JP7393312B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1に表したように、実施形態に係る半導体装置100は、半導体素子1、絶縁部5、端子10、第1部材21、第2部材22、及び第3部材23を含む。図1では、絶縁部5が破線で表されている。
図2及び図3に表したように、半導体素子1は、ドレイン電極1a、ソース電極1b、ゲートパッド1c、及び半導体層1dを含む。ドレイン電極1aは、半導体素子1の下面に設けられている。ソース電極1b及びゲートパッド1cは、半導体素子1の上面に設けられている。ソース電極1bとゲートパッド1cは、互いに離れており、電気的に分離されている。半導体層1dは、ドレイン電極1aとソース電極1bとの間、及びドレイン電極1aとゲートパッド1cとの間に設けられている。
図4(a)及び図4(b)に表したように、端子10は、第1導電部11及び第2導電部12を含む。
ドレイン電極1a、ソース電極1b、及びゲートパッド1cは、アルミニウムなどの金属を含む。半導体層1dは、半導体材料として、シリコン、炭化シリコン、窒化ガリウム、又はガリウムヒ素を含む。絶縁部5は、ポリイミドなどの絶縁性樹脂を含む。端子10、第1部材21、第2部材22、及び第3部材23は、銅又はアルミニウムなどの金属を含む。金属層15は、銅又は銀などの金属を含む。接合層31a~31c、32、及び33は、銅、銀、又は錫などの金属を含む。
図5に表したリードフレーム200を用意する。図6は、図5の一部を拡大した平面図である。図5及び図6に表したように、リードフレーム200は、接合部分201a~201c、複数の端子部分202、及び連結部分203を含む。
図9(a)及び図9(c)は、それぞれ、参考例及び実施形態に係る半導体装置の製造方法を表す平面図である。図9(b)及び図9(d)は、それぞれ、参考例及び実施形態に係る半導体装置を表す平面図である。
実施形態に係る半導体装置100では、図4及び図9(d)に表したように、端面ESが窪んでいる。これにより、図9(b)に表した半導体装置100r1に比べて、端面ESの面積を大きくできる。端面ESの面積の増加に応じて、金属層15の面積も増加する。半導体装置100の実装時に、はんだが、端面ESにさらに付着し易くなる。この結果、半導体装置100の外観検査がさらに容易となる。
長さL1は、端子10のX方向における長さLxと関係する。図11(a)及び図11(b)は、長さL1が長さL2の0.8倍となるように、リードフレーム200の一部を除去したときの様子を表す。図11(c)及び図11(d)は、長さL1が長さL2の0.4倍となるように、リードフレーム200の一部を除去したときの様子を表す。
Claims (5)
- 半導体素子と、
前記半導体素子を覆う絶縁部と、
第1方向において前記絶縁部と重なる第1導電部及び前記絶縁部から露出した第2導電部を含み、前記半導体素子と電気的に接続された端子であって、前記第2導電部は、
前記第1方向に垂直な第2方向と交差し且つ金属層が設けられた端面と、前記第1方向及び前記第2方向に垂直な第3方向と交差する第1面及び第2面と、を有し、前記端面の前記第3方向における一端は前記第1面の前記第2方向における一端と接し、前記端面の前記第3方向における他端は前記第2面の前記第2方向における一端と接し、前記端面は前記第1導電部に向けて窪んだ、第1部分と、
前記第2方向において前記第1部分と前記第1導電部との間に設けられた第2部分と、
を含み、前記第3方向における前記第1部分の長さは前記第3方向における前記第2部分の長さよりも短い、前記端子と、
を備えた半導体装置。 - 前記端面と前記第1面との間の角度及び前記端面と前記第2面との間の角度は、20度よりも大きく90度よりも小さい、請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2部分は、
前記第1面の前記第2方向における他端と連なる第3面と、
前記第2面の前記第2方向における他端と連なる第4面と、
を有し、
前記第1面の前記他端及び前記第2面の前記他端は、湾曲している、請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子の下に設けられた第1部材と、
前記半導体素子の上に設けられ、互いに離れた第2部材及び第3部材と、
複数の前記端子と、を備え、
前記複数の端子は、前記第1部材と電気的に接続された第1端子と、前記第2部材と電気的に接続された第2端子と、前記第3部材と電気的に接続された第3端子と、を含む、請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 半導体素子が接合される接合部分と、
第2方向に延び、前記第2方向に垂直な第3方向に並び、それぞれが端子に成形される複数の端子部分と、
隣り合う前記端子部分の前記第2方向における端部同士を連結する連結部分と、
を含み、それぞれの前記端子部分は前記第2方向と交差し且つ前記接合部分に向けて窪んだ端面を有する、リードフレームを用意し、
前記接合部分の上に、前記半導体素子を接合し、
前記端面に、金属層を形成し、
前記端部の前記第3方向における長さが前記端子部分の他の部分の前記第3方向における長さよりも短くなるように、前記連結部分及びそれぞれの前記端部の一部を除去し、
前記連結部分及び前記端部の前記一部の除去により、前記第3方向と交差する第1面及び第2面が前記端部に形成され、前記端面の前記第3方向における一端は前記第1面の前記第2方向における一端と接し、前記端面の前記第3方向における他端は前記第2面の前記第2方向における一端と接する、半導体装置の製造方法。
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