KR101948138B1 - 광원 모듈 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 광원 모듈은 캐비티가 형성된 회로기판; 상기 회로기판 상의 절연층; 상기 캐비티 내에 배치된 발광소자; 상기 절연층 상의 제1 도전 패턴; 및 상기 제1 도전 패턴 및 상기 절연층이 제거되어 상기 회로기판이 노출되도록 형성된 온도측정 홈을 포함한다.
Description
실시예는 광원 모듈에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
이러한 발광 다이오드는 외부 전원으로부터 공급받은 전기 에너지를 빛 에너지뿐만 아니라 열 에너지로도 전환하기 때문에, 발광 다이오드를 회로기판에 실장하여 사용하는 광원 모듈의 경우 방열이 신뢰성에 중요한 영향을 미친다.
발광 다이오드를 실장한 회로기판은 절연층과 전극층으로 덮여 있기 때문에 회로기판 자체의 온도를 측정하기 어려워 일반적으로 가장 상부에 위치한 전극층의 온도 변화를 관찰하여 광원 모듈의 방열 특성을 관찰하게 된다.
그러나, 이러한 방법은 회로기판의 온도를 간접적으로 측정하는 것에 불과해 정확한 방열 대책을 세우기 어려운 문제점이 있다.
실시예는 광원 모듈에 사용된 회로기판의 온도를 정확히 측정하여 광원 모듈의 신뢰성을 높이고자 한다.
실시예에 따른 광원 모듈은 캐비티가 형성된 회로기판; 상기 회로기판 상의 절연층; 상기 캐비티 내에 배치된 발광소자; 상기 절연층 상의 제1 도전 패턴; 및 상기 제1 도전 패턴 및 상기 절연층이 제거되어 상기 회로기판이 노출되도록 형성된 온도측정 홈을 포함한다.
상기 제1 도전 패턴은 상기 회로기판의 상기 캐비티가 형성되지 않은 영역에 배치될 수 있다.
상기 발광소자와 상기 온도측정 홈은 이격될 수 있다.
상기 발광소자와 상기 캐비티 내의 절연층 사이에 배치되는 제2 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 도전 패턴과 상기 제2 도전 패턴은 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 도전 패턴은, 상기 회로기판의 상기 캐비티가 형성되지 않은 영역에서부터 상기 캐비티의 일측벽을 따라 상기 캐비티의 바닥면까지 일체로 형성될 수 있다.
상기 절연층은 아노다이징(Anodizing)으로 형성될 수 있다.
상기 홈의 측벽 및 바닥면의 적어도 일부 상에 반사층이 형성될 수 있다.
상기 제1 도전 패턴의 적어도 일부에 반사층이 형성될 수 있다.
상기 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 은을 포함한 합금, 또는 알루미늄을 포함한 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전 패턴과 구분되며 상기 회로기판의 상기 캐비티가 형성되지 않은 영역에 배치된 제3 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 발광소자와 상기 제3 도전 패턴은 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 회로기판의 하부에 배치되는 방열부를 더 포함할 수 있다.
상기 회로기판과 상기 방열부 사이에 열전 시트가 위치할 수 있다.
상기 방열부는, 상기 방열부의 하부면 방향으로 연장 형성된 복수 개의 방열핀을 포함할 수 있다.
상기 온도측정 홈은 상기 절연층과 접하는 상기 회로기판 표면의 적어도 일부까지 제거되어 형성될 수 있다.
상기 회로기판은 메탈기판, FPCB, FR-4, 또는 세라믹 기판 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 온도측정 홈은 상기 회로기판의 상기 캐비티가 형성되지 않은 영역에 형성될 수 있다.
실시예에 따르면 광원 모듈에 사용된 회로기판 자체의 온도를 측정 가능하여 정확한 방열 대책을 수립할 수 있으며, 이에 따라 광원 모듈의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2는 제1 실시예에 따른 광원 모듈의 단면도이고,
도 3은 열전대의 원리를 간략히 도시한 도면이고,
도 4 및 도 5는 제2 실시예에 따른 광원 모듈의 단면도이고,
도 6a 및 도 6b는 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈에 배치되는 발광소자의 일실시예의 단면도이고,
도 7 내지 도 10은 실시예에 따른 광원 모듈의 제조 방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 11은 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈을 포함하는 헤드램프의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 3은 열전대의 원리를 간략히 도시한 도면이고,
도 4 및 도 5는 제2 실시예에 따른 광원 모듈의 단면도이고,
도 6a 및 도 6b는 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈에 배치되는 발광소자의 일실시예의 단면도이고,
도 7 내지 도 10은 실시예에 따른 광원 모듈의 제조 방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 11은 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈을 포함하는 헤드램프의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 실시예들을 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 제1 실시예에 따른 광원 모듈의 단면도이다.
제1 실시예에 따른 광원 모듈은 캐비티(112)가 형성된 회로기판(110)과, 상기 회로기판(110) 상의 절연층(120)과, 상기 캐비티(112) 내에 배치된 발광소자(100)와, 상기 절연층(120) 상의 제1 도전 패턴(130)과, 상기 제1 도전 패턴(130) 및 상기 절연층(120)이 제거되어 상기 회로기판(110)이 노출되도록 형성된 온도측정 홈(140a)을 포함한다.
회로기판(110)은 예를 들어, 메탈기판, FPCB, FR-4, 또는 세라믹 기판 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
회로기판(110)에는 소정 깊이(d)의 캐비티(112)이 형성되며, 상기 캐비티(112)에 발광소자(100)가 배치된다.
상기 발광소자(100)는 측면의 적어도 일부가 상기 캐비티(112)에 삽입된 상태로 배치될 수 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 캐비티(112)의 측벽(112a)과 소정 간격 이격되어 배치될 수 있다.
회로기판(110)에 캐비티(112)를 형성하는 이유는 발광소자(100)에서 발생된 열이 외부로 빠져나가기까지 통과하는 열의 이동 경로를 캐비티(112)의 깊이(d)만큼 줄임으로써 광원 모듈의 신뢰성을 향상시키기 위함이다.
이때, 상기 캐비티(112)의 깊이(d)는 발광소자(100)의 측면이 캐비티(112)의 측벽(112a)에 의해 차단되는 것에 의해 발광소자의 발광 특성이 저해되지 않는 범위 내에서 결정되어야 한다.
또한, 실시예에서는 발광소자(100)가 별도의 서브 마운트(submount) 없이 회로기판(110) 상에 직접 배치됨으로써, 발광소자(100)에서 발생된 열의 이동 경로가 더욱 감소하여 광원 모듈의 방열 특성이 개선될 수 있다.
회로기판(110) 상에 절연층(120)이 배치된다.
상기 절연층(120)은 후에 형성되는 도전 패턴과 회로기판(110) 사이의 전기적 단락을 방지하기 위한 것이다. 상기 절연층(120)이 아노다이징(Anodizing)으로 형성될 경우 전기 절연성과 열 전도성을 극대화시킬 수 있다.
절연층(120) 상에 제1 도전 패턴(130)이 위치한다. 상기 제1 도전 패턴(130)은 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에 배치될 수 있다.
도 1을 참조하면, 상기 캐비티(112) 내에 배치된 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100) 하부에 위치하는 절연층(120) 사이에 제2 도전 패턴(132)이 배치될 수 있다.
상기 제1 도전 패턴(130)과 상기 제2 도전 패턴(132)은 와이어(150)를 통해 전기적으로 연결되어, 외부 전원으로부터 발광소자(100)의 구동에 필요한 전류를 공급할 수 있다.
또한, 상기 제1 도전 패턴(130)과 구분되어 형성되며, 상기 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에 제3 도전 패턴(134)이 위치할 수 있다. 상기 제3 도전 패턴(134)은 와이어(150)를 통해 발광소자(100)와 전기적으로 연결되어 외부 전원으로부터 발광소자(100)의 구동에 필요한 전류를 공급할 수 있다.
또는, 도 2를 참조하면, 상기 제1 도전 패턴(130)은 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판 상의 영역에서부터 상기 캐비티(112)의 일측벽(112a)을 따라 상기 캐비티(112)의 바닥면(112b)까지 일체로 연장 형성될 수도 있다. 이때, 도 1에 도시된 것과 같은 제2 도전 패턴(132)은 형성되지 않는다.
상기 제1 도전 패턴(130)이 캐비티(112)의 바닥면(112b)까지 일체로 연장 형성됨으로써 발광소자(100)가 상기 제1 도전 패턴(130)과 직접 통전하므로 별도의 와이어를 사용하지 않고 발광소자(100)에 전류를 공급할 수 있다.
상기 회로기판(110)에는, 상기 회로기판(110) 상의 제1 도전 패턴(130)과 절연층(120)이 제거되어 회로기판(110)이 노출되도록 형성된 온도측정 홈(140a)을 포함한다.
발광소자(100)는 외부 전원으로부터 공급받은 전기 에너지를 빛 에너지로만 전환시키는 것이 아니라 열 에너지로도 전환시키기 때문에, 발광소자(100)에서 발생한 열을 외부로 방출하는 방열 특성이 신뢰성에 중요한 요소로 작용한다.
따라서, 상기 발광소자(100)가 배치된 회로기판(110)의 온도를 측정하여 광원 모듈의 방열 대책을 세우는 것이 중요한데, 회로기판(110)은 절연층(120)과 도전 패턴(130, 134)에 의해 표면이 덮여 있기 때문에 종래에는 도전 패턴 상에서 회로기판(110)의 온도를 간접적으로 측정할 수 밖에 없었다.
그러나 실시예에 의하면, 절연층(120)과 도전 패턴(130)을 제거하여 회로기판(110)이 노출된 온도측정 홈(140)을 형성하여 회로기판(110)의 온도를 직접 측정할 수 있기 때문에, 이를 활용하여 정확한 방열 대책을 수립할 수 있다.
상기 온도측정 홈(140)은 상기 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에 구비될 수 있다.
또한, 상기 온도측정 홈(140)은 상기 발광소자(100)와 이격되어 배치될 수 있다.
발광소자(100)에서 발생된 열은 회로기판(110)을 통해 이동하게 되는데, 회로기판(110)이 메탈기판인 경우에는 열 전도율이 좋지만 회로기판(110)이 FPCB, FR-4, 또는 세라믹 기판일 경우에는 메탈에 비해 열 전도율이 좋지 않으므로 정확한 온도 측정을 위해서 상기 발광소자(100)와 상기 온도측정 홈(140)이 너무 멀리 이격되지 않게 배치될 수 있다.
온도측정 홈(140)을 통한 회로기판(110)의 온도측정 방법에는 여러 가지가 있을 수 있으나, 일 예로서 열전대(thermal couple)를 사용하여 온도측정이 이루어질 수 있다.
열전대란, 두 종류의 금속선 양단을 접합시켜 양단 접점에 온도차를 주면 이 온도차에 따른 열기전력이 발생하는데, 이러한 열기전력을 전위차계로 측정하여 온도를 표시하는 온도계이다.
도 3은 열전대의 원리를 간략히 도시한 도면이다.
열전대에 포함된 두 종류의 금속도체는 도 3에 도시된 바와 같이 폐회로를 형성하도록 결합되어 있으며, 기준접점(냉접점)을 정확하게 0℃로 유지하고 측정접점을 상기 온도측정 홈(140)에 놓아두면 열기전력이 발생하여 이를 통해 회로기판(110)의 온도를 측정할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 캐비티(112)의 측벽(112a)과 바닥면(112b)의 적어도 일부에 반사층(170)이 형성될 수 있다.
또는, 도 2에서와 같이 제1 도전 패턴(130)이 캐비티(112)의 일측벽(112a)을 따라 바닥면(112b)까지 연장 형성된 경우에는 상기 제1 도전 패턴(130)의 적어도 일부에도 반사층(170)이 형성될 수 있다.
