JP7404690B2 - 電気光学パネル、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、温度検出素子が基板に設けられた電気光学パネル、電気光学装置、および電子機器に関するものである。

液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の電気光学装置では、複数の画素が配列された画素領域において画像を表示する際、電気光学パネルの温度が上昇する。例えば、投射型表示装置において、ライトバルブとして用いられる液晶装置では、画素領域に照明光が高強度で照射されるため、液晶パネルの温度が上昇する。このような場合、液晶層の変調特性や応答特性が変化するが、液晶パネルの温度を検出した結果に基づいて、投射型表示装置を制御すれば、画像に対する温度の影響を緩和することができる。例えば、液晶パネルの温度を検出した結果に基づいて、投射型表示装置に設けた冷却ファンの制御を行えば、画像に対する温度の影響を緩和することができる。

一方、液晶パネルの温度を検出する方法として、画素が形成された基板の隅に温度検出素子および温度検出素子に対する静電保護回路を設けた構成が提案されている（特許文献１参照）。

特開２０１６－１８４７１９号公報

液晶パネルでは画素領域の温度が最も高くなるため、画素領域の温度を検出することが好ましい。しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、画素が形成された基板の隅に温度検出素子および静電保護回路を設けた場合には、温度検出素子が画素領域から大きく離間しているため、画素領域の温度を適正に検出することが困難である。一方、画素領域の近傍に温度検出素子および静電保護回路を設けると、画素領域の温度が上昇した際、静電保護回路において温度検出素子と並列に電気的接続された半導体素子の漏れ電流が大きくなり、温度検出素子からの出力が変動してしまう。それ故、従来構成では、画素領域の温度を適正に監視することができないという課題がある。

上記課題を解決するため、本発明に係る電気光学パネルの一態様は、画素領域に複数の画素が設けられた第１基板と、前記第１基板に設けられた温度検出素子と、前記第１基板に設けられ、前記温度検出素子に電気的に接続された静電保護回路と、を備え、前記静電保護回路は、半導体素子を含み、前記半導体素子は、前記第１基板の前記温度検出素子が設けられた位置より温度が低い位置に配置されていることを特徴とする。

本発明に係る電気光学パネルの別態様は、画素領域に複数の画素が設けられた第１基板と、前記第１基板に設けられた温度検出素子と、前記第１基板に設けられ、前記温度検出素子に電気的に接続された静電保護回路と、を備え、前記静電保護回路は、半導体素子を含み、前記半導体素子は、前記基板の前記画素領域の中心からの距離が前記温度検出素子より遠い位置に配置されていることを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置は各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。

本発明を適用した電気光学装置の一態様の斜視図。 図１に示す電気光学装置の分解斜視図。 図１に示すホルダーの説明図。 図２に示す電気光学パネルの説明図。 図４に示す温度検出素子および静電保護回路の説明図。 図５に示す温度検出素子の温度特性等を示す説明図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態３に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態４に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態５に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態６に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態７に係る電気光学装置の説明図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各部材等を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材の縮尺を相違させるともに、部材の数を減らしてある。以下、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸からなる直交座標系を用いて各方向を表す。ｚ軸方向は、電気光学装置１の厚さ方向であり、ｙ軸方向は、配線基板の延在方向であり、ｘ軸方向は、配線基板の延在方向に対して直交する幅方向である。

［電気光学装置１の構成］
（基本構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１の一態様の斜視図である。図２は、図１に示す電気光学装置１の分解斜視図である。図３は、図１に示すホルダー７０の説明図であり、図３には、ホルダー７０等の平面図（ａ）、およびホルダー７０等の断面図（ｂ）を示してある。なお、図３では、ホルダー７０のうち、第２基板２０の側に設けられる第２ホルダー部材７２のみを示してある。

図１、図２および図３において、電気光学装置１は、後述するライトバルブ等として用いられる液晶装置であり、電気光学パネル１００としての液晶パネルを備えている。電気光学装置１は、第１基板１０に形成された複数の画素電極１６と、第２基板２０に形成された共通電極（図示せず）と、画素電極１６と共通電極との間に設けられた液晶層（図示せず）とを備えている。ここで、第１基板１０に形成された画素電極１６は、液晶層を介して共通電極と対向することによって、画素１７を構成している。電気光学装置１において、第１基板１０に対して、第２基板２０がシール材（図示せず）によって貼り合わされている。電気光学装置１において、シール材で囲まれた領域に液晶層（図示せず）が設けられている。

本形態の電気光学装置１は、透過型の液晶装置である。従って、第１基板１０の基板本体、および第２基板２０の基板本体は、耐熱ガラスや石英基板等の透光性基板からなる。このように構成した透過型の電気光学装置１では、例えば、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方の基板から入射した照明光が他方の基板の側から出射する間に変調され、表示光として出射される。本形態では、図１に矢印Ｌａで示すように、第２基板２０の側から入射した照明光が第１基板１０の側から出射する間に変調され、表示光として出射される。

電気光学装置１は、第１基板１０の第２基板２０側とは反対側の面に接着剤等を介して重ねて配置された貼付された透光性の第１防塵ガラス３０と、第２基板２０の第１基板１０側とは反対側の面に接着剤等を介して重ねて配置された透光性の第２防塵ガラス４０とを有している。

電気光学装置１において、画素電極１６（画素１７）がｘ軸方向およびｙ軸方向に配列されている領域が画素領域１１０であり、画素領域１１０の全体あるいは一部によって表示領域が構成される。

