JP7422868B2 - 画素配列最適化方法、透光表示パネル及び表示パネル - Google Patents
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Description
Claims (9)
- 透光表示パネルであって、
アレイ基板と、
前記アレイ基板上に位置する発光層であって、前記発光層は重複ユニットを含み、前記重複ユニットにおける各サブ画素の第1の電極はパターン化して配置され、且つパターン化して配置される前記第1の電極の図形パラメータ及び位置パラメータの組み合わせにより、前記透光表示パネルの0次回折スポットエネルギーと前記透光表示パネルの光透過エネルギーとが、
の関係式を満たすようにする発光層と、を含み、
ここで、I0は、前記透光表示パネルの0次回折スポットエネルギーであり、Ixは、前記透光表示パネルの光透過エネルギーであり、
前記重複ユニットは、第1の方向に沿って分布される第1の画素群及び第2の画素群を含み、前記第1の画素群は、第2の方向において分布される第1色のサブ画素、第2色のサブ画素、第3色のサブ画素を含み、前記第2の画素群は、前記第2の方向において分布される第3色のサブ画素、第1色のサブ画素、第2色のサブ画素を含み、前記第1の方向と前記第2の方向とは交差し、
ここで、前記第1色のサブ画素及び前記第3色のサブ画素の第1の電極の前記アレイ基板における正投影は円形であり、前記第2色のサブ画素の第1の電極の前記アレイ基板における正投影は楕円形である、
透光表示パネル。 - 前記第1色のサブ画素の第1の電極の直径の範囲は、5μm~25μmであり、前記第3色のサブ画素の第1の電極の直径の範囲は、8μm~30μmであり、前記第2色のサブ画素の第1の電極の長軸の範囲は、10μm~30μmで、短軸の範囲は、8μm~20μmであるか、
或いは、前記第1の画素群における第1色のサブ画素の第1の電極の中心点と前記重複ユニットの中心点との前記第1の方向における距離の範囲は、10μm~30μmであり、前記第2の方向における距離の範囲は、45μm~65μmであり、前記第1の画素群における第2色のサブ画素の第1の電極の中心点と前記重複ユニットの中心点との前記第1の方向における距離の範囲は、25μm~40μmで、前記第2の方向における距離の範囲は、20μm~40μmであり、前記第1の画素群における第3色のサブ画素の第1の電極の中心点と前記重複ユニットの中心点との前記第1の方向における距離の範囲は、10μm~30μmで、前記第2の方向における距離の範囲は、15μm~30μmであるか、
或いは、前記第2の画素群における第1色のサブ画素の第1の電極の中心点と前記重複ユニットの中心点との前記第1の方向における距離の範囲は、10μm~25μmで、前記第2の方向における距離の範囲は、0μm~20μmであり、前記第2の画素群における第2色のサブ画素の第1の電極の中心点と前記重複ユニットの中心点との前記第1の方向における距離の範囲は、25μm~40μmで、前記第2の方向における距離の範囲は、30μm~50μmであり、前記第2の画素群における第3色のサブ画素の第1の電極の中心点と前記重複ユニットの中心点との前記第1の方向における距離の範囲は、25μm~40μmで、前記第2の方向における距離の範囲は、40μm~55μmである、請求項1に記載の透光表示パネル。 - 透光表示パネルであって、
アレイ基板と、
前記アレイ基板上に位置する発光層であって、前記発光層は重複ユニットを含み、前記重複ユニットにおける各サブ画素の第1の電極はパターン化して配置され、且つパターン化して配置される前記第1の電極の図形パラメータ及び位置パラメータの組み合わせにより、前記透光表示パネルの0次回折スポットエネルギーと前記透光表示パネルの光透過エネルギーとが、
の関係式を満たすようにする発光層と、を含み、
ここで、I0は、前記透光表示パネルの0次回折スポットエネルギーであり、Ixは、前記透光表示パネルの光透過エネルギーであり、
前記重複ユニットは、第2の方向に沿って分布される2個の画素群を含み、各前記画素群は、1個の第1色のサブ画素、1個の第2色のサブ画素及び1個の第3色のサブ画素を含み、各前記画素群における3個のサブ画素の第1の電極の中心点間の連結線は、三角形を形成し、1個の前記画素群が第1の方向に沿って180度反転した後の配列構造は、前記重複ユニットにおける他の1個の画素群の配列構造と同じであり、前記第1の方向と前記第2の方向とは交差し、
前記第1色のサブ画素及び前記第3色のサブ画素の第1の電極の前記アレイ基板における正投影は、円形であり、前記第2色のサブ画素の第1の電極の前記アレイ基板における正投影は八角形であり、且つ前記八角形の四辺の仮想延長線は矩形を構成する、
透光表示パネル。 - 前記第1色のサブ画素の第1の電極の直径の範囲は、5μm~25μmであり、前記第3色のサブ画素の第1の電極の直径の範囲は、10μm~30μmであり、前記第2色のサブ画素の第1の電極に対応する矩形の長辺の範囲は、10μm~30μmで、短辺の範囲は、5μm~25μmであるか、
或いは、2個の前記第1色のサブ画素の第1の電極の中心点間の距離は、30μm~90μmであり、2個の前記第2色のサブ画素の第1の電極の中心点間の距離は、25μm~60μmであり、2個の前記第3色のサブ画素の第1の電極の中心点間の距離は、25μm~60μmであり、及び/又は、2個の前記第1色のサブ画素の第1の電極の中心点と2個の前記第3色のサブ画素の第1の電極の中心点との連結線は、平行四辺形を構成する、請求項3に記載の透光表示パネル。 - 透光表示パネルであって、
アレイ基板と、
前記アレイ基板上に位置する発光層であって、前記発光層は重複ユニットを含み、前記重複ユニットにおける各サブ画素の第1の電極はパターン化して配置され、且つパターン化して配置される前記第1の電極の図形パラメータ及び位置パラメータの組み合わせにより、前記透光表示パネルの0次回折スポットエネルギーと前記透光表示パネルの光透過エネルギーとが、
の関係式を満たすようにする発光層と、を含み、
ここで、I0は、前記透光表示パネルの0次回折スポットエネルギーであり、Ixは、前記透光表示パネルの光透過エネルギーであり、
前記重複ユニットは、第2の方向に沿って分布される第1の画素群及び第2の画素群を含み、前記第1の画素群は、第1の方向において分布される1個の第1色のサブ画素、2個の第2色のサブ画素及び1個の第3色のサブ画素を含み、前記第2の画素群は、前記第1の方向において分布される1個の第3色のサブ画素、1個の第1色のサブ画素及び2個の第2色のサブ画素を含み、且つ前記第1の画素群及び前記第2の画素群における2個の第2色のサブ画素は、前記第2の方向に沿って分布され、前記第1の方向と前記第2の方向とは交差し、
ここで、各サブ画素の第1の電極の前記アレイ基板における正投影はいずれも円形であり、
前記第1色のサブ画素の第1の電極の直径の範囲は、5μm~30μmであり、前記第2色のサブ画素の第1の電極の直径の範囲は、5μm~30μmであり、前記第3色のサブ画素の第1の電極の直径の範囲は、10μm~40μmであり、
2個の前記第1色のサブ画素の第1の電極の中心点間の距離は、50μm~250μmであり、各前記画素における2個の前記第2色のサブ画素の第1の電極の中心点間の距離は、10μm~30μmであり、2個の前記第3色のサブ画素の第1の電極の中心点間の距離は、10μm~60μmであり、及び/又は、前記重複ユニット全体は、平行四辺形を構成する、透光表示パネル。 - 表示パネルであって、
互いに隣接する第1の表示領域及び第2の表示領域を有し、前記第1の表示領域の透光率は、前記第2の表示領域の透光率より大きく、ここで、前記表示パネルの前記第1の表示領域は、請求項1に記載の透光表示パネルとして配置される、表示パネル。 - 画素配列最適化方法であって、
初期画素配列構造モデルを構築するステップであって、前記初期画素配列構造モデルにおける各サブ画素の第1の電極が初期図形パラメータ及び初期位置パラメータを有するステップと、
前記初期画素配列構造モデルにおける少なくとも一部の前記第1の電極の初期図形パラメータ及び初期位置パラメータにおける少なくとも一つを調整して、請求項1に記載の透光表示パネルの最適化画素配列構造モデルを取得するステップであって、前記最適化画素配列構造モデルの0次回折スポットエネルギーと前記最適化画素配列構造モデルの光透過エネルギーとの比が85%以上であるステップと、
を含む方法。 - 前記最適化画素配列構造モデルを取得した後に、前記方法は、
前記最適化画素配列構造モデルの各第1の電極に対応する図形パラメータ及び位置パラメータに応じて、目標透光表示パネルにおける対応する第1の電極の図形パラメータ及び位置パラメータを設置するステップを
さらに含む請求項7に記載の方法。 - 前記初期画素配列構造モデルを構築するステップは、
目標透光表示パネルの画素配列構造及び前記目標透光表示パネルの各サブ画素の第1の電極の初期図形パラメータ及び初期位置パラメータを取得するステップと、
前記目標透光表示パネルの画素配列構造及び各サブ画素の第1の電極の初期図形パラメータ及び初期位置パラメータに応じて、前記初期画素配列構造モデルを構築するステップと、
を含み、
前記初期画素配列構造モデルにおける少なくとも一部の前記第1の電極の初期図形パラメータ及び初期位置パラメータにおける少なくとも一つを調整して、最適化画素配列構造モデルを取得するステップであって、前記最適化画素配列構造モデルの0次回折スポットエネルギーと前記最適化画素配列構造モデルの光透過エネルギーとの比が85%以上であるステップは、
異なる照射波長、視野及び物体距離の条件で、前記初期画素配列構造モデルの0次回折スポットエネルギーと前記初期画素配列構造モデルの光透過エネルギーとの比がいずれも85%以上であるか否かを判断するステップと、
そうでなければ、前記最適化画素配列構造モデルが得られるまで、前記初期画素配列構造モデルにおける少なくとも一部の第1の電極の初期図形パラメータ及び初期位置パラメータにおける少なくとも一つを絶えず調整して、前記異なる照射波長、視野及び物体距離の条件で、前記最適化画素配列構造モデルの0次回折スポットエネルギーと前記最適化画素配列構造モデルの光透過エネルギーとの比が85%以上になるようにするステップと、
を含む請求項7に記載の方法。
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