JP7348532B2 - 発光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
発光モジュール及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7348532B2 JP7348532B2 JP2020549473A JP2020549473A JP7348532B2 JP 7348532 B2 JP7348532 B2 JP 7348532B2 JP 2020549473 A JP2020549473 A JP 2020549473A JP 2020549473 A JP2020549473 A JP 2020549473A JP 7348532 B2 JP7348532 B2 JP 7348532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting module
- wiring board
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 26
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 14
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 13
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V5/00—Refractors for light sources
- F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/04—Optical design
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
- H01L2224/29191—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73217—Layer and HDI connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
- H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Description
さらに、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためにその内容を例示するものであって、本発明を以下の内容に限定するものではない。また、以下に記載されている構成要素の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲を、それのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。
<発光モジュール>
発光モジュール100は、例えば、液晶ディスプレイ装置に用いられるものである。発光モジュール100は、基板である配線基板20と、配線基板20の上面(一方の面)に貼り付けて設けられている複数枚の分割面発光体10と、を備えている。
以下に発光モジュール100の各構成要素について、詳述する。
分割面発光体10は、配線基板20の上面に隙間なく配設され、発光素子15からの光を光取出面から送り出すように構成されている。分割面発光体10は、例えば、4つの発光素子15を一組として平面視を矩形に形成され、矩形の長辺側での最大長さが30mm以下とすることが好適である。また、分割面発光体10は、配線部16と、配線部16上に配設される複数個の発光素子15と、発光素子15を封止する封止部11と、を有している。
ここで、図1Bに例示した分割面発光体10は、4つの発光素子15を含むものを3列×7行配置し発光モジュール100を構成している。ちなみに、発光モジュール100でモニターを構成する場合、200×300mm程度の大きさとなる。そのため、10mm角の分割面発光体10を用いた場合、600個の集合体となる。また、分割面発光体10に含まれる発光素子の間隔は、設計に依存するが、一般に1.0mm~10mmが用いられる。また、分割面発光体10は、複数の発光素子15を4列×4行配置する発光モジュールでもよい。発光素子の数を変えることで、4列×4行の16分割、6列×6行の36分割、8列×8行の64分割としてもよく、4列×3行の12分割、3列×5行の15分割、3列×7行の21分割などとしてもよい。
分割面発光体10は、隣り合う分割面発光体10と150μm以下の隙間を有することが好ましく、120μm以下であることがより好ましく、90μm以下がさらに好ましい。隙間を小さくすることで分割面発光体を均一に整列し易くすることができるからである。一方で、分割面発光体10は、隣り合う分割面発光体10と22μm以上、あるいは、28μm以上の隙間を有することが好ましい。所定の隙間を設けることで曲げ応力を緩和することができるからである。分割面発光体10は、透光性であれば良いが、ポリカーボネート樹脂が好ましい。
なお、分割面発光体10は、その厚みを、例えば、2mm以下0.3mm以上の厚みとなるように形成されることが好ましい。分割面発光体10は、厚いと発光モジュールの薄型化が実現できなくなり、また、薄すぎると光拡散が不十分で均一な面発光を得られない。
封止部11は、発光素子15を封止して覆うと共に、配線部16上を覆うように配置されている。封止部11は、面状の発光を行う部分であり、接着シート25(あるいは可撓性基材部23)に対面するように設けられている。また、封止部11は、発光素子15からの光を光取出し面側に向かって透過させる透光部13と、発光素子15からの光を光取出し面側に向かって反射させる反射部12とを備えている。透光部13は、反射部12が、配線部16から発光素子15の高さを超える位置にまで形成されていると共に、透光部13が、反射部12から発光素子15の発光側である表面側に至るまで形成されている。
