JP7383116B2 - 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7383116B2
JP7383116B2 JP2022503320A JP2022503320A JP7383116B2 JP 7383116 B2 JP7383116 B2 JP 7383116B2 JP 2022503320 A JP2022503320 A JP 2022503320A JP 2022503320 A JP2022503320 A JP 2022503320A JP 7383116 B2 JP7383116 B2 JP 7383116B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recess
electronic component
layer
insulating layer
oxide film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022503320A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021172178A1 (ja
Inventor
広一朗 菅井
和貴 西本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2021172178A1 publication Critical patent/JPWO2021172178A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7383116B2 publication Critical patent/JP7383116B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof

Description

本開示は、電子部品搭載用パッケージおよび電子装置に関する。
従来、電子部品として発光素子を用いる場合、凹部を有する電子部品搭載用基板が用いられている（例えば、特開２０１３－１２２１８９号公報を参照。）。
本開示の電子部品搭載用パッケージは、第１面と、該第１面に開口する凹部と、該凹部内に電子部品の搭載部とを有する金属基体と、前記第１面における前記凹部の前記開口以外に、絶縁層を介して位置する配線導体と、を備え、前記凹部の内側面の少なくとも一部に金属酸化膜を有する。
本開示の電子装置は、上記構成の電子部品搭載用パッケージと、該電子部品搭載用パッケージに搭載された電子部品と、を有している。
図１Ａは、第１の実施形態における電子部品搭載用パッケージを示す上面図である。 図１Ｂは、図１Ａにおける電子部品搭載用パッケージの金属基体を示す上面図である。 図２Ａは、図１Ａに示した電子部品搭載用パッケージのＡ－Ａ線における断面図である。 図２Ｂは、図２ＡのＡ部における要部拡大断面図である。 図１Ａの電子部品搭載用パッケージに電子部品を搭載した電子装置を示す断面図である。 図４Ａは、第２の実施形態における電子部品搭載用パッケージを示す上面図である。 図４Ｂは、図４Ａにおける電子部品搭載用パッケージの金属基体を示す上面図である。 図５Ａは、図４Ａに示した電子部品搭載用パッケージのＡ－Ａ線における断面図である。 図５Ｂは、図５ＡのＡ部における要部拡大断面図である。
本開示のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
（第１の実施形態）
本実施形態における本開示の電子部品搭載用パッケージ１は、第１面と、第１面に開口する凹部12と、凹部12内に電子部品２の搭載部13とを有する金属基体11と、第１面における凹部12の開口以外に、絶縁層41を介して位置する配線導体42と、を備えている。金属基体11は、凹部12の内側面の少なくとも一部に金属酸化膜12ａを有している。凹部12の搭載部13には、電子部品２を搭載するための絶縁基板21が位置してもよい。図１Ａ～図３において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に電子部品搭載用パッケージ１等が使用される際の上下を限定するものではない。
金属基体11は、第１面（図１Ａ～図２Ｂでは上面）および第１面と厚み方向で反対側に第２面（図１Ａ～図２Ｂでは下面）と、側面とを有している。金属基体11は、熱伝導率の高い材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を用いることができる。アルミニウムは、軽量で、光に対する反射率が高いので、自動車のヘッドランプ等に適用される場合、好適に用いられる。また、電子部品２としてＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）用の発光素子を用いる場合、ＵＶ用の発光素子に対する反射率に優れ、軽量であるという点から好適なものとなる。
金属基体11は、図１Ａ～図２Ｂの例に示すように、第１面に開口し、底面および内側面および外側面を有する枠状の凹部12を有している。凹部12は、凹部12の底面に絶縁基板21を搭載して支持するための支持体として機能する。凹部12は、金属基体11の第１面に、切削加工、レーザー加工等を行うことにより形成される。
凹部12は、図１Ａ～図２Ｂに示す例において、凹部12の底面側よりも凹部12の開口側が広くなる（図１Ａ～図２Ｂでは、平面視で金属基体11の第１面の開口側が凹部12の底面側よりも大きい四角台形状の空間）ように、凹部12の内側面が傾斜している。
