JP7415245B2 - ピクセルアイランドを含む装置、ピクセルアイランドを含む装置の製造方法及び表示装置 - Google Patents

ピクセルアイランドを含む装置、ピクセルアイランドを含む装置の製造方法及び表示装置 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年６月２６日に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１８１０６７１７１７．７号の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
本開示は、表示技術に関し、特に、ピクセルアイランドを含む装置、ピクセルアイランドを含む装置の製造方法及び表示装置に関する。
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機電界発光ダイオード）は、低消費電力、広視野角、超薄化、高い色の飽和度及びフレキシブル化を実現可能といった強みによって段々と表示分野の主流製品となってきており、既にスマートフォン、タブレットＰＣ、ディスプレイ及びテレビ等の端末製品に広く用いられている。
ＯＬＥＤ表示基板の利点の一つは、フレキシブル化を実現できることである。ＯＬＥＤ表示基板は、ＯＬＥＤ素子をフレキシブルベースに製造することで、湾曲可能な表示デバイスを実現できる。しかし、ウェアラブル機器が日ごとに流行するにつれて、ＯＬＥＤフレキシブルパネルの引張性に対してより高い要求が出されている。ＯＬＥＤ表示基板は、ピクセル毎に単独の駆動回路を備えているため、ピクセル密度が比較的高くなるだけでなく、配線も比較的密集している。このため、引張可能型ＯＬＥＤ表示基板を実現する難易度も相対的に大きい。また、ＯＬＥＤ表示基板の湾曲性能もその影響を受けることになる。
他のタイプの表示基板にとっても、同じくこのような問題点が存在する可能性がある。
説明すべきことは、上記の背景技術部分で開示された情報は、本開示の背景の理解を強化するためのみに用いられ、従って当業者に既知の従来技術を構成しない情報を含み得る。
本開示の幾つかの実施例の目的は、装置、装置の製造方法及び表示装置を提供することにある。
本開示の他の特性及び利点は、以下の詳細な記述により明らかになるか、或いは、部分的に本開示の実践を通じて習得されることになる。
本開示の一側面によれば、装置を提供する。前記装置は、フレキシブルベースと、前記フレキシブルベース上に位置する少なくとも二つのアイランドと、少なくとも一つのアイランド間接続ラインとを含み、前記アイランドの各々は、いずれも半導体層を含み、隣接するアイランド間はグルーブにより離間され、各アイランド間接続ラインは、対応するアイランドを電気的に接続させるために用いられる。
幾つかの実施例において、前記装置は、前記グルーブに充填される有機絶縁材料を更に含む。
幾つかの実施例において、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、対応する前記グルーブの上方にジャンパー接続されるか、又は対応する前記グルーブに少なくとも部分的に収容されるように構成される。
幾つかの実施例において、前記アイランド間接続ラインは、フレキシブル材料から作られるか或いは引張に適した形状を有する。
幾つかの実施例において、前記アイランドの形状は、円形又は多角形を含み、前記多角形は、三角形、菱形、矩形のうちいずれか一種を含む。
幾つかの実施例において、前記アイランドはその中にピクセルを形成するのに適しており、前記ピクセルは、光を受信又は発信するための素子と、それに関連付けられた半導体素子とを含む。
幾つかの実施例において、前記装置は、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインと、対応するアイランドとの間に位置する絶縁層を更に含み、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、前記絶縁層に位置する孔を介して、対応するアイランドにおける部材に電気的に接続される。
幾つかの実施例において、前記絶縁層は、有機絶縁層又は無機絶縁層のうちの一種である。
幾つかの実施例において、前記アイランドは、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極とを含み、且つ前記アイランド間接続ラインは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは異なる層に位置する。
幾つかの実施例において、前記装置は、表示基板又はセンサ基板である。
幾つかの実施例において、前記アイランドの各々は、前記フレキシブルベースの上に位置するバッファ層と、前記バッファ層の上に位置する前記半導体層とを含み、前記グルーブは前記フレキシブルベースまで延在する。
幾つかの実施例において、前記アイランドの各々は、電気的接続用の部材を含み、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインの各々は、対応するアイランドの前記電気的接続用の部材に、電気的に接続され、前記アイランド間接続ラインは、前記電気的接続用の部材とは異なる層に位置する。
本開示の別の側面によれば、いずれかの実施例に係る装置を含む表示装置を更に提供する。
本開示のまた別の側面によれば、装置の製造方法を更に提供する。前記方法は、フレキシブルベース上に少なくとも二つのアイランドを形成するステップと、少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成するステップとを含み、隣接するアイランド間は、グルーブにより離間され、前記アイランドは半導体層を含み、各アイランド間接続ラインは、対応するアイランドを電気的に接続させるために用いられる。
幾つかの実施例において、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、引張可能であるように構成される。
幾つかの実施例において、前記少なくともアイランド間接続ラインは、それぞれ、対応するグルーブの上方にジャンパー接続されるか、或いは対応するグルーブに収容される。
幾つかの実施例において、前記方法は、前記少なくとも二つのアイランドを形成した後であって、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成する前に、絶縁材料で前記グルーブを充填するステップを更に含む。
幾つかの実施例において、前記絶縁材料は有機絶縁材料である。
幾つかの実施例において、前記方法は、絶縁材料で前記グルーブを充填した後であって、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成する前に、前記アイランド及び前記絶縁材料の上に、少なくとも一つの開口を含む絶縁層を形成するステップを更に含み、少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成するステップは、前記絶縁層の上に前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成するステップを含み、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、対応する開口を充填し、且つ対応するアイランドに電気的に接続される。
幾つかの実施例において、前記アイランドの各々は、電気的接続用の部材を含み、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインの各々は、対応するアイランドの前記電気的接続用の部材に電気的に接続され、前記アイランド間接続ラインは、前記電気的接続用の部材とは異なる層に位置する。
本開示の例示的実施形態に係る表示基板、表示基板の製造方法及び表示装置は、グルーブを設置することでピクセル領域を複数のピクセルアイランドに分割し、グルーブに対応して設置されたアイランド間接続ラインによって、隣接するピクセルアイランドの間の信号の導通を実現する。本開示の例示的実施形態によれば、信号の導通を確保するとともに、表示基板の引張性能及び湾曲性能を効果的に改善できる。本開示の例示的実施形態によれば、例えば、湾曲可能なＯＬＥＤ表示基板又はＣＩＭＳセンサ基板等の引張性能及び湾曲性能が向上した表示基板又はセンサ基板を実現できる。
理解すべきことは、上記の一般的な記述及び後述する詳細の記述は単に例示的及び解釈的なものであり、本開示を制限するものではない。
ここでの図面は、明細書に組み込まれて本明細書の一部を構成し、本開示に合う実施例を示し、且つ明細書と共に本開示の原理を解釈するために用いられる。以下の記述における図面は単に本開示の幾つかの実施例であり、創造的労働をしないという前提で、こられの図面に基づいて他の図面を更に得ることができることは当業者には明らかであろう。
本開示の例示的な一実施例に係る表示基板を模式的に示す平面図である。 本開示の例示的な一実施例に係る表示基板の構造を模式的に示す模式図である。 本開示の例示的な一実施例に係るアイランド間接続ラインの形状を模式的に示す模式図である。 本開示の別の例示的実施例に係るアイランド間接続ラインの形状を模式的に示す模式図である。 本開示のまた別の例示的実施例に係るアイランド間接続ラインの形状を模式的に示す模式図である。 本開示の例示的な一実施例に係る表示基板の構造を模式的に示す模式図である。 本開示の例示的な一実施例に係る薄膜トランジスタの構造を模式的に示す模式図である。 本開示の例示的な一実施例に係る表示基板の製造方法を模式的に示すフローチャートである。 本開示の例示的な一実施例に係る表示基板の製造過程を模式的に示す模式図である。 本開示の例示的な一実施例に係る表示基板の製造過程を模式的に示す模式図である。 本開示の例示的な一実施例に係る表示基板の製造過程を模式的に示す模式図である。 それぞれ本開示の実施例に係る装置の製造方法を示すフローチャートである。 それぞれ本開示の実施例に係る装置の製造方法を示すフローチャートである。
これから、図面を参考しながら例示的実施形態をより全面的に記述する。然しながら、例示的実施形態は多様な形態で実施でき、本明細書で述べられる範例に限られると理解すべきではない。逆に、これらの実施形態を提供するのは、本開示をより全面的且つ完全なものにし、例示的実施形態の構想を全面的に当業者に伝えるためのものである。記述される特徴、構造又は特性は任意の適切な方式により一つ又は複数の実施形態に結び付けることができる。
また、図面は単に本開示の実施例の模式的な図示であり、必ずしも縮尺通りに描かれているものではない。図面中、同様の又は類似した符号は同様の又は類似した部分を表すため、それらに対する繰り返し説明は省略することにする。
本開示の例示的な一実施形態によれば、装置を提供する。前記装置は、フレキシブルベースと、前記フレキシブルベースに位置する少なくとも二つのアイランドと、少なくとも一つのアイランド間接続ラインとを含み、隣接するアイランドの間はグルーブにより離間され、各アイランド間接続ラインは、対応するアイランドを導通させるために用いられて良い。幾つかの実現形態において、前記アイランドは半導体層を含んで良い。幾つかの実現形態において、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、引張可能であるように構成されて良い。
後述する一部の説明において、表示基板を例として説明し、アイランドをピクセルアイランドと称する。理解すべきことは、本開示に記載の装置は、表示基板に限られず、例えば、センサ基板として用いられても良い。また、さらに理解すべきことは、本明細書で記述される表示基板は湾曲可能なＯＬＥＤディスプレイに適用できるが、これに限られない。
図１に示すように、装置（例えば、表示基板）は、フレキシブルベース１０と、フレキシブルベース１０上に位置する複数のピクセルアイランド２０と、隣接するピクセルアイランド２０の間に位置するグルーブ３０と、隣接するピクセルアイランド２０を導通させるためのアイランド間接続ライン４０とを含んで良い。図２は、図１に示された装置の一部の断面図を模式的に示す。
本開示の幾つかの実施例において、前記ピクセルアイランドは、その中にピクセルを形成するのに適している。ピクセルは、光を受信又は発信するための素子（例えば、発光ダイオード又はフォトダイオード等）と、前記光を受信又は発信するための素子に関連付けられた半導体素子（例えば、スイッチング素子、コンデンサ等があるが、これらに限定されない）とを含んで良い。異なる実施例において、ピクセルは光を受信又は発信するように構成されて良い。幾つかの実施例において、ピクセルは、例えば、赤色用のサブピクセル、青色用のサブピクセル、緑色用のサブピクセル等の一つ又は複数のサブピクセルを含んで良い。表示基板の場合、ピクセル又はサブピクセルは、例えば、発光ダイオードを含んで良い。センサ基板の場合、ピクセル又はサブピクセルは、例えば、フォトダイオードを含んで良い。理解すべきことは、本開示は、これらの場合に限られない。
図２に示すように、前記ピクセルアイランド２０には薄膜トランジスタ２００が設けられていて良い。前記ピクセルアイランド２０には、電気的接続用の部材（例えば、薄膜トランジスタ２００又は他の電子素子に電気的に接続される部材（例えば、端子、ドーピングされた活性領域、金属配線又はポリシリコン配線等があるが、これらに限定されない）が更に設けられていて良い。前記電気的接続用の部材は、内部の電気的接続に用いられて良い。前記電気的接続用の部材は、更に、例えば、走査信号、データ信号、及び／又は電源等の信号又は電力を載せるために用いられて良い。理解すべきことは、アイランド内の各種の信号ラインの接続方式は、必要に応じて各種の既知の又は将来開発される接続方式を採用して良い。
アイランド間接続ライン４０は、対応するピクセルアイランドを導通させるために用いられて良い。例えば、図２に示すように、アイランド間接続ライン４０は、隣接するピクセルアイランド２０の電気的接続部材（例えば、信号ライン）を電気的に接続させて、隣接するピクセルアイランド２０間の信号の導通を実現する。図２に示す例において、アイランド間接続ライン４０は、例えば、隣接するピクセルアイランド２０の走査信号ラインを電気的に接続させる第一アイランド間接続ライン、隣接するピクセルアイランド２０のデータ信号ラインを電気的に接続させる第二アイランド間接続ライン、及び／又は隣接するピクセルアイランド２０の電源信号ラインを電気的に接続させる第三アイランド間接続ライン等を含んで良い。
幾つかの実施例において、ピクセルアイランド２０は、少なくとも一つのピクセルユニットを含んで良い。幾つかの実施形態において、ピクセルアイランド２０は、ピクセルの群を含んで良い。本開示の幾つかの実施例において、ピクセルは、例えば、赤色用のサブピクセル、青色用のサブピクセル、緑色用のサブピクセル等の幾つかのサブピクセルを含んで良い。隣接するピクセルアイランドのそれぞれのピクセル（又はサブピクセル）の群の間の信号の導通は、アイランド間接続ライン４０を介して実現できる。
以下、アイランド間接続ライン４０が、隣接するピクセルアイランド２０の走査信号ラインを接続させる場合を例として説明する。一つのピクセルアイランド２０内に複数のピクセルが含まれ、当該複数のピクセルにおける薄膜トランジスタ（例えば、制御トランジスタ）は、いずれも走査信号ラインに電気的に接続されて良い。隣接するピクセルアイランド２０はグルーブ３００により仕切られるように設置されているため、隣接するピクセルアイランド２０のそれぞれの走査信号ラインは互いに独立している。当該隣接するピクセルアイランド２０の二つの走査信号ラインの両方に電気的に接続されたアイランド間接続ライン４０を設置することで、隣接するピクセルアイランド２０の信号の導通を実現できる。
制御トランジスタのゲート電極は、対応するアイランド内の走査信号ラインに電気的に接続されるため、両者は製造過程において同じパターニング工程を通じて一体構造に形成できる。このため、この場合、アイランド間接続ライン４０により隣接するピクセルアイランド２０における走査信号ラインを電気的に接続する際、アイランド間接続ライン４０により隣接するピクセルアイランド２０における制御トランジスタのゲート電極を電気的に接続させる方式で実現できる。
理解すべきことは、図２は各々のピクセルアイランド２０に一つのピクセル（又はサブピクセル）が含まれる場合を例として図示したものであるが、実際の生産においては、各々のピクセルアイランド２０に二つ又は複数のピクセル（又はサブピクセル）が含まれて良い。このため、本開示が図示された実施例に限られないことは明らかである。また、アイランド間接続ライン４０と隣接するピクセルアイランド２０上の他の電気的接続部材（例えば、データ信号ライン又は他の信号ライン）との電気的接続方式は、上記の走査信号ラインの電気的接続方式に類似しているため、ここでは絮説しないことにする。
本開示の例示的実施形態が提供する表示基板は、グルーブ３０を設置することでピクセル領域を複数のピクセルアイランド２０に分割し、グルーブ３０に対応して設置されるアイランド間接続ライン４０により、隣接するピクセルアイランド２０間の信号の導通を実現する。本開示の実施例によれば、信号の導通を確保しながら、表示基板の引張性能及び湾曲性能を効果的に改善でき、よって改善された表示基板を実現できる。
幾つかの実現形態において、前記アイランド間接続ライン４０は、グルーブ３０に収容されるか或いはグルーブ３０の上方にジャンパー接続されて良い。各々のピクセルアイランド２０内の信号ラインは正常の配線方式を採用して配置される。幾つかの実施例において、隣接するピクセルアイランド２０間の信号ラインであるアイランド間接続ライン４０は、グルーブ３０に部分的に設置されて良い。この場合、用途の違いにより、アイランド間接続ライン４０をピクセルアイランドの望まれない部材から電気的に離間させて、望まれない電気的接続を回避するようにして良い。別の実施例において、アイランド間接続ライン４０は、グルーブ３０を跨って進むように設置されて良く、よって隣接する二つのピクセルアイランド２０の信号ラインの導通を実現できる。
説明すべきことは、図２はアイランド間接続ライン４０がグルーブ３０の上方にジャンパー接続される場合を例として説明したが、当業者にとっては、本開示に基づいて、アイランド間接続ライン４０が少なくとも部分的にグルーブ３０に収容される形態は明らかであるため、ここでは絮説しないことにする。
また、図２に示すように、グルーブ３０に有機絶縁材料のような絶縁材料３００が充填されていて良い。
以下、前述の表示基板がＯＬＥＤディスプレイに適用される場合において、走査信号を例として信号のローディング形態を例示的に説明する。具体的な一実現形態において、ＯＬＥＤディスプレイが作動している時、走査信号は、カスケード接続されたＧＯＡユニットを介して、各行のピクセル（又はサブピクセル）に対応する走査信号ラインに、逐次的にローディングすることができる。各段の走査信号にとって言えば、一方では、ピクセルアイランド２０内の同一行のピクセルは同一アイランド内の走査信号ラインに接続される。他方では、ピクセルアイランド２０間は、アイランド間接続ライン４０を介して、隣接する二つのピクセルアイランド２０のアイランド内の走査信号ラインに、ジャンパー接続の形で電気的に接続されることにより、ピクセルアイランド２０間の走査信号用の接続が提供されて良い。このように、走査信号は、一つのピクセルアイランド２０からアイランド間接続ライン４０を介してさらに別のピクセルアイランド２０に伝送され、再び上記の方式に従って、当該別のピクセルアイランドから次のピクセルアイランドに伝送され、全てのターゲットピクセルアイランドに至るまで伝送されることにより、本段の走査信号のローディングが完了する。
本例示的実施形態において、前記ピクセルアイランド２０の形状は、円形、或いは、例えば、三角形、菱形、矩形等の多角形のうちいずれか一種を含んで良く、本開示はこれらに限られない。
本例示的実施形態において、前記アイランド間接続ライン４０は、例えば、フレキシブル材料から作られた導線及び／又は引張に適した形状を有する導線（例えば、導線は湾曲形状を有して良い）のような引張可能な導線を採用して良い。選択的に、前記アイランド間接続ライン４０は、例えば、銀ナノワイヤ、カーボンナノチューブ又は有機導電材料等のフレキシブル材料から形成された導線のようなフレキシブル導線を採用して良い。当該フレキシブル導線は、良好な引張性能を持ち、表示基板の湾曲時に配線ルートの効果的な接続を確保できる。
選択的に、前記アイランド間接続ライン４０は、例えば、図３に示す馬蹄形、図４に示す波形、又は図５に示す鋸歯形のような曲線形又は折れ線形の導線を採用しても良く、当該導線は、金属導線であって良い。金属導線の引張可能な特性はフレキシブル導線に及ばないので、金属導線を直線形構造に設置すると、表示基板の全体的な引張性能に影響する。このため、ここでは、金属導線を曲線形構造又は折れ線形構造に設置することで、金属導線の引張性能を改善でき、これにより、表示基板が湾曲する際に配線の効果的な接続を確保する。選択的に、折れ線形は、湾曲箇所で一定の曲率を持つように構成されて良い。
説明すべきことは、上記の二つの実施形態は、単独で或いは組み合わせて使用しても良い。即ち、アイランド間接続ライン４０は、直線形のフレキシブル導線、曲線形／折れ線形の金属導線、或いは曲線形／折れ線形のフレキシブル導線を採用して良い。アイランド間接続ライン４０が引張可能な特性を有するものであれば、アイランド間接続ラインに対して特に制限はない。
本例示的実施形態において、図６に示すように、前記表示基板は、ベース基板１０の上方に位置するバッファ層５０と、アイランド間接続ライン４０のベース基板１０に近接する側に位置する絶縁層６０とを更に含んで良い。図６に示すように、絶縁層６０は、アイランド間接続ラインと、対応するアイランドとの間に位置して良い。アイランド間接続ライン４０は、例えば、前記絶縁層に位置する孔を介して、対応するアイランドにおける部材に電気的に接続されて良い。例えば、当該アイランド間接続ライン４０は、絶縁層６０に位置する第一孔６００を介して薄膜トランジスタ２００のゲート電極に電気的に接続されて良い。
一実施例において、当該絶縁層６０は有機絶縁層であって良い。この場合、グルーブ３０は、フレキシブルベース１０と当該絶縁層６０の間の膜層を貫通して良い。幾つかの実施例において、グルーブ３０は、フレキシブルベース１０まで延在するように構成されて良い。有機材料は良好な引張性能を持つため、当該絶縁層６０を有機絶縁層として設計するのは、表示基板の引張性能を向上させるのに有利である。
別の実施例において、当該絶縁層６０は無機絶縁層であっても良い。この場合、グルーブ３０はフレキシブルベース１０とアイランド間接続ライン４０の間の膜層を貫通して良い。無機材料の引張性能は有機材料に及ばないため、本実施例では、グルーブ３０を当該無機絶縁層も貫通するように配置して良く、これにより、表示基板の引張性能を向上させるのに有利になる。
更に、前記表示基板は、グルーブ３０に充填された有機絶縁材料３００を更に含んで良い。当該有機絶縁材料３００の底部はフレキシブルベース１０と接触して良く、当該有機絶縁材料３００の上部は絶縁層６０と接触し、ひいては、当該絶縁層６００を穿通して良い。有機絶縁材料３００は良好な引張可能な特性を持つため、表示基板全体の引張性能に寄与する。
幾つかの実施例において、例えば、露光現像ステップによりグルーブ３０内の他の材料を除去し、弾力性のある有機絶縁材料３００だけを残し、グルーブ３０に深溝を形成して、アイランド間接続ラインが始終グルーブ３０における深溝内に保持されるようにして良い。
例示的に、図７に示すように、前記薄膜トランジスタ２００は、バッファ層５０上に位置する半導体活性層２０１と、半導体活性層２０１上に位置するゲート絶縁層２０２と、ゲート絶縁層２０２の上方に位置するゲート電極２０３と、ゲート電極２０３の上方に位置する層間絶縁層２０４と、ソース電極２０７と、ドレイン電極２０８とを含んで良い。ソース電極２０７及びドレイン電極２０８は、第二孔２０５及び第三孔２０６を介してそれぞれ半導体活性層２０１に電気的に接続される。前記アイランド間接続ライン４０は、層間絶縁層２０４のフレキシブルベース１０から遠い側に位置し、且つソース電極２０７及びドレイン電極２０８とは異なる層に位置する。
本例示的実施形態が提供する表示基板において、ピクセル領域を複数のピクセルアイランド２０に分割しても良い。ピクセルアイランド２０内では正常に配線する。ピクセルアイランド２０間において、ソース・ドレイン金属層を形成してからアイランド間接続ライン４０を設置する。本開示の実施例によれば、良好な引張可能な性能を得ることができ、配線のレイアウトに便利である。
説明すべきことは、本例示的実施形態が提供する表示基板は、図２に記載のシングルゲート・トランジスタ構造或いはダブルゲート・トランジスタ構造を採用して良い。理解すべきことは、本開示は、ここで記述される或いは図面に示される実施例に限られない。
本開示の例示的実施形態によれば、装置（例えば、表示基板）の製造方法を更に提供する。図８に示すように、当該製造方法は下記のステップを含んで良い。
ステップＳ１：フレキシブルベース１０上に、複数のピクセルアイランド２０と、隣接するピクセルアイランド２０間に位置するグルーブ３０とを形成する。前記ピクセルアイランド２０内には、薄膜トランジスタ２００と、薄膜トランジスタ２００に電気的に接続された信号ラインとが設けられている。
ステップＳ２：グルーブ３０に対応する位置に、隣接するピクセルアイランド２０を導通させるためのアイランド間接続ライン４０を形成する。前記アイランド間接続ライン４０は、隣接するピクセルアイランド２０の信号ラインを電気的に接続する。
本開示の例示的実施形態が提供する表示基板の製造方法によれば、グルーブ３０を設置して、ピクセル領域を複数のピクセルアイランド２０に分割し、アイランド間接続ライン４０によって、隣接するピクセルアイランド２０間の信号の導通を実現する。本開示の実施例によれば、信号の導通を確保しながら、表示基板の引張性能及び湾曲性能を効果的に改善でき、これにより、湾曲可能な表示基板を実現できる。
以下、薄膜トランジスタを含む表示パネルを例とし、図面と合わせて装置の製造方法を例示的に記述する。
まず、図９に示すものを参考にして、フレキシブルベース１０に構造体を形成する。前記構造体は、バッファ層５０と、選択可能である薄膜トランジスタ２００の遮光層（不図示）と、半導体活性層２０１と、ゲート絶縁層２０２と、ゲート電極２０３と、層間絶縁層２０４とを順に含んで良い。幾つかの実施例において、前記構造体は、例えば、信号ラインのような電気的接続部材を更に含んで良い。前記構造体に対して言えば、予め設計したアイランド２０の分布を基に設計を行って良い。形成されるピクセルアイランド２０に対応する領域内に対して言えば、信号ライン（存在する場合）は正常に配線されて良く、形成されるピクセルアイランド２０間の対応するグルーブ３０領域には、信号ラインのような電気的接続部材を形成しない。即ち、当該電気的接続部材は、アイランド内（又は局部）の接続部材である。
そして、図１０に示すものを参考にして、当該構造体にグルーブ３０を形成する。前記グルーブ３０は、層間絶縁層２０４、ゲート絶縁層２０２及びバッファ層５０を貫通して、各々のピクセルアイランド２０を分割する。グルーブ３０を形成するとともに（しかし、必ずしも同時とは限定されない）、層間絶縁層２０４及びゲート絶縁層２０２に、孔２０５及び孔２０６を形成して良い。孔２０５及び孔２０６は、薄膜トランジスタ２００のソース電極２０７及びドレイン電極２０８の製造に用いられて良い。幾つかの実施例において、グルーブ３０の底部は、フレキシブルベースに近接するように構成されても良い（即ち、バッファ層５０（存在する場合）中のフレキシブルベースに接近した箇所にしか到達しない）。幾つかのさらなる実施例において、グルーブ３０は、フレキシブルベース１０まで延在（ひいては、フレキシブルベース１０に侵入）するように形成されて良い。このように、表示基板の湾曲性能を向上させるのにより有利となる。
グルーブ３０を形成するとともに、構造体（或いは、対応するアイランド）に開口２０５及び２０６を形成しても良い。開口２０５及び開口２０６は、例えば、その中に活性層に接続するソース電極及びドレイン電極又は接触部材を形成するために用いられて良い。理解すべきことは、本開示はこれに限られない。
次に、図１１に示すものを参考にして、グルーブ３０に、例えば、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）又はポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ、ＰＤＭＳ)等の有機絶縁材料３００が充填される。有機絶縁材料３００は、良好な引張性能を持ち且つフォトエッチング及びパターニング工程により処理可能な材料を採用するのが好ましい。その後、第二孔２０５及び第三孔２０６中にそれぞれソース電極２０７及びドレイン電極２０８を形成する。これにより、ピクセルアイランド２０中の、例えば、トランジスタ２００の基本構造を形成することができる。説明すべきことは、他の実施例において、まずグルーブ３０を形成し、その中に有機絶縁材料３００を充填してから、その後に第二孔２０５及び第三孔２０６を形成し、それらにソース電極２０７及びドレイン電極２０８を形成しても良く、その逆も可能である。例えば、他の実施例において、まず第二孔２０５及び第三孔２０６を形成し、それらにソース電極２０７及びドレイン電極２０８を形成した後、グルーブ３０を形成し、それに有機絶縁材料３００を充填しても良い。
再び図２を参考にして、ピクセルアイランド２０の上方に絶縁層６０（例えば、有機絶縁層）を形成する。当該絶縁層６０には、少なくとも一つの開口（例えば、孔６００）が形成されていて良い。その後、有機絶縁層６０の上方にアイランド間接続ライン４０を形成する。アイランド間接続ライン４０は、当該開口６００を介して薄膜トランジスタ２００（例えば、その電極）に電気的に接続されて良い。アイランド間接続ライン４０は（以下に限定されるわけではないが、例えば）、走査信号ラインに電気的に接続された第一アイランド間接続ライン、データ信号ラインに電気的に接続された第二アイランド間接続ライン、及び／又は、電源信号ラインに電気的接続された第三アイランド間接続ライン等を含んで良い。当該アイランド間接続ライン４０によって、隣接するピクセルアイランド２０間の信号の導通を実現できる。
本開示の幾つかの実施例によれば、装置の製造方法を更に提供する。如１２Ａに示すように、前記方法は、下記のステップを含んで良い。ステップＳ６０１において、フレキシブルベース上に少なくとも二つのアイランドを形成する。隣接するアイランド間はグルーブにより離間され、前記アイランドは半導体層を含む。ステップＳ６０７において、少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成する。各アイランド間接続ラインは、対応するアイランドを電気的に接続するために用いられる。前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、引張可能であるように構成される。
幾つかの実現形態において、前記少なくともアイランド間接続ラインは、それぞれ、対応するグルーブの上方にジャンパー接続されるか、或いは対応するグルーブに収容される。
本開示の幾つかの実施例によれば、装置の製造方法を更に提供する。図１２Ｂに示すように、前記方法は、下記のようなステップを含んで良い。ステップＳ６０１において、フレキシブルベースに少なくとも二つのアイランドを形成する。隣接するアイランド間はグルーブにより離間され、前記アイランドは半導体層を含む。ステップＳ６０３において、絶縁材料で前記グルーブを充填する。前記絶縁材料は、例えば、有機絶縁材料であって良い。ステップＳ６０５において、前記アイランド及び前記絶縁材料上に、少なくとも一つの開口を含む絶縁層を形成する。ステップＳ６０７において、前記絶縁層の上に前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成する。前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、対応する開口を充填し且つ対応するアイランドに電気的に接続される。
幾つかの実現形態において、前記アイランドの各々は、電気的接続用の部材を含み、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインの各々は、対応するアイランドの前記電気的接続用の部材に電気的に接続される。前記アイランド間接続ラインは、前記電気的接続用の部材とは異なる層に位置して良い。
本開示の幾つかの例示的実施形態によれば、上記の装置（例えば、表示基板）を含む表示装置を更に提供する。当該表示装置は、良好な引張性能を有し、フレキシブル表示デバイスに適用でき、特にウェアラブル機器に適用される。
注意すべきことは、図面において特定の順序で本開示に係る方法の各々のステップを記述したが、これは、必ずしも当該特定の順序に従ってこれらのステップを実行すること、或いは、必ずしも全ての示されたステップを実行して初めて所望の結果を達成できることを要求又は暗示するものではない。付加的な実施形態又は代替的な実施形態として、幾らかのステップを省略するか、複数のステップを一つのステップとしてまとめて実行するか、及び／又は一つのステップを複数のステップに分けて実行して良い。
当業者であれば、明細書を考慮し且つ本明細書で開示されて発明を実践した後、本開示の他の実施例を容易に想到することができる。本出願は、本開示のいかなる変形、用途又は適応的変化を包含することを意図し、これらの変形、用途又は適応的変化は本開示的一般原理に従い、本開示で開示されていない本技術分野における周知の知識又は慣用技術手段を含む。明細書及び実施例は例示的なものとしてのみ見なされ、本開示の真の範囲及び精神は請求項により示される。
理解すべきことは、本開示は、既に前述され且つ図面に示された精確な構造に限られず、且つ、その範囲を逸脱しない範囲で各種の修正及び変更を行うことができる。本開示の範囲は、添付された請求項のみにより限定される。

Claims (19)

  1. 装置であって、
    フレキシブルベースと、
    前記フレキシブルベース上に位置する少なくとも二つのアイランドと、
    少なくとも一つのアイランド間接続ラインと、
    前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインと、対応するアイランドとの間に位置する絶縁層と、
    を含み、
    前記アイランドの各々は、いずれも半導体層を含み、隣接するアイランド間はグルーブにより離間され、
    各アイランド間接続ラインは、対応するアイランドを電気的に接続させるために用いられ、
    アイランド間接続ラインは、隣接するピクセルアイランドの走査信号ラインを電気的に接続させる第一アイランド間接続ライン、隣接するピクセルアイランドのデータ信号ラインを電気的に接続させる第二アイランド間接続ライン、及び隣接するピクセルアイランドの電源信号ラインを電気的に接続させる第三アイランド間接続ラインのうちの何れか１種以上を含み、
    前記アイランドは、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極とを含み、且つ前記アイランド間接続ラインにおける前記絶縁層の表面に位置する部分全体は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは異なる層に位置する、装置。
  2. 前記グルーブに充填される有機絶縁材料を更に含む、請求項１に記載の装置。
  3. 前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、
    対応する前記グルーブの上方にジャンパー接続されるか、又は対応する前記グルーブに少なくとも部分的に収容されるように構成される、請求項１に記載の装置。
  4. 前記アイランド間接続ラインは、フレキシブル材料から作られるか或いは引張に適した形状を有する、請求項１に記載の装置。
  5. 前記アイランドの形状は、円形又は多角形を含み、前記多角形は、三角形、菱形、矩形のうちいずれか一種を含む、請求項１に記載の装置。
  6. 前記アイランドはその中にピクセルを形成するのに適しており、前記ピクセルは、光を受信又は発信するための素子と、それに関連付けられた半導体素子とを含む、請求項１に記載の装置。
  7. 前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、前記絶縁層に位置する孔を介して、対応するアイランドにおける部材に電気的に接続される、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の装置。
  8. 前記絶縁層は、有機絶縁層又は無機絶縁層のうちの一種である、請求項７に記載の装置。
  9. 表示基板又はセンサ基板である、請求項１に記載の装置。
  10. 前記アイランドの各々は、
    前記フレキシブルベースの上に位置するバッファ層と、
    前記バッファ層の上に位置する前記半導体層と
    を含み、
    前記グルーブは前記フレキシブルベースまで延在する、請求項１に記載の装置。
  11. 前記アイランドの各々は、電気的接続用の部材を含み、
    前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、対応するアイランドの前記電気的接続用の部材に電気的に接続されたアイランド間接続ラインをさらに含み、
    対応するアイランドの前記電気的接続用の部材に電気的に接続されたアイランド間接続ラインは、前記電気的接続用の部材とは異なる層に位置する、請求項１に記載の装置。
  12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の装置を含む表示装置。
  13. 装置の製造方法であって、
    フレキシブルベース上に少なくとも二つのアイランドを形成するステップと、
    前記アイランドの上に絶縁層を形成するステップと、
    少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成するステップと
    を含み、
    隣接するアイランド間は、グルーブにより離間され、前記アイランドは半導体層を含み、各アイランド間接続ラインは、対応するアイランドを電気的に接続させるために用いられ、
    アイランド間接続ラインは、隣接するピクセルアイランドの走査信号ラインを電気的に接続させる第一アイランド間接続ライン、隣接するピクセルアイランドのデータ信号ラインを電気的に接続させる第二アイランド間接続ライン、及び隣接するピクセルアイランドの電源信号ラインを電気的に接続させる第三アイランド間接続ラインのうちの何れか１種以上を含み、
    前記アイランドは、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極とを含み、且つ前記アイランド間接続ラインにおける前記絶縁層の表面に位置する部分全体は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは異なる層に位置する方法。
  14. 前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、引張可能であるように構成される、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記少なくともアイランド間接続ラインは、それぞれ、対応するグルーブの上方にジャンパー接続されるか、或いは対応するグルーブに収容される請求項１３に記載の方法。
  16. 前記少なくとも二つのアイランドを形成した後であって、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成する前に、絶縁材料で前記グルーブを充填するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
  17. 前記絶縁材料は有機絶縁材料である、請求項１６に記載の方法。
  18. 絶縁材料で前記グルーブを充填した後であって、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成する前に、前記アイランド及び前記絶縁材料の上に、少なくとも一つの開口を含む前記絶縁層を形成し、
    少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成するステップは、
    前記絶縁層の上に、前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインを形成するステップを含み、
    前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、対応する開口を充填し、且つ対応するアイランドに電気的に接続される、請求項１６に記載の方法。
  19. 前記アイランドの各々は、電気的接続用の部材を含み、
    前記少なくとも一つのアイランド間接続ラインは、対応するアイランドの前記電気的接続用の部材に電気的に接続されたアイランド間接続ラインをさらに含み、
    対応するアイランドの前記電気的接続用の部材に電気的に接続されたアイランド間接続ラインは、前記電気的接続用の部材とは異なる層に位置する、請求項１３に記載の方法。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108878486A (zh) * 2018-06-26 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109599402B (zh) * 2018-12-03 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN111326067B (zh) * 2018-12-13 2022-01-28 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN111326607B (zh) * 2018-12-14 2021-05-25 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 可拉伸显示面板及其制备方法、可拉伸显示装置
CN109830503A (zh) * 2019-01-08 2019-05-31 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板
CN109830505A (zh) * 2019-01-08 2019-05-31 昆山国显光电有限公司 一种显示基板和显示装置
CN109742119A (zh) * 2019-01-08 2019-05-10 云谷（固安）科技有限公司 可拉伸显示器件及其制备方法
CN109830510B (zh) * 2019-01-09 2021-03-16 云谷（固安）科技有限公司 可拉伸显示面板及显示装置
CN109830509A (zh) * 2019-01-09 2019-05-31 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示基板及其制备方法
CN109860119B (zh) * 2019-01-10 2020-11-24 云谷（固安）科技有限公司 显示屏体及显示装置
CN109904338B (zh) * 2019-01-10 2021-09-03 云谷（固安）科技有限公司 显示屏体及显示装置
CN109923676B (zh) * 2019-02-02 2022-12-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示控制方法
CN111627325B (zh) * 2019-02-27 2022-05-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板母板、显示面板及显示面板的制备方法
CN111681546B (zh) * 2019-07-26 2022-02-08 友达光电股份有限公司 元件阵列基板以及显示装置
CN110459571B (zh) * 2019-08-19 2022-01-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、电致发光显示装置和阵列基板的制作方法
US11281046B2 (en) * 2020-03-17 2022-03-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Backlight module, manufacturing method thereof, and display device
CN113966550A (zh) * 2020-03-18 2022-01-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111583793B (zh) * 2020-05-12 2021-09-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示屏
CN111799280A (zh) * 2020-07-20 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113870695B (zh) * 2020-08-21 2024-01-26 友达光电股份有限公司 可拉伸显示器
CN112542092B (zh) * 2020-12-08 2023-05-26 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN113193010A (zh) * 2021-04-07 2021-07-30 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、oled显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046385A (ja) 2013-08-01 2015-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2015062059A (ja) 2013-08-20 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20180097199A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Lg Display Co., Ltd. Flexible display
CN107994052A (zh) 2016-10-26 2018-05-04 三星显示有限公司 显示装置
US20180145125A1 (en) 2016-11-18 2018-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN108183126A (zh) 2017-12-31 2018-06-19 深圳市华星光电技术有限公司 一种弹性显示面板制作方法、弹性显示面板及其显示器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242398B2 (en) * 2002-02-18 2007-07-10 Ignis Innovation Inc. Flexible display device
US7452786B2 (en) * 2004-06-29 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
KR102059167B1 (ko) * 2013-07-30 2020-02-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
CN104576693B (zh) * 2014-12-08 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制造方法
KR20180033375A (ko) * 2016-09-23 2018-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180034781A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108878486A (zh) 2018-06-26 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046385A (ja) 2013-08-01 2015-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2015062059A (ja) 2013-08-20 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20180097199A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Lg Display Co., Ltd. Flexible display
CN107994052A (zh) 2016-10-26 2018-05-04 三星显示有限公司 显示装置
US20180145125A1 (en) 2016-11-18 2018-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN108183126A (zh) 2017-12-31 2018-06-19 深圳市华星光电技术有限公司 一种弹性显示面板制作方法、弹性显示面板及其显示器

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