数の比率を表し、
Figure 0007434571000010
 であり、
Figure 0007434571000011
 は、振動の角周波数を表し、
Figure 0007434571000012
 であり、
Figure 0007434571000013
 は、機械的品質係数を表す。
図３は、本開示のいくつかの実施形態による、ばね－質量－ダンパシステムの変位共振曲線の例示的な正規化を示す概略図である。
マイクロフォン１００は、変換コンポーネント１２０とハウジング１１０との間の相対変位によって電圧信号を生成する。例えば、エレクトレットマイクロフォンは、変形したダイアフラムトランスデューサと基板との間の距離変化に応じて電圧信号を生成する。別の例として、カンチレバー骨伝導マイクロフォンは、変形したカンチレバートランスデューサによって引き起こされた逆圧電効果に応じて電気信号を生成してもよい。いくつかの実施形態では、トランスデューサが変形する変位が大きいほど、マイクロフォンが出力する電気信号は大きくなる。図３に示すように、変換コンポーネントの減衰（例えば、材料減衰、構造減衰）が小さいほど、Ｑ値は大きくなり、変位共振曲線の共振ピークでの３ｄＢ帯域幅は狭くなる。いくつかの実施形態では、共振ピークは、優れた性能を有するマイクロフォンでは音声周波数範囲に設定されなくてもよい。
図４は、本開示のいくつかの実施形態による、元の変換コンポーネント１２０の例示的な周波数応答曲線と、元の変換コンポーネント１２０の共振ピークを前方に移動した後の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。いくつかの実施形態では、図４に示すように、マイクロフォンの全体的な感度を向上させるために、共振ピークを音声周波数範囲の前方に移動することにより、変換コンポーネント１２０の固有周波数を前方に移動して、マイクロフォンの、共振ピークの前の感度を向上させてもよい。上記出力変位
Figure 0007434571000014
 は、式（４）に従って決定されてもよい：
Figure 0007434571000015
 式（４）に従って、
Figure 0007434571000016
 であれば、
Figure 0007434571000017
 である。Ｍを増加させ及び／又はＫを減少させることによって変換コンポーネント１２０の
Figure 0007434571000018
 を減少させると、
Figure 0007434571000019
 は減少し、対応する出力変位
Figure 0007434571000020
 は増加し得る。
Figure 0007434571000021
 であれば、
Figure 0007434571000022
 である。変換コンポーネント１２０の
Figure 0007434571000023
 を減少又は増加させると、出力変位
Figure 0007434571000024
 は一定であり得る。
Figure 0007434571000025
 であると、
Figure 0007434571000026
 である。Ｍを増加させ及び／又はＫを減少させることによって変換コンポーネント１２０の
Figure 0007434571000027
 を減少させると、
Figure 0007434571000028
 は増加し、対応する出力変位
Figure 0007434571000029
 は減少し得る。
いくつかの実施形態では、共振ピークが前方に移動されるにつれて、共振ピークは、音声周波数範囲に現れる可能性がある。共振ピークの付近で複数の信号をピックアップすると、通信品質が悪くなる可能性がある。いくつかの実施形態では、変換コンポーネント１２０に減衰を加えると、振動中のエネルギー損失、特に共振ピークの付近でのエネルギー損失が増加する可能性がある。Ｑ値の逆数は、式（５）に従って記述されてもよい：
Figure 0007434571000030
 式中、
Figure 0007434571000031
 は、Ｑ値の逆数を表し、
Figure 0007434571000032
 は、３ｄＢ帯域幅（それぞれ共振振幅の半分での、２つの周波数
Figure 0007434571000033
 の差分値、
Figure 0007434571000034
 を表し、
Figure 0007434571000035
 は、共振周波数を表す。
変換コンポーネント１２０の減衰が増加するにつれて、Ｑ値は減少し、対応する３ｄＢ帯域幅は増加する。いくつかの実施形態では、減衰は、変形プロセス中に一定ではなく、大きな力又は大きな振幅の下で大きくなる可能性がある。非共振領域の振幅は小さく、共振領域の振幅は大きくてもよい。図５は、本開示のいくつかの実施形態による、変換コンポーネント１２０の共振ピークを前方に移動した後の例示的な周波数応答曲線と、変換コンポーネント１２０に減衰材料を追加した後の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。図５に示すように、非共振領域におけるマイクロフォンの感度は低下せず、共振領域におけるＱ値は、変換コンポーネント１２０に適切な減衰を追加することによって減少してもよい。周波数応答曲線は、平坦であってもよい。
いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００は、様々な適用シーンに応じて設計されてもよい。例えば、マイクロフォン１００が、小さな体積及び低い感度を必要とする適用シーンに適用されれば、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０内の変換コンポーネント１２０のトランスデューサ１２２及び減衰フィルム１２４を含むように設計されてもよい。
図６は、本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサ１２２及び減衰フィルム１２４を含む変換コンポーネント１２０の例示的な等価モデルを示す概略図である。図６に示すように、Ｒは、トランスデューサ１２２の減衰を表し、Ｋは、トランスデューサ１２２の弾性係数を表し、Ｒ１は、減衰フィルム１２４の追加の減衰を表す。いくつかの実施形態では、変換コンポーネント１２０の複合減衰は、減衰フィルム１２４を追加することによって増加してもよい。変換コンポーネント１２０の減衰は、変更されてもよい。
図７は、本開示のいくつかの実施形態による、元の変換コンポーネント１２０の例示的な周波数応答曲線と、元の変換コンポーネント１２０の共振ピークを前方に移動した後の例示的な周波数応答曲線と、変換コンポーネント１２０に減衰材料を追加した後の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。図７に示すように、共振ピークでのＱ値は、減少し、共振ピーク以外の周波数の感度は低下せず向上してもよい。いくつかの実施形態では、共振ピークを音声周波数範囲の前方に移動することにより、マイクロフォン１００の感度は向上し、周波数応答曲線は平坦になって、これにより、マイクロフォン１００の性能が向上する。
いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０内の変換コンポーネント１２０の、トランスデューサ１２２、減衰フィルム１２４、及び弾性要素１２６を含むように設計されてもよい。いくつかの実施形態では、弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２は、それぞれ共振ピークを有してもよい。減衰フィルム１２４は、弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２にそれぞれ接続されて、弾性要素１２６の振動をトランスデューサ１２２に伝達してもよい。いくつかの実施形態では、トランスデューサ１２２、減衰フィルム１２４及び弾性要素１２６を含むマイクロフォン１００は、２つの共振ピークを備えた周波数応答曲線を出力してもよい。