絶縁基板21は、第３面（図１Ａ～図２Ｂでは上面）および第３面と厚み方向で反対側に第４面（図１Ａ～図２Ｂでは下面）と、側面とを有している。絶縁基板21は、単層または複数の絶縁層からなり、絶縁基板21は、平面視すなわち第３面に垂直な方向から見ると方形状を有している。絶縁基板21は、電子部品２を支持するための支持体として機能する。絶縁基板21は、平面視にて第３面側に電子部品２を搭載するための搭載層22と、平面視にて第４面側に金属基体11と接合するための接合層23とを有している。
絶縁基板21は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。絶縁基板21は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。絶縁基板21は、例えば窒化アルミニウム質焼結体である場合であれば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ），酸化エルビニウム（Ｅｒ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿物を作製する。上記の泥漿物を、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。必要に応じて、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、高温（約1800℃）で焼成することによって、単層または複数の絶縁層からなる絶縁基板21が製作される。
搭載層22は、図１Ａ～図２Ｂの例に示すように、絶縁基板21の第３面に位置している。搭載層22は、電子部品２の搭載部として用いられる。または、はんだバンプ等の接続部材３の接続部として用いられ、電子部品２とモジュール用基板の接続パッドとを電気的に接続するためのものである。
接合層23は、図２Ａの例に示すように、絶縁基板21の第４面に位置している。接合層23は、接合材31等の接合部として用いられ、金属基体11と絶縁基板21とを接合するためのものである。
搭載層22および接合層23は、薄膜層およびめっき層とを含んでいる。薄膜層は、例えば、密着金属層とバリア層とを有している。薄膜層を構成する密着金属層は、絶縁基板21の第３面または第４面に形成される。密着金属層は、例えば、窒化タンタル、ニッケル－クロム、ニッケル－クロムーシリコン、タングステン－シリコン、モリブデン－シリコン、タングステン、モリブデン、チタン、クロム等から成り、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の薄膜形成技術を採用することにより、絶縁基板21の第３面または第４面に被着される。例えば真空蒸着法を用いて形成する場合には、絶縁基板21を真空蒸着装置の成膜室内に設置して、成膜室内の蒸着源に密着金属層と成る金属片を配置する。その後、成膜室内を真空状態（１０－２Ｐａ以下の圧力）にするとともに、蒸着源に配置された金属片を加熱して蒸着させ、上記の蒸着した金属片の分子を絶縁基板21に被着させることにより、密着金属層と成る薄膜金属の層を形成する。そして、薄膜金属層が形成された絶縁基板21にフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターンを形成した後、エッチングによって余分な薄膜金属層を除去することにより、密着金属層が形成される。密着金属層の上面にはバリア層が被着され、バリア層は密着金属層とめっき層と接合性、濡れ性が良く、密着金属層とめっき層とを強固に接合させるとともに密着金属層とめっき層とが相互拡散し難くする作用をなす。バリア層は、例えば、ニッケルークロム、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト等から成り、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の薄膜形成技術により密着金属層の表面に被着される。
密着金属層の厚さは0.01～0.5μｍ程度が良い。0.01μｍ未満では、絶縁基板21上に密着金属層を強固に密着させることが困難となる傾向がある。0.5μｍを超える場合は密着金属層の成膜時の内部応力によって密着金属層の剥離が生じ易くなる。また、バリア層の厚さは0.05～１μｍ程度が良い。0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生してバリア層としての機能を果たしにくくなる傾向がある。１μｍを超える場合は、成膜時の内部応力によりバリア層の剥離が生じ易くなる。
めっき層は、電解めっき法または無電解めっき法によって、薄膜層の露出した表面に被着される。めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性、接続部材３との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば、厚さ0.5～５μｍ程度のニッケルめっき層と0.1～３μｍ程度の金めっき層とが順次被着される。上記によって、搭載層22および接合層23が効果的に腐食し難くできるとともに、搭載層22と接続部材３との接合、接合層23と金属基体11との接合を強固にできる。
また、バリア層上に、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属層を配置し、めっき層が良好に形成されるようにしても構わない。上記の金属層は、薄膜層と同様な方法により形成される。
接合材31は、金属基体11の凹部12の底面と絶縁基板21の搭載面との反対面との間に位置し、金属基体11の凹部12の底面と絶縁基板21の接合層23とを接合している。
絶縁層41は、金属基体11の凹部12の周囲に位置している。絶縁層41は、第５面（図１Ａ～図２Ｂでは上面）に配線導体42を有しており、電子部品２の電極と電気的に接続するための領域となる。配線導体42の露出する表面にもめっき層を形成していても良い。絶縁層41は、例えば、絶縁基板21と同様のセラミックスを用いても良いし、樹脂を用いても良い。
金属基体11は、図２Ｂに示す例のように、凹部12の内面に金属酸化膜12ａ有している。金属基体11が、例えば、アルミニウムからなる場合、金属酸化膜12ａは、例えば、酸化アルミニウムから形成される。金属酸化膜12ａは、0.1nｍ～10nｍ程度の厚みに形成される。
例えば、金属基体11がアルミニウムからなり、金属酸化膜12ａが酸化アルミニウムからなる場合、金属基体11に凹部12を形成した後、凹部12の内面を酸化させる。その後、例えば、凹部12の底面にハンダ等の接合材31を載置し、凹部12の底面に超音波などのエネルギーを付与して、絶縁基板21を凹部12の底面に接合する。また、絶縁層41がセラミックスの場合、例えば、接合材31と同様の材料を用いて、絶縁基板21と同様の方法で金属基体11に接合される。
電子部品搭載用パッケージ１の絶縁基板21の第３面に電子部品２を搭載し、電子装置を作製できる。電子部品搭載用パッケージ１に搭載される電子部品２は、例えば、ＵＶ用のＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子である。また、例えば、電子部品２がワイヤボンディング型の電子部品２である場合には、電子部品２は、低融点ろう材または導電性樹脂等の接合部材によって、絶縁基板21上に固定された後、ボンディングワイヤ等の接続部材３を介して電子部品２の電極と絶縁層41の配線導体42とが電気的に接続されることによって電子部品搭載用パッケージ１に搭載される。また、電子部品２の電極と搭載層22とを電気的に接続した後、搭載層22と絶縁層41の配線導体42とが電気的に接続することによって電子部品搭載用パッケージ１に搭載される。また、例えば、電子部品２がフリップチップ型の電子部品２である場合には、電子部品２は、はんだバンプ、金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材３を介して、電子部品２の電極と搭載層22とが電気的および機械的に接続した後、搭載層22と絶縁層41の配線導体42とが電気的に接続することによって電子部品搭載用パッケージ１に搭載される。ボンディングワイヤ等の接続部材３を用いる場合は、アルミニウムからなるボンディングワイヤ等を用いてもよい。
また、絶縁基板21の第３面に、複数の電子部品２を搭載してもよい。また、電子部品２は必要に応じて、ガラス等からなる封止材を用いて、あるいは、ガラス、セラミックスまたは金属等からなる蓋体等により封止される。
本実施形態の電子部品搭載用パッケージ１によれば、第１面と、第１面に開口する凹部12と、凹部12内に電子部品２の搭載部13とを有する金属基体11と、第１面における凹部12の開口以外に、絶縁層41を介して位置する配線導体42と、を備え、凹部12の内側面の少なくとも一部に金属酸化膜12ａを有している。上記構成により、電子部品２として発光素子を用いる場合、発光した光が凹部12の内側面に照射されても、金属酸化膜12ａによって熱が発生し難くなりやすいものとなり、熱が絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。絶縁層41が樹脂の場合、熱による影響を受けやすいため、上記の構成によって絶縁層41が劣化し難くなる効果をより得やすく、下記の開示においても同様である。
金属酸化膜12ａは、凹部12の内側面における凹部12の開口から搭載部13の高さにかけて位置している。上記構成により、縦断面視にて、発光素子と絶縁層41との間において、搭載部13の側方から凹部12の開口にかけて、発光した光が凹部12の内側面に照射されても、金属酸化膜12ａによって熱が発生し難くなりやすいものとなり、熱が絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、絶縁層41の長さ方向に沿って、金属酸化膜12ａが位置している。上記構成により、絶縁層41の長さ方向の全体にわたって発光した光が凹部12の内側面に照射されても、金属酸化膜12ａによって効果的に熱が発生し難くなりやすいものとなり、熱が絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、凹部12の全周にわたって、凹部12の内側面における凹部12の開口から搭載部13の高さにかけて位置している。上記構成により、凹部12の全周にわたって発光した光が凹部12の内側面に照射されても、金属酸化膜12ａによってより効果的に熱が発生し難くなりやすいものとなり、熱が絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
凹部12の内側面は、凹部12の開口が、凹部12における底面と該底面に繋がる内側面との境より外側に位置するように傾斜している。上記構成により、凹部12の開口側において、発光した光が凹部12の開口側の内側面でより斜めに照射され、開口側において熱がより発生し難くなりやすいものとなり、熱が絶縁層41により伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
金属酸化膜12ａは、図２Ｂに示す例のように、更に絶縁層41まで亘っている。上記構成により、絶縁層41に伝熱し難くなり、絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。なお、金属酸化膜12ａは、図２Ｂに示す例のように、更に絶縁層41と金属基体11との間まで位置してもよい。上記の構成により、金属酸化膜12ａと絶縁層41との接合がより強いものとなり、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、金属酸化膜12ａは、平面視において、絶縁層41全体と重なるように位置している。上記構成により、絶縁層41全体に伝熱し難くなり、絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、絶縁層41は、図１Ａ～図２Ｂに示す例のように、金属基体11の第１面に位置する段差部11ｂ内に位置している。上記構成により、発光素子の光が直接絶縁層41に照射され難くし、絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態による電子部品搭載用パッケージ１について、図４Ａ～図５Ｂを参照しつつ説明する。
第２の実施形態における電子部品搭載用パッケージ１において、上記した実施形態の電子部品搭載用パッケージ１と異なる点は、金属基体11が、凹部12における開口と絶縁層41との間に第１面から突出する突出部11ａを有し、金属酸化膜12ａが、凹部12の内側面から突出部11ａにかけて位置する点である。上記構成により、電子部品２として発光素子を用いる場合、例えば発光した光が更に突出部11ａに照射されても、金属酸化膜12ａによって熱が発生し難くなりやすいものとなり、熱が絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
第２の実施形態における電子部品搭載用パッケージ１によれば、上記した実施形態の電子部品搭載用パッケージ１と同様に、第１面と、第１面に開口する凹部12と、凹部12内に電子部品２の搭載部13とを有する金属基体11と、第１面における凹部12の開口以外に、絶縁層41を介して位置する配線導体42と、を備え、凹部12の内側面の少なくとも一部に金属酸化膜12ａを有している。上記構成により、電子部品２として発光素子を用いる場合、発光した光が凹部12の内側面に照射されても、金属酸化膜12ａによって熱が発生し難くなりやすいものとなり、熱が絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
金属酸化膜12ａは、突出部11ａを覆っている。上記構成により、電子部品２として発光素子を用いる場合、発光した光が更に突出部11ａに照射されても、突出部11ａが、凹部12の内側面および凹部12の開口よりも絶縁層41に近い位置で、突出部11ａおよび金属酸化膜12ａによって、熱が発生し難くなりやすいものとなっており、熱がより効果的に絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、第１面からの突出部11ａの高さは、絶縁層41の厚み以上である。上記構成により、第１面と段差部11ｂの底面とが同一面の場合に、例えば発光した光が直接絶縁層41に照射されにくいものとなり、絶縁層41が効果的に劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。絶縁層41が樹脂の場合、光による影響を受けやすいため、上記の構成によって絶縁層41が劣化し難くなる効果をより得やすく、下記の開示においても同様である。
また、突出部11ａは、図５Ａ、図５Ｂに示す例のように、突出部11ａが段差を有する。上記構成により、電子部品２として発光素子を用いる場合、発光した光が凹部12の内側面に照射されても、金属酸化膜12ａによって熱が発生し難くなる経路が長いものとなり、熱がより効果的に絶縁層41に伝わり難いものとなって絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、絶縁層41は、図５Ａ、図５Ｂに示す例のように、金属基体11の第１面に位置する段差部11ｂ内の深さが、絶縁層41の厚みよりも大きい。上記構成により、発光素子の光が直接絶縁層41に照射され難くなり、絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、図４Ａ～図５Ｂに示す例のように、絶縁層41は、段差部11ｂの側面から離れて位置している。上記構成により、より絶縁層41に伝熱され難くなり、絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
また、図４Ａ～図５Ｂに示す例のように、絶縁層41が位置する段差部11ｂの外縁側が開放されている。上記構成により、段差部11ｂ内に熱が留まりにくくなり、絶縁層41が劣化し難くなる。その結果、長期間にわたって使用することができるものとすることができる。
第２の実施形態の電子部品搭載用パッケージ１は、その他は上述の実施形態の電子部品搭載用パッケージ１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、絶縁基板21は、平面視において側面または角部に、切欠きまたは面取りを有している矩形状であっても構わない。
また、凹部12は、第１の実施形態の電子部品搭載用パッケージ１および第２の電子部品搭載用パッケージ１において、金属基体11の第１面に開口側が大きい四角台形状の空間として形成されているが、金属基体11の第１面に開口側が大きい円錐台形状の空間として形成していても構わない。また、金属基体11の第１面に直方体形状の空間として形成していても構わない。凹部12は、第１の実施形態の電子部品搭載用パッケージ１および第２の実施形態の電子部品搭載用パッケージ１のように、金属基体11の第１面に開口側が大きくなるように形成していると、絶縁基板21に搭載した発光素子の光を外部に良好に放出することができる。
また、上述の実施形態における電子部品搭載用パッケージ１は、金属基体11の第１面に１つの凹部12と凹部12内に絶縁基板21を有しているが、金属基体11の第１面に複数の凹部12を形成し、それぞれの凹部12の底面に絶縁基板21が接合材31を介して接合された電子部品搭載用パッケージ１であっても構わない。上記の場合、それぞれの凹部12の底面に載置された絶縁基板21上に電子部品２が搭載してもよい。
１・・・・電子部品搭載用パッケージ
11・・・・金属基体
11ａ・・・突出部
12・・・・凹部
12ａ・・・金属酸化膜
13・・・・搭載部
21・・・・絶縁基板
22・・・・搭載層
23・・・・接合層
31・・・・接合材
２・・・・電子部品
３・・・・接続部材
41・・・・絶縁層
42・・・・配線導体

Claims (7)

  1. 第１面と、該第１面に開口する凹部と、該凹部内に電子部品の搭載部とを有する金属基体と、
    前記第１面における前記凹部の前記開口以外に、絶縁層を介して位置する配線導体と、
    を備え、
    前記凹部の内側面の少なくとも一部に金属酸化膜を有し、
    前記凹部における前記開口と前記絶縁層との間に前記第１面から突出する突出部を有し、
    前記金属酸化膜が、前記凹部の内側面から前記突出部にかけて位置する、電子部品搭載用パッケージ。
  2. 前記金属酸化膜は、前記凹部の内側面における前記凹部の前記開口から前記搭載部の高さにかけて位置する、請求項１に記載の電子部品搭載用パッケージ。
  3. 前記凹部の内側面は、前記凹部の前記開口が、前記凹部における底面と該底面に繋がる前記内側面との境より外側に位置するように傾斜する、請求項１または請求項２に記載の電子部品搭載用パッケージ。
  4. 前記金属酸化膜は、前記突出部を覆っている、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。
  5. 前記金属酸化膜は、更に前記絶縁層まで亘っている、請求項４に記載の電子部品搭載用パッケージ。
  6. 前記第１面からの前記突出部の高さは、前記絶縁層の厚み以上である、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージと、
    該電子部品搭載用パッケージに搭載された電子部品と、を有している電子装置。
JP2022503320A 2020-02-26 2021-02-19 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 Active JP7383116B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020030613 2020-02-26
JP2020030613 2020-02-26
PCT/JP2021/006248 WO2021172178A1 (ja) 2020-02-26 2021-02-19 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021172178A1 JPWO2021172178A1 (ja) 2021-09-02
JP7383116B2 true JP7383116B2 (ja) 2023-11-17

Family

ID=77490194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022503320A Active JP7383116B2 (ja) 2020-02-26 2021-02-19 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230128491A1 (ja)
EP (1) EP4113590A4 (ja)
JP (1) JP7383116B2 (ja)
KR (1) KR20220130766A (ja)
CN (1) CN115152040A (ja)
WO (1) WO2021172178A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009081196A (ja) 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
US20100301359A1 (en) 2009-05-26 2010-12-02 Ming-Hsiung Liu Light Emitting Diode Package Structure
JP2012009582A (ja) 2010-06-24 2012-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2012517697A (ja) 2009-02-17 2012-08-02 ポイント エンジニアリング カンパニー，リミテッド 光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法
