JP7376890B2 - 鏡像体過剰率の測定方法 - Google Patents
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Description
本発明は、鏡像体過剰率の測定方法に関する。
キラル分子の鏡像異性体のＲ体とＳ体は、互いに同一の化学式を有するにもかかわらず、生理活性が互いに異なることが知られている。例えば、ブピバカインのＳ体は鎮痛剤の有効成分であるが、Ｒ体には心毒性があることが知られている。そのため、特に創薬及び有機合成の分野では、光学異性体の不斉反応による合成が重要である。不斉反応の分野においては、鏡像異性体におけるＲ体とＳ体の存在比（鏡像体過剰率：ｅｅ）の測定が行われている。
鏡像体過剰率を測定する方法として、キラルカラムを用いる光学分割法が知られている。また、特許文献１、２にはキラルな物質の光学純度を決定する方法が記載されている。特許文献１、２に記載の方法は、ＮＭＲ用キラルシフト剤とキラルな物質とを含む混合溶液を錯体化するステップと、錯体化された混合溶液の核磁気共鳴スペクトルを測定するステップと、核磁気共鳴スペクトルにおけるピーク分裂の幅を測定するステップと、ピーク分裂の幅に基づいて前記キラルな物質の光学純度を決定するステップとを包含する。
一般に市販又は合成されているキラル化合物は、少量の光学不純物を含む。ところが、キラルカラムを用いる光学分割法は、微量な不純物により測定誤差が出やすい。そのため、事前に測定対象となる光学異性体を精密に単離する操作が不可欠であるという問題がある。
キラルカラムを用いる光学分割法にあっては、測定対象となる化合物に適したキラルカラムを選定する必要があり、測定系の構築の点で簡便な方法ではない。
特許文献１、２に記載の方法にあっては、ＮＭＲ用キラルシフト剤とキラルな物質とを含む混合溶液を錯体化するステップを必須とする。そのため、測定サンプルの一部を事前に錯体化するための労力を要し、簡便な測定ではない。
加えて、鏡像体過剰率の測定には、短時間で多くのサンプルの鏡像体過剰率を測定すること、すなわち、測定のハイスループット化が求められている。
本発明は、簡便な方法で鏡像体過剰率を正確に測定でき、測定のハイスループット化が可能となる鏡像体過剰率の測定方法を提供することを課題とする。
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加えて、鏡像体過剰率の測定には、短時間で多くのサンプルの鏡像体過剰率を測定すること、すなわち、測定のハイスループット化が求められている。
本発明は、簡便な方法で鏡像体過剰率を正確に測定でき、測定のハイスループット化が可能となる鏡像体過剰率の測定方法を提供することを課題とする。
本発明は以下の構成を備える。
［１］ 下記反応基質が化学反応した後の光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、前記同位体濃縮度の測定値に基づいて、前記光学異性体の鏡像体過剰率を算出する、鏡像体過剰率の測定方法。
反応基質：キラリティを有する化合物のＲ体と、前記化合物のＳ体とを含む混合物であり、かつ、前記Ｒ体及び前記Ｓ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることにより、前記Ｒ体の分子量及び前記Ｓ体の分子量が互いに異なる。
［２］ 前記光学異性体が、前記反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている、［１］の鏡像体過剰率の測定方法。
［３］ 前記光学異性体が、前記反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている、［１］の鏡像体過剰率の測定方法。
［４］ 前記Ｒ体が下式（１）で表される光学異性体であり、前記Ｓ体が下式（２）で表される光学異性体である、［１］～［３］のいずれかの鏡像体過剰率の測定方法。
式（１）及び式（２）中、＊Ｏは酸素同位体である１８Ｏ又は１７Ｏで標識されうる酸素原子であり；Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、ケトン基、アルコキシ基、アルキル基又は重水素原子であり；Ｒ２は、アルキル基であり；前記アルキル基及び前記アルコキシ基は、置換基及び官能基のいずれか一方又は両方を有してもよい。
［５］ 前記反応基質が化学反応した後の生成物が、下式（３）で表される光学異性体と下式（４）で表される光学異性体とを含む、［４］の鏡像体過剰率の測定方法。
式（３）及び式（４）中、＊Ｏの少なくとも一方が、酸素同位体である１８Ｏ又は１７Ｏで標識されており；Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、ケトン基、アルコキシ基、アルキル基又は重水素原子であり；Ｒ２及びＲ３は、アルキル基であり；前記アルキル基及び前記アルコキシ基は、置換基及び官能基のいずれか一方又は両方を有してもよい。
［１］ 下記反応基質が化学反応した後の光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、前記同位体濃縮度の測定値に基づいて、前記光学異性体の鏡像体過剰率を算出する、鏡像体過剰率の測定方法。
反応基質：キラリティを有する化合物のＲ体と、前記化合物のＳ体とを含む混合物であり、かつ、前記Ｒ体及び前記Ｓ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることにより、前記Ｒ体の分子量及び前記Ｓ体の分子量が互いに異なる。
［２］ 前記光学異性体が、前記反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている、［１］の鏡像体過剰率の測定方法。
［３］ 前記光学異性体が、前記反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている、［１］の鏡像体過剰率の測定方法。
［４］ 前記Ｒ体が下式（１）で表される光学異性体であり、前記Ｓ体が下式（２）で表される光学異性体である、［１］～［３］のいずれかの鏡像体過剰率の測定方法。
［５］ 前記反応基質が化学反応した後の生成物が、下式（３）で表される光学異性体と下式（４）で表される光学異性体とを含む、［４］の鏡像体過剰率の測定方法。
本発明によれば、簡便な方法で鏡像体過剰率を正確に測定でき、測定のハイスループット化が可能となる鏡像体過剰率の測定方法が提供される。
本発明においては、下記反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている光学異性体；又は下記反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、前記同位体濃縮度の測定値に基づいて、前記光学異性体の鏡像体過剰率を算出する。
反応基質：キラリティを有する化合物のＲ体と、前記化合物のＳ体とを含む混合物であり、かつ、前記Ｒ体及び前記Ｓ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることにより、前記Ｒ体の分子量及び前記Ｓ体の分子量が互いに異なる。
反応基質：キラリティを有する化合物のＲ体と、前記化合物のＳ体とを含む混合物であり、かつ、前記Ｒ体及び前記Ｓ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることにより、前記Ｒ体の分子量及び前記Ｓ体の分子量が互いに異なる。
本発明においては、化学反応は特に限定されない。化学反応としては、不斉反応が好ましい。不斉反応としては、例えば、速度論的光学分割反応（Ｋｉｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）が挙げられる。速度論的光学分割反応の具体例としては、例えば、下式（５）で表される速度論的光学分割アシル化反応；下式（６）で表される速度論的光学分割脱アシル化反応が挙げられる。
式（５）及び式（６）中、Ｒはアルキル基である。前記アルキル基における水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基等の置換基と置換されていてもよく、すべての水素原子が置換されていなくてもよい。
式（５）で示す化学反応においては、反応基質は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８ＯをＲ体として含み、（Ｓ）－１－フェニルエタノールをＳ体として含む混合物である。
式（５）で示す化学反応においては、不斉触媒の存在下でＲ体のアシル化がＳ体のアシル化より選択的に進行し、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのアシル保護体が選択的に生成する。
その結果、式（５）で示す化学反応においては、反応基質が化学反応した後の生成物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのアシル保護体と、（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体とを含む混合物となる。
一方、反応基質が化学反応した後の未反応物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏと、（Ｓ）－１－フェニルエタノールとを含む混合物となる。
その結果、式（５）で示す化学反応においては、反応基質が化学反応した後の生成物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのアシル保護体と、（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体とを含む混合物となる。
一方、反応基質が化学反応した後の未反応物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏと、（Ｓ）－１－フェニルエタノールとを含む混合物となる。
式（６）で示す化学反応においては、反応基質は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのアシル保護体をＲ体として含み、（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体をＳ体として含む混合物である。
式（６）で示す化学反応においては、不斉触媒の存在下でＲ体の脱アシル化がＳ体の脱アシル化より選択的に進行し、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏが選択的に生成する。
