JP7346137B2 - モジュール、モジュールの製造方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、 モジュール、モジュールの製造方法および電子機器に関する。

電子機器の一例であるデジタルカメラやカメラ内蔵のスマートフォンなどの撮像装置は、イメージセンサなどの電子部品がプリント配線板に実装された撮像モジュールを備えている。撮像装置の小型化及び高性能化に伴い、電子部品も小型化及び高性能化している。撮像装置に用いられる電子部品は、小型化が可能であり、かつ多数の端子を配列可能な、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＬＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）等の半導体パッケージが採用されている。これらの電子部品は端子となるランドが底面に配置され、リード端子が不要となるため、撮像モジュールを小型にできる。

電子部品の高性能化に伴い、電子部品の動作時の発熱量が増加している。電子部品のランドとプリント配線板のランドは、はんだで接合されているが、電子部品の動作時の発熱により、電子部品が熱膨張により変形した結果、はんだに応力がかかり、はんだが断線することがあった。また、はんだには熱に対する耐性のみならず、落下衝撃に対する耐性も求められている。

特許文献１には、はんだ粉末と熱硬化性樹脂を含むペーストを用いて電子部品をプリント配線板に実装する製造方法が記載されている。この種のペーストは、はんだ融点以上に加熱することではんだと未硬化の熱硬化性樹脂に分離される。未硬化の熱硬化性樹脂は、はんだの周囲に分離され、加熱による硬化反応によって硬化する。硬化した樹脂がはんだを覆うことで、はんだにかかる応力を分散させ、はんだの断線を抑制することができる。

国際公開２０１４－０２４３３８号パンフレット

特許文献１に開示された製造方法は、はんだを溶融させるとともに熱硬化性樹脂を硬化させる工程を有する。そのため、はんだペースト中のはんだ粉末を溶融すると、はんだペーストに含まれるフラックスにより、はんだ粉末を覆う酸化膜が還元・除去され、はんだが凝集するとともに、二酸化炭素等のガスが発生する。発生したガスは溶融中のはんだ中でボイドとなり、はんだから外気中に抜けようとする。ところが、はんだの周囲には既に硬化が始まった熱硬化性樹脂が存在するため、ボイドは容易に抜けずに膨張する。そして、膨張したボイドは硬化された熱硬化性樹脂の薄い箇所を突き破り外気中に抜ける。その際に溶融されたはんだも流れ出て、隣接するはんだと接触し、はんだどうしが短絡する接合不良が生じてしまうという課題があった。

上記課題を解決するためのモジュールは、第１ランドを含む複数のランドが設けられた配線板と、第２ランドを含む複数のランドが設けられた電子部品と、前記第１ランドと前記第２ランドを接合し、空隙部を内包するはんだと、前記配線板の複数のランドの間と、前記電子部品の複数のランドの間と、を接合する熱硬化性樹脂と、を備えるモジュールであって、前記空隙部の面積は、５［面積％］以上５０［面積％］以下であることを特徴とする。

上記課題を解決するためのモジュールの製造方法は、第１ランドを含む複数のランドが設けられた配線板と、第２ランドを含む複数のランドが設けられた電子部品と、前記第１ランドと前記第２ランドを接合するはんだと、前記配線板の複数のランドの間と、前記電子部品の複数のランドとの間と、を接合する熱硬化性樹脂と、を備えるモジュールの製造方法であって、前記第１ランドの上に、はんだ粉末および熱硬化性樹脂を含有するはんだペーストを載置する工程と、前記第２ランドが前記第１ランドの上に位置するように、前記電子部品を前記配線板の上に載置する工程と、前記はんだペーストを、前記はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高いピーク温度Ｔ_Ｐまで加熱し、前記はんだ粉末を溶融させるとともに、前記はんだペーストから前記熱硬化性樹脂を分離する工程と、前記ピーク温度Ｔ_Ｐから前記はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍ未満に冷却し、前記熱硬化性樹脂が硬化する前に前記はんだを凝固させ、前記はんだの内部に空隙部を形成する工程と、を備え、前記はんだ粉末の融点Ｔ _Ｍ から前記ピーク温度Ｔ _Ｐ まで加熱する時間が、前記ピーク温度Ｔ _ｐ から前記はんだ粉末の融点Ｔ _Ｍ まで冷却する時間より長いことを特徴とする。

本発明によれば、製造プロセス中に発生するガスをはんだの中に適量閉じ込め、はんだに空隙部を形成させる。そのため、製造プロセス中に発生するガスが熱硬化性樹脂に拡散しないため、はんだ同士が短絡しないモジュールを提供することができる。また、はんだに適量の空隙部を有するため、熱に対する耐性と落下衝撃に対する耐性とを両立可能なモジュールを提供することができる。

本発明の電子機器の一実施態様を示す概略図である。 本発明の撮像モジュールの一実施態様を示す概略図である。 本発明の撮像モジュールの製造方法の一実施態様を示す概略図である。 本発明の撮像モジュールの製造方法の一実施態様における温度プロファイルを示すグラフである。 本発明の撮像モジュールの製造方法の一実施態様における熱硬化性樹脂の硬化率のプロファイルを示すグラフである。

（電子機器、撮像モジュール）
図１は、本発明の電子機器の一例として撮像装置であるデジタルカメラを説明する概略図である。

撮像装置であるデジタルカメラ６００は、レンズ交換式のデジタルカメラであり、カメラ本体６０１を備える。レンズを含むレンズユニット（レンズ鏡筒）６０２が着脱可能となっている。カメラ本体６０１は、筐体６１１と、筐体内に設けられた撮像モジュール３００と、プリント回路板７００と、を備えている。撮像モジュール３００とプリント回路板７００とはケーブル９５０で電気的に接続されている。

撮像モジュール３００は、電子部品１０５の一例であるイメージセンサ（撮像素子）が搭載された半導体パッケージと、電子部品１０５が実装されるプリント配線板１００と、を有する。プリント回路板７００は、電子部品の一例である画像処理装置８００と、画像処理装置８００が実装されるプリント配線板９００と、を有する。

イメージセンサ（撮像素子）は、例えばＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ又はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサである。イメージセンサは、レンズユニット６０２を介して入射した光を電気信号に変換する機能を有する。

画像処理装置８００は、例えばデジタルシグナルプロセッサである。画像処理装置８００は、イメージセンサから電気信号を取得し、取得した電気信号を補正する処理を行い、画像データを生成する機能を有する。