反射部12は、発光素子15の支持を補強すると共に、光の取り出し効率を向上させるために発光素子15の側面部及び周縁部に設けられている。反射部12は、光反射性部材であることが好ましい。反射部12は、発光素子15から出射される光に対して60%以上の反射率を有し、好ましくは90%以上の反射率を有することが求められる。反射部12を光反射性部材から形成することで、発光素子15からの光を透光部13に効率よく反射して取り入れることができることになる。
光反射性部材の材料は、白色の顔料等を含有させた樹脂であることが好ましい。また、光反射性部材は、発光素子15を被覆する目的で比較的大量に用いられる材料であり、発光モジュール100のコストダウンを図るためには、安価な酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いることが好ましい。
反射部12は、発光素子15の光取出面に対面して設けられている素子透光部14の周囲に凹凸12aを形成している。この凹凸12aは、透光部13側に形成されているフレネル形状の溝部3Aに反射部12の光反射性樹脂が入り込んで形成される。凹凸12aは、発光素子15あるいは素子透光部14からの光を反射して発光モジュール100の光取出面側に送るように形成されている。凹凸12aは、ここでは、素子を中心に同心円状に形成され、発光素子15に近い側から遠くなるにしたがって大きな凸が位置するように形成されている。
透光部13は、発光素子15からの光を透過して外部に送りだす部材である。透光部13の上面は、発光モジュール100の光取出面を形成している。透光部13は、反射部12の上に連続して形成されると共に、発光素子15を覆うように形成されている。この透光部13には、発光素子15に対向する上方位置に、発光素子15の主発光面15a側から透光部13の上面側に向かって広がるように形成した凹状の光学機能部13aを有している。つまり、透光部13は、光学機能部13aの対向する下方に、発光素子15の主発光面15aが位置するように形成されている。光学機能部13aは、下方にある発光素子15側から送られてきた光を屈折あるいは反射させ、発光モジュール100の光取出面から均等な光が取り出せるように機能する。このように分割面発光体10は、平面視において発光素子15の直上に、発光素子15からの光を屈折あるいは反射する光学機能部13aを備えることが好ましい。
また、光学機能部13aは、逆円錐の凹みの内部に反射部材が配置されていることが好ましい。例えば、直線状又は曲線状(断面視)である傾斜面を有する凹みの表面に、光反射性の材料(例えば金属等の反射膜や酸化チタン等を含む白色の樹脂)等を設ける構成とすることができる。
なお、光学機能部13aは、透光部13にレンズ等の反射や拡散機能を有する部材を設けるなど、種々の構成により実現させることもできる。
透光部13の材料としては、アクリル、ポリカーボネート、環状ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル等の熱可塑性樹脂、エポキシ、シリコーン等の熱硬化性樹脂等の樹脂材料やガラス等の光学的に透明な材料を用いることができる。特に、熱可塑性の樹脂材料は、射出成型によって効率よく製造することができるため好ましく、透明性が高く、安価なポリカーボネートがさらに好ましい。
透光部13は単層で形成されていてもよく、複数の透光性の層が積層されて形成されていてもよい。複数の透光性の層が積層されている場合には、光をより拡散させやすくなり、輝度ムラを低減した発光モジュールとすることを目的として、任意の層間に屈折率の異なる層、例えば空気の層等を設けることが好適である。このような構成は、例えば、任意の複数の透光性の層の間にスペーサを設けて間を開けて、空気の層を設けることで実現可能となる。また、透光部13は、発光面側に酸化チタンなどから成る光拡散剤を必要量添加し、より広範囲に発光させることもできる。
発光モジュール100の光源である発光素子15は、例えば、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子である。発光素子15は、素子基板として透光性基板を備え、主に発光を取り出す主発光面15aと、主発光面15aに対向して反対側に配置され、電極形成面15bに設けられている一対の素子電極15cとを有している。なお、発光素子15は、主発光面15aに導光性部材を介して素子透光部14を接合したものを使用してもよい。一対の素子電極15cは後記する配線基板20と向き合うように配置され、配線部16及び配線基板20のビアホール20a内の導電性部材28を介して、配線基板20の導体部22と電気的に接続されている。発光素子15と、透光部13と、の間は、素子透光部14を有することが好ましい。素子透光部14は、発光素子15からの光を波長変換する波長変換部材が含有されていることが好ましい。波長変換部材として、例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce)、ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO-Al2O3-SiO2)、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)2SiO4)、βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体;KSF系蛍光体(K2SiF6:Mn)、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置(例えば白色系の発光装置)を製造することができる。
半導体積層構造の半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。このほか、半導体材料としては、InAlGaAs系半導体、InAlGaP系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。
