JP7340911B2 - パッケージ基板の加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、パッケージ基板を切断する際に用いられるパッケージ基板の加工方法に関する。
基板上に配置されたデバイスチップを樹脂からなる封止材（モールド樹脂）で被覆することにより、パッケージ基板が形成される。このパッケージ基板を切削予定ライン（ストリート）に沿って分割することにより、デバイスチップをそれぞれ含む複数のパッケージデバイスが得られる。
パッケージ基板の分割には、例えばパッケージ基板を保持するチャックテーブルと、パッケージ基板を切削する円環状の切削ブレードが装着されたスピンドルとを備える切削装置が用いられる。チャックテーブルによってパッケージ基板を保持した状態で、切削ブレードを回転させてパッケージ基板に切り込ませることにより、パッケージ基板が切削される。
パッケージ基板の切削予定ラインには、デバイスチップと接続された電極などが形成されることがある。この場合、切削ブレードを切削予定ラインに沿って切り込ませると、該電極が回転する切削ブレードと接触して引き延ばされ、髭状のバリが発生する。このバリは、電極同士の短絡やボンディング不良などの原因となり、パッケージ基板を分割して製造されたパッケージデバイスの品質低下を招くため、除去されることが望まれる。
そこで、切削ブレードでパッケージ基板を切削した後、切削された領域に向かって水を噴射することによりバリを除去する手法が提案されている。例えば特許文献１には、バリ取りノズルが切削ブレードと隣接する位置に設けられた切削装置が開示されている。この切削装置は、切削ブレードによってパッケージ基板を切削して切断した後、バリ取りノズルから水を噴射することによってバリを除去する。
切断されたパッケージ基板に向かって水を噴射すると、水圧によってパッケージ基板の一部が飛散することがある。また、パッケージ基板がテープを介してチャックテーブルによって保持された状態でパッケージ基板を切断すると、切断領域においてテープが露出し、この露出した領域に水が噴射されると水圧によってテープが破断することがある。そのため、水圧はこのような加工上の不都合が生じない範囲で設定される。しかしながら、加工上の不都合を防ぐために水圧を低く設定すると、バリの除去が不十分になりやすい。
一方、特許文献２には、パッケージ基板が完全には切断されていない状態で水を噴射してバリを除去する手法が開示されている。具体的には、まず、パッケージ基板の厚さ未満の深さの切削溝を切削予定ラインに沿って形成して電極を切削する１回目の切削を行う。そして、該切削溝に向かって水を噴射してバリを除去した後、切削予定ラインに沿って切削ブレードを再度切り込ませる２回目の切削を行い、パッケージ基板を切断する。
パッケージ基板が完全には切断されていない状態では、水を噴射してもパッケージ基板の一部の飛散やテープの破断が生じにくい。そのため、この手法を用いると水圧を上げることが可能となり、バリを除去しやすくなる。
特開２０１６－１５７７２２号公報 特開２０１６－１８１５６９号公報
前述のように、パッケージ基板を切断した後に水を噴射してバリを除去する手法を用いる場合、加工上の不都合の発生を防ぐために水圧を低く抑える必要があり、バリが十分に除去されにくい。
一方、切削を２回に分けて実施する手法では、パッケージ基板を切断した後に水を噴射する場合と比較して水圧を上げることができるものの、同一の切削予定ラインに対して複数回の切削を行う必要があるため加工効率が低下する。また、２回目の切削の際、１回目の切削の切削面で露出した電極に切削ブレードが接触し、バリが再度発生してしまうことがある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、加工上の不都合の発生及び加工効率の低下を抑制しつつバリを除去することが可能なパッケージ基板の加工方法の提供を課題とする。
本発明の一態様によれば、切削予定ラインに形成された電極を有するパッケージ基板の加工方法であって、該切削予定ラインに沿って切削ブレードで該パッケージ基板を切断する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、流体を該切削予定ラインに沿って噴射して該切削ステップで発生したバリを除去するバリ除去ステップと、を備え、該切削ステップでは、該切削ブレードを挟むように配置された一対のノズルから該切削ブレードが該パッケージ基板を切削する切削領域に設けられている該電極に向かって有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しながら該パッケージ基板を切削し、該流体の圧力は、２５ＭＰａよりも大きく、且つ、４０ＭＰａ未満であるパッケージ基板の加工方法が提供される。なお、該バリ除去ステップでは、該流体を噴射する噴射ノズルの噴射口の中心を該電極と重畳するように位置付けてもよい。
また、本発明の一態様において、該切削ステップを実施する前に、該パッケージ基板にテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープを介して該パッケージ基板を保持手段で保持する保持ステップと、を更に備え、該切削ステップでは、該テープに至る深さで該切削ブレードを該パッケージ基板に切り込ませることで、該テープが貼着された該パッケージ基板を切断し、該バリ除去ステップでは、該テープが該パッケージ基板に貼着された状態で該流体を噴射してもよい。
また、本発明の一態様において、該切削ステップを実施する前に、該切削予定ラインに対応した溝が形成された治具テーブルで該パッケージ基板を保持する保持ステップを更に備え、該切削ステップでは、該治具テーブルの該溝に至る深さで該切削ブレードを該パッケージ基板に切り込ませることで、該治具テーブルで保持された該パッケージ基板を切断し、該バリ除去ステップでは、該治具テーブルで保持された該パッケージ基板に該流体を噴射してもよい。