図２は、本発明の撮像モジュールの一実施態様を示す概略図であり、図２（ａ）は上面から透過観察した投影図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ－Ａ´線で切断した際の断面図である。

撮像モジュール３００は、電子部品１０５と、電子部品１０５が実装されるプリント配線板１００と、を有する。電子部品１０５とプリント配線板１００は、はんだ１０９および熱硬化性樹脂１１０で接合されている。

電子部品１０５は、ＬＧＡのパッケージである。電子部品１０５は、撮像素子１１１と、撮像素子１１１が実装されたパッケージ基板１１２と、を有する。パッケージ基板１１２は、絶縁基板１１３と、絶縁基板１１３の第２面２００１に配置された複数の第２ランドであるランド１１６とを有する。撮像素子１１１は、絶縁基板１１３の第２面２００１とは反対側の面２００２に配置されている。ランド１１６は、導電性を有する金属、例えば銅で形成された電極であり、例えば信号電極、電源電極、グラウンド電極、又はダミー電極である。絶縁基板１１３は、例えばアルミナ等のセラミックで形成されたセラミック基板である。電子部品１０５は、例えば、第２面２００１の面積が９００［ｍｍ^２］以上と比較的大きな電子部品である。なお、電子部品１０５はＢＧＡのパッケージであってもよい。

プリント配線板１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１の第１面１００１に配置された複数の第１ランドであるランド１０２と、を有する。ランド１０２は、導電性を有する金属、例えば銅で形成された電極であり、例えば信号電極、電源電極、グラウンド電極、又はダミー電極である。絶縁基板１０１は、エポキシ樹脂等の絶縁材料で形成されているリジッド基板である。

プリント配線板１００の第１面１００１上には、ソルダーレジスト１０３が設けられている。ソルダーレジスト１０３には、ランド１０２に対応する位置に開口が形成されている。プリント配線板１００の第１面１００１と、絶縁基板１１３の第２面２００１は互いに対向している。

ランド１１６とランド１０２とは、はんだ１０９で電気的及び機械的に接続されている。ランド１０２は、ソルダーレジスト１０３の開口を通じてはんだ１０９でランド１１６に接合されている。

はんだ１０９は、空隙部２００を備える。つまり、はんだ１０９はボイドを内包している。はんだ１０９に占める空隙部２００の面積割合は、Ｘ線を用いて撮像モジュール３００を電子部品１０５側から透過観察した際に、はんだ１０９の総面積に対して５［面積％］以上５０［面積％］以下である。空隙部２００の割合を上記範囲にすることによって、はんだ１０９は落下衝撃に対する耐性を良好にすることができる。空隙部２００はガス雰囲気であるため、空隙部２００の弾性率は０．３［ＭＰａ］と、はんだ１０９の弾性率３３［ＧＰａ］より４桁小さい。そのため、はんだ１０９はボイドを５［面積％］以上内包していると、はんだ１０９の空隙部２００と接する内壁面は変形しやすくなる。そのため、落下衝撃のように外部応力が加わっても、はんだ１０９の内壁面で外部応力が吸収され、はんだ１０９に亀裂が発生しにくい。一方、空隙部２００がはんだ１０９の総面積に対して５０［面積％］より多く存在すると、ランド１１６とランド１０２が機械的および／又は電気的な接続不良が生じてしまう。好ましい空隙部２００の割合は、はんだ１０９の総面積に対して５［面積％］以上２５［面積％］以下である。

また、Ｘ線を用いて撮像モジュール３００を電子部品側から透過観察した際に、空隙部２００の最大長さＬｖは、はんだ１０９の最大長さＬｓに対して５０［％］以下の範囲であることが好ましい。つまり、空隙部２００の最大長さＬｖと、はんだ１０９の最大長さＬｓとは、Ｌｖ／Ｌｓ≦５０［％］の関係を満たしていることが好ましい。空隙部２００の最大長さＬｖが、はんだ１０９の最大長さＬｓの５０［％］より大きくなると、ランド１１６とランド１０２が機械的および／又は電気的な接続不良が生じるおそれがある。また、空隙部２００の最大長さＬｖが、はんだ１０９の最大長さＬｓの８［％］以上であることが好ましい。空隙部２００の最大長さＬｖが、はんだ１０９の最大長さＬｓの８［％］以上であることにより、はんだ１０９の空隙部２００と接する内壁面はより変形しやすくなる。そのため、落下衝撃のように外部応力が加わっても、外部応力ははんだ１０９の内壁面で吸収され、はんだ１０９に亀裂が発生しにくい。より好ましくは、１０［％］以上４０［％］以下である。なお、空隙部の最大長さＬｖは０．０８［ｍｍ］以上０．５［ｍｍ］以下であることが好ましい。

はんだ１０９の粒径が小さいと、接合強度をより十分に得ることができる。接合強度を高めるという観点において、好ましいはんだの粒径は、個数平均の円相当径で３［μｍ］以上１２［μｍ］以下である。

はんだ１０９のランドと接続されていない面（側面）は、熱硬化性樹脂１１０と接している。はんだ１０９の側面を熱硬化性樹脂１１０が覆うことによって、撮像モジュール３００の動作時に発熱から生じる熱応力をはんだ１０９のみならず、熱硬化性樹脂１１０にも分散させることができる。本実施形態では、複数のはんだ１０９が一体の熱硬化性樹脂１１０で覆われている。なお、複数のはんだ１０９は、一体の熱硬化性樹脂１１０で覆われているのが好ましいが、これに限定するものではなく、互いに分離した複数の熱硬化性樹脂で覆われていてもよい。好ましい熱硬化性樹脂１１０のビッカース硬度は１７［Ｈｖ］以上であり、ビッカース硬度が１７［Ｈｖ］以上であれば、接合強度としては十分である。

はんだ１０９の粒径と熱硬化性樹脂１１０のビッカース硬度が上記範囲を満たすことによって、電子部品１０５の第２面２００１の面積が９００［ｍｍ^２］以上あるような大きな電子部品を実装しても、熱応力によるはんだの断線を抑制することができる。

（撮像モジュールの製造方法）
図３（ａ）から図３（ｆ）は、撮像モジュールの製造方法の一実施態様を示す概略図である。

図３（ａ）は、はんだペーストを供給する前のプリント配線板１００を示す図である。プリント配線板１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１の第１面１００１に配置された複数の第１ランドであるランド１０２と、を有する。ランド１０２は、導電性を有する金属、例えば銅で形成された電極であり、例えば信号電極、電源電極、グラウンド電極、又はダミー電極である。絶縁基板１０１は、エポキシ樹脂等の絶縁材料で形成されているリジッド基板である。第１面１００１上には、ソルダーレジスト１０３が設けられている。ソルダーレジスト１０３には、ランド１０２に対応する位置に開口が形成されている。なお、ランド１０２の形状は角型でも丸型でもよく、ソルダーレジストとの関係はいわゆるＳＭＤでもＮＳＭＤでもよい。

