JP7343411B2

JP7343411B2 - 均一度測定装置、均一度測定方法及びプログラム

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Publication number: JP7343411B2
Application number: JP2020009423A
Authority: JP
Inventors: 章弘塩入; 直人中山; 佑貴河室
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Priority date: 2020-01-23
Filing date: 2020-01-23
Publication date: 2023-09-12
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Also published as: JP2021117053A

Description

本発明は、液体に不溶性の固体物質の粒子が混合された混合液の均一度を測定する均一度測定装置、均一度測定方法、及びコンピュータに均一度の測定を実行させるためのプログラムに関する。

液体に不溶性の固体物質の粒子が混合された混合液の一つであるスラリーの評価指標として、粒子径分布等が用いられている。

スラリーに含まれる粒子の粒子径分布を測定する方法の一つとして、沈降法がある。沈降法には、さらに、自然重力を利用する液相重力沈降法（日本工業規格「ＪＩＳＺ８８２０－１：２００２」）と、遠心力を利用する液相遠心沈降法（日本工業規格「ＪＩＳＺ８８２３－１：２００１」）とがある。

上述の沈降法に準拠した沈降試験では、スラリーを沈降管に投入し、時間経過にとともに沈降した粒子層と上澄み液との界面高さの変化や上澄み液が透明か濁っているかの状態等を測定者が観察することによって、スラリーに含まれる粒子の粒子径分布を測定することができる。

日本工業規格ＪＩＳＺ８８２０－１：２００２日本工業規格ＪＩＳＺ８８２３－１：２００１

近年、電子部品等に対して高機能化・高性能化の要求が高まっている。このため、電子部品の出発原料であるスラリーの品質を厳密に管理することが要求されている。また、そのために、スラリーに含まれる粒子の種類や粒子径分布等によって表される均一度等のような評価指標を用いて、スラリーの状態を明確に把握する必要がある。

しかしながら、上述した沈降試験では、スラリーにおける粒子の沈降が安定するまでに時間を要する。液相遠心沈降法は、液相重力沈降法に比べて、試験時間を短縮できるものの、製造過程の中で行うには実用的でなく、時間短縮が要求されている。また、上述した沈降試験では、測定工程に測定者の主観が含まれるため、厳密性を欠く。

このように、上述の試験方法においては、測定時間及び客観性の観点から改善の余地が含まれていた。

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、混合液の均一度を短時間で測定することを目的とする。

本発明の一態様としての均一度測定装置は、液体に不溶性の固体物質が混合された混合液の均一度を測定する均一度測定装置であって、前記混合液に交流信号を印加する一対の電極と、前記交流信号が印加された際に前記混合液に流れる応答信号に基づいて前記混合液のインピーダンスを測定する測定手段と、前記測定手段において測定されたインピーダンスから、抵抗器とコンスタント・フェーズ・エレメントとの並列回路を要素とする等価回路を設定し、設定した前記等価回路を用いて等価回路解析を実行して複素平面インピーダンスを示すデータを生成し、前記並列回路に関するパラメータに基づいて前記均一度を算出する処理手段と、を備え、前記処理手段は、前記コンスタント・フェーズ・エレメントの次数が１に近いほど前記混合液の均一度のうち前記固体物質の大きさの均一性が高いと判断する。

この態様によれば、混合液のインピーダンスから、抵抗器とコンスタント・フェーズ・エレメントとの並列回路を要素とする等価回路を用いて均一度が算出されるので、沈降法に比べて待機時間が短く、測定者の主観を含まない測定が可能である。したがって、混合液の均一度を短時間で測定することができる。

図１は、本発明の実施形態に係る均一度測定装置を示す概略図である。図２は、測定装置本体の処理部の機能構成を示すブロック図である。図３Ａは、複素平面インピーダンスデータ生成モジュール及び等価回路解析モジュールにおいて作成される複素平面インピーダンス図を説明する図である。図３Ｂは、等価回路解析に用いられた等価回路を説明する図である。図４は、均一度測定装置により実行される均一度測定処理を示すフローチャートである。

［均一度測定装置の説明］
本発明の実施形態に係る均一度測定装置１について、図１及び図２を用いて詳細に説明する。

図１は、本実施形態に係る均一度測定装置１を示す概略図である。

均一度測定装置１は、液槽Ｘに貯蔵され、液体Ｘａに不溶性の個体物質（以下、分散質という）Ｘｂが混合された混合液の一つであるスラリーＸｃを評価する装置である。本実施形態の均一度測定装置１は、スラリーＸｃの評価指標として均一度を測定する。