一対の素子電極15cは、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。
素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。
発光素子15は、形状及び寸法(縦、横並びに高さ)に制限はないが、平面視において長方形又は正方形の発光素子を用いることが好ましい。但し、使用される液晶ディスプレイ装置のローカルディミングを行った際に、高精細な映像を実現するために、縦及び横の寸法が1000μm以下(平面視)の半導体発光素子を用いることが好ましい。また、高精細な映像を実現するためには、より好ましくは、縦及び横の寸法が500μm以下であり、さらに好ましくは、縦及び横の寸法が200μm以下の発光素子15を用いることになる。
発光素子15には、公知の半導体発光素子を利用することができ、その目的に応じて、使用する発光素子の組成、発光色、大きさ、個数等も適宜、選択が可能である。発光素子15は、青色光や白色光の単色光を出射する光源を用いること、又は、複数の異なる色光を発する発光素子を用い、各色光(例えば、赤色、青色、緑色の各光)を混合して白色光を出射することができる。
複数の発光素子15は、それぞれが独立で駆動するように配線されてもよい。また、複数の発光素子15を1つのグループとし、その1つのグループ内の複数の発光素子15同士を直列又は並列に電気的に接続することで同じ回路に接続し、このような発光素子グループを複数備えるようにしてもよい。このようなグループ分けを行うことで、ローカルディミング可能な発光モジュールとすることができることになる。
透光部13の配線基板20側における下面には、複数の発光素子15の素子電極15cと電気的に接続される配線部16が設けられており、液晶ディスプレイ装置等に適用した場合に必要な回路を容易に形成することができるようになっている。配線部16は、所定の配線パターンで形成されており、例えばニッケル、金をスパッタリングしレーザやリフトオフ法で配線形成を行う。また、スクリーン印刷法を用いて導電性ペーストを印刷し硬化処理することにより形成する事も可能である。そして、導電性ペーストは、例えば、銀、銅、ニッケル、錫、亜鉛、チタンなどを単一もしくは複数含む金属フィラーと、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂や必要に応じて溶剤を含むものを用いることができる。また、導電性ペーストの硬化温度は、透光部13の耐熱性を考慮し130℃以下、より好ましくは110℃以下で硬化する材料を用いることが望ましい。これらの配線の抵抗値は低い程好適で、1.0×10-4Ω・cm以下の材料を用いることが望ましい。また配線の厚みは20μm以下、好ましくは10μm以下の厚みとすることで薄型の発光モジュールを得ることができる。また、配線部16は、高い熱伝導性を有する公知の導電性材料を使用することができる。
配線基板20(基板)は、発光素子15を接合する側と反対側(図1Aの下側)から、絶縁性基材部21と、絶縁性基材部21と接合する導体部22と、導体部22と接合する可撓性基材部23と、可撓性基材部23と接合する接着シート25とを備え、各部が積層されている構造となっている。そのため、配線基板20は、可撓性を有する。配線基板20の厚みは、分割面発光体10の厚みに対して、0.01倍以上0.25倍以下であることが好ましい。
なお、配線基板20は、予め上記の各部分を貼着した複合材料を用いるものであってもよく、適時において各部材を貼り合わせて形成するものであってもよい。
導体部22は、配線部16と同様に、高い熱伝導性を有していることが好ましく、5μm~50μm程度の厚さの厚膜状である銅又は銅箔等の公知の導電性材料を使用することができる。そして、メッキ又は導電性ペーストの塗布、印刷などで形成することが可能となっている。
可撓性基材部23は、柔軟性を有し、弱い力で繰り返し変形させることが可能である特性を備える必要がある。可撓性基材部23は、例えば、弾性率が10GPa以下の低弾性のポリイミドフィルムが望ましいが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、シリコーン樹脂等も用いる事が出来る。さらに、ポリエステルフィルム樹脂等、柔軟性あり耐熱性のある材料であれば、これに限定されるものではない。
接着シート25(ボンディングシート)は、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系、イミド系、シリコーン系材料やこれらを複合しシート化したもので20μm~150μmの厚みの材料が好適である。また接着シート25の厚みは、分割面発光体10の厚みに対して、0.05倍以上0.25倍以下であることが好ましい。また、接着シート25は、発光モジュールの材料構成の自由度を上げるために接着シートの硬化温度は80℃~130℃が望ましく、さらに弾性率は5GPa以下の低弾性の材料が好適である。
なお、柔軟性を必要としない部分、又は、所定の強度を要する部分は、樹脂等の板材を接着等することにより補強されるものであってもよい。
さらに、配線基板20における所定位置には、厚さ方向において、複数のビアホール20aが穿設されている。このビアホール20a内に充填された金属等の導電性部材28により、分割面発光体10の配線部16と、配線基板20の導体部22とは、電気的に接続されており、この構造により、配線基板20と複数の各発光素子15とは電気的に接続されている。