図３（ｂ）は、ランド１０２の上に、はんだ粉末および熱硬化性樹脂を含有するはんだペースト１０４を載置する工程を示す図である。はんだペースト１０４は、例えば、スクリーン印刷やディスペンサーで供給することができる。図３（ｂ）のようにランド１０２を完全に覆うように供給しても良いし、いわゆるオフセット印刷のようにランド１０２を部分的に覆うように供給してもよい。

はんだペースト１０４は、少なくともはんだ粉末及び熱硬化性樹脂を含有する。また、はんだ接合に必要なフラックス成分をさらに含有していてもよい。はんだペースト１０４は、熱硬化性樹脂を含有しないはんだペーストと同様、スクリーン印刷やディスペンサーなどで供給可能であり、リフロー等の加熱ではんだ接合することができる。

はんだペースト１０４は加熱を開始すると、はんだ粉末が溶融するとともに熱硬化性樹脂が分離し、熱硬化性樹脂がはんだのランドと接続されていない面と接して硬化する。硬化した熱硬化性樹脂は、はんだとともに、電子部品１０５とプリント配線板１００間を接着するため、いわゆる補強樹脂として機能する。そのため、撮像モジュール３００の接合信頼性を向上させることができる。

図３（ｃ）は、はんだペースト１０４が載置されたプリント配線板１００の上に電子部品１０５を載置する工程を示す図である。電子部品は１０５であり、マウンター等を用いて、プリント配線板１００の上に載置する。図３（ｃ）のように電子部品１０５の第２面２００１には、ランド１０２と対応する複数の第２ランド１１６が設けられている。ランド１０２の上に、対応するランド１１６が位置するように電子部品１０５は載置される。

図３（ｄ）は、はんだペースト１０４を加熱し、はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高いピーク温度Ｔ_ｐまで加熱し、はんだ粉末を溶融、凝集させ、はんだペーストから熱硬化性樹脂を分離する工程を示す図である。１０７は液相状態のはんだである。また、１０８はほぼ液相状態の硬化前の熱硬化性樹脂１０８であり、液相となったはんだの影響を受け、硬化率が十分に低い状態である。はんだ粉末を溶融、凝集させる際に二酸化炭素等のガスが発生し、ボイドを形成する。形成されたボイドは、ピーク温度Ｔ_ｐまで膨張し続ける。ピーク温度Ｔ_ｐは特に限定されず、適宜、設定することができる。ただし、はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍに対して高すぎると、熱硬化性樹脂の硬化が過剰に進んでしまうおそれがある。

図３（ｅ）は、溶融した液相状態のはんだ１０７をピーク温度Ｔ_ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍ未満に冷却し、凝固させる工程を示した図である。はんだが凝固することにより、電子部品１０５とプリント配線板１００とが電気的および機械的に接合される。このとき、はんだ１０９は凝固され、固体となる。ピーク温度Ｔ_ｐで最も大きくなるボイドは、ピーク温度Ｔ_ｐから冷却するにつれて収縮する。そして、はんだが凝固すると、ボイドははんだ１０９内に閉じ込められ空隙部２００を形成する。つまり、空隙部２００は二酸化炭素等のガスを含んでいる。ここで、熱硬化性樹脂１０８は、図３（ｄ）に比べると、架橋反応が進んでいるが、まだ流動性が高く、硬化率が低い状態である。

図３（ｆ）は、はんだを凝固させる工程の後に、本硬化前の熱硬化性樹脂１０８を本硬化する本硬化させる工程を示した図である。この工程では、はんだ１０９には空隙部２００が形成されているため、二酸化炭素等のガスが熱硬化性樹脂１０８に拡散されない。本硬化した熱硬化性樹脂１１０は、ほぼ固相状態であり、硬化率は高い状態である。ここで、本硬化させる温度は、はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍ未満である。本硬化させる工程も、はんだペーストの加熱および冷却を行ったリフロー炉で行うことができるが、リフロー炉のサイズが小さく、本硬化させる工程の時間が十分に取れない場合は、リフロー後にバッジ炉など別の加熱炉で本硬化させる工程を行っても良い。

以上のような工程で、はんだ１０９に空隙部２００が形成された撮像モジュール３００を製造することができる。

（温度プロファイル）
次に、図４を用いて、撮像モジュールの製造方法の温度プロファイルを説明する。

はんだペースト１０４が供給されたプリント配線板１００の上に電子部品１０５を載置する工程が完了すると、電子部品が載置されたプリント配線板はリフロー炉に投入される。図４は横軸が時間、縦軸がプリント配線板の温度であり、図４のＡの領域はリフロー炉に投入してから加熱を開始するまでの状態を示しており、温度は一定である。

次に、Ｂの領域においてリフロー炉の温度を上昇させ、プリント配線板１００の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍに達するようにプリント配線板１００を加熱する。このＢの領域における加熱速度は特に限定されないが、例えば、２．５［℃／秒］以下であることが好ましい。加熱速度を速くし過ぎると、プリント配線板１００が変形するおそれがあるためである。一方、加熱速度を遅くし過ぎると、スループットが悪くなるため、０．３［℃／秒］以上であることが好ましい。

次に、Ｃの領域においてリフロー炉の温度を上昇させ、プリント配線板１００の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍからピーク温度Ｔ_ｐに達するようにプリント配線板１００を加熱する。ここでピーク温度Ｔ_ｐは特に限定されず、適宜、設定することができるが、はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍに対して過剰に高く設定をすると、熱硬化性樹脂の硬化が進んでしまう。そのため、後述するＤの領域において急速に冷却したとしても、はんだが凝固する前に熱硬化性樹脂が硬化してしまうおそれがある。そのため、ピーク温度Ｔ_ｐははんだ粉末の融点Ｔ_Ｍの１．２５倍以下であることが好ましい。

また、Ｃの領域における加熱速度は特に限定されないが、Ｂの領域の加熱速度より遅いことが好ましく、例えば、０．１［℃／秒］以上１．０［℃／以下］である。Ｃの領域において、はんだ粉末をＢの領域よりゆっくりと溶融することで、ランド１０２上に隙間なくはんだを濡れ拡げることができる。なお、Ｃの領域では、はんだ粉末は溶融しているため、はんだは液相状態である。また、はんだ粉末が溶融するとともに凝集するため、はんだペーストから熱硬化性樹脂が分離する。このとき熱硬化性樹脂の硬化率は１０［％］以下であり、液相状態である。熱硬化性樹脂の硬化率の測定方法については、後述する。

