JP7381566B2 - ポジ作動型感光性材料 - Google Patents

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Description

本特許出願は、フォトレジストイメージングの分野にあるものである。より具体的には、本特許出願は、限定はされないが銅、親銅元素、ケイ素または反射性基材上に有用であり得る、ポジ作動型感光性材料及びそれの添加剤を開示し、特許請求するものである。
フォトレジスト組成物は、集積回路デバイスの製造など、微細化された電子部品の製造のためのマイクロリソグラフィプロセスに使用されている。これらのプロセスでは、一般的に、フォトレジスト組成物のコーティングされたフィルムを、集積回路、回路基板及びフラットパネルディスプレー基板の製造に使用されるケイ素ウェハなどの基材に施す。次いで、コーティングされた基材をベークして、フォトレジスト組成物中の溶媒を蒸発させ、基材上にコーティングを定着させる。基材のコーティング及びベークされた表面は次に化学線による像様露光に付される。
この化学線暴露は、コーティングされた表面の露光された領域において化学的な変換を引き起こす。可視光線、紫外線（ＵＶ）、極端紫外線（ＥＵＶ）、電子ビーム、及びＸ線放射エネルギーが、現在マイクロリソグラフィプロセスにおいて常用されている放射線種である。この像様露光の後、コーティングされた基材を現像剤溶液で処理して、基材のコーティングされた表面の放射線露光された領域（ポジタイプフォトレジストの場合）または未露光の領域（ネガタイプフォトレジストの場合）のいずれかを溶解、除去する。
この現像操作の後、今や部分的に非保護の基材を、基材エッチング溶液、プラズマガスまたは反応性イオンで処理することができ、または現像の間にフォトレジストコーティングが除去された基材の空間中に、金属もしくは金属複合体をスパッタリングもしくは化学蒸着によって堆積し得るか、または金属を電気メッキし得る。フォトレジストコーティングがなおも残る基材の領域は保護される。その後、フォトレジストコーティングの残った領域は剥離操作の間に除去してよく、そうしてパターン化された基材表面が残る。場合により、現像ステップの後でかつエッチングステップの前に、残ったフォトレジスト層を熱処理して、下にある基材に対するそれの接着を向上させることが望ましい。
パターン化された構造の製造、例えばウェハレベルパッケージング、ディスプレー、発光ダイオードアプリケーションまたは微細電気機械システムの製造では、インターコネクトの密度が増すにつれ、電気インターコネクトの電気化学的堆積が使用されてきた。例えば、Ｓｏｌｏｍｏｎ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ Ｓｏｌｄｅｒ Ｂｕｍｐｓ ｆｏｒ Ｗａｆｅｒ－Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ、Ｐａｃｋａｇｉｎｇ／Ａｓｓｅｍｂｌｙ、Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｐａｇｅｓ ８４－８８、Ａｐｒｉｌ ２００１（非特許文献１）を参照されたい。ウェハレベルパッケージングにおける金バンプ、銅または他の金属ポスト及び再配線用銅トレースは、最新のインターコネクト技術において後で電気メッキして最終の金属構造物を形成できるフォトレジストモールドを必要とする。そのフォトレジスト層は、クリティカル層（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｌａｙｅｒｓ）のＩＣ製造に使用されるフォトレジストと比べて非常に厚い。図形（ｆｅａｔｕｒｅ）サイズ及びフォトレジスト厚のどちらも典型的には２μｍ～１００μｍ（マイクロメータ）の範囲であり、そのため、高いアスペクト比（ラインサイズに対するフォトレジストの厚さ）をフォトレジスト中にパターン化する必要がある。
ノボラックポリマー及び光活性化合物としてキノンジアジド化合物を含むポジ作用型フォトレジストは当技術分野で周知である。ノボラックポリマーは、キノンジアジドと反応させて、ポリマーと組み合わせてもよい。ノボラック／ジアジドのみをベースとするフォトレジストは、特に非常に厚いフィルムのための或るタイプのプロセスに必要な感光性または側壁の傾斜を持たないことが分かった。更に、現像剤中でのかなりの膜減り（ｄａｒｋ－ｆｉｌｍ ｌｏｓｓ）がしばしば観察される。
既知の化学増幅型フォトレジスト、例えばブロックドポリ－４－ヒドロキシスチレン（ＰＨＯＳＴ）、ヒドロキシスチレンとブロックド（メタ）アクリル酸繰り返し単位、例えばｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレートとを含むブロックドコポリマー、または脂肪環式基、酸解裂性基及び溶解改良基、例えば酸無水物またはラクトン類を含む（メタ）アクリル系材料をベースとするフォトレジストは、必要な感光性を示し、更には基材反射の問題、酸拡散の問題または膜減りを補償するための添加剤を有するが、残念ながら、続くある種のユニット操作、例えば電気メッキまたはエッチングの間に接着不良を示す虞もある。特に、例えば、このようなレジストのパターン化されたフィルムをマスクバリアとして使用する金属ラインの電気メッキの間は、他の場合では基材インターフェスのところにスムーズなラインを生成するレジストでさえも、金属電気メッキプロセスの間にまたはその後に付着性を失う金属ライン図形を生成する傾向がある。また、電気メッキラインが基材と狭い接触面積を有する場合に生じる電気伝導及び熱伝導の問題を避けるために、基材と大きな接触面積を有する金属ラインを電気メッキすることが重要である。
それ故、金属電気メッキ作業の間に良好な接着を有する金属ラインを形成するために使用できるパターン化フォトレジストを生成し、かつ、厚膜用途においても、たとえ反射性基材上でも高い感光性を有し、プロセスに適した現像時間を有し、現像剤及び塩基性電気メッキ液中での少ない膜減りを有し、及び湿式電気メッキ及びエッチング作業に耐えて、金属ラインの接着性の損失なくこれらのラインの電気メッキを可能とし得、及び基材との大きな接触面積を維持する金属ラインの電気メッキをも可能とし、それにより狭い接触面積から金属ラインに生じる伝導性及び熱の問題を避けることができる図形を生成する、ポジ型フォトレジスト材への要望がある。本願明細書及び添付の特許請求の範囲は、これらの要望に取り組むものである。
ＵＳ６，０４２，９８８ ＵＳ６７８３９１２ ＵＳ６９０８７２２
Ｓｏｌｏｍｏｎ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ Ｓｏｌｄｅｒ Ｂｕｍｐｓ ｆｏｒ Ｗａｆｅｒ－Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ、Ｐａｃｋａｇｉｎｇ／Ａｓｓｅｍｂｌｙ、Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｐａｇｅｓ ８４-８８、Ａｐｒｉｌ ２００１ "Ｄｉａｚｏｎａｐｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ－ｂａｓｅｄ Ｒｅｓｉｓｔ"，Ｒａｌｐｈ Ｄａｍｍｅｌ，ＳＰＩＥ，Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｅｓｓ，Ｖｏｌｕｍｅ ＴＴ１１，Ｃｈａｐｔｅｒｓ ２ ａｎｄ ３ "Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｔａｎｄａｒｄ ａｄｄｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅ ｒａｔｅ ｃｏｎｓｔａｎｔｓ ｆｏｒ ａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｉｎ ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ａｔ １５７ ｎｍ"Ａｄａｍ Ｒ．Ｐａｗｌｏｓｋｉ；Ｃｈａｒｌｅｓ Ｒ．Ｓｚｍａｎｄａ；Ｐａｕｌ Ｆ．Ｎｅａｌｅｙ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ ４３４５，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＸＶＩＩＩ，Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ，Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２５，２００１，Ｅｄｉｔｏｒ Ｆｒａｎｃｉｓ Ｈｏｕｌｉｈａｎ ｐ１０５６，Ａｕｇｕｓｔ ２４，２００１ "Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"Ｈｉｒｏｓｈｉ Ｉｔｏ，Ａｄｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．１７２ ｐ３７，２００５ "Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"Ｅ．Ｒｅｉｃｈｍａｎｉｓ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１３，２３０５，２００１ "ｉ－Ｌｉｎｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒｓ ｆｏｒ ＵＶ ｃｕｒｒｉｎｇ"Ｍａｓｕｍｉｔｓｕ Ｓｈｉｒａｉ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏａｔｉｎｇｓ，６４，１７５，２００９ "Ｔｈｅ ｐｌａｔｉｎｇ Ｆｏｒｅｃａｓｔ ａｎｄ Ａｓｓｕｒａｎｃｅ，Ｌａｒｒｙ Ｇ Ｙｅｏｎ，Ｌａｒｒｙ Ｋｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｃｈａｐｔｅｒ １，ｐａｇｅｓ ５ ｔｏ ５６，２００４"
本発明は、
ａ）少なくとも一種の光酸発生剤；
ｂ）少なくとも一種のノボラックポリマー；
ｃ）次の構造（Ｉ）を有する成分を含む少なくとも一種のアクリレートポリマー、
Figure 0007381566000001
 ［式中、Ｒ１～Ｒ６は独立して－Ｈまたは－ＣＨ３であり、Ａは線状もしくは分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、ＢはＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、ＣはＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、Ｄは、連結基であり、これは、直接原子価結合であるか、または線状もしくは分岐状Ｃ１～Ｃ１０、好ましくはＣ２～Ｃ１０アルキレン基であり、Ａｒは、置換されているかまたは置換されていない芳香族基またはヘテロ芳香族基であり、Ｅは線状または分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、Ｇは酸開裂性基であり、ｔは０モル％～約４０モル％であり、ｖは０モル％～約１５モル％であり、ｗは０モル％～約４５モル％であり、ｘは０モル％～約８０モル％であり、ｙは約２０モル％～約５０モル％であり、そしてｚは約２０モル％～約５０モル％であり、更にここで、ｔ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ及びｚの合計は１００モルに等しい］
ｄ）以下の構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含む少なくとも一種のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料、
Figure 0007381566000002
 ［式中、
Ｗは、６００以下の分子量を有する有機部分であり、ここでＷは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成し、
ｍは１～３の整数であり、そして
ｎは１～４の整数であり、但し、
ｍが１である場合は、ｎは３または４であり、
そして、ｍが２または３である場合は、ｎは１～４の整数であり、
ｎ’は０または１である］
ｅ）一般構造式（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）、またはそれらの互変異性体から選択される環構造を含む少なくとも一種のヘテロ環状チオール化合物；
Figure 0007381566000003
 ［式中、
前記環構造は、４～８個の原子を有する単環構造であるか、または５～２０個の原子を有する多環構造であり；ここで前記単環構造または前記多環構造は、芳香族、非芳香族またはヘテロ芳香族環を含み、そして
前記構造（ＩＩＩ）において、Ｘは、Ｃ（Ｒｔ１）（Ｒｔ２）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群から選択され；
前記構造（ＩＩＩａ）において、Ｙは、Ｃ（Ｒｔ３）及びＮからなる群から選択され；
前記構造（ＩＩＩｂ）において、Ｚは、Ｃ（Ｒｔ３）及びＮからなる群から選択され；そして
Ｒｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３は、独立して、Ｈ、１～８個の炭素原子を有する置換されたアルキル基、１～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルキニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキニル基、６～２０個の炭素原子を有する置換された芳香族基、３～２０個の炭素原子を有する置換されたヘテロ芳香族基、６～２０個の炭素原子を有する置換されていない芳香族基、及び３～２０個の炭素原子を有する置換されていないヘテロ芳香族基から選択される］
ｆ）少なくとも一種の溶媒、
を含むポジ作動型感光性組成物に関する。
また、本発明は、ここに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与し；その感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成し；この潜像をベークし；そしてこのベークされた潜像を現像剤中で現像する方法にも関する。
本発明は、構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含む少なくとも一種のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料を有する化合物にも関する。
Figure 0007381566000004
 ［式中、
Ｗは、６００以下の分子量を有する有機部分であり、ここでＷは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成し、
ｍは１～３の整数であり、そして
ｎは１～４の整数であり、但し、
ｍが１である場合は、ｎは３または４であり、
そして、ｍが２または３である場合は、ｎは１～４の整数であり、
ｎ’は０または１である］
アンダーカットプロフィルを有するフォトレジスト。 フット部を有するメッキされたＣｕワイヤ。
本明細書で使用する場合、「または」という接続詞は、他に指示がなければまたは文脈上要求されなければ、排他的であることを意図していない。例えば、「またはその代わりに」というフレーズは、排他的であることを意図している。更なる例として、「または」は、特定の箇所での化学置換を記載する場合には排他的の場合もある。
本明細書で使用する場合、「親銅元素」という用語は、カルコゲン元素である硫黄、セレン及びテルルに対し親和性を持つ元素のことである。カルコゲン自体の他に、これらの元素は、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、銀、カドニウム、ランタン、スズ、アンチモン、金、水銀、タリウム、鉛及びビスマスも包含し得る。限定はされないが、これらの元素は、カルコゲン元素の一つまたは二つ以上と、主として共有性の結合を形成し得る。親銅性基材は、上記の親銅元素の一つまたは二つ以上を含む。
ここで使用する場合、ポリマー内の繰り返し単位とは、それの相当するモノマーによっても指し得ると理解されたい。例えば、アクリレートモノマー（１）は、そのポリマー繰り返し単位（２）に相当する。
Figure 0007381566000005
 本明細書で使用する場合、「（メタ）アクリレート繰り返し単位」という表記は、アクリレート繰り返し単位、またはその代わりにメタクリレート繰り返し単位を指し得る。それ故、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」は、ひとまとめにして「（メタ）アクリル酸」と称され、「アクリル酸誘導体」及び「メタクリル酸誘導体」はひとまとめにして「（メタ）アクリル酸誘導体」と称され、そして「アクリレート」及び「メタクリレート」はひとまとめにして「（メタ）アクリレート」と称される。
前記の一般的な説明及び以下の詳細な説明の双方とも例示、説明のためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を減縮するものではないと理解するべきである。本願において、他に具体的に記載がなければ、単数形の使用は複数を包含し、単数形は「少なくとも一つ」を意味し、そして「または」の使用は「及び／または」を意味する。更に、「含む」という記載、並びに「含まれる」などの他の動詞形の使用は限定的ではない。また、「要素」または「成分」などの記載は、他に具体的に記載がなければ、一つの構成単位を含む要素及び成分の両方、並びに１つ超の構成単位を含む要素または成分の両方を包含する。他に指示が無ければ、ここで使用する「及び」という接続詞は包括的であることを意図しており、「または」という接続詞は排他的であることを意図していない。例えば、「またはその代わりに」というフレーズは、排他的であることを意図している。ここで使用する「及び／または」という記載は、単一要素の使用も含む、前述される要素の任意の組み合わせを指す。
ここで使用する各章の表題は、文書構成を目的としたものであって、記載の主題を限定するものと解釈するべきではない。限定はされないが特許、特許出願、論文、書籍及び専門書を始めとした本願で引用する全ての文献または文献の一部は、全ての目的に関してそれらの内容の全てが本明細書中に掲載されたものとする。ここに掲載されたものとする文献及び類似の資料の一つ以上における用語の定義が、本願明細書におけるものと矛盾する場合は、本願の定義が優先する。
ここで、他に記載がなければ、アルキルとは、線状、分岐状（例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｔｅｒｔ－ブチル及び類似物）、または環状（例えばシクロヘキシル、シクロプロピル、シクロペンチル及び類似物）多環式（例えばノルボルニル、アダマンチル及び類似物）であることができる炭化水素基を指す。これらのアルキル部分は、以下に記載のように置換されていても置換されていなくともよい。アルキルという用語は、Ｃ１～Ｃ２０炭素を有するこのような部分を指す。構造的な理由から、線状アルキルはＣ１から始まるが、分岐状アルキルはＣ３から始まり、多環式アルキルはＣ５から始まる。更に、アルキルオキシ、ハロアルキルオキシなどの、以下に記載のアルキルから誘導される部分は、他に記載がなければ同じ炭素数範囲を有すると理解される。上記とは異なるアルキル基の長さが規定される場合は、アルキルの前記の定義は、前記の全てのタイプのアルキル部分を包含する点でなおも有効であり、及び所与のタイプのアルキル基の最小炭素数に関しての前記の構造に関する考察はなおも該当する。
アルキルオキシ（別称ではアルコキシ）は、オキシ（－Ｏ－）部分を介して結合した先に定義したようなアルキル基を指す（例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、１，２－イソプロポキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ及び類似物）。これらのアルキルオキシ部分は、以下に記載のように、置換されていても、置換されていなくともよい。
ハロまたはハライドは、一つの結合によって有機部分に結合した、ハロゲン、すなわちＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉを指す。
ハロアルキルは、水素のうちの少なくとも一つが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または１超のハロ部分が存在する場合にはこれらの混合物からなる群から選択されるハライドによって置き換えられている、上述したものなどの、線状、環状または分岐状の飽和アルキル基を指す。フルオロアルキルは、これらの部分の特定のサブグループである。
フルオロアルキルは、水素が部分的にもしくは完全にフッ素に置き換えられた先に定義したような線状、環状または分岐状飽和アルキル基を指す（例えば、トリフルオロメチル、パーフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、パーフルオロイソプロピル、パーフルオロシクロヘキシル及び類似物）。これらのフルオロアルキル部分は、完全にフッ素化されていない場合には、以下に記載のように置換されていても、置換されていなくともよい。
フルオロアルキルオキシは、オキシ（－Ｏ－）部分を介して結合した先に定義したようなフルオロアルキル基を指し、これは、完全にフッ素化されているか（別称ではパーフルオロ）またはその代わりに部分的にフッ素化されていてよい（例えば、トリフルオロメチルオキシ、パーフルオロエチルオキシ、２，２，２－トリフルオロエトキシ、パーフルオロシクロヘキシルオキシ及び類似物）。これらのフルオロアルキル部分は、完全にフッ素化されていない場合には、以下に記載のように置換されていても、置換されていなくともよい。
ここで、Ｃ１から始まる可能な炭素原子範囲を有するアルキル、アルキルオキシ、フルオロアルキル、フルオロアルキルオキシ部分、例えば非限定的な例として「Ｃ１～Ｃ２０アルキル」または「Ｃ１～Ｃ２０フルオロアルキル」に言及するときは、この範囲は、Ｃ１から始まる線状アルキル、アルキルオキシ、フルオロアルキル及びフルオロアルキルオキシを包含するが、Ｃ３から始まる分岐状アルキル、分岐状アルキルオキシ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、分岐状フルオロアルキル及び環状フルオロアルキルのみを指定する。
ここでアルキレンという用語は、線状、分岐状または環状であることができ、二つ以上の結合点を有する炭化水素基を指す（二つの結合点を有するものでは、例えばメチレン、エチレン、１，２－イソプロピレン、１，４－シクロヘキシレン及び類似物、三つの結合点を有するものでは、例えば１，１，１－置換メタン、１，１，２－置換エタン、１，２，４－置換シクロヘキサン及び類似物が挙げられる）。この場合もまた、可能な炭素範囲、例えば非限定的な例としてＣ１～Ｃ２０を指定する時は、この範囲は、Ｃ１から始まる線状アルキレンを包含するが、Ｃ３から始まる分岐状アルキレンまたはシクロアルキレンのみを指定する。これらのアルキレン部分は、以下に記載のように、置換されていても、置換されていなくともよい。
モノ－及びオリゴアルキレンオキシアルキレンという用語は、簡単なアルキレンオキシアルキレン部分、例えばエチレンオキシエチレン（－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－）、プロピレンオキシプロピレン（－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２－）及び類似物の他、オリゴマー性材料、例えばトリ（エチレンオキシエチレン）（－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－）、トリ（プロピレンオキシプロピレン）（－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｏ ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２－）及び類似物の両方を包含する。
ここで、アリールまたは芳香族基という用語は、６～２４個の炭素原子を含むこのような基、例えばフェニル、トリル、キシリル、ナフチル、アントラシル、ビフェニル類、ビス－フェニル類、トリス－フェニル類、及び類似物を指す。これらのアリール基は、前記の適当な置換のうちの任意のもの、例えば前記のアルキル、アルコキシ、アシル、またはアリール基によって更に置換されていてよい。
ノボラックという用語が、構造の他の修飾なくここで使用される場合には、これは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び類似物などの水性塩基中に可溶性のノボラック樹脂を指す。
アリーレンという用語は、二つ以上の結合点（例えば２～５個）を有する芳香族炭化水素部分を指し、この部分は、単一のベンゼン部分（例えば二つの結合点としては１，４－フェニレン、１，３－フェニレン及び１，２－フェニレン；三つの結合点としては１，２，４－置換ベンゼン、１，３，５－置換ベンゼン、及び類似粒）、二つの結合点を有する多環式芳香族部分、例えばナフタレン、アントラセン、ピレン及び類似物から誘導される部分、または二つの結合点を有する連鎖した複数のベンゼン環（例えばビフェニレン）を指す。芳香族部分が縮合芳香族環である場合は、これらは、縮合環アリーレンとも呼ばれ、より具体的には、例えばナフタレニレン、アントラセニレン、ピレニレン、及び類似物などと呼称され得る。縮合環アリーレンは、以下に記載するように置換されていてもまたは置換されていなくともよく、追加的にこれらの縮合環アリーレンは、二つの結合サイトを有する炭化水素置換基を縮合環上に含んでいてもよく、そうして、追加的な脂肪族または不飽和環を形成し、縮合環への結合によって５～１０個の炭素原子を有する環を形成してよい。
ここで、「ＰＡＧ」という用語は、他に記載がなければ、ディープＵＶまたはＵＶ照射下、例えば２００～３００ｎｍ、ｉ線、ｈ線、ｇ線及び／または広帯域照射下に酸（別称では光酸）を発生できる光酸発生剤を指す。前記の酸は、スルホン酸類、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＡｓＦ６、及び類似物であってよい。
ここで、ＰＡＣという用語は、ジアゾナフトキノン成分を指し、この際、この部分は、更に、スルホニル部分（－ＳＯ２－）で置換され、このスルホニル部分は、スルホネートエステル（－ＳＯ２－Ｏ－）結合を介してフェノール系化合物に結合している。このスルホネートエステル結合を形成するフェノール系化合物は、一つ超のフェノール性ＯＨ部分で置換されたフェノール系化合物であってよく、その結果、ＰＡＣは、フェノール性ＯＨのうちの一つ超がこのスルホネート結合を形成しているこのようなフェノール系化合物であってよい。これらのフリーのＰＡＣ材料の非限定的な例は、“Ｄｉａｚｏｎａｐｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ－ｂａｓｅｄ Ｒｅｓｉｓｔ”，Ｒａｌｐｈ Ｄａｍｍｅｌ，ＳＰＩＥ，Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｅｓｓ，Ｖｏｌｕｍｅ ＴＴ１１，Ｃｈａｐｔｅｒｓ ２ ａｎｄ ３（非特許文献２）に記載されている。
ここで、縮合芳香族環という用語は、互いに縮合した２～８個の炭素ベースの芳香族環（例えば、ナフタレン、アントラセン、及び類似物）を含む炭素ベースの多環式芳香族化合物を指し、これらの縮合芳香族環は、光酸発生剤（ＰＡＧ）上の懸垂した縮合芳香族環アリール基など、アリール部分の一部として有機部分への単一の結合点を有してよいか、または例えばＰＡＧに結合した置換基中のスペーサなど、アリーレン部分の一部として二つの結合点を有してよい。ＰＡＧでは、このような置換基は、共鳴非局在化によって相互作用し得る他の置換基と共に、３６５ｎｍでより強い吸収及び／または広帯域放射を与え、そしてこれらの波長でより効果的である。
ここで、「アレーン」という用語は、一つの環をまたは互いに縮合した２～８個の炭素ベースの芳香族環を含む芳香族炭化水素部分を包含する。
本明細書において他に記載がなければ、「置換された」もしくは「置換」という用語は、アリール、アルキル、アルキルオキシ、フルオロアルキル、フルオロアルキルオキシ、縮合芳香族環、アレーンについて言及する時は、置換されていないアルキル、置換されたアルキル、置換されていないアリール、アルキルオキシアリール（アルキル－Ｏ－アリール－）、ジアルキルオキシアリール（（アルキル－Ｏ－）２－アリール）、ハロアリール、アルキルオキシ、アルキルアリール、ハロアルキル、ハライド、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、アセチル、アルキルカルボニル、ホルミル、エテニル（ＣＨ２＝ＣＨ－）、フェニルエテニル（Ｐｈ－ＣＨ＝ＣＨ－）、アリールエテニル（アリール－ＣＨ＝ＣＨ－）、及びエテニレンアリーレン部分を含む置換基（例えば、Ａｒ（－ＣＨ＝ＣＨ－Ａｒ－）ｚ（ｚは１～３）からなる群から選択される一つ以上の置換基も含むこれらの部分のうちの一つを指す。置換されたアリール及び置換されたアリールエテニル置換基の非限定的な具体例は、次のものであり、ここで
Figure 0007381566000006
 は構造（３）、（４）及び（５）における結合手を表す。
Figure 0007381566000007
 他は、置換基が前記の置換基のいずれかから選択された置換されたアリール、及び置換されたエテニルである。同様に、「置換されていない」もしくは「非置換」という記載は、水素以外の置換基が存在しない同部分を指す。
「クエンチャ」という用語は、レジスト調合物中において、ｉ線または広帯域放射線への暴露中に光酸発生剤によって発生した酸を捕獲するように作用し得る、単一の塩基性成分または複数の塩基性成分の集合体、例えばアミン類、またはテトラアルキルアンモニウムカルボキシレート塩を指す。
ここで使用される場合、ビス［テトラアルキルアンモニウム］及びテトラアルキルアンモニウムという用語は、異なる種類のアルキル基が先に定義したように存在してよい部分を包含し、またこれは、アルキル基のうちの一つ以上が、アリール置換基を有するアルキル、例えばベンジル（－ＣＨ２－Ｐｈ）、２－フェニルエチル（－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｐｈ）及び類似物である部分も包含する。
「固形成分」という用語は、フォトレジスト調合物中の溶媒以外の成分を指す。このような成分は固形物でも液体でもよい。
ここに記載のヘテロ環状チオールにおいては、これらのチオール形態は、潜在的に複数の互変異性形態のうちの一つを表すものと理解されたい。例えば、限定はされないが、（６）は、平衡または不平衡かを問わず、それのプロトトロピー互変異性体（７）として現れ得る。
更に、親銅性表面などの表面や他の成分との溶液での相互作用は、環構造３及び４並びにそれらのそれぞれの互変異性体の相対濃度に影響を及ぼし得る。応じて、プロトトロピー互変異性体（アニュラー互変異性体も含む）と原子価互変異性体は、それらの互変異性形態のいずれかを挙げることによって相互間的に言及され得るものと理解される。
本発明の組成物は、
ａ）少なくとも一種の光酸発生剤；
ｂ）少なくとも一種のノボラックポリマー；
ｃ）次の構造（Ｉ）を有する成分を含む少なくとも一種のアクリレートポリマー、
Figure 0007381566000009
 ［式中、Ｒ１～Ｒ６は独立して－Ｈまたは－ＣＨ３であり、Ａは線状もしくは分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、ＢはＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、ＣはＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、Ｄは、連結基であり、これは、直接原子価結合であるか、または線状もしくは分岐状Ｃ１～Ｃ１０、好ましくはＣ２～Ｃ１０アルキレン基であり、Ａｒは、置換されているかまたは置換されていない芳香族基またはヘテロ芳香族基であり、Ｅは線状または分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、Ｇは酸開裂性基であり、ｔは０モル％～約４０モル％であり、ｖは０モル％～約１５モル％であり、ｗは０モル％～約４５モル％であり、ｘは０モル％～約８０モル％であり、ｙは約２０モル％～約５０モル％であり、そしてｚは約２０モル％～約５０モル％であり、更にここで、ｔ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ及びｚの合計は１００モル％に等しい］
ｄ）以下の構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含む少なくとも一種のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料、
Figure 0007381566000010
 ［式中、
Ｗは、６００以下の分子量を有する有機部分であり、ここでＷは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成し、
ｍは１～３の整数であり、そして
ｎは１～４の整数であり、但し、
ｍが１である場合は、ｎは３または４であり、
そして、ｍが２または３である場合は、ｎは１～４の整数であり、
ｎ’は０または１である］
ｅ）一般構造式（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）、またはそれらの互変異性体から選択される環構造を含む少なくとも一種のヘテロ環状チオール化合物；
Figure 0007381566000011
 ［式中、
前記環構造は、４～８個の原子を有する単環構造であるか、または５～２０個の原子を有する多環構造であり；ここで前記単環構造または前記多環構造は、芳香族、非芳香族またはヘテロ芳香族環を含み、そして
前記構造（ＩＩＩ）において、Ｘは、Ｃ（Ｒｔ１）（Ｒｔ２）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群から選択され；
前記構造（ＩＩＩａ）において、Ｙは、Ｃ（Ｒｔ３）及びＮからなる群から選択され；
前記構造（ＩＩＩｂ）において、Ｚは、Ｃ（Ｒｔ３）及びＮからなる群から選択され；そして
Ｒｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３は、独立して、Ｈ、１～８個の炭素原子を有する置換されたアルキル基、１～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルキニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキニル基、６～２０個の炭素原子を有する置換された芳香族基、３～２０個の炭素原子を有する置換されたヘテロ芳香族基、６～２０個の炭素原子を有する置換されていない芳香族基、及び３～２０個の炭素原子を有する置換されていないヘテロ芳香族基からなる群から選択される］