図８は、本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサ１２２の例示的な周波数応答曲線と、弾性要素１２６の例示的な周波数応答曲線と、トランスデューサ１２２及び弾性要素１２６を含む変換コンポーネント１２０の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。いくつかの実施形態では、弾性要素１２６は、様々な適用シーンに応じて設計されてもよい。例えば、弾性要素１２６は、適切な構造として設計されてもよい。弾性要素１２６の一次共振周波数は、所定の音声周波数範囲内にあってもよい。弾性要素１２６は、弾性要素１２６の一次共振周波数を使用して、マイクロフォン１００の共振ピークに寄与してもよい。いくつかの実施形態では、適切な構造を備えた弾性要素１２６は、所定の音声周波数範囲内の複数の共振ピークに寄与してもよい。いくつかの実施形態では、減衰フィルム１２４の減衰は、図８に示すように、高い感度、大きなＱ値、及びマイクロフォン１００の周波数応答曲線における２つの共振ピークを備えたマイクロフォン１００を実現するように設計されてもよい。
いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０内の変換コンポーネント１２０の、トランスデューサ１２２、複数の減衰フィルム１２４、及び複数の弾性要素１２６を含むように設計されてもよい。いくつかの実施形態では、各減衰フィルム１２４は、弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２にそれぞれ接続されて、対応する弾性要素１２６の振動をトランスデューサ１２２に伝達してもよい。いくつかの実施形態では、トランスデューサ１２２、複数の減衰フィルム１２４、及び複数の弾性要素１２６を含むマイクロフォン１００は、複数の共振ピークを備えた周波数応答曲線を出力してもよい。いくつかの実施形態では、複数の減衰フィルム１２４の各々の減衰は、周波数応答曲線の各共振ピークのＱ値を調整するように設計されてもよい。
図９は、本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサ１２２の例示的な周波数応答曲線と、１つのトランスデューサ１２２及び１つの弾性要素１２６を含む変換コンポーネント１２０の例示的な周波数応答曲線と、１つのトランスデューサ１２２及び２つの弾性要素１２６を含む変換コンポーネント１２０の例示的な周波数応答曲線と、１つのトランスデューサ１２２及び３つの弾性要素１２６を含む変換コンポーネント１２０の例示的な周波数応答曲線とを示す概略図である。図９に示すように、各弾性要素１２６の各共振周波数は、互いに異なって、所定の音声周波数範囲内にあってもよい。所定の音声周波数範囲全体内の感度は高くてもよく、マイクロフォン１００の周波数応答曲線は平坦であってもよい。
いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００の内部構造及びマイクロフォン１００内の各部分のレイアウトは、様々な適用シーンに応じて設計されてもよい。例えば、マイクロフォン１００は、マイクロフォン１００が置かれる位置（例えば、人間の耳の前、人間の耳の後ろ、人間の首）に応じて設計されてもよい。別の例として、マイクロフォン１００は、マイクロフォン１００の伝導モード（例えば、骨伝導モード及び気導モード）に応じて設計されてもよい。さらに別の例として、マイクロフォン１００は、マイクロフォン１００が取得する様々な信号（例えば、人間の音声信号及び機械の音信号）の周波数に応じて設計されてもよい。さらに別の例として、マイクロフォン１００は、マイクロフォン１００の製造プロセスに応じて設計されてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのトランスデューサ１２２、少なくとも１つの減衰フィルム１２４、及び／又は少なくとも１つの弾性要素１２６のサイズ、形状、設置位置、レイアウト、構造、及び数は、様々な適用シーンに応じて決定されてもよい。例えば、マイクロフォン１００のトランスデューサ１２２及び少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、マイクロフォン１００の周波数応答曲線に応じて設計されてもよい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の任意の位置に配置されてもよい。例えば、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の上面、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の下面、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の側面、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の内部など、又はそれらの任意の組み合わせに配置されてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の少なくとも１つの表面の少なくとも一部を覆ってもよい。例えば、少なくとも１つの減衰フィルム１２４のうちの１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２のうちの１つのトランスデューサ１２２の全面を覆ってもよい。別の例として、少なくとも１つの減衰フィルム１２４のうちの１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２のうちの１つのトランスデューサ１２２の表面の一部を覆ってもよい。いくつかの実施形態では、トランスデューサ１２２の少なくとも１つの表面は、トランスデューサ１２２の上面、トランスデューサ１２２の下面、トランスデューサ１２２の側面、トランスデューサ１２２の内面など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２に接続してもよく、ハウジング１１０に接続しなくてもよい。いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００内の任意の２つの部品間の接続は、接着、リベット留め、ネジ接続、一体成形、吸引接続など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
図１０は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１０に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するトランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２に接続され、ハウジング１１０から切断された減衰フィルム１２４を含んでもよい。トランスデューサ１２２は、トランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２の上面の一部を覆ってもよい。
図１１は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１１に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するトランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２に接続され、ハウジング１１０から切断された減衰フィルム１２４を含んでもよい。トランスデューサ１２２は、トランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２の下面の一部を覆ってもよい。