本発明の一態様に係るパッケージ基板の加工方法では、有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しながらパッケージ基板を切削した後、流体の噴射によってバリを除去する。該切削液の供給によってバリの発生が抑制されるとともにバリが除去されやすくなるため、バリを除去する流体の圧力を低減できる。これにより、加工上の不都合の発生及び加工効率の低下を抑制しつつバリを除去することが可能となる。
図１（Ａ）はパッケージ基板を示す平面図であり、図１（Ｂ）はパッケージ基板を示す底面図である。 パッケージ基板を示す拡大平面図である。 切削装置を示す斜視図である。 フレームユニットを示す平面図である。 切削ユニットを示す斜視図である。 切削ステップの様子を示す一部断面正面図である。 バリ除去ステップの様子を示す一部断面正面図である。 バリ除去ステップの様子を示す一部断面正面図である。 図９（Ａ）は治具テーブルを示す平面図であり、図９（Ｂ）は治具テーブルを示す断面図である。 切削ステップの様子を示す断面図である。
以下、添付図面を参照して本実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るパッケージ基板の加工方法によって加工することが可能なパッケージ基板の構成例について説明する。図１（Ａ）はパッケージ基板１１の表面側を示す平面図であり、図１（Ｂ）はパッケージ基板１１の裏面側を示す底面図である。
パッケージ基板１１は、表面１３ａ及び裏面１３ｂを有し平面視で矩形状に形成された板状の基板１３と、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイスを含み基板１３の裏面１３ｂ側に配置された複数のデバイスチップ（不図示）とを備える。また、基板１３の裏面１３ｂ側には、複数のデバイスチップを覆って封止する樹脂層（モールド樹脂）１５が形成されている。
図１（Ａ）に示すように、パッケージ基板１１は互いに交差するように格子状に配列された複数の切削予定ライン（ストリート）１７によって区画された複数の領域１１ａを備え、デバイスチップはそれぞれこの領域１１ａに配置されている。なお、パッケージ基板１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。また、デバイスチップの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
パッケージ基板１１を切削予定ライン１７に沿って切断することにより、デバイスチップをそれぞれ含む複数のパッケージデバイスが得られる。パッケージ基板１１の切断は、例えば円環状の切削ブレードを用いてパッケージ基板１１を切削することにより実施される。なお、基板１３の表面１３ａ側には切削予定ライン１７の位置を示す複数のマーカー２１が付されており、このマーカー２１はパッケージ基板１１と切削ブレードとの位置合わせを行う際の目印となる。
また、基板１３の表面１３ａ側には、金属でなる複数の電極１９が切削予定ライン１７に沿って配列されている。電極１９は、基板１３の裏面１３ｂ側に配置されたデバイスチップと金属ワイヤー（不図示）等を介して接続されており、基板１３の表面１３ａ側に露出している。この電極１９は、パッケージ基板１１が複数のパッケージデバイスに分割された後、該パッケージデバイスを他の実装基板等に実装する際の接続電極として機能する。
図２は、パッケージ基板１１を示す拡大平面図である。図２に示すように、切削予定ライン１７に形成された複数の電極１９はそれぞれ、基板１３の表面１３ａ側から裏面１３ｂ側に向かって形成された凹部（キャビティ）１９ａを備える。凹部１９ａは平面視で楕円状に形成されており、その深さは電極１９の厚さ未満である。
切削ブレードによってパッケージ基板１１を切削すると、切削予定ライン１７に形成された電極１９も切削される。このとき切削ブレードは、電極１９に形成された凹部１９ａの内側を通過するように位置付けられる。そして、パッケージ基板１１が切削予定ライン１７に沿って切断されると、凹部１９ａによって、電極１９と他の電極（実装基板の接続電極など）とを接続するための金属材料（半田など）が埋め込まれる空間が形成される。
パッケージ基板１１を切削予定ライン１７に沿って切削ブレードで切削すると、電極１９が回転する切削ブレードと接触して引き延ばされ、髭状のバリが発生することがある。このバリは電極１９同士の短絡やボンディング不良などの加工不良の原因となるため、除去されることが好ましい。バリの除去は、例えば切削によって生じたバリに向かって加圧された水などの流体を噴射してバリを吹き飛ばすことによって行われる。
パッケージ基板１１の切削及び流体の噴射は、パッケージ基板１１を切削する切削ユニットと、パッケージ基板１１に向かって流体を噴射する流体噴射ユニットとを備えた切削装置を用いて実施される。切削ユニット及び流体噴射ユニットを備える切削装置の構成例を図３に示す。
図３は、切削装置２を示す斜視図である。切削装置２は、切削装置２を構成する各構成要素を支持する基台４を備える。基台４上には、Ｘ軸方向（加工送り方向）に沿って配置された一対のガイドレール６ａ，６ｂが固定されており、一対のガイドレール６ａ，６ｂ上には移動ブロック８が配置されている。また、移動ブロック８は移動ユニット１０と接続されており、移動ユニット１０は移動ブロック８をＸ軸方向に沿って移動させる。
移動ユニット１０は、ボールねじ１２とパルスモータ１４とを備える。ボールねじ１２は、その長さ方向がＸ軸方向に沿うように配置されており、移動ブロック８はボールねじ１２に螺合されている。また、パルスモータ１４はボールねじ１２の一端部に連結されている。パルスモータ１４によってボールねじ１２を回転させると、移動ブロック８が一対のガイドレール６ａ，６ｂに沿って移動する。
また、移動ユニット１０は、ガイドレール６ａに沿って基台４上に設けられ移動ブロック８の位置を示す座標値が付されたスケール１６と、スケール１６の座標値を読みとる読み取りヘッド（不図示）とを備える。読み取りヘッドによってスケール１６の座標値を読み取ることにより、移動ブロック８の位置が確認される。
移動ブロック８上には円筒状の支持部材１８が設けられ、支持部材１８上にはチャックテーブル２０が固定されている。このチャックテーブル２０は、パッケージ基板１１を保持する保持手段に相当する。チャックテーブル２０はモータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、移動ユニット１０によってチャックテーブル２０のＸ軸方向における位置が制御される。
