JP7431796B2 - 窒化ホウ素精製法及び装置 - Google Patents
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Description
本出願は2018年7月11日提出の米国特許仮出願番号USSN62/696,377の利益を請求する。当該仮出願の全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
窒化ホウ素ナノチューブを精製するためのシステムであって、ハロゲンガス源;固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を収容するサンプルチャンバーを有する炉であって、ガスが通過するガス流通路、前記サンプルチャンバーの一方の端又は壁にガス流入口、前記サンプルチャンバーの第二の端又は壁にガス流出口、及び少なくとも前記サンプルチャンバーを380℃以上の温度に加熱するための加熱器を備える炉;前記ハロゲンガス源と前記サンプルチャンバーの前記流入口の間に、前記サンプルチャンバーに流入するハロゲンガス流を制御し、前記ハロゲンガスが前記サンプルチャンバー内の前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を十分に通って流れるようにするためのガス流制御器;並びに前記サンプルチャンバーの前記流出口に流通できるように接続され、前記サンプルチャンバーの前記流出口を通って流れる前記ハロゲンガスを収容し、前記サンプルチャンバーの前記流出口から出るハロゲン含有気体状化合物の流れを封鎖するように配置されたスクラバー;を含むシステム。
[発明1]
窒化ホウ素ナノチューブ(BNNT)を精製する方法であって、
窒化ホウ素ナノチューブ及び不純物を含有する固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を380℃以上の温度でハロゲンガスと接触させ、前記不純物は前記ハロゲンガスと反応して気体状ハロゲン含有副生成物を生成する工程と、
前記気体状ハロゲン含有副生成物及び未反応ハロゲンガスを前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料から除去して精製済み窒化ホウ素ナノチューブを生成する工程と、
を含む方法。
[発明2]
乾燥条件下で行われる、発明1に記載の方法。
[発明3]
前記ハロゲンガスが塩素、臭素、又は塩素及び臭素の混合物である、発明1又は2に記載の方法。
[発明4]
前記ハロゲンガスが塩素を含み、前記温度が450℃~1250℃である、発明1又は2に記載の方法。
[発明5]
前記温度が600℃~1050℃である、発明4に記載の方法。
[発明6]
前記温度が850℃~1250℃である、発明4に記載の方法。
[発明7]
前記不純物がホウ素含有不純物を含む、発明1~6のいずれか一に記載の方法。
[発明8]
前記温度が最大温度の1250℃まで上昇するにつれて、前記方法により回収されたBNNT材料の純度及び結晶性が向上する、発明1~6のいずれか一に記載の方法。
[発明9]
除去される前記不純物が六方晶窒化ホウ素を含む、発明7又は8に記載の方法。
[発明10]
除去される前記不純物が欠陥のあるBNNT材料を含む、発明7又は8に記載の方法。
[発明11]
前記気体状ハロゲン含有副生成物が三ハロゲン化ホウ素を含む、発明1~10のいずれか一に記載の方法。
[発明12]
前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料が触媒を用いない方法で生成される材料である、発明1~11のいずれか一に記載の方法。
[発明13]
前記気体状ハロゲン含有副生成物及び未反応ハロゲンガスが流通ガスの正圧下で前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料から除去される、発明1~12のいずれか一に記載の方法。
[発明14]
前記精製済み窒化ホウ素ナノチューブの純度が少なくとも75%である、発明1~13のいずれか一に記載の方法。
[発明15]
前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料は所定の温度で、固体窒化ホウ素ナノチューブ材料1グラム当たり約1~20分間前記ハロゲンガスに暴露される、発明1~14のいずれか一に記載の方法。
[発明16]
窒化ホウ素ナノチューブを精製するためのシステムであって、
ハロゲンガス源;
固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を収容するサンプルチャンバーを有する炉であって、ガスが通過するガス流通路、前記サンプルチャンバーの一方の端又は壁にガス流入口、前記サンプルチャンバーの第二の端又は壁にガス流出口、及び少なくとも前記サンプルチャンバーを380℃以上の温度に加熱するための加熱器を備える炉;
前記ハロゲンガス源と前記サンプルチャンバーの前記流入口の間にあるガス流制御器であって、前記サンプルチャンバーへのハロゲンガス流を制御し、前記ハロゲンガスが前記サンプルチャンバー内の前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を十分に通って流れるようにするためのガス流制御器;並びに
前記サンプルチャンバーの前記流出口に流通できるように接続され、前記サンプルチャンバーの前記流出口を通って流れる前記ハロゲンガスを収容し、前記サンプルチャンバーの前記流出口から出るハロゲン含有気体状化合物の流れを封鎖するように配置されたスクラバー;
を含むシステム。
[発明17]
前記スクラバーが塩基の水溶液を含む、発明16に記載のシステム。
[発明18]
第二ハロゲンガス源を含む、発明16又は17に記載のシステム。
[発明19]
回収チャンバーが前記サンプルチャンバーの前記流出口と前記スクラバーとの間に挿入されている、発明16又は17に記載のシステム。
[発明20]
BNNT材料を製造するためのシステムと統合されている、発明19に記載のシステム。
更なる特徴は、下記詳細な説明に沿って記載され、又は明らかにする。なお、本明細書で記載した各特徴は任意の複数の他の記載された特徴との任意の組み合わせで利用してもよく、同業者に明らかであることを除いて各特徴はその他の特徴の存在に必ずしも依存しないことを理解されるべきである。
生成された窒化ホウ素ナノチューブ材料(AP-BNNT)を精製するための装置1として配置されたシステムの概略図を図1に示す。装置1は筒状炉2を備え、筒状炉2は3段階オーブン3、及びオーブン3内に置かれた垂直配向の石英管を備える。3段階オーブン3は必要であれば石英管4に沿って異なる温度帯を提供でき、石英管4の上部、中間部、下部は区別して加熱でき。精製されるBNNT材料5は多孔フリット6上に乗せ石英管4中に置くことができる。多孔フリット6にガスを通過させながら、BNNT材料5が石英管4から落ちることを防ぐ。BNNT材料5の精製は石英管4中で生じており、そこでハロゲンガスが不純物と反応して気体状の副生成物が生成する。
例1で記載した装置を用いて以下の精製法に従って生成された窒化ホウ素ナノチューブ材料(AP-BNNT)を精製した。
AP-BNNTを計量し、材料を乾燥するためにオーブン内、150℃、24時間ハウスエア(hous air)下で脱気する。その後材料をオーブンから出したらすぐにまた計量する。乾燥AP-BNNTはシートを引き離すためのピンセットでシートに寸断し、寸断した材料を石英管中の多孔質フリット上に移送する。挿入時の材料の静電特性を減らすために移送前に石英管は105℃に加熱しておく。
この例の実験は最終目標温度に到達した時のみ塩素ガスを注入する以外は例2と同様の手順に従った。その時塩素ガスは流量1000sccmで規定の30分間流した。2個の試料を1050℃で、1つは規定の30分間、もう1つは規定の120分間処理した。その後実験を終わらせ、材料を例2に記載されたように回収した。52gのAP-BNNT材料を均質化し、12gの試料4つ、及び2gの試料2つに分けた。12gの試料は各々異なる温度:750℃、850℃、950℃、及び1050℃で30分間精製した。2gの試料の一つを1050℃で120分間精製した。もう一つの2gの試料は比較のためそのままにしておいた。回収後精製済み試料は様々な分析を行った。図3に、温度及びT=1050℃について暴露時間の関数として質量減量を示した。温度が上昇すると質量減量が増加し、1050℃ではより長い暴露時間で平坦域となる傾向があることが明らかであった。図4に温度の関数として、重量分析のために、例1に記載した手順を用いて水で洗浄した後の質量の減量を示した。ここでは塩素処理した材料2gを分析ごとに用いた。洗浄プロセスは4回繰り返した。その後溶液は音波処理後透明のままであった。それから濾取を乾燥して計量した。SEM分析により濾過液は主として残余のh-BN誘導体であることが示された。したがって図4に見られる質量の減量はh-BNの除去に関連する。プロセス温度が上昇するにつれてフィルターを通過するh-BN誘導体の量が減少することが明らかであり、温度が上昇するにつれてAP-BNNT中のh-BN誘導体が塩素により除去されることが示された。これらの結果は提案された熱力学的現象、及び塩素分子ガスによるh-BNの選択的エッチングに関する他の観察[6]と整合するようである。この仮説はまたSEM分析により実証される。図5A~図5Eは様々な温度での処理の後のBNNTの電界放出SEMを示す。温度が上昇するにつれ、所与の温度(図5Eで示すように、ここでは1050℃)でより長い暴露時間で、BNNTの相対的な量が増加することが明らかである。
例3に記載したように実施した別の一連の実験において、均質なバッチから10gの試料を5つ用意し、1050℃で、しかし異なる暴露時間、30、60、90、120、及び180分間塩素処理した。図7にその結果のBNNT/rra-P3HT複合体の吸収スペクトラムを示す。暴露時間が長くなるにつれて純度が上昇するが、ある時間以降、ここでは1050℃、90分間で平坦域に達することが明らかである。より長い暴露時間の効果はまた図5A~図5Eに示したSEM、及び図3に示した質量の減量からも明らかである。
臭素は室温で液体であるが、約200Torrの蒸気圧を有する。図1に示した装置は図9の略図で示すような、キャリヤーガス(Ar)が臭素蒸気を反応器に付随する臭素貯蔵器19を含むように変更する必要がある。質量流量制御器(図9の13参照)をArの流量を制御するために貯蔵器19の前に挿入し、貯蔵器19から出ていくガスラインを図1のライン8に結合する。分析天秤を用いてAP-BNNTを10g計量し、石英管(図1の4参照)の多孔フリット上に置いた。次に精製手順を以下の仕様で例2同様に進行した。ガス漏れが無いことを確認後、流量1000sccmのAr下で炉の温度を950℃に上げた。炉の温度が950℃になった時、Ar/Br2ガス混合物を石英管に導入した。全体の流量を1000sccmに保ったままゆっくりと純粋なArからAr/Br2混合物に移行させた。プロセスは10時間行った。精製が完了した時、ガス流を純粋なArに移行し、炉を冷却した。図10に精製法を適用する前後の材料の写真を示す。精製結果はこれらの写真より経験的に明らかであり、Br2用いた精製の収率は約42%で、950℃で塩素を用いた例と同様であった。