발광소자(100)에서 발생한 빛은 발광소자(100)의 상부면과 측면 방향으로 진행할 수 있다. 이때, 상기 반사층(170)은 발광소자(100)의 측면 방향으로 진행하는 빛 중에서 회로기판(110)에 형성된 캐비티(112)의 측벽(112a)과 바닥면(112b)에 도달하는 빛을 반사시켜 오픈 영역인 상기 캐비티(112)의 상면으로 빠져나가도록 함으로써 광원 모듈의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 반사층(170)은 반사율이 우수한 재질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 은을 포함한 합금, 또는 알루미늄을 포함한 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 회로기판(110)의 하부에는 방열부(160)가 위치할 수 있다.
방열부(160)는 발광소자(100)에서 발생되는 열을 외부로 방출하여 광원 모듈의 신뢰성을 유지하기 위한 것이므로 열 전도성이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
방열부(160)는 회로기판(110)이 배치된 상부면과 반대되는 하부면에, 공기와 접하는 면적을 넓혀서 열 방출 효과를 높일 수 있도록 상기 하부면 방향으로 연장 형성된 복수 개의 방열핀(160a)이 형성된 구조를 가질 수 있다.
상기 방열부(160)와 회로기판(110) 사이에는 열전 시트(thermal sheet, 165)가 위치할 수 있다. 열전 시트(165)는 우수한 열 전도성과 전기 절연성 및 난연성을 가져서 발열 부위와 방열 부재를 밀착시켜 줌으로써 열 전달 효과를 극대화시킬 수 있다.
도 4 및 도 5는 제2 실시예에 따른 광원 모듈의 단면도이다.
상기 제1 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
제2 실시예에 따른 광원 모듈은 캐비티(112)가 형성된 회로기판(110)과, 상기 회로기판(110) 상의 절연층(120)과, 상기 캐비티(112) 내에 배치된 발광소자(100)와, 상기 절연층(120) 상의 제1 도전 패턴(130)과, 상기 제1 도전 패턴(130) 및 상기 절연층(120)이 제거되어 상기 회로기판(110)이 노출되도록 형성된 온도측정 홈(140b)을 포함한다.
이때, 상기 온도측정 홈(140b)은 상기 제1 도전 패턴(130)과 절연층(120)뿐만 아니라, 회로기판(110) 표면의 적어도 일부까지 제거되어 형성될 수 있다.
즉, 상기 온도측정 홈(140b)은 상기 회로기판(110)에도 소정 깊이의 홈이 형성된 상태로 구비될 수 있다.
발광소자(100)에서 발생된 열은 회로기판(110)의 표면보다는 회로기판(110)의 내부에 더 잘 전달될 수 있기 때문에, 회로기판(110) 표면의 일부까지 제거된 온도측정 홈(140b)을 통해 좀 더 정확하게 온도를 측정할 수 있다.
도 4에서는 상기 제1 도전 패턴(130)이 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에만 배치되어 있으나, 도 5에서는 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에서부터 캐비티(112)의 일측벽(112b)을 따라 캐비티(112)의 바닥면(112b)까지 연장 형성되어 있다.
그 밖의 다른 내용은 도 1 내지 도 3과 관련해 상술한 바와 같으므로 설명을 생략한다.
도 6a 및 도 6b는 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈에 배치되는 발광소자의 일실시예의 단면도이며, 도 6a는 수평형 발광소자를 도 6b는 수직형 발광소자를 각각 도시하고 있다.
발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6a에 도시된 바와 같은 일실시예에 따른 수평형 발광소자는 기판(210) 상에, 개구면을 가지는 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하는 발광 구조물(220)이 구비된다.
발광 구조물(220)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
기판(210)은 반도체 물질 성장에 적합한 재료, 또는 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한, 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 기판(210)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 기판(210) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 기판(210)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
발광 구조물(220)과 기판(210) 사이에는 버퍼층(미도시)을 성장시킬 수 있는데, 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 상기 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 위에는 언도프드(undoped) 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 도전형 반도체층(222)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(222)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또는 상기 제1 도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(222)은 제1 도전형 반도체층으로만 형성되거나, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 언도프트 반도체층을 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 언도프트 반도체층은 상기 제1 도전형 반도체층의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, 상기 n형 도펀트가 도핑되지 않아 상기 제1 도전형 반도체층에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 상기 제1 도전형 반도체층과 같을 수 있다.
제1 도전형 반도체층(222) 상에 활성층(224)이 형성될 수 있다.
활성층(224)은 제1 도전형 반도체층(222)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(226)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
활성층(224)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(224)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(224)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(224)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 활성층의 장벽층의 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조를 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
그리고, 상기 활성층(224) 상에 제2 도전형 반도체층(226)이 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(226)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(226)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(226)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
여기서, 상술한 바와 다르게, 상기 제1 도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(226)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(222) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 도전형 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있는데, 이에 따라 본 실시예에 따른 상기 발광소자는 n-p, p-n, n-p-n, p-n-p 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 제1 도전형 반도체층(222) 및 제2 도전형 반도체층(226) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
그리고, 상기 제1 도전형 반도체층(222)의 일부가 메사 식각되어 형성된 개구면 상에 제1 전극(230)이 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(226) 상에 제2 전극(240)이 형성된다. 상기 제1 전극(230)과 제2 전극(240)은 각각 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
도 6b에 도시된 바와 같은 일실시예에 따른 수직형 발광소자는 지지기판(270)과, 상기 지지기판(270) 상에 배치된 반사층(260) 및 오믹층(250)과, 상기 오믹층(250) 상의 발광 구조물(220)을 포함할 수 있다.
지지기판(270)은 발광 구조물(220)을 지지하며, 전도성 기판일 수 있다. 또한, 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 지지기판(270)은 소정의 두께를 갖는 베이스 기판(substrate)으로서, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 또는 전도성 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)에 관한 내용은 수평형 발광소자와 관련해서 상술한 바와 같다.
발광 구조물(220)의 제2 도전형 반도체층(226)과 접하여 오믹층(250)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 금속과의 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 오믹층(250)은 이러한 오믹 특성을 개선하기 위한 것으로 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.
오믹층(250)은 투광성 전도층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
오믹층(250) 하부에 반사층(260)이 배치될 수 있다. 반사층(260)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 또한, 반사층(260)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 또한, 반사층(260)이 발광 구조물(예컨대, 제2 도전형 반도체층(226))과 오믹 접촉하는 물질로 형성될 경우, 오믹층(250)은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
반사층(260)은 활성층(224)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
상기 반사층(260)과 지지기판(270) 사이에는 결합층(275)이 형성될 수 있다. 결합층(275)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
그리고, 상기 제1 도전형 반도체층(222)의 표면에 요철이 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)의 요철 형상은 PEC(Photo enhanced chemical) 식각 방법이나 마스크 패턴을 이용한 에칭 공정 수행하여 형성할 수 있다. 상기 요철 구조는 상기 활성층에서 발생한 광의 외부 추출 효율을 증가시키기 위한 것으로서, 규칙적인 주기를 갖거나 불규칙적인 주기를 가질 수 있다.
또한, 상기 발광 구조물(220)의 측면 및 제1 도전형 반도체층(222) 상의 적어도 일부에 패시베이션층(280)이 형성될 수 있다.
패시베이션층(220)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어져 발광 구조물을 보호한다. 일 예로서, 상기 패시베이션층은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
도 7 내지 도 10은 실시예에 따른 광원 모듈의 제조 방법의 일실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 7 내지 도 10을 참조하여 광원 모듈의 제조 과정을 설명한다.
먼저, 도 7에 도시된 바와 같이 회로기판(110)에 캐비티(112)를 형성한다.
회로기판(110)의 캐비티(112)는 예를 들어 컴퓨터 수치 제어(Computer Numerical Control, CNC) 방식에 의하며, a 화상표 방향으로 레이저 드릴링(laser drilling)을 통한 기계적 가공에 의해 형성될 수 있다.
회로기판(110)에 캐비티(112)가 형성되면, 도 8에서와 같이, 회로기판(110) 상에 절연층(120)을 형성한다.