Ｃの領域では、はんだ粉末が溶融する際に、はんだペースト中に含まれるフラックスにより、はんだ粉末を覆う酸化膜が還元、除去される。また、はんだ粉末は凝集すると同時に二酸化炭素等のガスが発生する。発生したガスはボイドとなり、ボイドは膨張する。少なくともはんだ粉末融点Ｔ_Ｍ以上の温度では、はんだは溶融状態を維持する。一方、分離した熱硬化性樹脂は加熱前の状態（硬化率は約１５［％］）の時よりも粘度が低下して流動性が高まっている。はんだ粉末の凝集とともに発生したガスおよび膨張したボイドは、熱硬化性樹脂を破り外気へと抜けるが、破れた熱硬化性樹脂は流動性が高いため、すぐに破れた箇所を塞ぐため、はんだの流出は生じない。また、熱硬化性樹脂の流動性が高いので、はんだは一度分離しても再度凝集することができる。

次に、Ｄの領域においてリフロー炉の温度を下降させ、プリント配線板１００の温度がピーク温度Ｔ_Ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍ未満になるようにプリント配線板１００を冷却する。はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍ未満になるようにプリント配線板１００を冷却することにより、はんだが凝固し、ランド１０２とランド１１６とが電気的および機械的にはんだで接合される。そして、はんだが凝固するとボイドは、はんだ１０９内に閉じ込められ空隙部２００を形成する。はんだ１０９における空隙部２００の割合は、Ｄの領域の冷却速度によって、制御することができる。冷却速度を遅くすると空隙部２００の割合は多くなり、冷却速度を早くすると空隙部２００の割合は少なくなる。Ｄの領域における冷却速度は特に限定されないが、Ｃの領域の加熱速度より速いことが好ましく、例えば、０．４［℃／秒］以上である。より好ましくはＣの領域の加熱速度の１．３倍以上の速度である。また、はんだのグレインサイズ（粒径）を小さく制御するという観点においては、Ｃの領域の加熱速度の２．０倍以上の速度であることが好ましい。

一方、Ｄの領域においては熱硬化性樹脂の架橋反応が僅かながら進んで硬化率（硬度）は徐々に上がっていく。ここで、本実施形態では、粉末はんだの融点Ｔ_Ｍを超えるＣの領域とＤの領域の合計時間を熱硬化性樹脂が硬化する時間より短くしている。すなわち、熱硬化性樹脂が硬化する前に、はんだを凝固させている。熱硬化性樹脂が硬化しているとは、熱硬化性樹脂の硬化率が５０［％］以上の状態をさす。硬化率が５０［％］以上の状態では、熱硬化性樹脂の流動性が少ないため、前述したようなボイドにより破れた熱硬化性樹脂を塞ぐことができない。そのため、硬化率が５０［％］以上の状態では、はんだが溶融している状態でガスやボイドの膨張等で熱硬化性樹脂が破れると、破れた箇所からはんだが流出してしまい、隣接するはんだ同士がショートし、接合不良が生じてしまう。

Ｄの領域における好ましい熱硬化性樹脂の硬化率は３０［％］以下である。硬化率が３０［％］以下であれば、流動性があるため、はんだが溶融している状態でガスやボイドの膨張等で熱硬化性樹脂が破れても、破れた箇所は熱硬化性樹脂で塞ぐことができる。そのため、はんだの流出が生じにくい。熱硬化性樹脂の流動性を高く維持するという観点において、より好ましい硬化率は１０［％］以下である。

続いて、Ｅの領域においてリフロー炉の温度をさらに下降させる。このＥの領域においては、はんだは凝固した状態であり、熱硬化性樹脂はＤの領域に続いて、架橋反応が進んで硬化率（硬度）は徐々に増えていく。Ｅの領域における好ましい熱硬化性樹脂の硬化率は４０［％］以下である。より好ましい硬化率は２０［％］以下である。

続いて、Ｆの領域においてリフロー炉の温度を一定に保持し、プリント配線板の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより低い温度にして、熱硬化性樹脂の架橋反応を進め、熱硬化性樹脂を本硬化させる。本硬化させた後の熱硬化性樹脂の硬化率は９０［％］以上であり、ビッカース硬度が１７［Ｈｖ］以上である。ビッカース硬度が１７［Ｈｖ］以上であれば、接合強度としては十分である。Ｆの領域において温度を高くすると、短い時間で熱硬化性樹脂を本硬化させることができる。そのため好ましい温度は、はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍの０．８倍以上０．９５倍以下である。また、図４においてはリフロー炉の温度を一定に保っているが、一定に温度を保持させなくても構わない。ただし、一定温度で十分な時間をかけて熱硬化性樹脂の架橋反応を進めることにより、撮像モジュールでの反応ムラを少なくすることができる。

なお、この熱硬化性樹脂を本硬化させる工程は、リフロー炉と異なる加熱炉で行っても構わない。また、プリント配線板や電子部品が大きい場合、温度分布が大きくなるため、加熱途中に一度プリヒート領域を設けてもよい。

本発明の撮像モジュールの製造方法によれば、加圧や雰囲気制御などの特別な工程を行うことなく、リフロー中の温度プロファイルを制御することにより、はんだに空隙部を備える撮像モジュールを提供することができる。

（熱硬化性樹脂の硬化率）
次に、熱硬化性樹脂の硬化率の評価方法について説明する。

まず、熱硬化性樹脂の硬化率は、例えば、剛体振り子型物性試験機（粘弾性試験機）によって評価することができる。具体的には、熱硬化性樹脂の硬化具合の変化に伴う、剛体振り子の自由減衰振動への影響から熱硬化性樹脂の硬化率を算出する方法である。また、剛体振り子型物性試験機は汎用のものを使用でき、例えば、Ａ＆Ｄ社製のＲＰＴ－３０００Ｗ等が使用できる。

図５は、図４の温度プロファイルに対し、熱硬化性樹脂による剛体振り子の自由減衰振動の変化プロファイルを重ねたものである。灰色の線が温度プロファイル、黒色の線が剛体振り子の振動周期を示している。