その結果、式（６）で示す化学反応においては、反応基質が化学反応した後の生成物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏと、（Ｓ）－１－フェニルエタノールとを含む混合物となる。
一方、反応基質が化学反応した後の未反応物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのアシル保護体と、（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体とを含む混合物となる。
その結果、式（６）で示す化学反応においては、反応基質が化学反応した後の生成物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏと、（Ｓ）－１－フェニルエタノールとを含む混合物となる。
一方、反応基質が化学反応した後の未反応物は、（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのアシル保護体と、（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体とを含む混合物となる。
本発明においては、反応基質が化学反応した後の光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定する。
本発明においては、反応基質中のＲ体及びＳ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることにより、混合物中のＲ体及びＳ体の分子量が互いに異なる。そのため、質量分析の際に光学異性体同士の間に分子量の差があることから、測定対象となる光学異性体について同位体濃縮度を容易に測定できる。
本発明においては、反応基質中のＲ体及びＳ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることにより、混合物中のＲ体及びＳ体の分子量が互いに異なる。そのため、質量分析の際に光学異性体同士の間に分子量の差があることから、測定対象となる光学異性体について同位体濃縮度を容易に測定できる。
質量分析は、ガスクロマトグラフィー質量分析（ＧＣ－ＭＳ）でも液体クロマトグラフィー質量分析法（ＬＣ－ＭＳ）でもよい。
光学異性体の同位体濃縮度は、例えば、特開２００６－８６６６号公報の実施例２に記載のイオンピークのピーク面積値を用いる方法で測定できる。
光学異性体の同位体濃縮度は、例えば、特開２００６－８６６６号公報の実施例２に記載のイオンピークのピーク面積値を用いる方法で測定できる。
以下、本発明の第１の態様、第２の態様について順に説明する。
本発明の第１の態様に係る鏡像体過剰率の測定方法においては、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている光学異性体を鏡像体過剰率の測定対象とする。
本発明の第２の態様に係る鏡像体過剰率の測定方法においては、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている光学異性体を鏡像体過剰率の測定対象とする。
本発明の第１の態様に係る鏡像体過剰率の測定方法においては、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている光学異性体を鏡像体過剰率の測定対象とする。
本発明の第２の態様に係る鏡像体過剰率の測定方法においては、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている光学異性体を鏡像体過剰率の測定対象とする。
＜第１の態様＞
本発明の第１の態様においては、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、前記同位体濃縮度の測定値に基づいて、前記光学異性体の鏡像体過剰率を算出する。
本発明の第１の態様においては、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、前記同位体濃縮度の測定値に基づいて、前記光学異性体の鏡像体過剰率を算出する。
本発明において、反応基質はキラリティを有する化合物のＲ体と、当該化合物のＳ体とを含む混合物である。
一般に市販又は合成されているキラル化合物は、光学不純物を含む。本発明においても、光学不純物の存在を想定し、「反応基質」は、便宜的に下記のキラル異性体（Ｒ）とキラル異性体（Ｓ）とを含む混合物であるとする。
キラル異性体（Ｒ）：反応基質である化合物のＲ体を主に含み、当該化合物のＳ体を光学不純物として含む。
キラル異性体（Ｓ）：反応基質である化合物のＳ体を主に含み、当該化合物のＲ体を光学不純物として含む。
一般に市販又は合成されているキラル化合物は、光学不純物を含む。本発明においても、光学不純物の存在を想定し、「反応基質」は、便宜的に下記のキラル異性体（Ｒ）とキラル異性体（Ｓ）とを含む混合物であるとする。
キラル異性体（Ｒ）：反応基質である化合物のＲ体を主に含み、当該化合物のＳ体を光学不純物として含む。
キラル異性体（Ｓ）：反応基質である化合物のＳ体を主に含み、当該化合物のＲ体を光学不純物として含む。
反応基質中のキラル異性体（Ｒ）の物質量：ＮＲは、下式（７）で表される。また、反応基質中のキラル異性体（Ｓ）の物質量：ＮＳは、下式（８）で表される。
ＮＲ＝ａ＋ｂ ・・・式（７）
ＮＳ＝ｃ＋ｄ ・・・式（８）
式（７）中、ａは、キラル異性体（Ｒ）に含まれるＲ体の物質量の真値であり、ｂは、キラル異性体（Ｒ）に光学不純物として含まれるＳ体の物質量の真値である。
式（８）中、ｃは、キラル異性体（Ｓ）に含まれるＳ体の物質量の真値であり、ｄは、キラル異性体（Ｓ）に光学不純物として含まれるＲ体の物質量の真値である。
ＮＲ＝ａ＋ｂ ・・・式（７）
ＮＳ＝ｃ＋ｄ ・・・式（８）
式（７）中、ａは、キラル異性体（Ｒ）に含まれるＲ体の物質量の真値であり、ｂは、キラル異性体（Ｒ）に光学不純物として含まれるＳ体の物質量の真値である。
式（８）中、ｃは、キラル異性体（Ｓ）に含まれるＳ体の物質量の真値であり、ｄは、キラル異性体（Ｓ）に光学不純物として含まれるＲ体の物質量の真値である。
ここで、キラル異性体（Ｒ）のＲ体の鏡像体過剰率：ｅＲは、下式（９）で表される。
また、キラル異性体（Ｓ）のＳ体の鏡像体過剰率：ｅＳは、下式（１０）で表される。ｅＲ、ｅＳはいずれも、０％ｅｅより大きい値とする。
ｅＲ＝１００×（ａ－ｂ）／（ａ＋ｂ） ・・・式（９）
ｅＳ＝１００×（ｃ－ｄ）／（ｃ＋ｄ） ・・・式（１０）
また、キラル異性体（Ｓ）のＳ体の鏡像体過剰率：ｅＳは、下式（１０）で表される。ｅＲ、ｅＳはいずれも、０％ｅｅより大きい値とする。
ｅＲ＝１００×（ａ－ｂ）／（ａ＋ｂ） ・・・式（９）
ｅＳ＝１００×（ｃ－ｄ）／（ｃ＋ｄ） ・・・式（１０）
式（７）及び式（９）をａ，ｂについて解き、式（８）及び式（１０）をｃ，ｄについて解くと、ａ，ｂ，ｃ，ｄはそれぞれ下式（１１）～式（１４）で表される。
ａ＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２） ・・・式（１１）
ｂ＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２） ・・・式（１２）
ｃ＝（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２） ・・・式（１３）
ｄ＝（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２） ・・・式（１４）
ａ＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２） ・・・式（１１）
ｂ＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２） ・・・式（１２）
ｃ＝（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２） ・・・式（１３）
ｄ＝（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２） ・・・式（１４）
本発明の反応基質においては、Ｒ体及びＳ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されている。ここで、「安定同位体で標識されている」とは、化合物を構成する原子団のうち、ある一部位における原子の安定同位体の存在比（すなわち、同位体濃縮度）が天然存在比を超えていることを意味する。
反応基質中の同位体標識されたＲ体の物質量：ＮＲ（Ｌ）は、キラル異性体（Ｒ）及びキラル異性体（Ｓ）のそれぞれに含まれるＲ体の真値（ａ，ｄ）に、キラル異性体（Ｒ）及びキラル異性体（Ｓ）それぞれの同位体存在比率を乗じた値の和で求められる。そのため、ＮＲ（Ｌ）は、下式（１５）で表される。同様に、反応基質中の同位体標識されたＳ体の物質量：ＮＳ（Ｌ）は、下式（１６）で表される。
ＮＲ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１５）
ＮＳ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１６）
式（１５）及び式（１６）中、ＥＲは、混合物中のキラル異性体（Ｒ）の同位体濃縮度であり、ＥＳは、混合物中のキラル異性体（Ｓ）の同位体濃縮度である。
ＮＲ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１５）
ＮＳ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１６）
式（１５）及び式（１６）中、ＥＲは、混合物中のキラル異性体（Ｒ）の同位体濃縮度であり、ＥＳは、混合物中のキラル異性体（Ｓ）の同位体濃縮度である。
反応基質中の同位体標識されていないＲ体の物質量：ＮＲ（Ｕ）は、キラル異性体（Ｒ）及びキラル異性体（Ｓ）のそれぞれに含まれるＲ体の真値（ａ，ｄ）に、キラル異性体（Ｒ）及びキラル異性体（Ｓ）それぞれの同位体存在比率を１から差し引いた値を乗じた値の和で求められる。そのため、ＮＲ（Ｕ）は、下式（１７）で表される。同様に、反応基質中の同位体標識されていないＳ体の物質量：ＮＳ（Ｕ）は、下式（１８）で表される。
ＮＲ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１７）
