JP7392740B2 - 塗布膜形成装置、及び塗布膜形成方法 - Google Patents
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Description
表面に凹部パターンが形成された前記基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板の表面に、空気よりも動粘度が高い第1のガスを供給する第1のガス供給部と、
前記凹部内を第1のガスから前記基板の表面における前記塗布液のぬれ性を高める改質液に置換するために、前記基板の表面に当該改質液を供給する改質液供給部と、
前記凹部内に充填されると共に前記基板の表面を被覆する前記塗布膜を形成するために、前記改質液が供給された基板に前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記第1のガスが供給され、且つ前記改質液が供給される前の前記基板に、前記第1のガスよりも動粘度が低い第2のガスを供給する第2のガス供給部と、
を備える。
第1の実施形態にかかる塗布膜形成方法を実施し、基板であるウエハWにレジスト膜を形成するレジスト膜形成装置について説明する。図1、図2に示すようにレジスト膜形成装置1は、ウエハWの裏面側中央部を吸着し、ウエハWが水平に載置される載置部であるスピンチャック31を備えている。このスピンチャック31は軸部32を介して回転機構である駆動部33に接続されており、この駆動部33を介してウエハWを保持した状態で鉛直軸周りに回転自在かつ昇降自在に構成されている。
なお、比較的厚い膜厚のレジスト膜を形成するには、レジスト液の粘度を高くする必要が有る。一般的にレジスト液の粘度が高いほど、凹部100への充填が難しくなるが、レジスト膜形成装置1では、上記のようにシンナーを確実性高く凹部100に充填し、レジスト膜の凹部100への充填性を高くすることができる。つまり、例えば既述した比較的高い粘度のレジスト液を用いて、比較的膜厚が大きいレジスト膜を形成できるという利点も有る。
続いて第2の実施形態に係るレジスト膜形成装置10について、レジスト膜形成装置1との構成の差異点を中心に説明する。レジスト膜形成装置10は、図20に示すようにウエハWを加熱するための加熱機構として、ウエハWに光を照射して加熱する光照射部であるLED(light emitting diode)光源群91を備える点でレジスト膜形成装置1と異なる。また第2実施形態にかかるレジスト膜形成装置は、Heガスノズル6、Arガスノズル7に代えてガス供給部60が設けられている。
また第1のガスをガス供給部から基板に向けて供給する構成に限らない。例えば、既述のレジスト膜形成装置1において、第1のガスノズル6を設けることに代えて、当該レジスト膜形成装置1を密閉されたチャンバ内に設けてもよい。そしてチャンバ内に第1のガスを供給できるように構成して、チャンバ内の雰囲気を第1のガスに置換することにより、凹部100内に第1のガスを満たす。その後ウエハWに改質液の塗布と、塗布液の塗布とを行うように構成してもよい。
なお、Heガスの供給後、シンナーを塗布するにあたっては、既述のようにウエハWの中心部から周縁部に広げることに限られない。例えば、長尺な吐出口を有するノズルからウエハWの半径に沿ってシンナーを吐出すると共にウエハWを回転させて、ウエハW表面全体にシンナーを供給してもよい。その他、ウエハWの直径よりも長い吐出口を備えるノズルからシンナーを吐出しながら、ウエハWの一端から他端に当該ノズルを移動させて、ウエハW表面全体にシンナーを供給してもよい。例えば、レジスト液についてもシンナーと同様に供給することができ、第1及び第2の実施形態で述べたようにレジスト液をウエハWに供給することには限られない。
またウエハWに第1のガスを供給する工程と、第2のガスを供給する工程と、を含まないことを除いて実施例と同様に塗布膜形成処理を行った例を比較例とした。図26、図27は、夫々実施例及び比較例におけるウエハWの表面部の断面の様子を示している。
図26に示すように実施例においては、レジスト液104を凹部100に隙間なく充填することができた。一方図27に示すように比較例においては、凹部100の内部のレジスト液104が十分に充填されず空隙105が形成されていた。
31 スピンチャック
100 凹部
101 Heガス
103 シンナー
104 レジスト液
W ウエハ
Claims (13)
- 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
表面に凹部パターンが形成された前記基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板の表面に、空気よりも動粘度が高い第1のガスを供給する第1のガス供給部と、
前記凹部内を第1のガスから前記基板の表面における前記塗布液のぬれ性を高める改質液に置換するために、前記基板の表面に当該改質液を供給する改質液供給部と、
前記凹部内に充填されると共に前記基板の表面を被覆する前記塗布膜を形成するために、前記改質液が供給された基板に前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記第1のガスが供給され、且つ前記改質液が供給される前の前記基板に、前記第1のガスよりも動粘度が低い第2のガスを供給する第2のガス供給部と、
を備える塗布膜形成装置。 - 前記第2のガスは、空気より動粘度が高いガスである請求項1記載の塗布膜形成装置。
- 前記基板に供給される第1のガスの供給量が、前記基板に供給される第2のガスの供給量よりも多くなるように、前記第1のガス供給部、前記第2のガス供給部は、夫々前記第1のガス、前記第2のガスを供給する請求項1または2記載の塗布膜形成装置。