まず、Ａの領域においてはプリント配線板１００の温度が一定であるため、熱硬化性樹脂の硬化率が変動しないため剛体振り子の振動周期は一定である。このとき、熱硬化性樹脂は硬化反応前のいわゆる未硬化の状態であり、流動性が高い。そのため、一部に液相を有する。

続いて、Ｂの領域においては温度が加熱されるため、はんだペースト中の熱硬化性樹脂は徐々に硬化反応が進むため、剛体振り子の振動周期はやや早くなる。すなわち、熱硬化性樹脂の流動性が小さくなる傾向にある。

続いて、Ｃの領域においては温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍを通過して、ピーク温度Ｔ_Ｐに達する。はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍを通過するため、はんだ粉末が溶融し、はんだペースト中で熱硬化性樹脂に対して溶融したはんだが凝集し拡散する。ただし、熱硬化性樹脂の一部は架橋反応が始まっている。このとき剛体振り子の振動周期は最も遅い周期Ｔ１に達する。このときの硬化率を０［％］とする。

続いて、Ｄの領域においては温度がピーク温度Ｔ_Ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍまで降下する。この領域においても、プリント配線板１００の温度ははんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高い温度を維持しているため、はんだ粉末は液相状態が続くが、はんだと熱硬化性樹脂は分離されている。そのため、熱硬化性樹脂の架橋反応とともに、剛体振り子の振動周期はＣの領域より短くなる。ただし、はんだと熱硬化性樹脂の相互作用があるため、周期は次のＥの領域ほど短くならない。なお、前述したようにピーク温度Ｔ_ｐが高すぎると、はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍまで降下するのに時間を要するため、剛体振り子の振動周期はより短くなる。はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍまで降下するのに時間がかかり過ぎると、熱硬化性樹脂の硬化率が５０［％］以上となるおそれがある。

続いて、Ｅの領域においてははんだ粉末の融点Ｔ_Ｍから冷却される。この領域においてははんだが凝固されているため、はんだと熱硬化性樹脂の相互作用が生じない。そのため、熱硬化性樹脂の架橋反応とともに、剛体振り子の振動周期はＤの領域より短くなる。なお、この領域においても温度の降下に時間がかかると、剛体振り子の振動周期はより短くなる。よって降下に時間がかかり過ぎると、熱硬化性樹脂の硬化率が５０［％］以上となるおそれがある。

そして、最後のＦの領域において、はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍ未満の温度で一定に維持することにより、熱硬化性樹脂は架橋反応が進み続けるため、剛体振り子の振動周期はＥの領域より短くなる。そして、最終的には架橋反応が完了するとともに剛体振り子の振動周期はＴ２で一定となる。この状態においては、熱硬化性樹脂は完全な固相状態である。そのため、このときの硬化率を１００［％］とした。

以上、剛体振り子型の粘弾性試験機を用いた硬化率の算出方法を説明したが、ＤＳＣ等の熱分析法やナノインデンター等の装置で、与えた熱量と熱硬化性樹脂の硬化率や硬度等の関係から、硬化率を適宜定義してもよい。

次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。実施例に先立って、まず評価方法を説明する。

（撮像モジュールの評価方法）
＜熱硬化性樹脂のビッカース硬度＞
まず、撮像モジュールを分解し、熱硬化性樹脂を５個取り出す。取り出した各熱硬化性樹脂のそれぞれ１０箇所に対し、ビッカース硬度試験機（ミツトヨ社製、微小硬さ試験機ＨＭ－１０２）を使用して、試験力が０．０１［Ｎ］のビッカース硬度を測定し、その測定値の平均値をビッカース硬度とした。

＜はんだの粒径＞
まず、撮像モジュールを分解し、はんだを２個取り出す。取り出した各はんだ１個のそれぞれ８箇所に対し、走査型電子顕微鏡（日本電子社製、ＪＳＭ－５６００ＬＶ）を使用して画像を取得する。画像は、はんだの接合面および接合面に垂直な面に対しそれぞれ取得する。その得られた画像を２値化して、画像処理することにより５０個以上の円相当径の粒径を算出し、個数平均したものをはんだの粒径（グレインサイズ）とした。

＜はんだ、空隙部の状態＞
撮像モジュールを電子部品が搭載された面方向から、透過型のＸ線検査装置（マーストーケンソリューション社製、ＴＵＸ－３２００）を使用して、電子部品下のはんだの接合状態を観察し、はんだの接触の有無（電気的なショートの有無）を評価した。なおＸ線源は開放型のものを使用し、管電圧８０［ｋＶ］、管電流２００［μＡ］の条件で透過観察した。また、空隙部ははんだとコントラストが異なる。空隙部の割合は、上述した条件で撮像した画像を用いて、はんだの面積および空隙部の面積をそれぞれ計算することによって算出した。

＜熱硬化性樹脂の接合状態＞
撮像モジュールをはんだの接合面と垂直な面から目視および写真画像から外観検査を行う。また、電子部品１０５を引き剥がし、目視および光学顕微鏡の撮像画像から外観検査を行った。

（実施例１）
図３で説明した製造方法を用いて撮像モジュールを製造した。加熱、冷却は図４で説明した温度プロファイルを用いた。

図３（ａ）において、プリント配線板１００には第１ランド１０２が形成されている。プリント配線板１００の第１面１００１には第１ランド１０２を部分的に覆うソルダーレジスト１０３が形成されている。ソルダーレジスト１０３には、実装対象の電子部品１０５が接続される開口が第１ランド１０２上に設けられており、開口により第１ランド１０２が露出している。

プリント配線板１００は、絶縁基板１０１にＦＲ－４を使用しており、外形のサイズは５０．０［ｍｍ］×５０．０［ｍｍ］である。また、第１ランド１０２の材質は銅であり、第１ランド１０２は直径が１．０［ｍｍ］であり、１．６［ｍｍ］ピッチでグリッド状に３００個配置されている。また、ソルダーレジスト１０３の厚さは０．０２［ｍｍ］である。

次に、図３（ｂ）に示すように、プリント配線板１００の第１ランド１０２を覆うように、はんだペースト１０４をスクリーン印刷した。スクリーン印刷には厚さ０．０２［ｍｍ］の印刷版を使用した。

はんだペースト１０４は、熱硬化性樹脂であるビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂と、これと反応する硬化剤と、はんだ粉末を含んでいる。はんだ粉末は、融点１３９［℃］のスズ－５８ビスマスの共晶組成であり、粉末の平均粒子径は４０［μｍ］である。はんだペースト１０４におけるはんだ粉末の含有量は４０［ｖｏｌ％］であり、残部に熱硬化性樹脂および硬化剤、その他はんだ接合性を確保するためのフラックス成分が微量添加されている。