チャックテーブル２０の上面は、多孔性セラミックス等によって形成されパッケージ基板１１を保持する保持面２０ａを構成する。保持面２０ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向（割り出し送り方向）に対して概ね平行に形成されており、チャックテーブル２０の内部に設けられた吸引路（不図示）等を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。
パッケージ基板１１を切削する際には、例えば、環状フレームに支持されたパッケージ基板１１がチャックテーブル２０によって保持される。図４は、パッケージ基板１１が環状フレーム２７によって支持されたフレームユニット２３を示す平面図である。
パッケージ基板１１の樹脂層１５（図１（Ｂ）参照）側には、パッケージ基板１１の全体を覆うことが可能な径をもつ円形のテープ２５が貼着される。テープ２５は、例えばポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなる基材上に、ゴム系やアクリル系の粘着層（糊層）が形成された柔軟なフィルムである。
環状フレーム２７をテープ２５の外周部に貼着するとともに、パッケージ基板１１の樹脂層１５側をテープ２５の中央部に貼着することにより、フレームユニット２３が構成される。そして、パッケージ基板１１は基板１３の表面１３ａが上方に露出した状態で、テープ２５を介して環状フレーム２７に支持される。
図３に示すように、チャックテーブル２０の周囲には環状フレーム２７を四方から固定するための４個のクランプ２２が設けられている。また、チャックテーブル２０の近傍には、パッケージ基板１１をチャックテーブル２０上に搬送する搬送ユニット（不図示）が配置されている。
パッケージ基板１１を加工する際は、まず、チャックテーブル２０の保持面２０ａ上にテープ２５を介してパッケージ基板１１を配置するとともに、環状フレーム２７をクランプ２２によって固定する。この状態で吸引源の負圧を保持面２０ａに作用させることにより、パッケージ基板１１がテープ２５を介してチャックテーブル２０よって吸引保持される。
チャックテーブル２０の上方には、パッケージ基板１１を切削する環状の切削ブレードが装着される切削ユニット２４と、流体をパッケージ基板１１に向かって噴射する流体噴射ユニット２６とが設けられている。また、基台４の上面には、切削ユニット２４と流体噴射ユニット２６とを支持するための門型の支持構造２８が、チャックテーブル２０を跨ぐように配置されている。
支持構造２８の前面上部には、切削ユニット２４をＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させる移動ユニット３０ａと、流体噴射ユニット２６をＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させる移動ユニット３０ｂとが設けられている。移動ユニット３０ａは移動プレート３４ａを、移動ユニット３０ｂは移動プレート３４ｂをそれぞれ備える。移動プレート３４ａ及び移動プレート３４ｂは、支持構造２８の前面にＹ軸方向に沿って配置された一対のガイドレール３２にスライド可能に装着されている。
移動プレート３４ａの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはガイドレール３２に対して概ね平行に配置されたボールネジ３６ａが螺合されている。また、移動プレート３４ｂの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはガイドレール３２に対して概ね平行に配置されたボールネジ３６ｂが螺合されている。
ボールネジ３６ａ，３６ｂの一端部にはそれぞれ、パルスモータ３８が連結されている。ボールネジ３６ａと連結されたパルスモータ３８によってボールネジ３６ａを回転させることにより、移動プレート３４ａがガイドレール３２に沿ってＹ軸方向に移動する。また、ボールネジ３６ｂと連結されたパルスモータ３８によってボールネジ３６ｂを回転させることにより、移動プレート３４ｂがガイドレール３２に沿ってＹ軸方向に移動する。
移動プレート３４ａの表面（前面）側には、一対のガイドレール４０ａがＺ軸方向に沿って設けられており、移動プレート３４ｂの表面（前面）側には、Ｚ軸方向に沿って一対のガイドレール４０ｂが設けられている。また、一対のガイドレール４０ａには移動プレート４２ａがスライド可能に取り付けられ、一対のガイドレール４０ｂには移動プレート４２ｂがスライド可能に取り付けられている。
移動プレート４２ａの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはガイドレール４０ａに対して概ね平行に配置されたボールネジ４４ａが螺合されている。ボールネジ４４ａの一端部にはパルスモータ４６が連結されており、このパルスモータ４６によってボールネジ４４ａを回転させることにより、移動プレート４２ａがガイドレール４０ａに沿ってＺ軸方向に移動する。
移動プレート４２ｂの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはガイドレール４０ｂに対して概ね平行に配置されたボールネジ４４ｂが螺合されている。ボールネジ４４ｂの一端部にはパルスモータ４６が連結されており、このパルスモータ４６によってボールネジ４４ｂを回転させることにより、移動プレート４２ｂがガイドレール４０ｂに沿ってＺ軸方向に移動する。
移動プレート４２ａの下部には切削ユニット２４が設けられ、移動プレート４２ｂの下部には流体噴射ユニット２６が設けられている。そして、移動ユニット３０ａによって切削ユニット２４のＹ軸方向及びＺ軸方向の位置が制御され、移動ユニット３０ｂによって流体噴射ユニット２６のＹ軸方向及びＺ軸方向の位置が制御される。すなわち、切削ユニット２４の位置と流体噴射ユニット２６の位置とはそれぞれ独立に制御される。