本実施形態において、均一度には、液体Ｘａの種類、分散質Ｘｂの種類、分散質Ｘｂの粒子径、分散質Ｘｂの粒子径分布等を含むものとする。

本実施形態において、スラリーＸｃの一例としては、導電率が高い分散質Ｘｂとしてのカーボンブラック等の導電性粒子を、導電率が低い液体Ｘａとしての溶媒（バインダ樹脂及び活物質を含む有機溶媒）に分散させた混合液が挙げられる。

均一度測定装置１は、一対の電極２と、測定装置本体３とを備える。

一対の電極２は、液槽Ｘに貯蔵されたスラリーＸｃに交流信号としての交流電圧を印加するためのものである。一対の電極２は、互いに対向するように液槽Ｘの周壁に設けられる。電極２は、例えば、白金又は銅などの不活性金属により形成される。一対の電極２の間には、スラリーＸｃに印加された交流電圧に応じた応答信号としての応答電流が流れる。なお、スラリーＸｃに印加される交流信号は、交流電圧に限らず、交流電流であってもよい。

測定装置本体３は、図１に示すように、測定手段としての測定部３１、記憶手段としての記憶部３２、操作部３３、表示部３４、及び処理手段としての処理部３５を含む。

測定部３１は、一対の電極２の間に位置するスラリーＸｃに交流電圧が印加された際に流れる応答電流からインピーダンスを測定する。測定部３１は、一対の電極２に、周波数が段階的に変化する交流電圧を印加する。なお、一対の電極２に印加される交流電圧は、測定部３１に内蔵される定電圧電源（ＣＶ）又は定電流電源（ＣＣ）から供給される。そして、測定部３１は、交流電圧の周波数が段階的に変化されるたびに、一対の電極２の間の応答電流からインピーダンスを測定して測定信号として処理部３５に出力する。

記憶部３２は、ＲＡＭ及びＲＯＭによって構成される。記憶部３２には、スラリーＸｃの均一度を測定する均一度測定処理を実行するプログラムが記憶されている。記憶部３２は、処理部３５の動作プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。記憶部３２は、測定装置本体３に対して、着脱可能に構成されていてもよい。

また、記憶部３２には、上述した均一度が既知であるスラリーＸｃに対して印加した交流電圧に対応するインピーダンスの実測値が、その交流電圧の周波数と紐付けられて、周波数特性テーブルとして記憶されている。この周波数特性テーブルには、各種のスラリーＸｃごとに、インピーダンスの実部及び虚部の周波数特性が対応付けられている。

また、記憶部３２には、上述した均一度が既知であるスラリーＸｃのインピーダンスから生成された複素平面インピーダンス図を近似した等価回路の各種パラメータが、上述の均一度と紐付けられ、均一度テーブルとして記憶されている。この均一度テーブルには、各種のスラリーＸｃについての等価回路のパラメータごとに、液体Ｘａの種類、分散質Ｘｂの種類、分散質Ｘｂの粒子径、分散質Ｘｂの粒子径分布等を含む均一度が紐付けられている。

操作部３３は、測定条件の設定操作及び均一度測定処理の開始等を指示する各種の操作スイッチを備える。操作部３３は、これらの操作に応じた操作信号を処理部３５に出力する。操作部３３は、機械的に構成される操作スイッチの代わりに、表示部３４に形成されるタッチパネルであってもよい。

表示部３４は、処理部３５の指示に従って、均一度測定に係る各種設定画面や測定結果等を表示する。本実施形態においては、表示部３４は、液晶パネル等によって構成される。

処理部３５は、操作部３３からの操作信号に従って均一度測定装置１を構成する各部を制御する。また、処理部３５は、一対の電極２に印加する交流電圧の周波数を制御するとともに、印加した交流電圧に対応するインピーダンスを取得し、取得したインピーダンスに基づいて、スラリーＸｃの均一度を算出する処理を実行する。

本実施形態において、処理部３５は、コンピュータとしてのＣＰＵによって構成される。処理部３５は、複数のマイクロコンピュータによって構成することも可能である。

続いて、測定装置本体３の処理部３５の機能構成及び動作について説明する。図２は、測定装置本体３の処理部３５の機能構成を示すブロック図である。

処理部３５は、解析設定モジュール１１１と、インピーダンス取得モジュール１１２と、複素平面インピーダンスデータ生成モジュール１１５と、等価回路解析モジュール１１６と、均一度算出モジュール１１７とを備える。以下では、複素平面インピーダンスデータ生成モジュール１１５のことを、単に生成モジュール１１５と称する。