導電性部材28は、例えば銀、銅、ニッケル、錫、亜鉛、チタンなどを単一もしくは複数含む金属フィラーと、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂や必要に応じて溶剤を含む材料を用いることができる。また、導電性部材28は、無溶剤の導電性ペーストを用いることにより、ビアホール20a内の気泡発生を抑制し低抵抗で安定した接続を得ることができる。また、導電性ペーストの硬化温度は、透光部13の耐熱性を考慮し130℃以下、より好ましくは110℃以下で硬化する材料を用いることが望ましい。さらに、ビアホール20aは、配線部16との接続信頼性の向上のため配線基板20に隣り合わせで複数個形成することが望ましい。
さらに、発光モジュール100に形成した凹凸12aは、発光素子15の主発光面15a側に、フレネル形状の溝部3Aを形成し、当該溝部3Aに光反射性樹脂が充填されることで形成されることにより、効果的に光を拡散させ、輝度ムラを低減させることが可能となる。また、発光モジュール100は、面発光体の反りを最小限に抑えることができるため、発光素子の光軸がずれることなく所定の方向に高品位に発光させることができる。
[第1実施形態]
続いて、発光モジュールの製造方法について、図3、図4、図5A乃至図5Hを参照して説明する。図3は、第1実施形態に係る分割面発光体の製造方法を示すフローチャートである。図4は、第1実施形態に係る発光モジュールで用いる分割面発光体の全体及び分割した状態を模式的に示す説明図である。図5Aは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における基板準備工程を示す断面図である。図5Bは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における貫通孔穿設工程を示す断面図である。図5Cは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における電気的接続準備工程の第1ステップを示す断面図である。図5Dは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における電気的接続準備工程の第2ステップを示す断面図である。図5Eは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における分割面発光体設置工程及び電気的接続工程を示す断面図である。図5Fは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における硬化工程の第1ステップを示す断面図である。図5Gは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における硬化工程の第2ステップを示す断面図である。図5Hは、第1実施形態に係る発光モジュールの製造方法における絶縁性樹脂印刷工程を示す断面図である。
図5Aに示すように、基板準備工程(S11-1)は、配線基板20を、分割面発光体準備工程(S11-2)は、分割面発光体10を、それぞれ製造し、準備するための工程であり、順不同若しくは並行して行うことができる。
基板準備工程(S11-1)は、絶縁性基材部21と、導体部22と、可撓性基材部23と、接着シート25とを貼り合わせた配線基板20を製造する工程である。基板準備工程(S11-1)では、絶縁性基材部21は、導体部22の全面に設けられた後に、所定の箇所を残して他の部分が除去されるように形成されるか、あるいは、マスクを用いて所定のパターン形状に形成される。なお、ここでは、配線基板20は、接着シート25の上面にセパレータ27を設けるように形成されている。セパレータ27は、後記する工程において、除去されるもので、一時的に設けられている。
貫通孔穿設工程(S12)は、図5Bに示すように、準備された配線基板20の厚さ方向において、所定位置にビアホール20a(貫通孔)を穿設する工程である。ビアホール20aは、パンチング、NCドリル、レーザなどから適時選ばれた工法を用いて形成される。ビアホール20aの孔径は、発光素子15の形状、密度にも依存するが一般的には100μm~1000μmである。ビアホール20aは、接続信頼性、装置の小型化の観点から250μm~600μmの孔径がより好ましい。さらに、パンチングやレーザを用いる場合、ビアホール20aの形状は円形に限定されるものでは無く、必要に応じて矩形、長円形などの形状にしても良い。なお、絶縁性基材部21におけるビアホール20aに対応する箇所には、ビアホール20aの孔径より幅広となるように、予め開口部21aが形成されている。なお、ビアホール20aを穿設した後には、穿設時に発生する削りかすを除去するために、洗浄工程を行うことが望ましい。分割面発光体10は、配線基板20の対面に配線部16を有し、配線基板20は、ビアホール20a(貫通孔)を有し、配線基板20は、貫通孔内に導電性部材が配置されており、配線部16は、導電性部材28を介して、導体部22と電気的に接続されていることが好ましい。
電気的接続準備工程(S13)は、図5Cに示すように、ビアホール20aに、電極用であるペースト状等の導電性部材28を充填等することにより、導電性部材28を設ける工程である。導電性部材28の充填には、例えば、スクリーン版やメタルマスクを用いて印刷することができる。本工程では、セパレータ27上にペースト状の導電性部材26を配置しスキージングにより充填することもできる。ビアホール20aに、導電性部材28を充填した後に、配線基板20の表層から突出した余剰部分は切除され、表層部と同一平面となるようにスクレッパー等でフラットに形成することが望ましい(図5D参照)。
分割面発光体設置工程(S14)は、図5Eに示すように、配線基板20の接着シート25上に、分割面発光体設置工程により製造した分割面発光体10を配置し、接着する工程である。本工程では、接着シート25の上面に設けたセパレータ27を剥離し、隣接する分割面発光体10の間隙が100μm以下となるように、各分割面発光体10を整列するように配置する工程である。なお、本工程で形成された複数の分割面発光体10と配線基板20から構成される構造体は、説明の便宜上、板状構造体Kという。