図１２は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１２に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０にそれぞれ接続する２つのトランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２に接続され、ハウジング１１０から切断された減衰フィルム１２４を含んでもよい。２つのトランスデューサ１２２の各々は、トランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、２つのトランスデューサ１２２の一方の上面の一部及び２つのトランスデューサ１２２の他方の下面の一部を覆ってもよい。図１２に示すように、２つのトランスデューサ１２２及び減衰フィルム１２４は、サンドイッチ構造を形成してもよい。減衰フィルム１２４は、２つのトランスデューサ１２２の間に挟まれてもよい。
図１３は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１３に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するトランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２にそれぞれ接続され、ハウジング１１０から切断された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。トランスデューサ１２２は、トランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２の上面及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。
図１４は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１４に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２に接続され、ハウジング１１０から切断された減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の下面の一部を覆ってもよい。
図１５は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１５に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２に接続され、ハウジング１１０から切断された減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部を覆ってもよい。
図１６は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１６に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０にそれぞれ接続する２つのカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２に接続され、ハウジング１１０から切断された減衰フィルム１２４を含んでもよい。２つのカンチレバートランスデューサ１２２の各々は、各カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、２つのカンチレバートランスデューサ１２２の一方の上面の一部及び２つのカンチレバートランスデューサ１２２の他方の下面の一部を覆ってもよい。図１６に示すように、２つのカンチレバートランスデューサ１２２及び減衰フィルム１２４は、サンドイッチ構造を形成してもよい。減衰フィルム１２４は、２つのカンチレバートランスデューサ１２２の間に挟まれてもよい。
図１７は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１７に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２にそれぞれ接続され、ハウジング１１０から切断された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。
図１８は、本開示のいくつかの実施形態による、減衰フィルム１２４がマイクロフォン１００の少なくとも１つのトランスデューサ１２２から切断されるときのマイクロフォン１００の例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。減衰フィルム１２４を備えないマイクロフォン１００、４層の減衰フィルム１２４を含むマイクロフォン１００、及び１０層の減衰フィルム１２４を含むマイクロフォン１００の周波数応答曲線は、異なる可能性がある。図１８に示すように、共振ピークは前方に移動し、共振ピークの前の感度は向上し、共振ピークでのＱ値は、減衰フィルム１２４の層の数が増加するにつれて減少する。減衰フィルム１２４が多いほど、共振ピークでの周波数は低くなり、共振ピークの前の感度は高くなり、共振ピークでのＱ値は小さくなる。従って、マイクロフォン１００の実際の要求（例えば、感度、共振ピークでのＱ値、共振ピークでの周波数など）を満たすために、マイクロフォン１００は、１つの減衰フィルム１２４又は複数の減衰フィルム１２４を含むように設計されてもよい。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続してもよい。いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００内の任意の２つの部品間の接続は、接着、リベット留め、ネジ接続、一体成形、吸引接続など、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
図１９は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図１９に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０にそれぞれ接続する２つのトランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。２つのトランスデューサ１２２の各々は、各トランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。減衰フィルム１２４は、２つのトランスデューサ１２２の一方の上面全体及び２つのトランスデューサ１２２の他方の下面全体を覆ってもよい。図１９に示すように、２つのトランスデューサ１２２及び減衰フィルム１２４は、サンドイッチ構造を形成してもよい。減衰フィルム１２４は、２つのトランスデューサ１２２の間に挟まれてもよい。
図２０は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２０に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するトランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。トランスデューサ１２２は、トランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２の下面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。
図２１は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２１に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するトランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。トランスデューサ１２２は、トランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２の上面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。
