JP7341926B2 - 磁気センサ - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気センサに関する。

例えば、磁性層を用いた磁気センサがある。磁気センサにおいて、特性の向上が望まれる。

特開２０１８－１５５７１９号公報

本発明の実施形態は、特性を向上できる磁気センサを提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気センサは、第１配線回路、交流回路部、第１直流回路部及び第１素子を含む。前記第１配線回路は、第１配線及び第１交流伝達素子を含む。前記第１配線は、第１配線端部及び第１配線他端部を含む。前記第１交流伝達素子は、前記第１配線と電気的に直列に接続される。前記第１配線回路は、第１回路端部及び第１回路他端部を含む。前記交流回路部は、前記第１回路端部及び前記第１回路他端部の間に交流電圧を印加可能である。前記第１直流回路部は、前記第１配線端部及び前記第１配線他端部に第１直流電圧を印加可能である。前記第１素子は、第１磁性層を含む。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式的斜視図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、磁気センサの特性を例示する模式図である。 図３は、磁気センサの特性を例示するグラフ図である。 図４（ａ）～図４（ｃ）は、第２実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。 図５は、第２実施形態に係る磁気センサを例示する模式的斜視図である。 図６（ａ）～図６（ｆ）は、第２実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第３実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。 図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第３実施形態に係る磁気センサを例示する模式的斜視図である。 図９は、第３実施形態に係る磁気センサの一部を例示する模式図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式的斜視図である。
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気センサ１１０は、第１配線回路２１、交流回路部７５ａｃ、第１直流回路部７１ｄｃ、及び、第１素子５１を含む。

第１配線回路２１は、第１配線６１及び第１交流伝達素子３１を含む。第１交流伝達素子３１は、信号の交流成分を伝達し、信号の直流成分をカット（または減衰させる）。第１交流伝達素子３１は、例えば、キャパシタンス素子である。第１交流伝達素子３１は、スイッチング素子などを含む回路素子を含んでも良い。以下の例では、第１交流伝達素子３１は、第１スイッチング素子とする。

第１配線６１は、第１配線端部６１ａ及び第１配線他端部６１ｂを含む。第１交流伝達素子３１は、第１配線６１と電気的に直列に接続される。第１配線回路２１は、第１回路端部２１ａ及び第１回路他端部２１ｂを含む。

交流回路部７５ａｃは、第１回路端部２１ａ及び第１回路他端部２１ｂの間に交流電圧Ｖａｃを印加可能である。この例では、交流回路部７５ａｃは、配線２６ａ及び配線２６ｂにより、第１回路端部２１ａ及び第１回路他端部２１ｂと電気的に接続される。

第１直流回路部７１ｄｃは、第１配線端部６１ａ及び第１配線他端部６１ｂに第１直流電圧Ｖｄｃ１を印加可能である。この例では、第１直流回路部７１ｄｃは、配線２７ａ及び配線２７ｂにより、第１配線端部６１ａ及び第１配線他端部６１ｂと電気的に接続される。

第１素子５１は、第１磁性層１１を含む。例えば、第１素子５１は、第１対向磁性層１１ｏ及び第１非磁性層１１ｎをさらに含む。第１非磁性層１１ｎは、第１磁性層１１と第１対向磁性層１１ｏとの間に設けられる。第１素子５１に加わる磁界に応じて、第１素子５１の電気抵抗が変化する。電気抵抗の変化は、例えば、磁気抵抗効果に基づく。

例えば、第１磁性層１１は、磁化１１Ｍを有する。第１対向磁性層１１ｏは、磁化１１ｏＭを有する。１つの例において、磁化１１ｏＭの向きは、実質的に固定される。磁界が第１素子５１に加わると、第１磁性層１１の磁化１１Ｍの向きが変化する。磁化１１ｏＭと磁化１１Ｍとの間の角度が、印加される磁界に応じて変化する。角度の変化に応じて、電気抵抗が変化する。第１素子５１は、例えば、ＧＭＲ（Giant magnetic resistance）素子、または、ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistance Effect）素子である。１つの例において、外部磁界が実質的にないときに、第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、第１対向磁性層１１ｏの磁化１１ｏＭに沿う。第１素子５１において、偶関数の特性が得やすくなる。実施形態において、第１素子５１は、ＡＭＲ（Anisotropic magnetoresistance effect）素子でも良い。

図１に示すように、例えば、磁気センサ１１０は、検出回路部７０ＤＴをさらに含んでも良い。検出回路部７０ＤＴは、第１素子５１の電気抵抗（例えば、第１電気抵抗）に応じた信号ｓｇ１を出力可能である。例えば、第１素子５１は、第１素子端部５１ａ及び第１素子他端部５１ｂを含む。第１素子５１の電気抵抗は、第１素子端部５１ａと第１素子他端部５１ｂとの間の電気抵抗に対応する。

図１に示すように、検出電圧回路部７５ｄｃが設けられても良い。検出電圧回路部７５ｄｃは、第１素子端部５１ａと第１素子他端部５１ｂとの間に検出電圧Ｖｄｔを印加可能である。例えば、配線２８ａ及び配線２８ｂにより、検出電圧回路部７５ｄｃは、第１素子端部５１ａ及び第１素子他端部５１ｂと電気的に接続される。検出電圧Ｖｄｔにより、第１素子５１に、検出電流（例えば、第１素子電流Ｉｅ１）が流れる。例えば、検出回路部７０ＤＴは、検出電流の変化に応じた電圧などを検出することが可能である。これにより、検出回路部７０ＤＴは、第１素子５１の電気抵抗に応じた信号ｓｇ１を出力可能である。検出電圧Ｖｄｔは、例えば、実質的に直流電圧で良い。検出電圧Ｖｄｔにより、第１素子５１に実質的に直流の電流が流れて良い。

実施形態においては、このような第１素子５１及び第１配線６１が組み合わされる。第１配線６１に印加される交流電圧に応じて、交流電流が第１配線６１に流れる。第１配線６１に流れる交流電流に応じた第１交流磁界Ｈａ１が、第１素子５１に加わる。第１素子５１に、検出対象の磁界（検出磁界）と、第１交流磁界Ｈａ１と、が印加される。

後述するように、第１素子５１における磁界－電気抵抗の特性は、例えば、実質的に偶関数を有する。この場合、第１素子５１の電気抵抗は、第１交流磁界Ｈａ１の周波数ｆの２倍の周波数の成分と、周波数ｆの成分と、を有する。検出磁界が直流の場合、周波数ｆの成分の大きさは、検出磁界の大きさに対応する。第１素子５１の電気抵抗に応じた信号ｓｇ１から、周波数ｆの成分を取り出すことで、検出磁界に関する情報を得ることができる。検出磁界が交流であり、検出磁界の周波数がｆｅｘである場合、第１素子５１の電気抵抗の変調後の信号は、ｆ±ｆｅｘの周波数を含む。変調後の信号におけるｆ±ｆｅｘの周波数の成分の強度は、検出磁界の強度に応じて変化する。信号ｓｇ１から、ｆ±ｆｅｘの周波数の成分を取り出すことで、検出磁界に関する情報を得ることができる。

１つの例において、第１素子５１における磁界－電気抵抗の特性が、理想的な偶関数からシフトしている場合がある。例えば、第１素子５１に含まれる磁性層の特性、第１配線６１の特性、または、第１素子５１と第１配線６１との位置関係などが、製造条件のばらつきなどに起因して、設計状態からシフトする場合がある。これらにより、第１素子５１における磁界－電気抵抗の特性が、理想的な偶関数からシフトする可能性がある。

実施形態においては、第１配線６１を含む第１配線回路２１に、第１交流伝達素子３１が設けられる。交流回路部７５ａｃにより、第１配線回路２１に交流電圧Ｖａｃが印加される。交流電圧Ｖａｃは、例えば、容量結合により、第１交流伝達素子３１を通過して、第１配線６１に印加される。一方、第１直流回路部７１ｄｃにより、第１配線６１に第１直流電圧Ｖｄｃ１が印加可能である。例えば、第１素子５１における磁界－電気抵抗の特性が理想的な偶関数からシフトしていた場合、第１直流回路部７１ｄｃにより、第１配線６１に適切な値の第１直流電圧Ｖｄｃ１が印加されることで、第１素子５１における磁界－電気抵抗の特性を理想的な偶関数に近づけることができる。これにより、非対称性に起因する周波数の信号を抑制できる。

これにより、検出磁界をより高い精度で検出することができる。例えば、検出磁界を高ダイナミックレンジで検出できる。実施形態によれば、特性を向上できる磁気センサを提供できる。

図１に示すように、磁気センサ１１０は、制御回路部７０ＣＮをさらに含んでも良い。制御回路部７０ＣＮに、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１が供給される。制御回路部７０ＣＮは、信号ｓｇ１に基づいて、第１直流回路部７１ｄｃを制御可能でも良い。例えば、制御回路部７０ＣＮから、第１制御信号ｓｃ１が、第１直流回路部７１ｄｃに供給される。第１制御信号ｓｃ１に基づいて、第１直流回路部７１ｄｃから出力される第１直流電圧Ｖｄｃ１が制御される。制御回路部７０ＣＮによる制御により、第１直流電圧Ｖｄｃ１は、第１素子５１の電気抵抗（例えば第１電気抵抗）が第１配線６１に流れる電流（例えば第１電流）に対して偶関数に近付くように、第１直流電圧Ｖｄｃ１を制御する。

図１（ａ）に示すように、第１対向磁性層１１ｏから第１磁性層１１への方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｚ軸方向は、第１対向磁性層１１ｏ及び第１磁性層１１の積層方向に対応する。