上記の例により本明細書に記載の精製法は3つの方法でBNNT材料を明らかに精製できることが示された。
1)ハロゲンガスが塩素で、温度が約400℃~約750℃の時、精製法により元素のホウ素誘導体、及びBNH重合体残余物が除去される。
2)ハロゲンガスが塩素などで、温度が約850℃~約1250℃の時、精製法によりh-BN誘導体が除去される、及び
3)ハロゲンガスが塩素で、温度が約850℃~約1250℃の時、欠陥のあるBNNT層が除去される。
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Claims (16)
- 窒化ホウ素ナノチューブ(BNNT)を精製する方法であって、
窒化ホウ素ナノチューブ及び不純物を含有する固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を380℃~1250℃の温度範囲でハロゲンガスと接触させ、前記不純物は前記ハロゲンガスと反応して気体状ハロゲン含有副生成物を生成する工程と、
前記気体状ハロゲン含有副生成物及び未反応ハロゲンガスを前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料から除去して精製済み窒化ホウ素ナノチューブを生成する工程と、
を含む方法。 - 乾燥条件下で行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記ハロゲンガスが塩素、臭素、又は塩素及び臭素の混合物である、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記ハロゲンガスが塩素を含み、前記温度が450℃~1250℃である、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記温度が600℃~1050℃である、請求項4に記載の方法。
- 前記温度が850℃~1250℃である、請求項4に記載の方法。
- 前記不純物がホウ素含有不純物を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 除去される前記不純物が六方晶窒化ホウ素又は欠陥のあるBNNT材料を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記気体状ハロゲン含有副生成物が三ハロゲン化ホウ素を含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料が触媒を用いない方法で生成される材料である、及び/又は、前記気体状ハロゲン含有副生成物及び未反応ハロゲンガスが流通ガスの正圧下で前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料から除去される、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料は所定の温度で、固体窒化ホウ素ナノチューブ材料1グラム当たり1~20分間前記ハロゲンガスに暴露される、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。
- 窒化ホウ素ナノチューブを精製するためのシステムであって、
ハロゲンガス源;
固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を収容するサンプルチャンバーを有する炉であって、ガスが通過するガス流通路、前記サンプルチャンバーの一方の端又は壁にガス流入口、前記サンプルチャンバーの第二の端又は壁にガス流出口、及び少なくとも前記サンプルチャンバーを380℃以上の温度に加熱するための加熱器を備える炉;
前記ハロゲンガス源と前記サンプルチャンバーの前記流入口の間にあるガス流制御器であって、前記サンプルチャンバーへのハロゲンガス流を制御し、前記ハロゲンガスが前記サンプルチャンバー内の前記固体窒化ホウ素ナノチューブ材料を十分に通って流れるようにするためのガス流制御器;並びに
前記サンプルチャンバーの前記流出口に流通できるように接続され、前記サンプルチャンバーの前記流出口を通って流れる前記ハロゲンガスを収容し、前記サンプルチャンバーの前記流出口から出るハロゲン含有気体状化合物の流れを封鎖するように配置されたスクラバー;
を含むシステム。 - 前記スクラバーが塩基の水溶液を含む、請求項12に記載のシステム。
- 第二ハロゲンガス源を含む、請求項12又は13に記載のシステム。
- 回収チャンバーが前記サンプルチャンバーの前記流出口と前記スクラバーとの間に挿入されている、請求項12又は13に記載のシステム。
- BNNT材料を製造するためのシステムと統合されている、請求項15に記載のシステム。
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