図２２は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２２に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の下面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続してもよい。
図２３は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２３に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びトランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続してもよい。
図２４は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２４に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０にそれぞれ接続する２つのカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。２つのカンチレバートランスデューサ１２２の各々は、各カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、２つのカンチレバートランスデューサ１２２の一方の上面全体及び２つのカンチレバートランスデューサ１２２の他方の下面全体を覆ってもよい。図２４に示すように、２つのカンチレバートランスデューサ１２２及び減衰フィルム１２４は、サンドイッチ構造を形成してもよい。減衰フィルム１２４は、２つのカンチレバートランスデューサ１２２の間に挟まれてもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続してもよい。
図２５は、本開示のいくつかの実施形態による、減衰フィルム１２４がマイクロフォン１００の少なくとも１つのトランスデューサ１２２に接続されるときのマイクロフォン１００の例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。減衰フィルム１２４を備えないマイクロフォン１００、４層の減衰フィルム１２４を含むマイクロフォン１００、及び１０層の減衰フィルム１２４を含むマイクロフォン１００の周波数応答曲線は、異なる可能性がある。図２５に示すように、共振ピークは一定であり、共振ピークの前の感度は向上し、共振ピークでのＱ値は、減衰フィルム１２４の層の数が増加するにつれて減少する。減衰フィルム１２４が多いほど、共振ピークの前の感度は高くなり、共振ピークでのＱ値は小さくなる。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続してもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、トランスデューサの少なくとも１つの表面に所定の角度で配置されてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２の中心線に対して対称的に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２の中心線に対して非対称的に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも減衰フィルム１２４の各々の幅は、同じであっても異なっていてもよい。例えば、少なくとも減衰フィルム１２４の各々の幅は、可変であってもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも減衰フィルム１２４の各々の厚さは、同じであっても異なっていてもよい。例えば、少なくとも減衰フィルム１２４の各々の厚さは、可変であってもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４の各々は、少なくとも１つのトランスデューサ１２２の各々の一部と重なってもよい。
図２６は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２６に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。
図２７は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２７に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の下面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。
図２８は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２８に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０にそれぞれ接続する２つのカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方に接続された減衰フィルム１２４を含んでもよい。２つのカンチレバートランスデューサ１２２の各々は、各カンチレバートランスデューサ１２２の両端でハウジング１１０に固定されてもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。減衰フィルム１２４は、２つのカンチレバートランスデューサ１２２の一方の上面全体及び２つのカンチレバートランスデューサ１２２の他方の下面全体を覆ってもよい。図２８に示すように、２つのカンチレバートランスデューサ１２２及び減衰フィルム１２４は、サンドイッチ構造を形成してもよい。減衰フィルム１２４は、２つのカンチレバートランスデューサ１２２の間に挟まれてもよい。
図２９は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図２９に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面全体及び下面全体をそれぞれ覆ってもよい。図２９に示すように、２つの減衰フィルム１２４及びカンチレバートランスデューサ１２２は、サンドイッチ構造を形成してもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、２つの減衰フィルム１２４の間に挟まれてもよい。
図３０は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３０に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続し、各減衰フィルムの他端でカンチレバートランスデューサ１２２に接続してもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。図３０に示すように、２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面及び下面に９０°で配置されてもよい。２つの減衰フィルム１２４とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の固定端以外の一端に近くてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々の厚さは、一定であり、互いに同じであってもよい。
図３１は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３１に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続し、各減衰フィルムの他端でカンチレバートランスデューサ１２２に接続してもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。図３１に示すように、２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面及び下面に９０°で配置されてもよい。２つの減衰フィルム１２４とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の中心線に近くてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々の厚さは、一定であり、互いに同じであってもよい。