절연층(120)은 후에 형성될 도전 패턴과 회로기판(110) 사이의 전기적 단락을 방지하기 위한 것이다.
절연층(120)이 아노다이징(Anodizing)으로 형성될 경우 전기 절연성과 열 전도성을 극대화시킬 수 있다.
절연층(120)이 형성되면, 일 예로서, 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에 제1 도전 패턴(130)을 형성하고, 캐비티(112)의 바닥면(112b)에 위치하는 절연층(120) 상에 제2 도전 패턴(132)을 형성하고, 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에 상기 제1 도전 패턴(130)과 구분되게 제3 도전 패턴(134)을 형성할 수 있다.
상기 제1,2,3 도전 패턴(130, 132, 134)은 외부 전원으로부터 발광소자(100)의 구동에 필요한 전류를 공급하기 위한 것이다.
그리고, b 화살표의 방향으로 상기 제1 도전 패턴(130)과 절연층(120)을 제거하여 온도측정 홈(140)을 형성한다.
상기 온도측정 홈(140)은 기계적 가공에 의해 형성되거나, 마스크를 이용한 식각에 의해 형성될 수 있으나, 형성 방법에 제한을 두지 않는다.
도 9를 참조하면, 일 예시로서, 상기 제1 도전 패턴(130)과 절연층(120)만 제거되어 회로기판(110)의 표면이 노출된 온도측정 홈(140a)을 형성하였다.
상기 온도측정 홈(140a)은 캐비티(112)가 형성되지 않은 회로기판(110) 상의 영역에 형성하였으며, 후에 배치될 발광소자(100)와 이격되도록 형성하였다.
그리고, 캐비티(112)의 측벽(112a)과 바닥면(112b)의 적어도 일부에 반사층(170)을 형성할 수 있다.
반사층(170)은 반사율이 우수한 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 은을 포함한 합금, 또는 알루미늄을 포함한 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 캐비티(112) 내에 발광소자(100)를 배치한다.
그리고 상기 발광소자(100)와 상기 제3 도전 패턴(134)을 와이어(150)로 연결하고, 상기 제1 도전 패턴(130)과 상기 제2 도전 패턴(132)도 와이어(150)로 연결하는 와이어 본딩 작업을 수행한다.
상기 회로기판(110)의 하부에는 방열부(160)를 배치할 수도 있다.
방열부(160)는 발광소자(100)에서 발생되는 열을 외부로 방출하여 광원 모듈의 신뢰성을 유지하기 위한 것이므로 열 전도성이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
방열부(160)는 회로기판(110)이 배치된 상부면과 반대되는 하부면에, 공기와 접하는 면적을 넓혀서 열 방출 효과를 높일 수 있도록 상기 하부면으로부터 연장되는 방향으로 형성된 복수 개의 방열핀(160a)이 형성된 구조를 가질 수 있다.
상기 방열부(160)는 열전 시트(165)를 이용해 상기 회로기판(110)과 고정될 수 있다.
이하에서는 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈의 장착된 조명 시스템의 일 예로서 헤드램프를 설명한다.
도 11은 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈을 포함하는 헤드램프의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 광원 모듈(901)에서 생성된 빛이 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체의 전방을 향할 수 있다.