JP2012201891A (ja) 2011-03-23 2012-10-22 Fujifilm Corp 絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびｌｅｄパッケージ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101948138B1 (ko) * 2011-12-01 2019-02-14 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈
JP5083848B1 (ja) 2011-12-11 2012-11-28 株式会社オージーエイ 水門着脱式水力発電システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009081196A (ja) 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2012517697A (ja) 2009-02-17 2012-08-02 ポイント エンジニアリング カンパニー，リミテッド 光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法
US20100301359A1 (en) 2009-05-26 2010-12-02 Ming-Hsiung Liu Light Emitting Diode Package Structure
JP2012009582A (ja) 2010-06-24 2012-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2012201891A (ja) 2011-03-23 2012-10-22 Fujifilm Corp 絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびｌｅｄパッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
CN115152040A (zh) 2022-10-04
EP4113590A1 (en) 2023-01-04
WO2021172178A1 (ja) 2021-09-02
US20230128491A1 (en) 2023-04-27
JPWO2021172178A1 (ja) 2021-09-02
EP4113590A4 (en) 2024-03-20
KR20220130766A (ko) 2022-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6671441B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、多数個取り配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6298163B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
CN106688091B (zh) 布线基板、电子装置以及电子模块
WO2019163987A1 (ja) 電子部品搭載用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP7460704B2 (ja) 複合基板および電子装置
JP5152012B2 (ja) 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法
JP7383116B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
JP7425130B2 (ja) 基板
JP7259091B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
JP6306474B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP7143535B2 (ja) 電子部品搭載用基体および電子装置
JP6374293B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6325346B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
WO2021193607A1 (ja) 電子部品搭載用基板および電子装置
JP6267068B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP7424821B2 (ja) 電子部品搭載用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP7174046B2 (ja) 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JPH09232460A (ja) 半導体素子収納用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220815

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231017

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7383116

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150