図３２は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３２に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続し、各減衰フィルムの他端でカンチレバートランスデューサ１２２に接続してもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。図３２に示すように、２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面及び下面に９０°で配置されてもよい。２つの減衰フィルム１２４とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の固定端以外の一端に近くてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々の厚さは、可変であってもよい。カンチレバートランスデューサ１２２に接続された減衰フィルム１２４の厚さは、ハウジング１１０に接続された減衰フィルム１２４の厚さよりも薄くてもよい。
図３３は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３３に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続し、各減衰フィルムの他端でカンチレバートランスデューサ１２２に接続してもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。図３３に示すように、２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面及び下面に９０°で配置されてもよい。２つの減衰フィルム１２４とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の固定端以外の一端に近くてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々の厚さは、可変であってもよい。カンチレバートランスデューサ１２２に接続された減衰フィルム１２４の厚さは、ハウジング１１０に接続された減衰フィルム１２４の厚さよりも厚くてもよい。
図３４は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３４に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続し、各減衰フィルムの他端でカンチレバートランスデューサ１２２に接続してもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。図３４に示すように、２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面及び下面に６０°～９０°の間の角度で配置されてもよい。２つの減衰フィルム１２４とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の固定端以外の一端に近くてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々の厚さは、一定であり、互いに同じであってもよい。
図３５は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３５に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された２つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続し、各減衰フィルムの他端でカンチレバートランスデューサ１２２に接続してもよい。２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部及び下面の一部をそれぞれ覆ってもよい。図３５に示すように、２つの減衰フィルム１２４は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面及び下面に９０°で配置されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の一方とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の固定端以外の一端に近くてもよく、２つの減衰フィルム１２４の他方とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の中心線に近くてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々の厚さは、一定であり、互いに同じであってもよい。
図３６は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３６に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、ハウジング１１０に接続するカンチレバートランスデューサ１２２、及びカンチレバートランスデューサ１２２とハウジング１１０の両方にそれぞれ接続された６つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。カンチレバートランスデューサ１２２は、カンチレバートランスデューサ１２２の一端でハウジング１１０に固定されてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の一端でハウジング１１０に接続し、各減衰フィルムの他端でカンチレバートランスデューサ１２２に接続してもよい。６つの減衰フィルム１２４の各々は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面の一部及び下面の一部を覆ってもよい。図３６に示すように、６つの減衰フィルム１２４の各々は、カンチレバートランスデューサ１２２の上面又は下面に９０°で配置されてもよい。６つの減衰フィルム１２４の各々とカンチレバートランスデューサ１２２との重なり部分は、カンチレバートランスデューサ１２２の固定端から他端まで分布してもよい。６つの減衰フィルム１２４の各々の厚さは、一定であり、互いに同じであってもよい。
図３７は、本開示のいくつかの実施形態による、減衰フィルムを備えないマイクロフォン１００と、カンチレバートランスデューサ１２２の表面に９０°で配置された少なくとも１つの減衰フィルム１２４を含むマイクロフォン１００の例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。図３７に示すように、少なくとも１つの減衰フィルム１２４を追加した後、共振周波数は増加し、共振ピークでのＱ値は減少する。共振ピーク以外の周波数での感度は、少なくとも１つの減衰フィルム１２４を追加するか否かに関わらず、一般に一定であってもよい。
いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００は、トランスデューサ１２２、少なくとも１つの減衰フィルム１２４、及び少なくとも１つの弾性要素１２６を含んでもよい。少なくとも１つの減衰フィルムは、トランスデューサ１２２及び少なくとも１つの弾性要素１２６にそれぞれ接続されてもよい。いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００は、複数のトランスデューサ１２２及び少なくとも１つの減衰フィルム１２４を含んでもよい。いくつかの実施形態では、マイクロフォン１００は、複数のトランスデューサ１２２、少なくとも１つの減衰フィルム１２４、及び少なくとも１つの弾性要素１２６を含んでもよい。少なくとも１つの減衰フィルムは、トランスデューサ１２２及び少なくとも１つの弾性要素１２６にそれぞれ接続されてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２（又は複数のトランスデューサ１２２）は、所定の分布モードで配置されてもよい。いくつかの実施形態では、上記所定の分布モードは、水平分布モード、垂直分布モード、アレイ分布モード、ランダム分布モードなど、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの減衰フィルム１２４は、少なくとも１つの弾性要素１２６の少なくとも１つの表面の少なくとも一部を覆ってもよい。
図３８は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３８に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、トランスデューサ１２２、減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の各々の下面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、ハウジング１１０に接続しなくてもよい。
図３９は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図３９に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、トランスデューサ１２２、減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。減衰フィルム１２４は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の各々の下面全体を覆ってもよい。減衰フィルム１２４は、減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。
図４０は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図４０に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、２つのトランスデューサ１２２、減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の２つの間に挟まれてもよい。減衰フィルム１２４は、ハウジング１１０に接続しなくてもよい。
図４１は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図４１に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、２つのトランスデューサ１２２、減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の２つの間に挟まれてもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、各減衰フィルム１２４の両端でハウジング１１０に接続してもよい。
図４２は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図４２に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、トランスデューサ１２２、２つの減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の一端に接続してもよい。例えば、マイクロフォン１００は、順に弾性要素１２６（又はトランスデューサ１２２）に接続する減衰フィルム１２４に接続するトランスデューサ１２２に接続する減衰フィルム１２４に接続する弾性要素１２６（又はトランスデューサ１２２）を含んでもよい。トランスデューサ１２２、２つの減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、ハウジング１１０内で類似する「Ｖ」字形状を形成してもよい。２つの減衰フィルム１２４又は２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、トランスデューサ１２２の中心線に対して対称であってもよい。２つの減衰フィルム１２４は、ハウジング１１０に接続しなくてもよい。
図４３は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図４３に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、トランスデューサ１２２、４つの減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。２つの減衰フィルム１２４の各々は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の一端に接続してもよい。例えば、マイクロフォン１００は、順に弾性要素１２６（又はトランスデューサ１２２）に接続する減衰フィルム１２４に接続するトランスデューサ１２２に接続する減衰フィルム１２４に接続する弾性要素１２６（又はトランスデューサ１２２）に接続する減衰フィルム１２４を含んでもよい。トランスデューサ１２２、４つの減衰フィルム１２４、及び２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、ハウジング１１０内で類似する「Ｖ」字形状を形成してもよい。４つの減衰フィルム１２４のうちの２つ又は２つの弾性要素１２６（又は２つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、トランスデューサ１２２の中心線に対して対称であってもよい。４つの減衰フィルム１２４のうちの２つは、ハウジング１１０にそれぞれ接続してもよい。
図４４は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図４４に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、トランスデューサ１２２、４つの減衰フィルム１２４、及び４つの弾性要素１２６（又は４つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及び３つのトランスデューサ１２２、又は２つの弾性要素１２６及び２つのトランスデューサ１２２、又は３つの弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。４つの減衰フィルム１２４の各々は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の一端に接続してもよい。トランスデューサ１２２、４つの減衰フィルム１２４、及び４つの弾性要素１２６（又は４つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及び３つのトランスデューサ１２２、又は２つの弾性要素１２６及び２つのトランスデューサ１２２、又は３つの弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、ハウジング１１０内で類似する「Ｘ」字形状を形成してもよい。４つの減衰フィルム１２４のうちの２つ又は４つの弾性要素１２６のうちの２つ（又は４つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及び３つのトランスデューサ１２２、又は２つの弾性要素１２６及び２つのトランスデューサ１２２、又は３つの弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、トランスデューサ１２２の中心線に対して対称であってもよい。４つの減衰フィルム１２４は、ハウジング１１０に接続しなくてもよい。
