JP7422513B2 - 基板加熱装置 - Google Patents
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Description
本開示は、基板加熱装置にするものである。
特許文献１には、基板を載置して加熱する加熱板と、前記加熱板に前後方向に隣接して設けられ、外部から搬入された加熱処理前の基板が載置されると共に前記加熱板による加熱処理後の基板を冷却するための冷却板と、前記冷却板と加熱板との間で基板を搬送するための基板搬送機構と、前記加熱板の下方側から前記冷却板の下方側へ亘って設けられた遮熱板と、前記遮熱板を冷却するための冷却機構と、を備え、基板を加熱処理する雰囲気を低酸素雰囲気とするための低酸素雰囲気形成部と、前記基板搬送機構は、基板を保持するための基板保持部と、前記基板保持部を前後方向に移動させるために前記遮熱板よりも下方側に設けられた移動機構と、を備えた基板加熱装置が記載されている。
本開示にかかる技術は、基板加熱装置において基板を加熱した際に、基板上に形成されている膜の膜厚の均一性を向上させる。
本開示の一態様は、基板上に塗布膜を有する基板を筐体内で加熱する基板加熱装置であって、前記筐体内には、基板を載置して加熱する加熱板と基板を載置して冷却する冷却板とが並置され、前記並置された方向に沿って、前記加熱板の上方に前記筐体における前記加熱板側の一端部に向けて一方向気流を形成するガスノズルと、前記筐体内において上下動して、少なくとも前記加熱板と前記冷却板との間の前記基板の搬送空間を仕切ることが可能なシャッタとを有し、前記ガスノズルの吐出部は、前記シャッタと前記加熱板との間に配置され、前記ガスノズルと前記シャッタは、平面視で少なくとも一部が重なっている。
本開示によれば、基板加熱装置において基板を加熱した際に、基板上に形成されている膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
たとえば半導体デバイスの製造工程で用いられるエッチングマスクとなる薄膜としては、例えばＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）膜などと呼ばれている塗布膜が知られている。この塗布膜は、塗布膜の前駆体を含む処理液を、基板、例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にスピンコーティング法によって塗布した後、加熱して架橋反応により硬化させることによって得られる。
このような目的で基板を加熱する特許文献１の基板加熱装置は、加熱した基板を均一にかつ低酸素雰囲気で加熱するために、熱板の一側端からパージガス、例え窒素ガスを加熱される基板上に供給するようにして、一方向気流を当該基板上に形成して、膜厚の均一性を向上させるようにしている。
この点に関し最近では、塗布膜を形成するための塗布液も新規なものが種々開発されてきており、また膜厚の均一性もさらに高いレベルが要求されるようになってきている。かかる観点からすると、従来よりもさらに加熱時の膜厚の均一性を改善する技術が待たれている。
本開示は、そのような要求に応えるものであり、従来よりもさらに膜厚の均一性を向上させる。以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
［第１の実施の形態］
実施の形態に係る基板加熱装置１は、図１、２に示すように、矩形の筐体１０を備えている。筐体１０は遮熱板である水冷板２により、内部が上下に区画されており、筐体１０の長さ方向を前後方向とすると、例えば筐体１０の前方側の端面における水冷板２よりも上方の位置には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口１１が形成されている。搬入出口１１には、搬入出口１１を開閉するシャッタ１２が設けられ、シャッタ１２は、筐体１０の内側であって、水冷板２の下方に設けられたシャッタ開閉機構１３により、開閉するように構成されている。水冷板２は矩形の金属板で形成され、その内部に例えば冷却水を通流させるための冷却流路（図示せず）が設けられている。
実施の形態に係る基板加熱装置１は、図１、２に示すように、矩形の筐体１０を備えている。筐体１０は遮熱板である水冷板２により、内部が上下に区画されており、筐体１０の長さ方向を前後方向とすると、例えば筐体１０の前方側の端面における水冷板２よりも上方の位置には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口１１が形成されている。搬入出口１１には、搬入出口１１を開閉するシャッタ１２が設けられ、シャッタ１２は、筐体１０の内側であって、水冷板２の下方に設けられたシャッタ開閉機構１３により、開閉するように構成されている。水冷板２は矩形の金属板で形成され、その内部に例えば冷却水を通流させるための冷却流路（図示せず）が設けられている。
水冷板２の上方には、搬入出口１１から見て手前側（前方側：図１の右側）から奥側（後方側：図１の左側）に向かって、ウエハＷを冷却する冷却部３と加熱部４とが、この順で並べて設けられている。すなわち並置されている。冷却部３は、冷却板５を有している。加熱部４は加熱板６を有している。冷却板５及び加熱板６は、各々支持部材１４を介して水冷板２の上面に固定されている。従って水冷板２は、冷却板５の下方側から加熱板６の下方側に亘って設けられている。
冷却板５の下面には、冷却流路（図示せず）が下面全体を引き回されるように設けられ、チラー（図示せず）からの冷却媒体、例えば冷却水を通流させることにより、冷却板５上に載置されたウエハＷを冷却する。
冷却板５には、厚さ方向に貫通する貫通孔２１が、周方向に３か所形成されており各貫通孔２１には各々昇降部材である昇降ピン２２が配置されている。昇降ピン２２は昇降機構２３により昇降し、冷却板５の表面から突出自在である。また昇降機構２３は、水冷板２に固定され水冷板２によって冷却される。
加熱部４の加熱板６は、載置したウエハＷを加熱するものであり、収容部材３１によって、加熱板６の周面、底面が収容されている。加熱板６の上方には、加熱板６に載置されたウエハＷの左右を囲んで上方を覆い、さらに加熱板６に載置されたウエハＷの前後方向が開放されるように構成された天板部材３２が設けられている。天板部材３２の上側には断熱パネル３３が設けられている。
加熱板６は、扁平な円柱形状に構成され、断熱板６ａと、板状のヒータ６ｂと、炭化シリコンなどの表面部材６ｃとが、下層側からこの順で積層されて構成されている。加熱板６の上面には、ウエハＷを加熱板６の表面から一定の距離にて支持するための例えばギャップピン（図示せず）が分散して設けられている。
加熱板６及び収容部材３１には、厚さ方向に貫通する貫通孔３４が、周方向に３か所形成されており各貫通孔３４には各々昇降ピン３５が配置されている。昇降ピン３５は水冷板２の下方に設けられた昇降機構３６により昇降し、加熱板６の上面から突出自在である。
基板加熱装置１は、冷却板５と、加熱板６４との間でウエハＷを搬送するための基板搬送機構であるウエハ搬送機構４１を備えている。このウエハ搬送機構４１は、冷却板５の左側及び右側の位置にて各々上下に伸びる支持部４１ａ、４１ｂを、互いに対向するように有している。支持部４１ａ、４１ｂの上方側端部は、図１、図２に示すように、先端が夫々右側及び左側に向かって梁出すように形成されている。また支持部４１ａ、４１ｂの先端の上面には、例えばセラミックあるいは石英で構成され、冷却板５から見て加熱板６側に向かって（後方に向かって）伸び、ウエハＷの下面における左側周縁部及び右側周縁部を夫々保持する板状の左側保持部材４１ｃ及び右側保持部材４１ｄが設けられている。
ウエハ搬送機構４１の各支持部４１ａ、４１ｂは、水冷板２の両側に形成された切欠き４２、４３に各々挿入されており、各支持部４１ａ、４１ｂの基端側は、水冷板２の下方に設けられた共通の移動機構４４に接続されている。
移動機構４４は、例えば図示しないベルト駆動機構などにより、水冷板２の下方にて、前後方向に伸びるガイドレール４５に沿って移動するように構成されている。この移動機構４４をガイドレール４５に沿って移動させることにより、左側保持部材４１ｃ及び右側保持部材４１ｄが、図１、図２中の実線で示す冷却板５の上方位置と、図１、図２中の破線で示す加熱板６の上方位置との間を移動する。これによって、左側保持部材４１ｃ及び右側保持部材４１ｄが加熱板６の上方位置に位置したときには、昇降ピン３５とウエハ搬送機構４１との協働作用によりウエハＷの受け渡しが行われ、ウエハＷは加熱板６に載置可能であり、また加熱板６から取り去ることが可能である。
冷却板５の後方側（加熱部４側）の上方には加熱板６の表面に低酸素雰囲気を形成するための例えば不活性ガスである窒素ガスの一方向流を形成するためのガスノズル５１が設けられている。
ガスノズル５１は左右方向（冷却板５と加熱板６並置方向と直交する水平方向）に伸びた形状を有し、先端部の吐出部５１ａには長手方向に沿って多数の吐出孔が形成されている。この吐出部５１ａはノズルの本体部５１ｂに対して斜め下方に傾斜して設けられている。したがって吐出部５１ａから吐出される不活性ガスは、加熱板６上のウエハＷの表面に対して斜め上方から供給される。
ガスノズル５１は基板加熱装置１外に設置されている不活性ガス供給源５２と、流量調整装置５３、バルブ５４を介して接続されている。
冷却板５の上方には、冷却板５に向けて低酸素ガス、例えば不活性ガスである窒素ガスを供給するガス供給部６１が設けられている。ガス供給部６１は、扁平な角筒状に構成され、下面には複数の孔６２が形成されたパンチングプレートで構成されている。ガス供給部６１は、流量調整装置６３、バルブ６４を介して不活性ガス供給源５２と接続されている。
そして筐体１０の奥側の側面における加熱板６の表面の高さの位置には、筐体１０内の雰囲気を排気するための多数の排気孔１５ａを有する排気部１５が設けられており、排気部１５は、工場排気に接続されている。したがって、加熱板６を挟んでガスノズル５１と対向した位置に設けられた排気部１５からの排気により、加熱板６上には、ガスノズル５１から供給された不活性ガスによる一方向気流が均一に形成される。すなわち、冷却板５と加熱板６が並置された方向に沿って、加熱板６の上方に、筐体１０における加熱板６側の一端部に向けて一方向気流が形成される。
そして筐体１０内における冷却部３と加熱部４との間で、かつ前記したガスノズル５１の下側には、シャッタ７１が設けられている。このシャッタ７１は例えば筐体１０内の両側に設けた駆動機構（図示せず）によって図１の往復矢印で示したように、上下動自在である。またこのシャッタ７１の上端部７１ａは、加熱部４側に向けて斜め下方に傾斜した形状を有しており、シャッタ７１が上昇した際には、ガスノズル５１の傾斜した吐出部５１ａの下面との間に微小な空隙が形成される程度に近接するように構成されている。
この実施の形態では、ガスノズル５１の吐出部５１ａの下面が対向部を兼ねており、シャッタ７１の先端部となる上端部７１ａと適合した斜め形状に成形されている。
またこの実施の形態では、そのようにガスノズル５１の吐出部５１ａの下面が対向部を兼ねているから、ガスノズル５１とシャッタ７１は、平面視で少なくとも一部が重なっている。
また図１に示すように基板加熱装置１は、基板加熱装置１を制御する制御部Ｃを備えている。制御部Ｃには、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカードなどの記憶媒体に格納されたプログラムがインストールされる。インストールされたプログラムは、基板加熱装置１の各部に制御信号を送信して基板加熱装置１の動作を制御するように命令（各ステップ）が組み込まれている。
実施の形態に係る基板加熱装置１は以上の構成を有しており、例えばＳＯＣ膜が塗布されたウエハＷを基板加熱装置１外からの搬送アーム（図示せず）によって受け取る際には、筐体１０のシャッタ１２が開き、またシャッタ７１は下降している。その状態で、一旦ウエハ搬送機構４１を加熱部４側に移動させる。次いで冷却板５側の昇降ピン２２によってウエハＷを受け取り、次いで搬送アームは基板加熱装置１の外に退避し、シャッタ１２が閉じられる。
その後ガスノズル５１から加熱板６側への窒素ガスの吐出を開始すると共に、排気部１５から排気を開始する。また同時にガス供給部６１からも窒素ガスの吐出が開始される。これによって筐体１０内は窒素ガスで満たされ、ウエハＷの載置される雰囲気は、低酸素雰囲気となっている。次いでウエハ搬送機構４１を冷却板５側に移動させ、ウエハＷをウエハ搬送機構４１に受け渡す。
その後ウエハＷの左右両縁部を保持したウエハ搬送機構４１を加熱部４側に移動させ、加熱板６の昇降ピン３５によってウエハＷを受け取る。次いでウエハ搬送機構４１を冷却板５の上方に移動させ、昇降ピン３５を下降させてウエハＷを加熱板６に載置し、ウエハＷを加熱するのであるが、ウエハ搬送機構４１が冷却板５の上方に移動すると、直ちにシャッタ７１が上昇して、加熱板６冷却板５との間のウエハＷの搬送空間は仕切られる。この状態で、加熱板６に載置されたウエハＷは加熱される。
ウエハＷが加熱されている間は、ウエハＷの上方には、ガスノズル５１の吐出部５１ａから吐出される窒素ガスによって一方向気流が形成されているが、吐出部５１ａはシャッタ７１と加熱板６との間に配置されているから、冷却部３側からの雰囲気はシャッタ７１によって実質的に遮断されており、冷却部３の雰囲気が、加熱部４に流入することが抑制できる。したがって、加熱板６上に形成されている一方向気流に対する外乱の影響を従来よりも抑えることができる。その結果、ウエハＷ上の塗布膜の種類によって、従来は時として見られた膜厚の片上がり傾向、すなわち排気部１５に近い側の膜厚が厚くなる傾向も抑制され、ウエハＷ上の塗布膜の均一性を向上させることができる。
また本実施の形態では、シャッタ７１の上端部７１ａは、加熱部４側に向けて斜め下方に傾斜した形状を有しており、シャッタ７１が上昇した閉鎖時には、ガスノズル５１の傾斜した吐出部５１ａの下面との間に微小な空隙が形成される程度に近接するが、当該空隙は微小な空隙であり、また当該空隙は斜めに形成されているから圧力損失が大きく、冷却部３からの雰囲気が当該空隙を通じて加熱部４側へと流入することは抑えられている。なお雰囲気流入の防止という観点からは、シャッタ７１の閉鎖時は、シャッタ７１の上端部７１ａとガスノズル５１の吐出部５１ａ下面とを密着させることがよいが、そうすると両部材の接触による発塵の問題が発生するので好ましくない。
またガスノズル５１とシャッタ７１は、平面視で少なくとも一部が重なっているので、ガスノズル５１とシャッタ７１を筐体１０内に設けるにあたり、筐体１０内の、特に前後方向（冷却板５と加熱板６との並置方向）の省スペース化が図られている。
なお図１の破線で示したように、冷却板５と加熱板６の間の各下方空間を仕切る仕切壁７３を設ければ、冷却板５の下方空間の冷気が、加熱部４側に流入することを抑えることができ、加熱部４内の雰囲気に対する外乱の影響をさらに抑えることができ、膜厚の均一性向上に寄与する。
また冷却部３側の雰囲気が加熱部４側に流入することを抑えるという観点からは、例えば同じく図１の破線で示したように、シャッタ７１が上昇した閉鎖時に、シャッタ７１よりも冷却板５側に、シャッタ７１の上端部７１ａと対向部となるガスノズル５１の吐出部５ａ下面との間の空隙を、冷却部３側でカバーする仕切板７４を設けてもよい。これによって、シャッタ７１の上端部７１ａと対向部となるガスノズル５１の吐出部５ａ下面との間の空隙を通じた流入経路の圧力損失をさらに高めることができ、より一層、冷却部３側の雰囲気が加熱部４側に流入することを抑制することが可能である。なお仕切板７４の下端部は、シャッタ７１の開放時に前記した加熱板６と冷却板５の間のウエハ搬送機構４１によるウエハＷの搬送を妨げない位置に設定される。
［第２の実施の形態］
次に第２の実施の形態について、図３以下の図面に基づいて説明する。なお図３、図４に示した第２の実施の形態に係る基板加熱装置１０１において、第１の実施の形態に係る基板加熱装置１と同一の機能、構成を有する部材、要素等については、第１の実施の形態に係る基板加熱装置１と同一の符号を付し、また主として第１の実施の形態に係る基板加熱装置１と異なる構成、機能等について説明し、重複した説明は割愛する。
次に第２の実施の形態について、図３以下の図面に基づいて説明する。なお図３、図４に示した第２の実施の形態に係る基板加熱装置１０１において、第１の実施の形態に係る基板加熱装置１と同一の機能、構成を有する部材、要素等については、第１の実施の形態に係る基板加熱装置１と同一の符号を付し、また主として第１の実施の形態に係る基板加熱装置１と異なる構成、機能等について説明し、重複した説明は割愛する。
この第２の実施の形態に係る基板加熱装置１０１で採用したガスノズル１１０は、図３、図４、図５に示したように、加熱板６の冷却板５側の端部に設置されている。ガスノズル１１０は、図６、図７に示したように、複数段、例えば図６の例では、３つのノズル部材１１１、１１２、１１３を積層し、さらに最上段のノズル部材１１３の上には、吐出部となる整流部材１１４を設けた構成を有している。
ノズル部材１１１の下側には、ガスを導入する導入部材１１５が接続される。そして導入部材１１５から導入されたガスは、ノズル部材１１１内に形成された分岐流路（図示せず）によって、２つに分岐して２つの吐出口１１１ａから吐出される。２段目のノズル部材１１２は、当該２つの吐出口１１１ａからのガスを各々個別に導入してノズル部材１１２内でさらに各々２つに分岐して、上面の４つの吐出口１１２ａから吐出する。３段目のノズル部材１１３は、当該４つの吐出口１１２ａからのガスを各々個別に導入してノズル部材１１３内でさらに各々２つに分岐させて、上面の８つの吐出口１１３ａから吐出するようになっている。
そしてノズル部材１１３の吐出口１１３ａから吐出されたガスは、整流部材１１４の下面に突き当たって、整流部材１１４から水平に突出している整流部１１４ａによって水平に吐出されるようになっている。したがって、加熱板６上のウエハＷの上方に、ガスノズル１１０から、所定のガスを一方向に水平にかつ均一に吐出させることが可能である。
導入部材１１５は、図５に示したように、加熱板６の外周に沿うように設けられたガス流路１２１と接続されて、ガスノズル１１０には不活性ガス供給源５２からの不活性ガスが供給される。すなわち、ガス流路１２１への入口流路１２２は、基板加熱装置１０１外に設置されている不活性ガス供給源５２と、流量調整装置５３、バルブ５４を介して接続されており、またガス流路１２１からの出口流路１２３は、ガスノズル１１０の導入部材１１５と接続されている。
したがって、不活性ガス供給源５２からの不活性ガスは、入口流路１２２、ガス流路１２１、出口流路１２３を経て、導入部材１１５へと導入され、前記したノズル部材１１１、１１２、１１３を経て分散し、整流部材１１４から水平に吐出される。
そしてガス流路１２１は、加熱板６の外周に沿って、より具体的には図３に示したように、加熱板６におけるヒータ６ｂと対応する位置の周囲に沿って配置されている。したがって、不活性ガス供給源５２からの不活性ガスは、このガス流路１２１を流れていく際に加熱板６からの熱によって昇温し、昇温した後にガスノズル１１０からウエハＷ上に吐出される。
またこの第２の実施の形態に係る基板加熱装置１０１では、図１に示したように、筐体１０内における冷却部３と加熱部４との間で、前記したウエハ搬送機構４１によるウエハＷの搬送空間を仕切るシャッタ１３１が設けられている。このシャッタ１３１の下方には、仕切壁１３２が設けられ、仕切壁１３２の上端部には、対向部１３３が設けられている。対向部１３３は縦断面が凹部形状を有し、凹部内には、シャッタ１３１の下端部１３１ａを、微小な隙間を確保して受容する形状、大きさを有している。もちろん装置の設計上、仕切壁１３２は、対向部１３３とは無関係に、図１の破線で示した仕切壁１３５ように、加熱板６の下方空間と冷却板５の下方空間との間を適宜仕切る位置に設置してもよい。
実施の形態に係る基板加熱装置１０１は以上の構成を有しており、この基板加熱装置１０１においても、冷却部３側からの雰囲気はシャッタ１３１によって実質的に遮断されており、冷却部３の雰囲気が、加熱部４に流入することが抑制できる。したがって、加熱板６上に形成されている一方向気流に対する外乱の影響を従来よりも抑えることができる。したがってウエハＷ上の塗布膜の均一性を向上させることができる。
またシャッタ１３１と対向部１３３は、シャッタ１３１の下端部１３１ａを、微小な隙間を確保して受容する形状、大きさの凹部形状であるから、当該微小な隙間の圧力損失は大きく、冷却部３の雰囲気が加熱部４に流入することがさらに抑制できる。また対向部の下側には仕切壁１３２が配置されているので、冷却板５の下方空間からの冷気が加熱部４に流入することも抑えられている。しかも本実施の形態では、仕切壁１３２は対向部１３３を支持する支持部材として機能し、平面視では両部材は重なっているので、筐体１０内における前後方向（冷却板５と加熱板の並置方向）のスペースの節約が図られている。
そして本実施の形態では、ガスノズル１１０から吐出されるガスは、加熱板６の外周に沿って配置されたガス流路１２１を流れる際に、加熱板６からの熱によって昇温しているので、ガスノズル１１０から吐出された際に、加熱中のウエハＷに対して温度低下を招来することがない。したがってかかる点からも膜厚の均一性は向上している。
なお前記したガス流路１２１は、加熱板６を一周して周囲全周を巡るように配置されていたが、必ずしもそのように加熱板６を一周させる構成でなくてもよい。例えば図８に示したように、入口流路１２２から一旦分岐部１４１を経て２つに分岐させ、各々加熱板６の外周の半分を巡る分岐ガス流路１２１ａ、１２１ｂに分けてから、既述の導入部材１１５に導入するようにしてもよい。これによって、加熱板６の温度の偏りを抑えることができる。すなわち、常温で流入したガスの温度によって、入口流路１２２側と出口流路１２３側とで加熱板６の温度分布に差が生ずることを抑えることができる。
なおかかる観点から、入口流路１２２から流入した直後のガスを直ちに加熱板６の外周に沿わせるのではなく、図９に示したように、分岐部１４１を出た直後は、加熱板６の外周から比較的離れた位置とし、徐々に加熱板６の外周に接近するように分岐ガス流路１２１ａ、１２１ｂの形状、配置を設定してもよい。これによって、さらに加熱板６の温度分布が偏ることに起因する膜厚不均一要因を解消して、膜厚の均一性を向上させることができる。
またそのようにガス流路１２１、分岐ガス流路１２１ａ、１２１ｂの配置に限らず、ガス流路１２１の内径を、はじめは小さくして徐々に大きくなるような構造のガス流路１２１、分岐ガス流路１２１ａ、１２１ｂを用いてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）筐体内で基板を加熱する基板加熱装置であって、
前記筐体内には、基板を載置して加熱する加熱板と基板を載置して冷却する冷却板とが並置され、
前記並置された方向に沿って、前記加熱板の上方に前記筐体における前記加熱板側の一端部に向けて一方向気流を形成するガスノズルと、
前記筐体内において上下動して、少なくとも前記加熱板と前記冷却板との間の前記基板の搬送空間を仕切ることが可能なシャッタとを有し、
前記ガスノズルの吐出部は、前記シャッタと前記加熱板との間に配置された、基板加熱装置。
（２）前記ガスノズルと前記シャッタは、平面視で少なくとも一部が重なっている、（１）に記載の基板加熱装置。
（３）前記シャッタによる閉鎖時に、前記シャッタの先端部と近接して対向する対向部の先端部は、前記シャッタの先端部を受容可能な凹部を有する、（１）または（２）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（４）前記シャッタの先端部は、前記並置された方向と直交する方向の側面視で斜め形状に成形され、前記シャッタの先端部と近接して対向する対向部の先端部は、前記シャッタによる閉鎖時に前記シャッタの先端部と適合する斜め形状に成形されている、（１）または（２）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（５）前記シャッタよりも前記冷却板側に、前記シャッタによる閉鎖時における前記シャッタの先端部と前記対向部の先端部との近接部分をカバーする仕切板を有し、前記仕切板の先端部は、前記シャッタの開放時に前記加熱板と前記冷却板の間の基板の搬送を妨げない位置に位置している、（１）～（４）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（６）前記加熱板の下方空間と、前記冷却板の下方空間と、の間を仕切る仕切壁を有する、（１）～（５）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（７）前記ガスノズルの吐出部から吐出されるガスは、前記筐体内において、前記加熱板からの熱によって吐出前に昇温している、請求項（１）～（６）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（８）前記ガスノズルに供給されたガスが前記吐出部から吐出するまでのガス流路が、前記加熱板の外周を沿うように配置されている、（７）に記載の基板加熱装置。
（１）筐体内で基板を加熱する基板加熱装置であって、
前記筐体内には、基板を載置して加熱する加熱板と基板を載置して冷却する冷却板とが並置され、
前記並置された方向に沿って、前記加熱板の上方に前記筐体における前記加熱板側の一端部に向けて一方向気流を形成するガスノズルと、
前記筐体内において上下動して、少なくとも前記加熱板と前記冷却板との間の前記基板の搬送空間を仕切ることが可能なシャッタとを有し、
前記ガスノズルの吐出部は、前記シャッタと前記加熱板との間に配置された、基板加熱装置。
（２）前記ガスノズルと前記シャッタは、平面視で少なくとも一部が重なっている、（１）に記載の基板加熱装置。
（３）前記シャッタによる閉鎖時に、前記シャッタの先端部と近接して対向する対向部の先端部は、前記シャッタの先端部を受容可能な凹部を有する、（１）または（２）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（４）前記シャッタの先端部は、前記並置された方向と直交する方向の側面視で斜め形状に成形され、前記シャッタの先端部と近接して対向する対向部の先端部は、前記シャッタによる閉鎖時に前記シャッタの先端部と適合する斜め形状に成形されている、（１）または（２）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（５）前記シャッタよりも前記冷却板側に、前記シャッタによる閉鎖時における前記シャッタの先端部と前記対向部の先端部との近接部分をカバーする仕切板を有し、前記仕切板の先端部は、前記シャッタの開放時に前記加熱板と前記冷却板の間の基板の搬送を妨げない位置に位置している、（１）～（４）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（６）前記加熱板の下方空間と、前記冷却板の下方空間と、の間を仕切る仕切壁を有する、（１）～（５）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（７）前記ガスノズルの吐出部から吐出されるガスは、前記筐体内において、前記加熱板からの熱によって吐出前に昇温している、請求項（１）～（６）のいずれかに記載の基板加熱装置。
（８）前記ガスノズルに供給されたガスが前記吐出部から吐出するまでのガス流路が、前記加熱板の外周を沿うように配置されている、（７）に記載の基板加熱装置。
１、１０１ 基板加熱装置
３ 冷却部
４ 加熱部
５ 冷却板
６ 加熱板
１０ 筐体
５１、１１０ ガスノズル
５１ａ 吐出部
７１、１３１ シャッタ
Ｃ 制御装置
Ｗ ウエハ
３ 冷却部
４ 加熱部
５ 冷却板
６ 加熱板
１０ 筐体
５１、１１０ ガスノズル
５１ａ 吐出部
７１、１３１ シャッタ
Ｃ 制御装置
Ｗ ウエハ
Claims (7)
- 基板上に塗布膜を有する基板を筐体内で加熱する基板加熱装置であって、
前記筐体内には、基板を載置して加熱する加熱板と基板を載置して冷却する冷却板とが並置され、
前記並置された方向に沿って、前記加熱板の上方に前記筐体における前記加熱板側の一端部に向けて一方向気流を形成するガスノズルと、
前記筐体内において上下動して、少なくとも前記加熱板と前記冷却板との間の前記基板の搬送空間を仕切ることが可能なシャッタとを有し、
前記ガスノズルの吐出部は、前記シャッタと前記加熱板との間に配置され、
前記ガスノズルと前記シャッタは、平面視で少なくとも一部が重なっている、基板加熱装置。 - 前記シャッタによる閉鎖時に、前記シャッタの先端部と近接して対向する部分の先端部は、前記シャッタの先端部を受容可能な凹部を有する、請求項１に記載の基板加熱装置。
- 前記シャッタの先端部は、前記並置された方向と直交する方向の側面視で斜め形状に成形され、
前記シャッタの先端部と近接して対向する部分の先端部は、前記シャッタによる閉鎖時に前記シャッタの先端部と適合する斜め形状に成形されている、請求項１に記載の基板加熱装置。 - 前記シャッタよりも前記冷却板側に、前記シャッタによる閉鎖時における前記シャッタの先端部と前記対向する部分の先端部との近接部分をカバーする仕切板を有し、
前記仕切板の先端部は、前記シャッタの開放時に前記加熱板と前記冷却板の間の基板の搬送を妨げない位置に位置している、請求項２または３のいずれか一項に記載の基板加熱装置。 - 前記加熱板の下方空間と、前記冷却板の下方空間と、の間を仕切る仕切壁を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
- 前記ガスノズルの吐出部から吐出されるガスは、前記筐体内において、前記加熱板からの熱によって吐出前に昇温している、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
- 前記ガスノズルに供給されたガスが前記吐出部から吐出するまでのガス流路が、前記加熱板の外周を沿うように配置されている、請求項６に記載の基板加熱装置。
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