JP7410872B2 - セラミックス-銅複合体、セラミックス-銅複合体の製造方法、セラミックス回路基板およびパワーモジュール - Google Patents
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- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
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- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
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Description
近年、パワーモジュールの高出力化や高集積化に伴い、パワーモジュールからの発熱量は増加の一途をたどっている。この発熱を効率よく放散させるため、高絶縁性と高熱伝導性を有する窒化アルミニウム焼結体や窒化珪素焼結体のセラミックス材料が使用される傾向にある。
しかし、最近は、「-55℃での冷却15分、室温での保持15分及び175℃における加熱を15分、室温での保持15分とする昇温/降温サイクルを1サイクル」とする、より厳しい熱サイクル試験により、パワーモジュールの耐久性を評価するように変わってきている。
このような、より厳しくなった熱サイクルテストの条件においては、従来のセラミックス-金属複合体(例えば上述の特許文献に記載のもの)では、十分な応力緩和/クラック低減等の効果が得られない可能性がある。
本発明は以下のとおりである。
セラミックス層と、銅層と、前記セラミックス層と前記銅層の間に存在するろう材層とを備えた、平板状のセラミックス-銅複合体であって、
当該セラミックス-銅複合体を、その主面に垂直な面で切断したときの切断面における、長辺方向の長さ1700μmの領域を領域Pとしたとき、
前記領域Pにおける、前記セラミックス層と前記ろう材層との界面から前記銅層側に50μm以内の領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1が、30μm以上100μm以下である、セラミックス-銅複合体。
1.に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P全体における銅結晶の平均結晶粒径をD2としたとき、
D2/D1の値が0.5以上2.0以下である、セラミックス-銅複合体。
1.または2.に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶中には、粒径350μmを超える結晶が含まれない、セラミックス-銅複合体。
1.から3.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記切断面において、前記領域Pとは異なる、長辺方向の長さ1700μmの領域を領域P'としたとき、
前記領域P'における、前記セラミックス層と前記ろう材層との界面から前記銅層側に50μm以内の領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1'が、30μm以上100μm以下である、セラミックス-銅複合体。
4.に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶中には、粒径350μmを超える結晶が含まれない、セラミックス-銅複合体。
1.から5.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記銅層は圧延銅板により構成される、セラミックス-銅複合体。
1.から6.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記ろう材層が、Ag、CuおよびTiと、Snおよび/またはInとを含む、セラミックス-銅複合体。
1.から7.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体の製造方法であって、
真空下または不活性ガス雰囲気下で、770℃以上830℃以下の温度での10分以上60分以下の加熱により、セラミックス板と銅板とを、ろう材で接合する接合工程を含み、
前記ろう材は、Agが85.0質量部以上95.0質量部以下、Cuが5.0質量部以上13.0質量部以下、Tiが1.5質量部以上5.0質量部以下、SnおよびInの合計量が0.4質量部以上3.5質量部以下からなる、セラミックス-銅複合体の製造方法。
1.から7.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体の、少なくとも前記銅層の一部が除去されて回路が形成された、セラミックス回路基板。
9.のセラミックス回路基板が搭載されたパワーモジュール。
すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、(i)同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その1つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合や、(ii)特に図2以降において、図1と同様の構成要素に改めては符号を付さない場合がある。
すべての図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応するものではない。特に、図に示されている各部の縦横の寸法は、縦方向または横方向に誇張されている場合がある。
図1(A)は、本実施形態のセラミックス-銅複合体(複合体)を模式的に示した図である。
複合体は、平板状である。
複合体は、少なくとも、セラミックス層1と、銅層2と、それら二層の間に存在するろう材層3とを備える。別の言い方としては、セラミックス層1と銅層2とは、ろう材層3により接合されている。
切断面αは、例えば、平板状の複合体の重心を通るように設定することができる。
また、領域Pにおいて、セラミックス層1とろう材層3との間の界面を基準として、その界面から銅層2の側に50μm以内の領域を、領域P1とする。
このため、厳しい条件の熱サイクル試験を経てもクラックが発生しにくくなっていると考えられる。
本発明者らの知見によると、適切な銅材料を選択しないと、平均結晶粒径D1を30μm以上100μm以下とすることは難しい。
図2は、領域Pの一部を拡大し、かつ、領域Pに含まれる銅の結晶粒界を示した模式的な図である。図2の一番下に引かれている実線l1が、セラミックス層1とろう材層3との間の界面である。そして、その実線l1から上側に50μm以内の領域(実線l1とl2とで挟まれた領域)が、領域P1である。
本実施形態においては、領域P1内に全てが位置する(領域P1外にはみ出していない)銅結晶に加え、「*」印が付された銅結晶すなわち「領域P1に一部(全部ではない)が存在する銅結晶」も、粒径の測定対象に含める。そして、その測定結果に基づき、平均結晶粒径D1を算出する。
前述のように、領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶の「平均結晶粒径D1」が30μm以上100μm以下であることでクラック等を低減することができる。
このように「平均結晶粒径」が適度に小さいだけでなく、領域P1に粗大な銅結晶が含まれないことにより、クラック低減効果を一層高めうる。
このように粗大な銅粒子が含まれないことにより、粒界すべりしにくく応力緩和されにくい部分が減少する。よって、一層、厳しい条件の熱サイクル試験を経てもクラックが発生しにくくなると考えられる。
領域P内または領域P1内にある銅結晶の粒径の下限値は、例えば5μm程度である。別の言い方としては、後述のEBSD法による測定限界と同程度かそれ以下の小さな粒径の銅結晶が、領域P内または領域P1内に含まれていることが好ましい。
領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1が適切な数値であることに加え、領域P全体における銅結晶の平均結晶粒径D2についても適切な数値であることが好ましい。
D2/D1の値が上記数値範囲であることは、領域Pに含まれる銅結晶の平均結晶粒径と、領域P1中に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径が同程度であることを意味する。換言すると、銅層2全体として「平均結晶粒径に偏りが無い」ということができる。これにより、銅層2全体として応力を均一に吸収しやすくなり、クラックの一層の低減が図られると考えられる。ちなみに、詳細は不明であるが、D2/D1の値が1.0以上1.5以下(つまり、D2とD1がほぼ等しいか、D2のほうが若干大きい)であると、ヒートサイクル特性が一層良化する傾向にある。
銅層2においては、領域P1のような、セラミックス層1近傍にある銅結晶の平均結晶粒径が比較的小さい領域が、局所的ではなく'連続的'に存在することが好ましい。別の言い方として、セラミックス層1と銅層2との接合面近傍の任意の箇所において、銅結晶の平均結晶粒径が比較的小さいことが好ましい。
これにより、基板全体として十二分に応力が低減され、クラック低減効果を一層顕著に得ることができる。
また、銅層2におけるセラミックス層1近傍の銅結晶の平均結晶粒径が比較的小さいということは、銅層2におけるセラミックス層1近傍には、銅の粒界が比較的多く存在していることを意味する。そして、その比較的多くの粒界にろう材が拡散することで、セラミックス層1-銅層2間の接合力がより強くなると考えられる。
加えて、領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶中には、好ましくは粒径350μmを超える結晶が含まれず、より好ましくは粒径300μmを超える結晶が含まれない。
セラミックス層1の材質は、セラミックス材料である限り特に限定されない。
例えば、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの窒化物系セラミックス、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどの酸化物系セラミックス、炭化珪素等の炭化物系セラミックス、ほう化ランタン等のほう化物系セラミックス等であることができる。
銅層2との接合強度の点からは、窒化アルミニウム、窒化珪素等の非酸化物系セラミックスが好適である。更に、優れた機械強度、破壊靱性の観点より、窒化珪素が好ましい。
本実施形態の複合体を製造するにあたり、特に、銅層2を構成するための材料の選択は重要である。銅層2を形成するための材料を適切に選択することによって、所望のD1、D2、D1'を有する複合体を製造することができる。材料の選択が不適切であると、所望のD1等を有する複合体を製造することは難しい。
一方、詳細なメカニズムは不明だが、上記無酸素銅板OFCG材は、ろう材接合時の加熱による銅結晶の成長を抑制する何らかの工夫がなされており、よって銅結晶の成長が抑制される。その結果、D1が30μm以上100μm以下等である複合体を得ることができる。
本発明者らの推測として、圧延銅板中の銅結晶は、圧延の結果として、変形したり結晶方位が変わったりしており、これらのことが結晶成長の抑制につながっていると推測される。
参考までに、上記の三菱伸銅株式会社の無酸素銅板OFCG材は、製造元曰く、圧延工程を含む工程により製造されている。
耐熱サイクル特性をより良好とする観点などから、ろう材層3は、好ましくは、Ag、CuおよびTi、Snおよび/またはInからなるろう材により構成される。適切な組成のろう材を用いることは、D1、D2、D1'等の数値のコントロールの観点からも重要である。
また、Ag粉末の配合量が多くCu粉末の配合量が少ないと、接合時にAg粉末が溶解しきれずに接合ボイドとして残る場合がある。よって、Ag粉末と、Cu粉末、Sn粉末またはIn粉末の配合比は、Ag粉末:85.0質量部以上95.0質量部以下、Cu粉末:5.0質量部以上13.0質量部以下、Sn粉末またはIn粉末:0.4質量部以上3.5質量部以下からなるものが好ましく挙げられる。
Ag粉末の製法は、アトマイズ法や湿式還元法などにより作製されたものが一般的である。
配合量を適切に調整することで、セラミックス板に対する濡れ性を適切として、接合不良の可能性を低減することができる。また、ろう材層3中のAgリッチ相がCuリッチ相により不連続化し、ろう材が割れる起点になり、熱サイクル特性低下の可能性を低減することができる。
比表面積や粒径が適度な粉末を使用することで、接合不良の可能性や接合ボイド発生の可能性を低減することができる。
チタン等の活性金属の添加量は、Ag粉末と、Cu粉末と、Sn粉末またはIn粉末の合計100質量部に対して、1.5質量部以上5.0質量部以下が好ましい。活性金属の添加量を適切に調整することで、セラミックス板に対する濡れ性を一層高めることができ、接合不良の発生を一層抑えることができる。また、未反応の活性金属の残存が抑えられ、Agリッチ相の不連続化なども抑えることができる。
ここで使用可能な有機溶剤は特に限定されない。例えば、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、イソホロン、トルエン、酢酸エチル、テレピネオール、ジエチレングリコール・モノブチルエーテル、テキサノール等が挙げられる。
ここで使用可能なバインダーは特に限定されない。例えば、ポリイソブチルメタクリレート、エチルセルロース、メチルセルロース、アクリル樹脂、メタクリル樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
セラミックス層1の厚みは、典型的には0.1mm以上3.0mm以下である。基板全体の放熱特性や熱抵抗率低減などを鑑みると、好ましくは0.2mm以上1.2mm以下、より好ましくは0.25mm以上1.0mm以下である。
銅層2の厚みは、典型的には0.1mm以上1.5mm以下である。放熱性などの観点から、好ましくは0.3mm以上、より好ましくは0.5mm以上である。
ろう材層3の厚みは、セラミックス層1と銅層2を接合可能である限り特に限定されない。典型的には3μm以上40μm以下、好ましくは4μm以上25μm以下、より好ましくは5μm以上15μm以下である。
本実施形態の複合体は、上述の3層以外の追加の層を備えていてもよい。
例えば、本実施形態の複合体は、セラミックス層1を中心層として、その両面に、ろう材層3を介して銅層2を備える5層構成であってもよい。
ただし、一層のクラック低減や、複合体全体としての応力発生、歪みや反りなどの低減の点からは、セラミックス層1の両面において、D1、D2/D1、D1'などが上述の数値範囲にあることがより好ましい。
(i)2つの界面のうち一方の界面(第一の界面)から、その第一の界面に近い側の銅層2の側に領域P1を設定し、
(ii)また、2つの界面のうち他方の界面(第二の界面)から、その第二の界面に近い側の銅層2の側に、別の領域P1を設定し、
そして、これら2つの領域P1の両方において、D1、D2/D1、D1'などが上述の数値範囲にあることがより好ましい。
前述のように、本実施形態の複合体は、平板状である。
典型的には、本実施形態の複合体は、10mm×10mmから200mm×200mm程度の大きさの略矩形状である。
念のため述べておくと、本実施形態の複合体は、典型的には、前述の「長さ1700μmの領域P」や「長さ1700μmの領域P'」を定義することができる程度の大きさを有する。
本実施形態の複合体の「断面」の銅結晶の粒径の測定方法などについて説明しておく。
(1)複合体(または後述のセラミックス回路基板)を、主面に垂直で、かつ、複合体の重心を通る断面で、コンターマシンで切断し、複合体断面を露出させる。
(2)切断した複合体を樹脂包埋し、樹脂包埋体を作成する。
(3)作成した樹脂包埋体中の複合体断面を、ダイヤモンド砥粒を用いてバフ研磨する。
(電子後方散乱回折法は、Electron Back Scattering Diffractionの頭文字を取って、EBSD法とも呼ばれる。)
(1)上記の断面に見られる粒子1つ(粒子Aとする)の幾何学的重心を通る直線Lを一本引く。この直線が粒子Aの粒界と交わる2点の間の距離d1を計測する。
(2)直線Lを、粒子Aの幾何学的重心を中心として2°回転させる。この回転させた直線が粒子Aの粒界と交わる2点の間の距離d2を計測する。
(3)上記(2)の操作を、直線Lが180°回転するまで繰り返し、直線が粒子Aの粒界と交わる2点の間の距離d3、d4・・・を計測する。
(4)得られたd1、d2、d3、d4・・・の平均を、粒子Aの粒径とする。
本実施形態の複合体は、例えば、以下工程により製造することができる。
(1)ろう材ペーストをセラミックス板の片面または両面に塗布し、その塗布面に銅板を接触させる。
(2)真空中もしくは不活性雰囲気中で加熱処理をすることで、セラミックス板と銅板を接合する。
スクリーン印刷法でろう材ペーストを均一に塗布するためには、ろう材ペーストの粘度を5Pa・s以上20Pa・s以下に制御することが好ましい。また、ろう材ペースト中の有機溶剤量を5質量%以上17質量%以下、バインダー量を2質量%以上8質量%以下に調整することで、印刷性を高めることができる。
温度を770℃以上とする、かつ/または、処理時間を10分以上とすることで、銅板からの銅の溶け込み量が十分多くなり、セラミックス板と銅板との接合性を十分強固にすることができる。
一方、温度を830℃以下とする、かつ/または、処理時間を60分以下とすることで、ろう材層中のAgリッチ相の連続性が担保されやすくなる、銅板中への過度なろう材の拡散が抑えられる、銅の再結晶化による銅結晶の粗大化が抑えられる、セラミックスと銅の熱膨張率差に由来する応力を低減できる、等のメリットを得ることができる。
得られた複合体を更に処理/加工してもよい。
例えば、複合体の、少なくとも銅層2の一部を除去して回路を形成してもよい。より具体的には、銅層2やろう材層3の一部を、エッチングにより除去することで回路パターンを形成してもよい。これにより、セラミックス回路基板を得ることができる。
複合体に回路パターンを形成してセラミックス回路基板を得る手順について、以下に説明する。
まず、銅層2の表面に、エッチングマスクを形成する。
エッチングマスクを形成する方法として、写真現像法(フォトレジスト法)やスクリーン印刷法、互応化学社製PER400Kインクを用いたインクジェット印刷法など、公知技術を適宜採用することができる。
回路パターンを形成するため、銅層2のエッチング処理を行う。
エッチング液に関して特に制限はない。一般に使用されている塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、硫酸、過酸化水素水等を使用することができる。好ましいものとしては、塩化第二鉄溶液や塩化第二銅溶液が挙げられる。エッチング時間を調整することで、銅回路の側面を傾斜させてもよい。
エッチングによって銅層2の一部を除去した複合体には、塗布したろう材、その合金層、窒化物層等が残っている。よって、ハロゲン化アンモニウム水溶液、硫酸、硝酸等の無機酸、過酸化水素水を含む溶液を用いて、それらを除去するのが一般的である。エッチング時間や温度、スプレー圧などの条件を調整することで、ろう材はみ出し部の長さ及び厚みを調整することができる。
エッチング処理後のエッチングマスクの剥離方法は、特に限定されない。アルカリ水溶液に浸漬させる方法などが一般的である。
耐久性の向上や経時変化の抑制などの観点から、メッキ処理または防錆処理を行ってもよい。
メッキとしては、Niメッキ、Ni合金メッキ、Auメッキなどを挙げることができる。メッキ処理の具体的方法は、(i)脱脂、化学研磨、Pd活性化の薬液による前処理工程を経て、Ni-P無電解めっき液として次亜リン酸塩を含有する薬液を使用する通常の無電解めっきの方法、(ii)電極を銅回路パターンに接触させて電気めっきを行う方法などにより行うことができる。
防錆処理は、例えばベンゾトリアゾール系化合物により行うことができる。
例えば上記のようにして銅回路が形成されたセラミックス回路基板の、その銅回路上に適当な半導体素子を配置する。このようにして、セラミックス回路基板が搭載されたパワーモジュールを得ることができる。
パワーモジュールの具体的構成や詳細については、例えば、前述の特許文献1から3の記載や、特開平10-223809号公報の記載、特開平10-214915号公報の記載などを参照されたい。
以下、参考形態の例を付記する。
1.
セラミックス層と、銅層と、前記セラミックス層と前記銅層の間に存在するろう材層とを備えた、平板状のセラミックス-銅複合体であって、
当該セラミックス-銅複合体を、その主面に垂直な面で切断したときの切断面における、長辺方向の長さ1700μmの領域を領域Pとしたとき、
前記領域Pにおける、前記セラミックス層と前記ろう材層との界面から前記銅層側に50μm以内の領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1が、30μm以上100μm以下である、セラミックス-銅複合体。
2.
1.に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P全体における銅結晶の平均結晶粒径をD2としたとき、
D2/D1の値が0.5以上2.0以下である、セラミックス-銅複合体。
3.
1.または2.に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶中には、粒径350μmを超える結晶が含まれない、セラミックス-銅複合体。
4.
1.から3.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記切断面において、前記領域Pとは異なる、長辺方向の長さ1700μmの領域を領域P'としたとき、
前記領域P'における、前記セラミックス層と前記ろう材層との界面から前記銅層側に50μm以内の領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1'が、30μm以上100μm以下である、セラミックス-銅複合体。
5.
4.に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶中には、粒径350μmを超える結晶が含まれない、セラミックス-銅複合体。
6.
1.から5.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記銅層は圧延銅板により構成される、セラミックス-銅複合体。
7.
1.から6.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記ろう材層が、Ag、CuおよびTiと、Snおよび/またはInとを含む、セラミックス-銅複合体。
8.
1.から7.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体の製造方法であって、
真空下または不活性ガス雰囲気下で、770℃以上830℃以下の温度での10分以上60分以下の加熱により、セラミックス板と銅板とを、ろう材で接合する接合工程を含み、
前記ろう材は、Agが85.0質量部以上95.0質量部以下、Cuが5.0質量部以上13.0質量部以下、Tiが1.5質量部以上5.0質量部以下、SnおよびInの合計量が0.4質量部以上3.5質量部以下からなる、セラミックス-銅複合体の製造方法。
9.
1.から7.のいずれか1つに記載のセラミックス-銅複合体の、少なくとも前記銅層の一部が除去されて回路が形成された、セラミックス回路基板。
10.
9.のセラミックス回路基板が搭載されたパワーモジュール。
[実施例1]
ろう材(活性金属を含む)として、Ag粉末(福田金属箔粉工業株式会社製:Ag-HWQ 2.5μm)89.5質量部、Cu粉末(福田金属箔粉工業株式会社製:Cu-HWQ 3μm)9.5質量部、Sn粉末(福田金属箔粉工業株式会社製:Sn-HPN 3μm)1.0質量部の合計100質量部に対して、水素化チタン粉末(トーホーテック株式会社製:TCH-100)を3.5質量部含むろう材を準備した。
上記ろう材と、バインダー樹脂PIBMA(ポリイソブチルメタクリレート、三菱ケミカル株式会社「ダイヤナール」)と、溶剤ターピネオールとを混合し、ろう材ペーストを得た。
その後、窒化珪素基板の両面に銅板(具体的には後掲の表1に示す)を重ね、1.0×10-3Pa以下の真空中にて780℃、30分の条件で加熱し、窒化珪素基板と銅板をろう材で接合した。これにより、窒化珪素基板と銅板とがろう材で接合されたセラミックス-銅複合体を得た。
以上により、上記のセラミックス-銅複合体の銅層の一部が除去されて回路が形成された、セラミックス回路基板を得た。
銅板として表1に記載のものを用い、ろう材の金属成分を後掲の表1に記載のようにし、また、接合条件を後掲の表1に記載のようにした以外は、実施例1と同様にして、窒化珪素基板と銅板をろう材で接合した。そして、エッチング処理等を行い、セラミックス回路基板を得た。
・銅板1:三菱伸銅株式会社製、無酸素銅板OFCG材(OFCG:Oxygen-Free Copper Grain controlの略)、厚さ0.8mmの圧延銅板
・銅板2:三菱伸銅株式会社製、無酸素銅板OFC材(OFC:Oxygen-Free Copperの略)、厚さ0.8mm
まず、以下手順で、測定用の「断面」を得た。
(1)各実施例および比較例で得られたセラミックス回路基板を、主面に垂直で、かつ、基板の重心(縦45mm×横45mmの窒化珪素基板のほぼ中心)を通る断面で切断した。切断にはコンターマシンを用いた。
(2)切断したセラミックス回路基板を樹脂包埋し、樹脂包埋体を作成した。
(3)作成した樹脂包埋体中の複合体断面を、ダイヤモンド砥粒を用いてバフ研磨した。
具体的には、まず、上記で研磨された基板断面のほぼ中心付近で、断面の長手方向に1700mmの領域Pを設定した。この領域P内の銅層について、加速電圧15kVの条件で電子線後方散乱回折(EBSD)法による分析を行い、データを取得した。EBSD法には、株式会社日立ハイテクノロジーズ製のSU6600形電界放出形走査顕微鏡、および、株式会社TSLソリューションズ製の解析装置を用いた。
セラミックス回路基板の断面において、領域Pとは異なる(領域Pと重ならない)領域として、断面の長辺方向の長さ1700μmの領域P'を設定した。
この領域P'において、上記と同様の測定、解析などを行い、領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1'を求めた。後掲の表2には、D1'が30μm以上100μm以下に収まっているかどうかを記載した(D1'が30μm以上100μm以下に「収まっている」場合を○、「収まっていない」場合を×とした)。
また、領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶に、粒径350μmを超える結晶が含まれるかどうかを判定した。
各実施例および比較例のセラミックス回路基板について、「-55℃にて15分、25℃にて15分、175℃にて15分、25℃にて15分」を1サイクルとする熱サイクルを3000サイクル繰り返す、熱サイクル試験を行った。
試験後、塩化鉄及びフッ化アンモニウム/過酸化水素エッチングで銅板及びろう材層を剥離し、窒化珪素基板を露出させた。そして、その窒化珪素基板全体をスキャナーにより600dpi×600dpiの解像度で取り込み、画像解析ソフトGIMP2(閾値140)にて二値化した。この二値化データに基づき、窒化珪素基板の水平方向に入ったクラックの面積を算出し、その値を除去前の銅の面積で除し、そして100を掛けて、「水平クラック率」(面積%)を求めた。
クラック率が0.0から2.0%のものを○(良好)、そうでなかったものを×(不良)とした。
そして、厳しい条件の熱サイクル試験の後であっても、水平クラックの発生が抑えられていた。
そして、熱サイクル試験において、実施例1から10よりも明らかに多くの水平クラック発生が認められた。
また、銅層におけるセラミックス層近傍の銅結晶の平均結晶粒径を比較的小さくすることで、(「粒界すべり」により)熱サイクルによる応力が緩和・低減され、水平クラック発生が低減されることが理解される。
Claims (7)
- セラミックス層と、銅層と、前記セラミックス層と前記銅層の間に存在するろう材層とを備えた、平板状のセラミックス-銅複合体であって、
当該セラミックス-銅複合体を、その主面に垂直な面で切断したときの切断面における、長辺方向の長さ1700μmの領域を領域Pとしたとき、
前記領域Pにおける、前記セラミックス層と前記ろう材層との界面から前記銅層側に50μm以内の領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1が、30μm以上80μm以下であり、
前記銅層は圧延銅板により構成され、
前記ろう材層が、Ag、CuおよびTiと、Snおよび/またはInとを含み、
前記領域P全体における銅結晶の平均結晶粒径をD2としたとき、D2/D1の値が0.5以上1.5以下である、セラミックス-銅複合体。 - 請求項1に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P1に少なくとも一部が存在する銅結晶中には、粒径350μmを超える結晶が含まれない、セラミックス-銅複合体。 - 請求項1または2に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記切断面において、前記領域Pとは異なる、長辺方向の長さ1700μmの領域を領域P'としたとき、
前記領域P'における、前記セラミックス層と前記ろう材層との界面から前記銅層側に50μm以内の領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶の平均結晶粒径D1'が、30μm以上100μm以下である、セラミックス-銅複合体。 - 請求項3に記載のセラミックス-銅複合体であって、
前記領域P1'に少なくとも一部が存在する銅結晶中には、粒径350μmを超える結晶が含まれない、セラミックス-銅複合体。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載のセラミックス-銅複合体の製造方法であって、
真空下または不活性ガス雰囲気下で、770℃以上830℃以下の温度での10分以上60分以下の加熱により、セラミックス板と銅板とを、ろう材で接合する接合工程を含み、
前記ろう材は、Agが85.0質量部以上95.0質量部以下、Cuが5.0質量部以上13.0質量部以下、Tiが1.5質量部以上5.0質量部以下、SnおよびInの合計量が0.4質量部以上3.5質量部以下からなる、セラミックス-銅複合体の製造方法。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載のセラミックス-銅複合体の、少なくとも前記銅層の一部が除去されて回路が形成された、セラミックス回路基板。
- 請求項6のセラミックス回路基板が搭載されたパワーモジュール。
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