図４５は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なマイクロフォン１００を示す構造概略図である。図４５に示すように、マイクロフォン１００は、ハウジング１１０、トランスデューサ１２２、６つの減衰フィルム１２４、及び４つの弾性要素１２６（又は４つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及び３つのトランスデューサ１２２、又は２つの弾性要素１２６及び２つのトランスデューサ１２２、又は３つの弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）を含んでもよい。４つの減衰フィルム１２４の各々は、トランスデューサ１２２及び／又は弾性要素１２６の一端に接続してもよい。トランスデューサ１２２、６つの減衰フィルム１２４、及び４つの弾性要素１２６（又は４つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及び３つのトランスデューサ１２２、又は２つの弾性要素１２６及び２つのトランスデューサ１２２、又は３つの弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、ハウジング１１０内で類似する「Ｘ」字形状を形成してもよい。６つの減衰フィルム１２４のうちの２つ又は４つの弾性要素１２６のうちの２つ（又は４つのトランスデューサ１２２、又は弾性要素１２６及び３つのトランスデューサ１２２、又は２つの弾性要素１２６及び２つのトランスデューサ１２２、又は３つの弾性要素１２６及びトランスデューサ１２２）は、トランスデューサ１２２の中心線に対して対称であってもよい。６つの減衰フィルム１２４のうちの４つは、ハウジング１１０に接続してもよい。
図４６は、本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサ１２２を含むマイクロフォン１００と、トランスデューサ１２２及び２つの弾性要素１２６を含むマイクロフォン１００の例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。図４６に示すように、トランスデューサ１２２及び２つの弾性要素１２６を含むマイクロフォン１００の周波数応答曲線は、３つの共振ピークを含んでもよい。トランスデューサ１２２を含むマイクロフォン１００の周波数応答曲線は、１つの共振ピークのみを含んでもよい。２つの弾性要素１２６を含むマイクロフォン１００の共振ピークの前の感度は、１つのトランスデューサ１２２のみを含むマイクロフォン１００の感度よりも大きくてもよい。２つの弾性要素１２６を含むマイクロフォン１００の共振ピークの前のＱ値は、１つのトランスデューサ１２２のみを含むマイクロフォン１００のＱ値よりも小さくてもよい。
図４７は、本開示のいくつかの実施形態による、トランスデューサ１２２を含むマイクロフォン１００と、２つのトランスデューサ１２２（１つのトランスデューサ１２２で出力する）を含むマイクロフォン１００の例示的な周波数応答曲線を示す概略図である。図４７に示すように、２つのトランスデューサ１２２を含むマイクロフォン１００の周波数応答曲線は、２つの共振ピークを含んでもよい。トランスデューサ１２２を含むマイクロフォン１００の周波数応答曲線は、１つの共振ピークのみを含んでもよい。２つのトランスデューサ１２２を含むマイクロフォン１００の共振ピークの前の感度は、１つのトランスデューサ１２２のみを含むマイクロフォン１００の感度よりも大きくてもよい。２つのトランスデューサ１２２を含むマイクロフォン１００の共振ピークの前のＱ値は、１つのトランスデューサ１２２のみを含むマイクロフォン１００のＱ値よりも小さくてもよい。
なお、本開示で説明される例示的なマイクロフォンは、単に例示の目的で提供されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。開示された実施形態の様々な変形例は、当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義された一般原則は、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、他の実施形態及び用途にも適用することができる。
このように、基本的な概念を説明したが、当業者であれば、本明細書の詳細な開示を読んだ後、前述の詳細な開示が単なる例として提示されることを意図し、限定的なものではないことが明らかであろう。本明細書に明示的に記載していないが、当業者には、様々な変更、改良及び変形が想到され、意図されるであろう。これらの変更、改良及び変形は、本開示に示唆されることを意図し、本開示の例示的な実施形態の精神及び範囲内にある。
また、本開示の実施形態を説明するために所定の用語が使用されている。例えば、「一実施形態」、「１つの実施形態」、及び／又は「いくつかの実施形態」という用語は、実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。従って、本明細書の様々な部分における「１つの実施形態」、「一実施形態」又は「代替実施形態」への２つ以上の参照は、必ずしも全てが同じ実施形態を参照しているわけではないことが強調され、理解されるべきである。さらに、特定の特徴、構造及び特性は、本開示の１つ以上の実施形態において適宜組み合わせてもよい。
また、当業者によって理解されるように、本開示の態様は、任意の新規で有用なプロセス、機械、製造工程、若しくは物質の組成、又は任意の新規で有用なその改善を含む、いくつかの特許性のある種類又は状況のうちの任意のものにおいて、本明細書において図示及び説明することができる。従って、本開示の態様は、全体的にハードウェア又はソフトウェア（ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなどを含む）によって実装されてもよく、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせによって実装されてもよく、これらは全て、本明細書では一般に「ブロック」、「モジュール」、「エンジン」、「ユニット」、「コンポーネント」又は「システム」と呼ぶことができる。さらに、本開示の態様は、そこに具体化されたコンピュータ可読プログラムコードを有する、１つ以上のコンピュータ可読媒体内に具体化されたコンピュータプログラム製品の形態をとってもよい。
コンピュータ可読信号媒体は、例えば、ベースバンドで、又は搬送波の一部として、コンピュータ可読プログラムコードがその中に具現化された伝搬データ信号を含んでもよい。このような伝搬信号は、電磁的、光学的など、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含む様々な形態のいずれをとることができる。コンピュータ可読信号媒体は、コンピュータ可読記憶媒体ではないが、命令実行システム、装置、又はデバイスによって、又はこれらに関連して使用するためのプログラムの通信、伝搬、又は伝送が可能な任意のコンピュータ可読媒体であってもよい。コンピュータ可読信号媒体に具現化されたプログラムコードは、無線、有線、光ファイバケーブル、ＲＦなど、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含む任意の適切な媒体を用いて送信されてもよい。