ｆ）少なくとも一種の溶媒、
を含むポジ作動型感光性組成物に関する。
好ましい態様の一つでは、構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、部分Ｗが、脂肪族炭化水素、脂肪族アルキルエーテル、ビス（アルキル）スルホン、及びビス（アルキル）ケトンからなる群から選択される脂肪族部分であるものである。他の好ましい態様の一つでは、構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、部分Ｗが、アレーン、多環式アレーン、ビス（アリール）エーテル、ビフェニル類、ビス（アリール）スルホン、ビス（フェニル）アルキレン、（アルキル）（アリール）ケトン、ビス（アリール）ケトン、ビス（アリール）スルホン、及び（アルキル）（アリール）スルホンから選択される芳香族部分であるものである。
成分ｄ）としての、構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含むグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、有機部分Ｗの選択されたグリシジルエーテル誘導体と、選択されたヒドロキシ安息香酸誘導体との反応から生じる、単一の化合物または複数の化合物の混合物であってよい。図らずしも、構造（ＩＩ）及びそれの付随する記述的な限定によって概略される、ある種の特定のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料のみが、金属電解メッキ作業中に良好な接着性をもって金属製ラインを形成するために使用し得るパターン化されたフォトレジストフィルムを生成する能力を、上記のフォトレジスト組成物に付与する。これらのポジ型フォトレジスト組成物はまた、厚膜用途においても、反射性基材上でも、高い感光性も有し、そしてプロセスの面で価値のある現像時間も有する。追加的に、この新規フォトレジスト組成物は、現像剤中での少ない未露光部膜減りも有する。金属化の耐接着欠陥性は、接着性の損失のない電解メッキ金属ラインと、次のリソグラフィエッチングプロセスの間の接着性の損失とを可能にする。
先に概要を示したように、グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料の態様において記載の記述的要件は、Ｗが、６００未満の分子量を有する有機部分であり、ここでこの有機部分Ｗは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成するというものである。他の限定は、構造（ＩＩ）の安息香酸部分上のヒドロキシ部分の数であるｍは、１～３の整数であり、そして有機部分上のグリシジル誘導部分の数であるｎは１～４の整数であるというものである。これらのパラメータについての更なる限定は、ｍが１の時は、ｎは３または４でなければならず、そしてｍが２または３の時は、ｎは１～４の範囲であるということである。ｎ’という記載は、Ｗ上のどれほど多くのグリシジル誘導部分が、カルボン酸と反応する代わりに、所与のヒドロキシ安息香酸誘導体のヒドロキシフェノール部分と反応したかを規定するものである。ｎ’という記載は、０または１であってよい。
上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、ｍが１であるものである。更に別の態様の一つでは、ｍは２である。更に別では、ｍは３である。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれの場合も、他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、ｎが１であるものである。更に別では、ｎは２である。更に別の観点では、ｎは３である。更に別の観点では、ｎは４である。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれの場合も、他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、ｎ’が０であるものである。更に別の観点の一つでは、ｎ’は１である。
上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、成分ｄ）である前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＩＶａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、ｎは３～４であり、そしてＲｗはＯＨであるかまたは部分（ＩＶｂ－１）であり、ここで
Figure 0007381566000012
 は、構造（ＩＶａ－１）の化合物への、部分（ＩＶｂ－１）中の結合点を表す。
Figure 0007381566000013
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、ｎが３～４である構造（ＩＶ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含む。
Figure 0007381566000014
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＩＶａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含む。更に、この態様では、ｎは１～４であり、Ｒｗ１はＯＨまたは部分（ＩＶｂ－２）であり、そして
Figure 0007381566000015
 は、構造（ＩＶａ－２）の上記化合物への、部分（ＩＶ－２）中の結合点を表す。
Figure 0007381566000016
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、ｎが１～４である構造（ＩＶ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含むものである。
Figure 0007381566000017
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＩＶａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここで、ｎは１～４であり、そしてＲｗ２はＯＨであるかまたは部分（ＩＶａ）であり、但し、せいぜい一つのＲｗ２が部分（ＩＶｂ－３）であり、そして
Figure 0007381566000018
 は、構造（ＩＶａ－３）の前記化合物への部分（ＩＶｂ－３）における結合点を表す。
Figure 0007381566000019
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、ｎが１～４である構造（ＩＶ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含む。
Figure 0007381566000020
 前記ポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記有機部分Ｗは、構造（Ｗａ）、（Ｗｂ）、（Ｗｃ）、（Ｗｄ）、（Ｗｅ）及び（Ｗｆ）の部分からなる群から選択される。この態様では
Figure 0007381566000021
 は、これらの有機部分のそれぞれの内の結合点を表し、ここでこれは、構造（ＩＩ）の前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料中の酸素とエーテル結合を形成する。更に、この態様では、Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される部分であり；Ｒａ１、Ｒｂ１及びＲｃは、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５アルキレンオキシアルキルから選択され；Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキル、Ｃ２～Ｃ５アルキレンオキシアルキル、Ｃ１～Ｃ５アルキルオキシ、ハライド、Ｃ１～Ｃ５アルキルスルホニル、Ｃ１～Ｃ５アルキルカルボニル、及びＣ１～Ｃ５アルキルカルボニルオキシから選択され、そしてｎ’’は０～１２の範囲である。
Figure 0007381566000022
 前記ポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記有機部分Ｗは、構造（Ｗａ１）、（Ｗｂ１）、（Ｗｃ１）、（Ｗｄ１）及び（Ｗｅ１）の部分からなる群から選択される。この態様では
Figure 0007381566000023
 は、これらの有機部分のそれぞれの内の結合点を表し、ここでこれは、構造（ＩＩ）の前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料中の酸素とエーテル結合を形成する。
Figure 0007381566000024
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ３はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000025
 は、この部分中の結合点を表す。また、この態様において、ｍは２～３であり、ｎ’は０または１であり、そしてＸａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される。この態様の他の観点の一つでは、ｍは２である。この態様の更に別の観点の一つでは、ｍは３である。
Figure 0007381566000026
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、ｍは２～３であり、そしてＸａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される。この態様の他の観点の一つでは、ｍは２である。この態様の更に別の観点の一つでは、ｍは３である。
Figure 0007381566000027
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ４はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－２）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000028
 は、この部分中の結合点を表す。更に、この態様において、Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される。
Figure 0007381566000029
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される。
Figure 0007381566000030
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ５はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－３）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000031
 は、この部分中の結合点を表す。
Figure 0007381566000032
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含む。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシル安息香酸縮合物材料は化合物（Ｖ－３）である。
Figure 0007381566000033
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－４）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ６はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－４）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000034
 は、この部分中の結合点を表す。
Figure 0007381566000035
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－４）を有する少なくとも一種の化合物を含む。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－４）を有する化合物である。
Figure 0007381566000036
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－５）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ７はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－５）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000037
 は、この部分中の結合点を表す。
Figure 0007381566000038
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－５）を有する少なくとも一種の化合物を含む。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－５）を有する化合物である。
Figure 0007381566000039
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－６）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ８はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－６）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000040
 は、この部分中の結合点を表す。
Figure 0007381566000041
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－６）を有する少なくとも一種の化合物を含む。
Figure 0007381566000042
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－７）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ９はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－７）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000043
 は、この部分中の結合点を表し、更にここでＸａはアルキレン部分である。
Figure 0007381566000044
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－７）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｘａはアルキレン部分である。
Figure 0007381566000045
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－８）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキル部分またはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分であり、そしてＲｗ１０はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－８）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000046
 は、この部分中の結合点を表す。
Figure 0007381566000047
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－８）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキル部分またはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である。
Figure 0007381566000048
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－９）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１１はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－９）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000049
 は、この部分中の結合点を表す。
Figure 0007381566000050
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－９）を有する少なくとも一種の化合物を含む。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－９）を有する化合物である。
Figure 0007381566000051
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１０）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１２は、ＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１０）であり、ここで
Figure 0007381566000052
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１２が部分（Ｖｂ－１０）であり、更にここで、Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される。
Figure 0007381566000053
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１３はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１１）であり、ここで
Figure 0007381566000054
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１３が（Ｖｂ－１１）である。
Figure 0007381566000055
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１１）を有する少なくとも一種の化合物を含む。
Figure 0007381566000056
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１４はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１２）であり、ここで
Figure 0007381566000057
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１４が（Ｖｂ－１２）である。
Figure 0007381566000058
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１２）を有する少なくとも一種の化合物を含む。
Figure 0007381566000059
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１５はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１３）であり、ここで
Figure 0007381566000060
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１５が（Ｖｂ－１３）である。
Figure 0007381566000061
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１３）を有する少なくとも一種の化合物を含む。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－１３）を有する化合物である。
Figure 0007381566000062
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１４）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１６はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１４）であり、ここで
Figure 0007381566000063
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１６が（Ｖｂ－１４）である。
Figure 0007381566000064
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１４）を有する少なくとも一種の化合物を含む。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－１４）を有する化合物である。
Figure 0007381566000065
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１５）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１７はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１５）であり、ここで
Figure 0007381566000066
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１７が部分（Ｖｂ－１５）であり、更にここで、Ｘａはアルキレン部分である。
Figure 0007381566000067
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１５）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｘａはアルキレン部分である。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－１５）を有する化合物である。
Figure 0007381566000068
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１６）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１８はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１６）であり、ここで
Figure 0007381566000069
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１８が部分（Ｖｂ－１６）であり、更にここで、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキル部分、またはＣ２～Ｃ５アルキレン－Ｏ－アルキル部分である。
Figure 0007381566000070
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１６）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキル部分またはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－１６）を有する化合物である。
Figure 0007381566000071
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖａ－１７）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ１９はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１７）であり、ここで
Figure 0007381566000072
 は、これらの部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１９が部分（Ｖｂ－１７）である。
Figure 0007381566000073
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（Ｖ－１７）を有する少なくとも一種の化合物を含む。好ましくは、この態様では、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は構造（Ｖ－１７）を有する化合物である。
Figure 0007381566000074
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ２０はＯＨであるか、または構造（ＶＩｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000075
 は、この部分中の結合点を表す。この態様では、ｍは２～３であり、そしてｎ’は０または１である。また、この態様でも、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される。
Figure 0007381566000076
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択され、そしてｍは２または３である。この態様の他の観点の一つでは、ｍは３である。この態様の更に別の観点の一つでは、ｍは２である。
Figure 0007381566000077
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ２１はＯＨであるか、または構造（ＶＩｂ－２）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000078
 は、この部分中の結合点を表し、更にここで、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキル、またはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される。
Figure 0007381566000079
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される。
Figure 0007381566000080
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ２２はＯＨであるか、または部分（ＶＩｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000081
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２２が部分（ＶＩｂ－３）である。この態様においては、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される。
Figure 0007381566000082
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される。
Figure 0007381566000083
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩＩａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ２３はＯＨであるか、または構造（ＶＩＩｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000084
 は、この部分中の結合点を表す。この態様では、ｍは１、２または３であり、そしてｎ’は０または１であり、そしてまた、Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択され、そしてｍは、１、２または３である。この態様の他の観点の一つでは、ｍは３である。この態様の更に別の観点の一つでは、ｍは２である。この態様の更に別の観点の一つでは、ｍは１である。
Figure 0007381566000085
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩＩ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択され、そしてｍは１、２または３である。この態様の他の観点の一つでは、ｍは３である。この態様の更に別の観点の一つでは、ｍは２である。この態様の更に別の観点の一つでは、ｍは１である。
Figure 0007381566000086
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩＩａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ２４はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－２）であり、ここで
Figure 0007381566000087
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２４が部分（ＶＩＩｂ－２）である。この態様においては、Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である。
Figure 0007381566000088
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩＩ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である。
Figure 0007381566000089
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩＩａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ２５はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000090
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２５が部分（ＶＩＩｂ－３）である。この態様においては、Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である。
Figure 0007381566000091
 前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、構造（ＶＩＩａ－４）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒｗ２６はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－４）であり、ここで
Figure 0007381566000092
 は、この部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２６が部分（ＶＩＩｂ－４）である。この態様においては、Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である。
Figure 0007381566000093
 上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、（ＶＩＩＩ）、（ＶＩＩＩａ）、（ＶＩＩＩｂ）、（ＶＩＩＩｃ）、（ＶＩＩＩｄ）及び（ＶＩＩＩｅ）からなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む。
Figure 0007381566000094
 いずれの場合も前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記成分ａ）の「少なくとも一種の光酸発生剤」は、様々な光酸発生剤、例えばオニウム塩、ジカルボキシイミジルスルホネートエステル（別称では、ジカルボキシイミドスルホネートエステルまたはＮ－ヒドロキシイミドスルホネート）、オキシムスルホネートエステル、ジアゾ（スルホニルメチル）化合物（別称では、α，α－ビス（アリールスルホニル）ジアゾメタン類、例えばＰｈ－（ＳＯ２）－Ｃ（＝Ｎ２）－（ＳＯ２）－Ｐｈ）、ジスルホニルメチレン化合物（別称では、α，α－メチレンジスルホン；例えばＰｈ－（ＳＯ２）－ＣＨ２－（ＳＯ２）－Ｐｈ）及びジスルホニルヒドラジン化合物（別称では、ジスルホンヒドラジンＰＡＧ、例えばＰｈ－（ＳＯ２）－ＮＨ－ＮＨ－（ＳＯ２）－Ｐｈ））、ニトロベンジルスルホネートエステル（例えば、２－ニトロベンジルスルホネートエステル誘導体）、ビイミダゾール化合物、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体（例えばＣＨ３－（Ｃ＝Ｎ－Ｏ－ＳＯ２－Ｐｈ）－（Ｃ＝Ｎ－Ｏ－ＳＯ２－Ｐｈ）－ＣＨ３）、β－ケトスルホン誘導体（例えば、Ｐｈ－（Ｃ＝Ｏ）－ＣＨ２－ＳＯ２－Ｐｈ）、ジスルホン誘導体（例えば、Ｐｈ－ＳＯ２－ＳＯ２－Ｐｈ）、スルホン酸エステル誘導体、イミドイルスルホネート誘導体（例えばフタルイミドイルトリフレート、フタルイミドイルトシレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドイルトリフレート、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドイルトシレート及び５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシルイミドイルｎ－ブチルスルホネート）、ジアゾナフトキノンスルホネートエステル、ハロゲン化トリアジン化合物またはこれらの組み合わせから選択される。以下の刊行物は、これらの異なるタイプの光酸発生剤の様々な例を示す。
ＵＳ６，０４２，９８８（特許文献１）；ＵＳ６７８３９１２（特許文献２）；ＵＳ６９０８７２２（特許文献３）；“Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｔａｎｄａｒｄ ａｄｄｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅ ｒａｔｅ ｃｏｎｓｔａｎｔｓ ｆｏｒ ａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｉｎ ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ａｔ １５７ ｎｍ”Ａｄａｍ Ｒ．Ｐａｗｌｏｓｋｉ；Ｃｈａｒｌｅｓ Ｒ．Ｓｚｍａｎｄａ；Ｐａｕｌ Ｆ．Ｎｅａｌｅｙ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ ４３４５，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＸＶＩＩＩ，Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ，Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２５，２００１，Ｅｄｉｔｏｒ Ｆｒａｎｃｉｓ Ｈｏｕｌｉｈａｎ ｐ１０５６，Ａｕｇｕｓｔ ２４，２００１（非特許文献３）；“Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”Ｈｉｒｏｓｈｉ Ｉｔｏ，Ａｄｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．１７２ ｐ３７，２００５（非特許文献４）；“Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”Ｅ．Ｒｅｉｃｈｍａｎｉｓ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１３，２３０５，２００１（非特許文献５）；“ｉ－Ｌｉｎｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒｓ ｆｏｒ ＵＶ ｃｕｒｒｉｎｇ”Ｍａｓｕｍｉｔｓｕ Ｓｈｉｒａｉ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏａｔｉｎｇｓ，６４，１７５，２００９（非特許文献６）。
オニウム塩光酸発生剤は、限定はされないが、アルキルスルホネートアニオン、置換された及び置換されていないアリールスルホネートアニオン、フルオロアルキルスルホネートアニオン、フルオロアリールアルキルスルホネートアニオン、フッ素化アリールアルキルスルホネートアニオン、ヘキサフルオロホスフェートアニオン、ヘキサフルオロアルセネートアニオン、ヘキサフルオロアンチモネートアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、これらの等価物またはこれらの組み合わせを含み得る。
具体的には、限定はされないものの、適当な光酸発生剤には、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、及びトリフェニルスルホニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、及び４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－２－イル）テトラヒドロチオフェニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネートＮ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタ－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（ノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタ－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（パーフルオロ－ｎ－オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタ－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－［２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホニルオキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタ－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イルトリフルオロメタンスルホネート（ナフタレンジカルボキシイミジルトリフレート）、Ｎ－［２－（テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカン－３－イル）－１，１－ジフルオロエタンスルホニルオキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタ－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、１，３－ジオキソイソインドリン－２－イルトリフルオロメタンスルホネート、１，３－ジオキソイソインドリン－２－イルノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１，３－ジオキソイソインドリン－２－イルパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、３－ジオキソイソインドリン－２－イル２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、３－ジオキソイソインドリン－２－イルＮ－［２－（テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカン－３－イル）－１，１－ジフルオロエタンスルホネート、１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イルトリフルオロメタンスルホネート、１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イルノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イルパーフルオロ－ｎ－オクタンスルホネート、１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イル２－（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、または１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イルＮ－［２－（テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカン－３－イル）－１，１－ジフルオロエタンスルホネート、（Ｅ）－２－（４－メトキシスチリル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－（メトキシフェニル）－４，６－ビス－（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（フラン－２－イル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（５－メチルフラン－２－イル）エテニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（３，４－ジメトキシフェニル）エテニル］－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、それらの等価物またはそれらの組み合わせなどが挙げられ得る。適当な光酸発生剤は、アニオン及びカチオンを上述していない組み合わせで含むオニウム塩を含んでもよい。
上記のフォトレジスト組成物の一つの態様では、上記光酸発生剤は、３６５ｎｍ及び／または広帯域照射時に、スルホン酸類、例えばアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸またはフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロスルホン酸、無機酸、例えばＨＡｓＦ６、ＨＳｂＦ６、 ＨＰＦ６、またはテトラフェニルボレートＨ（Ｐｈ）４Ｂもしくは類似のテトラアリールボレートＨ（アリール）４Ｂから誘導される酸を生成するものから選択される。このようなＰＡＧの非限定的な例には、様々な光酸発生剤が挙げられ、例えばオニウム塩、ジカルボキシイミジルスルホネートエステル、オキシムスルホネートエステル、ジアゾ（スルホニルメチル）化合物、ジスルホニルメチレンヒドラジン化合物、ニトロベンジルスルホネートエステル、ビイミダゾール化合物、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β－ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミドイルスルホネート誘導体、ジアゾナフトキノンスルホネートエステル、またはこれらの組み合わせなどがある。このような光酸発生剤は、生得的に、当技術分野で既知の適当な置換基によって３６５ｎｍ及び／または広帯域放射線に感度を示し得る。より具体的には、これらは、例えば、非限定的な例として、有機スルホン酸の置換されたまたは置換されていないトリアリールスルホニウム塩であってよく、ここでそのトリアリールスルホニウム部分またはその対応する酸では、アニオンは、共役アリールを有する少なくとも一つのアリール部分を含み、前記共役アリール部分は、アリールオキシ、アルキルオキシ、ニトロ、シアノ、アセチル、アリール、アルケニル、アルキルオキシアリール（アルキル－Ｏ－アリール－）、ジアルキルオキシアリール（（アルキル－Ｏ－）２－アリール）から選択される少なくとも一つの置換基を有するフェニル環から選択されるか、または前記共役アリール部分は、その代わりに、２～４個の環を含む置換されたまたは置換されていない縮合芳香族環部分である。このような置換基は、共鳴非局在化を受けることができる二官能性部分、例えば、縮合芳香族類から誘導されるアリーレンを始めとしたアリーレン、または例えばエテニレン（－Ｃ＝Ｃ－）部分、エテニル（ＣＨ２＝ＣＨ－）、フェニレンエテニル（Ｐｈ－ＣＨ＝ＣＨ－）、アリールエテニル（アリール－ＣＨ＝ＣＨ－）や、及びエテニレンアリーレン部分（例えば、Ａｒ（－ＣＨ＝ＣＨ－Ａｒ－）ｚ、ｚ＝１～３）を含む置換基を介して結合してよい。置換されたアリール及び置換されたアリールエテニル置換基の非限定的な具体例は、次のように（３）、（４）及び（５）である。
Figure 0007381566000095
 ３６５ｎｍ及び／または広帯域放射線に感度がある他の一般的なＰＡＧは、置換されたまたは置換されていない１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イルエステル有機スルホン酸である。図１は、上記のＰＡＧの非限定的な例を示す。これらのＰＡＧは、上述した置換基を有してもよい。
このフォトレジスト組成物の他の態様の一つでは、前記光酸発生剤は、ｉ線または広帯域放射線に直接は感度を示さないが、有効波長及び／またはエネルギー範囲を拡張する増感剤によりこの放射線に感光化されたものであってもよい。このような感光剤は、限定はされないが、置換された及び置換されていないアントラセン類、置換された及び置換されていないフェノチアジン類、置換された及び置換されていないペリレン類、置換された及び置換されていないピレン類、及び芳香族カルボニル化合物、例えばベンゾフェノン及びチオキサントン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ベンゾカルバゾール、アクリドンクロルプロマジン、これらの等価物、または前記の任意のものの組み合わせであってよい。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、上記成分ｂ）の「少なくとも一種のノボラックポリマー」は、ブリッジ及びフェノール系化合物を有する繰り返し単位を含むノボラックポリマーから選択される。適当なフェノール化合物には、限定はされないが、フェノール類、クレゾール類、置換された及び置換されていないレゾルシノール類、２，５－キシレノール類、置換された及び置換されていないベンゼントリオール類、及びこれらの組み合わせなどが含まれる。ノボラックポリマーは、通常は、酸触媒を用いて、フェノール化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドまたは置換されたもしくは置換されていないベンズアルデヒドなどのアルデヒドとの縮合重合、またはフェノール化合物と置換されたもしくは置換されていないメチロール化合物との縮合重合によって製造される。上記のブリッジは、メチレン基またはメチン基を含むことができる。ノボラックポリマーは、アセトン、メチルエチルケトン、アセトフェノン及び類似物などのケトン類の縮合生成物としても製造することができる。触媒としては、ルイス酸、ブレンステッド酸、ジカチオン及びトリカチオン金属イオン、及び類似物などが挙げられ得る。例えば、限定はされないが、塩化アルミニウム、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、シュウ酸、塩酸、硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、またはこれらの任意のものを含む組み合わせを使用してよい。
適当なノボラックポリマーの例には、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、２，５－キシレノール及び類似物などのフェノール化合物と、ホルムアルデヒドなどのアルデヒド類との、酸または多価金属イオン触媒の存在下での縮合反応によって得られるものなどが挙げられる。アルカリ可溶性ノボラックポリマーの例示的な重量平均分子量は、１，０００～３０，０００ダルトンの範囲であることができる。他の例示的な重量平均分子量は、１，０００～２０，０００ダルトンであり得る。更に他の例示的な重量平均分子量は、１，５００～１０，０００ダルトンであり得る。２．３８％水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド中でのノボラックポリマーの例示的なバルク溶解速度は、１０Å／秒（１秒あたりのオングストローム単位）～１５，０００Å／秒である。他の例示的なバルク溶解速度は１００Å／秒～１０，０００Å／秒である。更に他の例示的なバルク溶解速度は２００Å／秒～５，０００Å／秒である。１，０００Å／秒のなお更に他の例示的な溶解速度は、それぞれｍ－クレゾール繰り返し単位を含む、単一のノボラックポリマーまたは複数のノボラックポリマーのブレンドから得ることができる。
例示的なクレゾール系ノボラックポリマーは、クレゾールモル百分率として、０％～６０％のｐ－クレゾール、０％～２０％のｏ－クレゾール、及び０～８０％のｍ－クレゾールを含み得る。他の例示的なクレゾール系ノボラックポリマーは、０％～５０％のｐ－クレゾール、０％～２０％のｏ－クレゾール、及び５０％～１００％のｍ－クレゾールを含み得る。ノボラックポリマー中の繰り返し単位は、ポリマーの組成によって定義され、そのため、例えば、ｐ－クレゾールは、アルデヒドとの重合によってまたはジメチロール－ｐ－クレゾールによって導入され得る。更に、クレゾール系ノボラックポリマーは、他のフェノール化合物、例えばフェノール、２，５－キシレノール類、レゾルシノール類、ベンゼントリオール類及び類似物などを含んでよい。更に、ノボラックポリマーは分枝状または線状であることができ、そして選択された繰り返し単位モル百分率または溶解速度を達成するためにブレンドしてよい。バルク溶解速度は、以下の手順によって測定し得る：（１）ノボラック樹脂の１～３μｍ（マイクロメータ）のフィルムを溶液からケイ素ウェハ上にスピンコートし、そしてコンタクトホットプレート上で１１０℃で１２０秒間ソフトベークする。（２）フィルム厚を、インターフェロメトリーもしくはエリプソメトリーなどの光学的方法または機械的プロフィロメーターを用いて測定する。（３）コーティングされたウェハを、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）現像剤の溶液中に浸け、そしてノボラックフィルムを完全に溶解するまでの時間（ｔｃ）を目視でまたは光学的なインターフェロメトリー（例えば、溶解速度モニター）を用いて検出する。バルク溶解速度は、フィルム厚をｔｃで除することによって計算される。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、上記成分ｂ）の「少なくとも一種のノボラックポリマー」は、ｏ－クレゾール、ｐ－クレゾールまたはｍ－クレゾールから選択される一種以上のクレゾール系繰り返し単位を含むノボラックポリマーから選択される。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、上記成分ｂ）の「少なくとも一種のノボラックポリマー」は、少なくとも８０モル％のｍ－クレゾールを含むクレゾール系ノボラックである。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、この組成物は、上記成分ｂ）の一部として一種のみのノボラックポリマーを含む。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、この組成物は、上記成分ｂ）中に二種以上の上記ノボラックポリマーを含む。
先に記載した通り、成分ｃ）の上記アクリレートポリマーは、構造（Ｉ）において、Ｒ１～Ｒ６が独立して－Ｈまたは－ＣＨ３であり、Ａが線状もしくは分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、ＢがＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、ＣがＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、Ｄが、連結基であり、これは、直接原子価結合であるか、または線状もしくは分岐状Ｃ１～Ｃ１０、好ましくはＣ２～Ｃ１０アルキレン基であり、Ａｒが、置換されているかまたは置換されていない芳香族基またはヘテロ芳香族基であり、Ｅが線状または分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、Ｇが酸開裂性基であり、ｔが０モル％～約４０モル％であり、ｖが０モル％～約１５モル％であり、ｗが０モル％～約４５モル％であり、ｘが０モル％～約８０モル％であり、ｙが約２０モル％～約５０モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約５０モル％であり、更にここで、ｔ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ及びｚの合計が１００モルに等しいものである。
Figure 0007381566000096
 上記のポジ作動型感光性組成物のいずれの場合も、他の態様の一つでは、任意選択的に、この構造（Ｉ）は、構造（Ｉａ）を有する他のタイプの任意選択のスチレン系繰り返し単位を含んでよい。
Figure 0007381566000097
 構造（Ｉａ）において、Ｒｓ１は、Ｈ、ＣｌまたはＣＨ３から選択され、そしてＲｓ２及びＲｓ３は同一かまたは異なることができ、そしてＨ、ＯＨ、ＯＣＯＯＲｓ４、またはＯＣＯＣＯＯＲｓ４（Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－Ｒｓ４）から選択され、そしてＲｓ４は酸開裂性基である。本発明のポリマーは、（メタ）アクリレート単位のみを含んでよいか、または（メタ）アクリレート単位とスチレン系単位との混合物を含んでよい。酸不安定性基がポリマー中に存在してよい。該ポリマーは、カルボキレート基を介して（メタ）アクリレート繰り返し単位にエステル化し得る酸解裂性基、またはカーボネートもしくはオキシレート基にエステル化し得る酸解裂性基を含んでよく、ここで前記のカーボネートまたはオキシレート基は、フェノール類またはアルコール類にエステル化される。例えば、当技術分野で既知のモノマー繰り返し単位の一つは、ｔｅｒｔ－ブチル４－ビニルフェニルカーボネートであり、この場合、ｔｅｒｔ－ブチルカーボネートは４－ヒドロキシスチレンにエステル化される。酸解裂性基には、限定はされないが、ｔ－ブチル基、テトラヒドロピラン－２－イル基、テトラヒドロフラン－２－イル基、４－メトキシテトラヒドロピラン－４－イル基、１－エトキシエチル基、１－ブトキシエチル基、１－プロポキシエチル基、３－オキソシクロヘキシル基、２－メチル－２－アダマンチル基、２－エチル－２－アダマンチル基、８－メチル－８－トリシクロ［５．２．１．０ ２，６］デシル基、１，２，７，７－テトラメチル－２－ノルボニル基、２－アセトキシメンチル基、２－ヒドロキシメチル基、１－メチル－１－シクロヘキシルエチル基、４－メチル－２－オキソテトラヒドロ－２Ｈ－ピラン－４－イル基、２，３－ジメチルブタン－２－イル基、２，３，３－トリメチルブタン－２－イル基、１－メチルシクロペンチル基、１－エチルシクロペンチル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基、１，２，３，３－テトラメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、２－エチル－１，３，３－トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、２，６，６－トリメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン－２－イル基、２，３－ジメチルペンタン－３－イル基、または３－エチル－２－メチルペンタン－３－イル基などを挙げることができる。酸解裂性基を有するモノマー繰り返し単位は保護されると言える。ポリマーは完全に保護してもよいし、部分的に保護してもよいし、部分的に解保護してもまたは完全に解保護してもよい。解保護は、例えば、感光性組成物の露光中または露光後に光の作用により発生した酸が存在する時に起こり得る。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれの場合も、他の態様の一つでは、任意選択的に、この構造（Ｉ）は、他のタイプの任意選択の（メタ）アクリレート誘導繰り返し単位を含んでよく、これは、追加的な耐エッチング性を付与し、保護された、部分的に保護された、部分的に解保護されたもしくは完全に解保護された形態のポリマーの溶解特性を改変し、感光性を改変し、接着性を改変し、結合された光酸発生剤を供し、または他の有用な特性を与えるものである。このような（メタ）アクリレート誘導繰り返し単位は、限定はされないが、この（メタ）アクリレート誘導繰り返し単位上の懸垂基内に含まれる或る種の化学的官能基、例えばラクトン類、酸無水物類、フェノール類、アルコール類、カルボン酸類、置換及び非置換ベンジル基、エーテル類、脂肪環式エステル類、エステルアルコール類、エステルエーテル類、脂肪族エーテル類、芳香族エステル類及び類似物などを含んでよい。
上記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記成分ｃ）の前記アクリレートポリマーは、構造（Ｉ）に記載した繰り返し単位のみからなるものである。
加えて、任意選択のスチレン系単位は、構造（Ｉａ）を有するものである。
任意選択的に、構造（Ｉ）は、他のタイプの任意選択のスチレン系繰り返し単位を含んでよい。
これらの任意選択のスチレン系単位の非限定的な例は、構造（Ｉａ）を有するものである。
上記の態様に従い、構造（Ｉ）を有する成分を含む少なくとも一種のアクリレートポリマーは、記載のモノマーの一つ以上の供給を用いて合成することができる。モノマーのうちの少なくとも一部は、全てまたは部分的に重合反応の開始時に導入してよい。更に、モノマー供給は、異なるモノマー共反応性を調整するためまたは分子量もしくは溶解性などの他のポリマー性質を制御するために、反応の間に、選択された供給速度で遂行してよい。重合は、遊離基開始剤、カチオン性重合開始剤、アニオン性重合開始剤またはキレート化触媒によって開始してよい。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、Ａの前記線状もしくは分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基が、限定はされないが、エチレン、１，２－プロピレン、１，３－プロピレンまたは類似物から選択されるものである。Ｂの例示的な基は、限定はされないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチルまたは類似物などであってよい。Ｅの例示的な基は、限定はされないが、エチレン、１，２－プロピレン、１，３－プロピレンまたは類似物などであってよい。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）の前記アクリレートポリマーは、Ｂである前記Ｃ１～Ｃ１２第一級または第二級非置換線状、分岐状、環状または脂肪環式アルキル基が、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、テトラヒドロジシクロペンタジエニル、アダマンチル及び類似物から選択される。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）の前記アクリレートポリマーは、ＣであるＣ１～Ｃ１２第一級または第二級非置換線状、分岐状、環状または脂肪環式アルキル基が、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、テトラヒドロジシクロペンタジエニル、及び類似物から選択される。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）の前記アクリレートポリマーは、ＤであるＣ１～Ｃ１２第一級または第二級非置換線状、分岐状、環状または脂肪環式アルキル基が、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、テトラヒドロジシクロペンタジエニル、及び類似物から選択されるものである。
上記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーが、Ｅの線状もしくは分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基が、エチレン、１，２－プロピレン、１，３－プロピレン及び類似物から選択されるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、Ａがメチレン基、エチレン基、または１，２－プロピレン基であり、Ｂがメチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基であり、Ｃがメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、イソボルニル基またはテトラヒドロジシクロペンタジエニル基であり、Ｄが直接原子価結合、メチレン基またはエチレン基であり、Ｅがメチレン基、エチレン基または１，２－プロピレン基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）の前記アクリレートポリマーは、Ｇが、第三級エステルを形成するｚで指定される繰り返し単位中のカルボキシレートの酸素の第三級結合点に少なくとも一つの隣接水素を有する第三級アルキルから選択される高活性化エネルギー酸不安定性基であるか、またはｚで指定される繰り返し単位中のカルボキシレートの酸素と形成したアセタールまたはケタールから選択される低活性化エネルギー保護基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）の前記アクリレートポリマーは、Ｇが、ｔ－ブチル基、テトラヒドロピラン－２－イル基、テトラヒドロフラン－２－イル基、４－メトキシテトラヒドロピラン－４－イル基、１－エトキシエチル基、１－ブトキシエチル基、１－プロポキシエチル基、３－オキソシクロヘキシル基、２－メチル－２－アダマンチル基、２－エチル－２－アダマンチル基、８－メチル－８－トリシクロ［５．２．１．０ ２，６］デシル基、１，２，７，７－テトラメチル－２－ノルボニル基、２－アセトキシメンチル基、２－ヒドロキシメンチル基、１－メチル－１－シクロヘキシルエチル基、４－メチル－２－オキソテトラヒドロ－２Ｈ－ピラン－４－イル基、２，３－ジメチルブタン－２－イル基、２，３，３－トリメチルブタン－２－イル基、１－メチルシクロペンチル基、１－エチルシクロペンチル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基、１，２，３，３－テトラメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、２－エチル－１，３，３－トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、２，６，６－トリメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン－２－イル基、２，３－ジメチルペンタン－３－イル基、または３－エチル－２－メチルペンタン－３－イル基から選択される酸解裂性基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、ｔが０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが０モル％であり、ｘが約５モル％～約３０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ２がメチルであり、Ｒ４及びＲ５がメチルであり、そしてＲ６がＨであるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、Ｄがメチレンであり、Ａｒがフェニルであり、Ｅが－ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ２－部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧはｔｅｒｔ－ブチル基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、ｔが０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが約５モル％～約２０モル％であり、ｘが約５モル％～約５０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ２及びＲ３がＨであり、そしてＲ３、Ｒ４及びＲ６がメチルであるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、Ａがエチレン基であり、Ｂがメチルであり、Ｄがメチレンであり、Ａｒがフェニルであり、Ｅが－ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ２－部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧはｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、ｔが約５モル％～約３０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが０モル％であり、ｘが０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ１がメチルであり、Ｒ２がＨであり、そしてＲ５及びＲ６がメチルであるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、Ｃがメチルであり、Ｅが－ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ２－部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、ｔが約５モル％～約３０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが０モル％であり、ｘが約１０モル％～約３０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５がメチルであり、そしてＲ６がＨであるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、Ｃがイソボルニルまたはテトラヒドロジシクロペンタジエニルであり、Ｅが－ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ２－部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、ｔが０モル％であり、ｖが０モル％であり、ｗが約５モル％～約２０モル％であり、ｘが約５モル％～約３０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ３がＨであり、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６がメチルであるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）である前記アクリレートポリマーは、Ａがエチレン基であり、Ｂがメチルであり、Ｄがメチレンであり、Ａｒがフェニルであり、Ｅが－ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ２－部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基であるものである。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）は、（ポリスチレン標準を用いた）ＧＰＣによって測定して、限定はされないが８００ダルトン～３０，０００ダルトンの範囲であってよいＭｗを有する構造（Ｉ）を含む前記アクリレートポリマーを含む。構造（Ｉ）の他の例示的な重量平均分子量は、限定はされないが、１，５００ダルトンから２０，０００ダルトンの範囲であってよい。構造（Ｉ）の更に他の例示的な重量平均分子量は、限定はされないが、２，５００ダルトンから２０，０００ダルトンの範囲であってよい。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記成分ｃ）は、（ポリスチレン標準を用いた）ＧＰＣによって測定して、１と約２．５との間の範囲の多分散性（Ｍｗ／Ｍｎ）を有する、構造（Ｉ）を含む前記アクリレートポリマーを含む。この態様の他の観点の一つでは、前記多分散性は約１．３～約２．５の範囲であってよい。この態様の他の観点の一つでは、前記多分散性は約１．５～約２．３の範囲であってよい。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、構造（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）またはそれらの互変異性体から選択される環構造を含む少なくとも一種のヘテロ環状チオール化合物を含む前記成分ｅ）には、限定はされないが、置換されたもしくは置換されていないトリアゾールチオール類、置換されたもしくは置換されていないイミダゾールチオール類、置換されたもしくは置換されていないトリアジンチオール類、置換されたもしくは置換されていないメルカプトピリミジン類、置換されたもしくは置換されていないチアジアゾ－ル－チオール類、置換されたもしくは置換されていないインダゾールチオール類、それらの互変異性体またはそれらの組み合わせが包含され得る。置換基には、限定はされないが、飽和もしくは不飽和炭化水素基、置換されたもしくは置換されていない芳香族環、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族アルコール類、アミン類、アミド類、イミド類、カルボン酸類、エステル類、エーテル類、ハライド類及び類似物などが挙げられ得る。このような置換基は、溶解性の向上、基材との相互作用の改良、露光の増強またはハレーション防止染料としての機能のために、ヘテロ環状チオールと協調して使用し得る。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれの場合も、他の態様の一つでは、前記成分ｅ）のこのようなヘテロ環状チオール類には、限定はされないが、置換されていないまたは置換された形態の以下の化合物（ＶＩＶ～ＶＩＶｐ）が包含され得る：
