JP7341358B2 - 電力増幅回路 - Google Patents
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Description
文献1には、ゲート電極に入力信号が入力される第1のトランジスタと、第1のトランジスタに直列接続される第2のトランジスタを備え、第2のトランジスタのゲート電極と接地電位ノードとの間に、入力信号の周波数に対して有限のインピーダンス値となる容量負荷を接続したスタック増幅器が示されている。
実施の形態1に係る電力増幅回路を図1及び図2を用いて説明する。
実施の形態1に係る電力増幅回路はスタック増幅器である。スタック増幅回路は高周波信号用電力増幅器として用いられる。
電力増幅回路は、第1のトランジスタ1と、第2のトランジスタ2と、ゲート容量負荷3と、高調波処理回路4を備える。
第2のトランジスタ2は電界トランジスタであるN-MOSトランジスタであり、第1のトランジスタ1と等価回路的に同じである。ゲート電極Gがゲートバイアスノード6に接続され、ソース電極Sが第1のトランジスタ1のドレイン電極Dに接続され、ドレイン電極Dが出力ノード8に接続される。
電源電位ノード7には高い電源電圧である電源電圧Vddが印加される。ゲートバイアスノード6には第2のトランジスタ2に対するゲートバイアス電圧が印加される。
高調波処理回路4は、ゲート容量負荷3における他端を入力ノード5に入力される入力信号の周波数に対して短絡、偶数次高調波に対して開放、奇数次高調波に対して短絡とする。
入力ノード5に入力信号が入力されると、第1のトランジスタ1及び第2のトランジスタ2により増幅され、増幅された信号が出力ノードにより出力される。
従って、ゲート-ソース間電圧Vgsも、第2のトランジスタ2のゲート電極Gに流れる電流Igの偶数次高調波成分が抑制されることにより、偶数次高調波成分が抑制される。
従って、電流Idsも、ゲート-ソース間電圧Vgsの偶数次高調波成分が抑制されることにより、偶数次高調波成分が抑制される。
その結果、第2のトランジスタ2のドレイン電極Dに流れ込むドレイン電流Idsの電流波形は基本波周波数及び奇数次高調波成分のみとなるため矩形波に近づく。
シミュレーションは、入力ノード5に入力される入力信号として正弦波信号を用いた場合の、第2のトランジスタ2のドレイン電流Ids及びドレイン-ソース間電圧Vdsと第1のトランジスタ1のドレイン電流Ids及びドレイン-ソース間電圧Vdsについてのものであり、シミュレーション結果を図3の(a)に示す。(a-1)は第2のトランジスタ2の電圧波形及び電流波形を、(a-2)は第1のトランジスタ1の電圧波形及び電流波形を示す。なお、図中、横軸は時間を、縦軸は電圧値及び電流値を示す。
これは第1のトランジスタ1においても同様である。
高調波処理回路4は、例えば、入力ノード5に入力される入力信号の周波数に対して1/4波長となるオープンスタブで構成できる。
実施の形態1の変形例に係る電力増幅回路を図4を用いて説明する。
実施の形態1の変形例に係る電力増幅回路は、図1及び図2により示した実施の形態1に係る電力増幅回路が、第1のトランジスタ1のドレイン電極と電源電位ノード7との間に接続された第2のトランジスタ2が1個であるのに対して複数個の第2のトランジスタ21から第2のトランジスタ2nを直列に接続した点、及び複数個のゲート容量負荷を有する点が相違し、その他の点については実施の形態1に係る電力増幅回路と同じ又は同様である。
図4中、図1と同一符号は同一又は相当部分を示す。
1段目の第2のトランジスタ21のソース電極Sが第1のトランジスタ1のドレイン電極Dに接続される。
2段目からn段目の第2のトランジスタ22から第2のトランジスタ2nはそれぞれ、ソース電極Sが前段の第2のトランジスタ21から第2のトランジスタ2n-1のドレイン電極Dに接続される。
n段目の第2のトランジスタ2nのドレイン電極Dが出力ノード8及び電源電位ノード7に接続される。
高調波処理回路41から高調波処理回路4nはそれぞれ、入力ノード5に入力される入力信号、つまり使用周波数に対して電気長λ/4となるオープンスタブである。
その結果、第2のトランジスタ21から第2のトランジスタ2nそれぞれのドレイン電極Dに流れ込むドレイン電流Idsの電流波形は基本波周波数及び奇数次高調波成分のみとなるため矩形波に近づく。