図５は、切削ユニット２４を示す斜視図である。切削ユニット２４は、チャックテーブル２０の保持面２０ａに対して概ね平行な方向に軸心をとるスピンドル（不図示）を備えており、このスピンドルの先端部には環状の切削ブレード５０が装着されている。スピンドルはモータ等の回転駆動源と連結されており、スピンドルに装着された切削ブレード５０は回転駆動源から伝わる力によって回転する。
切削ブレード５０は、例えばダイヤモンド等でなる砥粒をボンド材で固定して形成される。ボンド材としては、例えばメタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンドなどが用いられる。
また、切削ユニット２４は切削ブレード５０を覆うブレードカバー５２を備える。ブレードカバー５２は、切削ブレード５０に切削液を供給する第１ノズルブロック５４を備えている。第１ノズルブロック５４は、切削液が供給されるホース（不図示）と接続される第１接続部５６と、第１接続部５６と接続され切削ブレード５０に切削液を供給する一対のブレードクーラーノズル５８ａ，５８ｂとを備える。
ブレードクーラーノズル５８ａ，５８ｂは、切削ブレード５０を表面５０ａ側及び裏面５０ｂ側から挟むように配置される。また、ブレードクーラーノズル５８ａ，５８ｂにはそれぞれ、切削ブレード５０と対向する位置に切削ブレード５０に切削液を供給するための複数の開口（不図示）が設けられている。第１接続部５６に供給された切削液はブレードクーラーノズル５８ａ，５８ｂに流入し、該開口から切削ブレード５０の表面５０ａ側及び裏面５０ｂ側に向かって噴射される。
また、ブレードカバー５２は、切削ブレード５０とチャックテーブル２０によって保持されたパッケージ基板１１とに切削液を供給する第２ノズルブロック６０を備えている。第２ノズルブロック６０は、切削液が供給されるホース（不図示）と接続される第２接続部６２及び第３接続部６４を備える。
第２接続部６２は、第２ノズルブロック６０の内部に設けられたシャワーノズル（不図示）と接続され、シャワーノズルの先端は切削ブレード５０の外周部に向かって開口している。第２接続部６２に供給された切削液はシャワーノズルに流入し、シャワーノズルの先端から切削ブレード５０の外周部に向かって噴射される。そして、切削液は切削ブレード５０の回転によって切削ブレード５０とパッケージ基板１１との接触領域に供給される。
第３接続部６４は、チャックテーブル２０によって保持されたパッケージ基板１１に切削液を供給するスプレーノズル６６と接続されている。スプレーノズル６６の先端は、チャックテーブル２０の保持面２０ａに向かって開口している。第３接続部６４に供給された切削液はスプレーノズル６６に流入し、スプレーノズル６６の先端からチャックテーブル２０によって保持されたパッケージ基板１１の上面に向かって噴射される。
切削ブレード５０によってパッケージ基板１１を切削する際は、上記のブレードクーラーノズル５８ａ，５８ｂ、シャワーノズル、及びスプレーノズル６６から切削ブレード５０及びパッケージ基板１１に切削液を供給する。この切削液の供給により、切削ブレード５０とパッケージ基板１１とが接触する領域が冷却されるとともに、切削によって生じた屑（切削屑）が洗い流される。
また、切削ユニット２４に隣接する位置には、チャックテーブル２０によって吸引保持されたパッケージ基板１１等を撮像するための撮像ユニット７０が設けられている。撮像ユニット７０によって取得した画像に基づいて、切削ユニット２４とチャックテーブル２０との位置合わせが行われる。
図３に示す流体噴射ユニット２６は、チャックテーブル２０によって保持されたパッケージ基板１１に向かって流体を噴射する噴射ノズル７２を備える。切削ユニット２４によってパッケージ基板１１を切断した後、噴射ノズル７２からパッケージ基板１１に流体を噴射することにより、切削加工によって発生したバリを除去できる。なお、バリの除去が可能であれば、噴射ノズル７２から噴射される流体に制限はない。例えば、加圧された水等の液体が噴射ノズル７２から噴射される。
また、流体噴射ユニット２６に隣接する位置には、チャックテーブル２０によって吸引保持されたパッケージ基板１１等を撮像するための撮像ユニット（不図示）が設けられている。この撮像ユニットによって取得した画像に基づいて、流体噴射ユニット２６とチャックテーブル２０との位置合わせが行われる。
なお、移動ユニット１０、チャックテーブル２０、切削ユニット２４、流体噴射ユニット２６、移動ユニット３０ａ，３０ｂ等の各構成要素は切削装置２の制御ユニット（不図示）と接続されており、制御ユニットによってその動作が制御される。
噴射ノズル７２から噴射される流体の圧力は、パッケージ基板１１の切削によって生じたバリが適切に除去されるように設定される。ただし、流体の圧力が大きくなると、切断されたパッケージ基板１１の一部が飛散することがある。また、パッケージ基板１１の切削によってテープ２５（図４参照）が露出し、この露出した領域に高圧の流体が噴射されてテープ２５が破断することがある。
そのため、流体の圧力は上記のような加工上の不都合が生じない範囲で設定される。しかしながら、加工上の不都合を防ぐために流体の圧力を低く設定すると、バリの除去が不十分になりやすい。
一方、パッケージ基板１１が完全には切断されない深さまで切削ブレード５０を切り込ませて電極１９を切削した後、切削によって生じたバリを流体の噴射によって除去することもできる。この場合、パッケージ基板１１が完全には切断されていない状態で流体が噴射されるため、流体の圧力を上げてもパッケージ基板１１の一部の飛散やテープ２５の破断などの加工上の不都合が生じにくい。
しかしながら、この手法を用いる場合、バリを除去した後に切削ブレード５０をパッケージ基板１１に再度切り込ませてパッケージ基板１１を切断する必要がある。そのため、同一の切削予定ライン１７に対して複数回の切削を行う必要があり、パッケージ基板１１の加工効率が低下する。また、２回目の切削の際、１回目の切削の切削面で露出した電極１９に切削ブレード５０が接触し、バリが再度発生してしまうことがある。