ＮＳ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１８）
式（１７）及び式（１８）中、ＥＲは、混合物中のキラル異性体（Ｒ）の同位体濃縮度であり、ＥＳは、混合物中のキラル異性体（Ｓ）の同位体濃縮度である。
ＮＲ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１７）
ＮＳ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１８）
式（１７）及び式（１８）中、ＥＲは、混合物中のキラル異性体（Ｒ）の同位体濃縮度であり、ＥＳは、混合物中のキラル異性体（Ｓ）の同位体濃縮度である。
反応基質である混合物の鏡像体過剰率：ｅＭは、前記のＮＲ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｌ），ＮＳ（Ｕ），ＮＲ，ＮＳを用いて下式（１９）で表される。また、混合物の同位体濃縮度ＥＭは、前記のＮＲ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｌ），ＮＳ（Ｕ），ＮＲ，ＮＳを用いて下式（２０）で表される。ここで、鏡像体過剰率：ｅＭは、Ｒ体が過剰であるときに正の値となり、Ｓ体が過剰であるときに負の値となる。
ｅＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＲ（Ｕ）－ＮＳ（Ｌ）－ＮＳ（Ｕ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（１９）
ＥＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＳ（Ｌ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（２０）
ｅＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＲ（Ｕ）－ＮＳ（Ｌ）－ＮＳ（Ｕ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（１９）
ＥＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＳ（Ｌ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（２０）
反応基質である化合物中のＳ体のみが光学分割反応によって選択的に反応した場合について考える。この場合、反応基質である混合物の鏡像体過剰率：ｅＭが１００％ｅｅとなったと仮定すると、化学反応後の生成物に含まれている光学異性体（Ｓ体）の同位体濃縮度：Ｅｐｒｏ，１００％は、下式（２１）で表される。
Ｅｐｒｏ，１００％＝ＮＳ（Ｌ）／（ＮＳ（Ｌ）＋ＮＳ（Ｕ）） ・・・式（２１）
Ｅｐｒｏ，１００％＝ＮＳ（Ｌ）／（ＮＳ（Ｌ）＋ＮＳ（Ｕ）） ・・・式（２１）
本発明の第１の態様においては、化学反応後の生成物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率を算出する。鏡像体過剰率の算出に際しては、ｘ軸に生成物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度：Ｅｐｒｏをとり、ｙ軸に生成物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏをとったｘ－ｙ平面上の検量線を使用する。
この検量線は、（ｘ，ｙ）＝（ＥＭ，ｅＭ）、（Ｅｐｒｏ，１００％，１００）の２点を結ぶ直線である。この場合、検量線の方程式は、当該直線の方程式として、下式（２２）で表される。
ｅｐｒｏ＝（ｅＭ－１００）／（ＥＭ－Ｅｐｒｏ，１００％）×Ｅｐｒｏ＋（ＥＭ×１００－Ｅｐｒｏ，１００％×ｅＭ）／（ＥＭ－Ｅｐｒｏ，１００％） ・・・式（２２）
この検量線は、（ｘ，ｙ）＝（ＥＭ，ｅＭ）、（Ｅｐｒｏ，１００％，１００）の２点を結ぶ直線である。この場合、検量線の方程式は、当該直線の方程式として、下式（２２）で表される。
ｅｐｒｏ＝（ｅＭ－１００）／（ＥＭ－Ｅｐｒｏ，１００％）×Ｅｐｒｏ＋（ＥＭ×１００－Ｅｐｒｏ，１００％×ｅＭ）／（ＥＭ－Ｅｐｒｏ，１００％） ・・・式（２２）
ｅｐｒｏの算出に際しては、まず、値が既知であるＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＲ，ＥＳを、式（１５）～式（１８）の各式に代入し、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）を得る。
次いで、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）の各値を式（１９）～式（２１）に代入し、ｅＭ，ＥＭ，Ｅｐｒｏ，１００％を得る。これにより、式（２２）で表される検量線の傾き及び切片が決定される。
式（２２）で表される検量線の傾き及び切片を決定すれば、質量分析によって得られる測定対象の光学異性体の同位体濃縮度：Ｅｐｒｏの測定値を式（２２）に代入することで、生成物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏが求められる。
次いで、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）の各値を式（１９）～式（２１）に代入し、ｅＭ，ＥＭ，Ｅｐｒｏ，１００％を得る。これにより、式（２２）で表される検量線の傾き及び切片が決定される。
式（２２）で表される検量線の傾き及び切片を決定すれば、質量分析によって得られる測定対象の光学異性体の同位体濃縮度：Ｅｐｒｏの測定値を式（２２）に代入することで、生成物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏが求められる。
＜第２の態様＞
本発明の第２の態様においては、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、前記同位体濃縮度の測定値に基づいて、前記光学異性体の鏡像体過剰率を算出する。
本発明の第２の態様においては、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、前記同位体濃縮度の測定値に基づいて、前記光学異性体の鏡像体過剰率を算出する。
第２の態様においても、第１の態様と同様に検量線を使用する。検量線の作成に際して、反応基質である化合物中のＳ体のみが光学分割反応によって選択的に反応した場合について考える。この場合、反応基質である混合物の鏡像体過剰率：ｅＭが１００％ｅｅとなったと仮定すると、化学反応後の未反応物に含まれている光学異性体（Ｒ体）の同位体濃縮度：Ｅｒｅａｃｔ，１００％は、下式（２３）で表される。
Ｅｒｅａｃｔ，１００％＝ＮＲ（Ｌ）／（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＲ（Ｕ）） ・・・式（２３）
Ｅｒｅａｃｔ，１００％＝ＮＲ（Ｌ）／（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＲ（Ｕ）） ・・・式（２３）
本発明の第２の態様においては、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率を算出する。鏡像体過剰率の算出に際しては、ｘ軸に未反応物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度：Ｅｒｅａｃｔをとり、ｙ軸に未反応物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔをとったｘ－ｙ平面上の検量線を使用する。この検量線は、（ｘ，ｙ）＝（ＥＭ，ｅＭ）、（Ｅｒｅａｃｔ，１００％，１００）の２点を結ぶ直線である。この場合、検量線の方程式は、当該直線の方程式として、下式（２４）で表される。
ｅｒｅａｃｔ＝（１００－ｅＭ）／（Ｅｒｅａｃｔ，１００％－ＥＭ）×Ｅｒｅａｃｔ＋（ＥＭ×１００－Ｅｒｅａｃｔ，１００％×ｅＭ）／（ＥＭ－Ｅｒｅａｃｔ，１００％） ・・・式（２４）
ｅｒｅａｃｔ＝（１００－ｅＭ）／（Ｅｒｅａｃｔ，１００％－ＥＭ）×Ｅｒｅａｃｔ＋（ＥＭ×１００－Ｅｒｅａｃｔ，１００％×ｅＭ）／（ＥＭ－Ｅｒｅａｃｔ，１００％） ・・・式（２４）
ｅｒｅａｃｔの算出に際しては、まず、値が既知であるＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＲ，ＥＳを、式（１５）～式（１８）の各式に代入し、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）を得る。
次いで、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）の各値を式（１９）、式（２０）、式（２３）に代入し、ｅＭ，ＥＭ，Ｅｒｅａｃｔ，１００％を得る。これにより、式（２４）で表される検量線の傾き及び切片が決定される。
式（２４）で表される検量線の傾き及び切片を決定すれば、質量分析によって得られる測定対象の光学異性体の同位体濃縮度：Ｅｒｅａｃｔの測定値を式（２４）に代入することで、未反応物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔが求められる。
次いで、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）の各値を式（１９）、式（２０）、式（２３）に代入し、ｅＭ，ＥＭ，Ｅｒｅａｃｔ，１００％を得る。これにより、式（２４）で表される検量線の傾き及び切片が決定される。
式（２４）で表される検量線の傾き及び切片を決定すれば、質量分析によって得られる測定対象の光学異性体の同位体濃縮度：Ｅｒｅａｃｔの測定値を式（２４）に代入することで、未反応物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔが求められる。
＜適用例＞
本発明において、反応基質である化合物の具体例としては、例えば、当該化合物のＲ体が下式（１）で表される光学異性体であり、当該化合物のＳ体が下式（２）で表される光学異性体である化合物が挙げられる。ただし、反応基質中の化合物は、この例示に限定されない。
本発明において、反応基質である化合物の具体例としては、例えば、当該化合物のＲ体が下式（１）で表される光学異性体であり、当該化合物のＳ体が下式（２）で表される光学異性体である化合物が挙げられる。ただし、反応基質中の化合物は、この例示に限定されない。