Figure 0007381566000098
Figure 0007381566000099
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれの場合も、他の態様の一つでは、前記成分ｅ）であるこのようなヘテロ環状チオール類には、２－チオウラシルなどのチオウラシル誘導体などが例として包含され得る：これらには、限定はされないが、５－メチル－２－チオウラシル、５，６－ジメチル－２－チオウラシル、６－エチル－５－メチル－２－チオウラシル、６－メチル－５－ｎ－プロピル－２－チオウラシル、５－エチル－２－チオラシル、５－ｎ－プロピル－２－チオウラシル、５－ｎ－ブチル－２－チオウラシル、５－ｎ－ヘキシル－２－チオウラシル、５－ｎ－ブチル－６－エチル－２－チオウラシル、５－ヒドロキシ－２－チオウラシル、５，６－ジヒドロキシ－２－チオウラシル、５－ヒドロキシ－６－ｎ－プロピル－２－チオウラシル、５－メトキシ－２－チオウラシル、５－ｎ－ブトキシ－２－チオウラシル、５－メトキシ－６－ｎ－プロピル－２－チオウラシル、５－ブロモ－２－チオウラシル、５－クロロ－２－チオウラシル、５－フルオロ－２－チオウラシル、５－アミノ－２－チオウラシル、５－アミノ－６－メチル－２－チオウラシル、５－アミノ－６－フェニル－２－チオウラシル、５，６－ジアミノ－２－チオウラシル、５－アリル－２－チオウラシル、５－アリル－３－エチル－２－チオウラシル、５－アリル－６－フェニル－２－チオウラシル、５－ベンジル－２－チオウラシル、５－ベンジル－６－メチル－２－チオウラシル、５－アセトアミド－２－チオウラシル、６－メチル－５－ニトロ－２－チオウラシル、６－アミノ－２－チオウラシル、６－アミノ－５－メチル－２－チオウラシル、６－アミノ－５－ｎ－プロピル－２－チオウラシル、６－ブロモ－２－チオウラシル、６－クロロ－２－チオウラシル、６－フルオロ－２－チオウラシル、６－ブロモ－５－メチル－２－チオウラシル、６－ヒドロキシ－２－チオウラシル、６－アセトアミド－２－チオウラシル、６－ｎ－オクチル－２－チオウラシル、６－ドデシル－２－チオウラシル、６－テトラドデシル－２－チオウラシル、６－ヘキサデシル－２－チオウラシル、６－（２－ヒドロキシエチル）－２－チオウラシル、６－（３－イソプロピルオクチル）－５－メチル－２－チオウラシル、６－（ｍ－ニトロフェニル）－２－チオウラシル、６－（ｍ－ニトロフェニル）－５－ｎ－プロピル－２－チオウラシル、６－α－ナフチル－２－チオウラシル、６－α－ナフチル－５－ｔ－ブチル－２－チオウラシル、６－（ｐ－クロロフェニル）－２－チオウラシル、６－（ｐ－クロロフェニル）－２－エチル－２－チオウラシル、５－エチル－６－エイコシル－２－チオウラシル、６－アセトアミド－５－エチル－２－チオウラシル、６－エイコシル－５－アリル－２－チオウラシル、５－アミノ－６－フェニル－２－チオウラシル、５－アミノ－６－（ｐ－クロロフェニル）－２－チオウラシル、５－メトキシ－６－フェニル－２－チオウラシル、５－エチル－６－（３，３－ジメチルオクチル）－２－チオウラシル、６－（２－ブロモエチル）－２－チオウラシルなどが挙げられる。
前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記成分ｅ）のヘテロ環状チオール成分は、置換されていないトリアゾールチオール、置換されたトリアゾールチオール、置換されていないイミダゾールチオール、置換されたイミダゾールチオール、置換されたトリアジンチオール、置換されていないトリアジンチオール、置換されたメルカプトピリミジン、置換されていないメルカプトピリミジン、置換されたチアジアゾール－チオール、置換されていないチアジアゾ－ル－チオール、置換されたインダゾールチオール、置換されていないインダゾールチオール、これらの互変異性体及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。
前記のポジ作動型感光性組成物の他の態様の一つでは、前記成分ｅ）のヘテロ環状チオールは、１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリチオール、２－メルカプト－６－メチルピリミジン－４－オール、３－メルカプト－６－メチル－１，２，４－トリアジン－５－オール、２－メルカプトピリミジン－４，６－ジオール、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－５－チオール、１Ｈ－イミダゾール－２－チオール、１Ｈ－イミダゾール－５－チオール、１Ｈ－イミダゾール－４－チオール、２－アザビシクロ［３．２．１］オクタ－２－エン－３－チオール、２－アザビシクロ［２．２．１］ヘプタ－２－エン－３－チオール、１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－チオール、２－メルカプト－６－メチルピリミジン－４－オール、２－メルカプトピリミジン－４－オール、１－メチル－１Ｈ－イミダゾール－２－チオール、１，３，４－チアジアゾ－ル－２，５－ジチオール、１Ｈ－インダゾール－３－チオール、これらの互変異性体及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、任意選択的な塩基性クエンチャが存在してよい。この態様の一つの観点では、前記塩基性クエンチャは、アミン類またはテトラアルキルアンモニウムカルボキシレート塩から選択してよい。この態様の他の観点の一つでは、前記塩基性クエンチャはアミン類から選択される。この態様の他の観点の一つでは、前記塩基性クエンチャはテトラアルキルアンモニウムカルボキシレート塩である。
前記ポジ作動型感光性組成物の一つの態様では、任意選択の塩基性クエンチャが存在し、そしてこれがアミン類である場合には、このアミン類は、大気圧下に１００℃超の沸点及び少なくとも１のｐＫａを有するアミン化合物またはアミン化合物の混合物から選択し得る。この態様の他の観点の一つでは、前記アミンクエンチャは、構造（Ｘａ）、（Ｘｂ）、（Ｘｃ）、（Ｘｄ）、（Ｘｅ）、（Ｘｆ）、（Ｘｇ）、（Ｘｈ）、（Ｘｉ）及び（Ｘｊ）を有する化合物からなる群またはこの群からの複数種の化合物の混合物から選択され、ここで、Ｒｂ１は、Ｃ１～Ｃ２０飽和アルキル鎖またはＣ２～Ｃ２０不飽和アルキル鎖であり；Ｒｂ２、Ｒｂ３、Ｒｂ４、Ｒｂ５、Ｒｂ６、Ｒｂ７、Ｒｂ８、Ｒｂ９、Ｒｂ１０、Ｒｂ１１、Ｒｂ１２、及びＲｂ１３は、独立して、Ｈ及びＣ１～Ｃ１～Ｃ２０アルキルからなる群から選択される。
Figure 0007381566000100
 前記のポジ作動型感光性組成物の一つの態様では、任意選択の塩基性クエンチャが存在しそしてこれがテトラアルキルアンモニウムカルボキシレート塩である場合には、この塩は、単官能性脂肪族カルボン酸の塩、または脂肪族ジカルボン酸のビス［テトラアルキルアンモニウム］塩であってよい。この態様の一つの観点では、前記塩基性クエンチャは、単官能性脂肪族カルボン酸のカルボキシレート塩である。この態様の一つの観点では、前記塩基性クエンチャは、脂肪族ジカルボン酸のビス［テトラアルキルアンモニウム］塩である。
前記のポジ作動型感光性組成物の一つの態様では、任意選択の塩基性クエンチャが存在しそしてこれが脂肪族単官能性カルボン酸のテトラアルキルアンモニウム塩である場合には、これは、テトラアルキルアンモニウム部分が、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ベンジルトリプロピルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウムから選択され、そしてカルボキシレート部分が、ホルメート、アセテート、プロピオネート、ブチレート、ペンタノエート、ヘキサノエート、ヘプタノエート、オクタノエート、シクロヘキサンカルボキシレート、及び類似物から選択してよい、塩から選択してよい。この態様の一つの観点では、脂肪族カルボン酸の前記テトラアルキルアンモニウム塩は、テトラアルキルアンモニウム部分がテトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、及びベンジルトリメチルアンモニウムから選択され、そして脂肪族カルボキシレートが、アセテート、プロピオネート、ブチレート、ペンタノエート及びシクロヘキシルカルボキシレートから選択される塩から選択される。
上記のポジ作動型感光性組成物の一つの態様では、任意選択の塩基性クエンチャが存在し、そしてこれが脂肪族ジカルボン酸のビス［テトラアルキルアンモニウム］塩である場合には、このような塩の非限定的な例は、ビス［テトラアルキルアンモニウム］部分が、ビス［テトラメチルアンモニウム］、ビス［テトラエチルアンモニウム］、ビス［テトラプロピルアンモニウム］、ビス［テトラブチルアンモニウム］、ビス［テトラペンチルアンモニウム］、ビス［テトラヘキシルアンモニウム］、ビス［テトラヘプチルアンモニウム］、ビス［テトラオクチルアンモニウム］、ビス［ベンジルトリメチルアンモニウム］、ビス［ベンジルトリプロピルアンモニウム］、ビス［ベンジルトリブチルアンモニウム］及び類似物から選択され、そして脂肪族ジカルボキシレート部分が、オキサレート、マロネート、スクシネート、アジペート、ヘプタンジオネート、オクタンジオエート、ノナンジオエート、フマレート、マレエート、グルタコネート、イタコネート、及び類似物から選択してよいものである。この態様の一つの観点では、脂肪族ジカルボン酸の前記ビス［テトラアルキルアンモニウム］塩は、ビス［テトラアルキルアンモニウム］部分がビス［テトラメチルアンモニウム］、ビス［テトラエチルアンモニウム］、ビス［テトラプロピルアンモニウム］、ビス［テトラブチルアンモニウム］、ビス［テトラペンチルアンモニウム］、及びビス［ベンジルトリメチルアンモニウム］から選択され、そして脂肪族カルボキシレートが、オキサレート、マロネート、スクシネート、アジペート及びヘプタジオエートから選択される塩から選択される。
上記のポジ作動型感光性組成物の一つの態様では、任意選択の塩基性クエンチャが存在し、そしてそれはビス［テトラアルキルアンモニウム］オキサレートである。
前記のポジ作動型感光性組成物の一つの態様では、任意選択の塩基性クエンチャが存在し、そしてこれが脂肪族ジカルボン酸のビス［テトラアルキルアンモニウム］塩である場合は、これは、ビス［テトラアルキルアンモニウム］部分が、ビス［テトラメチルアンモニウム］、ビス［テトラエチルアンモニウム］、ビス［テトラプロピルアンモニウム］、ビス［テトラブチルアンモニウム］、ビス［テトラペンチルアンモニウム」、及びビス［ベンジルトリメチルアンモニウム］から選択され、そしてジカルボキシレートがオキサレートである塩から選択される。
ここで、前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記溶媒成分ｆ）は、次の非限定的な適当な有機溶媒の例から選択してよい：酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸３－メトキシブチル（ＭＢＡ）、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、３－エトキシプロパン酸エチル、３－エトキシプロパン酸メチル、３－メトキシプロパン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ジアセトンアルコール、ピバル酸メチル、ピバル酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（別称では、１－メトキシプロパン－２－オール（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（別称では１－メトキシ－２－プロパニルアセテート）（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロパノエート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、３－メチル－３－メトキシブタノール、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、アニソール、ジメチルスルホキシド、ガンマ－ブチロラクトン、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、テトラメチレンスルホン、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルまたはジエチレングリコールジメチルエーテル、ガンマブチロラクトン。これらの溶剤は、単独でまたは二種以上のものの混合物として使用し得る。この態様の他の観点の一つでは、前記溶媒成分ｆ）は、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸３－メトキシブチル、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、３－エトキシプロパン酸エチル、３－エトキシプロパン酸メチル、３－メトキシプロパン酸メチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（別称では１－メトキシプロパン－２－オール）（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（別称では、１－メトキシ－２－プロパニルアセテート）（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロパノエート、乳酸メチル、乳酸エチル、プロピレングリコールジメチルエーテルから選択される。この態様の他の観点の一つでは、前記溶媒成分ｆ）は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（別称では１－メトキシ－２－プロパニルアセテート）（ＰＧＭＥＡ）であるか、またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと３－メトキシブチルアセテートとの混合物である。
ここに開示及び特許請求される組成物と適合性がありそして必要に応じてそれに添加できる他の任意選択の添加剤としては、レジスト層の性質を改善するための補助樹脂、可塑剤、表面レベリング剤及び安定剤、現像によって形成されたパターン化されたレジスト層の可視性を高めるための着色剤；アンチハレーション染料、テトラアルキルアンモニウム塩、例えばテトラブチルアンモニウムオキサレート、及び類似物などが挙げられる。
表面レベリング剤には、界面活性剤などを挙げ得る。界面活性剤には特に制限はなく、そしてそれの例には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、及びポリオキシエチレンオレインエーテル；ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、例えばポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル及びポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル；ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー；ソルビタン脂肪酸エステル、例えばソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノバルミテート、及びソルビタンモノステアレート；ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン界面活性剤、例えばポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリエチレンソルビタントリオレエート、及びポリオキシエチレンソルビタントリステアレート；フッ素化界面活性剤、例えばＦ－Ｔｏｐ ＥＦ３０１、ＥＦ３０３及びＥＦ３５２（ジェムコ社製）、Ｍｅｇａｆａｃ Ｆ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３、Ｒ０８、Ｒ３０、Ｒ９０及びＲ９４（大日本インキ化学工業株式会社製）、Ｆｌｏｒａｄ ＦＣ－４３０、ＦＣ－４３１、ＦＣ－４４３０及びＦＣ－４４３２（住友スリーエム株式会社製）、Ａｓａｈｉ Ｇｕａｒｄ ＡＧ７１０、Ｓｕｒｆｌｏｎ Ｓ－３８１、Ｓ－３８２、Ｓ－３８６、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６、Ｓｕｒｆｉｎｏｌ Ｅ１００４、ＫＨ－１０、ＫＨ－２０、ＫＨ－３０及びＫＨ－４０（旭硝子株式会社製）；有機シロキサンポリマー、例えばＫＰ－３４１、Ｘ－７０－０９２及びＸ－７０－０９３（信越化学工業社製）；及びアクリル酸もしくはメタクリル酸ポリマー、例えばＰｏｌｙｆｌｏｗ Ｎｏ．７５及びＮｏ．９５（共栄社化学株式会社製）などが挙げられる。
前記のポジ作動型感光性組成物のいずれにおいても、他の態様の一つでは、前記二つのポリマー成分、すなわち成分ｂ）の前記ノボラックと、前記成分ｃ）の構造（Ｉ）を含む前記アクリレートポリマーとの合計使用量は、前記ノボラックポリマー成分ｂ）が、ノボラックポリマー成分とアクリレートポリマー成分との合計重量の約２０重量％～約８０重量％を占めてよいような量である。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂ）の前記ノボラックポリマーは、ノボラックポリマー成分とアクリレートポリマー成分との合計重量の約３０重量％～約７５重量％を占めてよい。更に別の例の一つとしてかつ限定なしに、ノボラックポリマーは、ノボラックポリマー成分とアクリレートポリマー成分との合計重量の約４０％～約６５％重量／重量を占めてよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全ての態様において、固形成分の合計質量の一部としての各々の固形成分の重量％は、これらの総計は１００重量％とならなければならず；これは、必須の固形成分ａ）、ｂ）、ｃ）、ｄ）及びｅ）並びに任意選択の成分、例えば塩基性クエンチャまたは存在し得る任意の不純物を含む。更に、ここで使用する場合、「固形成分」という用語は、固形物または液体のいずれかであってよいこれらの「固形成分」の実際の物理的状態にかかわらず、溶媒成分ｆ）以外の、前記のポジ作動型感光性組成物中のいずれの成分をも指す。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、固形成分の合計質量の一部としての成分ａ）である前記光酸発生剤の重量％は、約０．１重量％～約６重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約０．１重量％～約４重量％の範囲であってよい。この態様の更に他の観点の一つでは、これは、約０．２重量％～約２重量％の範囲であってよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、固形成分の合計質量の一部としての成分ｂ）である前記ノボラックポリマーの重量％は、約１４重量％～約８０重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約３０重量％～約６０重量％の範囲であってよい。この態様の更に別の観点の一つでは、これは、約４０重量％～約６０重量％の範囲であってよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、固形成分の合計質量の一部としての成分ｃ）である前記アクリレートポリマー（複数可）の重量％は、約１４重量％～約８０重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約２５重量％～約６０重量％の範囲であってよい。この態様の更に他の観点の一つでは、これは、約２５重量％～約５０重量％の範囲であってよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、固形成分の合計質量の一部としての成分ｄ）である前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料（複数可）の重量％は、約１重量％～約３０重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約３重量％～約２０重量％の範囲であってよい。この態様の更に他の観点の一つでは、これは、約５重量％～約１５重量％の範囲であってよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、固形成分の合計質量の一部としての成分ｅ）である前記ヘテロ環状チオール化合物（複数可）の重量％は、約０．０１重量％～約０．５重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約０．０２重量％～約０．４重量％の範囲であってよい。この態様の更に他の観点の一つでは、これは、約０．０５重量％～約０．２５重量％の範囲であってよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、固形成分の合計質量の一部としての任意選択の塩基性クエンチャ成分（複数可）の重量％は、存在する場合は、約０．０１重量％～約０．５重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約０．０２重量％～約０．３重量％の範囲であってよい。この態様の更に他の観点の一つでは、これは、約０．０５重量％～約０．２重量％の範囲であってよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、固形成分の合計質量の一部としての任意選択の界面活性剤成分（複数可）の重量％は、存在する場合には、約０．００１重量％～約１重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約０．００１重量％～約０．２重量％の範囲であってよい。この態様の更に他の観点の一つでは、これは、約０．００５重量％～約０．１５重量％の範囲であってよい。この態様の更に他の観点の一つでは、これは、約０．００５重量％～約０．３０重量％の範囲であってよい。
該ポジ作動型感光性組成物についてここに記載した全て態様において、溶媒も含めた全組成物の固形成分の重量％は、約０．０５重量％～約６５重量％の範囲であってよい。この態様の一つの観点では、これは、約２０重量％～約６０重量％の範囲であってよい。この態様の更に別の観点の一つでは、これは、約３５重量％～約６０重量％の範囲であってよい。
前記の全ての態様において、該組成物中の必須成分ａ）、ｂ）、ｃ）、ｄ）、ｅ）及びｆ）（別称では溶媒）、並びに任意選択の成分または存在する不純物を含めた全成分の合計質量の一部としての各々の成分の合計重量％は１００重量％でなければならない。
ここで使用する場合、「固形成分」という用語は、固形物または液体のいずれかであってよいこれらの「固形成分」の実際の物理的状態にかかわらず、溶媒成分以外の、前記のポジ作動型感光性組成物中のいずれの成分をも指す。
本明細書に更に開示のものは、ポジ型レリーフ画像の形成方法であり、この方法は、本明細書に記載のポジ作動型感光性組成物を基材に塗布してフィルムを形成し、次いでベークして感光性層を形成し；この感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成し；及びこの潜像を現像剤で現像することを含む。任意選択的に、像様露光された感光性層は、解保護のケミストリーに依存して、熱処理してよい。
本明細書に開示される感光性組成物を用いることによるパターン化されたフォトレジスト層の製造のための手順は、慣用のものであることができる。例えば、半導体ケイ素ウェハなどの基材または上述したような金属コーティングを備えた基材に、スピンコーターなどの適当なコーティング機を用いることにより溶液の形態の感光性組成物を均一にコーティングし、その後、熱対流炉またはホットプレートでベークしてフォトレジスト層を形成し、次いでこのフォトレジスト層を、露光装置でフォトマスクを通してまたは所望のパターンを有する反射性マスクから、低圧、高圧及び超高圧水銀ランプ、アークランプ、キセノンランプ、ＡｒＦ、ＫｒＦ及びＦ２エキシマレーザー、電子ビーム、Ｘ線、極端ＵＶ源及び類似物から放射された深紫外線、近紫外線または可視光線などの化学放射線に像様に暴露、及び所望のパターンに応じて電子ビーム走査して、レジスト層中にパターンの潜像を形成する。化学放射線は２５０ｎｍ～４５０ｎｍの範囲であってよいか、または広帯域放射線であってよい。その後、フォトレジスト層中の潜像を、任意選択的に、熱対流炉またはホットプレートでベークし、テトラ（Ｃ１～Ｃ４アルキル）アンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド、水酸化リチウム、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の１～１０％重量／重量濃度の水溶液などのアルカリ性現像液を用いて現像して、フォトマスクのパターンに対し忠実度の高いパターン化されたフォトレジスト層を形成することができる。厚さは、２０ｎｍ～２００ミクロンの範囲であり得る。これらの厚さを達成するためには、様々なスピン速度及び合計固形物濃度の組み合わせを先に記載したように使用し得る。基材の大きさに依存して、５００ｒｐｍ～１０，０００ｒｐｍのスピン速度を使用してよい。場合によっては、約１００～約２００ミクロンのより厚いコーティング厚を達成するためには、二重スピンコートを使用してよい。
ここに開示される感光性組成物によって形成された基材上のパターン化されたレジスト上への金属の堆積は、金属電解メッキ（別称では、電着、電解メッキ）を用いて行ってよい。
一般的に、異なるプロセス及び金属を用いた様々な金属の電解メッキのための方法論は、“Ｔｈｅ ｐｌａｔｉｎｇ Ｆｏｒｅｃａｓｔ ａｎｄ Ａｓｓｕｒａｎｃｅ，Ｌａｒｒｙ Ｇ Ｙｅｏｎ，Ｌａｒｒｙ Ｋｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｃｈａｐｔｅｒ １，ｐａｇｅｓ ５ ｔｏ ５６，２００４”（非特許文献７）に記載されている。この金属電解メッキは、静止メッキ法、バレルメッキ法、ブラシメッキ法、連続メッキ法、電鋳法、パルスメッキ法（ｐｕｌｓｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｌａｔｉｎｇ）などの電解メッキによって行ってよい。
本発明に適用する場合、ここに開示される本発明による感光性組成物によって形成された基材上の前記パターン化されたレジスト上への金属電解メッキは、様々な金属で行ってよく、非限定的な例は、金、銅、銀、タングステン、カドニウム、クロム、インジウム、鉄、鉛、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、スズ、亜鉛、アルミニウム、タンタル、及びニオブである。これの一つの観点では、電解メッキは、金、銅、銀、タングステン、クロム、インジウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、タンタル、ニオブ、及び電解メッキで堆積されたスズ／銀合金を用いて行ってよい。この態様の一つの観点では、電解メッキは、金、銅、銀、タングステン、クロム、インジウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、タンタル、及びニオブを用いて行ってよい。これの一つの観点では、電解メッキは、銅、タングステン、クロム、ニッケル、タンタル、ニオブ、及び電解メッキで堆積されたスズ／銀合金を用いて行ってよい。これの一つの特定の観点では、電解メッキは銅を用いて行うことができる。
基材上の前記パターン化されたフォトレジスト上に金属が選択的に電解メッキされた後は、レジストを除去して、基材上に金属パターンを残すようにすることができる。前記レジストパターンの除去は、化学的ストリッパ（別称ではリムーバ）または溶媒を用いて行われる。レジストパターンを除去するための適当なストリッパは、非限定的な例として、ＡＺ（登録商標）４００Ｔ ＲｅｍｏｖｅｒもしくはＡＺ（登録商標）Ｋｗｉｋ Ｓｔｒｉｐや、またはＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）及び類似物などの極性非プロトン性溶媒をベースとした他のストリッパなどの材料であり、単独で、または他の溶媒、水及び塩基（例えばＴＭＡＨ）から選択される他の成分との組み合わせで使用される。
レジストパターンを除去するために適した溶媒は、パターン化されていないレジストを溶解する任意の有機溶媒であり、このような溶媒の例はアルキルケトン類、例えばアセトン、並びに本発明の組成物のための適した溶媒として記載した先に述べた溶媒のうちの任意のものである。非限定的な例は、例えばＰＧＭＥＡである。
本発明の他の観点の一つは、次のステップを含む、レリーフ画像（別の言い方をすれば、基材上のレジストパターン）を形成する方法である：
ａ）ここに記載のポジ作動型感光性組成物のいずれかを基材上に施与して、フィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ）前記潜像を現像剤中で現像するステップ。
本発明の他の観点の一つは、次のステップを含む、レリーフ画像を形成する方法である：
ａ’）ここに記載のポジ作動型感光性組成物のいずれかを基材上に施与して、フィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ’）像様露光された前記感光性層を熱処理して、ベークされた潜像を形成するステップ；
ｄ’）前記ベークされた潜像を現像剤中で現像するステップ。
この発明の他の観点の一つでは、これは、後で金属パターンを形成するために金属堆積においてマスクとして使用されるレリーフ画像を形成する方法であって、以下のステップを含む方法を含む。
ａ’’）ここに記載のポジ作動型感光性組成物のいずれかを基材上に施与して、フィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ’’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ’’）前記潜像を現像剤中で現像して、基材上にレジストパターンを形成するステップ；
ｄ’’）前記レジストパターンをバリアとして使用して、基材上で選択的に電解メッキするステップ；
ｅ’’）前記レジストパターンを剥がして、選択的に電解メッキされた金属を後に残し、それによって基材上に金属パターンを形成するステップ。
この発明の他の観点の一つでは、これは、後で金属パターンを形成するために金属堆積においてマスクとして使用されるレリーフ画像を形成する方法として、以下のステップを含む。
ａ’’’）ここに記載のポジ作動型感光性組成物のいずれかを基材上に施与して、フィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ’’’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ’’’）像様露光された前記感光性層を熱処理して、ベークされた潜像を形成するステップ；
ｄ’’’）前記ベークされた潜像を現像剤中で現像して、基材上にレジストパターンを形成するステップ；
ｅ’’’）前記レジストパターンをバリアとして使用して、基材上で選択的に電解メッキするステップ；
ｆ’’’）前記レジストパターンを剥がして、選択的に電解メッキされた金属を後に残し、それによって基材上に金属パターンを形成するステップ。
本発明の他の観点の一つは、構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含むグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料である。
Figure 0007381566000101
 ［式中、Ｗは６００以下の分子量を有する有機部分であり、
式中、Ｗは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成し、
ｍは１～３の整数であり、そして
ｎは１～４の整数であり、但し、
ｍが１である場合は、ｎは３または４であり、
そして、ｍが２または３である場合は、ｎは１～４の整数であり、
ｎ’は０または１である］
前記のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料の他の態様の一つでは、これは、該ポジ作動型感光性組成物について先に記載した成分ｄ）のバリエーションのうちのいずれか一つである。
本発明の他の観点の一つは、先に記載した構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含むグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料の、または先に記載した本発明のポジ作動型感光性組成物の、ポジ型レリーフ画像を基材上に形成するための使用である。
上記で触れた文献はそれぞれ、全ての目的に関してその内容の全てが本明細書に掲載されたものとする。以下の具体例は、本発明の組成物を製造及び利用する方法の詳細な例示を与えるものである。しかし、これらの例は、本発明の範囲を如何様にも限定もしくは減縮することを意図したものではなく、本発明を実施するために排他的に利用しなければならない条件、パラメータまたは値を教示するものと解釈するべきではない。
添加剤合成例１：
Figure 0007381566000102