そこで、本発明の一態様に係るパッケージ基板の加工方法では、有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しながらパッケージ基板１１を切削した後、切削によって生じたバリを流体の噴射によって除去する。切削加工時に有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給すると、有機酸によって電極１９が改質されるとともに酸化剤によって電極１９が酸化され、電極１９の延性が低下する。その結果、電極１９が切削ブレード５０によって引き延ばされにくくなりバリの発生が抑制されるとともに、流体の噴射によってバリが除去されやすくなる。
これにより、流体を噴射してバリを除去する際に流体の圧力を低減でき、流体の噴射による加工上の不都合の発生が抑制される。また、同一の切削予定ライン１７に対して複数回の切削を行うことなくバリを除去できるため、加工効率の低下を防止できる。
切削液に含まれる有機酸としては、例えば、分子内に少なくとも１つのカルボキシル基と少なくとも１つのアミノ基とを有する化合物を用いることができる。この場合、アミノ基のうち少なくとも１つは、２級又は３級のアミノ基であると好ましい。また、有機酸として用いる化合物は、置換基を有していてもよい。
有機酸として用いることのできるアミノ酸としては、グリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、ヒドロキシエチルグリシン、Ｎ－メチルグリシン、β－アラニン、Ｌ－アラニン、Ｌ－２－アミノ酪酸、Ｌ－ノルバリン、Ｌ－バリン、Ｌ－ロイシン、Ｌ－ノルロイシン、Ｌ－アロイソロイシン、Ｌ－イソロイシン、Ｌ－フェニルアラニン、Ｌ－プロリン、サルコシン、Ｌ－オルニチン、Ｌ－リシン、タウリン、Ｌ－セリン、Ｌ－トレオニン、Ｌ－アロトレオニン、Ｌ－ホモセリン、Ｌ－チロキシン、Ｌ－チロシン、３，５－ジヨード－Ｌ－チロシン、β－（３，４－ジヒドロキシフェニル）－Ｌ－アラニン、４－ヒドロキシ－Ｌ－プロリン、Ｌ－システィン、Ｌ－メチオニン、Ｌ－エチオニン、Ｌ－ランチオニン、Ｌ－シスタチオニン、Ｌ－シスチン、Ｌ－システィン酸、Ｌ－グルタミン酸、Ｌ－アスパラギン酸、Ｓ－（カルボキシメチル）－Ｌ－システィン、４－アミノ酪酸、Ｌ－アスパラギン、Ｌ－グルタミン、アザセリン、Ｌ－カナバニン、Ｌ－シトルリン、Ｌ－アルギニン、δ－ヒドロキシ－Ｌ－リシン、クレアチン、Ｌ－キヌレニン、Ｌ－ヒスチジン、１－メチル－Ｌ－ヒスチジン、３－メチル－Ｌ－ヒスチジン、Ｌ－トリプトファン、アクチノマイシンＣ１、エルゴチオネイン、アパミン、アンギオテンシンＩ、アンギオテンシンＩＩ及びアンチパイン等が挙げられる。中でも、グリシン、Ｌ－アラニン、Ｌ－プロリン、Ｌ－ヒスチジン、Ｌ－リシン、ジヒドロキシエチルグリシンが好ましい。
また、有機酸として用いることのできるアミノポリ酸としては、イミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチレンスルホン酸、１，２－ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、β－アラニンジ酢酸、Ｎ－（２－カルボキシラートエチル）－Ｌ－アスパラギン酸、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジ酢酸等が挙げられる。
更に、有機酸として用いることのできるカルボン酸としては、ギ酸、グリコール酸、プロピオン酸、酢酸、酪酸、吉薬酸、ヘキサン酸、シュウ酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、リンゴ酸、コハク酸、ピメリン酸、メルカプト酢酸、グリオキシル酸、クロロ酢酸、ピルビン酸、アセト酢酸、グルタル酸等の飽和カルボン酸や、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、フマル酸、マレイン酸、メサコン酸、シトラコン酸、アコニット酸等の不飽和カルボン酸、安息香酸類、トルイル酸、フタル酸類、ナフトエ酸類、ピロメット酸、ナフタル酸等の環状不飽和カルボン酸等が挙げられる。
切削液に含まれる酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、セリウム酸塩、バナジン酸塩、オゾン水および銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩や、その有機錯塩等を用いることができる。
また、切削液には、防食剤が混合されてもよい。防食剤を混合することで、パッケージ基板１１に含まれる金属の腐食（溶出）を防止できる。防食剤としては、例えば、分子内に３つ以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物、又は、分子内に４つ以上の窒素原子を有する複素芳香環化合物を用いることが好ましい。更に、芳香環化合物は、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基を含むことが好ましい。具体的には、テトラゾール誘導体、１，２，３－トリアゾール誘導体、及び１，２，４－トリアゾール誘導体であることが好ましい。
防食剤として用いることのできるテトラゾール誘導体としては、テトラゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、テトラゾールの５位に、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、又は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基が導入されたものが挙げられる。
また、防食剤として用いることのできる１，２，３－トリアゾール誘導体としては、１，２，３－トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，３－トリアゾールの４位及び／又は５位に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。
また、防食剤として用いることのできる１，２，４－トリアゾール誘導体としては、１，２，４－トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，４－トリアゾールの２位及び／又は５位に、スルホ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。