また、第2のトランジスタ21から第2のトランジスタ2nそれぞれのドレイン電流Idsが矩形波に近づくことにより、第1のトランジスタ1のドレイン電流Idsも矩形波に近づき、第1のトランジスタ1のドレイン電流Idsとドレイン-ソース間電圧Vdsの波形の重なりも減少し、消費電力の減少、つまり電力効率が改善する。
実施の形態2に係る電力増幅回路を、図5を用いて説明する。
実施の形態2に係る電力増幅回路は差動増幅器である。差動増幅回路は高周波信号用差動電力増幅器として用いられる。
電力増幅回路は差動対回路とゲート容量負荷を備える。
一対の増幅部100a、100bそれぞれは実施の形態1に示した電力増幅回路と同様の構成である。
一対の増幅部100a、100bそれぞれは、ゲート電極Gが入力ノード5a、5bに接続され、ソース電極Sが接地された第1のトランジスタ1a、1b、及びゲート電極Gが抵抗9a、9bを介してゲートバイアスノード6a、6bに接続され、第1のトランジスタ1a、1bのドレイン電極Dと出力ノード8a、8bとの間に接続された第2のトランジスタ2a、2bとを有する。
第2のトランジスタ2a、2bのドレイン電極Dと電源電位ノード7との間にインダクタ10a、10bが接続されている
ゲート容量負荷は、一端が増幅部100aにおける第2のトランジスタ2aのゲート電極Gに接続され、他端が増幅部100bにおける第2のトランジスタ2bのゲート電極Gに接続され、容量値は一方の増幅部100aにおける第1のトランジスタ1aのドレイン-ゲート間電圧Vdg、ドレイン-ソース間電圧Vds、ゲート-ソース間電圧Vgsのそれぞれと、増幅部100aにおける第2のトランジスタ2aのドレイン-ゲート間電圧Vdg、ドレイン-ソース間電圧Vds、ゲート-ソース間電圧Vgsのそれぞれが等しい動作、すなわち同じ値(等振幅)となり、増幅部100bにおける第1のトランジスタ1bのドレイン-ゲート間電圧Vdg、ドレイン-ソース間電圧Vds、ゲート-ソース間電圧Vgsのそれぞれと、増幅部100bにおける第2のトランジスタ2bのドレイン-ゲート間電圧Vdg、ドレイン-ソース間電圧Vds、ゲート-ソース間電圧Vgsのそれぞれが等しい高周波動作、すなわち同じ値(等振幅)となるように決定される。
第1のゲート容量負荷3aと第2のゲート容量負荷3bのそれぞれの容量値は、上記した式(1)で得られる値である。
入力ノード5a、5bに逆相関係にある入力信号が入力されると、一対の増幅部100a、100bは差動回路として動作し,入力信号を増幅して出力ノード8a、8bに出力する。
従って、第1のゲート容量負荷3aの他端と第2のゲート容量負荷3bの他端との接続点側ではインピーダンス条件は仮想的に、第2のトランジスタ2a、2bのゲート-ソース間電圧Vgsの偶数次高調波成分を抑制する条件となる。
その結果、第2のトランジスタ2a、2bのドレイン電極Dに流れ込むドレイン電流Idsの電流波形は矩形波に近づく。
また、第2のトランジスタ21から第2のトランジスタ2nそれぞれのドレイン電流Idsが矩形波に近づくことにより、第1のトランジスタ1のドレイン電流Idsも矩形波に近づき、第1のトランジスタ1のドレイン電流Idsとドレイン-ソース間電圧Vdsの波形の重なりも減少し、消費電力の減少、つまり電力効率が改善する。
ゆえに、高効率な電力増幅回路が得られる。
同様に、第2の増幅部100bと第2のゲート容量負荷3bで構成される差動回路の片側における高調波処理回路が、第1の増幅部100aと第1のゲート容量負荷3aで構成される差動回路のもう一方の片側で構成されているともいえる。
実施の形態2の変形例に係る電力増幅回路を図6を用いて説明する。
実施の形態2の変形例に係る電力増幅回路は、実施の形態2に係る電力増幅回路が、一対の増幅部100a、100bそれぞれにおける第1のトランジスタ1a、1bのドレイン電極と電源電位ノード7との間に接続された第2のトランジスタ2a、2bが1個であるのに対し、実施の形態1の変形例に係る電力増幅回路に示したように、複数個の第2のトランジスタ2a1、2b1から第2のトランジスタ2an、2bnを直列に接続した点、及び複数個のゲート容量負荷3a1、3b1から3an、3bnを有する点が相違し、その他の点については実施の形態2に係る電力増幅回路と同じ又は同様である。
図6中、図5と同一符号は同一又は相当部分を示す。