次に、図３（ｃ）のように、不図示のマウンターを用いて、はんだペースト１０４が供給されたプリント配線板１００の上にＬＧＡタイプのイメージセンサを備える電子部品１０５を搭載した。電子部品１０５の底面には複数の第２ランド１１６が設けられており、第２ランド１１６は、接合されるプリント配線板１００の第１ランド１０２と対応する位置に合わせて搭載される。電子部品１０５はＬＧＡの接続用端子を、絶縁基板１０１に設けられた第１ランド１０２にはんだ接合することにより、プリント配線板１００に実装されるものである。ここで、電子部品１０５の絶縁基板１１３はアルミナセラミックである。

なお、電子部品１０５の第２面２００１の面積は９００［ｍｍ^２］で、第２ランド１１６の総面積は１５０［ｍｍ^２］、有効端子数は３００個とした。また、第２ランド１１６の最内周に囲まれた面積は１８０［ｍｍ^２］、開口の最外周に囲まれた面積は１８０［ｍｍ^２］とした。このＬＧＡタイプの電子部品１０５に用いられた第２ランド１１６の材質はＡｕ、Ｎｉ等のメッキ電極である。

ＬＧＡタイプの電子部品１０５を搭載したプリント配線板１００をリフロー炉に投入し、リフロー加熱を行った（図４のＡ，Ｂ領域）。このときＢの領域においては、昇温速度を１［℃／秒］とした。

さらに、加熱を続けて、プリント配線板１００の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高い１６０［℃］（はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍの１．１５倍）がピーク温度Ｔ_ｐになるように加熱し、はんだペースト１０４中のはんだを溶融させた。このとき、図３（ｄ）に示すように、はんだペースト１０４中のはんだは溶融するとともに、凝集し、溶融した液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８にそれぞれ分離させた（図４のＣ領域）。このとき、Ｃの領域においては昇温速度を０．５［℃／秒］とした。

溶融した液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８とが分離後、プリント配線板１００の温度がピーク温度Ｔ_ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍまで冷却させ、図３（ｅ）に示すようにはんだを凝固させた（図４のＤ領域）。また、はんだを凝固させるとともに、はんだの内部には空隙部２００を形成した。このとき、Ｄの領域においては降温速度を２［℃／秒］とした。ここでＣの領域とＤの領域において、熱硬化性樹脂の最大の硬化率は１０［％］であった。すなわち、熱硬化性樹脂の硬化率が５０［％］に達して硬化する前に、はんだの凝固が完了したことになる。

続いて、Ｄの領域と同じ降温速度で冷却を続け、１２０［℃］まで冷却した（図４のＥ領域）。

そして、１２０［℃］で温度を２０分間、一定に保持し樹脂を本硬化させ、図３（ｆ）に示すような撮像モジュール３００を得た。

（実施例２）
実施例２は、加熱プロファイルが実施例１とは異なる。異なる箇所を中心に製造方法を説明する。

電子部品１０５をプリント配線板に載置し、リフロー加熱し、図４のＡ，Ｂ領域までは、実施例１と同様に行った。そのため、Ｂの領域においては、昇温速度を１［℃／秒］とした。

さらに、加熱を続けて、プリント配線板１００の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高い１６０［℃］がピーク温度になるように加熱し、はんだペースト１０４中のはんだを溶融させた。このとき、図３（ｄ）に示すように、はんだペースト１０４中のはんだは溶融するとともに、凝集し、溶融した液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８にそれぞれ分離させた（図４のＣ領域）。このとき、Ｃの領域においては昇温速度を０．３［℃／秒］とした。

溶融した液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８とが分離後、プリント配線板１００の温度がピーク温度Ｔ_ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍとなるように冷却させ、図３（ｅ）に示すようにはんだを凝固させた（図４のＤ領域）。また、はんだを凝固させるとともに、はんだの内部には空隙部２００を形成した。このとき、Ｄの領域においては降温速度を０．４［℃／秒］とした。ここでＣの領域とＤの領域において、熱硬化性樹脂の最大の硬化率は２０［％］であった。すなわち、熱硬化性樹脂の硬化率が５０［％］に達して硬化する前に、はんだの凝固が完了したことになる。

続いて、Ｄの領域と同じ降温速度で冷却を続け、１１０［℃］まで冷却した（図４のＥ領域）。

そして、１１０［℃］で温度を３０分間、一定に保持し樹脂を本硬化させ、図３（ｆ）に示すような実施例２の撮像モジュール３００を得た。

（実施例１、２での撮像モジュールの評価）
＜熱硬化性樹脂のビッカース硬度＞
実施例１で硬化させた熱硬化性樹脂のビッカース硬度は２０［Ｈｖ］であった。実施例２で硬化させた熱硬化性樹脂のビッカース硬度は１７［Ｈｖ］であった。

＜はんだの粒径＞
実施例１のはんだの粒径は３［μｍ］であった。実施例２のはんだの粒径は１２［μｍ］であった。

＜はんだ、空隙部および熱硬化性樹脂の状態＞
実施例１と実施例２の撮像モジュールのはんだおよび空隙部の状態を、Ｘ線透過装置で観察した。

実施例１の撮像モジュールのはんだは、５［面積％］以上２５［面積％］以下の空隙部を有していた。はんだの最大長さＬｓは１．０［ｍｍ］であり、空隙部の最大長さＬｐは０．３［ｍｍ］であり、Ｌｐ／Ｌｓは３０［％］であった。また、はんだが樹脂を破って流出した様子や電子部品下ではんだが繋がっている事や電気的にショート等の異常はなかった。また、外観検査ではんだが熱硬化性樹脂に覆われて補強されていること、電子部品を引き剥がした分解後の外観検査でも電子部品下に熱硬化性樹脂が接着され補強されていることを確認した。

実施例２の撮像モジュールのはんだは、５［面積％］以上５０［面積％］以下の空隙部を有していた。はんだの最大長さＬｓは１．０［ｍｍ］であり、空隙部の最大長さＬｐは０．５［ｍｍ］であり、Ｌｐ／Ｌｓは５０［％］であった。実施例２は実施例１より降温速度が遅く、はんだが溶融している時間が長かったため、空隙部が実施例１より多かった。しかし、はんだが樹脂を破って流出した様子や電子部品下ではんだが繋がっている事や電気的にショート等の異常はなかった。また、外観検査ではんだが熱硬化性樹脂に覆われて補強されていること、電子部品を引き剥がした分解後の外観検査でも電子部品下に熱硬化性樹脂が接着され補強されていることを確認した。