上記のような有機酸と酸化剤とを含む切削液は、図５に示す切削ユニット２４が備えるブレードクーラーノズル５８ａ，５８ｂ、シャワーノズル（不図示）、及びスプレーノズル６６から切削ブレード５０及びパッケージ基板１１に供給される。ただし、該切削液はこれらのノズルの少なくとも一から供給されればよい。
次に、上記の切削装置２を用いたパッケージ基板の加工方法の具体例について説明する。まず、図４に示すようにパッケージ基板１１にテープ２５に貼着する（テープ貼着ステップ）。なお、テープ２５は、基板１３の表面１３ａ側が露出するようにパッケージ基板１１の樹脂層１５側に貼着される。その後、テープ２５を介してパッケージ基板１１を保持手段で保持する（保持ステップ）。図３に示す切削装置２では、チャックテーブル２０が保持手段に相当する。
次に、切削ブレード５０によってパッケージ基板１１を切断する（切削ステップ）。図６は、切削ステップの様子を示す一部断面正面図である。切削ステップではまず、切削ブレード５０をその下端が樹脂層１５の下端よりも下方に位置付けられるように配置する。そして、保持面２０ａと概ね平行で、且つ切削ブレード５０が装着されたスピンドルの軸心と概ね垂直な方向（加工送り方向）に沿って、チャックテーブル２０を移動させる加工送りを行う。
これにより、切削ブレード５０とパッケージ基板１１とが相対的に移動し、切削ブレード５０がテープ２５に至る深さでパッケージ基板１１に切り込む。その結果、パッケージ基板１１が切削予定ライン１７に沿って切断される。なお、図６に示すように、切削ブレード５０の厚さは切削予定ライン１７に沿って配列された電極１９の凹部１９ａの長手方向における長さよりも小さく、切削ブレード５０は凹部１９ａの内側を通過するようにパッケージ基板１１を切削する。
切削ステップでは、ブレードクーラーノズル５８ａ，５８ｂ、シャワーノズル（不図示）、及びスプレーノズル６６（図５参照）から有機酸と酸化剤とを含む切削液７４を切削ブレード５０及びパッケージ基板１１に向かって噴射しながらパッケージ基板１１を切断する。これにより、切削ブレード５０がパッケージ基板１１を切削する切削領域１１ｂに切削液７４が供給される。
切削領域１１ｂに切削液７４が供給されると、切削液７４に含まれる有機酸によって電極１９が改質されるとともに、切削液７４に含まれる酸化剤によって電極１９の表面が酸化され、電極１９の延性が低下する。これにより、電極１９の切削によるバリの発生が抑制される。
なお、切削液７４の供給によってバリの発生は抑制されるものの、バリの発生を完全には回避できない場合がある。そのため、切削ステップを実施した後、流体を切削予定ライン１７に沿って噴射することにより切削ステップで発生したバリを除去する（バリ除去ステップ）。図７は、バリ除去ステップの様子を示す一部断面正面図である。
バリ除去ステップは、流体噴射ユニット２６が備える噴射ノズル７２から切削領域１１ｂに向かって流体７６を噴射させることによって実施される。噴射ノズル７２は、例えば加圧された水などの流体７６を噴射口７２ａから噴射して、電極１９から発生したバリ１９ｂを吹き飛ばす。バリ１９ｂを除去することにより、パッケージ基板１１を分割して得られるパッケージデバイスの品質低下を防止できる。
噴射ノズル７２の噴射口７２ａは、例えば円形に形成される。また、噴射ノズル７２は、例えば図７に示すように、噴射口７２ａの中心が切削領域１１ｂと重畳するように位置付けられる。そして、噴射口７２ａから流体７６を噴射しながらチャックテーブル２０を加工送り方向に移動させることにより、切削予定ライン１７に沿って流体７６が噴射されてバリ１９ｂが除去される。
なお、バリ１９ｂは電極１９から発生するため、噴射ノズル７２を電極１９上に位置付けてバリ除去ステップを実施してもよい。図８は、図７とは異なるバリ除去ステップの様子を示す一部断面正面図である。
図８に示すように、噴射ノズル７２は、噴射口７２ａの中心が電極１９と重畳するように位置付けてもよい。より好ましくは、噴射口７２ａの中心が特にバリ１９ｂが残留しやすい凹部１９ａと重畳するように噴射ノズル７２を位置付ける。これにより、バリ１９ｂに流体７６が強く噴射され、バリ１９ｂが除去されやすくなる。
なお、パッケージ基板１１には、切削ブレード５０による切削によって側壁１１ｃ，１１ｄが形成されており、例えば噴射ノズル７２は、側壁１１ｃから噴射口７２ａの中心までの水平方向における距離Ｄが２０μｍ以下となるように位置付けられる。ただし、距離Ｄの値は電極１９や凹部１９ａの寸法等に応じて適宜設定できる。
また、噴射ノズル７２から噴射された流体７６は、凹部１９ａの内部に溜まりやすい。そのため、特にバリ１９ｂが発生しやすい凹部１９ａに流体７６が供給されやすく、バリの発生が効果的に抑制される。
上記のように一方の側壁１１ｃ側に残留したバリ１９ｂを除去した後、他方の側壁１１ｄ側でも同様にしてバリの除去を行う。このように、側壁１１ｃ側と側壁１１ｄ側の両方に流体を噴射することにより、バリを確実に除去できる。
そして、上記の切削ステップ及びバリ除去ステップを全ての切削予定ライン１７に対して実施することにより、パッケージ基板１１が複数のパッケージデバイスに分割される。
なお、切削ユニット２４の移動と流体噴射ユニット２６の移動とはそれぞれ、図３に示す移動ユニット３０ａ，３０ｂによって独立に制御される。そのため、パッケージ基板１１に流体７６を噴射するタイミングは自由に設定できる。
例えば、チャックテーブル２０を第１の加工送り方向に移動させながら切削ユニット２４でパッケージ基板１１を切削し、その後、チャックテーブル２０を第１の加工送り方向とは逆方向（第２の加工送り方向）に移動させながら流体噴射ユニット２６によってバリを除去してもよい。これにより、加工送りの往路と復路とでそれぞれ切削ステップとバリ除去ステップとを実施できる。
ただし、バリの除去を実施するタイミングは上記に限定されない。例えば、全ての切削予定ライン１７に沿ってパッケージ基板１１を切削した後にバリの除去をまとめて行ってもよい。また、一の切削予定ライン１７に沿ってパッケージ基板１１を切削すると同時に、既に切削された他の切削予定ライン１７に沿ってバリの除去を行ってもよい。この場合、パッケージ基板１１の切削とバリの除去とを同時進行で実施できる。
また、図３では切削ユニット２４の位置と流体噴射ユニット２６の位置とがそれぞれ独立して制御される構成について説明したが、切削ユニット２４と流体噴射ユニット２６とは一体として構成されていてもよい。例えば、図５に示すブレードカバー５２に噴射ノズル７２を装着することにより、切削と液体の噴射との両方を行うユニットを構成してもよい。この場合、切削ブレード５０と噴射ノズル７２とはチャックテーブル２０に対して一体として移動し、切削ブレード５０によるパッケージ基板１１の切削に追従して噴射ノズル７２によるバリの除去が行われる。
以上のように、本発明の一態様に係るパッケージ基板の加工方法では、有機酸と酸化剤とを含む切削液７４を供給しながらパッケージ基板１１を切削する切削ステップを実施した後、流体７６の噴射によってバリを除去するバリ除去ステップを実施する。この切削液７４の供給によってバリの発生が抑制されるとともにバリが除去されやすくなるため、バリを除去する流体７６の圧力を低減できる。これにより、加工上の不都合の発生及び加工効率の低下を抑制しつつバリを除去することが可能となる。
なお、上記ではテープ２５を介してパッケージ基板１１をチャックテーブル２０で吸引保持して加工する態様について説明したが、パッケージ基板１１を保持する保持手段として治具テーブルを用いることもできる。パッケージ基板１１を保持する治具テーブルの構成例を図９に示す。図９（Ａ）は治具テーブル８０を示す平面図であり、図９（Ｂ）は治具テーブル８０を示す断面図である。
治具テーブル８０は、平面視で矩形状に形成された治具ベース８２を備える。この治具ベース８２は、図３に示すチャックテーブル２０に代えて移動ブロック８上に配置される。また、治具ベース８２はモータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。治具ベース８２の上面８２ａには、パッケージ基板１１の形状に対応した保持部材８４が取り外し可能に装着される。
保持部材８４は、平面視で矩形状の板状に形成され、保持部材８４の上面はパッケージ基板１１を吸引保持するための保持面８４ａを構成する。保持部材８４の保持面８４ａ側には、パッケージ基板１１の切削予定ライン１７に対応する溝８４ｃが形成されており、溝８４ｃの上端は保持面８４ａで開口している。この溝８４ｃにより、保持面８４ａはパッケージ基板１１の領域１１ａ（図１（Ａ）参照）に対応する複数の領域に区画されている。
溝８４ｃによって区画された各領域には、保持部材８４を上下に貫通する吸引孔８４ｄが形成されている。図９（Ｂ）に示すように、治具ベース８２の上面８２ａに保持部材８４を載せると、各吸引孔８４ｄは治具ベース８２の上面８２ａ側の中央部分に形成された第１流路８２ｂに接続される。
第１流路８２ｂは、バルブ８６ａを介して吸引源８８に接続されている。保持部材８４の保持面８４ａ上にパッケージ基板１１を配置し、パッケージ基板１１の切削予定ライン１７を溝８４ｃに重畳させた状態でバルブ８６ａを開くと、パッケージ基板１１が治具テーブル８０によって吸引保持される。
なお、治具ベース８２の外周部分には、保持部材８４を治具ベース８２に装着するための第２流路８２ｃが形成されている。この第２流路８２ｃは、バルブ８６ｂを介して吸引源８８に接続されている。治具ベース８２の上面８２ａに保持部材８４の下面８４ｂを接触させてバルブ８６ｂを開くと、保持部材８４が治具ベース８２の上面８２ａに固定される。
本実施形態における切削ステップ及びバリ除去ステップは、パッケージ基板１１を治具テーブル８０によって保持した状態でも実施できる。図１０は、治具テーブル８０を用いた切削ステップの様子を示す断面図である。
パッケージ基板１１を治具テーブル８０で保持すると、保持部材８４の溝８４ｃと重畳する位置にパッケージ基板１１の切削予定ライン１７が配置される。そして、切削ブレード５０を、その下端が溝８４ｃの内部に至る高さに位置付けてパッケージ基板１１を切削する。これにより、治具テーブル８０の溝８４ｃに至る深さで切削ブレード５０がパッケージ基板１１に切り込み、パッケージ基板１１が切断される。
その後、治具テーブル８０によって保持されたパッケージ基板１１に流体が噴射され、バリ除去ステップが実施される。なお、上記で説明した以外の工程の詳細については、保持手段としてチャックテーブル２０を用いた場合と同様である。
次に、本実施形態に係るパッケージ基板の加工方法を用いて加工したパッケージ基板の評価結果について説明する。本評価では、テープ２５を介してパッケージ基板１１をチャックテーブル２０によって保持し、有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しながら切削ステップを実施し、所定の圧力の流体を噴射してバリ除去ステップを実施した。そして、加工後のパッケージ基板におけるテープ２５の破断の有無とバリの残留の有無とを観察した。
パッケージ基板１１としては幅６５ｍｍ、長さ７５ｍｍ、厚さ０．５５ｍｍのＱＦＮパッケージ（Quad For Non-Lead Package）を用い、テープ２５としては、基材がＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）でなり、厚さが２００μｍのリンテック社製のテープ（Ｄ－２１８）を用いた。そして、テープ２５を介してパッケージ基板１１をチャックテーブル２０によって保持した状態で、切削ブレード５０をテープ２５に達する深さでパッケージ基板１１に切り込ませ、パッケージ基板１１を切削予定ライン１７に沿って切削する切削ステップを実施した。なお、パッケージ基板１１の切削は、有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しながら行った。
その後、噴射ノズル７２から切削予定ライン１７に向かって流体を噴射させ、バリ除去ステップを実施した。なお、流体としては水を用いた。バリ除去ステップは、噴射ノズル７２から噴射される流体の圧力を２５ＭＰａ、３０ＭＰａ、３５ＭＰａ、４０ＭＰａとした場合それぞれについて行った。そして、バリ除去ステップ後のパッケージ基板１１について、テープ２５の破断の有無及びバリの残留の有無を観察した。
パッケージ基板１１の評価結果を表１に示す。なお、表１には、切削液として純水を用い、噴射ノズル７２から３５ＭＰａの圧力で流体を噴射して加工したパッケージ基板１１の観察結果も比較例として示している。
表１に示すように、研削液として純水を用い、流体の圧力を３５Ｐａとした場合、パッケージ基板１１にバリが残留していることが確認された。これより、研削液が純水である場合には、流体の圧力を３５Ｐａに設定してもバリの除去には不十分であることが分かる。そのため、研削液が純水である場合、流体の圧力は通常７０ＭＰａ程度に設定される。
一方、有機酸と酸化剤とを含む切削液を用い、流体の圧力を３０ＭＰａ、３５ＭＰａ、４０ＭＰａとした場合には、パッケージ基板１１に目立ったバリは観察されなかった。これより、切削液として純水を用いた場合と比較して、バリの除去に必要な流体の圧力が低減されたことが確認できた。これは、有機酸と酸化剤とを含む切削液の供給によって、バリの発生が抑制されるとともにバリが除去されやすくなったためと推察される。
ただし、流体の圧力が２５ＭＰａの場合にはパッケージ基板１１に僅かなバリの残留が観察された。そのため、バリを確実に除去するためには、流体の圧力を２５ＭＰａよりも大きくすることが好ましく、３０ＭＰａ以上とすることがより好ましい。
また、有機酸と酸化剤とを含む切削液を用いた場合であっても、流体の圧力を４０ＭＰａとするとテープ２５の破断が生じた。そのため、テープ２５の破断を防止するためには、流体の圧力は４０ＭＰａ未満とすることが好ましく、３５ＭＰａ以下とすることがより好ましい。このように、バリ除去ステップで噴射される流体の圧力は、バリが除去され、かつ加工上の不都合（テープの破断、パッケージ基板の飛散など）が生じない値に設定することが好ましい。
上記の結果より、有機酸と酸化剤とを含む切削液を用いてパッケージ基板１１を切削することにより、バリを除去するために噴射される流体の圧力が低減され、加工上の不都合の発生を抑制しつつバリを除去可能となることが確認された。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ パッケージ基板
１１ａ 領域
１１ｂ 切削領域
１１ｃ 側壁
１１ｄ 側壁
１３ 基板
１３ａ 表面
１３ｂ 裏面
１５ 樹脂層
１７ 切削予定ライン
１９ 電極
１９ａ 凹部
１９ｂ バリ
２１ マーカー
２３ フレームユニット
２５ テープ
２７ 環状フレーム
２ 切削装置
４ 基台
６ａ，６ｂ ガイドレール
８ 移動ブロック
１０ 移動ユニット
１２ ボールねじ
１４ パルスモータ
１６ スケール
１８ 支持部材
２０ チャックテーブル
２０ａ 保持面
２２ クランプ
２４ 切削ユニット
２６ 流体噴射ユニット
２８ 支持構造
３０ａ，３０ｂ 移動ユニット
３２ ガイドレール
３４ａ，３４ｂ 移動プレート
３６ａ，３６ｂ ボールネジ
３８ パルスモータ
４０ａ，４０ｂ ガイドレール
４２ａ，４２ｂ 移動プレート
４４ａ，４４ｂ ボールネジ
４６ パルスモータ
５０ 切削ブレード
５０ａ 表面
５０ｂ 裏面
５２ ブレードカバー
５４ 第１ノズルブロック
５６ 第１接続部
５８ａ，５８ｂ ブレードクーラーノズル
６０ 第２ノズルブロック
６２ 第２接続部
６４ 第３接続部
６６ スプレーノズル
７０ 撮像ユニット
７２ 噴射ノズル
７２ａ 噴射口
７４ 切削液
７６ 流体
８０ 治具テーブル
８２ 治具ベース
８２ａ 上面
８２ｂ 第１流路
８２ｃ 第２流路
８４ 保持部材
８４ａ 保持面
８４ｂ 下面
８４ｃ 溝
８４ｄ 吸引孔
８６ａ，８６ｂ バルブ
８８ 吸引源

Claims (4)

  1. 切削予定ラインに形成された電極を有するパッケージ基板の加工方法であって、
    該切削予定ラインに沿って切削ブレードで該パッケージ基板を切断する切削ステップと、
    該切削ステップを実施した後、流体を該切削予定ラインに沿って噴射して該切削ステップで発生したバリを除去するバリ除去ステップと、を備え、
    該切削ステップでは、該切削ブレードを挟むように配置された一対のノズルから該切削ブレードが該パッケージ基板を切削する切削領域に設けられている該電極に向かって有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しながら該パッケージ基板を切削し、
    該流体の圧力は、２５ＭＰａよりも大きく、且つ、４０ＭＰａ未満であることを特徴とするパッケージ基板の加工方法。
  2. 該バリ除去ステップでは、該流体を噴射する噴射ノズルの噴射口の中心を該電極と重畳するように位置付けることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ基板の加工方法。
  3. 該切削ステップを実施する前に、該パッケージ基板にテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープを介して該パッケージ基板を保持手段で保持する保持ステップと、を更に備え、
    該切削ステップでは、該テープに至る深さで該切削ブレードを該パッケージ基板に切り込ませることで、該テープが貼着された該パッケージ基板を切断し、
    該バリ除去ステップでは、該テープが該パッケージ基板に貼着された状態で該流体を噴射することを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージ基板の加工方法。
  4. 該切削ステップを実施する前に、該切削予定ラインに対応した溝が形成された治具テーブルで該パッケージ基板を保持する保持ステップを更に備え、
    該切削ステップでは、該治具テーブルの該溝に至る深さで該切削ブレードを該パッケージ基板に切り込ませることで、該治具テーブルで保持された該パッケージ基板を切断し、
    該バリ除去ステップでは、該治具テーブルで保持された該パッケージ基板に該流体を噴射することを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージ基板の加工方法。
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