- 前記第1のガス供給部は、前記基板の表面に対する距離が第1の距離となる位置で第1のガスを供給する第1の供給口を備え、
前記第2のガス供給部は、前記基板の表面に対する距離が、前記第1の距離よりも大きい第2の距離となる位置で第2のガスを供給する第2の供給口を備える請求項1ないし3のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。 - 前記第1の供給口及び前記第2の供給口は、当該第1の供給口及び第2の供給口に共通して設けられると共に前記基板に対して相対的に昇降する昇降体に開口する請求項4記載の塗布膜形成装置。
- 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
表面に凹部パターンが形成された前記基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板の表面に、空気よりも動粘度が高い第1のガスを供給する第1のガス供給部と、
前記凹部内を第1のガスから前記基板の表面における前記塗布液のぬれ性を高める改質液に置換するために、前記基板の表面に当該改質液を供給する改質液供給部と、
前記凹部内に充填されると共に前記基板の表面を被覆する前記塗布膜を形成するために、前記改質液が供給された基板に前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
を備え、
前記第1のガス供給部は、前記基板の表面における前記第1のガスの供給位置を、当該基板の表面に対して相対的に移動させる相対移動機構を備え、
前記基板を回転させるために前記載置部を回転させると共に、前記相対移動機構を構成する回転機構を備え、
前記第1のガスが供給され、且つ前記改質液が供給される前の前記基板に、前記第1のガスよりも動粘度が高い第2のガスを供給する第2のガス供給部が設けられ、
前記回転機構により、前記第1のガスの供給中に前記基板が第1の回転数で回転し、
前記回転機構により、前記第2のガスの供給中に前記基板が前記第1の回転数よりも大きい第2の回転数で回転する塗布膜形成装置。 - 前記相対移動機構を備え、当該相対移動機構は前記基板に対して第1のガス供給部を移動させる第1のガス供給部移動機構を含む請求項6記載の塗布膜形成装置。
- 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
表面に凹部パターンが形成された前記基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板の表面に、空気よりも動粘度が高い第1のガスを供給する第1のガス供給部と、
前記凹部内を第1のガスから前記基板の表面における前記塗布液のぬれ性を高める改質液に置換するために、前記基板の表面に当該改質液を供給する改質液供給部と、
前記凹部内に充填されると共に前記基板の表面を被覆する前記塗布膜を形成するために、前記改質液が供給された基板に前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記第1のガスの動粘度を上昇させるために、前記第1のガスの供給前または当該第1のガスの供給中の第1の期間に、前記載置部に載置された基板を加熱する加熱機構と、
を備える塗布膜形成装置。 - 前記加熱機構は、前記基板に光照射して加熱する光照射部を備える請求項8記載の塗布膜形成装置。
- 前記光照射部は、前記改質液の前記基板への供給開始から前記基板への塗布液の供給を終了するまでの第2期間の光強度が、前記第1の期間及び前記基板への塗布液の供給停止後の第3の期間の光強度より小さくなるように光照射を行う請求項9記載の塗布膜形成装置。
- 前記第1のガスはヘリウムガスである請求項1ないし10のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。
- 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
表面に凹部パターンが形成された前記基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板の表面に、空気よりも動粘度が高い第1のガスを供給する第1のガス供給部と、
前記凹部内を第1のガスから前記基板の表面における前記塗布液のぬれ性を高める改質液に置換するために、前記基板の表面に当該改質液を供給する改質液供給部と、
前記凹部内に充填されると共に前記基板の表面を被覆する前記塗布膜を形成するために、前記改質液が供給された基板に前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記第1のガスが供給され、且つ前記改質液が供給される前の前記基板に、前記第1のガスよりも動粘度が高い第2のガスを供給する第2のガス供給部と、
を備え、
前記第2のガスはアルゴンガスである塗布膜形成装置。 - 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
表面に凹部パターンが形成された前記基板を載置部に載置する工程と、
前記載置部に載置された当該基板の表面に、空気よりも動粘度が高い第1のガスを供給する工程と、
前記基板の表面に、前記基板の表面における前記塗布液のぬれ性を高める改質液を供給して、前記凹部内を第1のガスから当該改質液に置換する工程と、
前記改質液が供給された前記基板に前記塗布液を供給し、前記凹部内に充填されると共に前記基板の表面を被覆する前記塗布膜を形成する工程と、
前記第1のガスが供給され、且つ前記改質液が供給される前の前記基板に、前記第1のガスよりも動粘度が低い第2のガスを供給する工程と、
を備える塗布膜形成方法。
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