解析設定モジュール１１１は、測定部３１に、電極２への交流電圧の印加とインピーダンスの測定とを実行させるための制御信号を生成する。

インピーダンス取得モジュール１１２は、測定部３１から測定されたインピーダンスを取得する。また、インピーダンス取得モジュール１１２は、測定部３１から送られた応答電流に基づくインピーダンスからインピーダンスの虚数成分を生成する虚数成分生成部１１３と、インピーダンスの実数成分を生成する実数成分生成部１１４とを有する。

虚数成分生成部１１３は、取得されたインピーダンスの虚数成分を生成し、後述する生成モジュール１１５に出力する。実数成分生成部１１４は、取得されたインピーダンスの実数成分を生成し、生成モジュール１１５に出力する。

生成モジュール１１５は、インピーダンス取得モジュール１１２から取得したインピーダンスの虚数部分と実数部分とから、複素平面インピーダンスを示すデータを作成する。

本実施形態においては、生成モジュール１１５は、複素平面インピーダンスを示すデータとして、測定されたインピーダンスの虚数部分を縦軸とし、実数部分を横軸とする複素平面インピーダンス図を作成する。なお、複素平面インピーダンス図は、ナイキスト線図と記される場合もある。

生成モジュール１１５は、作成した複素平面インピーダンス図を等価回路解析モジュール１１６に出力する。

等価回路解析モジュール１１６は、抵抗器及びコンデンサ等の要素を組み合わせてなる等価回路を用いた等価回路解析を実行する。

本実施形態においては、等価回路の要素として、コンスタント・フェーズ・エレメント（以下、ＣＰＥと記す）を適用する。すなわち、等価回路解析モジュール１１６は、抵抗器ＲとＣＰＥとの並列回路（Ｒ－ＣＰＥ）を一要素として、この要素を組み合わせて得られる等価回路を設定する。

例えば、等価回路解析モジュール１１６は、ＣＰＥを適用した初期の等価回路のパラメータに基づいて、初期の等価回路のインピーダンスの実部及び虚部の周波数特性を示すインピーダンス特性データを生成する。等価回路解析モジュール１１６は、生成した初期のインピーダンス特性データがＸｃの測定データに近づくよう、等価回路のパラメータを順次変更する。等価回路解析モジュール１１６は、実測データと一致するインピーダンス特性データが得られる等価回路のパラメータを解析結果として出力する。このように、等価回路解析モジュール１１６は、ＣＰＥを適用した等価回路を用いて等価回路解析を実行する。

本実施形態においては、等価回路解析モジュール１１６は、インピーダンス特性データとして、設定された等価回路の複素平面インピーダンス図を作成する。

コンスタント・フェーズ・エレメント（ＣＰＥ）とは、通常のコンデンサＣに対して、種々の外乱を考慮することのできる因子を含む要素である。ＣＰＥのインピーダンスＺ_CPEは、以下の式（１）により表される。

ただし、上式（１）において、
ｊは、虚数単位であり、
ωは、角周波数であり、
Ｔは、ＣＰＥ定数であり、
ｐは、ＣＰＥ指数（Ｚ_CPEの次数）である。

上式（１）に示したように、ＣＰＥのインピーダンスＺ_CPEは、ＣＰＥ定数ＴとＣＰＥ指数ｐとで構成される。例えば、インピーダンスＺ_CPEが単純な容量性挙動を示す場合においては、ＣＰＥ指数Ｐは、０から１までの範囲内の値をとる。

また、上式（１）において、ｐ＝１のとき、ＣＰＥ定数Ｔは通常のコンデンサＣと等価となり、スラリーＸｃの等価回路は、通常のコンデンサＣから構成されることになるので、インピーダンスＺ_CPEは、通常のコンデンサＣの値を示す。

図３Ａは、生成モジュール１１５及び等価回路解析モジュール１１６において作成される複素平面インピーダンス図を説明する図である。また、図３Ｂは、等価回路解析に用いられた等価回路Ｃ_CPEを示す図である。

図３Ａに示す実線は、インピーダンスの測定データに基づいて、生成モジュール１１５によって作成された複素平面インピーダンス図Ａである。また、破線は、等価回路解析モジュール１１６によって作成された複素平面インピーダンス図Ｂである。