硬化工程(S16)は、図5F及び図5Gに示すように、分割面発光体設置工程(S14)で形成された板状構造体Kに対し、熱盤50により上下面を押圧加熱して硬化させ、一体化する工程である。押圧する際は、板状構造体Kの表面を保護するためにクッション材51を用いることができる。クッション材51は、低弾性のフィルムを用い、表面にシリコーン系、テフロン(登録商標)系などの離型処理を施した材料を用い、板状構造体Kの保護をすることが望ましい。本工程により接着シート25が硬化し各部材の接着をする。また、同時にビアホール20aの導電性部材28が硬化し所定の抵抗値でビア接続をすることができる。硬化工程(S16)において、加熱温度は、使用する材料等により適切に定めることができるが、100℃~130℃程度とすることが、透光部13の材料の選択肢を広げ、反りを抑制する観点からも望ましい。また、硬化工程(S16)において、加熱時間も適切に定めることができるが、加熱による分割面発光体10の反りを効果的に抑制するためには、加熱後の板状構造体Kの温度が、例えば、50℃以下、あるいは、30℃以下となるまで、押圧状態を継続することが好ましい。また、硬化工程(S16)では、加熱すると共に所定の圧力で加圧するようにしてもよい。例えば、上下面を押圧する圧力は0.1MPaから1MPaで、押圧時の保持温度は100℃以上130℃以下である。
絶縁性樹脂印刷工程(S17)は、配線基板20の絶縁性基材部21における開口部21aを塞ぐように、絶縁性樹脂部29を印刷する工程である。なお、絶縁性樹脂部29は、上部の絶縁性基材21の一部を覆うように形成されてもよい。また用いる絶縁樹脂は、一般的なエポキシ、アクリル、ウレタン樹脂などの熱硬化タイプ、UV硬化タイプの材樹脂を用いることが出来る。
以上の各工程により、発光モジュール100を得ることができる。
また、分割面発光体設置工程S14で形成された板状構造体Kに対し、上下面を押圧加熱して硬化させて一体化するに際し、加熱後の板状構造体Kの温度が50℃以下、あるいは、30℃以下となるまで押圧状態を継続することにより、分割面発光体10の変形を拘束し、反りの発生を低減可能となる。
したがって、上記の各効果により、高品質の発光モジュール100を製造することができる。
つぎに、発光モジュールの製造方法において、第2実施形態として図6、図7A乃至図7Dを参照して説明する。図6は、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法のフローチャートである。図7Aは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法における貫通孔穿設工程を示す断面図である。図7Bは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法における分割面発光体設置工程を示す断面図である。図7Cは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法における硬化工程を示す断面図である。図7Dは、第2実施形態に係る発光モジュールの製造方法における絶縁性樹脂印刷工程を示す断面図である。
なお、第2実施形態における発光モジュールの製造方法では、第1実施形態の製造方法において電気的接続準備工程を行わない方法である点で異なっている。
図7Aに示すように、(a)基板準備工程(S21-1)及び分割面発光体準備工程(S21-2)と、(b)貫通孔穿設工程(S22)(図7A)とは、第1実施形態における製造方法の場合と同様である。
分割面発光体設置工程(S23)は、図7Bに示すように、配線基板20の接着シート25上に、分割面発光体設置工程S23により製造した分割面発光体10を配置する工程である。配線基板20におけるビアホール20aに導電性部材28が設けられていない状態で、分割面発光体10を設置することになる点以外は、第1実施形態の製造方法と同様である。
電気的接続工程(S24)は、図7Cに示すように、ビアホール20aに導電性部材28を充填して、分割面発光体10の配線部16と配線基板20の導体部22とを電気的に接続する工程である。
なお、電気的接続工程S24の後に、配線基板20の絶縁性基材部21における開口部21aの部位において、導電性部材28が、ビアホール20aの孔径よりも大径となるように外部接続部28aを形成する点は、第1実施形態の製造方法と同様である。
絶縁性樹脂印刷工程(S26)(図7D参照)においては、導電性部材28をビアホール20aに充填する際、気泡を抑制し安定な接続を行うために、真空装置内で印刷を行うことが有効である。真空装置の真空度は、0.001MPa以下が望ましい。また、印刷後、気泡を無くすため加圧容器内にて加圧して予備硬化することも可能である。この際の加圧条件は、0.2MPa~1MPaにて50℃~80℃で処理することが好ましい。
実施例1乃至実施例3、及び、参考例1乃至参考例4の発光装置の反り量を測定した。
実施例1乃至実施例3、及び、参考例1乃至参考例4では、分割面発光体同士の間隔を表1のように行った際の反り量を測定した。分割面発光体は10列×14行の発光素子を配列したものである。分割面発光体の大きさは、約20mm×22mmである。そして、分割面発光体を配置して形成した発光モジュールの外形サイズは約200X300mmである。反り量は、分割発光体の厚みに対し最大の反り量を測定した。なお、反り量は、マイクロメーターにて高さを測定した。具体的には、マイクロメーターを用いて、分割面発光体の中心に対して、(端部の)最も高い位置を測定した。
硬化工程において、加熱後の板状構造体の解放温度と反り量の測定を行った。板状構造体に対し、上下面を押圧加熱して硬化させる硬化工程において、加熱後の板状構造体の所定の温度になった後、解放する。その結果を表2に示す。
K 板状構造体
H 面状の発光体
10 分割面発光体
11 封止部
12 反射部