＜その他＞
なお、実施例１と実施例２の撮像モジュールとも、電子部品１０５には撮像素子を搭載していたが、本硬化させる工程をはんだ融点以下で行ったため熱変形量は少なく、内蔵するＣＭＯＳイメージセンサの光学性能を十分に保証できるものであった。

（比較例１）
比較例１は、加熱プロファイルが実施例１とは異なる。異なる箇所を中心に製造方法を説明する。

電子部品１０５をプリント配線板に載置し、リフロー加熱し、図４のＡ，Ｂ領域までは、実施例１と同様に行った。そのため、Ｂの領域においては、昇温速度を１［℃／秒］とした。

さらに、加熱を続けて、プリント配線板１００の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高い１８０［℃］（はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍの１．２９倍）がピーク温度になるように加熱し、はんだペースト１０４中のはんだを溶融させた。このとき、図３（ｄ）に示すように、はんだペースト１０４中のはんだは溶融するとともに、凝集し、液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８にそれぞれ分離させた（図４のＣ領域）。このとき、Ｃの領域においては昇温速度を０．５［℃／秒］とした。

液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８とが分離後、プリント配線板１００の温度がピーク温度Ｔ_ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍとなるように冷却させ、図３（ｅ）に示すようにはんだを凝固させた（図４のＤ領域）。このとき、Ｄの領域においては降温速度を０．５［℃／秒］とした。ここでＣの領域とＤの領域において、熱硬化性樹脂の最大の硬化率は５０［％］であった。すなわち、熱硬化性樹脂の硬化率が５０［％］に達してから、はんだの凝固が完了したことになる。

続いて、Ｄの領域と同じ降温速度で冷却を続け、１１０［℃］まで冷却した（図４のＥ領域）。

そして、１１０［℃］で温度を３０分間、一定に保持し樹脂を本硬化させ、比較例１の撮像モジュールを得た。

（比較例２）
比較例２も、加熱プロファイルが実施例１とは異なる。異なる箇所を中心に製造方法を説明する。

電子部品１０５をプリント配線板に載置し、リフロー加熱し、図４のＡ，Ｂ領域までは、実施例１と同様に行った。そのため、Ｂの領域においては、昇温速度を０．５［℃／秒］とした。

さらに、加熱を続けて、プリント配線板１００の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高い１６５［℃］がピーク温度になるように加熱し、はんだペースト１０４中のはんだを溶融させた。このとき、図３（ｄ）に示すように、はんだペースト１０４中のはんだは溶融するとともに、凝集し、溶融はんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８にそれぞれ分離させた（図４のＣ領域）。このとき、Ｃの領域においては昇温速度を０．５［℃／秒］とした。

液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８とが分離後、プリント配線板１００の温度がピーク温度Ｔ_ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍとなるように冷却させ、図３（ｅ）に示すようにはんだを凝固させた（図４のＤ領域）。このとき、Ｄの領域においては降温速度を０．２５［℃／秒］とした。ここでＣの領域とＤの領域において、熱硬化性樹脂の最大の硬化率は５５［％］であった。すなわち、熱硬化性樹脂の硬化率が５５［％］に達してから、はんだの凝固が完了したことになる。

続いて、Ｄの領域と同じ降温速度で冷却を続け、１１０［℃］まで冷却した（図４のＥ領域）。

そして、１１０［℃］で温度を３０分間、一定に保持し樹脂を本硬化させ、比較例２の撮像モジュールを得た。

（比較例３）
比較例３も、加熱プロファイルが実施例１とは異なる。異なる箇所を中心に製造方法を説明する。

電子部品１０５をプリント配線板に載置し、リフロー加熱し、図４のＡ，Ｂ領域までは、実施例１と同様に行った。そのため、Ｂの領域においては、昇温速度を０．５［℃／秒］とした。

さらに、加熱を続けて、プリント配線板１００の温度がはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高い１６０［℃］がピーク温度になるように加熱し、はんだペースト１０４中のはんだを溶融させた。このとき、図３（ｄ）に示すように、はんだペースト１０４中のはんだは溶融するとともに、凝集し、溶融はんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８にそれぞれ分離させた（図４のＣ領域）。このとき、Ｃの領域においては昇温速度を０．５［℃／秒］とした。

液相のはんだ１０７と熱硬化性樹脂１０８とが分離後、６分間、このピーク温度１６０［℃］を保持した。その後、プリント配線板１００の温度がピーク温度Ｔ_ｐからはんだ粉末の融点Ｔ_Ｍとなるように冷却させ、図３（ｅ）に示すようにはんだを凝固させた（図４のＤ領域）。このとき、Ｄの領域においては降温速度を０．５［℃／秒］とした。ここでＣの領域とＤの領域において、熱硬化性樹脂の最大の硬化率は７０［％］であった。すなわち、熱硬化性樹脂の硬化率が７０［％］に達してから、はんだの凝固が完了したことになる。

続いて、Ｄの領域と同じ降温速度で冷却を続け、１１０［℃］まで冷却した（図４のＥ領域）。

そして、１１０［℃］で温度を３０分間、一定に保持し樹脂を本硬化させ、比較例３の撮像モジュールを得た。

（比較例１～３の撮像モジュールの評価）
＜熱硬化性樹脂のビッカース硬度＞
比較例１で硬化させた熱硬化性樹脂のビッカース硬度は１６［Ｈｖ］であった。比較例２で硬化させた熱硬化性樹脂のビッカース硬度は１５［Ｈｖ］であった。比較例３で硬化させた熱硬化性樹脂のビッカース硬度は１４［Ｈｖ］であった。

＜はんだの粒径＞
比較例１のはんだの粒径は１２［μｍ］であった。比較例２のはんだの粒径は２０［μｍ］であった。比較例３のはんだの粒径は３［μｍ］であった。

＜はんだ、空隙部および熱硬化性樹脂の状態＞
比較例１～３の撮像モジュールのはんだおよび空隙部の状態を、Ｘ線透過装置で観察した。

比較例１の撮像モジュールのはんだの空隙部は、はんだと樹脂の界面に達していた。そのため、隣接するはんだ同士のはんだブリッジが複数個所において確認され、電気チェックによる検査においても導通不良が確認された。また、はんだの最大長さＬｓは１．１［ｍｍ］に対し、空隙部の最大長さＬｐは０．７［ｍｍ］と大きかった。５０［面積％］を超える空隙部の存在も確認された。そのため落下衝撃に対する耐性は十分ではないと考えられる。