図３Ｂに示す等価回路Ｃ_CPEは、抵抗器Ｒ１とＣＰＥ１とからなる並列回路Ｒ－ＣＰＥ１と、抵抗器Ｒ２とＣＰＥ２とからなる並列回路Ｒ－ＣＰＥ２と、抵抗器Ｒ３とＣＰＥ３とからなる並列回路Ｒ－ＣＰＥ３とを直列接続して得られる等価回路である。

図３Ａにおける複素平面インピーダンス図Ｂは、等価回路Ｃ_CPEを用いて等価回路解析を実行して得られる複素インピーダンス図である。

等価回路解析モジュール１１６は、複素平面インピーダンス図Ｂが生成モジュール１１５から取得した複素平面インピーダンス図Ａと重なるように、等価回路Ｃ_CPEの各並列回路における抵抗器Ｒ及びＣＰＥに関連するパラメータの変更を繰り返す。

均一度算出モジュール１１７は、等価回路解析モジュール１１６によって生成された複素インピーダンス図を取得し、これを解析する。

本実施形態においては、均一度算出モジュール１１７は、ＣＰＥの次数、すなわちＣＰＥ指数ｐが１に近いほど、スラリーＸｃに含まれる分散質Ｘｂの粒子の大きさのばらつきが低い（すなわち、粒子の大きさの均一性が高い）と判断する。また、均一度算出モジュール１１７は、等価回路解析によって得られた並列回路（Ｒ－ＣＰＥ）の数に応じて、分散質Ｘｂの粒子の種類の数を判別する。

また、均一度算出モジュール１１７は、等価回路解析によって算出された抵抗器Ｒのレジスタンスに基づいて、分散質Ｘｂの粒子の抵抗値を算出する。

また、均一度算出モジュール１１７は、記憶部３２に記憶された均一度テーブルに基づいて、等価回路解析モジュール１１６によって設定されたパラメータを選択し、このパラメータに紐付けられた均一度を、測定されたスラリーＸｃの均一度として決定する。

以上の機能構成を備える処理部３５は、測定部３１によって測定されたインピーダンスから複素平面インピーダンス図Ａを作成するとともに、等価回路解析モジュール１１６によって、抵抗器ＲとＣＰＥとからなる並列回路を一要素とする等価回路を用いて複素平面インピーダンス図Ｂを作成する。

また、処理部３５は、複素平面インピーダンス図Ｂが複素平面インピーダンス図Ａに重なるように、等価回路の回路素子のパラメータを設定する。そして、処理部３５は、設定されたパラメータに紐付けられた均一度を、測定されたスラリーＸｃの均一度として決定する。これにより、均一度測定装置１は、スラリーＸｃの均一度を算出することができる。

［均一度測定処理］
次に、図４を参照しながらスラリーＸｃの評価指標としての均一度を測定する均一度測定処理について説明する。

図４は、均一度測定装置１により実行される均一度測定処理を示すフローチャートである。

まず、測定者による操作部３３への操作によって、均一度測定処理が開始されると、ステップＳ１に進む。

ステップＳ１において、処理部３５の解析設定モジュール１１１は、測定部３１に対して、スラリーＸｃへの電圧印加処理の実行を指示する。具体的には、解析設定モジュール１１１は、測定部３１に対して、周波数を変化させながらスラリーＸｃへ交流電圧を印加する処理の実行を指示する。

これにより、測定部３１は、解析設定モジュール１１１からの指示に従って、一対の電極２を介してスラリーＸｃに交流電圧を印加し、印加する交流電圧の周波数を変化させる制御を実行する。

また、測定部３１は、交流電圧の周波数が変化させられるたびに一対の電極２によってスラリーＸｃに流れる応答電流からスラリーＸｃのインピーダンスを測定する。そして、測定部３１は、測定されたインピーダンスを測定データとして、測定装置本体３のインピーダンス取得モジュール１１２に出力する。

続いて、ステップＳ２において、インピーダンス取得モジュール１１２は、インピーダンスの測定データを測定部３１から取得する。

ステップＳ３において、インピーダンス取得モジュール１１２は、虚数成分生成部１１３によってインピーダンスの虚数成分を生成するとともに、実数成分生成部１１４によってインピーダンスの実数成分を生成する。インピーダンス取得モジュール１１２は、生成した虚数成分及び実数成分を生成モジュール１１５に出力する。

続いて、ステップＳ４において、生成モジュール１１５は、インピーダンスの測定データに基づいて、図３Ａに示したように、複素平面インピーダンス図Ａを作成し、作成した複素平面インピーダンス図Ａを等価回路解析モジュール１１６に出力する。

ステップＳ５において、等価回路解析モジュール１１６は、測定データに基づいて、抵抗器ＲとＣＰＥとの並列回路（Ｒ－ＣＰＥ）を一要素とする等価回路解析を実行し、この要素を組み合わせて得られる等価回路のパラメータを設定する。そして、等価回路解析モジュール１１６は、設定した等価回路の複素平面インピーダンス図Ｂを作成する。

例えば、等価回路解析モジュール１１６は、スラリーＸｃの測定データに基づいて複素平面に描かれる半円の直径をＲとし、その半円の頂点の周波数をｆ_topとし、初期のＣＰＥ定数Ｔを次式（２）のように設定し、初期のＣＰＥ指数ｐを１に設定する。そして等価回路解析モジュール１１６は、ＣＰＥ定数Ｔ及びＣＰＥ指数Ｐの設定値に基づいて、初期の等価回路の複素平面インピーダンス図Ｂを生成する。

ステップＳ６において、等価回路解析モジュール１１６は、複素平面インピーダンス図Ａと複素平面インピーダンス図Ｂとを比較し、両者が重なるか否か判別する。

複素平面インピーダンス図Ａと複素平面インピーダンス図Ｂとが重ならない場合（ステップＳ６：Ｎｏ）、ステップＳ５に戻って、等価回路解析モジュール１１６は、等価回路Ｃ_CPEの回路素子のパラメータ（変数）を設定し直し、新たな複素平面インピーダンス図Ｂを作成する。

等価回路解析モジュール１１６は、複素平面インピーダンス図Ｂが、生成モジュール１１５から取得した複素平面インピーダンス図Ａに重なるように、等価回路Ｃ_CPEの各並列回路における抵抗器Ｒ及びＣＰＥに関連するパラメータの設定を繰り返す。

等価回路解析モジュール１１６は、複素平面インピーダンス図Ａと複素平面インピーダンス図Ｂとが重なった際（ステップＳ６：Ｙｅｓ）、等価回路解析モジュール１１６は、最終的に得られた複素平面インピーダンス図Ｂを均一度算出モジュール１１７に出力する。

ステップＳ７において、均一度算出モジュール１１７は、等価回路解析モジュール１１６から複素平面インピーダンス図Ｂを取得する。均一度算出モジュール１１７は、記憶部３２に記憶された均一度テーブルに基づいて、複素平面インピーダンス図Ｂを作成した等価回路Ｃ_CPEのパラメータに紐付けられた均一度を選択し、選択された均一度を測定対象であるスラリーＸｃの均一度として決定する。

次に、ステップＳ８において、表示部３４は、処理部３５の指示に従って、スラリーＸｃの均一度等を表示する。そして、処理部３５は、均一度測定処理を終了する。

＜作用効果＞
次に、本実施形態による作用効果について説明する。

上述のように、本実施形態に係る均一度測定装置１は、スラリーＸｃに交流電圧を印加する一対の電極２と、スラリーＸｃに周波数が段階的に変化する交流電圧が印加された際にスラリーＸｃに流れる応答電流からスラリーＸｃのインピーダンスを測定する測定部３１と、測定部３１において測定されたインピーダンスから、抵抗器Ｒとコンスタント・フェーズ・エレメント（ＣＰＥ）との並列回路を要素とする等価回路Ｃ_CPEを設定し、設定した等価回路Ｃ_CPEを用いて等価回路解析を実行して複素平面インピーダンスを示すデータを生成し、並列回路に関するパラメータに基づいて均一度を算出する処理部３５とを備える。

上述の構成を備える均一度測定装置１は、スラリーＸｃに流れる応答電流から測定されたスラリーＸｃのインピーダンスから複素平面インピーダンス図Ａを作成するとともに、抵抗器ＲとＣＰＥとからなる並列回路を要素とする等価回路を設定して、この等価回路の複素平面インピーダンス図Ｂを作成する。

そして、均一度測定装置１は、複素平面インピーダンス図Ｂを複素平面インピーダンス図Ａに近づけるように、等価回路に関するパラメータを設定する。

均一度測定装置１は、記憶部３２に記憶された均一度テーブルに基づいて、既知のスラリーから得られたパラメータを選択し、選択されたパラメータに紐付けられた均一度を、測定されたスラリーＸｃの均一度として決定する。

したがって、従来の沈降試験等に比べて、測定結果が得られるまでの待機時間を短くすることができる。また、測定者の主観を含まない評価指標の測定が可能となる。

また、均一度測定装置１は、記憶部３２に記憶された均一度テーブルを用いて、スラリーＸｃに含まれる分散質Ｘｂの粒子の大きさの均一性、分散質Ｘｂの粒子の種類の数、分散質Ｘｂの粒子の抵抗値、及び分散質Ｘｂの粒子の大きさを算出することができる。

［均一度測定プログラム］
上述した均一度測定方法は、均一度の測定をコンピュータに実行させるためのプログラムとして提供することもできる。

すなわち、本実施形態に係るプログラムは、液体Ｘａに不溶性の固体物質（分散質Ｘｂ）が混合された混合液としてのスラリーＸｃにおける分散質Ｘｂの均一度の測定をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、スラリーＸｃに交流電圧を印加し、交流電圧の周波数を変化させながらスラリーＸｃに交流電圧を印加した際に流れる応答電流からインピーダンスを測定し、交流電圧の周波数に応じて測定されたインピーダンスから、抵抗器とＣＰＥ回路との並列回路を要素とする等価回路を求め、等価回路を用いて均一度を算出する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムである。

本実施形態においては、上述のプログラムは、記憶部３２に記憶されていてもよく、均一度測定装置１に対して着脱可能な記録媒体に記録されて提供されてもよい。

［その他の実施形態］
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。

均一度測定装置１において、記憶部３２、操作部３３及び表示部３４は、測定装置本体３とは別に構成されていてもよい。また、測定部３１は、均一度測定装置１から切り離されて、例えば、解析装置のように別の装置として提供されてもよい。

均一度測定装置１は、種々の形態を取り得る。例えば、均一度測定装置１は、据え置き型に構成されていてもよい。また、均一度測定装置１は、携帯型の装置として構成されていてもよい。

１均一度測定装置
２電極
３測定装置本体
３１測定部
３２記憶部
３３操作部
３４表示部
３５処理部
１１１解析設定モジュール
１１２インピーダンス取得モジュール
１１３虚数成分生成部
１１４実数成分生成部
１１５複素平面インピーダンスデータ生成モジュール、生成モジュール
１１６等価回路解析モジュール
１１７均一度算出モジュール

Claims

液体に不溶性の固体物質が混合された混合液の均一度を測定する均一度測定装置であって、
前記混合液に交流信号を印加する一対の電極と、
前記交流信号が印加された際に前記混合液に流れる応答信号に基づいて前記混合液のインピーダンスを測定する測定手段と、
前記測定手段において測定されたインピーダンスから、抵抗器とコンスタント・フェーズ・エレメントとの並列回路を要素とする等価回路を設定し、設定した前記等価回路を用いて等価回路解析を実行して複素平面インピーダンスを示すデータを生成し、前記並列回路に関するパラメータに基づいて前記均一度を算出する処理手段と、
を備え、
前記処理手段は、前記コンスタント・フェーズ・エレメントの次数が１に近いほど前記混合液の均一度のうち前記固体物質の大きさの均一性が高いと判断する、
均一度測定装置。
請求項１に記載の均一度測定装置であって、
前記処理手段は、前記等価回路解析によって得られた前記並列回路の数に応じて前記固体物質の種類の数を判別する、
均一度測定装置。
液体に不溶性の固体物質が混合された混合液の均一度を測定する均一度測定方法であって、
前記混合液に交流信号の周波数を変化させながら前記交流信号を印加し、
前記混合液に前記交流信号が印加された際に前記混合液に流れる応答信号から前記混合液のインピーダンスを測定し、
前記測定されたインピーダンスから、抵抗器とコンスタント・フェーズ・エレメントとの並列回路を要素とする等価回路を求め、前記等価回路における前記コンスタント・フェーズ・エレメントの次数が１に近いほど前記混合液の均一度のうち前記固体物質の大きさの均一性が高いと判断する、
均一度測定方法。
液体に不溶性の固体物質が混合された混合液の均一度の測定をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記混合液に交流信号の周波数を変化させながら前記交流信号を印加し、
前記混合液に前記交流信号が印加された際に前記混合液に流れる応答信号から前記混合液のインピーダンスを測定し、
前記測定されたインピーダンスから、抵抗器とコンスタント・フェーズ・エレメントとの並列回路を要素とする等価回路を求め、前記等価回路における前記コンスタント・フェーズ・エレメントの次数が１に近いほど前記混合液の均一度のうち前記固体物質の大きさの均一性が高いと判断する、
均一度測定方法を実行させるプログラム。