 ６１．６ｇの３，５－ジヒドロキシ安息香酸、６８．０８ｇのビスフェノールＡジグリシジルエーテル、０．４５ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、１３０ｇのプロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）溶媒中に混入した。この反応は、窒素下に１１０℃で１５時間進行させた。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。固形のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料を洗浄し、そして５０℃で真空下に乾燥して、Ｍｗ＝１１５１のゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及びＭｎ＝１０９０の数平均分子量を持って１３０．０ｇ（１００％収率）を生成した。それ故、ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中で５４００Å／秒の溶解速度を有するグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が得られた。プロトンＮＭＲ分析は、この化合物が、ヒドロキシフェノールのうちの一つがグリシジル部分との縮合も起こした副生成物を約５％含んで約９５％純度であることを示す。これは、プロトンＮＭＲによる分析によって確認された。このＮＭＲはアセトン－ｄ６中で行った。このスペクトルでは、カルボニルに対してオルト位にあるジヒドロキシ安息香酸単位芳香族水素のうちの二つの芳香族水素が７．０６ｐｐｍに観察され、他方で、ビスフェノールＡ誘導単位中の８つの芳香族プロトンが７．１７３及び７．１５２、６．９０１及び６．８７９ｐｐｍに観察される。純度が１００％の場合は、この化合物は、ビスフェノールＡ誘導体中の芳香族プロトン：二つのオルトヒドロキシ安息香酸芳香族プロトンについて２／１のプロトン比を与えるであろう。観察された比率は２．０３６であり、これは少なくとも９４．６％の純度を示した。この少量の不純物の存在は、ＧＰＣ及びＨＰＬＣデータによっても確認される。ＧＰＣ及び高圧液体クロマトグラフィ（ＨＰＬＣ）データは、残留原料が不在であることも確認した。僅かな不純物は、合成中のフェノール系ヒドロキシ部分とエポキシド部分との若干の副反応を表す。
添加剤合成例２：
Figure 0007381566000103
 １５．４ｇの３，５－ジヒドロキシ安息香酸、１０．８１ｇのネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、０．０１ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、２６ｇの１－メトキシ－２－プロパニルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶媒中に混入した。この反応は、窒素下に１１０℃で８時間進行させた。室温まで冷却した後、反応混合物を使用するためにボトル中に移した。ＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）は、これが、Ｍｗ＝７３６の重量平均分子量及びＭｎ＝５０５の数平均分子量を有することを示す。ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中の溶解速度は５５００Å／秒である。ＧＰＣデータは、残留原料が不在であることも確認した。
添加剤合成例３：
Figure 0007381566000104
 ４６．２ｇの３，５－ジヒドロキシ安息香酸、３０．２ｇのトリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、０．４５ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、７６．４ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶媒中に混入した。この反応は、窒素下に１１０℃で１２時間進行させた。室温まで冷却した後、反応混合物を使用するためにボトル中に移した。ＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）は、これが、Ｍｗ＝１０８４の重量平均分子量及びＭｎ＝７９４の数平均分子量を有することを示す。ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中の溶解速度は７４００Å／秒である。ＧＰＣデータは、残留原料が不在であることも確認した。
添加剤合成例４：
Figure 0007381566000105
 ４１．４ｇの４－ヒドロキシ安息香酸、３０．２ｇのトリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、０．１４ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、１０７．５ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶媒中に混入した。この反応は、窒素下に１４０℃で１７時間進行させた。室温まで冷却した後、反応混合物を使用するためにボトル中に移した。ＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）は、これが、Ｍｗ＝１４０９の重量平均分子量及びＭｎ＝１１８１の数平均分子量を有することを示す。ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中の溶解速度は６７００Å／秒である。
添加剤合成例５：（比較材料）
Figure 0007381566000106
 ２６．２４ｇ（０．１９モル）の４－ヒドロキシ安息香酸、３４．０４ｇ（０．１モル）のビスフェノールＡジグリシジルエーテル、０．１ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、６０．２８ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶媒中に混入した。この反応は、窒素下に１１０℃で１５時間進行させた。室温まで冷却した後、反応混合物を使用するためにボトル中に移した。ＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）は、これが、Ｍｗ＝１５３８の重量平均分子量、Ｍｎ＝１０９８の数平均分子量を有することを示す。ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中の溶解速度は５Å／秒である。
添加剤合成例６：（比較材料）
１５．４ｇ（０．１モル）の３，５－ジヒドロキシ安息香酸、５３．７５ｇの（グリシジルエンドキャップされた）ポリ（ビスフェノールＡ－ｃｏ－エピクロロヒドリン）（平均Ｍｎ＝約１０７５）、０．１ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、１０４ｇのプロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）溶媒中に混入した。この反応は、窒素下に１１０℃で１０時間進行させた。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。固形のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料を洗浄し、そして５０℃で真空下に乾燥して、Ｍｗ＝３８２９のＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及びＭｎ＝１８９５の数平均分子量を持って６９．０ｇ（９９．８％収率）を生成した。グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が得られた。ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中の溶解速度は６Å／秒である。
添加剤合成例７：
Figure 0007381566000107
 ２５．０ｇ（０．１４７モル）の没食子酸、２３．７６ｇ（０．０６９８モル）のビスフェノールＡジグリシジルエーテル、０．１８ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとプロピレングリコールメチルエーテルとの１１４ｇの混合溶媒（ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ：１．８５／１）中に混入した。この反応は、窒素下に１１０℃で１５時間進行させた。室温まで冷却した後、反応混合物を使用するためにボトル中に移した。ＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）は、これが、Ｍｗ＝１８６７の重量平均分子量及びＭｎ＝１０２４の数平均分子量を有することを示す。ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中の溶解速度は１０５００Å／秒である。
添加剤合成例８：
Figure 0007381566000108
 ３０．８ｇの３，５－ジヒドロキシ安息香酸、２３．２３ｇのグリシジルイソプロピルエーテル、０．１３ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライドを、８１ｇの１－メトキシ－２－プロパニルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶媒中に混入した。この反応は、窒素下に１３５℃で１８時間進行させた。次いで、溶媒を真空下に５０℃で蒸発させた。ＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）は、これが、Ｍｗ＝４２９の重量平均分子量及びＭｎ＝４０７の数平均分子量を有することを示す。ＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤中の溶解速度は１０６４５Å／秒である。
フェノール系添加剤の溶解速度試験：
全てのグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料をＰＧＭＥＡ中に溶解して、５０％の溶液を調製した。次いで、レジストサンプルをスピンコートし、そしてコンタクトモードで標準的なウェハトラックホットプレートを用いて１１０℃で１８０秒間のソフトベークを適用することによってコーティングを形成した。スピン速度は、１０ミクロン厚のレジストフィルムが得られるように調整した。全てのフィルム厚測定は、光学的測定法を用いてＳｉウェハ上で行った。フィルムをＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド＝ＴＭＡＨ）の０．２６Ｎ水溶液）（ＥＭＤ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ＡＺ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ）中に２３℃で浸漬した。規定の時間での膜減りを測定することによって溶解速度を決定した。
アクリルポリマー合成例１：
Figure 0007381566000109
 モノマー繰り返し単位の割合をモル百分率として記載する。この例では、６．４６ｇのメタクリル酸、３５．２４ｇのベンジルメタクリレート、４３．２５ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、５４．４７ｇのｔｅｒｔ－ブチルアクリレートを、２０９．１ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、２．３ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行する。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させる。ポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１５，０７２ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び７３４５ダルトンの数平均分子量を持って１３７．１ｇ（９８％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例２：
Figure 0007381566000110
 １．８ｇのアクリル酸、６．５ｇのメトキシエチルアクリレート、２２．０ｇのベンジルメタクリレート、２１．６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、２１．３ｇのｔｅｒｔ－ブチルメタクリレートを、１７９．６ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、３．３ｇのＡＩＢＮの存在下に、８０℃で窒素下に１８時間進行した。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１１，８６８ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び５３８２の数平均分子量を持って７３．５ｇ（＞９９％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例３：
Figure 0007381566000111
 １．８ｇのアクリル酸、６．５ｇのメトキシエチルアクリレート、１７．６ｇのベンジルメタクリレート、２１．６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、２４．９ｇのｔｅｒｔ－ブチルメタクリレートを、１７２．９ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、１．６ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行した。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１７，２０５ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び８４０７の数平均分子量を持って７１．６ｇ（９９％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例４：
Figure 0007381566000112
 ２．７ｇのアクリル酸、６．５ｇのメトキシエチルアクリレート、１５．４ｇのベンジルメタクリレート、２１．６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、２４．９ｇのｔｅｒｔ－ブチルメタクリレートを、１３５．２ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、１．６ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行した。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１７，１５３ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び９４２４の数平均分子量を持って７０．３ｇ（９９％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例５：
Figure 0007381566000113
 ３．６ｇのアクリル酸、６．５ｇのメトキシエチルアクリレート、１３．２ｇのベンジルメタクリレート、２１．６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、２４．９ｇのｔｅｒｔ－ブチルメタクリレートを、１３５．８ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、３．３ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行した。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１１，９１３ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び５５６４の数平均分子量を持って７０．８ｇ（＞９９％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例６：
Figure 0007381566000114
 １．８ｇのアクリル酸、１０．０ｇのメチルメタクリレート、２８．８ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、２４．９ｇのｔｅｒｔ－ブチルメタクリレートを、１２４．７ｇのＰＧＭＥ溶剤中に混入した。重合反応は、１．６ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行した。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１６，６５０ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び７９１９の数平均分子量を持って６４．４ｇ（９８％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例７：
Figure 0007381566000115
 １．８ｇのアクリル酸、３．３ｇのメトキシエチルアクリレート、１７．６ｇのベンジルメタクリレート、２１．６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、２８．４ｇのｔｅｒｔ－ブチルメタクリレートを、１３８．２ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、１．６ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行した。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１５，８４３ダルトンの重量平均分子量及び７６４２ダルトンの数平均分子量を持って７１．９ｇ（９９％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例８：
Figure 0007381566000116
 ６．５ｇのメトキシエチルアクリレート、１５．４ｇのベンジルメタクリレート、２１．６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、３０．２ｇのｔｅｒｔ－ブチルメタクリレートを、１４０．０ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、１．６ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行した。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させた。白色のポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１７，５２５ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び８６９５ダルトンの数平均分子量を持って７２．４５ｇ（９８％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例９：
Figure 0007381566000117
 モノマー繰り返し単位の割合をモル百分率として記載する。この例では、７．１６ｇのメトキシエチルアクリレート、１５．８６ｇのベンジルメタクリレート、２５．２３ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、３２．７８ｇの１－エチルシクロペンチルメタクリレートを、１５２．６ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、１．２ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行する。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させる。ポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１７，８８８ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び９５０２の数平均分子量を持って７９．３ｇ（９８％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例１０：
Figure 0007381566000118
 ４．３２ｇのアクリル酸、１４．３２ｇのメトキシエチルアクリレート、２２．９１ｇのベンジルメタクリレート、５０．４６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、６３．７５ｇの１－エチルシクロペンチルメタクリレートを、１５８．５ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、２．７１ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行する。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させる。ポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１７，１０３ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び８３１６の数平均分子量を持って１５３．４５ｇ（９８．５％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例１１：
Figure 0007381566000119
 ５．７６ｇのアクリル酸、１４．３２ｇのメトキシエチルアクリレート、１９．３８ｇのベンジルメタクリレート、５０．４６ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、６３．７５ｇの１－エチルシクロペンチルメタクリレートを、１５６．４ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、２．７１ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行する。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させる。ポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、１５，５５７ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び７７９５の数平均分子量を持って１５０．２ｇ（９７．７％収率）を生成した。
アクリルポリマー合成例１２：
Figure 0007381566000120
 ８．６１ｇのメタクリル酸、２２．２３ｇのイソボルニルメタクリレート、２６．４３ｇのベンジルメタクリレート、４３．２５ｇのヒドロキシプロピルメタクリレート、４４．３６ｇのｔｅｒｔ－ブチルアクリレートを、１５６．４ｇのＰＧＭＥ溶媒中に混入した。重合反応は、２．４６ｇのＡＩＢＮの存在下に、９０℃で窒素下に１８時間進行する。室温まで冷却した後、反応混合物をＤＩ水中で析出させる。ポリマー固形物を洗浄し、そして４５℃で真空下に乾燥して、２５，５３５ダルトンのＧＰＣ（ポリスチレン標準使用）重量平均分子量及び１２，２１５の数平均分子量を持って１４２．５ｇ（９８．３％収率）を生成した。
ノボラックポリマー：以下の処方例では、三種のノボラックポリマーを使用した。ノボラック－１（ＳＰＮ－５６０Ｓ）は、ｍ－クレゾール及びホルムアルデヒドから合成し、２．３８％水性ＴＭＡＨ現像剤中で７００Å／秒のバルク溶解速度を有した。ノボラック－２（ＳＰＮ５６０Ｆ）は、ｍ－クレゾール及びホルムアルデヒドから合成し、２．３８％水性ＴＭＡＨ現像剤中で１，６００Å／秒のバルク溶解速度を有した。ノボラック－３は、ノボラック－１とノボラック－２の１／１ブレンドであり、２．３８％水性ＴＭＡＨ現像剤中で１，０００Å／秒のバルク溶解速度を有する。
処方例
化学品
α，α－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－４－（４－ヒドロキシ－α，α－ジメチルベンジル）エチルベンゼン（ＴＰＰＡ）は、本州化学工業社、日本国、郵便番号１０４－００３１ 東京都中央区京橋１丁目１－１八重洲大丸ビルから入手した。
Ｎ－ヒドロキシ－ナフチルイミドトリフレート（ＮＩＴ）は、Ｈｅｒａｕｅｓ Ｄａｙｃｈｅｍ社（Ｖａｎｄａｌｉａ，ＯＨ）から入手した。
３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール（または１Ｈ－１，２，３－トリアゾール－３－チオールとも称される）（ＭＴＡ）は、Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏｒｐ．（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ，ＵＳＡ）から入手した。
界面活性剤であるＡＰＳ－４３７は、信越化学工業社、日本国東京都から入手した。
ノボラック成分は、ｍ－クレゾール／ホルムアルデヒドノボラック（ＳＰＮ－５６０Ｆ及びＳＰＮ－５６０Ｓ）は、Ａｌｌｎｅｘ社、Ｂｒｕｓｓｅｌｓ、Ｂｅｌｇｉｕｍから供給された。
テトラブチルアンモニウムオキサレートは、Ｍｅｒｃｋ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社、Ｗｉｅｓｂａｄｅｎ、Ｇｅｒｍａｎｙから得た。
ＮＫ－２８０は、ジアゾナフトキノン光活性化合物（ＤＮＱ－ＰＣ）であり、東洋合成工業株式会社からこの名称で販売されているものであり、次の一般構造式を有する：
Figure 0007381566000121
 処方例１：
添加剤合成例１の４．２ｇのグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料、アクリルポリマー合成例１２の１６．５ｇのアクリルポリマー樹脂、２０．９ｇのノボラック－３、０．４２ｇの１，３－ジオキソ－１Ｈ－ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン－２（３Ｈ）－イルトリフルオロメタンスルホネート［ナフタレンジカルボキシイミジルトリフレート、ＮＩＴ］（ＮＩＴ ＰＡＧ）、０．０７５ｇの１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール、０．０５５ｇのテトラブチルアンモニウムオキサレート、及び０．０５０ｇのＡＰＳ－４３７を、５７．８ｇのＰＧＭＥＡ溶媒中に溶解して、４２．２％固形分のレジスト溶液を得た。この溶液を銅ウェハ上にコーティングし、生成した１０μｍフィルムを１１０℃で１８０秒間乾燥した。このレジストを加工してパターン化された画像を形成し、これを９０℃で６０秒間、ポスト露光ベークし、そして１２０秒間現像した。
処方例２～８：
これらの処方では、処方例１の添加剤合成例１を、添加剤合成例２、３、４、５、６、７及び８とそれぞれ置き換えた。
処方例９（比較例）：
アクリルポリマー合成例１２の１６．５ｇのアクリルポリマー樹脂、２５．１ｇのノボラック－３、０．４２ｇのＮＩＴ ＰＡＧ、０．０７５ｇの１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール、０．０５５ｇのテトラブチルアンモニウムオキサレート、及び０．０５０ｇのＡＰＳ－４３７を、５７．８ｇのＰＧＭＥＡ溶媒中に溶解して、４２．２％固形分のレジスト溶液を得た。この溶液を銅ウェハ上にコーティングし、生成した１０μｍフィルムを１１０℃で１８０秒間乾燥した。このレジストを加工してパターン化された画像を形成し、これを９０℃で６０秒間、ポスト露光ベークし、そして１２０秒間現像した。生じたレジストパターンプロフィルはアンダーカットを示さない。この例を、多官能性グリシジル化合物と４－ヒドロキシ安息香酸または３，５－ジヒドロキシ安息香酸または没食子酸との縮合物の添加剤の、銅基材上でのレジストアンダーカットプロフィルへの大きな影響を示すために、例１～８と比較するために使用する。
処方例１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０：
これらの処方では、処方例１で使用したアクリル合成ポリマー１２を、アクリル合成例１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１とそれぞれ置き換えて、レジスト溶液を得た。これらのレジストを、先に記載したものと同じ加工条件下に試験した。
Figure 0007381566000122
Figure 0007381566000123
Figure 0007381566000124
チオール添加剤の構造
Figure 0007381566000125
Figure 0007381566000126
Figure 0007381566000127
処方例２７：（ＤＮＱタイプレジストにおける比較例として）：
添加剤合成例１の４．２ｇのグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物剤材料、３０．５７５ｇのノボラックＳＰＮ５６０樹脂、７．３ｇのジアゾナフトキノンスルホン酸エステル［ＮＫ２８０とも称する）、０．０７５ｇの１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール［３－メルカプト－１，２，４－トリアゾールとも称する］、及び０．０５０ｇのＡＰＳ－４３７を、５７．８ｇのＰＧＭＥＡ溶媒中に溶解して、溶液を調製した。この溶液を試験用に濾過した。
コーティング手順
処方１～２７を、６インチ径のＳｉ及びＣｕウェハ上で試験した。Ｓｉウェハは脱水ベークし、そしてヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で蒸気下地処理した。Ｃｕウェハは、５，０００オングストロームの二酸化ケイ素、２５０オングストロームの窒化タンタル、及び３，５００オングストロームのＣｕ（ＰＶＤ電解メッキ）でコーティングしたケイ素ウェハであった。
レジストサンプルをスピンコートし、そしてコンタクトモードで標準的なウェハトラックホットプレートを用いて１１０℃で１８０秒間のソフトベークを適用することによってレジストコーティングを形成した。スピン速度は、１０ミクロン厚のレジストフィルムが得られるように調整した。全てのフィルム厚測定は、光学的測定法を用いてＳｉウェハ上で行った。
画像形成手順：
これらのウェハを、ＡＳＭＬ２５０ｉ線ステッパで露光した。レジストを、９０℃で６０秒間ポスト露光ベークし、そしてＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド＝ＴＭＡＨの０．２６Ｎ水溶液）（ＥＭＤ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ＡＺ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ）中で２３℃で１２０秒間パドル現像した。現像されたレジスト画像は、Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ４７００またはＡＭＲＡＹ ４２００Ｌ電子顕微鏡を用いて検査した。
Ｃｕ電解メッキ
Ｃｕ電解メッキは、エンソンＧＳＷ銅メッキ液（Ｅｎｔｈｏｎｅ ＧＳＷ Ｃｏｐｐｅｒ Ｐｌａｔｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を用いてカップ中で行った。電流密度は１ＡＳＤに制御し；メッキ温度は２５℃であり；メッキ時間は１２分間である。メッキ後、レジストをアセトンによって除去した。銅ワイヤ画像を、Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ４７００またはＡＭＲＡＹ４２００Ｌ電子顕微鏡を用いて検査した。
処方１は、約１．０～２．５μｍのアンダーカットを有するレジストパターンプロフィルを与える。レジスト処方２、３、４、７及び８は、処方例１と同じアンダーカットを示す。レジスト処方５及び６は、スカムを示し、現像ができない。それ故、遅い溶解速度を有する添加剤例５及び６としてのグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料は、レジスト処方に使用することができない。表２中のレジスト処方１０～２０はアンダーカットを示し、グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料添加剤が、様々なアクリルポリマー樹脂を用いてもアンダーカットプロフィルを生成し得ることを示唆している。処方は試験した表１及び２に記載のものに制限されない。表２中の添加剤合成例１の、添加剤合成例２、３、４、７及び８による置き換えも行った。添加剤合成樹脂例２、３、４、７及び８と様々なアクリルポリマー樹脂例２～１１との組み合わせも、アンダーカットプロフィルを示す。
表３中の処方も試験した。プロフィルはアンダーカットを示す。チオール添加剤は、アンダーカットプロフィルに影響を及ぼさない。
表４中の処方も試験した。商業的に入手可能なフェノール系樹脂は、限られた線量において、アンダーカットを示さないかまたは＜０．０５μｍの僅かなアンダーカットを示す。
比較例である処方例２７をＡＳＭＬステッパで試験した。添加剤合成例１を用いたＤＮＱ型フォトレジストはアンダーカットプロフィルを示した。
パターン化されたアンダーカットレジストを用いて銅メッキした後、銅ワイヤがフッティングを有することが確認された。フッティングを有する銅ワイヤはワイヤを安定化し（別の言い方をすれば、剥がれにくい）、そして基材上への接触面積がより大きいため、これは、フッティングを有するこれらの金属ラインを用いて作られたどのようなデバイスの伝導性にとっても有益である。
図１は処方例２０を用いて形成したレジスト画像を示し、これは、０．９８ミクロンのアンダーカットプロフィルを示す１２ミクロン厚のレジストフィルムにおいて１０ミクロンのラインを示す。図１では、左側のＳＥＭ画像はレジストラインを示し、他方、右側のＳＥＭ画像は、０．９８ミクロンのアンダーカットを示すラインのうちの一つの拡張を示す。図２は、レジストを剥がした後にこれらのアンダーカットプロフィルを有する基材上に銅を電解メッキすることによって生成された銅金属ラインを示す。これは、金属ラインに生成された有益なフッティングを示し、接着性の損失に対して耐性を与え、また伝導性を改善する。
更に、表５は、５０ミクロンを超えるより厚手のフィルムのための新規組成物の例を示す。
Figure 0007381566000128
コーティング：処方２８～３４は、８インチ径のＳｉ及びＣｕウェハ上で試験した。Ｓｉウェハは脱水ベークし、そしてヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で蒸気下地処理した。Ｃｕウェハは、５，０００オングストロームの二酸化ケイ素、２５０オングストロームの窒化タンタル、及び３，５００オングストロームのＣｕ（ＰＶＤ電解メッキ）でコーティングしたケイ素ウェハであった。