12a 凹凸
13 透光部
13a 光学機能部
15 発光素子
15a 主発光面
15b 電極形成面
15c 電極
16 配線部
20 配線基板(基板)
20a ビアホール(貫通孔)
21 絶縁性基材部
21a 開口部
22 導体部
23 可撓性基材部
25 接着シート
27 セパレータ
28 導電性部材
28a 外部接続部
29 絶縁性樹脂部
50 熱盤
Claims (18)
- 配線基板と、前記配線基板の一面に設置され互いに隣接して設けられている複数の分割面発光体と、を備え、
前記配線基板は、絶縁性基材部と、前記絶縁性基材部と接合する導体部と、前記導体部と接合する可撓性基材部と、が積層されており、
前記分割面発光体は、配線部と、前記配線部上に配設される複数個の発光素子と、前記発光素子を封止すると共に前記配線部上を覆うように配置されている封止部と、を有し、
前記封止部は、前記発光素子からの光を光取出し面側に向かって透過させる透光部と、前記発光素子からの光を前記光取出し面側に向かって反射させる反射部と、を有し、
前記反射部と前記透光部との接合面は、前記発光素子からの光を拡散させる凹凸が形成されており、
前記透光部は、前記光取出し面側と反対側の前記発光素子側の面に、前記凹凸であるフレネル形状の溝部を有し、前記溝部に光反射性樹脂が充填され形成された前記反射部を有する発光モジュール。 - 前記封止部は、前記配線部から前記発光素子の高さを超える位置まで形成される前記反射部と、前記反射部から表面まで形成される前記透光部と、から形成される請求項1に記載の発光モジュール。
- 前記発光素子と、前記透光部と、の間には、素子透光部を有する請求項1又は請求項2に記載の発光モジュール。
- 前記絶縁性基材部は、複数の層からなる請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記分割面発光体は、平面視において前記発光素子の直上に、前記発光素子からの光を反射する光学機能部を備える請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記光学機能部は、逆円錐の凹みである請求項5に記載の発光モジュール。
- 前記光学機能部は、前記逆円錐の凹みの内部に反射部材が配置されている請求項6に記載の発光モジュール。
- 前記配線基板は、可撓性を有する請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記配線基板の厚みは、前記分割面発光体の厚みに対して、0.01倍以上0.25倍以下である請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記分割面発光体は、前記配線基板の対面に前記配線部を有し、
前記配線基板は、貫通孔を有し、
前記配線基板は、前記貫通孔内に導電性部材が配置されており、
前記配線部は、前記導電性部材を介して、前記導体部と電気的に接続されている請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光モジュール。 - 前記素子透光部は、前記発光素子からの光を波長変換する波長変換部材が含有されている請求項3に記載の発光モジュール。
- 前記分割面発光体は、隣り合う前記分割面発光体と150μm以下の隙間を有する請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記分割面発光体は、隣り合う前記分割面発光体と22μm以上150μm以下の隙間を有する請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記配線基板と、前記分割面発光体と、は、可撓性基材部を有する接着シートで接着されている請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記分割面発光体は、ポリカーボネート樹脂であり、
前記接着シートは、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂から選ばれる少なくとも1種であり、
前記可撓性基材部は、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、シリコーン樹脂から選ばれる少なくとも1種である請求項14に記載の発光モジュール。 - 配線基板と、前記配線基板の一面に設置され互いに隣接して設けられている複数の分割面発光体と、を備え、前記配線基板は、絶縁性基材部と、前記絶縁性基材部と接合する導体部と、前記導体部と接合する可撓性基材部と、が積層されており、前記分割面発光体は、配線部と、前記配線部上に配設される複数個の発光素子と、前記発光素子を封止すると共に前記配線部上を覆うように配置されている封止部と、を有し、前記封止部は、前記発光素子からの光を光取出し面側に向かって透過させる透光部と、前記発光素子からの光を前記光取出し面側に向かって反射させる反射部と、を有し、前記反射部と前記透光部との接合面は、前記発光素子からの光を拡散させる凹凸が形成されており、前記透光部は、前記光取出し面側と反対側の前記発光素子側の面に、前記凹凸であるフレネル形状の溝部を有し、前記溝部に光反射性樹脂が充填され形成された前記反射部を有する発光モジュールの製造方法であって、
絶縁性基材部と、導体部と、可撓性基材部と、が貼り合わされている配線基板を準備する工程と、
配線部と、前記配線部上に配設されている複数個の発光素子と、前記発光素子を封止する封止部と、を備え、前記発光素子を複数個含むように分割されている分割面発光体を準備する工程と、
前記配線基板の厚さ方向において、所定位置に貫通孔を穿設する貫通穴穿設工程と、
前記配線基板の前記絶縁性基材部上に、複数枚の前記分割面発光体を配置して、板状構造体を形成する分割面発光体設置工程と、
前記貫通孔を介して、前記分割面発光体の前記配線部と前記配線基板の前記導体部とを電気的に接続する電気的接続工程と、