第１基板１０は、第２基板２０の端部からｙ軸方向に張り出した張出部１０５を有している。張出部１０５には、第１基板１０の幅方向（ｘ軸方向）に延在する第１長辺部１０１に沿って複数の端子１１１が所定のピッチで配列された端子領域１１が設けられている。電気光学装置１は、端子領域１１に接続された可撓性の配線基板６０を有しており、配線基板６０は、第１基板１０から離間するようにｙ軸方向に延在している。配線基板６０は、第１基板１０側の端部に端子１１１に異方性導電フィルム等を介して接続される電極６６を有する一方、第１基板１０と接続されている側とは反対側の端部にボード・ツー・ボードコネクター等の端子６９が形成されている。また、配線基板６０には、延在方向の途中位置に駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）５０が実装されている。

電気光学装置１は、電気光学パネル１００を厚さ方向（ｚ方向）の両側から支持するホルダー７０を有している。ホルダー７０は、電気光学パネル１００を第１基板１０の側から支持する金属製の第１ホルダー部材７１と、電気光学パネル１００を第２基板２０の側から支持する金属製の第２ホルダー部材７２とを有している。第１ホルダー部材７１は、表示光を出射する出射窓７１２が、少なくとも画素領域１１０と重なるように形成された枠部７１０を有しており、枠部７１０は、電気光学パネル１００を第１基板１０の側から支持する。第１ホルダー部材７１と第２ホルダー部材７２を構成する金属は、熱伝導性のよいアルミニウム、マグネシウム等である。

第２ホルダー部材７２は、照明光が入射する基板配置穴７２２が、少なくとも画素領域１１０と重なるように形成された枠部７２０を有しており、枠部７２０は、電気光学パネル１００を第２基板２０の側から支持する。

本形態において、基板配置穴７２２は、第２防塵ガラス４０を内側に収容可能なサイズである。基板配置穴７２２の内部のうち、側壁７２２ａに形成された段部７２２ｂより第１基板１０が位置する側は、第２基板２０が配置される第１凹部７２３になっており、段部７２２ｂおよび第１凹部７２３の側壁７２３ａに設けられた熱伝導性接着剤８２によって、第２ホルダー部材７２は、第２基板２０および第２防塵ガラス４０と固定されている。第１ホルダー部材７１の枠部７１０、および第２ホルダー部材７２の枠部７２０に形成された４対のボルト穴７１１、７２１にボルト（図示せす）を止める等の方法によって結合されている。

ホルダー７０は、第２ホルダー部材７２の枠部７２０から配線基板６０と重なるようにｙ軸方向に延在した放熱部７４を有しており、放熱部７４には複数の放熱フィン７４０が形成されている。また、ホルダー７０は、第１ホルダー部材７１の枠部７１０から配線基板６０と重なるようにｙ軸方向に延在した放熱部７３を有しており、放熱部７３には、放熱部７４と同様、複数の放熱フィン（図示せず）が形成されている。放熱部７３と放熱部７４とは、配線基板６０のうち、駆動用ＩＣ５０が実装されている領域にｚ軸方向の両側から重なる。その際、配線基板６０の駆動用ＩＣ５０の反対側の面のうち、駆動用ＩＣ５０と重なる部分と放熱部７４との間には、シリコングリス等の熱伝導部材８１が設けられる。

第２ホルダー部材７２には、枠部７２０と放熱部７４との間でｘ軸方向に延在するスリット状の貫通穴７５が形成されており、貫通穴７５は、駆動用ＩＣ５０で発生した熱が電気光学パネル１００に伝わることを抑制している。

（電気光学パネル１００の構成）
図４は、図２に示す電気光学パネル１００の説明図であり、電気光学パネル１００の平面構造を模式的に示してある。図４では特に、第２基板２０の端部と遮光部２５との間を広く示してある。図４に示すように、電気光学パネル１００において、第２基板２０には枠状の遮光部２５が形成されており、遮光部２５の内側が画素領域１１０になっている。第１基板１０の第２基板２０の角部と重なる位置には基板間導通部１０６が設けられている。従って、基板間導通部１０６を介して第１基板１０の側から第２基板２０の共通電極に共通電位が供給される。

第１基板１０において、端子領域１１と画素領域１１０との間にはデータ線駆動回路１０８が設けられている。データ線駆動回路１０８は、図２に示す複数の画素電極１６にデータ線（図示せず）、および画素スイッチング素子（図示せず）を介して画像信号を供給する。また、第１基板１０において、第１長辺部１０１の両端からｙ軸方向に延在する第１短辺部１０３、および第２短辺部１０４のうち、第２短辺部１０４と画素領域１１０との間には、走査線駆動回路１０９が設けられている。走査線駆動回路１０９は走査線（図示せず）を介して画素スイッチング素子に走査信号を供給する。走査線駆動回路１０９は、第２短辺部１０４と画素領域１１０との間、および第１短辺部１０３と画素領域１１０との間の双方に設けられることもある。本形態において、データ線駆動回路１０８および走査線駆動回路１０９は、第２基板２０の遮光部２５と重なっている。また、第１基板１０において、第１長辺部１０１と対向する第２長辺部１０２と画素領域１１０との間には検査回路（図示せず）が設けられることもある。

（温度検出素子１３および静電保護回路１４の構成）
図５は、図４に示す温度検出素子１３および静電保護回路１４の説明図であり、室温時における電流の成分（ａ）と、温度上昇した際の電流の成分（ｂ）とを示してある。図６は、図５に示す温度検出素子１３の温度特性等を示す説明図である。なお、温度検出素子１３および静電保護回路１４を合わせて温度検出回路とも称する。

図４において、第１基板１０には、温度検出素子１３と、温度検出素子１３に電気的に接続された静電保護回路１４とが設けられている。本形態において、温度検出素子１３、および静電保護回路１４はいずれも、第１基板１０に画素スイッチング素子等を形成する工程を利用して形成される。

図５に示すように、温度検出素子１３はダイオードからなる。本形態において、温度検出素子１３は、温度変化の検出感度を高めるために直列に接続された複数のダイオードからなる。ダイオードはＰＮ接合のみならず、トランジスターのダイオード接続の形態としてもよい。温度検出素子１３の両端には、図４に示す端子１１１のうち、２つの端子１１１ａ、１１１ｂの各々から延在する２つの配線１１２ａ、１１２ｂが電気的に接続されており、配線１１２ａ、１１２ｂの途中位置には、抵抗Ｒ１、Ｒ２が接続されている。従って、端子１１１ａから温度検出素子１３（ダイオード）に１００ｎＡ～数μＡ程度の微小な順方向の定電流Ｉｃを供給すると、電流Ｉａが温度検出素子１３を流れる。ここで、温度検出素子１３を構成するダイオードの順方向電圧は、図６に実線Ｐ０で示すように、温度によって略直線的に変化する。従って、端子１１１ａ、１１１ｂの間の電圧が温度によって変化するので、端子１１１ａ、１１１ｂの間の電圧を検出すれば、温度を検出することができる。

再び図５において、静電保護回路１４は、２つの配線１１２ａ、１１２ｂに対して、温度検出素子１３と並列に電気的に接続されている。静電保護回路１４は、温度検出素子１３に並列に電気的に接続された半導体素子１４０を有している。本形態において、半導体素子１４０は、ｎ型の電界効果型トランジスター１４１である。電界効果型トランジスター１４１のソース電極は配線１１２ｂに接続され、ドレイン電極は配線１１２ａに接続されている。電界効果型トランジスター１４１のゲート電極は、ゲート配線１４６に接続され、ゲート配線１４６は抵抗Ｒ３を介して配線１１２ｂに接続されている。従って、静的状態では電界効果型トランジスター１４１のゲート電圧Ｖｇｓは０Ｖであり、電界効果型トランジスター１４１はオフである。また、ゲート配線１４６と配線１１２ａとの間にはキャパシタＣ１が接続され、ゲート配線１４６と配線１１２ｂとの間にはキャパシタＣ２が接続されている。

このように構成した静電保護回路１４において、端子１１１ａと端子１１１ｂとの間に静電気によるサージが入ると、例えば、端子１１１ａ側の電位が上昇し、キャパシタＣ１、Ｃ２の容量分圧により、電界効果型トランジスター１４１のゲート電極の電位が上昇する。このため、電界効果型トランジスター１４１がオン状態となるので、サージによる電流が電界効果型トランジスター１４１を介して端子１１１ｂに流れる。それ故、温度検出素子１３に流れるサージ起因の電流は、静電保護回路１４によって抑制されるので、温度検出素子１３を保護することができる。

ここで、ｎ型の電界効果型トランジスター１４１のドレイン電極からソース電極に流れる漏れ電流Ｉｒが測定温度域で無視できるほどに小さいのであれば、温度検出素子１３を流れる電流Ｉａは、端子１１１ａから供給される定電流Ｉｃと略等しい。従って、図６に実線Ｐ０で示すように、温度検出回路の出力電圧の温度特性は、温度検出素子１３のダイオードの温度特性であり、環境温度に対して略線形に変化する。つまり、較正曲線を線形近似で定めることができる。

ｎ型の電界効果型トランジスター１４１は放電回路としての機能を実現するためにチャネル幅が比較的大きく、例えば８０℃まで上昇すると漏れ電流Ｉｒは無視できないものとなる。その場合、温度検出素子１３を流れる電流Ｉａは、定電流Ｉｃから漏れ電流Ｉｒを差し引いた値となる。しかも、電界効果型トランジスター１４１の漏れ電流Ｉｒは、温度上昇によって指数関数的に増加する。従って、温度検出回路の出力電圧の温度特性は、図６に一点鎖線Ｐ１で示すように、電界効果型トランジスター１４１の漏れ電流Ｉｒの影響を受けて温度検出素子１３を構成するダイオードの温度特性から変わってしまう。詳細には、温度検出素子１３を流れる電流がＩｃ－Ｉｒとなるので、温度検出素子１３を構成するダイオードの本来の温度特性よりも小さな出力電圧にずれる。特に高温域でのずれが大きくなる。換言すれば、温度検出回路の出力電圧の温度特性を、線形近似することが難しくなる。その場合、較正曲線を例えば多点較正にする必要があり、較正曲線を求める作業が膨大となる。従って、製造コストを増加させることになる。また、電界効果型トランジスター１４１の漏れ電流のばらつきにより較正曲線が容易にばらつくので、製品化は非常に困難となる。漏れ電流Ｉｒを無視できるようにするには、定電流Ｉｃを大きくする方法がある。しかしながら、定電流Ｉｃを大きくするには、温度検出素子１３を大きく形成する必要があり、画素領域１１０の間際に配置することが困難である。

このような問題は図５に示した静電保護回路の特有の問題ではない。温度検出素子１３を構成するダイオードについて、アノード側の配線にダイオードの動作点電位とは異なる電位との放電回路なす半導体素子があれば起こり得る問題である。

（温度検出素子１３および静電保護回路１４のレイアウト）
本形態では、図５および図６を参照して説明した特性に基づいて、図４に示すように、静電保護回路１４の半導体素子１４０は、第１基板１０の画素領域１１０の中心からの距離が温度検出素子１３より遠い位置に配置されている。ここで、電気光学装置１において、照明光が入射した際、概ね、画素領域１１０の中心Ｃの温度が最も高く、等温線Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４は、画素領域１１０の中心Ｃの周りで略同心円状に現れる。従って、画素領域１１０の中心Ｃと各等温線の温度関係は、中心Ｃ＞Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３＞Ｔ４である。電気光学パネル１００とホルダー７０は、熱伝導性接着剤８２を介して熱的に接触している。従って、電気光学パネル１００に入射した光によって生じた熱は、冷却ファンによって強制冷却されるホルダー７０へ向かって排熱される。そのため、上記のような温度分布となる。そこで、静電保護回路１４の半導体素子１４０は、第１基板１０の温度検出素子１３が設けられた位置より温度が低い位置に配置されている。本形態においては、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、第１基板１０の画素領域１１０の中心からの距離が温度検出素子１３より遠い位置に配置されており、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、第１基板１０の温度検出素子１３が設けられた位置より温度が低い位置に配置されている。例えば、画素領域１１０の中心Ｃが約７０℃のとき、温度検出素子１３近傍では６５℃程度であり、静電保護回路１４の半導体素子１４０の配置場所を第２基板２０の基板端付近にするならば、半導体素子１４０の温度を４０℃程度に下げることができる。

本形態において、温度検出素子１３は、画素領域１１０と第１基板１０の基板縁との間に設けられており、静電保護回路１４は、温度検出素子１３と第１基板１０の基板縁との間に設けられている。より具体的には、温度検出素子１３は、画素領域１１０と第１基板１０の基板縁との間のうち、第２基板２０の遮光部２５と重なる位置に設けられ、静電保護回路１４は、遮光部２５と第１基板１０の基板縁との間に設けられている。例えば、温度検出素子１３は、遮光部２５の４つの角のうち、第１基板１０の第１長辺部１０１と第１短辺部１０３との間の角１０７と対向する角２５１と重なる位置に設けられ、静電保護回路１４は、第２基板２０と重ならない張出部１０５のうち、角１０７付近に設けられている。換言すれば、静電保護回路１４、特に半導体素子１４０は、図４に示すように、温度検出回路の端子１１１ａおよび端子１１１ｂから第１短辺部１０３側に寄せた位置に配置する。つまり、温度検出回路の静電保護回路１４の少なくとも半導体素子１４０と、端子１１１ａ、１１１ｂの位置関係は、他の信号線１５１に設けられた静電保護回路１５０と対応する端子１１１との位置関係と異なっている。このようにすると、第１基板１０の画素領域１１０の中心から半導体素子１４０までの距離を大きくできる。つまり、第１基板１０において温度が低い位置に半導体素子１４０が配置することができる。また、温度検出素子１３は、遮光部２５の幅方向の中心より画素領域１１０に近い位置に設けられている。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、電気光学パネル１００に用いた第１基板１０に温度検出素子１３を設けたため、温度検出結果に基づいて、電気光学装置１、および後述する投射型表示装置を制御することができる。また、第１基板１０には静電保護回路１４を設けたため、温度検出素子１３をサージから保護することができる。また、電気光学パネル１００の画素領域１１０近傍の温度を検出すると、液晶層の温度が最も高い個所の温度を熱分布シミュレーション等により推定しやすくすることができることから、本形態では、温度検出素子１３が画素領域１１０の近傍に配置され、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が第１基板１０の画素領域１１０の中心からの距離が温度検出素子１３より遠い位置に配置されている。従って、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、第１基板１０の温度検出素子１３が設けられた位置より温度が低い位置に配置されている。それ故、半導体素子１４０の温度が上昇した際の漏れ電流の影響で、温度検出回路の出力電圧の温度特性が特に高温域において温度検出素子１３の温度特性から大きくずれることを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

［実施形態２］
図７は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１の説明図であり、電気光学パネル１００の平面構造を模式的に示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図７に示すように、本形態の電気光学装置１においても、実施形態１と同様、第１基板１０において、遮光部２５の４つの角のうち、第１基板１０の角１０７と対向する角２５１と重なる位置に温度検出素子１３が設けられ、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、張出部１０５の角１０７付近に設けられている。従って、画素領域１１０で発生した熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

本形態において、第１基板１０の端子１１１にはクロック信号入力用の端子１１１Ｘ、１１１ＸＢ、１１１Ｙ、１１１ＹＢが含まれている。また、第１基板１０には、端子１１１Ｘ、１１１ＸＢから入力された信号に基づいて、データ線駆動回路１０８に出力するクロック信号を生成して出力するクロック信号生成回路１０８ｃと、端子１１１Ｙ、１１１ＹＢから入力された信号に基づいて、クロック信号を生成して出力する走査線駆動回路１０９に出力するクロック信号生成回路１０９ｃとが構成されている。本形態では。クロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃは、容量負荷の大きい信号線を駆動するため、大きなバッファ回路を備えている。また、クロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃは駆動周波数が高い。加えて、レベルシフト回路や、対を成すクロック信号間の位相を補正する位相差補正回路などによる貫通電流も存在する。それ故、クロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃは、消費電力の大きな回路であり、発熱量が大きい。

なお、データ線駆動回路１０８としては、本形態で説明した相展開駆動方式以外にも、デマルチプレクス回路によって共通の画像信号線から複数のデータ線に画像信号を供給する部分ドライバ駆動方式にも適用可能である。部分ドライバ駆動方式の場合、図７のデータ線駆動回路１０８がデマルチプレクス回路に置き換わり、クロック信号生成回路１０８ｃがデマルチプレクス回路を構成するスイッチのオン・オフを制御する選択信号線のバッファ回路に置き換わる。デマルチプレクス回路のスイッチは、例えば複数のＮ型の電界効果型トランジスターからなり、ゲート電極が選択信号線に接続され、ソース電極またはドレイン電極の一方が例えば８画素列毎に共通に設けられた画像信号線（図示せず）に接続され、他方がデータ線（図示せず）に接続される。選択信号線のバッファ回路は例えばインバータが多段に接続された回路である。クロック信号入力用の端子（１１１Ｘ、１１１ＸＢ）は選択信号線の選択信号ＳＥＬとその反転信号ＳＥＬＸＢ入力用の端子に置き換わる。デマルチプレクス回路が８本のデータ線を１単位として構成されているのならば、選択信号ＳＥＬとその反転信号ＳＥＬＸＢからなる組は８組入力される。その場合、選択信号線のバッファ回路は駆動負荷が大きく、かつ駆動周波数が大きい。従って、消費電力が大きく、発熱量が大きい。電気光学パネル１００の高精細化によりこれらの発熱量は増大する傾向にある。

そこで、本形態では、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、複数の端子１１１の配列方向の中央を示す中心線Ｃ０より一方側（第１短辺部１０３の側）に設けられ、中心線Ｃ０より他方側（第２短辺部１０４の側）にクロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃが配置されている。すなわち、半導体素子１４０は、複数の端子１１１の配列方向において配列方向の中央より一方側に偏った位置に設けられ、クロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃは、配列方向の中央より他方側に偏った位置に設けられている。従って、クロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃで発生した熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。クロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃで発生した熱の排熱は最も近い熱伝導性接着剤８２の塗付部、例えば、第２短辺部１０４に対応する第２基板２０の基板端部へ向かう経路となる。従って、クロック信号生成回路１０８ｃ、１０９ｃで発生した熱が半導体素子１４０に与える影響は小さくなる。

なお、部分ドライバ駆動方式の場合、デマルチプレクス回路の選択信号線のバッファ回路で発生した熱が半導体素子１４０に与える影響が小さくなる。

［実施形態３］
図８は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１の説明図であり、電気光学パネル１００の平面構造を模式的に示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図８に示すように、本形態の電気光学装置１においても、実施形態１と同様、第１基板１０において、遮光部２５と重なる位置に温度検出素子１３が設けられ、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、張出部１０５に設けられている。従って、画素領域１１０で発生した熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

ここで、第１基板１０の第１短辺部１０３と画素領域１１０との距離Ｄ１が、第１基板１０の第２短辺部１０４と画素領域１１０との距離Ｄ２よりも長くなっている。それ故、画素領域１１０の中心Ｃは、第１基板１０の第１長辺部１０１の中心を通る中心線Ｃ４より第２短辺部１０４の側に位置する。このような構成は電気光学パネル１００が液晶表示装置であり、液晶注入口（図示せず）が第１短辺部１０３に設けられている場合に採用される構成である。液晶注入口から画素領域１１０までの距離を大きくしたので、液晶注入口の封止材料から浸透する不純物が、画素領域１１０に到達するリスクが低下する。従って、液晶注入口の封止材料からの不純物が画素領域１１０に侵入して表示不良を生じることを減じる効果がある。本形態では、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、画素領域１１０より第１短辺部１０３の側に設けられている。従って、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、張出部１０５のうち、第１長辺部１０１と第１短辺部１０３との間の角１０７付近に設けられており、図４に示す態様に比して、画素領域１１０の中心Ｃと半導体素子１４０との距離が長い。それ故、画素領域１１０の熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

［実施形態４］
図９は、本発明の実施形態４に係る電気光学装置１の説明図であり、電気光学パネル１００の平面構造を模式的に示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図９に示すように、本形態の電気光学装置１においても、実施形態１と同様、第１基板１０において、遮光部２５と重なる位置に温度検出素子１３が設けられ、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、張出部１０５に設けられている。従って、画素領域１１０で発生した熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

ここで、遮光部２５の一部が他の部分より幅が広くなっており、本形態では、遮光部２５の幅が広くなっている部分と重なる位置に温度検出素子１３が設けられている。本形態では、遮光部２５のうち、画素領域１１０と第１短辺部１０３との間で延在する部分の幅Ｗ１は、画素領域１１０と第２短辺部１０４との間で延在する部分の幅Ｗ２より広くなっており、温度検出素子１３は、画素領域１１０と第１短辺部１０３との間で遮光部２５と重なる位置に設けられている。電気光学パネル１００が液晶表示装置である場合、画素領域１１０の周辺回路を遮光部２５下に配置したい。この理由を詳細に説明する。液晶表示装置では、遮光部２５の周囲を取り囲むようにシール材（図示せず）が存在する。第１基板１０と第２基板２０の貼りあわせ精度を高くするためには、熱硬化型のシール材ではなく例えば紫外線硬化型のシール材を用いる。紫外線硬化型シール材の硬化を確実にするために、紫外光を電気光学パネル１００の表面および裏面から照射したい。そのため、シール材を遮蔽するような周辺回路を遮光部２５から第２基板２０の端部までの領域には配置し難いのである。ここで、本形態のように遮光部２５の幅が大きくなった領域に温度検出素子１３を配置すると、例えば、走査線駆動回路１０９を回避しながらの温度検出素子１３の配置が容易となる。従って、温度変化の検出感度をより高めるために、例えば温度検出素子１３を構成するダイオードの直列接続数を増やすことが容易となり、高性能な温度検出回路を実現できる。

すなわち、第１基板１０の第１短辺部１０３と遮光部２５との距離Ｄ３が、第１基板１０の第２短辺部１０４と遮光部２５との距離Ｄ４と等しいが、遮光部２５のうち、画素領域１１０と第１短辺部１０３との間で延在する部分の幅Ｗ１は、画素領域１１０と第２短辺部１０４との間で延在する部分の幅Ｗ２より広くなっている。このため、画素領域１１０の中心Ｃは、第１基板１０の第１長辺部１０１の中心を通る中心線Ｃ４より第２短辺部１０４の側に位置する。従って、静電保護回路１４が画素領域１１０の中心Ｃから離間することになる。それ故、画素領域１１０の熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

［実施形態５］
図１０は、本発明の実施形態５に係る電気光学装置１の説明図であり、図１０には、第２ホルダー部材７２等を照明光の入射側からみた平面図（ａ）、および第２ホルダー部材７２を照明光の入射側とは反対側からみた平面図（ｂ）を示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図１０に示すように、本形態の電気光学装置１においても、実施形態１と同様、第１基板１０において、遮光部２５と重なる位置に温度検出素子１３が設けられ、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、張出部１０５に設けられている。従って、画素領域１１０で発生した熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

また、本形態でも、図３を参照して説明したように、基板配置穴７２２の段部７２２ｂ、および第１凹部７２３の側壁７２３ａに設けられた熱伝導性接着剤８２によって、第２ホルダー部材７２は、第２基板２０および第２防塵ガラス４０と固定されている。ここで、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４は、第１基板１０のうち、第１凹部７２３の側壁７２３ａと重なる位置、または側壁７２３ａと重なる位置の近傍に設けられており、側壁７２３ａのうち、静電保護回路１４が位置する側には、熱伝導性接着剤８２が熱伝導部材として設けられている。このため、画素領域１１０から半導体素子１４０に伝わろうとする熱を熱伝導性接着剤８２（熱伝導部材）を介して第２ホルダー部材７２に逃がすことができる。それ故、画素領域１１０の熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。熱伝導性接着剤８２は第２基板２０および第２防塵ガラス４０の全周囲に設けてもよいのはもちろんである。

［実施形態６］
図１１は、本発明の実施形態６に係る電気光学装置１の説明図であり、図１１には、第２ホルダー部材７２等を照明光の入射側からみた平面図（ａ）、および第２ホルダー部材７２を照明光の入射側とは反対側からみた平面図（ｂ）を示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図１１に示すように、本形態の電気光学装置１においても、実施形態１と同様、第１基板１０において、遮光部２５と重なる位置に温度検出素子１３が設けられ、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、張出部１０５に設けられている。従って、画素領域１１０で発生した熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

また、本形態でも、図３を参照して説明したように、基板配置穴７２２の段部７２２ｂ、および第１凹部７２３の側壁７２３ａに設けられた熱伝導性接着剤８２によって、第２ホルダー部材７２は、第２基板２０および第２防塵ガラス４０と固定されている。本形態では、第２基板２０の全周にわたって熱伝導性接着剤８２が設けられている。

ここで、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４は、第１基板１０のうち、第１凹部７２３の側壁７２３ａと重なる位置、または側壁７２３ａと重なる位置の近傍に設けられている。本形態において、第２ホルダー部材７２の第２基板２０側の面には、静電保護回路１４と重なる第２凹部７２４が形成されており、第２凹部７２４には、熱伝導性接着剤８２が熱伝導部材として設けられている。

電気光学装置１が投射型表示装置のライトバルブであれば、ホルダー７０が冷却ファンによって強制冷却されている。従って、ホルダー７０の一部である第２ホルダー部材７２は、点灯中の電気光学装置１の中で最も冷たい部位である。例えば画素領域１１０の中心Ｃが約７０℃のとき第２ホルダー部材７２は４０℃以下である。つまり熱伝導性接着剤８２（熱伝導部材）を介して半導体素子１４０と第２ホルダー部材７２の熱的接触を大きくすることにより半導体素子１４０の冷却を促し、温度上昇を抑制することができる。それ故、画素領域１１０の熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。第２凹部７２４を設けたので熱伝導性接着剤８２の塗付位置を間違うことはない。第２凹部７２４に熱伝導性接着剤８２を盛り付ければ、静電保護回路１４に熱伝導性接着剤８２を接触させることが容易である。凹部になっているので、熱伝導性接着剤８２の塗付範囲は自ずから決まる。第２凹部７２４は凹部に限らず、例えば第１基板１０と接触しない程度のわずかな凸部を形成するようにしてもよい。その場合でも、熱伝導性接着剤８２の塗付位置を間違うことはなく、凸部に熱伝導性接着剤８２を盛り付ければ、静電保護回路１４に熱伝導性接着剤８２を接触させることが容易である。また、凸部であれば、静電保護回路１４に熱伝導性接着剤８２を接触させることもさらに確実となる。

［実施形態７］
図１２は、本発明の実施形態７に係る電気光学装置１の説明図であり、図１２には、第２ホルダー部材７２等を照明光の入射側からみた平面図（ａ）、および第２ホルダー部材７２を照明光の入射側とは反対側からみた平面図（ｂ）を示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図１２に示すように、本形態の電気光学装置１においても、実施形態１と同様、第１基板１０において、遮光部２５と重なる位置に温度検出素子１３が設けられ、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体が、張出部１０５に設けられている。従って、画素領域１１０で発生した熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

また、本形態でも、実施形態６と同様、基板配置穴７２２の段部７２２ｂ、および第１凹部７２３の側壁７２３ａに設けられた熱伝導性接着剤８２によって、第２ホルダー部材７２は、第２基板２０および第２防塵ガラス４０と固定されている。本形態では、第２基板２０の全周にわたって熱伝導性接着剤８２が設けられている。また、第２ホルダー部材７２には、静電保護回路１４と重なる第２凹部７２４が形成されており、第２凹部７２４には、熱伝導性接着剤８２が熱伝導部材として設けられている。つまり、熱伝導性接着剤８２（熱伝導部材）を介して半導体素子１４０と第２ホルダー部材７２の熱的接触を大きくしたことにより半導体素子１４０の冷却を促し、温度上昇を抑制することができる。それ故、画素領域１１０の熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

本形態において、第２ホルダー部材７２には、配線基板６０の延在方向（ｙ軸方向）における駆動用ＩＣ５０と半導体素子１４０を含む静電保護回路１４との間にスリット状の貫通穴７５が設けられている。ここで、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４は、配線基板６０の延在方向と交差する幅方向（ｘ軸方向）の中央から一方側に偏った位置に設けられ、貫通穴７５は、幅方向の中央から一方側に偏った位置に設けられている。従って、駆動用ＩＣ５０から貫通穴７５の一方側を通る第１熱伝達経路ＱＲと、駆動用ＩＣ５０から貫通穴７５の他方側を通る第２熱伝達経路ＱＬとを比較した場合、第１熱伝達経路ＱＲの方が、熱伝達抵抗が大きい。

さらに本形態では、第２ホルダー部材７２の第１基板１０が位置する側の面において、貫通穴７５の一方側に位置するボルト穴７２１と、貫通穴７５とが溝７２８によって繋がっている。溝７２８としたので第２ホルダー部材７２の剛性が過剰に低下することはない。溝７２８は第２ホルダー部材７２の放熱フィン７４０が設けられている面に設けてもよい。溝７２８はボルト穴７２１と、貫通穴７５を連結しなくてもよい。いずれの構成としても、第１熱伝達経路ＱＲにおける熱伝達抵抗が溝７２８によってさらに大きくなっている。それ故、駆動用ＩＣ５０の熱によって、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

また、図１２に示すように、第１ホルダー部材７１と第２ホルダー部材７２とをボルトによって結合する４カ所のボルト穴７２１のうち、静電保護回路１４に最も近いボルト穴７２１については、他の個所のボルト穴７２１より内径を大きくし、太いボルトで締結してもよい。この場合、図示しないが、第１ホルダー部材７１のボルト穴７１１も大きくする。すなわち、第１ホルダー部材７１と第２ホルダー部材７２とを連結する複数のボルトのうち、半導体素子１４０に最も近いボルトは最も太い態様であってもよい。換言すれば、半導体素子１４０に最も近いホルダー７０のボルト穴は最も大きい態様であってもよい。電気光学装置１がライトバルブであれば、４カ所のボルト穴７１１、７２１の穴全てを大きくするとホルダー７０が肥大化するので、電気光学装置１のコンパクト化は難しい。しかし、配線基板６０側の１ヵ所のみを大きくするのであれば、ホルダー７０の肥大化を抑制できる。かかる構成によれば、静電保護回路１４に最も近いボルト穴７１１、７２１での熱伝達抵抗を小さくすることができるので、ホルダー７０の放熱効率が向上する。結果として静電保護回路１４の熱を効率よく逃がすことができる。それ故、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。なお静電保護回路１４に最も近いボルト穴７２１について、他の個所のボルト穴７２１と同じボルトを使用し、円形でなくｘ軸方向に長い長円形としてもよい。つまり静電保護回路１４に最も近いボルト穴７２１は他の個所のボルト穴７２１より大きくなる。この場合、貫通穴７５や溝７２８と同様に第１熱伝達経路ＱＲにおける熱伝達抵抗を大きくできるので、駆動用ＩＣ５０の熱の影響を小さくできる。それ故、半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができるので、画素領域１１０の温度を適正に監視することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、半導体素子１４０を含む静電保護回路１４の全体を、温度検出素子１３が設けられた位置より、画素領域１１０の中心Ｃからの距離が遠く、温度が低い位置に設けたが、半導体素子１４０のみを温度検出素子１３が設けられた位置より、画素領域１１０の中心Ｃからの距離が遠く、温度が低い位置に設けてもよい。

上記実施の形態では、電気光学装置１が透過型の液晶装置であったが、電気光学装置１が反射型の液晶装置である場合や、電気光学装置１が有機エレクトロルミネッセンス装置である場合に本発明を適用してもよい。

反射型の液晶装置であれば、例えば１ピースのホルダーに液晶パネルが接着固定され、液晶パネルの背面に熱伝導性接着剤によってヒートシンクが装着される形態となる。画素領域に入射した光によって液晶パネルは高温化する。光の入射側において、画素領域の周辺は開口部を有する概ね矩形状の金属製カバー部材によって入射光が遮蔽されているので、液晶パネルはやはり画素領域中央部の温度が高い傾向となる。従って、例えば第１の実施形態の図４に示した構成に従って、温度検出回路の静電保護回路を液晶パネルの角部に配置すれば、静電保護回路を構成する半導体素子１４０の温度が上昇することを抑制することができる。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１を用いた電子機器について説明する。図１３は、本発明を適用した電気光学装置１を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。図１３に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０４（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０４から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

投射型表示装置２１００において、ライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの構成は、図１等を参照して説明した電気光学装置１と同様であり、ライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは各々、図１等に示す配線基板６０を介して投射型表示装置２１００内の上位回路と接続される。Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれの原色成分の階調レベルを指定する画像信号がそれぞれ外部上位回路から供給されて、投射型表示装置２１００内の上位回路で処理され、ライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ駆動される。ライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

かかる投射型表示装置２１００には、ライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを冷却するための冷却ファン（図示せず）が設けられている。従って、図４等に示す温度検出素子１３での検出結果に基づいて、冷却ファンの制御を行えば、画像に対するライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの温度の影響を緩和することができる。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように、構成してもよい。なお、画素については、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等の表示素子（ＭＥＭＳデバイス）を採用した構成としてもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

１…電気光学装置、１Ｂ、１Ｇ、１Ｒ…ライトバルブ、１０…第１基板、１１…端子領域、１３…温度検出素子、１４…静電保護回路、１６…画素電極、２０…第２基板、２５…遮光部、３０…第１防塵ガラス、４０…第２防塵ガラス、５０…駆動用ＩＣ、６０…配線基板、７０…ホルダー、７１…第１ホルダー部材、７２…第２ホルダー部材、７３、７４…放熱部、７５…貫通穴、８１…熱伝導部材、８２…熱伝導性接着剤（熱伝導部材）、１００…電気光学パネル、１０１…第１長辺部、１０２…第２長辺部、１０３…第１短辺部、１０４…第２短辺部、１０５…張出部、１０８ｃ、１０９ｃ…クロック信号生成回路、１１０…画素領域、１４０…半導体素子、１４１…ｎ型トランジスター、７１０、７２０…枠部、７２２…基板配置穴、７２２ａ、７２３ａ…側壁、７２２ｂ…段部、７２３…第１凹部、７２４…第２凹部、７２８…溝、７４０…放熱フィン、２１００…投射型表示装置、２１０４…ランプユニット（光源部）、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）、ＱＬ…第２熱伝達経路、ＱＲ…第１熱伝達経路

Claims (16)

1. 温度検出素子と、前記温度検出素子に電気的に接続される半導体素子を含む静電保護回路と、画素領域に設けられた複数の画素電極と、を有する第１基板と、
   液晶層と、
   共通電極を有し、前記液晶層を介して前記第１基板と貼り合わされる第２基板と、
   を備え、
   前記温度検出素子は、平面視において、前記第２基板と重なる位置に設けられ、
   前記半導体素子は、平面視において、前記第２基板と重ならない位置に設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
2. 請求項１に記載の電気光学パネルにおいて、
   前記半導体素子は、前記第１基板の前記温度検出素子が設けられた位置より温度が低い位置に設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
3. 請求項２に記載の電気光学パネルにおいて、
   前記温度検出素子は、平面視において、前記画素領域と前記第１基板の端部との間に設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
4. 請求項１に記載の電気光学パネルにおいて、
   平面視において、前記第１基板の前記画素領域の端部から前記温度検出素子までの第１距離は、前記第１基板の前記画素領域の端部から前記半導体素子までの第２距離より短いことを特徴とする電気光学パネル。
5. 請求項４に記載の電気光学パネルにおいて、
   前記温度検出素子は、平面視において、前記画素領域と前記第１基板の端部との間に設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
6. 請求項３または５に記載の電気光学パネルにおいて、
   前記第１基板には、クロック信号によって動作する駆動回路が設けられ、
   前記第１基板のいずれかの端部に沿って複数の端子が配列されており、
   前記半導体素子は、前記複数の端子の配列方向において前記配列方向の中央より一方側に偏った位置に設けられ、
   前記第１基板には、前記配列方向の中央より他方側に偏った位置に前記クロック信号を生成するクロック信号生成回路が設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
7. 請求項３、５、６の何れか１項に記載の電気光学パネルにおいて、
   前記第１基板の第１短辺部と前記画素領域との距離が、前記第１基板の前記第１短辺部と対向する第２短辺部と前記画素領域との距離よりも長くなっており、
   前記半導体素子は、前記画素領域より前記第１短辺部の側に設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
8. 請求項３、５、６、７の何れか一項に記載の電気光学パネルにおいて、
   前記第２基板には、前記画素領域の外縁に沿って延在する遮光部が設けられており、
   前記温度検出素子は、前記遮光部と重なる位置に設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
9. 請求項８に記載の電気光学パネルにおいて、
   前記遮光部の一部は、他の部分より広い幅をもって前記第２基板の端部に沿って延在しており、
   前記半導体素子は、前記遮光部の前記一部と前記第１基板の端部との間に設けられていることを特徴とする電気光学パネル。
10. 請求項６に記載の電気光学パネルを備えた電気光学装置において、
    前記端子に接続された可撓性の配線基板と、
    前記電気光学パネルを保持するホルダーと、
    を有することを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置において、
    前記ホルダーは、
    前記電気光学パネルに前記第１基板側から重なる第１ホルダー部材と、
    前記電気光学パネルに前記第２基板側から重なる第２ホルダー部材と、
    を含み、
    前記第２基板は、前記第２ホルダー部材に設けられた第１凹部に配置され、
    前記第２基板と前記第１凹部の側壁との間のうち、少なくとも、前記半導体素子が位置する側には熱伝導部材が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項１１に記載の電気光学装置において、
    前記第２ホルダー部材には前記半導体素子と重なる位置に第２凹部が設けられ、
    前記第２凹部には、熱伝導部材が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１１または１２に記載の電気光学装置において、
    前記配線基板にはＩＣが実装され、
    前記第２ホルダー部材には、前記配線基板の延在方向における前記ＩＣと前記半導体素子との間に貫通穴が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
14. 請求項１３に記載の電気光学装置において、
    前記半導体素子は、前記配線基板の延在方向と交差する幅方向の中央から一方側に偏った位置に設けられ、
    前記貫通穴は、前記幅方向の中央から一方側に偏った位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
15. 請求項１０から１４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
    前記ホルダーは、複数のボルト穴を有し、
    前記複数のボルト穴のうち、前記半導体素子に最も近いボルト穴は、最も大きいことを特徴とする電気光学装置。
16. 請求項１０から１５までの何れか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。