レジストサンプルをスピンコートし、そしてコンタクトモードで標準的なウェハトラックホットプレートを用いて１３０℃で３００秒間のソフトベークを適用することによってレジストコーティングを形成した。スピン速度は、５０ミクロン厚のレジストフィルムが得られるように調整した。フィルム厚測定は、光学的測定法を用いてＳｉウェハ上で行った。
画像形成：ウェハは、ＳＵＳＳ ＭＡ２００ＣＣマスクアライナーで露光した。レジストを、１００℃で１００秒間ポスト露光ベークし、そしてＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド＝ＴＭＡＨの０．２６Ｎ水溶液）中で２３℃で２４０秒間パドル現像した。現像されたレジスト画像は、Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ４７００またはＡＭＲＡＹ ４２００Ｌ電子顕微鏡を用いて検査した。
アンダーカットサイズは、拡大したＳＥＭ画像によって測定した。処方２８～３２は、５００～１０００ｍＪ／ｃｍ２の露光線量範囲で２．１～２．５のアンダーカットを示す。比較として、処方３３及び３４はアンダーカットを示さなかった。ＴＰＰＡ及びＢ１２６Ｘ－ＳＡは、この処方ではアンダーカットを生成するには効率的ではない。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する：
１． ポジ作動型感光性組成物であって、
ａ）少なくとも一種の光酸発生剤；
ｂ）少なくとも一種のノボラックポリマー；
ｃ）次の構造（Ｉ）を有する成分を含む少なくとも一種のアクリレートポリマー、
Figure 0007381566000129
 ［式中、Ｒ １ ～Ｒ ６ は独立して－Ｈまたは－ＣＨ ３ であり、Ａは線状もしくは分岐状Ｃ ２ ～Ｃ １０ アルキレン基であり、ＢはＣ １ ～Ｃ １２ 第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、ＣはＣ １ ～Ｃ １２ 第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、Ｄは、連結基であり、これは、直接原子価結合であるか、または線状もしくは分岐状Ｃ １ ～Ｃ １０ アルキレン基であり、Ａｒは、置換されているかまたは置換されていない芳香族基またはヘテロ芳香族基であり、Ｅは線状または分岐状Ｃ ２ ～Ｃ １０ アルキレン基であり、Ｇは酸開裂性基であり、ｔは０モル％～約４０モル％であり、ｖは０モル％～約１５モル％であり、ｗは０モル％～約４５モル％であり、ｘは０モル％～約８０モル％であり、ｙは約２０モル％～約５０モル％であり、そしてｚは約２０モル％～約５０モル％であり、更にここで、ｔ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ及びｚの合計は１００モル％に等しい］
ｄ）以下の構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含む少なくとも一種のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料、
Figure 0007381566000130
 ［式中、
Ｗは、６００以下の分子量を有する有機部分であり、ここでＷは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成し、
ｍは１～３の整数であり、そして
ｎは１～４の整数であり、但し、
ｍが１である場合は、ｎは３または４であり、
そして、ｍが２または３である場合は、ｎは１～４の整数であり、
ｎ’は０または１である］
ｅ）一般構造式（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）、またはそれらの互変異性体から選択される環構造を含む少なくとも一種のヘテロ環状チオール化合物；
Figure 0007381566000131
 ［式中、
前記環構造は、４～８個の原子を有する単環構造であるか、または５～２０個の原子を有する多環構造であり；ここで前記単環構造または前記多環構造は、芳香族、非芳香族またはヘテロ芳香族環を含み、そして
前記構造（ＩＩＩ）において、Ｘは、Ｃ（Ｒｔ １ ）（Ｒｔ ２ ）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群から選択され；
前記構造（ＩＩＩａ）において、Ｙは、Ｃ（Ｒｔ ３ ）及びＮからなる群から選択され；
前記構造（ＩＩＩｂ）において、Ｚは、Ｃ（Ｒｔ ３ ）及びＮからなる群から選択され；そして
Ｒｔ １ 、Ｒｔ ２ 、及びＲｔ ３ は、独立して、Ｈ、１～８個の炭素原子を有する置換されたアルキル基、１～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルキニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキニル基、６～２０個の炭素原子を有する置換された芳香族基、３～２０個の炭素原子を有する置換されたヘテロ芳香族基、６～２０個の炭素原子を有する置換されていない芳香族基、及び３～２０個の炭素原子を有する置換されていないヘテロ芳香族基からなる群から選択される］
ｆ）少なくとも一種の溶媒、
を含む、ポジ作動型感光性組成物。
２． 構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、部分Ｗが、脂肪族炭化水素、脂肪族アルキルエーテル、ビス（アルキル）スルホン、及びビス（アルキル）ケトンからなる群から選択される脂肪族部分であるものである、前記１．に記載のポジ作動型感光性組成物。
３． 構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、部分Ｗが、アレーン、多環式アレーン、ビス（アリール）エーテル、ビフェニル、ビス（アリール）スルホン、ビス（フェニル）アルキレン、（アルキル）（アリール）ケトン、ビス（アリール）ケトン、ビス（アリール）スルホン、及び（アルキル）（アリール）スルホンから選択される芳香族部分であるものである、前記１．に記載のポジ作動型感光性組成物。
４． ｍが１である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
５． ｍが２である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
６． ｍが３である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
７． ｎが１である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８． ｎが２である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
９． ｎが３である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
１０． ｎが４である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
１１． ｎ’が０である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
１２． ｎ’が１である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
１３． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＩＶａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは３～４であり、そしてＲｗはＯＨであるか、または部分（ＩＶｂ－１）であり、ここで
Figure 0007381566000132
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000133
 １４． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、ｎが３～４である構造（ＩＶ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含む、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000134
 １５． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＩＶａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４であり、そしてＲｗ１はＯＨであるか、または部分（ＩＶｂ－２）であり、ここで
Figure 0007381566000135
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000136
 １６． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、ｎが１～４である構造（ＩＶ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含む、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000137
 １７． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＩＶａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４であり、そしてＲｗ２はＯＨであるか、または部分（ＩＶａ）であり、但し、せいぜい一つのＲｗ２が部分（ＩＶｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000138
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000139
 １８． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、ｎが１～４である構造（ＩＶ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含む、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000140
 １９． 前記有機部分Ｗが、構造（Ｗａ）、（Ｗｂ）、（Ｗｃ）、（Ｗｄ）、（Ｗｅ）及び（Ｗｆ）の部分からなる群から選択され、ここで
Figure 0007381566000141
 は、これらの有機部分のそれぞれの内の結合点を表し、ここでこれは、構造（ＩＩ）の前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料中の酸素とエーテル結合を形成し；
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される部分であり；
Ｒａ１、Ｒｂ１及びＲｃは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ アルキレンオキシアルキルから選択され；
Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル、Ｃ ２ ～Ｃ ５ アルキレンオキシアルキル、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルオキシ、ハライド、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルスルホニル、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルカルボニル、及びＣ １ ～Ｃ ５ アルキルカルボニルオキシから選択され、そしてｎ’’は０～１２の範囲である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000142
 ２０． 前記有機部分Ｗが、構造（Ｗａ１）、（Ｗｂ１）、（Ｗｃ１）、（Ｗｄ１）、及び（Ｗｅ１）の部分からなる群から選択され、ここで
Figure 0007381566000143
 は、これらの有機部分のそれぞれの内の結合点を表し、ここでこれは、構造（ＩＩ）の前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料中の酸素とエーテル結合を形成する、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000144
 ２１． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ３はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000145
 はこの部分中での結合点を表し、但し、
ｍは２～３であり、
ｎ’は１または０であり；そして
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000146
 ２２． ｍが２である、前記２１．に記載のポジ作動型感光性組成物。
２３． ｍが３である、前記２１．に記載のポジ作動型感光性組成物。
２４． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｍは２～３であり、更にここで、
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000147
 ２５． ｍが２である、前記２４．に記載のポジ作動型感光性組成物。
２６． ｍが３である、前記２４．に記載のポジ作動型感光性組成物。
２７． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ４はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－２）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000148
 はこの部分中での結合点を表し、更にここで
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000149
 ２８． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、更にここで
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000150
 ２９． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ５はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－３）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000151
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000152
 ３０． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－３）を有する化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000153
 ３１． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－４）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ６はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－４）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000154
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000155
 ３２． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物が、構造（Ｖ－４）を有する化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000156
 ３３． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－５）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ７はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－５）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000157
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000158
 ３４． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－５）を有する化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000159
 ３５． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－６）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ８はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－６）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000160
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000161
 ３６． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－６）を有する少なくとも一種の化合物を含む、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000162
 ３７． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－７）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ９はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－７）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000163
 はこの部分中での結合点を表し、更にここで
Ｘａはアルキレン部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000164
 ３８． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－７）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＸａがアルキレン部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000165
 ３９． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－８）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分であり、そしてＲｗ１０はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－８）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000166
 は、この部分中の結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000167
 ４０． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－８）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000168
 ４１． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－９）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１１はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－９）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000169
 はこの部分中での結合点を表す、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000170
 ４２． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－９）を有する化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000171
 ４３． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１０）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１２はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１０）であり、ここで
Figure 0007381566000172
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１２が部分（Ｖｂ－１０）であり、更にここで
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000173
 ４４． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１３はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１１）あり、ここで
Figure 0007381566000174
 はこの部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１３が（Ｖｂ－１１）である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000175
 ４５． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１１）の化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000176
 ４６． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１２）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１４はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１２）あり、ここで
Figure 0007381566000177
 はこの部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１４が部分（Ｖｂ－１２）である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000178
 ４７． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１２）の化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000179
 ４８． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１３）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１５はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１３）あり、ここで
Figure 0007381566000180
 はこの部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１５が部分（Ｖｂ－１３）である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000181
 ４９． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１３）の化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000182
 ５０． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１４）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１６はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１４）であり、ここで
Figure 0007381566000183
 はこの部分中の結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１６が部分（Ｖｂ－１４）である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000184
 ５１． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１４）の化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000185
 ５２． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１５）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１７はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１５）であり、ここで
Figure 0007381566000186
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１７が部分（Ｖｂ－１５）であり、更にここで
Ｘａはアルキレン部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000187
 ５３． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１５）の化合物であり、ここでＸａはアルキレン部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000188
 ５４． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１６）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１８はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１６）であり、ここで
Figure 0007381566000189
 はこれらの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１８が部分（Ｖｂ－１６）であり、更にここで
Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分、またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000190
 ５５． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１６）の化合物であり、但し、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分、またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000191
 ５６． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１７）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１９はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１７）であり、ここで
Figure 0007381566000192
 はこれらの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１９が部分（Ｖｂ－１７）である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000193
 ５７． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖ－１７）の化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000194
 ５８． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２０はＯＨであるか、または構造（ＶＩｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000195
 はこの部分中での結合点を表し、但し、
ｍは２～３であり、
ｎ’は０または１であり；更にここで
Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000196
 ５９． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩ－１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択され、そしてｍは２または３である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000197
 ６０． ｍが３である、前記５９．に記載のポジ作動型感光性組成物。
６１． ｍが２である、前記５９．に記載のポジ作動型感光性組成物。
６２． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２１はＯＨであるか、または構造（ＶＩｂ－２）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000198
 はこの部分中での結合点を表し、更にここで
Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000199
 ６３． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000200
 ６４． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩａ－３）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２２はＯＨであるか、または部分（ＶＩｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000201
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２２が部分（ＶＩｂ－３）であり、更にここで
Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000202
 ６５． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000203
 ６６． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２３はＯＨであるか、または構造（ＶＩＩｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000204
 はこの部分中での結合点を表し、但し、
ｍは１、２または３であり、そしてｎ’は０または１であり；更にここで
Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000205
 ６７． ｍが３である、前記６６．に記載のポジ作動型感光性組成物。
６８． ｍが２である、前記６６．に記載のポジ作動型感光性組成物。
６９． ｍが１である、前記６６．に記載のポジ作動型感光性組成物。
７０． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩ－１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択され、そしてｍは１、２または３である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000206
 ７１． ｍが３である、前記７０．に記載のポジ作動型感光性組成物。
７２． ｍが２である、前記７０．に記載のポジ作動型感光性組成物。
７３． ｍが１である、前記７０．に記載のポジ作動型感光性組成物。
７４． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－２）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２４はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－２）であり、ここで
Figure 0007381566000207
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２４が部分（ＶＩＩｂ－２）であり、更にここで
Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000208
 ７５． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩ－２）を有し、但し、Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000209
 ７６． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－３）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２５はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000210
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２５が部分（ＶＩＩｂ－３）であり、更にここでＲａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000211