式（１）及び式（２）中、＊Ｏは酸素同位体である１８Ｏ又は１７Ｏで標識されうる酸素原子であり；Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、ケトン基、アルコキシ基、アルキル基又は重水素原子であり；Ｒ２は、アルキル基であり；前記アルキル基及び前記アルコキシ基は、置換基及び官能基のいずれか一方又は両方を有してもよい。ただし、Ｒ１は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、これらの例示に限定されない。
前記アルキル基、前記アルコキシ基におけるそれぞれの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基等の置換基と置換されていてもよく、すべての水素原子が置換されていなくてもよい。加えて、前記アルキル基、前記アルコキシ基は、シアノ基、ホルミル基、ケトン基等の官能基をさらに有してもよい。ただし、前記アルキル基、前記アルコキシ基における置換基及び官能基は、これらの例示に限定されない。
前記アルキル基、前記アルコキシ基におけるそれぞれの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基等の置換基と置換されていてもよく、すべての水素原子が置換されていなくてもよい。加えて、前記アルキル基、前記アルコキシ基は、シアノ基、ホルミル基、ケトン基等の官能基をさらに有してもよい。ただし、前記アルキル基、前記アルコキシ基における置換基及び官能基は、これらの例示に限定されない。
反応基質中のＲ体が式（１）で表される光学異性体であり、Ｓ体が式（２）で表される光学異性体である場合、反応基質が化学反応した後の生成物は、下式（３）で表される光学異性体と下式（４）で表される光学異性体とを含む。
式（３）及び式（４）中、＊Ｏの少なくとも一方が、酸素同位体である１８Ｏ又は１７Ｏで標識されており；Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、ケトン基、アルコキシ基、アルキル基又は重水素原子であり；Ｒ２及びＲ３は、アルキル基であり；前記アルキル基及び前記アルコキシ基は、置換基及び官能基のいずれか一方又は両方を有してもよい。
前記アルキル基、前記アルコキシ基におけるそれぞれの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基等の置換基と置換されていてもよく、すべての水素原子が置換されていなくてもよい。加えて、前記アルキル基、前記アルコキシ基は、シアノ基、ホルミル基、ケトン基等の官能基をさらに有してもよい。ただし、前記アルキル基、前記アルコキシ基における置換基及び官能基は、これらの例示に限定されない。
前記アルキル基、前記アルコキシ基におけるそれぞれの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基等の置換基と置換されていてもよく、すべての水素原子が置換されていなくてもよい。加えて、前記アルキル基、前記アルコキシ基は、シアノ基、ホルミル基、ケトン基等の官能基をさらに有してもよい。ただし、前記アルキル基、前記アルコキシ基における置換基及び官能基は、これらの例示に限定されない。
１－フェニルエタノールは、速度論的光学分割反応研究の分野において一般的に用いられる化合物である。加えて、１－フェニルエタノールの１８Ｏによる標識化合物は、短工程で簡便に合成できるという利点がある。ただし、１－フェニルエタノール及び１－フェニルエタノールのアシル保護体に限らず、アルコール化合物、アシル保護体及びエポキシド化合物といった、一般的に速度論的光学分割反応に用いられる化合物であれば、本発明の反応基質中の化合物として適用できる。
本発明において、安定同位体の元素種類は特に限定されない。加えて、Ｒ体、Ｓ体の化学構造式において、安定同位体で標識される原子の位置は、特に限定されない。
ただし、通常の反応条件で同位体の濃縮度が低下し得る元素及び標識位置は好ましくない。好ましくない元素及び標識位置としては、例えば、重水素原子が、酸素原子上、窒素原子上、カルボニル基のα位といった酸性度が高い位置に標識される場合等が挙げられる。
ただし、通常の反応条件で同位体の濃縮度が低下し得る元素及び標識位置は好ましくない。好ましくない元素及び標識位置としては、例えば、重水素原子が、酸素原子上、窒素原子上、カルボニル基のα位といった酸性度が高い位置に標識される場合等が挙げられる。
（作用効果）
以上説明した本発明の鏡像体過剰率の測定方法にあっては、Ｒ体の分子量及びＳ体の分子量が互いに異なる。そのため、化学反応後の測定対象となる光学異性体の分子量も互いに異なる。よって、反応基質中のＲ体及びＳ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることから、測定対象となる光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって容易に測定できる。
したがって、反応基質中のキラル異性体（Ｒ）及びキラル異性体（Ｓ）の物質量（ＮＲ，ＮＳ）、鏡像体過剰率（ｅＲ，ｅＳ）、同位体濃縮度（ＥＲ，ＥＳ）が既知であるとき、式（１５）～式（２１）、式（２３）を用いることで、式（２２）、式（２４）で示される検量線を決定できる。当該検量線は、化学反応後の特定の光学異性体についての同位体濃縮度と鏡像体過剰率の相関関係に関する。よって、当該検量線の使用により、測定対象となる光学異性体の質量分析による同位体濃縮度の測定値に基づいて、光学異性体の鏡像体過剰率を測定できる。
以上説明した本発明の鏡像体過剰率の測定方法にあっては、Ｒ体の分子量及びＳ体の分子量が互いに異なる。そのため、化学反応後の測定対象となる光学異性体の分子量も互いに異なる。よって、反応基質中のＲ体及びＳ体の少なくとも一方が安定同位体で標識されていることから、測定対象となる光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって容易に測定できる。
したがって、反応基質中のキラル異性体（Ｒ）及びキラル異性体（Ｓ）の物質量（ＮＲ，ＮＳ）、鏡像体過剰率（ｅＲ，ｅＳ）、同位体濃縮度（ＥＲ，ＥＳ）が既知であるとき、式（１５）～式（２１）、式（２３）を用いることで、式（２２）、式（２４）で示される検量線を決定できる。当該検量線は、化学反応後の特定の光学異性体についての同位体濃縮度と鏡像体過剰率の相関関係に関する。よって、当該検量線の使用により、測定対象となる光学異性体の質量分析による同位体濃縮度の測定値に基づいて、光学異性体の鏡像体過剰率を測定できる。
このように、本発明の鏡像体過剰率の測定方法は、反応基質中の光学異性体の安定同位体標識による質量差を利用するため、測定対象の光学異性体をキラルカラムで単離する操作を必要としない。そのため、測定操作が簡便であり、キラルカラムの選定作業も必要なく、測定系の構築も従来法と比較して簡便である。
また、ＮＭＲ用キラルシフト剤を使用して錯体化するステップも必要としない。そのため、簡便な測定方法である。
したがって、錯体化に要する労力及び時間が削減されるため、短時間で多くのサンプルの鏡像体過剰率を測定でき、測定のハイスループット化が可能となる。
また、ＮＭＲ用キラルシフト剤を使用して錯体化するステップも必要としない。そのため、簡便な測定方法である。
したがって、錯体化に要する労力及び時間が削減されるため、短時間で多くのサンプルの鏡像体過剰率を測定でき、測定のハイスループット化が可能となる。
＜実施例＞
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されない。
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されない。
（不斉触媒）
・リパーゼ１：ＣＡＬ－Ｂ（Ｌｉｐａｓｅ ｆｒｏｍ Ｃａｎｄｉｄａ Ａｎｔａｒｅｔｉｃａ Ｔｙｐｅ Ｂ）
・リパーゼ２：Ｌｉｐａｓｅ，ｉｍｍｏｂｉｌｉｚｅｄ ｏｎ ｌｍｍｏｂｅａｄ １５０ ｆｒｏｍ Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ ｃｅｐａｃｔａ
・リパーゼ３：Ａｍａｎｏ ＰＳ－ＩＭ（Ｌｉｐａｓｅ ｆｒｏｍ Ｂｕｒｋｈｏｌｄｅｒｉａ ｃｅｐａｃｉａ） ｉｍｍｐｏｂｉｌｉｚｅｄ ｏｎ Ｄｉａｔｏｍａｃｅｏｕｓ Ｅａｒｔｈ
・リパーゼ１：ＣＡＬ－Ｂ（Ｌｉｐａｓｅ ｆｒｏｍ Ｃａｎｄｉｄａ Ａｎｔａｒｅｔｉｃａ Ｔｙｐｅ Ｂ）
・リパーゼ２：Ｌｉｐａｓｅ，ｉｍｍｏｂｉｌｉｚｅｄ ｏｎ ｌｍｍｏｂｅａｄ １５０ ｆｒｏｍ Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ ｃｅｐａｃｔａ
・リパーゼ３：Ａｍａｎｏ ＰＳ－ＩＭ（Ｌｉｐａｓｅ ｆｒｏｍ Ｂｕｒｋｈｏｌｄｅｒｉａ ｃｅｐａｃｉａ） ｉｍｍｐｏｂｉｌｉｚｅｄ ｏｎ Ｄｉａｔｏｍａｃｅｏｕｓ Ｅａｒｔｈ
（マススペクトルの取得）
・分析計：ＧＣＭＳ－ＱＰ２０１０ Ｕｌｔｒａ（株式会社島津製作所製）
・試料導入法：ＧＣ（ガスクロマトグラフィー）
・イオン化法：電子イオン化法
・イオン化電圧：３０ｅＶ
・イオン源温度：２００℃
・測定モード：ＳＣＡＮ測定
・測定質量範囲：Ｍ／Ｚ＝４０～４５０（Ｍ：質量，Ｚ：電荷）
・分析計：ＧＣＭＳ－ＱＰ２０１０ Ｕｌｔｒａ（株式会社島津製作所製）
・試料導入法：ＧＣ（ガスクロマトグラフィー）
・イオン化法：電子イオン化法
・イオン化電圧：３０ｅＶ
・イオン源温度：２００℃
・測定モード：ＳＣＡＮ測定
・測定質量範囲：Ｍ／Ｚ＝４０～４５０（Ｍ：質量，Ｚ：電荷）
（光学異性体の同位体濃縮度の測定）
取得したマススペクトルのイオンピークのピーク面積値を用いて、特開２００６－８６６６号公報の実施例２に記載の方法と同様にして同位体濃縮度を測定した。
取得したマススペクトルのイオンピークのピーク面積値を用いて、特開２００６－８６６６号公報の実施例２に記載の方法と同様にして同位体濃縮度を測定した。
（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏの合成）
下式（２５）に示すように、ベンゾトリクロリド：１９．５ｇ（１００ｍｍｏｌ）にＨ２ １８Ｏ：２８．０ｍＬ（１５００ｍｍｏｌ）を加えて９０℃で加熱し、３日間反応させた。３日後、白色の結晶が析出した。反応液を０℃で冷却した後、結晶をグラスフィルターでろ過した。グラスフィルター上の結晶を冷却した少量のＨ２ １８Ｏで洗浄した後、ろ液で洗浄した。結晶を回収し、ロータリーエバポレーターを用いて終夜乾燥させたところ、安息香酸－１８Ｏ２の白色結晶が得られた（収量１１．７２ｇ、収率９４％）。