前記板状構造体に対し、上下面を押圧加熱して硬化させる硬化工程と、を含む発光モジュールの製造方法。 - 前記硬化工程において、加熱後の板状構造体の温度が50℃以下となるまで、押圧状態を継続する請求項16に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記硬化工程において、上下面を押圧する圧力は0.1MPaから1MPaで、押圧時の保持温度は100℃以上130℃以下である請求項16又は請求項17に記載の発光モジュールの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018185819 | 2018-09-28 | ||
JP2018185819 | 2018-09-28 | ||
PCT/JP2019/038337 WO2020067495A1 (ja) | 2018-09-28 | 2019-09-27 | 発光モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020067495A1 JPWO2020067495A1 (ja) | 2021-09-24 |
JP7348532B2 true JP7348532B2 (ja) | 2023-09-21 |
Family
ID=69953096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020549473A Active JP7348532B2 (ja) | 2018-09-28 | 2019-09-27 | 発光モジュール及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220037567A1 (ja) |
JP (1) | JP7348532B2 (ja) |
CN (1) | CN112740427A (ja) |
WO (1) | WO2020067495A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102477178B1 (ko) * | 2019-01-31 | 2022-12-13 | 엘지전자 주식회사 | 백 라이트 유닛 및 그를 갖는 디스플레이 디바이스 |
US20210399041A1 (en) * | 2020-06-18 | 2021-12-23 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting module having a plurality of unit pixels, method of fabricating the same, and displaying apparatus having the same |
JP7239839B2 (ja) | 2020-08-31 | 2023-03-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018018918A (ja) | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018133304A (ja) | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1213756A3 (en) * | 1994-03-18 | 2005-05-25 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package |
TW569476B (en) * | 2001-11-16 | 2004-01-01 | Toyoda Gosei Kk | Light emitting diode, LED lighting module, and lamp apparatus |
JP4504662B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2010-07-14 | シチズン電子株式会社 | Ledランプ |
JP2008251618A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
CN201795419U (zh) * | 2010-06-11 | 2011-04-13 | 合肥超维微电子科技有限公司 | Led均光闪光信号灯 |
KR101766299B1 (ko) * | 2011-01-20 | 2017-08-08 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
JP6293995B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2018-03-14 | 新光電気工業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法、並びに発光素子パッケージ |
CN103511935B (zh) * | 2012-06-08 | 2016-05-04 | 日立空调·家用电器株式会社 | 照明装置 |
JP6244130B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-12-06 | 新光電気工業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ |
TWM495626U (zh) * | 2014-07-31 | 2015-02-11 | Prolight Opto Technology Corp | 具透光平板之發光裝置 |
WO2016039593A1 (ko) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자의 제조 방법 |
