JP7401056B2 - コーティング済み電気ストリップを生成する方法及びコーティング済み電気ストリップ - Google Patents
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Description
C:0.0010~0.02
Si:0.5~4.0
Mn:0.1~0.5
P:0.01~0.02
S:0.0001~0.005
Al:0.5~2.5
N:<0.005
Nb:<0.5
Ti:<0.5
B:<0.0020
Cr:<0.10
Cu:<0.10
V:<0.10
Sn:<0.10
Mo:<0.10
残余分は鉄及び不可避の不純物。
C:0.0020~0.0050
Si:2.0~3.0(特殊な範囲:2.27~2.37)
Mn:0.25~0.3
P:0.01~0.02
S:0.0001~0.005
Al:0.8~1.3(特殊な範囲:1.0~1.1)
N:<0.005
Nb:<0.1
Ti:<0.1
B:<0.0020
Cr:<0.05(特殊な範囲:<0.05)
Cu:<0.05
V:<0.05
Sn:<0.05
Mo:<0.05
残余分は鉄及び不可避の不純物。
C:0.0038
Si:2.3
Mn:0.28
P:0.013
S:0.0008
Al:1.00
N:0.001
残余分は鉄及び不可避の不純物。
Al:1.0重量%(範囲:0.5~2.5重量%)
Si:2.3重量%(範囲:0.5~4.0重量%)
アニーリング
アニーリング終了温度T=1,000℃(範囲:800~1200℃、好ましくは920~1150℃)
アニーリング時間t=2分(範囲:0.5~5分)
露点=-45℃(範囲:-35~-60℃)
成膜剤(例えばフェノキシド分散体)0.0~2.0重量%
共溶媒(例えばブチルグリコール):0.2~2.0重量%
界面活性剤(例えばLigaphob N90):0.02~0.3重量%
残り:有機又は無機溶媒
オルガノシラン(例えばGLYMO):1.0~2.5重量%
成膜剤(例えばフェノキシ分散体)0.0~1.5重量%
共溶媒(例えばブチルグリコール):0.5~1.3重量%
界面活性剤(例えばLigaphob N90):0.05~0.22重量%
残り:有機又は無機溶媒
例1:成膜剤(樹脂)あり:
成分:重量%
GLYMO(3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン):2.0
PKHW-34(フェノキシ分散体):1.0
ブチルグリコール(共溶媒):1.0
Ligaphob N90(界面活性剤):0.2
水:95.8
成分:重量%
GLYMO(3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン):2.0
ブチルグリコール(共溶媒):1.0
Ligaphob N90(界面活性剤):0.2
水:96.8
特に、前処理物質124は、硬化剤又は焼付ワニスを含まなくてもよい。
Claims (21)
- コーティング済み電気ストリップを生成する方法であって、
表面にAlNが設けられた圧延アルミニウム合金電気ストリップの前記表面を加水分解する段階と、
前記圧延アルミニウム合金電気ストリップの前記表面上に前処理層を塗布する段階であって、前記前処理層は有機シリコン化合物を有する段階と、
前記前処理層でコーティングされた前記圧延アルミニウム合金電気ストリップを焼付ワニス層でコーティングする段階と
を備える方法。 - 前記有機シリコン化合物は、オルガノシランである、請求項1に記載の方法。
- 前記有機シリコン化合物は、オルガノシラノールである、請求項1に記載の方法。
- 前記有機シリコン化合物は、シロキサン又はシリコーンである、請求項1に記載の方法。
- 前記有機シリコン化合物は、第1の官能基及び第2の官能基を有し、前記第1の官能基は、前記加水分解された表面と共有結合を形成し、前記第2の官能基は、焼付ワニスと共有結合を形成する、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の官能基はアルコキシ基である、請求項5に記載の方法。
- 前記第1の官能基の前記共有結合はSi-O結合である、請求項5又は6に記載の方法。
- 前記第2の官能基はアミノ基又はエポキシ基である、請求項5又は6に記載の方法。
- 前記加水分解の前に前記電気ストリップのアニーリングが実行され、前記電気ストリップの前記アニーリング中、露点が-35℃~-60℃の範囲内に設定される、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加水分解の前に前記電気ストリップのアニーリングが実行され、1000℃~1200℃の範囲内のアニーリング終了温度が設定される、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記前処理層は、0.5重量%~3.0重量%のオルガノシラン、0.2重量%~2.0重量%の共溶媒、0.02重量%~0.3重量%の界面活性剤、残余分の有機若しくは無機溶媒及び/又は水を含有する組成物から用意されている、請求項1から10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記前処理層は、膜形成樹脂をさらに有する、請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。
- 乾燥した前記前処理層の層厚さは、10~100nm、特に20~50nmである、請求項1から12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記前処理層の塗布後、かつ前記焼付ワニス層でのコーティング前に、エネルギーを供給することによって前記前処理層の活性乾燥が実行される、請求項1から13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記前処理層は、第1のローラを使用したローラ式塗布によって塗布される、請求項1から14のいずれか1項に記載の方法。
- 前記焼付ワニス層は、第2のローラを使用したローラ式塗布によって塗布される、請求項1から15のいずれか1項に記載の方法。
- コーティング済み電気ストリップであって、
圧延アルミニウム合金電気ストリップと、
前記圧延アルミニウム合金電気ストリップの表面上の有機シリコン化合物を有する前処理層と、
前記前処理層上の焼付ワニス層と
を備え、
前記圧延アルミニウム合金電気ストリップの前記表面と前記前処理層との間の界面層にSi-O-Al共有結合が形成されている、コーティング済み電気ストリップ。 - 前記有機シリコン化合物は、オルガノシラン、オルガノシラノール、シロキサン、又はシリコーンである、請求項17に記載のコーティング済み電気ストリップ。
- 前記前処理層は、膜形成樹脂を有する、請求項17又は18に記載のコーティング済み電気ストリップ。
- 前記前処理層は、膜形成樹脂を有しない、請求項17又は18に記載のコーティング済み電気ストリップ。
- 前記圧延アルミニウム合金電気ストリップは、0.5重量%、1.0重量%、1.1重量%、又は1.3重量%と等しいか、又はそれより大きく、かつ2.0重量%又は2.5重量%と等しいか、又はそれ未満のAl含有量を有する、請求項17~20のいずれか1項に記載のコーティング済み電気ストリップ。
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