比較例２の撮像モジュールのはんだの空隙部は、はんだと樹脂の界面に達していた。そのため、隣接するはんだ同士のはんだブリッジが複数個所において確認され、電気チェックによる検査においても導通不良が確認された。また、はんだは円形ではなく異形であり、その最大長さＬｓは１．３［ｍｍ］であった。また、空隙部の最大長さＬｐは０．７［ｍｍ］と大きかった。５０［面積％］を超える空隙部の存在も確認された。そのため落下衝撃に対する耐性は十分ではないと考えられる。

比較例３の撮像モジュールのはんだの空隙部は、はんだと樹脂の界面に達していた。そのため、隣接するはんだ同士のはんだブリッジが複数個所において確認され、電気チェックによる検査においても導通不良が確認された。また、はんだは円形ではなく異形であり、その最大長さＬｓは１．３［ｍｍ］であった。また、空隙部の最大長さＬｐは０．９［ｍｍ］と大きかった。５０［面積％］を超える空隙部の存在も確認された。また比較例３ははんだの周囲に熱硬化性樹脂が存在していない箇所が多く確認された。そのため落下衝撃に対する耐性は十分ではないと考えられる。

（その他実施形態）
上述の実施形態では、電子機器の例として撮像装置及び画像処理用半導体装置について例示しているが、その他の電子機器、例えばメモリＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）や電源ＩＣなどにも適用可能である。

また、ＢＧＡやＬＧＡの外部端子を有していれば、半導体装置以外の電子部品にも適用可能である。

また、電子機器の一例としてデジタルカメラ６００を例示しているが、これに限定するものではなく、その他モバイル通信機器などのあらゆる電子機器に適用可能である。

１００ プリント配線板
１０１ 絶縁基板
１０２ 第１ランド
１０３ ソルダーレジスト
１０４ はんだペースト
１０５ 電子部品
１１６ 第２ランド
１０７ 液相のはんだ
１０８ 硬化前の熱硬化性樹脂
１０９ はんだ
１１０ 熱硬化性樹脂
１１１ 撮像素子
２００ 空隙部
３００ 撮像モジュール
６００ デジタルカメラ
６１１ 筐体

Claims (20)

1. 第１ランドを含む複数のランドが設けられた配線板と、
   第２ランドを含む複数のランドが設けられた電子部品と、
   前記第１ランドと前記第２ランドを接合し、空隙部を内包するはんだと、
   前記配線板の複数のランドの間と、前記電子部品の複数のランドの間と、を接合する熱硬化性樹脂と、を備えるモジュールであって、
   前記空隙部の面積は、５［面積％］以上５０［面積％］以下であることを特徴とするモジュール。
2. 前記電子部品側からＸ線を用いて透過観察した際に、
   前記空隙部の最大長さが、前記はんだの最大長さに対して５０［％］以下の長さである請求項１に記載のモジュール。
3. 前記空隙部の最大長さが、０．５［ｍｍ］以下である請求項２に記載のモジュール。
4. 前記はんだの粒径が個数平均の円相当径で３［μｍ］以上１２［μｍ］以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のモジュール。
5. 前記熱硬化性樹脂のビッカース硬度が１７［Ｈｖ］以上である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のモジュール。
6. 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のモジュール。
7. 前記電子部品の複数のランドが設けられた面の面積が９００［ｍｍ^２］以上である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のモジュール。
8. 前記電子部品は、撮像素子を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載のモジュール。
9. 前記電子部品は、ＬＧＡのパッケージである請求項１乃至８のいずれか１項に記載のモジュール。
10. 前記配線板は、リジッド基板を有する請求項１乃至９のいずれか１項に記載のモジュール。
11. 第１ランドを含む複数のランドが設けられた配線板と、
    第２ランドを含む複数のランドが設けられた電子部品と、
    前記第１ランドと前記第２ランドを接合するはんだと、
    前記配線板の複数のランドの間と、前記電子部品の複数のランドとの間と、を接合する熱硬化性樹脂と、を備えるモジュールの製造方法であって、
    前記第１ランドの上に、はんだ粉末および熱硬化性樹脂を含有するはんだペーストを載置する工程と、
    前記第２ランドが前記第１ランドの上に位置するように、前記電子部品を前記配線板の上に載置する工程と、
    前記はんだペーストを、前記はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより高いピーク温度Ｔ_Ｐまで加熱し、前記はんだ粉末を溶融させるとともに、前記はんだペーストから前記熱硬化性樹脂を分離する工程と、
    前記ピーク温度Ｔ_Ｐから前記はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍ未満に冷却し、前記熱硬化性樹脂が硬化する前に前記はんだを凝固させ、前記はんだの内部に空隙部を形成する工程と、を備え、
    前記はんだ粉末の融点Ｔ _Ｍ から前記ピーク温度Ｔ _Ｐ まで加熱する時間が、前記ピーク温度Ｔ _ｐ から前記はんだ粉末の融点Ｔ _Ｍ まで冷却する時間より長いことを特徴とするモジュールの製造方法。
12. 前記はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍから前記ピーク温度Ｔ_Ｐまで加熱する時間が、前記ピーク温度Ｔ_ｐから前記はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍまで冷却する時間の１．３倍以上である請求項１１に記載のモジュールの製造方法。
13. 前記はんだを凝固させる工程における、前記熱硬化性樹脂の硬化率が３０［％］以下である請求項１１又は１２に記載のモジュールの製造方法。
14. 前記はんだを凝固させる工程における、前記熱硬化性樹脂の硬化率が１０［％］以下である請求項１１又は１２に記載のモジュールの製造方法。
15. 前記はんだを凝固させる工程の後に、前記はんだ粉末の融点Ｔ_Ｍより低い温度で前記熱硬化性樹脂を本硬化させる工程を備える請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
16. 前記熱硬化性樹脂を本硬化させる工程を終えた後の、前記熱硬化性樹脂の硬化率が９０［％］以上である請求項１５に記載のモジュールの製造方法。
17. 筐体と、該筐体内にモジュールが設けられた電子機器であって、
    前記モジュールが請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のモジュールであることを特徴とする電子機器。
18. 前記筐体内に、配線板上にデジタルシグナルプロセッサが実装された回路板をさらに有し、
    前記モジュールが、前記回路板と電気的に接続されている請求項１７に記載の電子機器。
19. 前記電子機器がカメラである請求項１７又は１８に記載の電子機器。
20. 前記電子機器がモバイル通信機器である請求項１７又は１８に記載の電子機器。

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