本開示の態様における動作を実行するためのコンピュータプログラムコードは、Ｊａｖａ、Ｓｃａｌａ、ＳｍａｌｌＴａｌｋ、Ｅｉｆｆｅｌ、ＪＡＤＥ、Ｅｍｅｒａｌｄ、Ｃ＋＋、Ｃ＃、ＶＢなどのオブジェクト指向プログラミング言語を含む１つ以上のプログラミング言語の任意の組み合わせで記述されてもよい。ＮＥＴ、Ｐｙｔｈｏｎなど、「Ｃ」プログラミング言語、Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ、Ｆｏｒｔｒａｎ １７０３、Ｐｅｒｌ、ＣＯＢＯＬ １７０２、ＰＨＰ、ＡＢＡＰなどの従来の手続型プログラミング言語、Ｐｙｔｈｏｎ、Ｒｕｂｙ、Ｇｒｏｏｖｙなどの動的プログラミング言語、又はその他のプログラミング言語がある。上記プログラムコードは、その全体がユーザコンピュータ上で実行されるものであってもよく、その一部がスタンドアローンのソフトウェアパッケージとしてユーザコンピュータ上で実行されるものであってもよく、その一部が上記ユーザコンピュータ上で、他の一部がリモートコンピュータ上で実行されるものであってもよく、その全体が上記リモートコンピュータ又はサーバ上で実行されるものであってもよい。後者の場合、上記リモートコンピュータは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）又はワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）を含む任意のタイプのネットワークを介して上記ユーザコンピュータに接続されてもよく、この接続は、外部コンピュータ（例えば、インターネットサービスプロバイダを利用したインターネットを介して）やクラウドコンピューティング環境で行われてもよく、サービスとしてのソフトウェア（ＳａａＳ）などのサービスとして提供されてもよい。
さらに、処理要素もしくはシーケンスの記述された順序、又は数字、文字、もしくはその他の指定の使用は、特許請求の範囲に指定されている場合を除き、特許請求されるプロセス及び方法をいずれの順序に限定することを意図するものではない。上記開示は、本開示の様々な有用な実施形態であると現在のところ考えられる様々な具体例によって議論されているが、そのような詳細事項は説明のためであるに過ぎず、添付の特許請求の範囲は開示される実施形態に限定されず、むしろ、開示される実施形態の精神及び範囲内の変形及び均等な配置を包含するように意図されることが理解されるべきである。例えば、上述した各構成要素の実装は、ハードウェアデバイスに具現化されてもよいが、ソフトウェア－唯一の解決法－例えば、既存のサーバ又はモバイルデバイスへのインストールとして実装されてもよい。
同様に、本開示の実施形態の前述の説明において、様々な特徴は、様々な実施形態のうちの１つ以上の理解を助ける開示を簡略化するために、単一の実施形態、図面、又はその説明にまとめられている場合があることが理解されるべきである。しかしながら、本開示の方法は、特許請求される主題が、各請求項に明示的に記載されたものよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映しているものとして解されるべきでない。むしろ、特許請求される主題は、先に開示された単一の実施形態の全ての特徴よりも少ない特徴を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本願の特定の実施形態を説明及び特許請求するために使用される量又は特性を表す数字は、場合によっては、「約」、「近似値」又は「実質的に」という用語によって変更されると理解されるべきである。例えば、「約」、「近似値」又は「実質的に」は、特に明記されていない限り、記載されている値の±２０％の変動を示してもよい。従って、いくつかの実施形態では、明細書の記載及び添付の特許請求の範囲に示される数値パラメータは、特定の実施形態によって得られるように求められる所望の特性に応じて変化し得る近似値である。いくつかの実施形態では、上記数値パラメータは、報告された有効数字の数に照らして、そして通常の丸め技術を適用することによって解釈されるべきである。本願のいくつかの実施形態の広い範囲を示す数値範囲及びパラメータは近似値であるにも関わらず、特定の例に示される数値は、実行可能な限り正確に報告される。
本明細書で参照される、特許、特許出願、公開特許公報、及びその他の資料、例えば、論文、書物、仕様書、刊行物、文献、物などの各々は、それらに関連した任意の出願経過書類、本文書と不一致であるか又は矛盾するそれらのいずれか、あるいは本文書と今又は後ほど関連がある請求項の最も広い範囲に関して制限的な影響を及ばし得るそれらのいずれかを除き、この参照により、その全体があらゆる目的で本明細書に組み込まれる。例として、組み込まれている資料のいずれかに関連する記述、定義、及び／又は用語の使用と本文書に関連するものとの間に何らかの不一致又は矛盾がある場合、本文書における記述、定義、及び／又は用語の使用を優先するものとする。
最後に、本明細書に開示されている本願の実施形態は本願の実施形態の原理を例示するものであることが理解されるべきである。採用され得る他の変更は、本願の範囲内であり得る。従って、限定するものではなく、例として、本明細書における教示に従って本願の実施形態の代替の構成を利用することができる。従って、本願の実施形態は、示され、記載されているものに正確には限定されない。
１００ マイクロフォン
１１０ ハウジング
１２０ 変換コンポーネント
１２２ トランスデューサ
１２２ カンチレバートランスデューサ
１２４ 減衰フィルム
１２６ 弾性要素
１３０ 処理回路

Claims (9)

  1. 振動信号を受信するためのハウジングと、
    前記ハウジング内にある、前記振動信号を電気信号に変換するための変換コンポーネントであって、トランスデューサ、及び前記トランスデューサに取り付けられた少なくとも１つの減衰フィルムであって、前記トランスデューサの少なくとも１つの表面に所定の角度で配置される、少なくとも１つの減衰フィルムを含む変換コンポーネントと、
    前記電気信号を処理するための処理回路と、
    を含むマイクロフォン。
  2. 前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記トランスデューサの少なくとも１つの表面の少なくとも一部を覆う、請求項１に記載のマイクロフォン。
  3. 前記トランスデューサの少なくとも１つの表面は、上面、下面、側面、又は、前記トランスデューサの内面のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載のマイクロフォン。
  4. 前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記トランスデューサの上面、前記トランスデューサの下面、前記トランスデューサの側面、又は前記トランスデューサの内部を含む少なくとも１つの位置に配置される、請求項１～３のいずれか一項に記載のマイクロフォン。
  5. 前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記ハウジングに接続されない、請求項１～４のいずれか一項に記載のマイクロフォン。
  6. 前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記ハウジングに接続される、請求項１～４のいずれか一項に記載のマイクロフォン。
  7. 前記少なくとも１つの減衰フィルムは、少なくとも２つの減衰フィルムを含み、前記少なくとも２つの減衰フィルムは、前記トランスデューサの中心線に対して対称的に配置される、請求項１～６のいずれか一項に記載のマイクロフォン。
  8. 前記変換コンポーネントは、少なくとも１つの弾性要素をさらに含み、
    前記少なくとも１つの減衰フィルムは、前記トランスデューサ及び前記少なくとも１つの弾性要素にそれぞれ接続される、請求項１～７のいずれか一項に記載のマイクロフォン。
  9. 振動信号を受信するためのハウジングと、
    前記ハウジング内にある、前記振動信号を電気信号に変換するための変換コンポーネントであって、トランスデューサ、及び前記トランスデューサに取り付けられた少なくとも１つの減衰フィルムであって、前記トランスデューサの少なくとも１つの表面に所定の角度で配置される、少なくとも１つの減衰フィルムを含む変換コンポーネントと、
    前記電気信号を処理するための処理回路と、
    を含むマイクロフォンを含む電子機器。
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