상기 광원 모듈(901)은 상술한 실시예들에 따른 광원 모듈일 수 있으며, 회로 기판 상의 발광소자를 포함하여 이루어진다.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 발광소자 110: 회로기판
120: 절연층 130: 제1 도전 패턴
132: 제2 도전 패턴 134: 제3 도전 패턴
140: 온도측정 홈 150: 와이어
160: 방열부 160a: 방열핀
210: 기판, 220: 발광 구조물,
222: 제1 도전형 반도체층, 224: 활성층
226: 제2 도전형 반도체층, 230: 제1 전극
240: 제2 전극 250: 오믹층
260: 반사층, 270: 지지기판
275: 결합층 280: 패시베이션층
901: 발광 모듈 902: 리플렉터
903: 쉐이드 904: 렌즈
120: 절연층 130: 제1 도전 패턴
132: 제2 도전 패턴 134: 제3 도전 패턴
140: 온도측정 홈 150: 와이어
160: 방열부 160a: 방열핀
210: 기판, 220: 발광 구조물,
222: 제1 도전형 반도체층, 224: 활성층
226: 제2 도전형 반도체층, 230: 제1 전극
240: 제2 전극 250: 오믹층
260: 반사층, 270: 지지기판
275: 결합층 280: 패시베이션층
901: 발광 모듈 902: 리플렉터
903: 쉐이드 904: 렌즈
Claims (16)
- 회로기판 상의 절연층;
상기 회로기판에 형성된 캐비티에 배치된 발광소자;
상기 절연층 상의 제1 도전 패턴;
상기 발광소자와 수평 방향으로 이격된 위치에서 상기 제1 도전 패턴 및 상기 절연층이 제거되어 노출된 상기 회로기판 상에 형성된 온도측정 홈;
상기 제1 도전 패턴의 적어도 일부와 상기 캐비티의 측벽 및 바닥면의 적어도 일부에 배치된 반사층;
상기 회로기판의 하부에 배치되는 방열부; 및
상기 회로기판과 상기 방열부 사이에 배치된 열전 시트를 포함하고,
상기 발광 소자와 상기 캐비티의 바닥면 사이에는 서브 마운트가 개재되지 않고,
상기 온도측정 홈은 상기 캐비티가 형성되지 않은 상기 회로기판의 영역에 배치되고,
상기 제1 도전 패턴은 상기 캐비티가 형성되지 않은 영역과, 상기 캐비티가 형성되지 않은 영역에서부터 상기 캐비티의 일측벽을 따라 상기 캐비티의 바닥면까지 일체로 형성되는 광원 모듈. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 아노다이징(Anodizing)으로 형성된 광원 모듈. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 은을 포함한 합금, 또는 알루미늄을 포함한 합금 중 적어도 하나를 포함하는 광원 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전 패턴과 구분되며 상기 회로기판의 상기 캐비티가 형성되지 않은 영역에 배치된 제3 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 발광소자와 상기 제3 도전 패턴은 와이어를 통해 전기적으로 연결된 광원 모듈. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 방열부는, 상기 방열부의 하부면 방향으로 연장 형성된 복수 개의 방열핀을 포함하는 광원 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 온도측정 홈은 상기 절연층과 접하는 상기 회로기판 표면의 적어도 일부까지 제거되어 형성된 광원 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 회로기판은 메탈기판, FPCB, FR-4, 또는 세라믹 기판 중 어느 하나를 포함하는 광원 모듈. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110127776A KR101948138B1 (ko) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 광원 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110127776A KR101948138B1 (ko) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 광원 모듈 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130061455A KR20130061455A (ko) | 2013-06-11 |
| KR101948138B1 true KR101948138B1 (ko) | 2019-02-14 |
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ID=48859564
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110127776A KR101948138B1 (ko) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 광원 모듈 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101948138B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4113590A4 (en) * | 2020-02-26 | 2024-03-20 | Kyocera Corp | ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING BOX AND ELECTRONIC DEVICE |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004319595A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Calsonic Kansei Corp | Ｌｅｄ照明装置 |
| JP2007129043A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Mitsuteru Kimura | 深い準位を持つテラヘルツ波発生ダイオードおよびこれを用いたテラヘルツ波放射装置 |
-
2011
- 2011-12-01 KR KR1020110127776A patent/KR101948138B1/ko active IP Right Grant
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| JP2007129043A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Mitsuteru Kimura | 深い準位を持つテラヘルツ波発生ダイオードおよびこれを用いたテラヘルツ波放射装置 |
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|---|---|---|---|---|
| EP4113590A4 (en) * | 2020-02-26 | 2024-03-20 | Kyocera Corp | ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING BOX AND ELECTRONIC DEVICE |
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| Publication number | Publication date |
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| KR20130061455A (ko) | 2013-06-11 |
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