JP6415297B2 - 銅張セラミックス回路基板、これを搭載した電子機器、及び銅張セラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
上記のシュミット因子は、一つの結晶方位に1軸の変形荷重を加えた時の結晶の本質的な変形のし易さを示す因子であり、下記の数式1で表せる(例えば、非特許文献1参照)。
銅張セラミックス回路基板では、銅板とセラミックス板を接合する温度は1000℃を超え、また、その用途特性から後のプロセス温度や使用温度範囲が大きい。銅張セラミックス回路基板の場合、銅とセラミックスの熱膨張係数差から考えて歪で1%程度までの挙動を考慮し設計する必要がある。
(1)降伏応力を超える広い歪範囲で応力を緩和するための軟質性
(2)均一なエッチング特性
(3)均一な酸素拡散経路
を有する銅板を同時に具備させることであり、銅張セラミックス回路基板の製造時、並びに銅張セラミックス回路基板を使用した電子機器の使用時に受ける繰り返しの熱履歴に対して、銅張セラミックス回路基板上の銅とセラミックスの接合界面の剥離、セラミックス板の破壊による故障が少ない信頼性の高い銅張セラミックス回路基板とこれを搭載した電子機器を提供することを目的とする。
更に、銅張セラミックス回路基板の銅板とセラミックス板の接合時のボイドの形成等による未接合による接合の不均質性が小さく、接合工程での接合歩留まりが高く、更にエッチングによる銅回路形成工程における精緻な回路形成を可能にする銅張セラミックス回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
図1(A)、(B)に示すように、銅張セラミックス回路基板10は、セラミックス板11の両面に銅板12が接合され、片面には銅回路が形成されている。本発明では、ことわらない限り、セラミックス板11、又は銅板12の面、あるいは板面とは、板の広い面を指し、厚さとはこれと直交する法線方向の長さを指すものとする。銅回路は、片面に複数個の銅板12の島状エリアとして形成され、所望の島状エリア銅板12上には、半導体チップの裏面を半田や樹脂等で接合し、半導体チップの上面に設けられる接続端子と他の島状エリア銅板12上間をボンディングワイヤで電気的に接続すると共に、他の島状エリア銅板12と外部とを金属リードで電気的に接続するのが一般的である。また、反対面は、ベタ状の銅板12が形成されて他の部材と面で接触させ放熱の機能を持たせるのが一般的である。用途によっては、銅回路が両面に形成されていても良いし、銅回路反対面には銅板12が接合されていなくてもよい。
図2は、銅を始めとする面心立方金属の方位を表す単位ステレオ三角形上にシュミット因子を等高線で表示したものである(非特許文献1参照)。
本発明の銅張セラミックス回路基板10上の銅板12は、単位格子を構成する[100]、[010]、[001](総称して<100>と表記される)の3軸が揃った単結晶に近い材料であり、一つの<100>主方位が銅板12の法線方向を向いていることから、銅板12の面内の方位は、図2で示されるステレオ三角形の100と110を結ぶ線上で示される方位のいずれかになる。一般的な圧延で作製した銅の場合、圧延方向、すなわち板面内で通常長手方向に<111>が配向し易いが、<111>方向に変形を加えたときのシュミット因子は約0.272であり、その値が小さく、降伏に高い応力が必要な方位である。一方、本発明の銅張セラミックス回路基板10上の銅板12における面内方向における一次すべり系のシュミット因子の最小値は約0.408であり、面内方向の降伏応力は<111>方向に変形を加えたときに比較して小さくなる。なお、一次すべり系とは、複数のすべり系のうち最も容易にすべり変形がおきる系、すなわちシュミット因子が最大になる系をいう。
ここで、本発明の銅張セラミックス回路基板10において、銅板12の平均結晶粒径は、結晶粒の円相当の面積平均径とする。この面積平均径は、前述したEBSD法等で求めることができる。EBSD法では、隣り合う測定点の結晶方位同士が指定した角度以上の値の場合に、この測定点間の境界を結晶粒界と判定する。この結晶粒界により閉じられた領域が結晶粒と定義され、結晶粒を構成している測定点の点数から面積が求まり、さらにこの面積を円換算した場合の直径を結晶粒径とする。
視野領域0.32mm2(例えば0.4mm×0.8mmの領域)は、近年、EBSD装置を付設するSEMとして一般的に使用されている電界放射型の走査電子顕微鏡(FE:Field Emission−SEM)の最も低い倍率で大きな視野を評価しようとした時、装置に依存せず測定可能な視野領域として決めた数値である。しかし、この面積は、本発明の銅張セラミックス回路基板10上の配向銅板12の結晶粒より小さい場合が多いことから、これを重複しない視野範囲で16視野以上取ることとする。総測定領域は、5.12mm2(約2.3mm角)になる。この面積は正方形に換算すると2.26mm角になり、銅張セラミックス回路基板10で想定されている銅板12の厚さより大きい。なお、1つの測定視野面積は、0.32mm2に固定する必要はなく、例えば、0.8mm×1.6mmの視野で測定した場合、重ならない0.32mm2の視野単位を4視野評価したことになるため、異なる0.8mm×1.6mmの視野で4回測定すればよいことになる。
以下の加工方法により、銅板Aを作製した。原料銅板は成分規格JIS C1020の無酸素銅板である。銅板のサイズは厚さ3mm、幅200mmであり、焼鈍規格は1/2Hである。この銅板を異周速圧延機で上下のロールの周速差20%で2.0mmまで圧延した。その後、ベル炉を使用して、窒素中で300℃1時間のバッチ焼鈍を行った。更に銅板は冷間圧延によって0.2mmまで圧延を行った。冷間圧延におけるパス回数は、11回、1回あたりの圧下率は18〜23%であり、加工による熱が80℃を超えないよう通常より圧延スピードを落として冷間加工した。
また、比較として成分規格が同じJIS C1020の市販の0.2mm厚の冷間圧延板を比較材として準備し、これを銅板Bとした。
次に、銅板Aについては、圧延方向に対し、平行(0°)、15°、30°、45°、90°に角度をつけ、銅板Bについては、圧延方向に対し、平行(0°)、45°に角度をつけ、長さ140mm、幅10mmの引張試験片を切り出した。次いで、窒素気流中で1000℃1時間保持する熱処理を実施した。これは、セラミックス板と銅板の接合を模擬した熱処理である。
一方、銅板Bは、図4(b)の正極点図から、RD方位とTD方位に直交するND軸周りに僅かに配向性が認められたが、配向性は弱い。4つの視野における結晶粒の面積平均径の平均値は41.6μmであり、0.4mm×0.8mmの領域に分割した16視野全ての視野に当然のことながら、大傾角粒界が存在した。
銅板Bの切り出し角度によるSS曲線の差は小さいのに対し、銅板Aのそれは極めて大きい。これは銅板Bの板厚方向のND軸周りの配向性が小さいのに対して、銅板Aの配向性は極めて強く、結晶方位による異方性が強く出ているためである。
銅板の組織の評価は、作製した銅張セラミックス回路基板のそれぞれのグループの中から無作為に4枚づつ取り出して、EBSDを使用して方位解析を行った。銅板板厚方向に板厚の約1/2である約0.1mmまで粗研磨を施した後、コロイダルシリカを使用して鏡面研磨をおこなった。その後、FE−SEMを使用して800μm×1600μmの領域をステップ幅4μmの間隔で結晶方位測定をした。
初期接合性の評価は、セラミックスと銅板の界面で発生するセラミックス板1枚当たりのボイドの数で評価した。Φ1mm以上のボイド等の未接合の領域があった場合、銅板の表面からそれが分かるので、その数を数え、1枚の銅張セラミックス回路基板中に発生するボイドの数を換算した。
回路形成性の評価は、銅張セラミックス回路基板上の銅板面の上方から、銅板のエッジ部を目視によって観察した。
接合信頼性の評価は、熱サイクル試験(TCT:Temperature Cycle Test) で評価した。熱サイクルは−40℃×30分→25℃×5分→125℃×30分→25℃×5分のサイクルを1000サイクル繰り返した。TCT試験後、30枚の銅張セラミックス回路基板のセラミックス板にクラックが発生した数を調べた。
結果をまとめたものを表1に示す。
TCTでクラックが観察された数は、<100>優先配向領域の面積割合が大きくなるほど少なくなった。その理由は、結晶粒が大きくなるほど銅板の降伏応力が低下し、<100>優先配向領域の面積割合が大きくなるほど広い歪範囲で銅板が軟質になるため、接合時や熱サイクル時にセラミックス板と銅板の接合界面でのセラミックスにかかる熱応力が低下するためである。
実施例における銅板Aの切り出し方向を変えてその効果を調べた。銅板回路コーナー部を形成する互いに90°の角度をなす2辺と45°を成す直線に対する圧延方向の角度(α)を様々に変えて銅張セラミックス回路基板を作製し、その角度の効果を調べた。比較のために銅板Bを接合した銅張セラミックス回路基板も作製した。
冷間加工後の板厚0.2mmの銅板Aを圧延方向に対して様々な角度をつけて40mm×10mmに切断した後、200℃で1時間熱処理して表面を酸化させた後、同じ種類の2枚の銅板でアルミナ板を挟んで、接合熱処理を行った。また、銅板Bは、圧延方向と10mmの長さの辺の角度を45°、0°にした2種類の銅板を切り出し、接合用銅板とした。
接合熱処理は、窒素ガスと乾燥空気の流量を制御できる電気炉で行った。始め酸素分圧を200ppmに調整した窒素ガスを通気させながら1070℃まで昇温し、1時間保定した後、0.5℃/分で1020℃まで降温し、その後炉冷却した。途中、1050℃で乾燥空気を遮断し、100%窒素中で熱処理した。作製した接合体は、酸によるエッチング処理によって図6に示すような銅張セラミックス回路基板試料とした。
銅板A、銅板Bについて、同じ切断角度条件の銅張セラミックス回路基板試料をそれぞれ30枚づつ作製し、銅板組織、接合信頼性の評価を行った。
結果をまとめたものを表2に示す。
αが0°、45°にした場合、銅板回路コーナー部を形成する互いに90°の角度をなす2辺と45°を成す直線の方向とそれぞれ<100>主方位と<110>主方位が一致する。<100>方位と<110>方位のシュミット因子は同じであるが、差が生じた理由は、後者が主すべり系と2次すべり系の差が最も大きい方位であるため、降伏応力以上の広い歪み範囲で応力を緩和できたためである。
銅板Aを使用した銅張セラミックス基板のセラミックス基板の接合信頼性が優れている要因は、銅板Bに対して広い歪み範囲で軟質であること、接合界面で均一な接合が実現できていることにより、接合界面において、セラミックス板にかかる熱応力が小さく、接合の不均一性に起因する応力集中がないためである。
11:セラミックス板
12:銅板
Claims (7)
- セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている銅張セラミックス回路基板において、
前記銅回路を備えている前記銅板は、結晶軸<100>を主方位とし、かつ銅の結晶軸<100>が前記銅板の法線方向に方位差15°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に15°以内である<100>優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記<100>優先配向領域の面積率が80%以上100%以下の配向銅板であることを特徴とする銅張セラミックス回路基板。 - 前記銅回路の少なくとも1のコーナー部において、前記コーナー部を形成する2つの辺の二等分線方向に対して、前記配向銅板の前記面内特定方向が、5°以上45°以下であることを特徴とする請求項1記載の銅張セラミックス回路基板。
- 前記配向銅板を板面法線方向から面積0.32mm2の視野で、かつ重複しない16視野以上観察した時、前記<100>優先配向領域に囲まれた、面積平均径が前記配向銅板の板厚以下の島状結晶粒の結晶粒界と、双相境界を除く、方位差15°以上の傾角を有する結晶粒界が存在する視野が0%以上50%以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の銅張セラミックス回路基板。
- セラミックス板の片面又は両面に銅板が接合されており、かつ前記銅板の少なくとも一部が銅回路を備えている銅張セラミックス回路基板において、
前記銅回路を備えている前記銅板は、結晶軸<100>を主方位とし、かつ銅の結晶軸<100>が前記銅板の法線方向に方位差15°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に15°以内である<100>優先配向領域の面積率が80%以上100%以下の配向銅板であり、
前記銅張セラミックス回路基板の接合界面は、前記配向銅板の(100)が、直接又は厚さ1μm以下のCu2O相を介して、前記セラミックス板を構成する酸化物に接合されている部分を有していることを特徴とする銅張セラミックス回路基板。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の銅張セラミックス回路基板を搭載してなる電子機器。
- 結晶軸<100>を主方位とし、かつ銅の結晶軸<100>が銅板の法線方向に方位差15°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に15°以内である<100>優先配向領域を備え、かつ前記銅板の任意の断面における前記<100>優先配向領域の面積率が80%以上100%以下である配向銅板を、セラミックス板の片面又は両面に接合した後に、前記配向銅板にエッチング処理により銅回路を形成することを特徴とする銅張セラミックス回路基板の製造方法。
- 酸素を含有しているガス中において、かつセラミックス板の片面又は両面に銅板の銅板面を対向させて接触させた状態で、かつ1065℃から1083℃の範囲内にまで温度を上昇させることで、前記銅板を配向銅板に変換するとともに、前記銅板と前記セラミックス板との界面にCu−Cu2O共晶体を生成させる熱処理工程と、
熱処理済の前記セラミックス板と前記配向銅板とを冷却してこれらを接合させる接合工程と、
前記配向銅板にエッチング処理により銅回路を形成する銅回路形成工程と、を備え、
前記セラミックス板は、ケイ素、マグネシウム、希土類元素から選択される少なくとも1の成分を5質量%以下含有している窒化ケイ素又は窒化アルミニウムからなる窒化物セラミックス、又は、酸化物セラミックスであり、
前記配向銅板は、結晶軸<100>を主方位とし、かつ銅の結晶軸<100>が前記銅板の法線方向に方位差15°以内でありかつ前記銅板の面内特定方向に15°以内である<100>優先配向領域の面積率が80%以上100%以下であることを特徴とする銅張セラミックス回路基板の製造方法。
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