 ７７． 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－４）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２６はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－４）であり、ここで
Figure 0007381566000212
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２６が部分（ＶＩＩｂ－４）であり、更にここでＲａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000213
 ７８． 構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、（ＶＩＩＩ）、（ＶＩＩＩａ）、（ＶＩＩＩｂ）、（ＶＩＩＩｃ）、（ＶＩＩＩｄ）及び（ＶＩＩＩｅ）からなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
Figure 0007381566000214
 ７９． 前記少なくとも一種の光酸発生剤が、オニウム塩、ジカルボキシイミジルスルホネートエステル、オキシムスルホネートエステル、ジアゾ（スルホニルメチル）化合物、ジスルホニルメチレンヒドラジン化合物、ニトロベンジルスルホネートエステル、ビイミダゾール化合物、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β－ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミドイルスルホネート誘導体、またはハロゲン化トリアジン化合物である、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８０． 前記ノボラックポリマーが、ｏ－クレゾール、ｐ－クレゾールまたはｍ－クレゾールから選択される一種以上のクレゾール系繰り返し単位を含む、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８１． 前記ノボラックポリマーが、少なくとも８０モル％のｍ－クレゾールを含むクレゾール系ノボラックである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性材料。
８２． 前記アクリレートポリマーが、Ａがメチレン基、エチレン基、または１，２－プロピレン基であり、Ｂがメチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基であり、Ｃがメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、イソボルニル基またはテトラヒドロジシクロペンタジエニル基であり、Ｄが直接原子価結合、メチレン基またはエチレン基であり、Ｅがメチレン基、エチレン基または１，２－プロピレン基であるものである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８３． 前記アクリレートポリマーが、Ｇが、第三級エステルを形成するｚで指定される繰り返し単位中のカルボキシレートの酸素の第三級結合点に少なくとも一つの隣接水素を有する第三級アルキルから選択される高活性化エネルギー酸不安定性基であるか、またはｚで指定される繰り返し単位中のカルボキシレートの酸素と形成したアセタールまたはケタールから選択される低活性化エネルギー保護基であるものである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８４． 前記アクリレートポリマーが、Ｇが、ｔ－ブチル基、テトラヒドロピラン－２－イル基、テトラヒドロフラン－２－イル基、４－メトキシテトラヒドロピラン－４－イル基、１－エトキシエチル基、１－ブトキシエチル基、１－プロポキシエチル基、３－オキソシクロヘキシル基、２－メチル－２－アダマンチル基、２－エチル－２－アダマンチル基、８－メチル－８－トリシクロ［５．２．１．０ ２，６］デシル基、１，２，７，７－テトラメチル－２－ノルボニル基、２－アセトキシメンチル基、２－ヒドロキシメンチル基、１－メチル－１－シクロヘキシルエチル基、４－メチル－２－オキソテトラヒドロ－２Ｈ－ピラン－４－イル基、２，３－ジメチルブタン－２－イル基、２，３，３－トリメチルブタン－２－イル基、１－メチルシクロペンチル基、１－エチルシクロペンチル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基、１，２，３，３－テトラメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、２－エチル－１，３，３－トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、２，６，６－トリメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン－２－イル基、２，３－ジメチルペンタン－３－イル基、または３－エチル－２－メチルペンタン－３－イル基から選択される酸解裂性基であるものである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８５． 前記アクリレートポリマーが、ｔが０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが０モル％であり、ｘが約５モル％～約３０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ ２ がメチルであり、Ｒ ４ 及びＲ ５ がメチルであり、そしてＲ ６ がＨであるものである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８６． Ｄがメチレンであり、Ａｒがフェニルであり、Ｅが－ＣＨ ２ －ＣＨ（ＣＨ ３ ）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ ２ －部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基である、前記８５．に記載のポジ作動型感光性組成物。
８７． 前記アクリレートポリマーが、ｔが０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが約５モル％～約２０モル％であり、ｘが約５モル％～約５０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ ２ 及びＲ ３ がＨであり、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 及びＲ ６ がメチルである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
８８． Ａがエチレン基であり、Ｂがメチルであり、Ｄがメチレンであり、Ａｒがフェニルであり、Ｅが－ＣＨ ２ －ＣＨ（ＣＨ ３ ）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ ２ －部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基である、前記８７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
８９． 前記アクリレートポリマーが、ｔが約５モル％～約３０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが０モル％であり、ｘが０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ １ がメチルであり、Ｒ ２ がＨであり、そしてＲ ５ 及びＲ ６ がメチルであるものである、前記１．～８１．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
９０． Ｃがメチルであり、Ｅが－ＣＨ ２ －ＣＨ（ＣＨ ３ ）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ ２ －部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基である、前記８９．に記載のポジ作動型感光性組成物。
９１． 前記アクリレートポリマーが、ｔが５モル％～約３０モル％であり、ｖが約２モル％～約１５モル％であり、ｗが０モル％であり、ｘが約１０モル％～約３０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ４ 及びＲ ５ がメチルであり、そしてＲ ６ がＨであるものである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
９２． Ｃがイソボルニルまたはテトラヒドロジシクロペンタジエニルであり、Ｅが－ＣＨ ２ －ＣＨ（ＣＨ ３ ）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ ２ －部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基である、前記９１．に記載のポジ作動型感光性組成物。
９３． 前記アクリレートポリマーが、ｔが約０モル％であり、ｖが０モル％であり、ｗが約５モル％～約２０モル％であり、ｘが約５モル％～約３０モル％であり、ｙが約２０モル％～約４５モル％であり、そしてｚが約２０モル％～約４５モル％であり、Ｒ ３ がＨであり、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 及びＲ ６ がメチルであるものである、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
９４． Ａがエチレン基であり、Ｂがメチルであり、Ｄがメチレンであり、Ａｒがフェニルであり、Ｅが－ＣＨ ２ －ＣＨ（ＣＨ ３ ）－基であり、ここでこの基の－ＣＨ ２ －部分は、ｙで指定される繰り返し単位のカルボキシレート酸素に結合し、そしてＧがｔｅｒｔ－ブチル基または１－エチルシクロペンチル基である、前記９３．に記載のポジ作動型感光性組成物。
９５． ヘテロ環状チオールが、置換されていないトリアゾールチオール、置換されたトリアゾールチオール、置換されていないイミダゾールチオール、置換されたイミダゾールチオール、置換されたトリアジンチオール、置換されていないトリアジンチオール、置換されたメルカプトピリミジン、置換されていないメルカプトピリミジン、置換されたチアジアゾール－チオール、置換されていないチアジアゾ－ル－チオール、置換されたインダゾールチオール、置換されていないインダゾールチオール、これらの互変異性体及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
９６． 前記ヘテロ環状チオールが、１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリチオール、２－メルカプト－６－メチルピリミジン－４－オール、３－メルカプト－６－メチル－１，２，４－トリアジン－５－オール、２－メルカプトピリミジン－４，６－ジオール、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－５－チオール、１Ｈ－イミダゾール－２－チオール、１Ｈ－イミダゾール－５－チオール、１Ｈ－イミダゾール－４－チオール、２－アザビシクロ［３．２．１］オクタ－２－エン－３－チオール、２－アザビシクロ［２．２．１］ヘプタ－２－エン－３－チオール、１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－チオール、２－メルカプト－６－メチルピリミジン－４－オール、２－メルカプトピリミジン－４－オール、１－メチル－１Ｈ－イミダゾール－２－チオール、１，３，４－チアジアゾ－ル－２，５－ジチオール、１Ｈ－インダゾール－３－チオール、これらの互変異性体及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
９７． 塩基性クエンチャを更に含む、前記１．～３．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
９８． 前記塩基性クエンチャが、アミン類、またはテトラアルキルアンモニウムカルボキシレート塩から選択される、前記９７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
９９． 前記塩基性クエンチャが、アミン類である、前記９７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
１００． 前記塩基性クエンチャが、テトラアルキルアンモニウムカルボキシレート塩である、前記９７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
１０１． 前記塩基性クエンチャが、単官能性脂肪族カルボン酸のテトラアルキルアンモニウムカルボキシレート塩、または脂肪族ジカルボン酸のビス［テトラアルキルアンモニウム］塩である、前記９７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
１０２． 前記塩基性クエンチャが、単官能性脂肪族カルボン酸のカルボキシレート塩である、前記９７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
１０３． 前記塩基性クエンチャが、脂肪族ジカルボン酸のビス［テトラアルキルアンモニウム］塩である、前記９７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
１０４． 脂肪族ジカルボン酸の前記ビス［テトラアルキルアンモニウム］塩が、ビス［テトラアルキルアンモニウム］部分がビス［テトラメチルアンモニウム］、ビス［テトラエチルアンモニウム］、ビス［テトラプロピルアンモニウム］、ビス［テトラブチルアンモニウム］、及びビス［テトラペンチルアンモニウム］、ビス［ベンジルトリメチルアンモニウム］から選択され、そしてジカルボキシレートが、オキサレート、マロネート、スクシネート、アジペート及びヘプタジオネートから選択される塩から選択される、前記９７．に記載のポジ作動型感光性組成物。
１０５． 前記溶媒が、有機酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸３－メトキシブチル（ＭＢＡ）、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、３－エトキシプロパン酸エチル、３－エトキシプロパン酸メチル、３－メトキシプロパン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ジアセトンアルコール、ピバル酸メチル、ピバル酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロパノエート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、３－メチル－３－メトキシブタノール、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、アニソール、ジメチルスルホキシド、ガンマ－ブチロラクトン、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、テトラメチレンスルホン、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルまたはジエチレングリコールジメチルエーテル、及びガンマブチロラクトンからなる群、あるいはこの群からの溶媒の混合物から選択される有機溶媒である、前記１．～１０４．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
１０６． ポジ型レリーフ画像を形成する方法であって、
ａ）前記１．～１０５．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ）前記潜像を現像剤中で現像するステップ；
を含む前記方法。
１０７． ポジ型レリーフ画像を形成する方法であって、
ａ’）前記１．～１０５．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ’）像様露光された前記感光性層を熱処理して、ベークされた潜像を形成するステップ；
ｄ’）前記ベークされた潜像を現像剤中で現像するステップ；
を含む前記方法。
１０８． 基材上に金属パターンを形成する方法であって、
ａ’’）前記１．～１０５．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ’’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ’’）前記潜像を現像剤中で現像して、基材上にレジストパターンを形成するステップ；
ｄ’’）前記レジストパターンをバリアとして使用して、基材上で選択的に電解メッキするステップ；
ｅ’’）前記レジストパターンを剥がして、選択的に電解メッキされた金属を後に残し、それによって基材上に金属パターンを形成するステップ；
を含む前記方法。
１０９． 基材上に金属パターンを形成する方法であって、
ａ’’’）前記１．～１０５．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
ｂ’’’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
ｃ’’’）像様露光された前記感光性層を熱処理して、ベークされた潜像を形成するステップ；
ｄ’’’）前記ベークされた潜像を現像剤中で現像して、基材上にレジストパターンを形成するステップ；
ｅ’’’）前記レジストパターンをバリアとして使用して、基材上で選択的に電解メッキするステップ；
ｆ’’’）前記レジストパターンを剥がして、選択的に電解メッキされた金属を後に残し、それによって基材上に金属パターンを形成するステップ；
を含む前記方法。
１１０． 以下の構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含むグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000215
 ［式中、
Ｗは、６００以下の分子量を有する有機部分であり、ここでＷは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成し、
ｍは１～３の整数であり、そして
ｎは１～４の整数であり、但し、
ｍが１である場合は、ｎは３または４であり、
そして、ｍが２または３である場合は、ｎは１～４の整数であり、
ｎ’は０または１である］
１１１． 前記部分Ｗが、脂肪族炭化水素、脂肪族アルキルエーテル、ビス（アルキル）スルホン、及びビス（アルキル）ケトンからなる群から選択される脂肪族部分である、前記１１０．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１２． 構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、部分Ｗが、アレーン、多環式アレーン、ビス（アリール）エーテル、ビフェニル類、ビス（アリール）スルホン類、ビス（フェニル）アルキレン、（アルキル）（アリール）ケトン、ビス（アリール）ケトン類、ビス（アリール）スルホン類、及び（アルキル）（アリール）スルホン類から選択される芳香族部分であるものである、前記１１０．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１３． ｍが１である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１４． ｍが２である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１５． ｍが３である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１６． ｎが１である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１７． ｎが２である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１８． ｎが３である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１１９． ｎが４である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１２０． ｎ’が０である、前記１１０．～１１８．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１２１． ｎ’が１である、前記１１０．～１１８．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１２２． 構造（ＩＶａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは３～４であり、そしてＲｗはＯＨであるか、または部分（ＩＶｂ－１）であり、ここで
Figure 0007381566000216
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１８．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000217
 １２３． 構造（ＩＶ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは３～４である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000218
 １２４． 構造（ＩＶａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４であり、そしてＲｗ１はＯＨであるか、または部分（ＩＶｂ－２）であり、ここで
Figure 0007381566000219
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000220
 １２５． 構造（ＩＶ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000221
 １２６． 構造（ＩＶａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４であり、そしてＲｗ２はＯＨであるか、または部分（ＩＶａ）であり、但し、せいぜい一つのＲｗ２が部分（ＩＶｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000222
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000223
 １２７． 構造（ＩＶ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000224
 １２８． 前記有機部分Ｗが、構造（Ｗａ）、（Ｗｂ）、（Ｗｃ）、（Ｗｄ）、（Ｗｅ）及び（Ｗｆ）の部分からなる群から選択され、ここで
Figure 0007381566000225
 は、これらの有機部分のそれぞれの内の結合点を表し、ここでこれは、構造（ＩＩ）の前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料中の酸素とエーテル結合を形成し；
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される部分であり；Ｒａ１、Ｒｂ１及びＲｃは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ アルキレンオキシアルキルから選択され；
Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル、Ｃ ２ ～Ｃ ５ アルキレンオキシアルキル、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルオキシ、ハライド、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルスルホニル、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルカルボニル、及びＣ １ ～Ｃ ５ アルキルカルボニルオキシから選択され、そしてｎ’’は０～１２の範囲である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000226
 １２９． 前記有機部分Ｗが、構造（Ｗａ１）、（Ｗｂ１）、（Ｗｃ１）、（Ｗｄ１）、及び（Ｗｅ１）の部分からなる群から選択され、ここで
Figure 0007381566000227
 は、これらの有機部分のそれぞれの内の結合点を表し、ここでこれは、構造（ＩＩ）の前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料中の酸素とエーテル結合を形成する、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000228
 １３０． 構造（Ｖａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ３はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000229
 はこの部分中での結合点を表し、但し、
ｍは２～３であり、
ｎ’は１または０であり；そして
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000230
 １３１． ｍが２である、前記１３０．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１３２． ｍが３である、前記１３０．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１３３． 構造（Ｖ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｍは２～３であり、更にここで
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000231
 １３４． ｍが２である、前記１３３．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１３５． ｍが３である、前記１３３．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１３６． 構造（Ｖａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ４はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－２）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000232
 はこの部分中での結合点を表し、更にここで
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000233
 １３７． 構造（Ｖ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、更にここで
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000234
 １３８． 構造（Ｖａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ５はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－３）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000235
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000236
 １３９． 構造（Ｖ－３）を有する化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000237
 １４０． 構造（Ｖａ－４）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ６はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－４）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000238
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000239
 １４１． 構造（Ｖ－４）を有する化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000240
 １４２． 構造（Ｖａ－５）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ７はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－５）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000241
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000242
 １４３． 構造（Ｖ－５）を有する化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000243
 １４４． 構造（Ｖａ－６）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ８はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－６）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000244
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000245
 １４５． 構造（Ｖ－６）を有する少なくとも一種の化合物を含む、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000246
 １４６． 構造（Ｖａ－７）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ９はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－７）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000247
 はこの部分中での結合点を表し、更にここで
Ｘａはアルキレン部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000248
 １４７． 構造（Ｖ－７）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＸａはアルキレン部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000249
 １４８． 構造（Ｖａ－８）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分であり、そしてＲｗ１０はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－８）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000250
 はこの部分中の結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000251
 １４９． 構造（Ｖ－８）を有する少なくとも一種の化合物を含み、但し、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000252
 １５０． 構造（Ｖａ－９）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１１はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－９）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000253
 はこの部分中での結合点を表す、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000254
 １５１． 構造（Ｖ－９）を有する化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000255
 １５２． 構造（Ｖａ－１０）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１２はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１０）であり、ここで
Figure 0007381566000256
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１２が部分（Ｖｂ－１０）であり、更にここで
Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ ２ －、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000257
 １５３． 構造（Ｖａ－１１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１３はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１１）であり、ここで
Figure 0007381566000258
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１３が（Ｖｂ－１１）である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000259
 １５４． 構造（Ｖ－１１）の化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000260
 １５５． 構造（Ｖａ－１２）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１４はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１２）であり、ここで
Figure 0007381566000261
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１４が部分（Ｖｂ－１２）である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000262
 １５６． 構造（Ｖ－１２）の化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000263
 １５７． 構造（Ｖａ－１３）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１５はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１３）であり、ここで
Figure 0007381566000264
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１５が部分（Ｖｂ－１３）である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000265
 １５８． 構造（Ｖ－１３）の化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000266
 １５９． 構造（Ｖａ－１４）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１６はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１４）であり、ここで
Figure 0007381566000267
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１６が部分（Ｖｂ－１４）である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000268
 １６０． 構造（Ｖ－１４）の化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000269
 １６１． 構造（Ｖａ－１５）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１７はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１５）であり、ここで
Figure 0007381566000270
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１７が部分（Ｖｂ－１５）であり、更にここで
Ｘａはアルキレン部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000271
 １６２． 構造（Ｖ－１５）の化合物であり、ここでＸａはアルキレン部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000272
 １６３． 構造（Ｖａ－１６）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１８はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１６）であり、ここで
Figure 0007381566000273
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１８が部分（Ｖｂ－１６）であり、更にここで
Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分、またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000274
 １６４． 構造（Ｖ－１６）の化合物であり、但し、Ｒａ及びＲｂは、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキル部分またはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000275
 １６５． 構造（Ｖａ－１７）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ１９はＯＨであるか、または部分（Ｖｂ－１７）であり、ここで
Figure 0007381566000276
 はこれらの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ１９が部分（Ｖｂ－１７）である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000277
 １６６． 構造（Ｖ－１７）の化合物である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000278
 １６７． 構造（ＶＩａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２０はＯＨであるか、または構造（ＶＩｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000279
 はこの部分中での結合点を表し、但し、
ｍは２～３であり、
ｎ’は０または１であり；更にここで
Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000280
 １６８． 構造（ＶＩ－１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択され、そしてｍは２または３である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000281
 １６９． ｍが３である、前記１６８．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１７０． ｍが２である、前記１６８．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１７１． 構造（ＶＩａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２１はＯＨであるか、または構造（ＶＩｂ－２）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000282
 はこの部分中での結合点を表し、更にここで
Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000283
 １７２． 構造（ＶＩ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000284
 １７３． 構造（ＶＩａ－３）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２２はＯＨであるか、または部分（ＶＩｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000285
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２２が部分（ＶＩｂ－３）であり、更にここで
Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000286
 １７４． 構造（ＶＩ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000287
 １７５． 構造（ＶＩＩａ－１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２３はＯＨであるか、または構造（ＶＩＩｂ－１）の部分であり、ここで
Figure 0007381566000288
 はこの部分中での結合点を表し、但し、
ｍは１、２または３であり、そしてｎ’は０または１であり；更にここで
Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000289
 １７６． ｍが３である、前記１７５．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１７７． ｍが２である、前記１７５．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１７８． ｍが１である、前記１７５．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１７９． 構造（ＶＩＩ－１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここで、Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択され、そしてｍは１、２または３である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000290
 １８０． ｍが３である、前記１７９．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１８１． ｍが２である、前記１７９．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１８２． ｍが１である、前記１７９．に記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
１８３． 構造（ＶＩＩａ－２）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２４はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－２）であり、ここで
Figure 0007381566000291
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２４が部分（ＶＩＩｂ－２）であり、更にここで
Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000292
 １８４． 構造（ＶＩＩ－２）を有し、但し、Ｒａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000293
 １８５． 構造（ＶＩＩａ－３）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２５はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－３）であり、ここで
Figure 0007381566000294
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２５が部分（ＶＩＩｂ－３）であり、更にここでＲａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000295
 １８６． 構造（ＶＩＩａ－４）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２６はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－４）であり、ここで
Figure 0007381566000296
 はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２６が部分（ＶＩＩｂ－４）であり、更にここでＲａ２は、Ｃ １ ～Ｃ ５ アルキルまたはＣ ２ ～Ｃ ５ －アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000297
 １８７． 構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、（ＶＩＩＩ）、（ＶＩＩＩａ）、（ＶＩＩＩｂ）、（ＶＩＩＩｃ）、（ＶＩＩＩｄ）及び（ＶＩＩＩｅ）からなる群から選択される、前記１１０．～１１２．のいずれか一つに記載のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料。
Figure 0007381566000298
 １８８． 前記１１０．～１８７．のいずれか一つに記載の構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含むグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料の、基材上にポジレリーフ画像を形成するための方法での使用。
１８９． 前記１．～１０５．のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物の、基材上にポジレリーフ画像を形成するための方法での使用。

Claims (17)

  1. ポジ作動型感光性組成物であって、
    ａ）少なくとも一種の光酸発生剤；
    ｂ）少なくとも一種のノボラックポリマー；
    ｃ）次の構造（Ｉ）を有する成分を含む少なくとも一種のアクリレートポリマー、
    Figure 0007381566000299
     ［式中、Ｒ１～Ｒ６は独立して－Ｈまたは－ＣＨ３であり、Ａは線状もしくは分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、ＢはＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、ＣはＣ１～Ｃ１２第一級もしくは第二級非置換線状、分岐状、環状もしくは脂肪環式アルキル基であり、Ｄは、連結基であり、これは、直接原子価結合であるか、または線状もしくは分岐状Ｃ１～Ｃ１０アルキレン基であり、Ａｒは、置換されているかまたは置換されていない芳香族基またはヘテロ芳香族基であり、Ｅは線状または分岐状Ｃ２～Ｃ１０アルキレン基であり、Ｇは酸開裂性基であり、ｔは０モル％～４０モル％であり、ｖは０モル％～１５モル％であり、ｗは０モル％～４５モル％であり、ｘは０モル％～８０モル％であり、ｙは２０モル％～５０モル％であり、そしてｚは２０モル％～５０モル％であり、更にここで、ｔ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ及びｚの合計は１００モル％に等しい］
    ｄ）以下の構造（ＩＩ）を有する一種以上の化合物を含む少なくとも一種のグリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料、
    Figure 0007381566000300
     ［式中、
    Ｗは、６００以下の分子量を有する有機部分であり、ここでＷは、それが結合する酸素とエーテル結合を形成し、
    ｍは１～３の整数であり、そして
    ｎは１～４の整数であり、但し、
    ｍが１である場合は、ｎは３または４であり、
    そして、ｍが２または３である場合は、ｎは１～４の整数であり、
    ｎ’は０または１である］
    ｅ）一般構造式（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）、またはそれらの互変異性体から選択される環構造を含む少なくとも一種のヘテロ環状チオール化合物；
    Figure 0007381566000301
     ［式中、
    前記環構造は、４～８個の原子を有する単環構造であるか、または５～２０個の原子を有する多環構造であり；ここで前記単環構造または前記多環構造は、芳香族、非芳香族またはヘテロ芳香族環を含み、そして
    前記構造（ＩＩＩ）において、Ｘは、Ｃ（Ｒｔ１）（Ｒｔ２）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群から選択され；
    前記構造（ＩＩＩａ）において、Ｙは、Ｃ（Ｒｔ３）及びＮからなる群から選択され；
    前記構造（ＩＩＩｂ）において、Ｚは、Ｃ（Ｒｔ３）及びＮからなる群から選択され；そして
    Ｒｔ１、Ｒｔ２、及びＲｔ３は、独立して、Ｈ、１～８個の炭素原子を有する置換されたアルキル基、１～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルケニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されたアルキニル基、２～８個の炭素原子を有する置換されていないアルキニル基、６～２０個の炭素原子を有する置換された芳香族基、３～２０個の炭素原子を有する置換されたヘテロ芳香族基、６～２０個の炭素原子を有する置換されていない芳香族基、及び３～２０個の炭素原子を有する置換されていないヘテロ芳香族基からなる群から選択される］
    ｆ）少なくとも一種の溶媒、
    を含む、ポジ作動型感光性組成物。
  2. 構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、部分Ｗが、脂肪族炭化水素、脂肪族アルキルエーテル、ビス（アルキル）スルホン、及びビス（アルキル）ケトンからなる群から選択される脂肪族部分であるものである、請求項１に記載のポジ作動型感光性組成物。
  3. 構造（ＩＩ）を有する前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、部分Ｗが、アレーン、多環式アレーン、ビス（アリール）エーテル、ビフェニル類、ビス（アリール）スルホン、ビス（フェニル）アルキレン、（アルキル）（アリール）ケトン、ビス（アリール）ケトン、ビス（アリール）スルホン、及び（アルキル）（アリール）スルホンから選択される芳香族部分であるものである、請求項１に記載のポジ作動型感光性組成物。
  4. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＩＶａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは３～４であり、そしてＲｗはＯＨであるか、または部分（ＩＶｂ－１）であり、ここで
    Figure 0007381566000302
     はこの部分中での結合点を表す、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000303
  5. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＩＶａ－２）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４であり、そしてＲｗ１はＯＨであるか、または部分（ＩＶｂ－２）であり、ここで
    Figure 0007381566000304
     はこの部分中での結合点を表す、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000305
  6. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＩＶａ－３）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでｎは１～４であり、そしてＲｗ２はＯＨであるか、または部分（ＩＶａ）であり、但し、せいぜい一つのＲｗ２が部分（ＩＶｂ－３）であり、ここで
    Figure 0007381566000306
     はこの部分中での結合点を表す、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000307
  7. 前記有機部分Ｗが、構造（Ｗａ）、（Ｗｂ）、（Ｗｃ）、（Ｗｄ）、（Ｗｅ）及び（Ｗｆ）の部分からなる群から選択され、ここで
    Figure 0007381566000308
     は、これらの有機部分のそれぞれの内の結合点を表し、ここでこれは、構造（ＩＩ）の前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料中の酸素とエーテル結合を形成し；
    Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される部分であり；
    Ｒａ１、Ｒｂ１及びＲｃは、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５アルキレンオキシアルキルから選択され；
    Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキル、Ｃ２～Ｃ５アルキレンオキシアルキル、Ｃ１～Ｃ５アルキルオキシ、ハライド、Ｃ１～Ｃ５アルキルスルホニル、Ｃ１～Ｃ５アルキルカルボニル、及びＣ１～Ｃ５アルキルカルボニルオキシから選択され、そしてｎ’’は０～１２の範囲である、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000309
  8. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（Ｖａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ３はＯＨであるか、または構造（Ｖｂ－１）の部分であり、ここで
    Figure 0007381566000310
     はこの部分中での結合点を表し、但し、
    ｍは２～３であり、
    ｎ’は１または０であり；そして
    Ｘａは、直接原子価結合、アルキレン、－ＳＯ２－、－Ｃ（＝Ｏ）－及び－Ｏ－からなる群から選択される、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000311
  9. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩａ－１）を有する少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２０はＯＨであるか、または構造（ＶＩｂ－１）の部分であり、ここで
    Figure 0007381566000312
     はこの部分中での結合点を表し、但し、
    ｍは２～３であり、
    ｎ’は０または１であり；更にここで
    Ｒａ１及びＲｂ１は、独立して、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000313
  10. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－１）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２３はＯＨであるか、または構造（ＶＩＩｂ－１）の部分であり、ここで
    Figure 0007381566000314
     はこの部分中での結合点を表し、但し、
    ｍは１、２または３であり、そしてｎ’は０または１であり；更にここで
    Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分から選択される、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000315
  11. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－２）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２４はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－２）であり、ここで
    Figure 0007381566000316
     はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２４が部分（ＶＩＩｂ－２）であり、更にここで
    Ｒａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000317
  12. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－３）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２５はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－３）であり、ここで
    Figure 0007381566000318
     はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２５が部分（ＶＩＩｂ－３）であり、更にここでＲａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000319
  13. 前記グリシジルヒドロキシ安息香酸縮合物材料が、構造（ＶＩＩａ－４）の少なくとも一種の化合物を含み、ここでＲｗ２６はＯＨであるか、または部分（ＶＩＩｂ－４）であり、ここで
    Figure 0007381566000320
     はこの部分中での結合点を表し、但し、せいぜい一つのＲｗ２６が部分（ＶＩＩｂ－４）であり、更にここでＲａ２は、Ｃ１～Ｃ５アルキルまたはＣ２～Ｃ５－アルキレン－Ｏ－アルキル部分である、請求項１～３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物。
    Figure 0007381566000321
  14. ポジ型レリーフ画像を形成する方法であって、
    ａ）請求項１～１３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
    ｂ）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
    ｃ）前記潜像を現像剤中で現像するステップ；
    を含む前記方法。
  15. ポジ型レリーフ画像を形成する方法であって、
    ａ’）請求項１～１３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
    ｂ’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
    ｃ’）像様露光された前記感光性層を熱処理して、ベークされた潜像を形成するステップ；
    ｄ’）前記ベークされた潜像を現像剤中で現像するステップ；
    を含む前記方法。
  16. 基材上に金属パターンを形成する方法であって、
    ａ’’）請求項１～１３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
    ｂ’’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
    ｃ’’）前記潜像を現像剤中で現像して、基材上にレジストパターンを形成するステップ；
    ｄ’’）前記レジストパターンをバリアとして使用して、基材上で選択的に電解メッキするステップ；
    ｅ’’）前記レジストパターンを剥がして、選択的に電解メッキされた金属を後に残し、それによって基材上に金属パターンを形成するステップ；
    を含む前記方法。
  17. 基材上に金属パターンを形成する方法であって、
    ａ’’’）請求項１～１３のいずれか一つに記載のポジ作動型感光性組成物を基材上に施与してフィルムを形成し、次いでこのフィルムをベークすることによって、感光性層を形成するステップ；
    ｂ’’’）前記感光性層を化学線に像様露光して潜像を形成するステップ；
    ｃ’’’）像様露光された前記感光性層を熱処理して、ベークされた潜像を形成するステップ；
    ｄ’’’）前記ベークされた潜像を現像剤中で現像して、基材上にレジストパターンを形成するステップ；
    ｅ’’’）前記レジストパターンをバリアとして使用して、基材上で選択的に電解メッキするステップ；
    ｆ’’’）前記レジストパターンを剥がして、選択的に電解メッキされた金属を後に残し、それによって基材上に金属パターンを形成するステップ；
    を含む前記方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI760123B (zh) * 2021-02-26 2022-04-01 新應材股份有限公司 用於低溫製程的正型感光性樹脂組成物以及光阻膜的製造方法
WO2023088869A2 (en) 2021-11-17 2023-05-25 Merck Patent Gmbh Compositions and methods for improving metal structure fabrication by wet chemical etch

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5817722A (en) 1995-10-10 1998-10-06 Exxon Chemical Patents Inc. Low viscosity, high solids polyesterdiols and compositions containing same
JP2012159830A (ja) 2011-01-12 2012-08-23 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
WO2017182441A1 (en) 2016-04-19 2017-10-26 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Positive working photosensitive material
CN108241256A (zh) 2016-12-27 2018-07-03 奇美实业股份有限公司 化学增幅型正型感光性树脂组成物、附有铸模的基板的制造方法以及电镀成形体的制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7103379A (ja) * 1971-03-13 1972-09-15
US4073773A (en) * 1976-12-30 1978-02-14 General Electric Company Melt polymerization method for making polyetherimides
DE3405436A1 (de) * 1984-02-15 1985-08-29 Wacker-Chemie GmbH, 8000 München Verfahren zur herstellung von polymerisaten ethylenisch ungesaettigter verbindungen
US4999274A (en) * 1987-02-02 1991-03-12 Nippon Paint Co., Ltd. Positive type photosensitive resinous composition with 1,2 quinone diazide sulfonyl unit
CA2114461A1 (en) * 1993-01-29 1994-07-30 Chikayuki Otsuka Positive-type photosensitive resin compositions
US6042988A (en) 1996-12-26 2000-03-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-amplification-type negative resist composition
JP4991074B2 (ja) 2000-02-27 2012-08-01 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 光反応性酸発生剤およびそれを含有してなるフォトレジスト
US6908722B2 (en) 2001-06-29 2005-06-21 Jsr Corporation Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition
JP4214380B2 (ja) * 2003-01-09 2009-01-28 日産化学工業株式会社 エポキシ化合物誘導体を含む反射防止膜形成組成物
JP4438931B2 (ja) * 2003-08-18 2010-03-24 日産化学工業株式会社 フォトレジストパターンの形成方法
CN102981368B (zh) * 2004-05-14 2015-03-04 日产化学工业株式会社 含有乙烯基醚化合物的形成防反射膜的组合物
DE102005052885A1 (de) * 2005-11-07 2007-05-10 Az Electronic Materials (Germany) Gmbh Lichtempfindliche Komponente zur Verwendung in Photoresists
KR100886314B1 (ko) * 2007-06-25 2009-03-04 금호석유화학 주식회사 유기반사방지막용 공중합체 및 이를 포함하는유기반사방지막 조성물
US9012126B2 (en) * 2012-06-15 2015-04-21 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Positive photosensitive material
US8841062B2 (en) * 2012-12-04 2014-09-23 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Positive working photosensitive material
JP6923334B2 (ja) * 2016-04-14 2021-08-18 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物及び硬化レリーフパターンの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5817722A (en) 1995-10-10 1998-10-06 Exxon Chemical Patents Inc. Low viscosity, high solids polyesterdiols and compositions containing same
JP2012159830A (ja) 2011-01-12 2012-08-23 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
WO2017182441A1 (en) 2016-04-19 2017-10-26 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Positive working photosensitive material
CN108241256A (zh) 2016-12-27 2018-07-03 奇美实业股份有限公司 化学增幅型正型感光性树脂组成物、附有铸模的基板的制造方法以及电镀成形体的制造方法

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