JP7379667B2 - 単結晶シリコンから半導体ウェハを製造する方法 - Google Patents
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Description
特にパワーエレクトロニクスの分野における特定の用途は、比較的狭い限界内で比較的低い濃度で格子間酸素(以下、単に酸素と呼ぶ)を含有する比較的大きな直径の半導体ウェハを必要とする。本明細書において、酸素濃度は、新ASTMで測定される値が5×1017原子/cm3以下であれば比較的低いと理解される。
坩堝に収容された溶融物からシリコン単結晶の円筒部を引き上げることと、
前記溶融物を水平磁界にさらすことと、
前記単結晶の前記円筒部の引き上げ中に前記坩堝をある回転速度である回転方向に回転させることと、
前記単結晶の前記円筒部から前記単結晶シリコンの半導体ウェハを取り出すこととを含み、
経時的に平均された回転速度の量は1rpm未満であり、前記回転方向は連続的に変化し、前記回転方向における前記変化前後の前記回転速度の振幅は0.5rpm以上3.0rpm以下である、方法である。
図1に示すように、1周期中の坩堝は、ある回転方向において振幅A1まで加速されて再び制動され、その後、回転方向の変化のタイミング1まで、逆回転方向に振幅A2まで加速されて再び制動される。振幅A1と振幅とA2は量が異なるため、回転方向の一方に、ある平均回転速度が生じる。
直径300mmの2群のシリコン単結晶をCZ法により引き上げ、単結晶のそれぞれの円筒部から半導体ウェハを取り出した。単結晶の第1の群は、本発明に従って、すなわち、特に、単結晶の円筒部の引上げ中に40秒の周期持続時間および1.1rpm以下の振幅で坩堝の回転方向を変えることによって、引上げられた。これに対し、他方の単結晶群は、坩堝の回転方向を変えずに、それ以外は同じ条件で引き上げた。両方の群について、坩堝の平均回転速度は0.6rpmであった。
1 回転方向の変化のタイミング
Claims (3)
- 単結晶シリコンの半導体ウェハの製造方法であって、
坩堝に収容された溶融物からシリコン単結晶の円筒部を引き上げることを含み、前記円筒部の酸素濃度は5×1017原子/cm3以下であり、前記方法はさらに、
前記溶融物を水平磁界にさらすことと、
前記単結晶の前記円筒部の引き上げ中に前記坩堝をある回転速度である回転方向に回転させることと、
前記単結晶の前記円筒部から前記単結晶シリコンの半導体ウェハを取り出すこととを含み、
経時的に平均された回転速度の量は1rpm未満であり、前記回転方向は変化を繰り返し、前記回転方向における前記変化前後の前記回転速度の振幅は0.5rpm以上3.0rpm以下である、方法。 - 前記回転方向は、10~100秒の周期で周期的に変更されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 経時的に平均された前記回転速度の量は0.7rpm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
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