その結果、第2のトランジスタ2a1、2b1から第2のトランジスタ2an、2bnそれぞれのドレイン電極Dに流れ込むドレイン電流Idsの電流波形は基本波周波数及び奇数次高調波成分のみの矩形波に近づく。
同様に、第2の増幅部100bと第2のゲート容量負荷3b1~3bnで構成される差動回路の片側における高調波処理回路が、第1の増幅部100aと第1のゲート容量負荷3a1~3anで構成される差動回路のもう一方の片側で構成されているともいえる。
実施の形態3に係る電力増幅回路を図7を用いて説明する。
実施の形態3に係る電力増幅回路は、実施の形態2に係る電力増幅回路が、ゲート容量負荷が第1のゲート容量負荷3aと第2のゲート容量負荷3bの直列体であるのに対して合成容量を持つ1つのゲート容量負荷30とした点、及び抵抗9aと抵抗9bとを直列接続し、抵抗9aと抵抗9bとの接続点をゲートバイアスノード60とした点が相違し、その他の点については実施の形態2に係る電力増幅回路と同じ又は同様である。
図7中、図6と同一符号は同一又は相当部分を示す。
実施の形態3の変形例に係る電力増幅回路を図8を用いて説明する。
実施の形態3の変形例に係る電力増幅回路は、実施の形態3に係る電力増幅回路に対して、実施の形態2の変形例に係る電力増幅回路と同様に、複数個の第2のトランジスタ2a1、2b1から第2のトランジスタ2an、2bnを直列に接続した点、複数個のゲート容量負荷301~30nを有する点、及び複数個の直列接続された抵抗9a1、9b1から抵抗9an、9bnを有する点が相違し、その他の点については実施の形態3に係る電力増幅回路と同じ又は同様である。
図8中、図7と同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (9)
- ゲート電極が入力ノードに接続され、ソース電極が接地された第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのドレイン電極と電源電位ノードとの間に直列接続されたn個(nは1以上の自然数)の第2のトランジスタと、
一端が前記第2のトランジスタのゲート電極にそれぞれ接続され、他端にインピーダンスが前記第1のトランジスタのゲート電極から入力される高周波の周波数に対して短絡であり、偶数次高調波に対して前記第2のトランジスタのドレイン電流の偶数次高調波成分を抑制するように設定された高調波処理回路をそれぞれ有するn個のゲート容量負荷と、を備え、
前記n個の第2のトランジスタにおいて、n段目の第2のトランジスタのドレイン電極が出力ノードに接続される電力増幅回路。 - 前記ゲート容量負荷の容量値が前記第1のトランジスタのドレイン-ゲート間電圧、ドレイン-ソース間電圧、ゲート-ソース間電圧のそれぞれと、前記第2のトランジスタのドレイン-ゲート間電圧、ドレイン-ソース間電圧、ゲート-ソース間電圧のそれぞれとが等振幅となるように設定された請求項1に記載の電力増幅回路。
- 前記高調波処理回路のインピーダンスは、前記入力ノードに入力される高周波の周波数に対して短絡、偶数次高調波に対して開放、奇数次高調波に対して短絡である請求項1又は請求項2に記載の電力増幅回路。
- 前記高調波処理回路は、前記入力ノードに入力される高周波の周波数に対して1/4波長の長さのオープンスタブである請求項1又は請求項2に記載の電力増幅回路。
- 第1の能動部及び第2の能動部を備え、前記第1の能動部及び前記第2の能動部はそれぞれ前記第1のトランジスタと、前記n個の第2のトランジスタとで構成され、
前記n個のゲート容量負荷は、前記第1の能動部及び前記第2の能動部の前記n個の第2のトランジスタのそれぞれに対応して設けられ、
前記n個のゲート容量負荷のn段目同士の、前記第1の能動部の第2のトランジスタに接続されたゲート容量負荷の他端と前記第2の能動部の第2のトランジスタに接続されたゲート容量負荷の他端とが接続され、
前記第2の能動部と前記第2の能動部の第2のトランジスタに接続された前記ゲート容量負荷が前記高調波処理回路として機能する請求項1又は請求項2に記載の電力増幅回路。 - 前記第1の能動部のn段目の第2のトランジスタと前記第2の能動部のn段目の第2のトランジスタとの間に接続されたゲート容量負荷が1つの容量として構成された請求項5に記載の電力増幅回路。
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