下式（２５）に示すように、ベンゾトリクロリド：１９．５ｇ（１００ｍｍｏｌ）にＨ２ １８Ｏ：２８．０ｍＬ（１５００ｍｍｏｌ）を加えて９０℃で加熱し、３日間反応させた。３日後、白色の結晶が析出した。反応液を０℃で冷却した後、結晶をグラスフィルターでろ過した。グラスフィルター上の結晶を冷却した少量のＨ２ １８Ｏで洗浄した後、ろ液で洗浄した。結晶を回収し、ロータリーエバポレーターを用いて終夜乾燥させたところ、安息香酸－１８Ｏ２の白色結晶が得られた（収量１１．７２ｇ、収率９４％）。
安息香酸－１８Ｏ２：１０．５９ｇ（８４ｍｍｏｌ）とトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３）：２２．０３ｇ（８４ｍｍｏｌ）をトルエン：２５０ｍＬに溶解させ、－２０℃で攪拌した。トルエン：４０ｍＬに溶解した（Ｓ）－１－フェニルエタノールを加えて、アゾジカルボン酸エチル２．２Ｍトルエン溶液：１１８ｍＬ（８４ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。さらに３０分攪拌後、０℃で９０分攪拌した。炭酸水素ナトリウム飽和水溶液を加えて室温で１時間攪拌した。この液を分液処理し、溶媒を減圧留去した。減圧留去後の残渣に、ジエチルエーテルとヘキサンの１：３混合溶媒を加えて攪拌したところ、白色沈殿が生じた。沈殿をろ過で除去し、ろ液を減圧留去した後、カラムクロマトグラフィーで精製することで（Ｒ）－１－フェニルエタノールベンゾイルエステル－１８Ｏ２を得た（１２．９９ｇ、収率８１％）。（Ｒ）－１－フェニルエタノールベンゾイルエステル－１８Ｏ２の合成反応を下式（２６）に示す。
（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ：ベンゾイルエステル：６．９１ｇ（３０ｍｍｏｌ）をメタノール：５０ｍＬに溶解させた。５．０２ｇ（９０ｍｍｏｌ）の水酸化カリウムをメタノール：２５ｍＬに完全に溶解させて、水酸化ナトリウムメタノール溶液を調製した。エステル溶液を５０℃で加熱攪拌しながら、水酸化カリウム溶液を１５分かけて滴下した。滴下終了後５０℃で５時間攪拌し反応させた。反応後この液を分液処理し、溶媒を減圧留去したのち、カラムクロマトグラフィーで精製することで（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏを得た（２．６１ｇ、収率：７０％、同位体濃縮度（ＥＲ）：９８．９４ａｔｏｍ％１８Ｏ、鏡像体過剰率（ｅＲ）：９８．２７％ｅｅ）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３１－７．１６（ｍ，５Ｈ），４．８０（ｑ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），１．４０（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１４５．８，１２８．５，１２７．４，１２５．３，７０．３，２５．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ８Ｈ１０ １８Ｏ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ １２４．０８，ｆｏｕｎｄ １２４．０５。
この合成反応を下式（２７）に示す。
図１の左側は（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのマススペクトルである。図１の右側は（Ｒ）－１－フェニルエタノールのマススペクトルである。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３１－７．１６（ｍ，５Ｈ），４．８０（ｑ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），１．４０（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１４５．８，１２８．５，１２７．４，１２５．３，７０．３，２５．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ８Ｈ１０ １８Ｏ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ １２４．０８，ｆｏｕｎｄ １２４．０５。
この合成反応を下式（２７）に示す。
図１の左側は（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏのマススペクトルである。図１の右側は（Ｒ）－１－フェニルエタノールのマススペクトルである。
（アルコールアセチル保護体の合成）
下式（２８）で示す化学反応によってアルコールアセチル保護体を合成した。以下の各エステルの合成においては、アルコール：４．０ｍｍｏｌとピリジン０．３５ｍＬ（４．０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル：１０ｍＬに溶解させた。酸塩化物：４．０ｍｍｏｌを滴下し、２０℃で終夜攪拌し反応させた。反応後この液を分液処理し、溶媒を減圧留去したのち、カラムクロマトグラフィーで精製することでアルコールアセチル保護体を得た。
下式（２８）で示す化学反応によってアルコールアセチル保護体を合成した。以下の各エステルの合成においては、アルコール：４．０ｍｍｏｌとピリジン０．３５ｍＬ（４．０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル：１０ｍＬに溶解させた。酸塩化物：４．０ｍｍｏｌを滴下し、２０℃で終夜攪拌し反応させた。反応後この液を分液処理し、溶媒を減圧留去したのち、カラムクロマトグラフィーで精製することでアルコールアセチル保護体を得た。
（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏエタノイルエステルの合成）
アルコールとして（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化エタノイル：０．３７ｇを用いて反応を行った（０．４４ｇ，収率６１％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３８－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．９０（ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），２．３６（ｄｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，２Ｈ），１．５３（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ），１．１４（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．７，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７２．０，２７．８，２２．３，９．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ１１Ｈ１４Ｏ１８Ｏ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ １８０．１０， ｆｏｕｎｄ １８０．１０。
アルコールとして（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化エタノイル：０．３７ｇを用いて反応を行った（０．４４ｇ，収率６１％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３８－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．９０（ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），２．３６（ｄｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，２Ｈ），１．５３（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ），１．１４（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．７，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７２．０，２７．８，２２．３，９．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ１１Ｈ１４Ｏ１８Ｏ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ １８０．１０， ｆｏｕｎｄ １８０．１０。
（（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステルの合成）
アルコールとして（Ｓ）－１－フェニルエタノール：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化エタノイル：０．３７ｇを用いて反応を行った（０．５５ｇ，収率７８％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３８－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．９０（ｑ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．３６（ｄｑ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），１．５４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．１４（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．７，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７２．１，２７．９，２２．３，９．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ１１Ｈ１４Ｏ２，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ １７８．１０，ｆｏｕｎｄ １７８．１０。