１つの例において、第１素子５１から第１配線６１への方向は、Ｚ軸方向に沿う。第１素子５１から第１配線６１への方向は、Ｙ軸方向に沿っても良い。このような配置により、第１配線６１から生じる第１交流磁界Ｈａ１が第１素子５１に効率的に印加し易くなる。

図１（ａ）に示すように、第１配線端部６１ａから第１配線他端部６１ｂへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。第１方向Ｄ１は、例えば、Ｘ軸方向に沿う。例えば、第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、第１方向Ｄ１に沿うことが好ましい。これにより、偶関数の特性がより得やすい。例えば、外部からの磁界がないときに、磁化１１Ｍ及び磁化１１ｏＭは、第１方向Ｄ１に沿うことがより好ましい。偶関数の特性がより得やすい。

図１（ｂ）に示すように、第１磁性層１１の第１方向Ｄ１に沿う長さを長さＬ１とする。第１磁性層１１の第１交差方向Ｄｘ１に沿う長さを長さＷ１とする。長さＷ１は、例えば、幅に対応する。第１磁性層１１の第１他方向Ｄｓ１に沿う長さを長さｔ１とする。長さｔ１は、例えば、厚さに対応する。１つの例において、第１交差方向Ｄｘ１は、Ｙ軸方向である。１つの例において、第１他方向Ｄｓ１は、Ｚ軸方向である。

例えば、長さＬ１は、長さＷ１よりも長い。例えば、長さＷ１は、長さｔ１よりも長い。このような構成により、第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、第１方向Ｄ１に沿い易くなる。このような磁化１１Ｍの制御は、例えば、形状異方性の効果による。磁化１１Ｍが第１配線６１に沿うことで、偶関数の特性、または、偶関数に近い特性が、より得やすくなる。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、磁気センサの特性を例示する模式図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）の横軸は、第１配線６１に流れる電流（第１電流Ｉａ１）である。図２（ａ）及び図２（ｂ）の縦軸は、第１素子５１の電気抵抗（第１電気抵抗Ｒ１）である。図２（ａ）は、第１直流電圧Ｖｄｃ１が０の場合に対応する。図２（ｂ）は、第１直流電圧Ｖｄｃ１が、電圧Ｖｘの場合に対応する。図２（ａ）及び図２（ｂ）の横軸は、第１電流Ｉａ１に基づいて発生する磁界（第１交流磁界Ｈａ１）に対応する。これらの図において、「＋」及び「－」は、第１電流Ｉａ１の極性に対応し、第１電流Ｉａ１の向きに対応する。「＋」及び「－」は、第１交流磁界Ｈａ１の向きに対応する。

図２（ａ）に示すように、第１配線６１に流れる第１電流Ｉａ１が正極性であるときに第１電流Ｉａ１の絶対値が増大すると、第１素子５１の第１電気抵抗Ｒ１は増大する。第１配線６１に流れる第１電流Ｉａ１が負極性であるときに第１電流Ｉａ１の絶対値が増大すると、第１電気抵抗Ｒ１は増大する。第１電気抵抗Ｒ１は、第１電流Ｉａ１に対して、実質的に偶関数である。ただし、図２（ａ）に示すように、第１直流電圧Ｖｄｃ１が０の１つの例において、第１電気抵抗Ｒ１は、第１電流Ｉａ１の変化に対して、非対称である。このような非対称性は、第１素子５１の特性、第１配線６１の特性、または、第１素子５１と第１配線６１との位置関係などのばらつきなどに起因すると考えられる。

図２（ｂ）に示すように、第１直流電圧Ｖｄｃ１が、適切な電圧Ｖｘの場合は、第１電気抵抗Ｒ１は、第１電流Ｉａ１の変化に対して、実質的に対称である。これにより、非対称性に起因するノイズが抑制できる。例えば、第１直流回路部７１ｄｃから出力される第１直流電圧Ｖｄｃ１が、適切な電圧Ｖｘとされることで、第１電気抵抗Ｒ１は、偶関数に近づく。または、第１電気抵抗Ｒ１は、完全な偶関数になる。

このような、電圧Ｖｘは、制御回路部７０ＣＮの制御により得られても良い。例えば、制御回路部７０ＣＮは、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１に基づいて、第１電気抵抗Ｒ１が第１電流Ｉａ１に対して偶関数に近付くように、第１直流電圧Ｖｄｃ１を制御する。

図２（ａ）に示すように、第１素子５１に加わる第１交流磁界Ｈａ１が正極性であるときに、第１交流磁界Ｈａ１の絶対値が増大すると、第１素子５１の第１電気抵抗Ｒ１は増大する。第１素子５１に加わる第１交流磁界Ｈａ１が負極性であるときに第１交流磁界Ｈａ１の絶対値が増大すると、第１電気抵抗Ｒ１は増大する。例えば、制御回路部７０ＣＮは、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１に基づいて、第１電気抵抗Ｒ１が第１交流磁界Ｈａ１に対して偶関数に近付くように、第１直流電圧Ｖｄｃ１を制御しても良い。

以下、第１素子５１の電気抵抗が印加される磁界に対して実質的に偶関数である場合について、第１素子５１の特性の例について説明する。

図３は、磁気センサの特性を例示するグラフ図である。
図３は、素子（例えば第１素子５１）に磁界Ｈｘとして、交流磁界Ｈａｘ及び磁界Ｈｍが印加されたときの特性を例示している。磁界Ｈｍは、検出対象の検出磁界である。図３の横軸は、磁界Ｈｘに対応する。縦軸は、素子の抵抗Ｒｘに対応する。抵抗Ｒｘは、例えば、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１に対応する。交流磁界Ｈａｘは、時間ｔｍに対して変化する。図３の例では、交流磁界Ｈａｘは、三角波である。交流磁界Ｈａｘは、正弦波またはパルス波などでも良い。交流磁界Ｈａｘの周波数を、第１周波数ｆ１とする。抵抗Ｒｘは、磁界Ｈｘに対して偶関数の特性を有する。

図３に示すように、交流磁界Ｈａｘ及び磁界Ｈｍが印加されたときに、例えば、素子から信号Ｓｉｇｘが得られる。信号Ｓｉｇｘは、抵抗Ｒｘの変化に対応する。信号Ｓｉｇｘにおいて、抵抗Ｒ０を基準とした２種類の周波数成分を有する波形が得られる。信号Ｓｉｇｘは、例えば、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１に対応する。

信号Ｓｉｇｘ（抵抗Ｒｘ）は、時間ｔｍに対して変化する。信号Ｓｉｇｘ（抵抗Ｒｘ）は、第１周波数ｆ１の周波数の成分と、２倍の周波数２ｆ１の成分と、を含む。第１周波数ｆ１の周波数に対応する波形成分は、磁界Ｈｍに起因する。磁界Ｈｍが０の場合は、第１周波数ｆ１の周波数に対応するピークは実質的に生じず、２倍の周波数２ｆ１の成分が生じる。例えば、フィルタなどを用いて、第１周波数ｆ１の周波数に対応する成分を取り出すことができる。第１周波数ｆ１の周波数に対応するピークの強度を測定することで、検出対象の磁界Ｈｍを知ることができる。２倍の周波数２ｆ１の信号は、例えば、不要な信号（例えばノイズ）に対応する。

磁界Ｈｍは直流磁界でも良く、交流磁界でも良い。磁界Ｈｍが交流磁界である場合、磁界Ｈｍの周波数は、交流磁界Ｈａｘの周波数（第１周波数ｆ１）よりも低い。

実施形態においては、第１直流電圧Ｖｄｃ１が制御されることで、抵抗Ｒｘが磁界Ｈｘに対して実質的に偶関数の特性を有する。非対称性に起因するノイズが抑制できる。これにより、検出対象の磁界Ｈｍをより正確に検出できる。

上記のように、交流電圧Ｖａｃは第１周波数ｆ１を有する。制御回路部７０ＣＮは、外部磁界が実質的にないときに、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１の第１周波数ｆ１の成分が小さくなるように、第１直流電圧Ｖｄｃ１を制御することが可能である。これにより、外部磁界が実質的にないときに、抵抗Ｒｘが磁界Ｈｘに対して実質的に偶関数となる。そして、第１周波数ｆ１の成分は、検出対象の磁界Ｈｍに応じるようになる。

（第２実施形態）
図４（ａ）～図４（ｃ）は、第２実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。 図５は、第２実施形態に係る磁気センサを例示する模式的斜視図である。
図４（ａ）～図４（ｃ）に示すように、第２実施形態に係る磁気センサ１２０は、第１配線回路２１、交流回路部７５ａｃ、第１直流回路部７１ｄｃ、及び、第１素子５１に加えて、第２配線回路２２、第２素子５２、第１抵抗素子４１、第２抵抗素子４２及び検出電圧回路部７５ｄｃを含む。

第２配線回路２２は、第２配線６２及び第２交流伝達素子３２を含む。第２交流伝達素子３２は、信号の交流成分を伝達し、信号の直流成分をカット（または減衰させる）。第２交流伝達素子３２は、例えば、キャパシタンス素子である。第２交流伝達素子３２は、スイッチング素子などを含む回路素子を含んでも良い。以下の例では、第２交流伝達素子３２は、第２スイッチング素子とする。

第２配線６２は、第２配線端部６２ａ及び第２配線他端部６２ｂを含む。第２交流伝達素子３２は、第２配線６２と電気的に直列に接続される。第２配線回路２２は、第２回路端部２２ａ及び第２回路他端部２２ｂを含む。

第２直流回路部７２ｄｃは、第２配線端部６２ａ及び第２配線他端部６２ｂとの間に第２直流電圧Ｖｄｃ２を印加可能である。

図５に示すように、第２素子５２は、第２磁性層１２を含む。この例では、第２素子５２は、第２対向磁性層１２ｏ及び第２非磁性層１２ｎをさらに含む。第２非磁性層１２ｎは、第２磁性層１２と第２対向磁性層１２ｏとの間に設けられる。第２素子５２に加わる磁界に応じて、第２素子５２の電気抵抗が変化する。電気抵抗の変化は、例えば、磁気抵抗効果に基づく。

図４（ａ）に示すように、交流回路部７５ａｃは、第２回路端部２２ａ及び第２回路他端部２２ｂの間に交流電圧Ｖａｃを印加可能である。１つの例において、図２（ａ）に示すように、第２配線回路２２において印加される交流電圧Ｖａｃの極性（位相）は、第１配線回路２１において印加される交流電圧Ｖａｃの極性（位相）と逆である。

図４（ｂ）に示すように、１つの例において、第１配線６１は、Ｚ軸方向において、第１素子５１と重なる。第２配線６２は、Ｚ軸方向において、第２素子５２と重なる。

図４（ｂ）に示すように、第１素子５１、第１抵抗素子４１、第２素子５２及び第２抵抗素子４２は、ブリッジ回路（例えばホイートストンブリッジ）を形成する。検出電圧回路部７５ｄｃは、ブリッジ回路に検出電圧Ｖｄｔを印加可能である。検出電圧Ｖｄｔは、例えば、実質的に直流電圧で良い。検出電圧Ｖｄｔにより、第１素子５１及び第２素子５２に、実質的に直流の電流が流れて良い。

検出回路部７０ＤＴは、第１素子５１及び第１抵抗素子４１の電気的な第１接続点ｃｐ１の電位と、第２素子５２及び第２抵抗素子４２の電気的な第２接続点ｃｐ２の電位と、の差に応じた信号ｓｇ１を出力可能である。

図４（ｃ）に示すように、検出回路部７０ＤＴから出力された信号ｓｇ１が、制御回路部７０ＣＮに供給される。制御回路部７０ＣＮは、信号ｓｇ１に基づいて、第１直流電圧Ｖｄｃ１及び第２直流電圧Ｖｄｃ２の少なくともいずれかを制御することが可能である。例えば、制御回路部７０ＣＮから第１制御信号ｓｃ１が第１直流回路部７１ｄｃに供給される。第１直流回路部７１ｄｃから、第１制御信号ｓｃ１に応じた第１直流電圧Ｖｄｃ１が出力される。制御回路部７０ＣＮから第２制御信号ｓｃ２が第２直流回路部７２ｄｃに供給される。第２直流回路部７２ｄｃから、第２制御信号ｓｃ２に応じた第２直流電圧Ｖｄｃ２が出力される。

磁気センサ１２０において、第１配線６１及び第２配線６２には、同じ交流電圧Ｖａｃが印加される。これにより、第１配線６１及び第２配線６２のそれぞれから発生する磁界の交流成分にずれが実質的に生じない。第１配線回路２１及び第２配線回路２２のそれぞれに、互いに独立した直流電圧が印加できる。これにより、第１素子５１及び第２素子５２の特性のそれぞれを、独立して、偶関数に近づくように制御できる。非対称性に起因するノイズが抑制できる。特性を向上できる磁気センサを提供できる。

図４（ｂ）に示すように、第１抵抗素子４１は、第１素子５１と電気的に直列に接続される。第２抵抗素子４２は、第２素子５２と電気的に直列に接続される。第１素子５１及び第１抵抗素子４１を含む第１素子回路２５ａ、及び、第２素子５２及び第２抵抗素子４２を含む第２素子回路２５ｂは、電気的に並列に接続される。検出電圧回路部７５ｄｃは、第１素子回路２５ａ及び第２素子回路２５ｂに検出電圧Ｖｄｔを印加する。

例えば、第１抵抗素子４１は、第１抵抗素子端部４１ａ及び第１抵抗素子他端部４１ｂを含む。第１抵抗素子端部４１ａは、第１素子他端部５１ｂと電気的に接続される。第１素子端部５１ａは、検出電圧回路部７５ｄｃと電気的に接続される。第１抵抗素子他端部４１ｂは、例えば、グランドＧＮＤを介して、検出電圧回路部７５ｄｃと電気的に接続される。第１接続点ｃｐ１の電位は、例えば、第１抵抗素子端部４１ａ及び第１素子他端部５１ｂの電位に対応する。

例えば、第２抵抗素子４２は、第２抵抗素子端部４２ａ及び第２抵抗素子他端部４２ｂを含む。第２抵抗素子端部４２ａは、第２素子他端部５２ｂと電気的に接続される。第２素子端部５２ａは、検出電圧回路部７５ｄｃと電気的に接続される。第２抵抗素子他端部４２ｂは、例えば、グランドＧＮＤを介して、検出電圧回路部７５ｄｃと電気的に接続される。第２接続点ｃｐ２の電位は、例えば、第２抵抗素子端部４２ａ及び第２素子他端部５２ｂの電位に対応する。

図４（ｂ）に示すように、検出電圧回路部７５ｄｃにより印加される検出電圧Ｖｄｔに基づいて、第１素子５１及び第１抵抗素子４１を第１素子電流Ｉｅ１が流れる。検出電圧Ｖｄｔに基づいて、第２素子５２及び第２抵抗素子４２を第２素子電流Ｉｅ２が流れる。例えば、第１素子電流Ｉｅ１及び第２素子電流Ｉｅ２は、実質的に直流の電流で良い。

図４（ｂ）に示すように、交流電圧Ｖａｃに基づいて、第１配線６１を第１交流電流Ｉａｃ１が流れる。交流電圧Ｖａｃに基づいて、第２配線６２を第２交流電流Ｉａｃ２が流れる。

図４（ｂ）に示すように、第１素子５１及び第２素子５２に外部磁界Ｈｅｘが加わることが可能である。図４（ｂ）は、１つの時刻の状態を例示している。少なくとも１つの時刻において、第１素子５１に加わる外部磁界Ｈｅｘの向きを基準にした、第１交流電流Ｉａｃ１の位相は、第２素子５２に加わる外部磁界Ｈｅｘの向きを基準にした、第２交流電流Ｉａｃ２の位相と、逆である。

この例では、１つの時刻において、第１素子５１及び第２素子５２に、１つの向きの外部磁界Ｈｅｘが印加される。このときに、第１配線６１の流れる第１交流電流Ｉａｃ１の向きは、第２配線６２に流れる第２交流電流Ｉａｃ２の向きと逆である。

図４（ｂ）に示すように、例えば、第１交流電流Ｉａｃ１に基づいて、第１交流磁界Ｈａ１が第１素子５１に加わる。第２交流電流Ｉａｃ２に基づいて、第２交流磁界Ｈａ２が第２素子５２に加わる。１つの時刻において、第１交流磁界Ｈａ１の向きは、外部磁界Ｈｅｘの向きと逆であり、第２交流磁界Ｈａ２の向きは、外部磁界Ｈｅｘの向きと同じである。

逆の位相により、第１交流磁界Ｈａ１に応じた第１素子５１の電気抵抗の変化と、第２交流磁界Ｈａ２に応じた第２素子５２の電気抵抗の変化と、が実質的にキャンセルされる。これにより、これらの交流磁界に起因する周波数の成分が小さくできる。検出対象の磁界を効率良く検出し易くなる。

図４（ｂ）に示すように、例えば、第１配線６１と第１素子５１との間の距離は、第１配線６１と第２素子５２との間の距離よりも短い。第２配線６２と第２素子５２との間の距離は、第２配線６２と第１素子５１との間の距離よりも短い。第１配線６１により生じる第１交流磁界Ｈａ１は、第１素子５１に印加され、第２素子５２には実質的に印加されない。第２配線６２により生じる第２交流磁界Ｈａ２は、第２素子５２に印加され、第１素子５１には実質的に印加されない。

第１素子５１は、第１素子端部５１ａ及び第１素子他端部５１ｂを含む。第１素子端部５１ａと第１配線端部６１ａとの間の距離は、第１素子端部５１ａと第１配線他端部６１ｂとの間の距離よりも短い。第１素子他端部５１ｂと第１配線他端部６１ｂとの間の距離は、第１素子他端部５１ｂと第１配線端部６１ａとの間の距離よりも短い。

第２素子５２は、第２素子端部５２ａ及び第２素子他端部５２ｂを含む。第２素子端部５２ａと第２配線端部６２ａとの間の距離は、第２素子端部５２ａと第２配線他端部６２ｂとの間の距離よりも短い。第２素子他端部５２ｂと第２配線他端部６２ｂとの間の距離は、第２素子他端部５２ｂと第２配線端部６２ａとの間の距離よりも短い。

図６（ａ）～図６（ｆ）は、第２実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。 これらの図の横軸は、時間ｔｍである。図６（ａ）の縦軸は、第１配線他端部６１ｂを基準にした第１配線端部６１ａの電位Ｅａ１である。図６（ｂ）の縦軸は、第２配線他端部６２ｂを基準にした第２配線端部６２ａの電位Ｅａ２である。図６（ｃ）の縦軸は、第１交流電流Ｉａｃ１である。図６（ｄ）の縦軸は、第２交流電流Ｉａｃ２である。図６（ｅ）の縦軸は、第１交流磁界Ｈａ１である。図６（ｆ）の縦軸は、第２交流磁界Ｈａ２である。

図６（ａ）に示すように、第１時刻ｔｍ１において、電位Ｅａ１は、正である。第１時刻ｔｍ１において、第１配線端部６１ａの電位は、第１配線他端部６１ｂの電位よりも高い。第２時刻ｔｍ２において、電位Ｅａ２は、負である。第２時刻ｔｍ２において、第１配線端部６１ａの電位は、第１配線他端部６１ｂの電位よりも低い。

図６（ｂ）に示すように、第１時刻ｔｍ１において、電位Ｅａ２は、負である。第１時刻ｔｍ１において、第２配線端部６２ａの電位は、第２配線他端部６２ｂの電位よりも低い。第２時刻ｔｍ２において、電位Ｅａ２は正である。第２時刻ｔｍ２において、第２配線端部６２ａの電位は、第２配線他端部６２ｂの電位よりも高い。

このような第１時刻ｔｍ１及び第２時刻ｔｍ２において、第１素子５１及び第２素子５２には、検出電圧回路部７５ｄｃによる実質的な直流電圧が印加される。第１素子５１に実質的に直流の第１素子電流Ｉｅ１（図４（ｂ）参照）が流れる。第２素子５２に実質的に直流の第２素子電流Ｉｅ２（図４（ｂ）参照）が流れる。

従って、第１時刻ｔｍ１において第１素子５１を流れる電流（第１素子電流Ｉｅ１）の向きは、第２時刻ｔｍ２において第１素子５１を流れる電流（第１素子電流Ｉｅ１）の向きと同じである。同様に、第１時刻ｔｍ１において第２素子５２を流れる電流（第２素子電流Ｉｅ２）の向きは、第２時刻ｔｍ２において第２素子５２を流れる電流（第２素子電流Ｉｅ２）の向きと同じである。

図４（ｂ）に示すように、第１時刻ｔｍ１及び第２時刻ｔｍ２において、第１素子端部５１ａから第１素子他端部５１ｂに向けて、第１素子５１を第１素子電流Ｉｅ１が流れる。第１時刻ｔｍ１及び第２時刻ｔｍ２において、第２素子端部５２ａから第２素子他端部５２ｂに向けて、第２素子５２を第２素子電流Ｉｅ２が流れる。

図６（ｃ）に示すように、例えば、第１時刻ｔｍ１において、第１交流電流Ｉａｃ１は、正である。第２時刻ｔｍ２において、第１交流電流Ｉａｃ１は、負である。図６（ｄ）に示すように、例えば、第１時刻ｔｍ１において、第２交流電流Ｉａｃ２は、負である。第２時刻ｔｍ２において、第２交流電流Ｉａｃ２は、正である。

図６（ｅ）に示すように、例えば、第１時刻ｔｍ１において、第１交流磁界Ｈａ１は、正である。第２時刻ｔｍ２において、第１交流磁界Ｈａ１は、負である。図６（ｆ）に示すように、例えば、第１時刻ｔｍ１において、第２交流磁界Ｈａ２は、負である。第２時刻ｔｍ２において、第２交流磁界Ｈａ２は、正である。

図４（ａ）に示すように、１つの例において、第２配線他端部６２ｂから第２配線端部６２ａへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。この例では、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に沿う。

図５に示すように、第２磁性層１２の第２方向Ｄ２に沿う長さを長さＬ２とする。第２磁性層１２の第２交差方向Ｄｘ２に沿う長さを長さＷ２とする。第２交差方向Ｄｘ２は、第２方向Ｄ２と交差する。第２磁性層１２の第２他方向Ｄｓ２に沿う長さを長さｔ２とする。第２他方向Ｄｓ２は、第２方向Ｄ２及び第２交差方向Ｄｘ２を含む平面と交差する。１つの例において、第２方向Ｄ２は、例えば、Ｘ軸方向に沿う。第２交差方向Ｄｘ２は、例えば、Ｙ軸方向に沿う。第２他方向Ｄｓ２は、例えば、Ｚ軸方向に沿う。

例えば、長さＬ２は、長さＷ２よりも長い。長さＷ２は、長さｔ２よりも長い。このような長さの関係により、第２磁性層１２の磁化１２Ｍは、第２方向Ｄ２に沿い易くなる。偶関数の特性が得やすくなる。

図５に示すように、第２素子５２は、例えば、第２磁性層１２、第２対向磁性層１２ｏ及び第２非磁性層１２ｎを含む。第２非磁性層１２ｎは、第２磁性層１２と第２対向磁性層１２ｏとの間に設けられる。例えば、外部磁界が実質的にないときに、第２磁性層１２の磁化１２Ｍは、第２対向磁性層１２ｏの磁化１２ｏＭに沿う。

第２実施形態において、第１抵抗素子４１及び第２抵抗素子４２の少なくともいずれかは、磁性層を含んでも良い。

（第３実施形態）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第３実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第３実施形態に係る磁気センサを例示する模式的斜視図である。
図９は、第３実施形態に係る磁気センサの一部を例示する模式図である。

図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第３実施形態に係る磁気センサ１３０は、第１配線回路２１、第２配線回路２２、第３配線回路２３、第４配線回路２４、交流回路部７５ａｃ、第１直流回路部７１ｄｃ、第２直流回路部７２ｄｃ、第３直流回路部７３ｄｃ、第４直流回路部７４ｄｃ、第１素子５１、第２素子５２、第３素子５３、第４素子５４、及び、検出電圧回路部７５ｄｃを含む。第１配線回路２１、第２配線回路２２、第１素子５１及び第２素子５２については、第２実施形態に関して説明した構成が適用できる。

例えば、既に説明したように、図７（ａ）に示すように、第２配線回路２２は、第２配線端部６２ａ及び第２配線他端部６２ｂを含む第２配線６２と、第２配線６２と電気的に直列に接続された第２交流伝達素子３２と、を含む。第２配線回路２２は、第２回路端部２２ａ及び第２回路他端部２２ｂを含む。第２直流回路部７２ｄｃは、第２配線端部６２ａ及び第２配線他端部６２ｂとの間に、第２直流電圧Ｖｄｃ２を印加可能である。

図７（ａ）に示すように、第３配線回路２３は、第３配線端部６３ａ及び第３配線他端部６３ｂを含む第３配線６３と、第３配線６３と電気的に直列に接続された第３交流伝達素子３３と、を含む。第３配線回路２３は、第３回路端部２３ａ及び第３回路他端部２３ｂを含む。第３直流回路部７３ｄｃは、第３配線端部６３ａ及び第３配線他端部６３ｂとの間に第３直流電圧Ｖｄｃ３を印加可能である。

第３交流伝達素子３３は、信号の交流成分を伝達し、信号の直流成分をカット（または減衰させる）。第３交流伝達素子３３は、例えば、キャパシタンス素子である。第３交流伝達素子３３は、スイッチング素子などを含む回路素子を含んでも良い。以下の例では、第３交流伝達素子３３は、第３スイッチング素子とする。

図７（ａ）に示すように、第４配線回路２４は、第４配線端部６４ａ及び第４配線他端部６４ｂを含む第４配線６４と、第４配線６４と電気的に直列に接続された第４交流伝達素子３４と、を含む。第４配線回路２４は、第４回路端部２４ａ及び第４回路他端部２４ｂを含む。第４直流回路部７４ｄｃは、第４配線端部６４ａ及び第４配線他端部６４ｂとの間に第４直流電圧Ｖｄｃ４を印加可能である。

第４交流伝達素子３４は、信号の交流成分を伝達し、信号の直流成分をカット（または減衰させる）。第４交流伝達素子３４は、例えば、キャパシタンス素子である。第４交流伝達素子３４は、スイッチング素子などを含む回路素子を含んでも良い。以下の例では、第４交流伝達素子３４は、第４スイッチング素子とする。

図７（ａ）に示すように、交流回路部７５ａｃは、第１回路端部２１ａ及び第１回路他端部２１ｂの間、第２回路端部２２ａ及び第２回路他端部２２ｂの間、第３回路端部２３ａ及び第３回路他端部２３ｂの間、及び、第４回路端部２４ａ及び第４回路他端部２４ｂの間に、交流電圧Ｖａｃを印加可能である。

既に説明したように、第２素子５２は、第２磁性層１２を含む（図５参照）。第３素子５３は、第３磁性層１３を含む（図８（ａ）参照）。第４素子５４は、第４磁性層１４を含む（図８（ｂ）参照）。

図７（ｂ）に示すように、第１素子５１及び第３素子５３は互いに電気的に直列に接続される。第２素子５２及び第４素子５４は互いに電気的に直列に接続される。第１素子５１及び第３素子５３を含む第１素子回路２５ａ、及び、第２素子５２及び第４素子５４を含む第２素子回路２５ｂは、電気的に並列に接続される。第１素子５１、第２素子５２、第３素子５３及び第４素子５４により、ブリッジ回路（例えばホイートストンブリッジ）が形成される。

図７（ｂ）に示すように、検出電圧回路部７５ｄｃは、第１素子回路２５ａ及び第２素子回路２５ｂに検出電圧Ｖｄｔを印加可能である。検出電圧Ｖｄｔにより、第１素子５１及び第３素子５３に、検出電流（例えば、第１素子電流Ｉｅ１）が流れる。検出電圧Ｖｄｔにより、第２素子５２及び第４素子５４に、検出電流（例えば、第２素子電流Ｉｅ２）が流れる。

図７（ｂ）に示すように、検出回路部７０ＤＴは、第１素子５１及び第３素子５３の電気的な第１接続点ｃｐ１の電位と、第２素子５２及び第４素子５４の電気的な第２接続点ｃｐ２の電位と、の差に応じた信号ｓｇ１を出力可能である。

図９は、磁気センサ１３０における制御回路部７０ＣＮの例を示している。図９に示すように、制御回路部７０ＣＮは、検出回路部７０ＤＴから出力された信号ｓｇ１に基づいて、第１直流電圧Ｖｄｃ１、第２直流電圧Ｖｄｃ２、第３直流電圧Ｖｄｃ３及び第４直流電圧Ｖｄｃ４の少なくともいずれかを制御することが可能である。

これにより、非対称性に起因するノイズが抑制できる。検出磁界をより高い精度で検出することができる。実施形態によれば、特性を向上できる磁気センサを提供できる。

磁気センサ１３０において、図６（ａ）～図６（ｆ）に関して説明した電流、電位及び磁界が適用できる。

図７（ｂ）に示すように、交流電圧Ｖａｃに基づいて、第１配線６１を第１交流電流Ｉａｃ１が流れる。交流電圧Ｖａｃに基づいて、第２配線６２を第２交流電流Ｉａｃ２が流れる。交流電圧Ｖａｃに基づいて、第３配線６３を第３交流電流Ｉａｃ３が流れる。交流電圧Ｖａｃに基づいて、第４配線６４を第４交流電流Ｉａｃ４が流れる。

図７（ｂ）は、１つの時刻におけるこれらの交流電流を例示している。少なくとも１つの時刻において、第１素子５１に加わる外部磁界Ｈｅｘの向きを基準にした、第１交流電流Ｉａｃ１の第１位相は、第２素子５２に加わる外部磁界Ｈｅｘの向きを基準にした、第２交流電流Ｉａｃ２の第２位相と、逆である。例えば、第１位相を有する第１交流電流Ｉａｃ１に基づく第１交流磁界Ｈａ１の向きは、外部磁界Ｈｅｘの向きと反対である。例えば、第２位相を有する第２交流電流Ｉａｃ２に基づく第２交流磁界Ｈａ２の向きは、外部磁界Ｈｅｘの向きと同じである。

図７（ｂ）に示すように、少なくとも１つの時刻において、第３素子５３に加わる外部磁界Ｈｅｘの向きを基準にした、第３交流電流Ｉａｃ３の第３位相は、第４素子５４に加わる外部磁界Ｈｅｘの向きを基準にした、第４交流電流Ｉａｃ４の第４位相と、逆である。例えば、第３位相を有する第３交流電流Ｉａｃ３に基づく第３交流磁界Ｈａ３の向きは、外部磁界Ｈｅｘの向きと同じである。例えば、第４位相を有する第４交流電流Ｉａｃ４に基づく第４交流磁界Ｈａ４の向きは、外部磁界Ｈｅｘの向きと反対である。

例えば、第１位相は、第４位相と同じである。例えば、第２位相は、第３位相と同じである。例えば、第１交流磁界Ｈａ１の位相は、第４交流磁界Ｈａ４の位相と同じである。例えば、第２交流磁界Ｈａ２の位相は、第４交流磁界Ｈａ４の位相と同じである。

このような逆位相の関係により、第１～第４素子５１～５４のそれぞれの電気抵抗の変化の、第１周波数ｆの２倍の成分が実質的にキャンセルされる。

実施形態においては、第１～第４配線６１～６４に印加される第１～第４直流電圧Ｖｄｃ１～Ｖｄｃ４が独立して制御できるため、第１～第４素子５１～５４において、実質的に偶関数の特性が得られる。これにより、第１周波数ｆの２倍の成分が実質的にキャンセルし易くなる。

図７（ｂ）に示すように、第１素子５１と第１配線６１との間の距離は、第１素子５１と第２配線６２との間の距離よりも短く、第１素子５１と第３配線６３との間の距離よりも短く、第１素子５１と第４配線６４との間の距離よりも短い。

図７（ｂ）に示すように、第２素子５２と第２配線６２との間の距離は、第２素子５２と第１配線６１との間の距離よりも短く、第２素子５２と第３配線６３との間の距離よりも短く、第２素子５２と第４配線６４との間の距離よりも短い。

図７（ｂ）に示すように、第３素子５３と第３配線６３との間の距離は、第３素子５３と第１配線６１との間の距離よりも短く、第３素子５３と第２配線６２との間の距離よりも短く、第３素子５３と第４配線６４との間の距離よりも短い。

図７（ｂ）に示すように、第４素子５４と第４配線６４との間の距離は、第４素子５４と第１配線６１との間の距離よりも短く、第４素子５４と第２配線６２との間の距離よりも短く、第４素子５４と第３配線６３との間の距離よりも短い。

第１素子５１は、第１素子端部５１ａ及び第１素子他端部５１ｂを含む。第１素子端部５１ａと第１配線端部６１ａとの間の距離は、第１素子端部５１ａと第１配線他端部６１ｂとの間の距離よりも短い。第１素子他端部５１ｂと第１配線他端部６１ｂとの間の距離は、第１素子他端部５１ｂと第１配線端部６１ａとの間の距離よりも短い。

第２素子５２は、第２素子端部５２ａ及び第２素子他端部５２ｂを含む。第２素子端部５２ａと第２配線端部６２ａとの間の距離は、第２素子端部５２ａと第２配線他端部６２ｂとの間の距離よりも短い。第２素子他端部５２ｂと第２配線他端部６２ｂとの間の距離は、第２素子他端部５２ｂと第２配線端部６２ａとの間の距離よりも短い。

第３素子５３は、第３素子端部５３ａ及び第３素子他端部５３ｂを含む。第３素子端部５３ａと第３配線端部６３ａとの間の距離は、第３素子端部５３ａと第３配線他端部６３ｂとの間の距離よりも短い。第３素子他端部５３ｂと第３配線他端部６３ｂとの間の距離は、第３素子他端部５３ｂと第３配線端部６３ａとの間の距離よりも短い。

第４素子５４は、第４素子端部５４ａ及び第４素子他端部５４ｂを含む。第４素子端部５４ａと第４配線端部６４ａとの間の距離は、第４素子端部５４ａと第４配線他端部６４ｂとの間の距離よりも短い。第４素子他端部５４ｂと第４配線他端部６４ｂとの間の距離は、第４素子他端部５４ｂと第４配線端部６４ａとの間の距離よりも短い。

既に説明したように、磁気センサ１３０において、図６（ａ）～図６（ｆ）に関して説明した電流、電位及び磁界が適用できる。例えば、第３配線６３には、第２配線６２と同様の電圧が印加される。例えば、第４配線６４には、第１配線６１と同様の電圧が印加される。

例えば、第１時刻ｔｍ１において、第１配線端部６１ａの電位は、第１配線他端部６１ｂの電位よりも高い。第２時刻ｔｍ２において、第１配線端部６１ａの電位は、第１配線他端部６１ｂの電位よりも低い。

第１時刻ｔｍ１において、第２配線端部６２ａの電位は、第２配線他端部６２ｂの電位よりも低い。第２時刻ｔｍ２において、第２配線端部６２ａの電位は、第２配線他端部６２ｂの電位よりも高い。

第１時刻ｔｍ１において、第３配線端部６３ａの電位は、第３配線他端部６３ｂの電位よりも低い。第２時刻ｔｍ２において、第３配線端部６３ａの電位は、第３配線他端部６３ｂの電位よりも高い。

第１時刻ｔｍ１において、第４配線端部６４ａの電位は、第４配線他端部６４ｂの電位よりも高い。第２時刻ｔｍ２において、第４配線端部６４ａの電位は、第４配線他端部６４ｂの電位よりも低い。

例えば、検出電圧回路部７５ｄｃにより印加される検出電圧Ｖｄｔに基づいて、第１素子５１及び第３素子５３を第１素子電流Ｉｅ１が流れる。検出電圧Ｖｄｔに基づいて、第２素子５２及び第４素子５４を第２素子電流Ｉｅ２が流れる。例えば、第１素子電流Ｉｅ１及び第２素子電流Ｉｅ２は、実質的に直流の電流で良い。

例えば、第１時刻ｔｍ１において第１素子５１を流れる電流の向きは、第２時刻ｔｍ２において第１素子５１を流れる電流の向きと同じである。第１時刻ｔｍ１において第２素子５２を流れる電流の向きは、第２時刻ｔｍ２において第２素子５２を流れる電流の向きと同じである。第１時刻ｔｍ１において第３素子５３を流れる電流の向きは、第２時刻ｔｍ２において第３素子５３を流れる電流の向きと同じである。第１時刻ｔｍ１において第４素子５４を流れる電流の向きは、第２時刻ｔｍ２において第４素子５４を流れる電流の向きと同じである。

この様な構成により、第１素子５１及び第２素子５２において、逆位相の特性が得られる。第３素子５３及び第４素子５４において、逆位相の特性が得られる。

図７（ａ）に示すように、１つの例において、第３配線他端部６３ｂから第３配線端部６３ａへの方向は、第３方向Ｄ３に沿う。この例では、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１に沿う。

図８（ａ）に示すように、第３磁性層１３の第３方向Ｄ３に沿う長さを長さＬ３とする。第３磁性層１３の第３交差方向Ｄｘ３に沿う長さを長さＷ３とする。第３交差方向Ｄｘ３は、第３方向Ｄ３と交差する。第３磁性層１３の第３他方向Ｄｓ３に沿う長さを長さｔ３とする。第３他方向Ｄｓ３は、第３方向Ｄ３及び第３交差方向Ｄｘ３を含む平面と交差する。１つの例において、第３方向Ｄ３は、例えば、Ｘ軸方向に沿う。第３交差方向Ｄｘ３は、例えば、Ｙ軸方向に沿う。第３他方向Ｄｓ３は、例えば、Ｚ軸方向に沿う。

例えば、長さＬ３は、長さＷ３よりも長い。長さＷ３は、長さｔ３よりも長い。このような長さの関係により、第３磁性層１３の磁化１３Ｍは、第３方向Ｄ３に沿い易くなる。偶関数の特性が得やすくなる。

図８（ａ）に示すように、第３素子５３は、例えば、第３磁性層１３、第３対向磁性層１３ｏ及び第３非磁性層１３ｎを含む。第３非磁性層１３ｎは、第３磁性層１３と第３対向磁性層１３ｏとの間に設けられる。例えば、外部磁界が実質的にないときに、第３磁性層１３の磁化１３Ｍは、第３対向磁性層１３ｏの磁化１３ｏＭに沿う。

図７（ａ）に示すように、１つの例において、第４配線他端部６４ｂから第４配線端部６４ａへの方向は、第４方向Ｄ４に沿う。この例では、第４方向Ｄ４は、第１方向Ｄ１に沿う。

図８（ｂ）に示すように、第４磁性層１４の第４方向Ｄ４に沿う長さを長さＬ４とする。第４磁性層１４の第４交差方向Ｄｘ４に沿う長さを長さＷ４とする。第４交差方向Ｄｘ４は、第４方向Ｄ４と交差する。第４磁性層１４の第４他方向Ｄｓ４に沿う長さを長さｔ４とする。第４他方向Ｄｓ４は、第４方向Ｄ４及び第４交差方向Ｄｘ４を含む平面と交差する。１つの例において、第４方向Ｄ４は、例えば、Ｘ軸方向に沿う。第４交差方向Ｄｘ４は、例えば、Ｙ軸方向に沿う。第４他方向Ｄｓ４は、例えば、Ｚ軸方向に沿う。

例えば、長さＬ４は、長さＷ４よりも長い。長さＷ４は、長さｔ４よりも長い。このような長さの関係により、第４磁性層１４の磁化１４Ｍは、第４方向Ｄ４に沿い易くなる。偶関数の特性が得やすくなる。

図８（ｂ）に示すように、第４素子５４は、例えば、第４磁性層１４、第４対向磁性層１４ｏ及び第４非磁性層１４ｎを含む。第４非磁性層１４ｎは、第４磁性層１４と第４対向磁性層１４ｏとの間に設けられる。例えば、外部磁界が実質的にないときに、第４磁性層１４の磁化１４Ｍは、第４対向磁性層１４ｏの磁化１４ｏＭに沿う。

図９に示すように、１つの例において、制御回路部７０ＣＮは、第１制御回路７０Ａ及び第２制御回路７０Ｂを含む。第１制御回路７０Ａは、検出回路部７０ＤＴから出力された信号ｓｇ１をフーリエ変換した結果７０Ａｒを出力する。第１制御回路７０Ａは、例えば、ＦＦＴ回路である。

第２制御回路７０Ｂは、第１制御回路７０Ａから出力された結果７０Ａｒに基づいて、制御信号（例えば、第１～第４制御信号ｓｃ１～ｓｃ４など）を、第１直流回路部７１ｄｃ、第２直流回路部７２ｄｃ、第３直流回路部７３ｄｃ、及び、第４直流回路部７４ｄｃの少なくともいずれかに供給する。第２制御回路７０Ｂは、例えば、演算回路である。第２制御回路７０Ｂは、例えば、外部磁界が実質的にないときに、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１の第１周波数ｆ１の成分が小さくなるような制御信号を出力可能である。

制御回路部７０ＣＮに関するこのような構成は、第２実施形態及び第３実施形態に適用できる。制御回路部７０ＣＮは、外部磁界が実質的にないときに、検出回路部７０ＤＴから出力される信号ｓｇ１の第１周波数ｆ１の成分が小さくなるような制御信号を出力可能である。

実施形態において、制御信号（例えば、第１～第４制御信号ｓｃ１～ｓｃ４など）により第１～第４直流電圧Ｖｄｃ１～Ｖｄｃ４が制御される。この制御はフィードバック制御でも良い。例えば、連続的により第１～第４直流電圧Ｖｄｃ１～Ｖｄｃ４が制御されても良い。例えば、外部磁界が急激に変化したことが検出されても良い。

実施形態において、交流電圧Ｖａｃの周波数（第１周波数ｆ１）は、例えば、１ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下である。

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１配線端部及び第１配線他端部を含む第１配線と、
前記第１配線と電気的に直列に接続された第１交流伝達素子と、
を含み、第１回路端部及び第１回路他端部を含む第１配線回路と、
前記第１回路端部及び前記第１回路他端部の間に交流電圧を印加可能な交流回路部と、
前記第１配線端部及び前記第１配線他端部に第１直流電圧を印加可能な第１直流回路部と、
第１磁性層を含む第１素子と、
を備えた、磁気センサ。

（構成２）
前記第１配線に流れる第１電流が正極性であるときに前記第１電流の絶対値が増大すると前記第１素子の第１電気抵抗は増大し、
前記第１配線に流れる前記第１電流が負極性であるときに前記第１電流の絶対値が増大すると前記第１電気抵抗は増大する、構成１記載の磁気センサ。

（構成３）
前記第１電気抵抗に応じた信号を出力可能な検出回路部をさらに備えた、構成２記載の磁気センサ。

（構成４）
制御回路部をさらに備え、
前記制御回路部は、前記検出回路部から出力される信号に基づいて、前記第１電気抵抗が前記第１電流に対して偶関数に近付くように、前記第１直流電圧を制御することが可能である、構成３記載の磁気センサ。

（構成５）
制御回路部をさらに備え、
前記交流電圧は第１周波数を有し、
前記制御回路部は、外部磁界が実質的にないときに、前記検出回路部から出力される信号の前記第１周波数の成分が小さくなるように、前記第１直流電圧を制御することが可能である、構成３記載の磁気センサ。

（構成６）
前記第１配線端部から前記第１配線他端部への方向は、第１方向に沿い、
前記第１磁性層の前記第１方向に沿う長さは、前記第１磁性層の第１交差方向に沿う長さよりも長く、前記第１交差方向は、前記第１方向と交差し、
前記第１磁性層の前記第１交差方向に沿う前記長さは、前記第１磁性層の第１他方向に沿う長さよりも長く、前記第１他方向は、前記第１方向及び前記第１交差方向を含む平面と交差した、構成１～５のいずれか１つに記載の磁気センサ。

（構成７）
前記第１素子は、
第１対向磁性層と、
前記第１磁性層と前記第１対向磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
を含む、構成１～６のいずれか１つに記載の磁気センサ。

（構成８）
第２配線端部及び第２配線他端部を含む第２配線と、
前記第２配線と電気的に直列に接続された第２交流伝達素子と、
を含み、第２回路端部及び第２回路他端部を含む第２配線回路と、
前記第２配線端部及び前記第２配線他端部との間に第２直流電圧を印加可能な第２直流回路部と、
第２磁性層を含む第２素子と、
第１抵抗素子と、
第２抵抗素子と、
検出電圧回路部と、
をさらに備え、
前記交流回路部は、前記第２回路端部及び前記第２回路他端部の間に前記交流電圧をさらに印加可能であり、
前記第１素子、前記第１抵抗素子、前記第２素子及び前記第２抵抗素子は、ブリッジ回路を形成し、
前記検出電圧回路部は、前記ブリッジ回路に検出電圧を印加可能であり、
前記検出回路部は、前記第１素子及び前記第１抵抗素子の電気的な第１接続点の電位と、前記第２素子及び前記第２抵抗素子の電気的な第２接続点の電位と、の差に応じた信号を出力可能であり、
前記制御回路部は、前記検出回路部から出力された前記信号に基づいて、前記第１直流電圧及び前記第２直流電圧の少なくともいずれかを制御することが可能である、構成１記載の磁気センサ。

（構成９）
前記第１抵抗素子は、前記第１素子と電気的に直列に接続され、
前記第２抵抗素子は、前記第２素子と電気的に直列に接続され、
前記第１素子及び前記第１抵抗素子を含む第１素子回路、及び、前記第２素子及び前記第２抵抗素子を含む第２素子回路は、電気的に並列に接続され、
前記検出電圧回路部は、前記第１素子回路及び前記第２素子回路に前記検出電圧を印加する、構成８記載の磁気センサ。

（構成１０）
前記交流電圧に基づいて前記第１配線を第１交流電流が流れ、
前記交流電圧に基づいて前記第２配線を第２交流電流が流れ、
少なくとも１つの時刻において、前記第１素子に加わる外部磁界の向きを基準にした、前記第１交流電流の位相は、前記第２素子に加わる前記外部磁界の向きを基準にした、前記第２交流電流の位相と、逆である、構成８または９に記載の磁気センサ。

（構成１１）
前記第１配線と前記第１素子との間の距離は、前記第１配線と前記第２素子との間の距離よりも短く、
前記第２配線と前記第２素子との間の距離は、前記第２配線と前記第１素子との間の距離よりも短く、
前記第１素子は、第１素子端部及び第１素子他端部を含み、
前記第１素子端部と前記第１配線端部との間の距離は、前記第１素子端部と前記第１配線他端部との間の距離よりも短く、
前記第１素子他端部と前記第１配線他端部との間の距離は、前記第１素子他端部と前記第１配線端部との間の距離よりも短く、
前記第２素子は、第２素子端部及び第２素子他端部を含み、
前記第２素子端部と前記第２配線端部との間の距離は、前記第２素子端部と前記第２配線他端部との間の距離よりも短く、
前記第２素子他端部と前記第２配線他端部との間の距離は、前記第２素子他端部と前記第２配線端部との間の距離よりも短く、
第１時刻において、前記第１配線端部の電位は、前記第１配線他端部の電位よりも高く、
第２時刻において、前記第１配線端部の前記電位は、前記第１配線他端部の前記電位よりも低く、
前記第１時刻において、前記第２配線端部の電位は、前記第２配線他端部の電位よりも低く、
前記第２時刻において、前記第２配線端部の前記電位は、前記第２配線他端部の前記電位よりも高く、
前記第１時刻において前記第１素子を流れる電流の向きは、前記第２時刻において前記第１素子を流れる電流の向きと同じであり、
前記第１時刻において前記第２素子を流れる電流の向きは、前記第２時刻において前記第２素子を流れる電流の向きと同じである、構成８または９に記載の磁気センサ。

（構成１２）
前記第１時刻及び前記第２時刻において、前記第１素子端部から前記第１素子他端部に向けて前記第１素子を前記電流が流れ、
前記第１時刻及び前記第２時刻において、前記第２素子端部から前記第２素子他端部に向けて前記第２素子を前記電流が流れる、構成１１記載の磁気センサ。

（構成１３）
前記第２配線他端部から前記第２配線端部への方向は、第２方向に沿い、
前記第２磁性層の前記第２方向に沿う長さは、前記第２磁性層の第２交差方向に沿う長さよりも長く、前記第２交差方向は、前記第２方向と交差し、
前記第２磁性層の前記第２交差方向に沿う前記長さは、前記第２磁性層の第２他方向に沿う長さよりも長く、前記第２他方向は、前記第２方向及び前記第２交差方向を含む平面と交差した、構成６～１２のいずれか１つに記載の磁気センサ。

（構成１４）
第２配線端部及び第２配線他端部を含む第２配線と、
前記第２配線と電気的に直列に接続された第２交流伝達素子と、
を含み、第２回路端部及び第２回路他端部を含む第２配線回路と、
前記第２配線端部及び前記第２配線他端部との間に第２直流電圧を印加可能な第２直流回路部と、
第２磁性層を含む第２素子と、
第３配線端部及び第３配線他端部を含む第３配線と、
前記第３配線と電気的に直列に接続された第３交流伝達素子と、
を含み、第３回路端部及び第３回路他端部を含む第３配線回路と、
前記第３配線端部及び前記第３配線他端部との間に第３直流電圧を印加可能な第３直流回路部と、
第３磁性層を含む第３素子と、
第４配線端部及び第４配線他端部を含む第４配線と、
前記第４配線と電気的に直列に接続された第４交流伝達素子と、
を含み、第４回路端部及び第４回路他端部を含む第４配線回路と、
前記第４配線端部及び前記第４配線他端部との間に第４直流電圧を印加可能な第４直流回路部と、
第４磁性層を含む第４素子と、
検出電圧回路部と、
検出回路部と、
制御回路部と、
をさらに備え、
前記交流回路部は、前記第２回路端部及び前記第２回路他端部の間、前記第３回路端部及び前記第３回路他端部の間、及び、前記第４回路端部及び前記第４回路他端部の間に前記交流電圧をさらに印加可能であり、
前記第１素子及び前記第３素子は互いに電気的に接続され、
前記第２素子及び前記第４素子は互いに電気的に接続され、
前記第１素子及び前記第３素子を含む第１素子回路、及び、前記第２素子及び前記第４素子を含む第２素子回路は、電気的に並列に接続され、
前記検出電圧回路部は、前記第１素子回路及び前記第２素子回路に検出電圧を印加可能であり、
前記検出回路部は、前記第１素子及び前記第３素子の電気的な第１接続点の電位と、前記第２素子及び前記第４素子の電気的な第２接続点の電位と、の差に応じた信号を出力可能であり、
前記制御回路部は、前記検出回路部から出力された前記信号に基づいて、前記第１直流電圧、前記第２直流電圧、前記第３直流電圧及び前記第４直流電圧の少なくともいずれかを制御することが可能である、構成１記載の磁気センサ。

（構成１５）
前記交流電圧に基づいて前記第１配線を第１交流電流が流れ、
前記交流電圧に基づいて前記第２配線を第２交流電流が流れ、
前記交流電圧に基づいて前記第３配線を第３交流電流が流れ、
前記交流電圧に基づいて前記第４配線を第４交流電流が流れ、
少なくとも１つの時刻において、前記第１素子に加わる外部磁界の向きを基準にした、前記第１交流電流の第１位相は、前記第２素子に加わる前記外部磁界の向きを基準にした、前記第２交流電流の第２位相と、逆であり、
少なくとも１つの時刻において、前記第３素子に加わる外部磁界の向きを基準にした、前記第３交流電流の第３位相は、前記第４素子に加わる前記外部磁界の向きを基準にした、前記第４交流電流の第４位相と、逆である、構成１４記載の磁気センサ。

（構成１６）
前記第１位相は、前記第４位相と同じであり、
前記第２位相は、前記第３位相と同じである、構成１５記載の磁気センサ。

（構成１７）
前記第１素子と前記第１配線との間の距離は、前記第１素子と前記第２配線との間の距離よりも短く、前記第１素子と前記第３配線との間の距離よりも短く、前記第１素子と前記第４配線との間の距離よりも短く、
前記第２素子と前記第２配線との間の距離は、前記第２素子と前記第１配線との間の距離よりも短く、前記第２素子と前記第３配線との間の距離よりも短く、前記第２素子と前記第４配線との間の距離よりも短く、
前記第３素子と前記第３配線との間の距離は、前記第３素子と前記第１配線との間の距離よりも短く、前記第３素子と前記第２配線との間の距離よりも短く、前記第３素子と前記第４配線との間の距離よりも短く、
前記第４素子と前記第４配線との間の距離は、前記第４素子と前記第１配線との間の距離よりも短く、前記第４素子と前記第２配線との間の距離よりも短く、前記第４素子と前記第３配線との間の距離よりも短く、
前記第１素子は、第１素子端部及び第１素子他端部を含み、
前記第１素子端部と前記第１配線端部との間の距離は、前記第１素子端部と前記第１配線他端部との間の距離よりも短く、
前記第１素子他端部と前記第１配線他端部との間の距離は、前記第１素子他端部と前記第１配線端部との間の距離よりも短く、
前記第２素子は、第２素子端部及び第２素子他端部を含み、
前記第２素子端部と前記第２配線端部との間の距離は、前記第２素子端部と前記第２配線他端部との間の距離よりも短く、
前記第２素子他端部と前記第２配線他端部との間の距離は、前記第２素子他端部と前記第２配線端部との間の距離よりも短く、
前記第３素子は、第３素子端部及び第３素子他端部を含み、
前記第３素子端部と前記第３配線端部との間の距離は、前記第３素子端部と前記第３配線他端部との間の距離よりも短く、
前記第３素子他端部と前記第３配線他端部との間の距離は、前記第３素子他端部と前記第３配線端部との間の距離よりも短く、
前記第４素子は、第４素子端部及び第４素子他端部を含み、
前記第４素子端部と前記第４配線端部との間の距離は、前記第４素子端部と前記第４配線他端部との間の距離よりも短く、
前記第４素子他端部と前記第４配線他端部との間の距離は、前記第４素子他端部と前記第４配線端部との間の距離よりも短く、
第１時刻において、前記第１配線端部の電位は、前記第１配線他端部の電位よりも高く、
第２時刻において、前記第１配線端部の前記電位は、前記第１配線他端部の前記電位よりも低く、
前記第１時刻において、前記第２配線端部の電位は、前記第２配線他端部の電位よりも低く、
前記第２時刻において、前記第２配線端部の前記電位は、前記第２配線他端部の前記電位よりも高く、
前記第１時刻において、前記第３配線端部の電位は、前記第３配線他端部の電位よりも低く、
前記第２時刻において、前記第３配線端部の前記電位は、前記第３配線他端部の前記電位よりも高く、
前記第１時刻において、前記第４配線端部の電位は、前記第４配線他端部の電位よりも高く、
前記第２時刻において、前記第４配線端部の前記電位は、前記第４配線他端部の前記電位よりも低く、
前記第１時刻において前記第１素子を流れる電流の向きは、前記第２時刻において前記第１素子を流れる電流の向きと同じであり、
前記第１時刻において前記第２素子を流れる電流の向きは、前記第２時刻において前記第２素子を流れる電流の向きと同じであり、
前記第１時刻において前記第３素子を流れる電流の向きは、前記第２時刻において前記第３素子を流れる電流の向きと同じであり、
前記第１時刻において前記第４素子を流れる電流の向きは、前記第２時刻において前記第４素子を流れる電流の向きと同じである、構成１４～１６のいずれか１つに記載の磁気センサ。

（構成１８）
前記制御回路部は、
前記検出回路部から出力された前記信号をフーリエ変換した結果を出力する第１制御回路と、
前記第１制御回路から出力された前記結果に基づいて、制御信号を、前記第１直流回路部、前記第２直流回路部、前記第３直流回路部、及び、前記第４直流回路部の少なくともいずれかに供給する第２制御回路と、
を含む、構成１４～１７のいずれか１つに記載の磁気センサ。

（構成１９）
前記交流電圧は第１周波数を有し、
前記制御回路部は、外部磁界が実質的にないときに、前記検出回路部から出力される信号の前記第１周波数の成分が小さくなるような制御信号を出力可能である、構成８～１８のいずれか１つに記載の磁気センサ。

（構成２０）
前記第３配線他端部から前記第３配線端部への方向は、第３方向に沿い、
前記第３磁性層の前記第３方向に沿う長さは、前記第３磁性層の第３交差方向に沿う長さよりも長く、前記第３交差方向は、前記第３方向と交差し、
前記第３磁性層の前記第３交差方向に沿う前記長さは、前記第３磁性層の第３他方向に沿う長さよりも長く、前記第３他方向は、前記第３方向及び前記第３交差方向を含む平面と交差し、
前記第４配線他端部から前記第４配線端部への方向は、第４方向に沿い、
前記第４磁性層の前記第４方向に沿う長さは、前記第４磁性層の第４交差方向に沿う長さよりも長く、前記第４交差方向は、前記第４方向と交差し、
前記第４磁性層の前記第４交差方向に沿う前記長さは、前記第４磁性層の第４他方向に沿う長さよりも長く、前記第４他方向は、前記第４方向及び前記第４交差方向を含む平面と交差した、構成１４～１９のいずれか１つに記載の磁気センサ。

実施形態によれば、特性を向上できる磁気センサを提供できる。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気センサに含まれる磁性層、非磁性層、配線、回路、交流伝達素子及び回路部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気センサを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気センサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１～１４…第１～第４磁性層、 １１Ｍ～１４Ｍ…磁化、 １１ｎ～１４ｎ…第１～第４非磁性層、 １１ｏ～１４ｏ…第１～第４対向磁性層、 １１ｏＭ～１４ｏＭ…磁化、 ２１～２４…第１～第４配線回路、 ２１ａ～２４ａ…第１～第４回路端部、 ２１ｂ～２４ｂ…第１～第４回路他端部、 ２５ａ、２５ｂ…第１、第２素子回路、 ２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ…配線、 ３１～３４…第１～第４交流伝達素子、 ４１、４２…第１、第２抵抗素子、 ４１ａ、４２ａ…第１、第２抵抗素子端部、 ４１ｂ、４２ｂ…第１、第２抵抗素子他端部、 ５１～５４…第１～第４素子、 ５１ａ～５４ａ…第１～第４素子端部、 ５１ｂ～５４ｂ…第１～第４素子他端部、 ６１～６４…第１～第４配線、 ６１ａ～６４ａ…第１～第４配線端部、 ６１ｂ～６４ｂ…第１～第４配線他端部、 ７０Ａ、７０Ｂ…第１、第２制御回路、 ７０Ａｒ…結果、 ７０ＣＮ…制御回路部、 ７０ＤＴ…検出回路部、 ７１ｄｃ～７５ｄｃ…第１～第４直流回路部、 ７５ａｃ…交流回路部、 ７５ｄｃ…検出電圧回路部、 １１０、１２０、１３０…磁気センサ、 Ｄ１～Ｄ４…第１～第４方向、 Ｄｓ１～Ｄｓ４…第１～第４他方向、 Ｄｘ１～Ｄｘ４…第１～第４交差方向、 Ｅａ１、Ｅａ２…電位、 ＧＮＤ…グランド、 Ｈａ１～Ｈａ４…第１～第４交流磁界、 Ｈａｘ…交流磁界、 Ｈｅｘ…外部磁界、 Ｈｍ、Ｈｘ…磁界、 Ｉａ１…第１電流、 Ｉａｃ１～Ｉａｃ４…第１～第４交流電流、 Ｉｅ１、Ｉｅ２…第１、第２素子電流、 Ｌ１～Ｌ４…第１～第４長さ、 Ｒ０、Ｒｘ…抵抗、 Ｒ１…第１電気抵抗、 Ｓｉｇｘ…信号、 Ｖａｃ…交流電圧、 Ｖｄｃ１～Ｖｄｃ４…第１～第４直流電圧、 Ｖｄｔ…検出電圧、 Ｖｘ…電圧、 Ｗ１～Ｗ４…長さ、 ｃｐ１、ｃｐ２…第１、第２接続点、 ｓｃ１～ｓｃ４…第１～第４制御信号、 ｓｇ１…信号、 ｔ１～ｔ４…長さ、 ｔｍ…時間、 ｔｍ１、ｔｍ２…第１、第２時刻

Claims (8)

1. 第１配線端部及び第１配線他端部を含む第１配線と、
   前記第１配線と電気的に直列に接続された第１交流伝達素子と、
   を含み、第１回路端部及び第１回路他端部を含む第１配線回路と、
   前記第１回路端部及び前記第１回路他端部の間に交流電圧を印加可能な交流回路部と、
   前記第１配線端部及び前記第１配線他端部に第１直流電圧を印加可能な第１直流回路部と、
   第１磁性層を含む第１素子と、
   検出回路部と、
   を備え、
   前記第１配線に流れる第１電流が正極性であるときに前記第１電流の絶対値が増大すると前記第１素子の第１電気抵抗は増大し、
   前記第１配線に流れる前記第１電流が負極性であるときに前記第１電流の絶対値が増大すると前記第１電気抵抗は増大し、
   前記検出回路部は、前記第１電気抵抗に応じた信号を出力可能であり、
   前記検出回路部は、前記第１配線回路と接続されない、磁気センサ。
2. 制御回路部をさらに備え、
   前記交流電圧は第１周波数を有し、
   前記制御回路部は、外部磁界が実質的にないときに、前記検出回路部から出力される信号の前記第１周波数の成分が小さくなるように、前記第１直流電圧を制御することが可能である、請求項１記載の磁気センサ。
3. 第２配線端部及び第２配線他端部を含む第２配線と、
   前記第２配線と電気的に直列に接続された第２交流伝達素子と、
   を含み、第２回路端部及び第２回路他端部を含む第２配線回路と、
   前記第２配線端部及び前記第２配線他端部との間に第２直流電圧を印加可能な第２直流回路部と、
   第２磁性層を含む第２素子と、
   第１抵抗素子と、
   第２抵抗素子と、
   検出電圧回路部と、
   制御回路部と、
   をさらに備え、
   前記交流回路部は、前記第２回路端部及び前記第２回路他端部の間に前記交流電圧をさらに印加可能であり、
   前記第１素子、前記第１抵抗素子、前記第２素子及び前記第２抵抗素子は、ブリッジ回路を形成し、
   前記検出電圧回路部は、前記ブリッジ回路に検出電圧を印加可能であり、
   前記検出回路部は、前記第１素子及び前記第１抵抗素子の電気的な第１接続点の電位と、前記第２素子及び前記第２抵抗素子の電気的な第２接続点の電位と、の差に応じた信号を出力可能であり、
   前記制御回路部は、前記検出回路部から出力された前記信号に基づいて、前記第１直流電圧及び前記第２直流電圧の少なくともいずれかを制御することが可能である、請求項１記載の磁気センサ。
4. 前記交流電圧に基づいて前記第１配線を第１交流電流が流れ、
   前記交流電圧に基づいて前記第２配線を第２交流電流が流れ、
   少なくとも１つの時刻において、前記第１素子に加わる外部磁界の向きを基準にした、前記第１交流電流の位相は、前記第２素子に加わる前記外部磁界の向きを基準にした、前記第２交流電流の位相と、逆である、請求項３記載の磁気センサ。
5. 第２配線端部及び第２配線他端部を含む第２配線と、
   前記第２配線と電気的に直列に接続された第２交流伝達素子と、
   を含み、第２回路端部及び第２回路他端部を含む第２配線回路と、
   前記第２配線端部及び前記第２配線他端部との間に第２直流電圧を印加可能な第２直流回路部と、
   第２磁性層を含む第２素子と、
   第３配線端部及び第３配線他端部を含む第３配線と、
   前記第３配線と電気的に直列に接続された第３交流伝達素子と、
   を含み、第３回路端部及び第３回路他端部を含む第３配線回路と、
   前記第３配線端部及び前記第３配線他端部との間に第３直流電圧を印加可能な第３直流回路部と、
   第３磁性層を含む第３素子と、
   第４配線端部及び第４配線他端部を含む第４配線と、
   前記第４配線と電気的に直列に接続された第４交流伝達素子と、
   を含み、第４回路端部及び第４回路他端部を含む第４配線回路と、
   前記第４配線端部及び前記第４配線他端部との間に第４直流電圧を印加可能な第４直流回路部と、
   第４磁性層を含む第４素子と、
   検出電圧回路部と、
   制御回路部と、
   をさらに備え、
   前記交流回路部は、前記第２回路端部及び前記第２回路他端部の間、前記第３回路端部及び前記第３回路他端部の間、及び、前記第４回路端部及び前記第４回路他端部の間に前記交流電圧をさらに印加可能であり、
   前記第１素子及び前記第３素子は互いに電気的に接続され、
   前記第２素子及び前記第４素子は互いに電気的に接続され、
   前記第１素子及び前記第３素子を含む第１素子回路、及び、前記第２素子及び前記第４素子を含む第２素子回路は、電気的に並列に接続され、
   前記検出電圧回路部は、前記第１素子回路及び前記第２素子回路に検出電圧を印加可能であり、
   前記検出回路部は、前記第１素子及び前記第３素子の電気的な第１接続点の電位と、前記第２素子及び前記第４素子の電気的な第２接続点の電位と、の差に応じた信号を出力可能であり、
   前記制御回路部は、前記検出回路部から出力された前記信号に基づいて、前記第１直流電圧、前記第２直流電圧、前記第３直流電圧及び前記第４直流電圧の少なくともいずれかを制御することが可能である、請求項１記載の磁気センサ。
6. 前記交流電圧に基づいて前記第１配線を第１交流電流が流れ、
   前記交流電圧に基づいて前記第２配線を第２交流電流が流れ、
   前記交流電圧に基づいて前記第３配線を第３交流電流が流れ、
   前記交流電圧に基づいて前記第４配線を第４交流電流が流れ、
   少なくとも１つの時刻において、前記第１素子に加わる外部磁界の向きを基準にした、前記第１交流電流の第１位相は、前記第２素子に加わる前記外部磁界の向きを基準にした、前記第２交流電流の第２位相と、逆であり、
   少なくとも１つの時刻において、前記第３素子に加わる外部磁界の向きを基準にした、前記第３交流電流の第３位相は、前記第４素子に加わる前記外部磁界の向きを基準にした、前記第４交流電流の第４位相と、逆である、請求項５記載の磁気センサ。
7. 前記制御回路部は、
   前記検出回路部から出力された前記信号をフーリエ変換した結果を出力する第１制御回路と、
   前記第１制御回路から出力された前記結果に基づいて、制御信号を、前記第１直流回路部、前記第２直流回路部、前記第３直流回路部、及び、前記第４直流回路部の少なくともいずれかに供給する第２制御回路と、
   を含む、請求項５または６に記載の磁気センサ。
8. 前記交流電圧は第１周波数を有し、
   前記制御回路部は、外部磁界が実質的にないときに、前記検出回路部から出力される信号の前記第１周波数の成分が小さくなるような制御信号を出力可能である、請求項３～７のいずれか１つに記載の磁気センサ。

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