JP7433776B2 - 導電性ペースト組成物及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セル - Google Patents
導電性ペースト組成物及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セル Download PDFInfo
- Publication number
- JP7433776B2 JP7433776B2 JP2019061640A JP2019061640A JP7433776B2 JP 7433776 B2 JP7433776 B2 JP 7433776B2 JP 2019061640 A JP2019061640 A JP 2019061640A JP 2019061640 A JP2019061640 A JP 2019061640A JP 7433776 B2 JP7433776 B2 JP 7433776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- paste composition
- copper
- mass
- silver powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 52
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 claims description 16
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- -1 tetrahydroborate Chemical compound 0.000 claims description 14
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 12
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(i) oxide Chemical compound [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N copper;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N 0.000 claims description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SBTSVTLGWRLWOD-UHFFFAOYSA-L copper(ii) triflate Chemical compound [Cu+2].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F SBTSVTLGWRLWOD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- CLUOTFHJTGLPSG-UHFFFAOYSA-L copper;7,7-dimethyloctanoate Chemical compound [Cu+2].CC(C)(C)CCCCCC([O-])=O.CC(C)(C)CCCCCC([O-])=O CLUOTFHJTGLPSG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- IURRXCRWRKQLGC-UHFFFAOYSA-N copper;quinolin-8-ol Chemical compound [Cu].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 IURRXCRWRKQLGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 9
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 8
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 8
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L Oxine-copper Chemical compound [Cu+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020617 PbO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Chemical class 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynetin Chemical compound [Sn]#P BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000136 polysorbate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は、結晶系シリコン太陽電池セルの電極形成用の導電性ペースト組成物及びその導電性ペースト組成物を用いて得られた結晶系シリコン太陽電池セルに関する。
結晶系シリコン太陽電池セルなどの半導体デバイスにおいては、外部との電気的接続のために、電極形成用の導電性ペースト組成物を用いてシリコン基板の表面に電極が形成されることが一般的である。
電極を形成する際はシリコン基板の表面に導電性ペースト組成物をスクリーン印刷などで印刷後、８００℃程度の大気中で焼成することにより電極が形成される。そして、電極と外部とを電気的接続する際は、電極とインターコネクタ材とをはんだ付けにより接合することが一般的である。
特許文献１は太陽電池セルの膜厚電極の製造方法に関し、請求項１には、導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ポリマー３．５～１２．５重量パーセント（ｗｔ％）と、溶剤とを含む導電性ペーストであって、前記ｗｔ％が前記導電性粉末、前記ガラスフリット及び前記有機ポリマーの全重量に基づく導電性ペーストを用いることが開示されている。また、請求項２には、導電性ペーストの全重量に基づいて、１９～６８ｗｔ％の導電性粉末、０．１～８ｗｔ％のガラスフリット、２～１０ｗｔ％の有機ポリマー及び２８～７２ｗｔ％の溶剤を含む導電性ペーストが開示されている。
近年、太陽電池セルは高性能化が進んでいる一方、コストメリットの観点から導電性ペースト中の低銀化（銀含有比率の低減；例えば６０質量％以下）が求められている。また、長期安定性の観点から、電極と外部との電気的接続における、はんだ付け後の密着強度に優れることも求められている。
しかしながら、特に特許文献１に記載の導電性ペーストは、低銀化した場合には銀粉末に対する有機ポリマー（バインダー）の体積比が大きくなり、脱バインダー過程における熱収縮も大きくなるため、はんだ付け後の密着強度が不足するという問題がある。
本発明は、上記従来技術の問題に鑑みて完成されたものであり、導電性ペースト中の銀粉末の含有量が６０質量％以下（低銀化）の場合であっても、電極形成後のはんだ付けにおいて優れた密着強度が得られる導電性ペースト組成物、及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セルを提供することを目的とする。
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、銀粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクルを含有し、前記銀粉末に対する前記有機ポリマー（バインダー）の体積比が特定範囲に設定された導電性ペースト組成物によれば、導電性ペースト中の銀粉末の含有量が６０質量％以下（低銀化）の場合であっても、電極形成後のはんだ付けにおいて優れた密着強度が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は下記の導電性ペースト組成物、及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セルに関する。
１．導電性粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクルを含有する導電性ペースト組成物であって、
前記導電性粉末は銀粉末のみからなり、
前記有機ビヒクルは有機ポリマーと溶剤とを含有し、前記銀粉末に対する前記有機ポリマーの体積比が０．２５以上０．４０以下であり、
前記導電性ペースト組成物中の前記銀粉末の含有量が４０質量％以上５０質量％以下であり、
結晶系シリコン太陽電池セルの製造において、前記導電性ペースト組成物を用いて電極を形成した後、前記電極と外部との電気的接続における、はんだ付け後の引張強度が２．０Ｎ／ｍｍより大きい、
ことを特徴とする、導電性ペースト組成物。
２．銅化合物を更に含有する、上記項１に記載の導電性ペースト組成物。
３．前記銅化合物は、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート、ネオデカン酸銅（ＩＩ）、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、ビス（８－キノリノラト）銅（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）銅テトラヒドロボレート及びトリフロロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）からなる群から選択される少なくとも一種である、上記項２に記載の導電性ペースト組成物。４．前記銀粉末１００質量部に対して前記銅化合物を銅換算で０．１質量部以上１．０質量部以下含有する、上記項２又は３に記載の導電性ペースト組成物。
５．上記項１～４のいずれかに記載の導電性ペースト組成物を用いて形成した電極を備えた結晶系シリコン太陽電池セル。
１．導電性粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクルを含有する導電性ペースト組成物であって、
前記導電性粉末は銀粉末のみからなり、
前記有機ビヒクルは有機ポリマーと溶剤とを含有し、前記銀粉末に対する前記有機ポリマーの体積比が０．２５以上０．４０以下であり、
前記導電性ペースト組成物中の前記銀粉末の含有量が４０質量％以上５０質量％以下であり、
結晶系シリコン太陽電池セルの製造において、前記導電性ペースト組成物を用いて電極を形成した後、前記電極と外部との電気的接続における、はんだ付け後の引張強度が２．０Ｎ／ｍｍより大きい、
ことを特徴とする、導電性ペースト組成物。
２．銅化合物を更に含有する、上記項１に記載の導電性ペースト組成物。
３．前記銅化合物は、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート、ネオデカン酸銅（ＩＩ）、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、ビス（８－キノリノラト）銅（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）銅テトラヒドロボレート及びトリフロロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）からなる群から選択される少なくとも一種である、上記項２に記載の導電性ペースト組成物。４．前記銀粉末１００質量部に対して前記銅化合物を銅換算で０．１質量部以上１．０質量部以下含有する、上記項２又は３に記載の導電性ペースト組成物。
５．上記項１～４のいずれかに記載の導電性ペースト組成物を用いて形成した電極を備えた結晶系シリコン太陽電池セル。
本発明の導電性ペースト組成物によれば、導電性ペースト組成物中の銀粉末の含有量が６０質量％以下（低銀化）の場合でも、これを用いてシリコン基板の表面に電極を形成後、電極と外部との電気的接続における、はんだ付け後の密着強度に優れる。よって、例えば電極とインターコネクタ材とをはんだ付けした場合に優れた密着強度が確保できる。
以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において、「～」で示される範囲は特に説明する場合を除き、「以上、以下」を意味する。
本発明の導電性ペースト組成物は、銀粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクルを含有し、
前記有機ビヒクルは有機ポリマーと溶剤とを含有し、前記銀粉末に対する前記有機ポリマーの体積比が０．２５以上０．４０以下である、
ことを特徴とする。
前記有機ビヒクルは有機ポリマーと溶剤とを含有し、前記銀粉末に対する前記有機ポリマーの体積比が０．２５以上０．４０以下である、
ことを特徴とする。
上記特徴を有する本発明の導電性ペースト組成物によれば、導電性ペースト組成物中の銀粉末の含有量が６０質量％以下（低銀化）の場合でも、これを用いてシリコン基板の表面に電極を形成後、電極と外部との電気的接続における、はんだ付け後の密着強度に優れる。よって、例えば電極とインターコネクタ材とをはんだ付けした場合に優れた密着強度が確保できる。
以下、導電性ペースト組成物を構成する各成分について説明する。
（銀粉末）
本発明の導電性ペースト組成物は導電性粉末として銀粉末を用いる。つまり、本発明の導電性ペースト組成物を用いて形成される電極はいわゆる銀電極である。
本発明の導電性ペースト組成物は導電性粉末として銀粉末を用いる。つまり、本発明の導電性ペースト組成物を用いて形成される電極はいわゆる銀電極である。
銀粉末の形状は特に制限されず、例えば、球状、フレーク（鱗片）状が挙げられる。この中でも、本発明の効果が得られ易く、且つ得られる電極の強度の点で有利である観点から球状であることが好ましい。
ここで、球状とは、長径／短径の比率が２以下の粒子の形状をいう。また、フレーク状とは、長径／短径の比率が２超過の形状をいう。
銀粉末の長径及び短径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）から得られる画像に基づいて求めることができる。「長径」とは、ＳＥＭにより得られた粒子画像において、銀粉末の略重心を通過する線分のうち最も距離の長いものを指す。「短径」とは、ＳＥＭにより得られた粒子画像において、銀粉末の略重心を通過する線分のうち最も距離の短いものを指す。
また、上記画像において任意に１００個の銀粉末を選択し、上記１００個の銀粉末の長径を測定し、上記１００個の銀粉末の長径から算出された平均値を、銀粉末の長径の平均（平均値）とする。銀粉末の短径の平均についても同様である。
銀粉末の平均粒子径（Ｄ５０）は限定的ではないが、本発明の効果が得られ易く、且つ得られる電極の強度の点で有利である観点から、２．０μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましい。また、ナノ銀と呼ばれる平均粒子径（Ｄ５０）が数十ｎｍの銀粉末を使用することができる。ナノ銀の形状は特に制限されないが例えば球状のものが挙げられる。よって、銀粉末の平均粒子径（Ｄ５０）としては、数十ｎｍ～２．０μｍ以下の範囲で設定することが好ましい。
銀粉末の平均粒子径（Ｄ５０）は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて体積基準の粒度分布を測定することにより求められる、このようなレーザー回折式粒度分布測定装置としては、例えば、マイクロトラック・ベル社製のレーザー回折散乱式粒子径分布測定装置「マイクロトラックＭＴ３０００ＩＩシリーズ」が挙げられる。
フレーク状銀粉末の長径（横幅）は、本発明の効果が得られ易く、且つ得られる電極の強度の点で有利である観点から、平均２．０μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましい。
フレーク状銀粉末の短径（厚さ）は、本発明の効果が得られ易く、且つ得られる電極の強度の点で有利である観点から、平均１．０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以下であることがより好ましい。
フレーク状銀粉末としては、例えば、短径（厚さ）の平均（平均値）が数十ｎｍ（例えば、１０～９０ｎｍ）であり、長径（横幅）の平均が０．３～６μｍである銀粉末が好適ものとして挙げられる。
フレーク状銀粉末の市販品としては、例えば、トクセン工業株式会社より市販されている商品名Ｎ３００等が挙げられる。
本発明の導電性ペースト組成物中の銀粉末の含有量は限定的ではないが、近年の低銀化の要請から銀粉末の含有量を６０質量％以下に設定した場合でもはんだ付け後の密着強度に優れるという効果を確保することができる。本発明の効果を効率的に得るという観点では導電性ペースト組成物中の銀粉末の含有量は４９質量％以下がより好ましく、銀粉末の含有量の下限値としては４０質量％程度である。
（ガラス粉末）
ガラス粉末は、導電性材料（本発明では銀粉末）とシリコンとの反応、及び、導電性材料自身の焼結を助ける作用があるとされている。
ガラス粉末は、導電性材料（本発明では銀粉末）とシリコンとの反応、及び、導電性材料自身の焼結を助ける作用があるとされている。
ガラス粉末としては特に限定されず、例えば、太陽電池セルの電極層を形成するために使用されているペースト組成物に含まれる公知のガラス成分とすることができる。ガラス粉末の具体例としては、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、バナジウム（Ｖ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、スズ（Ｓｎ）、リン（Ｐ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。また、鉛を含むガラス粉末、又は、ビスマス系、バナジウム系、スズ－リン系、ホウケイ酸亜鉛系、アルカリホウケイ酸系等の無鉛のガラス粉末を用いることができる。
具体的にガラス粉末は、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＯ、ＰｂＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｖ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３、ＷＯ３、Ｐ２Ｏ５及びＴｅＯ２からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分を含むことができる。これらの中でも、本発明の効果が得られ易く、且つ入手し易いという観点からＺｎＯ及び／又はＰｂＯが好ましく、ＰｂＯがより好ましい。なお、ガラス粉末がＺｎＯ及び／又はＰｂＯを含む場合には、更にＢ２Ｏ３及び／又はＳｉＯ２を含むことが好ましく、ガラス粉末がＰｂＯを含む場合には、更にＳｉＯ２を含むことが好ましい。
ガラス粉末の軟化点は、例えば、７５０℃以下とすることができる。ガラス粉末に含まれる粒子の平均粒子径は、例えば、１～３μｍとすることができる。
本発明の導電性ペースト組成物中のガラス粉末の含有量は限定的ではないが、０．５～１０質量％が好ましく、１～５質量％がより好ましい。この場合、シリコン基板及びパッシベーション膜（及び／又は反射防止膜）との密着性が良好となり、また、電気抵抗も増大しにくい。更にガラス粉末の含有量は、銀粉末１００質量部に対して０．１～１０質量部であることが好ましく、０．５～５．０質量％であることがより好ましい。
（有機ビヒクル）
有機ビヒクルは、有機ポリマー（バインダー）及び溶剤を含有し、必要に応じて更に各種添加剤を含有することができる。
有機ビヒクルは、有機ポリマー（バインダー）及び溶剤を含有し、必要に応じて更に各種添加剤を含有することができる。
溶剤は、公知の種類が使用可能であり、具体的には、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。溶剤の使用量は、導電性ペースト組成物の塗布性などを考慮して当該分野で標準的な使用量の範囲で適宜設定できる。
各種添加剤としては、例えば、酸化防止剤、腐食抑制剤、消泡剤、増粘剤、タックファイヤー、カップリング剤、静電付与剤、重合禁止剤、チキソトロピー剤、沈降防止剤等を使用することができる。具体的には、例えば、ポリエチレングリコールエステル化合物、ポリエチレングリコールエーテル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンエステル化合物、ソルビタンアルキルエステル化合物、脂肪族多価カルボン酸化合物、燐酸エステル化合物、ポリエステル酸のアマイドアミン塩、酸化ポリエチレン系化合物、脂肪酸アマイドワックス等を使用することができる。
有機ポリマー（樹脂又は重合体）としては公知の種類が使用可能であり、エチルセルロース、セルロースエステル、ニトロセルロース、ポリビニールブチラール、フェノール樹脂、メラニン樹脂、ユリア樹脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フラン樹脂、ウレタン樹脂、イソシアネート化合物、シアネート化合物等の熱硬化樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ４フッ化エチレン、シリコン樹脂、ロジン系樹脂等が挙げられる。これらの有機ポリマーは単独又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
有機ビヒクルに含まれる有機ポリマーの含有量は、前記銀粉末に対する有機ポリマーの体積比（つまり、有機ポリマー／銀粉末）が０．２５以上０．４０以下となる含有量であればよいが、当該体積比は０．３以上０．４以下であることがより好ましい。
（銅化合物）
本発明の導電性ペースト組成物は、前記銀粉末、前記ガラス粉末及び前記有機ビヒクルに加えて、必要に応じて銅化合物を含有することが好ましい。
本発明の導電性ペースト組成物は、前記銀粉末、前記ガラス粉末及び前記有機ビヒクルに加えて、必要に応じて銅化合物を含有することが好ましい。
銅化合物を含有する場合には、銅は酸化数（例えば１価又は２価）を有するため、導電性ペースト組成物を用いてパッシベーション膜（及び／又は反射防止膜）を介してシリコン基板の表面に電極を形成する場合において、焼成時にガラス粉末がパッシベーション膜（及び／又は反射防止膜）に対して作用する前に銅化合物と反応し、ガラス粉末によるパッシベーション膜（及び／又は反射防止膜）への作用を緩和し得ると推測される。また、銅化合物を含有する場合には、形成された電極と外部とを電気的接続する際のはんだ付け時に電極とはんだとの合金化の程度を適度に制御し、電極とはんだとの密着強度の向上に寄与するものと推測される。
銅化合物としては上記作用が得られるものであれば限定的ではないが、例えば銅（ＩＩ）アセチルアセトナート、ネオデカン酸銅（ＩＩ）、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、ビス（８－キノリノラト）銅（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）銅テトラヒドロボレート及びトリフロロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）からなる群から選択される少なくとも一種を好適に用いることができる。これらの中でも、銅化合物の導電性ペーストへの分散性の観点からは酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の少なくとも一種が好ましい。
銅化合物の含有量は、上記効果を得る観点から、銀粉末１００質量部に対して０．１質量部以上１．０質量部以下であることが好ましい。
本発明の導電性ペースト組成物は、結晶系シリコン太陽電池セルの電極形成用の導電性ペースト組成物として有用である。つまり、本発明の導電性ペースト組成物は、例えば、図１に例示されるようにシリコン基板１（シリコン半導体基板１）に任意にパッシベーション膜２（及び／又は反射防止膜２）を積層した後、スクリーン印刷などの手法により本発明の導電性ペースト組成物３を電極形状に印刷し、次いで８００℃程度の大気中で焼成することにより電極４（銀電極４）を形成することができる。シリコン基板、パッシベーション膜（及び／又は反射防止膜）、スクリーン印刷、焼成等の材料及び条件については、結晶系シリコン太陽電池セルの分野において公知又は常用されているものをそのまま使用することができる。本発明は、本発明の導電性ペースト組成物を用いて形成した電極を備えた結晶系シリコン太陽電池セルの発明についても包含する。
以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されない。
実施例１
平均粒子径（Ｄ５０）０．５μｍの銀粉末（比重１０．５）１００質量部と、ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２＝７０／１０／２０（質量％）のガラス粉末１．０質量部とを、エチルセルロース（有機ポリマー：比重１．１２）４．０質量部をターピネオール９５質量部に溶解した有機ビヒクルと混合し、既知の分散装置（ディスパー）を用いて導電性ペースト組成物を調製した。なお、実施例１における銀粉末に対する有機ポリマーの体積比は０．３８であった。
平均粒子径（Ｄ５０）０．５μｍの銀粉末（比重１０．５）１００質量部と、ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２＝７０／１０／２０（質量％）のガラス粉末１．０質量部とを、エチルセルロース（有機ポリマー：比重１．１２）４．０質量部をターピネオール９５質量部に溶解した有機ビヒクルと混合し、既知の分散装置（ディスパー）を用いて導電性ペースト組成物を調製した。なお、実施例１における銀粉末に対する有機ポリマーの体積比は０．３８であった。
評価用の試験体を次のように製作した。
まず、図１の（Ａ）に示す、ｐ型の単結晶シリコンからなるシリコン基板を準備した（基板：６ｉｎｃｈ、厚み１６０μｍ、抵抗率２Ω・ｃｍ）。
次に図１の（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によって、窒化ケイ素を主成分とする反射防止膜２を形成した。
次に図１の（Ｃ）に示すように、導電性ペースト組成物３を、反射防止膜２を介してシリコン基板１の表面上に、スクリーン印刷機を用いて、印刷幅が１．５ｍｍとなるように印刷した。
印刷性の評価においては、スクリーン版上における導電性ペースト組成物の展開性を外観観察により評価した。評価基準としては、導電性ペースト組成物をスクリーン上に塗り広げる際に、
かすれが生じ難く均一に広がったものを○
かすれが生じたものを×
と評価した。
かすれが生じ難く均一に広がったものを○
かすれが生じたものを×
と評価した。
その後、８００℃に設定した赤外ベルト炉を用いて焼成した。この焼成により、図１の（Ｄ）に示すように、電極４を形成し、引っ張り強度測定用の焼成基板を製作した。
はんだ付け後の密着強度（引張強度）の評価のために、インターコネクト用の銅リボン（幅１．０ｍｍ）を、予めフラックスを塗布した電極４上に、２７０℃の温度で３秒間はんだ付けすることにより、試験試料を作成した。
引張強度の測定においては、東洋精機社製、ストログラフＶＧＳを用いて、試験試料に対して１８０度方向に１２０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張ることで測定を行った。
なお、引張強度が２．０Ｎ／ｍｍより大きい場合には、十分に実使用に耐える良好な引張強度であるといえる。
実施例２
エチルセルロース（比重１．１２）３．８質量部をターピネオール９５．２質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
エチルセルロース（比重１．１２）３．８質量部をターピネオール９５．２質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
実施例３
エチルセルロース（比重１．１２）３．２質量部をターピネオール９５．８質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
エチルセルロース（比重１．１２）３．２質量部をターピネオール９５．８質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
実施例４
エチルセルロース（比重１．１２）２．７質量部をターピネオール９６．３質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
エチルセルロース（比重１．１２）２．７質量部をターピネオール９６．３質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
実施例５
ポリビニルブチラール（比重１．１０）４．０質量部をターピネオール９５．０質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
ポリビニルブチラール（比重１．１０）４．０質量部をターピネオール９５．０質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
実施例６
エチルセルロース（比重１．１２）３．８質量部をターピネオール９４．７質量部に溶解した有機ビヒクルを用い、銅化合物として酸化銅（ＩＩ）を０．５質量部添加した以外は、実施例１と同様とした。
エチルセルロース（比重１．１２）３．８質量部をターピネオール９４．７質量部に溶解した有機ビヒクルを用い、銅化合物として酸化銅（ＩＩ）を０．５質量部添加した以外は、実施例１と同様とした。
比較例１
エチルセルロース（比重１．１２）２．５質量部をターピネオール９６．５質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
エチルセルロース（比重１．１２）２．５質量部をターピネオール９６．５質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
比較例２
エチルセルロース（比重１．１２）４．５質量部をターピネオール９４．５質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
エチルセルロース（比重１．１２）４．５質量部をターピネオール９４．５質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
比較例３
ポリビニルブチラール（比重１．１０）５．０質量部をターピネオール９４．０質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
ポリビニルブチラール（比重１．１０）５．０質量部をターピネオール９４．０質量部に溶解した有機ビヒクルを用いた以外は、実施例１と同様とした。
各実施例及び比較例の条件及び試験結果を下記表１に示す。
表１の結果から分かる通り、銀粉末に対する有機ポリマーの体積比を０．２５以上０．４０以下に設定することにより、良好な印刷性と２Ｎ／ｍｍ以上の引張強度（すなわち、はんだ付け後の良好な密着強度）が両立できることが分かる。
１：シリコン基板
２：パッシベーション膜（及び／又は反射防止膜）
３：ペースト組成物
４：電極
２：パッシベーション膜（及び／又は反射防止膜）
３：ペースト組成物
４：電極
Claims (5)
- 導電性粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクルを含有する導電性ペースト組成物であって、
前記導電性粉末は銀粉末のみからなり、
前記有機ビヒクルは有機ポリマーと溶剤とを含有し、前記銀粉末に対する前記有機ポリマーの体積比が０．２５以上０．４０以下であり、
前記導電性ペースト組成物中の前記銀粉末の含有量が４０質量％以上５０質量％以下であり、
結晶系シリコン太陽電池セルの製造において、前記導電性ペースト組成物を用いて電極を形成した後、前記電極と外部との電気的接続における、はんだ付け後の引張強度が２．０Ｎ／ｍｍより大きい、
ことを特徴とする、導電性ペースト組成物。 - 銅化合物を更に含有する、請求項１に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記銅化合物は、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート、ネオデカン酸銅（ＩＩ）、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、ビス（８－キノリノラト）銅（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）銅テトラヒドロボレート及びトリフロロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項２に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記銀粉末１００質量部に対して前記銅化合物を銅換算で０．１質量部以上１．０質量部以下含有する、請求項２又は３に記載の導電性ペースト組成物。
- 請求項１～４のいずれかに記載の導電性ペースト組成物を用いて形成した電極を備えた結晶系シリコン太陽電池セル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019061640A JP7433776B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 導電性ペースト組成物及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セル |
| PCT/JP2020/013378 WO2020196640A1 (ja) | 2019-03-27 | 2020-03-25 | 導電性ペースト組成物及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セル |
| CN202080023253.4A CN113646903A (zh) | 2019-03-27 | 2020-03-25 | 导电性膏组合物及使用了该导电性膏组合物的晶体硅太阳能电池单元 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019061640A JP7433776B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 導電性ペースト組成物及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020161411A JP2020161411A (ja) | 2020-10-01 |
| JP7433776B2 true JP7433776B2 (ja) | 2024-02-20 |
Family
ID=72608552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019061640A Active JP7433776B2 (ja) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 導電性ペースト組成物及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7433776B2 (ja) |
| CN (1) | CN113646903A (ja) |
| WO (1) | WO2020196640A1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015782A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2008078374A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Namics Corporation | 太陽電池用導電性ペースト |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101736773B1 (ko) * | 2016-04-06 | 2017-05-29 | 대주전자재료 주식회사 | 태양전지용 후면전극 페이스트 조성물 |
-
2019
- 2019-03-27 JP JP2019061640A patent/JP7433776B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-25 CN CN202080023253.4A patent/CN113646903A/zh active Pending
- 2020-03-25 WO PCT/JP2020/013378 patent/WO2020196640A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015782A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2008078374A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Namics Corporation | 太陽電池用導電性ペースト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113646903A (zh) | 2021-11-12 |
| JP2020161411A (ja) | 2020-10-01 |
| WO2020196640A1 (ja) | 2020-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100775733B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 및 그에 사용되는 전도성 조성물 | |
| CN104715804B (zh) | 用于太阳能电池电极的组合物以及使用其制造的电极 | |
| CN103065700A (zh) | 厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途 | |
| JP2006313744A (ja) | 導電性厚膜組成物、電極、およびそれから形成される半導体デバイス | |
| US20110186121A1 (en) | Metal-containing composition, method for producing electrical contact structures on electrical components and also electrical component | |
| TWI585781B (zh) | 厚膜導電組合物及其用途 | |
| JP6478543B2 (ja) | Ａｇ金属酸化物添加剤を含む高抵抗ウエハおよびペーストから製造される太陽電池 | |
| CN110462845B (zh) | 太阳能电池用膏状组合物 | |
| KR20140027372A (ko) | 태양전지 및 태양전지의 알루미늄 전극 형성용 페이스트 조성물 | |
| WO2018135430A1 (ja) | 太陽電池用ペースト組成物 | |
| JP6896506B2 (ja) | 太陽電池用ペースト組成物 | |
| KR101452962B1 (ko) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 | |
| CN110663119B (zh) | 太阳能电池用膏状组合物 | |
| KR101452961B1 (ko) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 | |
| JP7433776B2 (ja) | 導電性ペースト組成物及びそれを用いた結晶系シリコン太陽電池セル | |
| CN105609160B (zh) | 用于太阳能电池电极的组合物以及使用其制备的电极 | |
| JP6351332B2 (ja) | 低融点ガラス組成物を含む導体形成用組成物 | |
| CN109935641B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组成物和使用其制备的电极 | |
| CN111354803B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的方法及太阳能电池 | |
| KR20190113131A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
| JP6902398B2 (ja) | 導体形成用Ｓｂ系ガラス組成物及びその製造方法 | |
| TW202015247A (zh) | 太陽能電池電極與其製備方法以及包含其的太陽能電池 | |
| JP2018517271A (ja) | 太陽電池電極形成用組成物及び当該組成物から製造された電極 | |
| CN110689992B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物及使用其制备的电极 | |
| TWI681410B (zh) | 用於太陽電池電極的組成物及使用其製備的太陽電池電極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190521 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210916 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20210916 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221021 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20221101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230201 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20230201 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230210 |
|
| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20230214 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20230310 |
|
| C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20230314 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231110 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240207 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7433776 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |