JP7404608B2 - 封止構造、封止方法及び表示装置 - Google Patents

封止構造、封止方法及び表示装置 Download PDF

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Description

本願は、2018年08月22日に提出された出願番号201810962401.3号、発明名称「封止構造及び封止方法、表示装置」の中国特許出願の優先権を主張し、その全ての内容が引用により本願に取り込まれる。
本願は、封止構造及び封止方法、表示装置に関する。
有機発光ダイオード(英語:Organic Light-Emitting Diode、略称:OLED)表示装置には、自発光、高コントラスト、低消費電力、広視野角、フレキシブルな表示が可能等といった利点があり、最も有望な表示装置と見なされている。
本願は、封止構造及び封止方法、表示装置を提供する。本願の技術案は以下のとおりである。
一つの態様として、封止されるデバイスの外側を覆う少なくとも二つの封止構造層を含み、前記少なくとも二つの封止構造層のうち少なくとも一つの封止構造層は、積層した無機層と有機層を含み、前記無機層には、少なくとも一つの開口があり、前記少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口は弾性構造を有する、封止構造を提供する。
任意的に、前記無機層は、積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口がある。
任意的に、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口に、いずれも弾性構造を有する。
任意的に、前記第一開口と前記第二開口は、孔又はスリットのうち少なくとも一方を含む。
任意的に、前記第一開口と前記第二開口はいずれもスリットであり、
前記第一サブ無機層には、複数の前記第一開口があり、複数の前記第一開口の延伸方向は互いに平行であり、
前記第二サブ無機層には、複数の前記第二開口があり、複数の前記第二開口の延伸方向は互いに平行である。
任意的に、前記封止構造の全てのサブ無機層の開口の延伸方向は、互いに平行である。
任意的に、前記第一開口と前記第二開口のうち各開口の形状が曲線形であるか、あるいは、前記第一開口と前記第二開口のうち各開口の形状が直線形である。
任意的に、前記弾性構造の材料は、ポリイミド、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリウレタン、ポリフェニレンスルフィド、ヘキサメチルジシロキサン、テトラメチルシラン又はシリカゲル中の少なくとも一種を含む。
任意的に、前記有機層は前記無機層と接触し、前記弾性構造の材料は前記有機層の材料と同じである。
任意的に、前記少なくとも二つの封止構造層のうち、前記封止されるデバイスに最も近い方の封止構造層が第一封止構造層であり、前記封止されるデバイスから最も遠い封止構造層が第二封止構造層であり、前記第一封止構造層と前記第二封止構造層以外の封止構造層が第三封止構造層であり、前記第一封止構造層は、積層した前記無機層と前記有機層を含み、前記第二封止構造層は前記無機層を含み、前記第三封止構造層は、積層した前記無機層と前記有機層を含む。
任意的に、前記封止されるデバイスは、ベース基板の表示領域に位置し、前記ベース基板は、さらに非表示領域を有し、前記封止構造は、前記非表示領域に位置するバリア隔壁をさらに含み、前記封止構造の全ての有機層の前記ベース基板上における正投影は、前記表示領域に位置し、前記封止構造の全ての無機層は前記バリア隔壁を覆っている。
任意的に、前記無機層の材料は、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛又は二酸化チタン中の少なくとも一種を含み、前記封止構造の全ての無機層の材料は、同じであるか或いは異なり、
前記有機層の材料は、ポリイミド、ポリウレタン又はポリプロピレン中の少なくとも一種を含み、前記封止構造の全ての有機層の材料は、同じであるか或いは異なる。
任意的に、前記封止構造の各サブ無機層の厚さの値の範囲は、0.2μm~0.7μmである。
任意的に、前記少なくとも二つの封止構造層は、二つの封止構造層である。
もう一つの態様として、封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う少なくとも二つの封止構造層を形成することを含む方法であって、前記少なくとも二つの封止構造層のうち少なくとも一つの封止構造層は、積層した無機層と有機層を含み、前記無機層には少なくとも一つの開口があり、前記少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口は弾性構造を有する、封止方法を提供する。
任意的に、前記封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う少なくとも二つの封止構造層を形成することは、下記の工程(1)~(3)を含む。
(1)封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う無機層を形成する工程であって、前記無機層は、積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口があり、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口にいずれも弾性構造を有する工程。
(2)前記無機層の外側に有機層を形成し、第一封止構造層を得る工程。
(3)前記第一封止構造層の外側に、前記第一封止構造層を覆う無機層を形成し、第二封止構造層を得る工程であって、前記無機層は、積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口があり、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口にいずれも弾性構造を有する工程。
任意的に、前記封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う無機層を形成することは、
封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う第一サブ無機層を形成することと、
前記第一サブ無機層に第一開口を形成することと、
前記第一開口に弾性構造を形成することと、
前記第一サブ無機層の外側に、前記第一サブ無機層を覆う第二サブ無機層を形成することと、
前記第二サブ無機層に第二開口を形成することと、
前記第二開口に弾性構造を形成することと
を含む。
任意的に、前記封止されるデバイスは、ベース基板の表示領域中に位置し、前記ベース基板はさらに非表示領域を有し、前記方法は、前記非表示領域中にバリア隔壁を形成することをさらに含み、前記封止構造の全ての無機層は前記バリア隔壁を覆う。
さらに一つの態様として、上記一態様又は一態様の任意の選択可能な形態において述べた前記封止構造を含む表示装置を提供する。
本願実施例における技術案をより明確に説明するために、実施例の説明において使用するために必要な図面を以下に簡単に紹介する。以下の説明における図面は、本出願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとっては、創造的な労働を行わないことを前提として、これらの図面から他の図面を得ることができることは明らかである。
本願実施例が提供する一封止構造の適用状況図である。 本願実施例が提供する別の一封止構造の適用状況図である。 本願実施例が提供する一封止構造の正面図である。 本願実施例が提供する別の一封止構造の正面図である。 本願実施例が提供するさらに別の一封止構造の正面図である。 本願実施例が提供するまたさらに別の一封止構造の正面図である。 本願実施例が提供する一封止方法のフロー図である。 本願実施例が提供する、ベース基板上にバリア隔壁を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、封止されるデバイスの外側に第一サブ無機層を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第一サブ無機層に第一開口を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第一開口に弾性構造を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第一サブ無機層の外側に第二サブ無機層を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第二サブ無機層に第二開口を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第二開口に弾性構造を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第二サブ無機層の外側に有機層を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第一封止構造層の外側に第一サブ無機層を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第一サブ無機層に第一開口を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第一開口に弾性構造を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第一サブ無機層の外側に第二サブ無機層を形成後の一概略図である。 本願実施例が提供する、第二サブ無機層に第二開口を形成後の一概略図である。
ここでの図面は、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成し、本願に合った実施例を示し、明細書と共に、本願の原理を説明するのに用いられる。
本願の目的、技術案および利点をより明確にするために、添付の図面を合わせて、本願の実施形態をさらに詳細に説明する。
OLED表示装置は、OLEDデバイスを含み、OLEDデバイスは、空気中の水分及び酸素等の成分による浸食を受けやいため、通常、封止構造を用いてOLEDデバイスを封止する。従来の封止構造は、順次積層した、OLEDデバイスの外側を覆う無機層と有機層とを含み、無機層は、一定の水/酸素バリア能力を有し、OLEDデバイスを外界の空気から隔離することができ、有機層は、一定の折り曲げ性を有し、OLED表示装置のフレキシブルな表示を実現することができる。しかし、従来の封止構造を用いてOLEDデバイスを封止した後、OLED表示装置がフレキシブルな表示を行うと、折り曲げ過程において無機層断裂を起こし易く、そのため、封止構造のストレッチ性と耐湾曲性が比較的悪かった。
図1を参照すると、本願実施例が提供する一封止構造10の適用状況図が示されている。図1を参照すると、当該封止構造10は、封止されるデバイス20の外側を覆う少なくとも二つの封止構造層100を含み、少なくとも二つの封止構造層100のうち少なくとも一つの封止構造層100は、積層した無機層(図1中未図示)と有機層103を含み、無機層に少なくとも一つの開口(図1中未図示)を有し、当該少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口は、弾性構造104を有する。
以上により、本願実施例が提供する封止構造は、封止構造において少なくとも一つの封止構造層が、積層した無機層と有機層を含み、無機層に少なくとも一つの開口があり、当該少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口が弾性構造を有し、弾性構造が無機層のストレッチ性と耐湾曲性を向上させることができるため、封止構造のストレッチ性と耐湾曲性の向上に寄与する。
任意的に、図1に示すように、無機層は、積層した第一サブ無機層101と第二サブ無機層102を含み、第一サブ無機層101には第一開口(図1中未図示)があり、第二サブ無機層102には第二開口(図1中未図示)があり、第二開口の第一サブ無機層101上における正投影は、第一開口とずれており、第一開口と第二開口にいずれも弾性構造104を有する。本願実施例が提供する封止構造は、第二開口の第一サブ無機層上における正投影が第一開口とずれているため、第一サブ無機層と第二サブ無機層は互いに密封し、空気中の水分と酸素等の成分が第一開口及び/又は第二開口を通って封止構造内に入り込んで封止されるデバイスを浸食するのを避けることができ、本願実施例が提供する封止構造は、空気中の水分と酸素等の成分を効果的にバリアし、封止效果を保証できる。
任意的に、図1に示すように、無機層と有機層103は、封止されるデバイス20から離れる方向に積層し、第一サブ無機層101と第二サブ無機層102は、封止されるデバイス20から離れる方向に積層している。即ち、封止構造層100において、第一サブ無機層101、第二サブ無機層102と有機層103は、封止されるデバイス20から離れる方向に順次積層している。
任意的に、封止構造10の少なくとも二つの封止構造層100のうち、封止されるデバイス20に最も近い封止構造層が第一封止構造層(即ち封止されるデバイス20と接触する封止構造層が第一封止構造層)であり、封止されるデバイス20から最も遠い封止構造層が第二封止構造層であり、第一封止構造層と第二封止構造層以外の封止構造層が第三封止構造層である。第一封止構造層は、封止されるデバイス20から離れる方向に積層した無機層と有機層103を含み、当該無機層は、封止されるデバイス20から離れる方向に積層した第一サブ無機層101と第二サブ無機層102を含み、当該第一封止構造層において、第一サブ無機層101には第一開口があり、第二サブ無機層102には第二開口があり、第二開口の第一サブ無機層101上における正投影は、第一開口とずれており、第一開口と第二開口にいずれも弾性構造104を有する。第二封止構造層は、無機層を含み、当該無機層は、封止されるデバイス20から離れる方向に積層した第一サブ無機層101と第二サブ無機層102を含み、当該第二封止構造層において、第一サブ無機層101には第一開口があり、第二サブ無機層102には第二開口があり、第二開口の第一サブ無機層101上における正投影は、第一開口とずれており、第一開口と第二開口にいずれも弾性構造104を有する。第三封止構造層は、封止されるデバイス20から離れる方向に積層した無機層と有機層103を含み、当該無機層は、封止されるデバイス20から離れる方向に積層した第一サブ無機層101と第二サブ無機層102を含み、当該第三封止構造層において、第一サブ無機層101には第一開口があり、第二サブ無機層102には第二開口があり、第二開口の第一サブ無機層101上における正投影は、第一開口とずれており、第一開口と第二開口にいずれも弾性構造104を有する。
封止構造10が少なくとも三つの封止構造層100を含む場合、当該第三封止構造層の数は少なくとも1であり、当封止構造10が二つの封止構造層100を含む場合、当該封止構造10は第三封止構造層を含まないことは容易に理解できる。例示的に、封止構造10が三つの封止構造層100を含む場合、第三封止構造層の数は1であり、封止構造10が二つの封止構造層100を含む場合、第三封止構造層の数は0である。任意的に、図2を参照すると、本願実施例が提供する別の一封止構造10の適用状況図が示されている。図2を参照すると、当該封止構造10は、二つの封止構造層100を含み、当該二つの封止構造層100は、第一封止構造層と第二封止構造層を含み、当該封止構造10は、第三封止構造層を含まない。
上記の説明及び図1と図2によれば、封止構造10の各サブ無機層に開口があり、開口に弾性構造104を有する。そうすると、当該封止構造10の各サブ無機層のストレッチ性と耐湾曲性が比較的良くなることで、封止構造10の各無機層のストレッチ性と耐湾曲性が比較的良くなり、当該封止構造10のストレッチ性と耐湾曲性が比較的良くなる。
任意的に、図1と図2に示すように、封止されるデバイス20は、ベース基板00の表示領域(図1と図2いずれにも未図示)に位置し、当該ベース基板00は、非表示領域(図1と図2中未図示)をさらに有し、当該封止構造10は、非表示領域中に位置するバリア隔壁110をさらに含み、封止構造10の全ての有機層102のベース基板00上における正投影は、表示領域に位置し、封止構造10の全ての無機層は、バリア隔壁110を覆っている。例示的に、図2に示すように、各無機層の第一サブ無機層101と第二サブ無機層102は、いずれもバリア隔壁110を覆っている。ここで、当該バリア隔壁110は、水分と酸素等の成分をバリアする隔壁であり、バリア隔壁110は、有機材料を用いて形成することができ、バリア隔壁110の数及び幅は、ベース基板00の非表示領域の幅に応じて決めることができる。図1と図2に示すように、バリア隔壁110の数は2である。図1と図2は例示的なものに過ぎず、ベース基板00の非表示領域は表示領域の周りを取り囲んでいるため、非表示領域の周りにいずれもバリア隔壁110を有することが容易に理解できる。空気中の水分と酸素等の成分等は、通常、封止構造の膜層間隙を通って封止構造の側面から封止構造内に入り込む。本願実施例において、バリア隔壁110は、封止構造の側面から入り込む水分と酸素等の成分を阻止し、水分と酸素等の成分が封止されるデバイス20に到達する浸食経路を長くすることで、封止されるデバイス20の使用寿命を延長できる。
任意的に、図1と図2に示すように、ベース基板00上には、さらに薄膜トランジスタ(英語:Thin Film Transistor、略称:TFT)層30を有し、封止されるデバイス20とバリア隔壁110は、いずれもTFT層30上に位置し、且つ、TFT層30のベース基板00から遠い側に位置する。当該TFT層30は、複数のTFT(図1と図2にいずれも未図示)を含んでよい。そのうち、封止されるデバイス20は表示デバイスであって良く、例えば、OLEDデバイス又は量子ドット発光ダイオード(英語:Quantum Dot Light Emitting Diodes;略称:QLED)デバイスであって良い。OLEDデバイスは、陽極、正孔輸送層、電界発光(英語:Electro Luminescence;略称:EL)層、電子輸送層と陰極等の構造を含み、EL層は、有機発光層とも呼ばれ、有機発光層は、空気中の水分と酸素等の成分による浸食を受けやすいため、封止構造10を用いてOLEDデバイスを外界の空気から隔離することは、実質的には、有機発光層を外界の空気から隔離することである。ベース基板00は、透明基板であって良く、ガラス、石英又は透明樹脂等一定の頑丈さを有する導光且つ非金属材料からなる剛性基板であっても良く、あるいは、ベース基板00は、ポリイミド(英語:Polyimide、略称:PI)を用いてなるフレキシブル基板であっても良い。ベース基板00が剛性基板の場合、ベース基板00上には、フレキシブルな基底が、設けられていてもよく、TFT層30はフレキシブルな基底上に位置してもよい。封止構造10の形成後、ベース基板00を剥離し、フレキシブルな基底を用いてフレキシブルな表示を実現することができる。
任意的に、本願実施例において、封止構造10の各サブ無機層の厚さの値の範囲は0.2μm~0.7μmである。これにより、サブ無機層の封止效果を保証した上で、サブ無機層内部の応力を低減することで、無機層内部の応力を低減し、無機層の弯曲に利する。
任意的に、封止構造10の各無機層の材料は、酸窒化ケイ素(SiON)、窒化ケイ素(SiNx)、二酸化ケイ素(SiO)、酸化アルミニウム(Al)、酸化亜鉛(ZnO)又は二酸化チタン(TiO)中の少なくとも一種を含むことができ、封止構造10の全ての無機層の材料は、同じであっても異なっていてもよく、例示的に、第一サブ無機層101の材料与第二サブ無機層102の材料同じであっても異なっていてもよい。封止構造10の各有機層103の材料は、ポリイミド、ポリウレタン(PU)又はポリプロピレン中の少なくとも一種を含むことができ、封止構造10の全ての有機層の材料は、同じであっても異なっていてもよい。弾性構造104の材料は、ポリイミド、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン(PMDS)、ポリウレタン、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)、テトラメチルシラン(TMS)又はシリカゲル中の少なくとも一種を含むことができ、第一開口における弾性構造104の材料と第二開口における弾性構造104の材料は、同じであっても異なっていてもよく、異なる第一開口における弾性構造104の材料は同じであっても異なっていてもよく、異なる第二開口における弾性構造104の材料は同じであっても異なっていてもよい。任意的に、図1と図2に示すように、有機層103は無機層と接触しており、無機層の開口における弾性構造104の材料は、有機層103の材料と同じあっても良い。
任意的に、本願実施例において、第一開口における弾性構造104の形状は、当該第一開口の形状と符合し、第二開口における弾性構造104の形状は、当該第二開口の形状と符合し、即ち、各弾性構造104の形状は、当該弾性構造104がある開口の形状に符合している。そうすると、各弾性構造104は、相応の開口に充填することができ、各弾性構造104は、対応する開口の側面と接触することができ、サブ無機層が全体膜層であることを保証する。
任意的に、第一開口と第二開口は、孔又はスリットのうち少なくとも一方を含むことができる。例えば、第一開口が孔であり、第二開口がスリットである。あるいは、第一開口がスリットであり、第二開口が孔である。あるいは、第一開口と第二開口がいずれも孔である。あるいは、第一開口と第二開口がいずれもスリットである。其中、孔は、貫通孔又は止まり孔であって良く、且つ孔は円形孔、四角孔又は任意の多角形孔であっても良い。本願実施例において、孔とは、開口面の形状が閉鎖図形である開口を指し、スリットとは、開口面の形状が半閉鎖図形又は開放図形である開口を指し、孔の開口面は通常スリットの開口面より小さく、且つ孔の開口面に比べて、スリットの開口面は通常一定の長さを有し、本願実施例はこれを限定しない。
任意的に、第一開口と第二開口はいずれもスリットであり、各第一サブ無機層101には複数の第一開口があり、各第一サブ無機層101にある複数の第一開口の延伸方向は互いに平行であり、各第二サブ無機層102には複数の第二開口があり、各第二サブ無機層102にある複数の第二開口の延伸方向は互いに平行である。任意的に、封止構造10の全てのサブ無機層にある開口の延伸方向は互いに平行であり、封止構造10の全てのサブ無機層にある開口のベース基板00上における正投影区域がずれている。ここで、正投影がずれているとは、正投影に重複する領域が存在しないことである。
任意的に、第一開口と第二開口はいずれもスリットであり、第一開口と第二開口のうち各開口の形状は曲線形であって良く、当該曲線形は、平滑が曲線形であっても良く、折れ線形であっても良い。あるいは、第一開口と第二開口のうち各開口の形状は、直線形であって良く、開口の形状が直線形である場合、当該開口は、当該開口のあるサブ無機層の境界との間に挟角が存在し、当該挟角は通常90度以下であり、例えば、当該挟角は45度、60度又は30度等であって良い。
例示的に、図3と図4を参照すると、図3と図4には、本願実施例が提供する二種類の封止構造10の正面図が示されている。図3と図4において、点線が示す開口は第一開口(即ち第一サブ無機層101にある開口)であり、実線が示す開口は第二開口(即ち第二サブ無機層102にある開口)であり、当該図3と図4において、第一開口と第二開口はいずれもスリットであり、且つ図3において、第一開口の形状と第二開口の形状がいずれも曲線形である例について説明し、図4において、第一開口の形状と第二開口の形状がいずれも直線形である例について説明する。図3に示すように、第二封止構造層の第一サブ無機層(図3中未図示)には複数の第一開口(図3中未図示)があり、当該複数の第一開口の延伸方向は互いに平行であり、第二封止構造層の第二サブ無機層102には複数の第二開口(図3中未図示)があり、当該複数の第二開口の延伸方向は互いに平行であり、第一開口の延伸方向と第二開口の延伸方向は互いに平行である。図4に示すように、第二封止構造層の第一サブ無機層(図4中未図示)には複数の第一開口(図4中未図示)があり、当該複数の第一開口は互いに平行であり、第二封止構造層の第二サブ無機層102には複数の第二開口(図4中未図示)があり、当該複数の第二開口は互いに平行であり、第一開口と第二開口は互いに平行であり、各第一開口と当該第一サブ無機層の境界(図4中未図示、当該第一サブ無機層の境界と第二サブ無機層102の境界は重なっていてもよい)の間に挟角aが存在し、各第二開口と当該第二サブ無機層102の境界の間に挟角aが存在し、当該挟角aは90度よりも小さい。図3と図4に示すように、各第一開口に弾性構造104を有し、各第二開口に弾性構造104を有する。
図3と図4は、第一開口と第二開口がいずれもスリットである例について説明しており、当該第一開口と第二開口は孔であっても良い。当第一開口と第二開口がいずれも孔である場合、第一サブ無機層にある複数の第一開口は、曲線形又は直線形に配列して配置されてもよく、第二サブ無機層102にある複数の第二開口は、曲線形又は直線形に配列して配置されてもよい。もちろん、複数の第一開口と複数の第二開口は、其他形状に配列して配置さてもよく、また、複数の第一開口は、第一サブ無機層に均一に配置されもよく、複数の第二開口は、第二サブ無機層に均一に配置されてもよいことは、容易に理解できる、本願実施例はこれを限定しない。
例示的に、図5と図6を参照すると、図5と図6には本願実施例が提供する別の二種類の封止構造10の正面図が示されている。図5と図6において、点線が示す開口は第一開口(即ち第一サブ無機層101にある開口)であり、実線が示す開口は第二開口(即ち第二サブ無機層102にある開口)であり、当該図5と図6において、第一開口と第二開口はいずれも円孔であり、且つ図5において、第一開口と第二開口がいずれも曲線形に配置される例について説明し、図6において、第一開口と第二開口がいずれも直線形に配置される例について説明する。図5に示すように、第二封止構造層の第一サブ無機層(図5中未図示)には複数の第一開口(図5中未図示)があり、複数の第一開口は複数本の曲線形に配置され、当該複数本の曲線形の延伸方向は、互いに平行であり、第二封止構造層の第二サブ無機層102には複数の第二開口(図5中未図示)があり、当該複数の第二開口は複数本の曲線形に配置され、当該複数本の曲線形の延伸方向は互いに平行であり、第一開口が配置した曲線形の延伸方向は第二開口が配置した曲線形の延伸方向と互いに平行である。図6に示すように、第二封止構造層の第一サブ無機層(図6中未図示)には複数の第一開口(図6中未図示)があり、当該複数の第一開口は複数本の直線形に配置され、当該複数本の直線形は互いに平行であり、第二封止構造層の第二サブ無機層102には複数の第二開口(図6中未図示)があり、当該複数の第二開口は複数本の直線形に配置され、当該複数本の直線形は互いに平行であり、第一開口が配置した直線形と第二開口が配置した直線形は互いに平行である。図5と図6に示すように、各第一開口に弾性構造104を有し、各第二開口に弾性構造104を有する。
図3~図6は同一の封止構造中の全ての開口の形状が同じである例について説明したものであり、同一封止構造中の開口の形状は異なっていても良く、例えば、或る封止構造において、第一開口がスリットであり、第二開口が孔であっても良く、あるいは、第一開口が孔もスリットも含むものであり、第二開口も、孔もスリットも含むものであっても良く、あるいは、第一開口が曲線形のスリットと直線形のスリットを含み、第二開口が円孔と四角孔を含む等の構成でもよく、本願実施例はこれを限定しない。また、開口の形状が曲線形であっても良い場合、全ての開口の延伸方向は平行又は非平行であっても良く、開口の形状が直線形であっても良い場合、全ての開口は平行又は非平行であっても良いことは、当業者にとっては、容易に理解することができ、本願実施例はこれを限定しない。
本願実施例が提供する封止構造において、無機層には開口があり、且つ開口に弾性構造を有する。これは、実質的に無機層中に弾性材料をドープするものであっても良く、そのため、代替的に、無機材料と弾性材料を混合し、混合材料を用いて無機層を作製して、無機層に一定のストレッチ性と耐湾曲性を持たせることができることは、当業者にとっては容易に理解でき、本願実施例はここでは繰り返さない。
以上により、本願実施例が提供する封止構造は、封止構造において少なくとも一つの封止構造層が、積層した無機層と有機層を含み、無機層に少なくとも一つの開口があり、当該少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口が弾性構造を有し、弾性構造が無機層のストレッチ性と耐湾曲性を向上させることができるため、封止構造のストレッチ性と耐湾曲性の向上に寄与する。
本願実施例が提供する封止構造は、下記の方法に適用でき、本願実施例の封止方法は、下記実施例中の説明を参照できる。
本願実施例は封止方法を提供する。当該封止方法は、封止されるデバイスに封止を行い、図1~図6のいずれかが示す封止構造10を形成できる。当該方法は、封止されるデバイスの外側に、封止されるデバイスを覆う少なくとも二つの封止構造層を形成することを含み、当該少なくとも二つの封止構造層のうち少なくとも一つの封止構造層は、積層した無機層と有機層を含み、無機層には少なくとも一つの開口があり、当該少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口は、弾性構造を有する。
以上により、本願実施例が提供する封止方法は、封止構造において少なくとも一つの封止構造層が積層した無機層と有機層を含み、無機層に少なくとも一つの開口があり、当該少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口が弾性構造を有し、弾性構造は無機層のストレッチ性と耐湾曲性を向上させることができるため、封止構造のストレッチ性と耐湾曲性の向上に寄与する。
任意的に、封止されるデバイスの外側に、封止されるデバイスを覆う少なくとも二つの封止構造層を形成することは、下記の工程(1)~(3)を含む。
(1)封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う無機層を形成する工程であって、前記無機層は、積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口があり、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口にいずれも弾性構造を有する工程。
(2)前記無機層の外側に有機層を形成し、第一封止構造層を得る工程。
(3)前記第一封止構造層の外側に、前記第一封止構造層を覆う無機層を形成し、第二封止構造層を得る工程であって、前記無機層は、積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口があり、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口にいずれも弾性構造を有する工程。
任意的に、封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う無機層を形成することは、
封止されるデバイスの外側に、封止されるデバイスを覆う第一サブ無機層を形成することと、
第一サブ無機層に第一開口を形成することと、
第一開口に弾性構造を形成することと、
第一サブ無機層の外側に、第一サブ無機層を覆う第二サブ無機層を形成することと、
第二サブ無機層に第二開口を形成することと、
第二開口に弾性構造を形成することと
を含む。
任意的に、前記封止されるデバイスは、ベース基板の表示領域中に位置し、前記ベース基板はさらに非表示領域を有し、当該方法は、非表示領域中にバリア隔壁を形成することをさらに含み、封止構造の全ての無機層はバリア隔壁を覆う。
上記の任意的な技術案はすべて、任意の組み合わせで使用して、本出願の任意の実施例を形成することができ、ここでは一つ一つについて繰り返さない。
図7を参照すると、本願実施例が提供する一封止方法のフロー図が示されており、当該封止方法は、封止されるデバイスに封止を行い、図1~図6のいずれかが示す封止構造10を形成することができる。本実施例において、図2が示す封止構造を形成することを例として説明を行った。図7を参照すると、当該方法は以下のステップを含むことができる。
ステップ501において、ベース基板の非表示領域中にバリア隔壁を形成するが、ベース基板の表示領域には、封止されるデバイスを有する。
図8を参照すると、本願実施例が提供する、ベース基板00の非表示領域中にバリア隔壁110を形成後の一概略図が示されている。ベース基板00は表示領域(図8中未図示)と非表示領域(図8中未図示)を有し、非表示領域は、通常表示領域の周りを取り囲み、ベース基板00上にはTFT層30を有し、封止されるデバイス20とバリア隔壁110はいずれもTFT層30上に位置する。ここで、バリア隔壁110の材料は有機材料であって良く、バリア隔壁110の数量と幅は、ベース基板00の非表示領域の幅に応じて決めることができ、例示的に、バリア隔壁110の数は2である。
任意的に、コーティング、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発又はプラズマ増強化学蒸着法(英語:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition、略称:PECVD)等方法中のいずれか一つにより、TFT層30上に有機材料層を形成し、その後一度のパターニングプロセスにより有機材料層を処理してバリア隔壁110を得ることができる。あるいは、インクジェット印刷プロセス又はスクリーン印刷プロセスにより、非表示領域のTFT層03上にバリア隔壁110を形成することができる。
ステップ502において、封止されるデバイスの外側に、封止されるデバイスとバリア隔壁を覆う第一サブ無機層を形成する。
図9を参照すると、本願実施例が提供する、封止されるデバイス20外側に封止されるデバイス20とバリア隔壁110を覆う第一サブ無機層101を形成後の一概略図が示されている。当該第一サブ無機層101はベース基板00を覆い、当該第一サブ無機層101の材料は、SiON、SiNx、SiO、Al、ZnO又はTiO中の少なくとも一種であって良く、当該第一サブ無機層101の厚さは、0.2μm~0.7μmであって良い。
例示的に、コーティング、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発、PECVD又は薄膜封止(英語:Thin Film Encapsulation、略称:TFE)CVD等方法中のいずれか一つにより、封止されるデバイス20とバリア隔壁110が形成されたベース基板00上に、第一サブ無機層101としてSiONを一層堆積することができる。
ステップ503において、第一サブ無機層上に第一開口に形成する。
図10を参照すると、本願実施例が提供する、第一サブ無機層101上に第一開口1011を形成後の一概略図が示されている。第一サブ無機層101には、複数の第一開口1011があり、各第一開口1011のベース基板00上における正投影は、ベース基板00の表示領域中に位置してよい。ここで、第一開口1011は孔又はスリットであっても良く、当該孔は、止まり孔又は貫通孔であってもよい。任意的に、第一開口1011は、スリットであって良く、複数の第一開口1011の延伸方向は互いに平行であり、第一開口1011の形状は、曲線形であっても良い。あるいは、第一開口1011の形状は直線形であって良く、且つ第一開口1011と第一サブ無機層101の境界の間に挟角が存在し、当該挟角は通常90度以下である。
任意的に、一度のパターニングプロセスにより第一サブ無機層101を処理し、第一サブ無機層101に第一開口1011を形成しても良い。あるいは、転写プロセスにより、第一サブ無機層101に第一開口1011を形成しても良い。ここで、一度のパターニングプロセスは、フォトレジストコーティング、露光、現像、エッチングとフォトレジスト剥離を含むことができる。そのため、一度のパターニングプロセスにより第一サブ無機層101を処理することは、下記の操作を含むことができる。まず、第一サブ無機層101にフォトレジストを一層コーティングし、フォトレジスト層を得る。次に、マスクを用いてフォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層に完全露光エリアと非露光エリアを形成する。その後、現像プロセスにより、露光後のフォトレジスト層を処理し、完全露光エリアのフォトレジストを除去し、非露光エリアのフォトレジストを残す。そして、完全露光エリアの第一サブ無機層101における対応領域に対しエッチングを行い、第一サブ無機層101に第一開口1011を形成し、最後に、非露光エリアのフォトレジストを剥離する。本願実施例は、ポジ型フォトレジストにより第一開口1011を形成する例について説明したが、代替的に、ネガ型フォトレジストを用いて第一開口1011を形成することができることは容易に理解でき、本願実施例はここでは繰り返さない。
ステップ504において、第一開口に弾性構造を形成する。
図11を参照すると、本願実施例が提供する、第一開口1011中に弾性構造104を形成後の一概略図が示されている。当該弾性構造104の形状は第一開口1011の形状と符合しており、当該弾性構造104の材料は、ポリイミド、ポリウレタン、ポリプロピレン、PMDS、ポリウレタン、PPS、HMDSO、TMS又はシリカゲル中の少なくとも一種を含んで良く、あるいは、当該弾性構造104の材料は、他のシリコーン化合物材料であっても良い。任意的に、インクジェット印刷プロセス又はスクリーン印刷プロセスにより第一開口1011中に弾性材料を充填し、充填した弾性材料を硬化させ、第一開口1011中に弾性構造104を形成することができる。
上記ステップ502~ステップ504では、先に第一サブ無機層101を形成し、その後に第一サブ無機層101に第一開口1011を形成し、最後に第一開口1011中に弾性構造104を形成する例について説明したが、上記ステップ502~ステップ504の代替ステップとして、先にインクジェット印刷プロセス又はスクリーン印刷プロセスにより、バリア隔壁110が形成されたベース基板00上に弾性構造104を形成し、その後第一サブ無機層101を形成しても、上記ステップ502~ステップ504と同じ効果を実現できることは容易に理解でき、本願実施例はこれを限定しない。
ステップ505において、第一サブ無機層の外側に、第一サブ無機層を覆う第二サブ無機層を形成する。
図12を参照すると、本願実施例が提供する、第一サブ無機層101の外側に第一サブ無機層101を覆う第二サブ無機層102を形成後の一概略図が示されている。第二サブ無機層102はベース基板00を覆っている。当該第二サブ無機層102の材料は、SiON、SiNx、SiO、Al、ZnO又はTiO中の少なくとも一種であって良く、当該第二サブ無機層102の材料は、第一サブ無機層101の材料と同じであっても異なっていても良く、当該第二サブ無機層102の厚さは、0.2μm~0.7μmであって良い。
例示的に、コーティング、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発、PECVD又はTFE CVD等方法中のいずれか一つにより、第一サブ無機層101が形成されたベース基板00上に、第二サブ無機層102としてSiNxを堆積することができる。
ステップ506において、第二サブ無機層に第二開口を形成する。
図13を参照すると、本願実施例が提供する、第二サブ無機層102に第二開口1021を形成後の一概略図が示されている。第二サブ無機層102には複数の第二開口1021があり、各第二開口1021のベース基板00上における正投影は、ベース基板00の表示領域中に位置してよく、各第二開口1021の第一サブ無機層101上における正投影は、第一開口1011とずれている。ここで、第二開口1021は孔又はスリットであって良く、当該孔は、止まり孔又は貫通孔であって良い。任意的に、第二開口1021はスリットであって良く、複数の第二開口1021の延伸方向は互いに平行であり、第二開口1021の形状は曲線形であって良い。あるいは、第二開口1021の形状は直線形であって良く、且つ第二開口1021と第二サブ無機層102の境界の間に挟角が存在し、当該挟角は通常90度以下である。当該ステップ506の実現過程は、上記ステップ503を参照でき、本願実施例はここでは繰り返さない。
ステップ507において、第二開口に弾性構造を形成する。
図14を参照すると、本願実施例が提供する、第二開口1021中に弾性構造104を充填後の一概略図が示されている。当該弾性構造104の形状は第二開口1021の形状と符合する。当該ステップ507の実現過程は、上記ステップ504を参照でき、本願実施例はここでは繰り返さない。
ステップ508において、第二サブ無機層の外側に有機層を形成し、第一封止構造層を得る。
図15を参照すると、本願実施例が提供する、第二サブ無機層102の外側に有機層103の形成後の一概略図が示されている。有機層103のベース基板00上における正投影は、ベース基板00の表示領域中に位置し、有機層103の材料は、PI、PU又はポリプロピレン中の少なくとも一種を含むことができる。
例示的に、コーティング、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発、PECVD又はTFE CVD等方法中のいずれか一つにより、第二サブ無機層102の外側にPI層を形成し、その後一度のパターニングプロセスによりPI層を処理して有機層103を得ることができる。あるいは、インクジェット印刷プロセス又は塗布プロセスにより、表示領域の第二サブ無機層102上にPIを塗布して有機層103とする。上記ステップ502~ステップ508を経た後、第一封止構造層100が得られる。
本願実施例において、有機層103の材料と弾性構造104の材料は、同じであっても異なっていても良く、有機層103の材料が弾性構造104の材料と同じ場合、上記ステップ507とステップ508は合併することができる。即ち、第二サブ無機層102上に第二開口1021を形成した後、第二サブ無機層102の外側に有機層103を直接に形成し、有機層103の形成過程において、有機層材料を第二開口1021中に充填し、第二開口1021中に弾性構造104を形成する。
ステップ509において、第一封止構造層の外側に、第一封止構造層を覆う第一サブ無機層を形成する。第一封止構造層の外側に第一封止構造層を覆う第一サブ無機層101を形成後の概略図を図16に示す。
ステップ510において、第一サブ無機層に第一開口を形成する。第一サブ無機層101に第一開口1011を形成後の概略図を図17に示す。
ステップ511において、第一開口に弾性構造を形成する。第一開口1011中に弾性構造104を形成後の概略図を図18に示す。
以上のステップ509~ステップ511の実現過程は、本実施例のステップ502~ステップ504を参照できる。あるいは、本願実施例において、当該ステップ509~ステップ511の代替ステップとして、ステップ508を実施した後、有機層103に対し転写を行い、有機層103上に弾性構造104を形成し、その後堆積を行う手段を用いて、有機層103のベース基板101から遠い側に第一サブ無機層101を形成することができる。当該第一サブ無機層101には第一開口がある、有機層103上の弾性構造104は、当該第一開口に位置する。
ステップ512において、第一サブ無機層の外側に、第一サブ無機層を覆う第二サブ無機層を形成する。第一サブ無機層101の外側に、第一サブ無機層101を覆う第二サブ無機層102を形成後の概略図を図19に示す。
ステップ513において、第二サブ無機層に第二開口を形成する。第二サブ無機層102に第二開口1021を形成後の概略図を図20に示す。
ステップ514において、第二開口に弾性構造を形成し、第二封止構造層を得る。第二開口1021中に弾性構造104を充填後の概略図を図2に示す。
ここで、以上のステップ512~ステップ514の実現過程は、本実施例のステップ505~ステップ507、本願実施例はここでは繰り返さない。
以上により、本願実施例が提供する封止方法は、封止構造において少なくとも一つの封止構造層が積層した無機層と有機層を含み、無機層が少なくとも一つの開口を有し、当該少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口が弾性構造を有し、弾性構造は無機層のストレッチ性と耐湾曲性を向上させるため、封止構造のストレッチ性と耐湾曲性の向上に寄与する。
同様の発明思想に基づいて、本願実施例は、表示デバイスと当該表示デバイスの外側に位置する封止構造を含む表示装置であって、当該封止構造は、上記実施例が提供する封止構造10であって良い表示装置をさらに提供することができる。表示デバイスは、OLEDデバイス又はQLEDデバイスであって良く、表示装置はフレキシブルな表示装置であって良い。当該表示装置は、携帯電話又はタブレットコンピューター等のモバイル端末であって良く、あるいは、当該表示装置は、腕時計又はスマートブレスレット等のウェアラブルデバイスであっても良く、あるいは、当該表示装置は、デレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム又はナビゲーター等の表示機能を有する如何なる製品又は部品であっても良い。
本願において、「第一」や「第二」という用語は、説明目的のみに使用され、相対的な重要性を示すまたは暗示するものとして解釈されるべきではない。特に明確な定義がない限り、「複数の」という用語は、二つ又は二つ以上のという意味であり、「少なくとも一つの」という用語は、一つ又は複数のという意味である。本願中の「及び/又は」という用語は、単に関連対象の関連関係を述べたものに過ぎず、三通りの関係が存在し得ることを示す。例えば、AまたはB中の少なくとも一つは、Aのみ存在する場合、AとBが同時に存在する場合、Bのみ存在する場合の三つの状況を表すことができる。同じ理由で、「A、B又はC中の少なくとも一つ」は、七通りの関係を表すことができ、Aのみ存在する場合、Bのみ存在する場合、Cのみ存在する場合、AとBが同時に存在する場合、AとCが同時に存在する場合、BとCが同時に存在する場合、AとBとCが同時に存在する場合の七つの状況を表すことができる。同じ理由で、「A、B、C又はD中の少なくとも一つ」は、十五通りの関係を表すことができ、Aのみ存在する場合、Bのみ存在する場合、Cのみ存在する場合、Dのみ存在する場合、AとBが同時に存在する場合、AとCが同時に存在する場合、AとDが同時に存在する場合、CとBが同時に存在する場合、DとBが同時に存在する場合、CとDが同時に存在する場合、AとBとCが同時に存在する場合、AとBとDが同時に存在する場合、AとCとDが同時に存在する場合、BとCとDが同時に存在する場合、AとBとCとDが同時に存在する場合の十五の状況を表すことができる。
上記本願実施例の番号は単に説明のためのものに過ぎず、実施例の優劣を表すものではない。
当業者は、上記の実施例を実施するステップのすべてまたは一部がハードウェアによって完了でき、また、プログラムにより関連するハードウェアに指令を出すことによって完了できることを理解できる。前記プログラムは、コンピューター読み取り可能な記憶媒体に格納でき、上述の記憶媒体は、読み取り専用メモリ、磁気ディスク、または光ディスク等であってもよい。
上記の説明は、本出願の任意に選択可能な実施例に過ぎず、本出願を限定することを意図するものではない。本出願の精神および原則内で行われる修正、同等の置換、改善等は、いずれもすべて本出願の保護範囲に含まれる。

Claims (19)

  1. 封止されるデバイスの外側を覆う少なくとも二つの封止構造層を含む封止構造であって、前記少なくとも二つの封止構造層のうち少なくとも一つの封止構造層は、積層した無機層と有機層を含み、
    前記無機層には、少なくとも一つの開口があり、
    前記少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口は弾性構造を有し、
    前記少なくとも二つの封止構造層のうち、前記封止されるデバイスに最も近い方の封止構造層が第一封止構造層であり、前記第一封止構造層は、積層した前記無機層と前記有機層を含み、前記第一封止構造層における前記無機層は、前記封止されるデバイスと接触し、かつ互いに接触するように積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口があり、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口に、いずれも弾性構造を有する、封止構造。
  2. 請求項1に記載の封止構造であって、
    前記無機層は、積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口がある、封止構造。
  3. 請求項2に記載の封止構造であって、
    前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口に、いずれも弾性構造を有する、封止構造。
  4. 請求項2又は3に記載の封止構造であって、
    前記第一開口と前記第二開口は、孔又はスリットのうち少なくとも一方を含む、封止構造。
  5. 請求項2~4のいずれか一項に記載の封止構造であって
    前記第一開口と前記第二開口がいずれもスリットであり、
    前記第一サブ無機層には、複数の前記第一開口があり、複数の前記第一開口の延伸方向は互いに平行であり、
    前記第二サブ無機層には、複数の前記第二開口があり、複数の前記第二開口の延伸方向は互いに平行である、封止構造。
  6. 請求項5に記載の封止構造であって、
    前記封止構造の全てのサブ無機層上の開口の延伸方向は互いに平行である、封止構造。
  7. 請求項5又は6に記載の封止構造であって、
    前記第一開口と前記第二開口のうち各開口の形状が曲線形であるか、あるいは、
    前記第一開口と前記第二開口のうち各開口の形状が直線形である、封止構造。
  8. 請求項1~7のいずれか一項に記載の封止構造であって、
    前記弾性構造の材料は、ポリイミド、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリウレタン、ポリフェニレンスルフィド、ヘキサメチルジシロキサン、テトラメチルシラン又はシリカゲル中の少なくとも一種を含む、封止構造。
  9. 請求項1~8のいずれか一項に記載の封止構造であって、
    前記有機層は前記無機層と接触し、前記弾性構造の材料は前記有機層の材料と同じである、封止構造。
  10. 請求項1~9のいずれか一項に記載の封止構造であって、
    前記少なくとも二つの封止構造層のうち、記封止されるデバイスから最も遠い封止構造層が第二封止構造層であり、
    前記第一封止構造層と前記第二封止構造層以外の封止構造層が第三封止構造層であり、
    前記第二封止構造層は前記無機層を含み、
    前記第三封止構造層は、積層した前記無機層と前記有機層を含む、封止構造。
  11. 請求項1~10のいずれか一項に記載の封止構造であって、
    前記封止されるデバイスは、ベース基板の表示領域に位置し、
    前記ベース基板は、さらに非表示領域を有し、
    前記封止構造は、前記非表示領域に位置するバリア隔壁をさらに含み、
    前記封止構造の全ての有機層の前記ベース基板上における正投影は、前記表示領域に位置し、
    前記封止構造の全ての無機層は前記バリア隔壁を覆っている、封止構造。
  12. 請求項1~11のいずれか一項に記載の封止構造であって、
    前記無機層の材料は、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛又は二酸化チタン中の少なくとも一種を含み、前記封止構造の全ての無機層の材料は、同じであるか或いは異なり、
    前記有機層の材料は、ポリイミド、ポリウレタン又はポリプロピレン中の少なくとも一種を含み、前記封止構造の全ての有機層の材料は、同じであるか或いは異なる、封止構造。
  13. 請求項2~7のいずれか一項に記載の封止構造であって、
    前記封止構造の各サブ無機層の厚さの値の範囲は、0.2μm~0.7μmである、封止構造。
  14. 請求項1~13のいずれか一項に記載の封止構造であって、
    前記少なくとも二つの封止構造層は、二つの封止構造層である、封止構造。
  15. 封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う少なくとも二つの封止構造層を含む封止構造を形成することを含む封止方法であって、
    前記少なくとも二つの封止構造層のうち少なくとも一つの封止構造層は、積層した無機層と有機層を含み、
    前記無機層には少なくとも一つの開口があり、
    前記少なくとも一つの開口のうち少なくとも一つの開口は、弾性構造を有し、
    前記封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う少なくとも二つの封止構造層を含む封止構造を形成することは、
    (1)封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆いかつ前記封止されるデバイスと接触する無機層を形成する工程であって、前記無機層は、互いに接触するように積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口があり、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口にいずれも弾性構造を有する工程と、
    (2)前記無機層の外側に有機層を形成し、第一封止構造層を得る工程と、を含む、
    封止方法。
  16. 請求項15に記載の方法であって、
    前記封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う少なくとも二つの封止構造層を含む封止構造を形成することは、さらに、
    (3)前記第一封止構造層の外側に、前記第一封止構造層を覆う無機層を形成し、第二封止構造層を得る工程であって、前記無機層は、積層した第一サブ無機層と第二サブ無機層を含み、前記第一サブ無機層には第一開口があり、前記第二サブ無機層には第二開口があり、前記第二開口の前記第一サブ無機層上における正投影は、前記第一開口とずれており、前記第一開口と前記第二開口にいずれも弾性構造を有する工程と
    を含む封止方法。
  17. 請求項16に記載の方法であって、
    前記封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う無機層を形成することは、
    封止されるデバイスの外側に、前記封止されるデバイスを覆う第一サブ無機層を形成することと、
    前記第一サブ無機層に第一開口を形成することと、
    前記第一開口に弾性構造を形成することと、
    前記第一サブ無機層の外側に、前記第一サブ無機層を覆う第二サブ無機層を形成することと、
    前記第二サブ無機層に第二開口を形成することと、
    前記第二開口に弾性構造を形成することと
    を含む、封止方法。
  18. 請求項15~17のいずれか一項に記載の方法であって、
    前記封止されるデバイスは、ベース基板の表示領域中に位置し、前記ベース基板はさらに非表示領域を有し、
    前記方法は、前記非表示領域中にバリア隔壁を形成することをさらに含み、前記封止構造の全ての無機層は前記バリア隔壁を覆う、封止方法。
  19. 請求項1~14のいずれか一項に記載の封止構造を含む、表示装置。
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