アルコールとして（Ｓ）－１－フェニルエタノール：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化エタノイル：０．３７ｇを用いて反応を行った（０．５５ｇ，収率７８％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３８－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．９０（ｑ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．３６（ｄｑ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），１．５４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．１４（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．７，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７２．１，２７．９，２２．３，９．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ１１Ｈ１４Ｏ２，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ １７８．１０，ｆｏｕｎｄ １７８．１０。
（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏトリデカノイルエステルの合成）
アルコールとして（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化トリデカノイル：０．９９ｇを用いて反応を行った（０．９６ｇ，収率７５％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３７－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．８９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．３４－２．３０（ｍ，２Ｈ），１．５３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．４５－１．１８（ｍ，２２Ｈ），０．９１－０．８５（ｍ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．１，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７１．９，３４．６，３１．９，２．９７－２．９０（ｍ），２５．０，２２．７，２２．３，１４．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３６Ｏ１８Ｏ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ３３４．２８，ｆｏｕｎｄ ３３４．４０。
アルコールとして（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化トリデカノイル：０．９９ｇを用いて反応を行った（０．９６ｇ，収率７５％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３７－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．８９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．３４－２．３０（ｍ，２Ｈ），１．５３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．４５－１．１８（ｍ，２２Ｈ），０．９１－０．８５（ｍ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．１，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７１．９，３４．６，３１．９，２．９７－２．９０（ｍ），２５．０，２２．７，２２．３，１４．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３６Ｏ１８Ｏ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ３３４．２８，ｆｏｕｎｄ ３３４．４０。
（（Ｓ）－１－フェニルエタノールトリデカノイルエステルの合成）
アルコールとして（Ｓ）－１－フェニルエタノール：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化トリデカノイル：０．９９ｇを用いて反応を行った（１．２６ｇ，収率９９％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３７－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．８９（ｑ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．３５－２．２９（ｍ，２Ｈ），１．５３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．４５－１．１８（ｍ，２２Ｈ），０．９１－０．８５（ｍ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．１，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７２．０，３４．６，３１．９，２．９７－２．９０（ｍ），２５．０，２２．７，２２．３，１４．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３６Ｏ２，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ３３２．２７， ｆｏｕｎｄ ３３２．００。
アルコールとして（Ｓ）－１－フェニルエタノール：０．５０ｇ、酸塩化物として塩化トリデカノイル：０．９９ｇを用いて反応を行った（１．２６ｇ，収率９９％）。
１Ｈ ＮＭＲスペクトル：（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．３７－７．２５（ｍ，５Ｈ），５．８９（ｑ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．３５－２．２９（ｍ，２Ｈ），１．５３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．４５－１．１８（ｍ，２２Ｈ），０．９１－０．８５（ｍ，３Ｈ）；
１３Ｃ ＮＭＲスペクトル：（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１７３．１，１４１．８，１２８．４，１２７．８，１２６．０，７２．０，３４．６，３１．９，２．９７－２．９０（ｍ），２５．０，２２．７，２２．３，１４．１；
ＥＩ－ＭＳスペクトル：ｍ／ｚ ｆｏｒ Ｃ２２Ｈ３６Ｏ２，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ３３２．２７， ｆｏｕｎｄ ３３２．００。
（実施例１）
不斉触媒として用いるリパーゼ１をデシケーターで３時間減圧乾燥した。（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ：１００ｍｇと（Ｓ）－１－フェニルエタノール：１００ｍｇの混合物：６１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）とリパーゼ１：１０ｍｇを無水ジエチルエーテル：３ｍＬに溶解させた。酢酸ビニル：１２９ｍｇ（０．７５ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で２２時間反応させ、下式（２９）に示す速度論的光学分割アシル化反応を行った。
不斉触媒として用いるリパーゼ１をデシケーターで３時間減圧乾燥した。（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ：１００ｍｇと（Ｓ）－１－フェニルエタノール：１００ｍｇの混合物：６１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）とリパーゼ１：１０ｍｇを無水ジエチルエーテル：３ｍＬに溶解させた。酢酸ビニル：１２９ｍｇ（０．７５ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で２２時間反応させ、下式（２９）に示す速度論的光学分割アシル化反応を行った。
実施例１で使用した反応基質である混合物について、ＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＳ，ＥＳの各値を表１に示す。表１に示す各値ＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＳ，ＥＳからｅＭ，ＥＭ，Ｅｐｒｏ，１００％，Ｅｒｅａｃｔ，１００％を算出し、式（２２）、式（２４）で表されるそれぞれの検量線の傾き及び切片を決定し、検量線の方程式をそれぞれ得た。
次いで、アシル化反応後の反応液をＭｇＳＯ４でろ過し、ろ液をＧＣ－ＭＳで分析することで、Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏを測定した。Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を表１に示す。
次いで、Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を得られた検量線の方程式に代入し、未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表２に示す。
ここで、ｅｒｅａｃｔは未反応物に含まれている（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏの鏡像体過剰率であり、ｅｐｒｏは生成物に含まれている（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体の鏡像体過剰率である。
次いで、Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を得られた検量線の方程式に代入し、未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表２に示す。
ここで、ｅｒｅａｃｔは未反応物に含まれている（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏの鏡像体過剰率であり、ｅｐｒｏは生成物に含まれている（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体の鏡像体過剰率である。
図２は、実施例１において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図２中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアルコール（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアシル保護体（（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステル）のマススペクトルである。
（実施例２）
不斉触媒としてリパーゼ１の代わりにリパーゼ２を使用した以外は、実施例１と同様にして未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表２に示す。
図３は、実施例２において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図３中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアルコール（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアシル保護体（（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステル）のマススペクトルである。
不斉触媒としてリパーゼ１の代わりにリパーゼ２を使用した以外は、実施例１と同様にして未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表２に示す。
図３は、実施例２において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図３中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアルコール（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアシル保護体（（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステル）のマススペクトルである。
（実施例３）
不斉触媒としてリパーゼ１の代わりにリパーゼ３を使用した以外は、実施例１と同様にして未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表２に示す。
図４は、実施例３において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図４中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアルコール（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアシル保護体（（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステル）のマススペクトルである。
不斉触媒としてリパーゼ１の代わりにリパーゼ３を使用した以外は、実施例１と同様にして未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表２に示す。
図４は、実施例３において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図４中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアルコール（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアシル保護体（（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステル）のマススペクトルである。
（実施例４）
不斉触媒として用いるリパーゼ１をデシケーターで３時間減圧乾燥した。（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏエタノイルエステル：１００ｍｇと（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステル：１００ｍｇの混合物：０．５ｍｍｏｌとリパーゼ１：１０ｍｇを、無水ジエチルエーテル：１ｍＬとｐＨ＝７のリン酸緩衝溶液：２ｍＬの混合溶媒に溶解させ、４０℃で２１時間、下式（３０）に示す速度論的光学分割脱アセチル化反応を行った。
不斉触媒として用いるリパーゼ１をデシケーターで３時間減圧乾燥した。（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏエタノイルエステル：１００ｍｇと（Ｓ）－１－フェニルエタノールエタノイルエステル：１００ｍｇの混合物：０．５ｍｍｏｌとリパーゼ１：１０ｍｇを、無水ジエチルエーテル：１ｍＬとｐＨ＝７のリン酸緩衝溶液：２ｍＬの混合溶媒に溶解させ、４０℃で２１時間、下式（３０）に示す速度論的光学分割脱アセチル化反応を行った。
実施例４で使用した反応基質である混合物について、ＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＳ，ＥＳの各値を表３に示す。表３に示す各値ＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＳ，ＥＳからｅＭ，ＥＭ，Ｅｐｒｏ，１００％，Ｅｒｅａｃｔ，１００％を算出し、式（２２）、式（２４）で表されるそれぞれの検量線の傾き及び切片を決定し、検量線の方程式を得た。
次いで、脱アシル化反応後の反応液をＭｇＳＯ４でろ過し、ろ液をＧＣ－ＭＳで分析することで、Ｅｒｅａｃｔ、Ｅｐｒｏを測定した。Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を表３に示す。
次いで、Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を得られた検量線の方程式に代入し、未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表４に示す。
ここで、ｅｒｅａｃｔは未反応物に含まれている（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体の鏡像体過剰率であり、ｅｐｒｏは生成物に含まれている（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏの鏡像体過剰率である。
次いで、脱アシル化反応後の反応液をＭｇＳＯ４でろ過し、ろ液をＧＣ－ＭＳで分析することで、Ｅｒｅａｃｔ、Ｅｐｒｏを測定した。Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を表３に示す。
次いで、Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を得られた検量線の方程式に代入し、未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。算出結果を表４に示す。
ここで、ｅｒｅａｃｔは未反応物に含まれている（Ｓ）－１－フェニルエタノールのアシル保護体の鏡像体過剰率であり、ｅｐｒｏは生成物に含まれている（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏの鏡像体過剰率である。
図５は、実施例４において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図５中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアルコール（（Ｓ）－１－フェニルエタノール）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアシル保護体（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏエタノイルエステル）のマススペクトルである。
（実施例５）
アシル保護体として（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏトリデカノイルエステル及び（Ｓ）－１－フェニルエタノールトリデカノイルエステルを含む混合物を反応基質として使用した以外は、実施例４と同様にして未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。ＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＳ，ＥＳの各値；Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を表３に示し、鏡像体過剰率の算出結果を表４に示す。
図６は、実施例５において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図６中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアルコール（（Ｓ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアシル保護体（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏトリデカノイルエステル）のマススペクトルである。
アシル保護体として（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏトリデカノイルエステル及び（Ｓ）－１－フェニルエタノールトリデカノイルエステルを含む混合物を反応基質として使用した以外は、実施例４と同様にして未反応物に含まれているＲ体の鏡像体過剰率：ｅｒｅａｃｔ、生成物に含まれているＳ体の鏡像体過剰率：ｅｐｒｏを算出した。ＮＲ，ｅＲ，ＥＲ，ＮＳ，ｅＳ，ＥＳの各値；Ｅｒｅａｃｔ，Ｅｐｒｏの各測定値を表３に示し、鏡像体過剰率の算出結果を表４に示す。
図６は、実施例５において質量分析によって光学異性体の同位体濃縮度を測定した際のマススペクトルである。図６中、左側の図は、反応基質が化学反応した後の生成物に含まれるアルコール（（Ｓ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏ）のマススペクトルであり、右側の図は、反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれるアシル保護体（（Ｒ）－１－フェニルエタノール－１８Ｏトリデカノイルエステル）のマススペクトルである。
キラルカラムを用いた従来法による測定値を表５に示す。各実施例における鏡像体過剰率の測定値は、キラルカラムを用いた従来法による測定値と概ね一致した。
以上説明した実施例の結果から、本発明の鏡像体過剰率の測定方法によれば、反応基質が化学反応した後の生成物又は未反応物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率を正確に測定できることを確認した。
本発明は、創薬分野、有機化合物の不斉反応の分野における鏡像体過剰率の測定及び評価に適用できる。
Claims (4)
- 下記反応基質が化学反応した後の生成物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、
前記同位体濃縮度の測定値Ｅｐｒｏに基づいて、下記手順１～３に従って下記式（２２）から前記光学異性体の鏡像体過剰率ｅｐｒｏを算出する、鏡像体過剰率の測定方法。
反応基質：キラリティを有する化合物のＲ体と、前記化合物のＳ体とを含む混合物であり、かつ、前記Ｒ体及び前記Ｓ体のうち少なくとも前記Ｓ体が酸素の安定同位体で標識されていることにより、前記Ｒ体の分子量及び前記Ｓ体の分子量が互いに異なる。
＜手順１＞
まず、値が既知である、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｒ）の物質量であるＮＲ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｒ）のＲ体の鏡像体過剰率であるｅＲ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｒ）の同位体濃縮度であるＥＲ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｓ）の物質量であるＮＳ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｓ）のＳ体の鏡像体過剰率であるｅＳ、及び、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｓ）の同位体濃縮度であるＥＳを、
下記式（１５）～（１８）の各式に代入し、
前記反応基質中の同位体標識されたＲ体の物質量であるＮＲ（Ｌ）、
前記反応基質中の同位体標識されたＳ体の物質量であるＮＳ（Ｌ）、
前記反応基質中の同位体標識されていないＲ体の物質量であるＮＲ（Ｕ）、及び、
前記反応基質中の同位体標識されていないＳ体の物質量であるＮＳ（Ｕ）を得る。
ＮＲ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１５）
ＮＳ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１６）
ＮＲ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１７）
ＮＳ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１８）
＜手順２＞
次いで、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）の各値を下記式（１９）～（２１）に代入し、
前記反応基質である混合物の鏡像体過剰率であるｅＭ、
前記反応基質である混合物の同位体濃縮度であるＥＭ、及び、
前記ｅＭが１００％ｅｅとなったと仮定したときの、前記化学反応後の生成物に含まれている光学異性体（Ｓ体）の同位体濃縮度であるＥｐｒｏ，１００％を得る。
ｅＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＲ（Ｕ）－ＮＳ（Ｌ）－ＮＳ（Ｕ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（１９）
ＥＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＳ（Ｌ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（２０）
Ｅｐｒｏ，１００％＝ＮＳ（Ｌ）／（ＮＳ（Ｌ）＋ＮＳ（Ｕ）） ・・・式（２１）
得られたｅＭ、ＥＭ、及びＥｐｒｏ，１００％から、下記式（２２）で表される検量線の傾き及び切片を決定する。
＜手順３＞
続いて、前記質量分析によって得られた、測定対象の光学異性体の同位体濃縮度Ｅｐｒｏの測定値を下記式（２２）に代入することで、生成物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率ｅｐｒｏを算出する。
ｅｐｒｏ＝（ｅＭ－１００）／（ＥＭ－Ｅｐｒｏ，１００％）×Ｅｐｒｏ＋（ＥＭ×１００－Ｅｐｒｏ，１００％×ｅＭ）／（ＥＭ－Ｅｐｒｏ，１００％） ・・・式（２２） - 下記反応基質が化学反応した後の未反応物に含まれている光学異性体の同位体濃縮度を質量分析によって測定し、
前記同位体濃縮度の測定値Ｅｒｅａｃｔに基づいて、下記手順１～３に従って下記式（２４）から前記光学異性体の鏡像体過剰率ｅｒｅａｃｔを算出する、鏡像体過剰率の測定方法。
反応基質：キラリティを有する化合物のＲ体と、前記化合物のＳ体とを含む混合物であり、かつ、前記Ｒ体及び前記Ｓ体のうち少なくとも前記Ｒ体が酸素の安定同位体で標識されていることにより、前記Ｒ体の分子量及び前記Ｓ体の分子量が互いに異なる。
＜手順１＞
まず、値が既知である、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｒ）の物質量であるＮＲ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｒ）のＲ体の鏡像体過剰率であるｅＲ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｒ）の同位体濃縮度であるＥＲ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｓ）の物質量であるＮＳ、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｓ）のＳ体の鏡像体過剰率であるｅＳ、及び、
前記反応基質中のキラル異性体（Ｓ）の同位体濃縮度であるＥＳを、
下記式（１５）～（１８）の各式に代入し、
前記反応基質中の同位体標識されたＲ体の物質量であるＮＲ（Ｌ）、
前記反応基質中の同位体標識されたＳ体の物質量であるＮＳ（Ｌ）、
前記反応基質中の同位体標識されていないＲ体の物質量であるＮＲ（Ｕ）、及び、
前記反応基質中の同位体標識されていないＳ体の物質量であるＮＳ（Ｕ）を得る。
ＮＲ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１５）
ＮＳ（Ｌ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（ＥＳ／１００） ・・・式（１６）
ＮＲ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０＋ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０－ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１７）
ＮＳ（Ｕ）＝（ＮＲ／１００）×（５０－ｅＲ／２）×（１－ＥＲ／１００）＋（ＮＳ／１００）×（５０＋ｅＳ／２）×（１－ＥＳ／１００） ・・・式（１８）
＜手順２＞
次いで、ＮＲ（Ｌ），ＮＳ（Ｌ），ＮＲ（Ｕ），ＮＳ（Ｕ）の各値を下記式（１９）、下記式（２０）及び下記式（２３）に代入し、
前記反応基質である混合物の鏡像体過剰率であるｅＭ、
前記反応基質である混合物の同位体濃縮度であるＥＭ、及び、
前記ｅＭが１００％ｅｅとなったと仮定したときの、前記化学反応後の未反応物に含まれている光学異性体（Ｒ体）の同位体濃縮度であるＥｒｅａｃｔ，１００％を得る。
ｅＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＲ（Ｕ）－ＮＳ（Ｌ）－ＮＳ（Ｕ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（１９）
ＥＭ＝（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＳ（Ｌ））／（ＮＲ＋ＮＳ） ・・・式（２０）
Ｅｒｅａｃｔ，１００％＝ＮＲ（Ｌ）／（ＮＲ（Ｌ）＋ＮＲ（Ｕ）） ・・・式（２３）
得られたｅＭ、ＥＭ、及びＥｒｅａｃｔ，１００％から、下記式（２４）で表される検量線の傾き及び切片を決定する。
＜手順３＞
続いて、前記質量分析によって得られた、測定対象の光学異性体の同位体濃縮度Ｅｒｅａｃｔの測定値を下記式（２４）に代入することで、未反応物に含まれている光学異性体の鏡像体過剰率ｅｒｅａｃｔを算出する。
ｅｒｅａｃｔ＝（１００－ｅＭ）／（Ｅｒｅａｃｔ，１００％－ＥＭ）×Ｅｒｅａｃｔ＋（ＥＭ×１００－Ｅｒｅａｃｔ，１００％×ｅＭ）／（ＥＭ－Ｅｒｅａｃｔ，１００％） ・・・式（２４） - 前記Ｒ体が下式（１）で表される光学異性体であり、前記Ｓ体が下式（２）で表される光学異性体である、請求項１又は２に記載の鏡像体過剰率の測定方法。
- 前記反応基質が化学反応した後の生成物が、下式（３）で表される光学異性体と下式（４）で表される光学異性体とを含む、請求項１に記載の鏡像体過剰率の測定方法。
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