JP6483800B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-03-13 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ、発光装置および発光モジュール |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
EP3800673A1 (en) * | 2015-11-30 | 2021-04-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
CN207529081U (zh) * | 2017-09-30 | 2018-06-22 | 维沃移动通信有限公司 | 一种闪光灯模组和移动终端 |
-
2019
- 2019-09-27 JP JP2020549473A patent/JP7348532B2/ja active Active
- 2019-09-27 CN CN201980062372.8A patent/CN112740427A/zh active Pending
- 2019-09-27 US US17/280,047 patent/US20220037567A1/en active Pending
- 2019-09-27 WO PCT/JP2019/038337 patent/WO2020067495A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018018918A (ja) | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018133304A (ja) | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020067495A1 (ja) | 2021-09-24 |
CN112740427A (zh) | 2021-04-30 |
US20220037567A1 (en) | 2022-02-03 |
WO2020067495A1 (ja) | 2020-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11791324B2 (en) | Light emitting device | |
JP6658723B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7456858B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP6519311B2 (ja) | 発光装置 | |
US11073654B2 (en) | Light emitting module with recesses in light guide plate | |
JP2018107257A (ja) | 発光装置 | |
JP7348532B2 (ja) | 発光モジュール及びその製造方法 | |
JP5648422B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2012099544A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
TWI784376B (zh) | 發光裝置以及液晶顯示裝置 | |
JP2013012544A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
TWI767942B (zh) | 線狀發光裝置之製造方法及線狀發光裝置 | |
JP7108203B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
KR20120107847A (ko) | 발광장치, 그 제조방법 및 조명장치 | |
JP7116331B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
JP6460189B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7208470B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
JP5996022B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7111993B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
US11536892B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting module | |
JP2015092622A (ja) | 発光装置 | |
JP6784244B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7177336B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7140987B2 (ja) | 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 | |
US11581460B2 (en) | Light emitting module and method for manufacturing light emitting module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230821 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7348532 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |