JP7336327B2 - 圧電センサ及び圧電センサの製造方法 - Google Patents
圧電センサ及び圧電センサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7336327B2 JP7336327B2 JP2019167727A JP2019167727A JP7336327B2 JP 7336327 B2 JP7336327 B2 JP 7336327B2 JP 2019167727 A JP2019167727 A JP 2019167727A JP 2019167727 A JP2019167727 A JP 2019167727A JP 7336327 B2 JP7336327 B2 JP 7336327B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- stress
- piezoelectric
- applying
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 208
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- -1 poly(γ-methyl-L-glutamate) Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 3
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 3
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000835 poly(gamma-benzyl-L-glutamate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 108700004370 poly-gamma-methylglutamate Proteins 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 2
- 108010050934 polyleucine Proteins 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001397 Poly-beta-hydroxybutyrate Polymers 0.000 description 1
- 229920000331 Polyhydroxybutyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/098—Forming organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- H10N30/708—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
Description
本発明は、圧電センサ及び圧電センサの製造方法に関する。
圧電材料として、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン（ＰｏｌｙＶｉｎｙｌｉｄｅｎｅ ＤｉＦｌｕｏｒｉｄｅ）などの高分子圧電材料が知られている。これらの高分子圧電材料は、延伸処理により高分子鎖が延伸し、その後にポーリングを行うことで圧電性が発現する。また近年では、ポリ乳酸やポリペプチドなど、光学活性を有する光学活性高分子が圧電材料として利用されている。この光学活性高分子によれば、一軸延伸処理を行うことで圧電性が発現する。さらに、下記特許文献１には、光学活性高分子で製造された圧電シートを備えた圧電センサが開示されている。
特許文献１では、接着剤を用いて圧電シートを基材に貼り付けている。よって、圧電シートを貼り付ける作業が要求され、圧電センサの製造が煩雑化した。また、従来技術によれば、光学活性高分子により形成された大面積のシートを延伸処理することが困難であった。
本発明は、圧電層（圧電シート）の大面積化が可能であり、かつ、圧電層（圧電シート）の貼り付け作業が不要な圧電センサ及び圧電センサの製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る圧電センサは、一面の所定領域に、第１方向に平行して延びる複数の応力付与溝が形成される応力付与層と、前記応力付与層に積層され、光学活性高分子を含む高分子圧電材料により形成された圧電層と、を備える。
本開示の一態様に係る圧電センサの製造方法は、応力付与層と、前記応力付与層に積層され、光学活性高分子を含む高分子圧電材料により形成された圧電層と、を備える圧電センサの製造方法であって、応力付与溝を形成する応力付与溝形成工程と、前記応力付与層に、塗布、蒸着、又は重合により前記圧電層を形成する圧電層形成工程と、を含む。
本開示の圧電センサを実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示の発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の構成要素には、同一の符号を付し、詳細な説明を適宜省略することがある。
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図２は、実施形態１に係る圧電センサのテンプレート層のみを抽出し、圧電層側からテンプレート層の第２面を見た視た平面図である。実施形態１に係る圧電センサ１は、基板２と、テンプレート層３と、第１電極層４と、圧電層５と、第２電極層６と、保護層７と、を備える。圧電センサ１は、基板２、テンプレート層３、第１電極層４、圧電層５、第２電極層６、及び保護層７の順で積層された積層構造体である。なお、説明の都合上、基板２、テンプレート層３、第１電極層４、圧電層５、第２電極層６、及び保護層７が積層されている方向を積層方向という。また、圧電層５から視て基板２が配置された方向を第１方向Ａ１とし、圧電層５から視て保護層７が配置された方向を第２方向Ａ２という。
図１は、実施形態１に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図２は、実施形態１に係る圧電センサのテンプレート層のみを抽出し、圧電層側からテンプレート層の第２面を見た視た平面図である。実施形態１に係る圧電センサ１は、基板２と、テンプレート層３と、第１電極層４と、圧電層５と、第２電極層６と、保護層７と、を備える。圧電センサ１は、基板２、テンプレート層３、第１電極層４、圧電層５、第２電極層６、及び保護層７の順で積層された積層構造体である。なお、説明の都合上、基板２、テンプレート層３、第１電極層４、圧電層５、第２電極層６、及び保護層７が積層されている方向を積層方向という。また、圧電層５から視て基板２が配置された方向を第１方向Ａ１とし、圧電層５から視て保護層７が配置された方向を第２方向Ａ２という。
また、圧電センサ１に加えられた力を測定するため、圧電センサ１の第１電極層４と第２電極層６とに、制御部８が接続している。圧電センサ１は、積層方向から視て矩形状に形成されている（図２参照）。よって、圧電センサ１は、一対の長辺１ａ、１ａと、一対の短辺１ｂ、１ｂと、を備える。
図１に示すように、基板２及び保護層７は、柔軟性を有する樹脂により形成されている。テンプレート層３は、ポリイミド等の樹脂で形成された層であり、溝を形成し易い材料で形成されている。テンプレート層３は、第１電極層（応力付与層）４に対して圧電層５の反対側に配置されている。テンプレート層３は、第２方向Ａ２の第２面３ａを有している。テンプレート層３の第２面３ａは、第１電極層４と対向している。テンプレート層３の第２面３ａには、第１方向Ａ１に窪む第１次溝９が形成されている。図２に示すように、第１次溝９は、テンプレート層３の第２面（一面）３ａの一定領域に形成される溝である。本実施形態においては、第１次溝９は、テンプレート層３の第２面３ａの全面に形成されている。第１次溝９は、直線状に延びている。第１次溝９は、後述するラビング処理により形成されている。各第１次溝９は、等間隔で配置され、第１方向に平行に並んでいる。言い換えると、第１次溝９は、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａとが成す角度θ１が４５度となるように延びている。つまり、第１次溝９は、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａ及び短辺１ｂ、１ｂの各辺に４５度傾斜している。なお、第１次溝９の幅については製造方法で説明する。
図１に示すように、第１電極層４及び第２電極層６は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などにより形成された透明電極、若しくは例えば銅（Ｃｕ）等を用いた金属電極である。第１電極層４は、光学活性高分子が一軸方向に延びるように応力を付与する応力付与層であり、テンプレート層３の第２面３ａに積層されている。第１電極層４は、積層方向の厚みが均一となるように形成され、テンプレート層３の第２面３ａに沿った形状となっている。このため、第１電極層４の第２面４ａ上であって第１次溝９と積層方向に重なる部位には、第１方向Ａ１に窪む第２次溝１０が複数形成されている。また、第１電極４の第２面４ａにおいて第２次溝１０が形成される所定領域は、第１次溝９がテンプレート層３の第２面３ａの全面に形成されているため、第１電極４の第２面４ａにおいても全面に第２次溝１０が形成されている。
圧電層５は、第１電極層層（応力付与層）４に積層され、光学活性高分子を含有する高分子圧電材料により形成された層である。光学活性高分子は、光学活性を有するヘリカルキラル高分子である。光学活性高分子としては、例えば、セルロース誘導体、ポリエーテル、ポリペプチド、ポリエステル等を挙げることができる。上記セルロース誘導体としては、例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、エチルセルロース、ニトロセルロース、シアノエチルセルロース、シアノエチル化ヒドロセルロース（ＣＥＨＣ）等が挙げられる。ポリエーテルとしては、ポリ－Ｄ－プロピレンオキシド（ＰＰＯ）が挙げられる。ポリペプチドとしては、例えば、ポリ（γ－メチル-Ｌ－グルタメート）（ＰＭＬＧ）、ポリ（γ－ベンジル-Ｌ－グルタメート）（ＰＢＬＧ）、ポリロイシン（ＰＬｅｕ）、ポリ（ロイシン－ｃｏ-γ-ベンジル-Ｌ－グルタメート）等が挙げられる。ポリエステルとしては、ポリ－β－ヒドロキシブチレート、ポリ乳酸（ＰＬＡ）が挙げられる。
圧電層５は、第２次溝１０が形成された層に接している。つまり、圧電層５は、第１電極層４の第２面４ａ上で形成されており、高分子圧電材料に含まれる光学活性高分子が第２次溝１０に沿って延びる。このため、圧電層５には、光学活性高分子が規則正しく並んだ結晶部分が生成されており、圧電性が発現している。以上から、実施形態１において、第２次溝１０が応力付与溝となっている。
圧電層５は、光学活性高分子が延びる方向に沿って折り曲げたり、若しくは光学活性高分子の延びる方向と直交する方向に沿って折り曲げたりした場合には、分極しない。一方で、圧電層５は、光学活性高分子の延びる方向と４５度に傾斜する傾斜線に沿って折り曲げた場合には、分極する。具体的には、光学活性高分子の延びる方向は、第１次溝９と同じ方向であり、圧電センサ１の長辺１ａに対し４５度となっている。よって、本実施形態においては、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａ同士が近づくように、若しくは短辺１ｂ、１ｂ同士が近づくように圧電センサ１をＵ字状に折り曲げた場合、圧電層５が分極する。一方で、圧電センサ１の対角同士が近づくように圧電センサ１をＵ字状に折り曲げても圧電層５は分極しない。以上から、圧電層５を備える圧電センサ１は、折り曲げを検出する折り曲げセンサであり、圧電層５が上記したように折り曲げられた場合、圧電層５が分極して第１電極層４と第２電極層６との間に溜まる静電容量が増加する。
制御部８は、第１電極層４と第２電極層６との間の静電容量を検出し、圧電層５の折り曲げの有無を判断する。具体的に、第１電極層４に基準となる基準電圧を印加するとともに、第２電極層６から電圧値を検出し、第１電極層４と第２電極層６との間の静電容量を検出する。そして、圧電層５の折り曲げにより静電容量が増加すると、第２電極層６から検出される電圧値が大きくなり、圧電層５の折り曲げを検出できる。
図３は、実施形態１に係る圧電センサの製造方法の一例を説明するための説明図である。次に圧電センサ１の生産方法について説明する。
圧電センサ１の製造方法は、基板２を準備する準備工程（ＳＴ１）と、基板２にテンプレート層３を形成するテンプレート層形成工程（ＳＴ２）と、第１次溝９を形成する第１次溝形成工程（ＳＴ３）と、テンプレート層３に第１電極層４を形成する第２次溝形成工程（ＳＴ４）と、第１電極層４に圧電層５を形成する圧電層形成工程（ＳＴ５）と、圧電層５に第２電極層６を形成する第２電極形成工程（ＳＴ６）と、保護層７を形成する保護層形成工程（ＳＴ７）と、を含む。
準備工程（ＳＴ１）は、所定形状に形成された基板２を準備する工程であり、テンプレート層形成工程（ＳＴ２）と同じ製法で形成したり、若しくは予め製造されたものを用意したりしてもよい。テンプレート層形成工程（ＳＴ２）は、溶液法や蒸着法により、基板２上にテンプレート層３を形成する工程である。ここで、基板２及びテンプレート層３は、平板状であり、テンプレート層３の第２面３ａは平面となっている。
実施形態１の第１次溝形成工程（ＳＴ３）は、ナイロンなどの布が巻かれたローラー１９を一定圧力で押し込みながら回転させることにより、第１次溝９を形成している。ここで、第１次溝９の幅及び深さは、第１次溝９に対応して形成される第２次溝１０が、光学活性高分子が延びるように応力を付与することができる程度の幅や深さとなるように形成する。
第２次溝形成工程（ＳＴ４）は、蒸着法によりテンプレート層３の第２面３ａに第１電極４を形成しつつ、第１電極４の第２面４ａに第２次溝１０を形成する工程である。第２次溝形成工程（ＳＴ４）においては、第１電極層４の第２面４ａに、第１次溝９に対応して窪む複数の第２次溝１０が光学活性高分子を延ばす応力付与溝として機能するように、第２次溝１０の溝幅や深さを調整する必要がある。
圧電層形成工程（ＳＴ５）は、溶液法、蒸着法、重合により、第１電極層４の第２面４ａに圧電層５を形成する工程である。溶液法の具体例としては、例えば、スピンコート又はインクジェットにより高分子圧電材料の溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。蒸着法のうち物理蒸着（ＰＶＤ）法の具体例としては、例えば、スパッタ法等を挙げることができる。また、化学蒸着（ＣＶＤ）法としては、例えば、ミストＣＶＤ法及びレーザーＣＶＤ法等を挙げることができる。これよれば、応力付与溝である第２次溝１０内の光学活性高分子は溝方向に沿って延び、圧電性が発現する。なお、圧電層５の第２面５ａは平面とする。
第２電極形成工程（ＳＴ６）及び保護層形成工程（ＳＴ７）は、第２電極層６と保護層７を形成するための工程であり、溶液法や蒸着法などが挙げられるが、本開示においては特に限定されない。
以上、実施形態１の圧電センサ１は、圧電層５の下地層として、応力付与溝（第２次溝１０）を有する第１電極層（応力付与層）５を備えており、光学活性高分子が延びて発電性を発現するようになっている。よって、大面積化した圧電層５を容易に製造できる。また、圧電層（圧電シート）５を貼り付ける、という作業が回避され、圧電センサ１の生産効率が向上する。
つぎに、実施形態１の変形例及び他の実施形態について説明する。なお、以下の説明においては、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
（変形例１）
図４は、変形例１に係る圧電センサのテンプレート層のみを抽出し、第２方向からテンプレート層の第２面を見た視た平面図である。変形例１の圧電センサ１Ａは、テンプレート層３の第２面３ａに形成された第１次溝９Ａが曲線状となっている点において、実施形態１の圧電センサ１と異なる。第１次溝９Ａは、平面視で波形状となっている。これによれば、第１電極層４に形成される第２次溝（応力付与溝）１０も波形状となる。そして、光活性高分子が延びる方向と圧電センサ１の長辺１ａ、１ａとが成す角度θ１（図２参照）は、４５度以外の角度も含まれるようになる。よって、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａ同士が近づくように、若しくは短辺１ｂ、１ｂ同士が近づくように折り曲げられた場合以外にも圧電層５が分極する。以上、変形例１によれば、圧電センサ１の折り曲げを検知できる範囲が増える。
図４は、変形例１に係る圧電センサのテンプレート層のみを抽出し、第２方向からテンプレート層の第２面を見た視た平面図である。変形例１の圧電センサ１Ａは、テンプレート層３の第２面３ａに形成された第１次溝９Ａが曲線状となっている点において、実施形態１の圧電センサ１と異なる。第１次溝９Ａは、平面視で波形状となっている。これによれば、第１電極層４に形成される第２次溝（応力付与溝）１０も波形状となる。そして、光活性高分子が延びる方向と圧電センサ１の長辺１ａ、１ａとが成す角度θ１（図２参照）は、４５度以外の角度も含まれるようになる。よって、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａ同士が近づくように、若しくは短辺１ｂ、１ｂ同士が近づくように折り曲げられた場合以外にも圧電層５が分極する。以上、変形例１によれば、圧電センサ１の折り曲げを検知できる範囲が増える。
（変形例２）
図５は、変形例２に係る圧電センサのテンプレート層のみを抽出し、圧電層からテンプレート層の第２面を見た視た平面図である。変形例２の圧電センサ１Ｂは、テンプレート層３の第２面３ａに形成された溝が第１次溝９Ｂとなっている点で、実施形態１の圧電センサ１と異なる。第１次溝９Ｂは、傾斜溝１３と平行溝１４とを有している。傾斜溝１３は、第１方向に平行して延びる複数の応力付与溝である。平行溝１４は、第１方向とは異なる方向に平行して延びる複数の応力付与溝である。具体的に、傾斜溝１３は、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａと交わる角度θ１（図２参照）が４５度となっている。平行溝１４は、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａと交わる角度θ１（図２参照）が０度であり、長辺１ａ、１ａと平行である。このため、第２次溝（応力付与溝）１０は、延びる方向が４５度異なる２種類の溝を有している。また、テンプレート層３の第２面３ａは、マトリックス状に分割されており、平面視で矩形に形成される複数の領域１５を有している。その分割された各領域１５内において、傾斜溝１３又は平行溝１４が複数形成されている。
図５は、変形例２に係る圧電センサのテンプレート層のみを抽出し、圧電層からテンプレート層の第２面を見た視た平面図である。変形例２の圧電センサ１Ｂは、テンプレート層３の第２面３ａに形成された溝が第１次溝９Ｂとなっている点で、実施形態１の圧電センサ１と異なる。第１次溝９Ｂは、傾斜溝１３と平行溝１４とを有している。傾斜溝１３は、第１方向に平行して延びる複数の応力付与溝である。平行溝１４は、第１方向とは異なる方向に平行して延びる複数の応力付与溝である。具体的に、傾斜溝１３は、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａと交わる角度θ１（図２参照）が４５度となっている。平行溝１４は、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａと交わる角度θ１（図２参照）が０度であり、長辺１ａ、１ａと平行である。このため、第２次溝（応力付与溝）１０は、延びる方向が４５度異なる２種類の溝を有している。また、テンプレート層３の第２面３ａは、マトリックス状に分割されており、平面視で矩形に形成される複数の領域１５を有している。その分割された各領域１５内において、傾斜溝１３又は平行溝１４が複数形成されている。
以上、変形例２の応力付与層は、複数の領域１５を有し、第１方向に平行して延びる複数の応力付与溝（傾斜溝１３）を有する第１領域１５と、第１方向とは異なる方向に平行して延びる複数の応力付与溝（平行溝１４）を有する第２領域１５とを有している。このため、光活性高分子の延びる方向は、圧電センサ１の長辺１ａ、１ａとの交差する角度θ１（図２参照）が４５度以外の場合も含まれる。よって、圧電センサ１の対角同士を近づけるように折り曲げた場合も検出でき、圧電センサ１の折り曲げを検知できる範囲が増える。
（実施形態２）
図６は、実施形態２に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図７は、実施形態２に係る圧電センサの製造方法の一例を説明するための説明図である。実施形態２に係る圧電センサ１Ｃは、基板２と、第１電極層４Ｃと、テンプレート層３Ｃと、圧電層５と、第２電極層６と、保護層７と、を備える。よって、実施形態２に係る圧電センサ１Ｃは、第１電極層４Ｃとテンプレート層３Ｃとの積層順が入れ替わっている点で、実施形態１の圧電センサ１と異なる。以下、第１電極層４Ｃとテンプレート層３Ｃの詳細について説明する。
図６は、実施形態２に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図７は、実施形態２に係る圧電センサの製造方法の一例を説明するための説明図である。実施形態２に係る圧電センサ１Ｃは、基板２と、第１電極層４Ｃと、テンプレート層３Ｃと、圧電層５と、第２電極層６と、保護層７と、を備える。よって、実施形態２に係る圧電センサ１Ｃは、第１電極層４Ｃとテンプレート層３Ｃとの積層順が入れ替わっている点で、実施形態１の圧電センサ１と異なる。以下、第１電極層４Ｃとテンプレート層３Ｃの詳細について説明する。
第１電極層４Ｃは、平坦化されている。テンプレート層３Ｃの第２面３ａは、ラビング処理され、第１次溝９が形成されている。そして、テンプレート層３Ｃの第２面３ａに圧電層５が形成されている。よって、高分子圧電材料に含まれる光学活性高分子が第１次溝９に沿って延びる。つまり、実施形態２においては、第１次溝９が応力付与溝となっている。
図７に示すように、圧電センサ１Ｃの製造方法は、基板２を準備する準備工程（ＳＴ１１）と、基板２に第１電極層４Ｃを形成する第１電極層形成工程（ＳＴ１２）と、第１電極層４Ｃにテンプレート層３Ｃを形成するテンプレート層形成工程と（ＳＴ１３）と、ラビング処理によりテンプレート層３の第２面３ａに第１次溝９を形成する第１次溝形成工程（ＳＴ１４）と、テンプレート層３Ｃに圧電層５を形成する圧電層形成工程（ＳＴ１５）と、圧電層５に第２電極層６を形成する第２電極形成工程（ＳＴ１６）と、保護層７を形成する保護層形成工程（ＳＴ１７）と、を含む。以上から、テンプレート層３Ｃを形成する前に、第１電極層４Ｃを形成するため、第１電極層４Ｃには、第２次溝１０が形成されず、平板状となっている。また、第１次溝形成工程（ＳＴ１４）において、テンプレート層３Ｃに形成する第１次溝９は、光学活性高分子を延ばす応力付与溝である。つまり、実施形態１では、第１次溝９を形成することで第２次溝１０を形成し、この第２次溝１０により光学活性高分子が延びているが、実施形態２では、第１次溝９によって直接、光学活性高分子が延びるようになっている。よって、実施形態２の第１次溝９の溝や深さは、実施形態１の第１次溝９と異なる。
以上、実施形態２の圧電センサ１Ｃは、圧電層５の下地層として、応力付与溝（第１次溝９）を有するテンプレート層（応力付与層）３Ｃを備えており、光学活性高分子が延び、発電性を発現する。よって、大面積化した圧電層５を容易に製造できる。また、圧電層（圧電シート）５を貼り付ける、という作業が回避され、圧電センサ１の生産効率が向上する。
（実施形態３）
図８は、実施形態３に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図９は、実施形態３に係る圧電センサの製造方法の一例を説明するための説明図である。実施形態３に係る圧電センサ１Ｄは、基板２と、第１電極層４Ｄと、圧電層５と、第２電極層６と、保護層７と、を備える。よって、実施形態３に係る圧電センサ１Ｄは、テンプレート層３を備えていない点で、実施形態１の圧電センサ１と異なる。
図８は、実施形態３に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図９は、実施形態３に係る圧電センサの製造方法の一例を説明するための説明図である。実施形態３に係る圧電センサ１Ｄは、基板２と、第１電極層４Ｄと、圧電層５と、第２電極層６と、保護層７と、を備える。よって、実施形態３に係る圧電センサ１Ｄは、テンプレート層３を備えていない点で、実施形態１の圧電センサ１と異なる。
第１電極層４Ｄは、基板２上に形成されている。第１電極層４Ｄの第２面４ａには、第１次溝９が形成されている。そして、第１電極層４Ｄの第２面４ａに圧電層５が形成されている。よって、第１電極層４Ｄの第１次溝９により、高分子圧電材料に含まれる光学活性高分子が延びる。つまり、実施形態３においては、第１次溝９が応力付与溝となっている。
図９に示すように、圧電センサ１Ｄの製造方法は、基板２を準備する準備工程（ＳＴ２１）と、基板２に第１電極層４Ｄを形成する第１電極層形成工程（ＳＴ２２）と、第１電極層４Ｄの第２面４ａに第１次溝９を形成する第１次溝形成工程（ＳＴ２３）と、第１電極層４に圧電層５を形成する圧電層形成工程（ＳＴ２４）と、圧電層５に第２電極層６を形成する第２電極形成工程（ＳＴ２５）と、保護層７を形成する保護層形成工程（ＳＴ２６）とを含む。第１次溝形成工程（ＳＴ２３）においては、第１電極層４Ｄの第２面４ａに図示しないレーザーを照射し、第１次溝９を形成する。この第１次溝９は、光学活性高分子を延びるように、適宜幅や深さを調整する。
以上、実施形態３の圧電センサ１Ｄは、圧電層５の下地層として、応力付与溝（第１次溝９）を有する第１電極層（応力付与層）４Ｄを備えており、光学活性高分子が延び、発電性を発現する。よって、大面積化した圧電層５を容易に製造できる。また、圧電層（圧電シート）５を接着する、という作業が回避され、圧電センサ１の生産効率が向上する。
（実施形態４）
図１０は、実施形態４に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図１１は、実施形態４の回路構成を説明するための回路図である。図１０、図１１に示すように、圧電センサ１Ｅは、アクティブマトリックスタイプのセンサである。圧電センサ１Ｅは、基板２と、基板２上に形成された半導体層２０と、半導体層２０上に形成された複数の駆動電極Ｔｘ（第１電極層４Ｅ）と、駆動電極Ｔｘ上に形成されたテンプレート層３Ｅと、テンプレート層３Ｅ上に形成された圧電層５Ｅと、圧電層５Ｅの上に形成された複数の検出電極Ｒｘ（第２電極層６Ｅ）と、保護層７と、を備える。
図１０は、実施形態４に係る圧電センサの断面構造を表す断面図である。図１１は、実施形態４の回路構成を説明するための回路図である。図１０、図１１に示すように、圧電センサ１Ｅは、アクティブマトリックスタイプのセンサである。圧電センサ１Ｅは、基板２と、基板２上に形成された半導体層２０と、半導体層２０上に形成された複数の駆動電極Ｔｘ（第１電極層４Ｅ）と、駆動電極Ｔｘ上に形成されたテンプレート層３Ｅと、テンプレート層３Ｅ上に形成された圧電層５Ｅと、圧電層５Ｅの上に形成された複数の検出電極Ｒｘ（第２電極層６Ｅ）と、保護層７と、を備える。
半導体層２０には、スイッチング素子であるトランジスタＴｒが設けられている。トランジスタＴｒは、半導体２１、絶縁膜２２、ゲート電極２３の順で積層されたトップゲートタイプである。図１１に示すように、半導体層２０には、制御部８（図１参照）からの信号を供給する信号線２６と、トランジスタＴｒを駆動する走査線２７が積層されている。走査線２７は、トランジスタＴｒのゲートとして作用する。信号線２６は、トランジスタＴｒのドレイン電極２４に信号を供給する。トランジスタＴｒのソース電極２５は、駆動電極Ｔｘ（第１電極層４）に接続している。
以上、実施形態４によれば、駆動電極Ｔｘ（第１電極層４Ｅ）と検出電極Ｒｘ（第２電極層６Ｅ）とが交差する交差領域Ｓ（図１１の破線Ｓ参照）ごとに圧電層５が折り曲げられたか否かを検出することが可能となる。
（変形例３）
図１２は、変形例４に圧電センサにおいて圧電層を切った断面図である。変形例４に係る圧電センサ１Ｆは、圧電層５Ｆが全面に形成されていない点で、実施形態４に係る圧電センサ１Ｅと異なる。以下、詳細を説明する。
図１２は、変形例４に圧電センサにおいて圧電層を切った断面図である。変形例４に係る圧電センサ１Ｆは、圧電層５Ｆが全面に形成されていない点で、実施形態４に係る圧電センサ１Ｅと異なる。以下、詳細を説明する。
図１２に示すように、圧電層５Ｆは、積層方向から視て矩形状に形成されている。または、圧電層５Ｆは、複数の領域に分割されて互いに離隔している。詳細には、圧電層５Ｆが形成されている領域は、圧電センサ１の長辺１ａが延在する長辺方向と、短辺１ｂが延在する短辺方向とに、間隔を空けながら複数設けられている。なお、駆動電極Ｔｘ（第１電極層４Ｅ）と検出電極Ｒｘ（第２電極層６Ｅ）とは、圧電層５Ｆが設けられた位置で交差している（図１２の矢印Ｓ参照）。このため、各圧電層５Ｆの間には、圧電層５Ｆが設けられていない四角形状の空白領域３０が形成されている。
以上、変形例３に係る圧電センサ１によれば、空白領域３０が形成されており、この空白領域３０に圧電層５Ｆとは異なるセンサ材料を設けることができる。ここで、異なるセンサ材料としては、温度を測定するものや、光を検知できるものが挙げられる。具体的に、温度を測定する材料としては、導電微粒子やカーボンナノチューブを分散させた高分子や、ポリ(３,４-エチレンジオキシチオフェン)：ポリスチレンスルホン酸などが挙げられる。また、光を検知するための材料としては、有機太陽電池、ペロブスカイト太陽電池で使用される材料、例えばＰ３ＨＴ／Ｃ６０が挙げられる。若しくは、入光により抵抗値が下がるフタロシアニンなどの有機光導電体であってもよい。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ 圧電センサ
２ 基板
３、３Ｃ、３Ｅ テンプレート層
４、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ 第１電極層
５、５Ｅ、５Ｆ 圧電層
６、６Ｅ 第２電極層
７ 保護層
８ 制御部
９、９Ａ、９Ｂ 第１次溝
１０ 第２次溝
１３ 傾斜溝
１４ 平行溝
２０ 半導体層
３０ 空白領域
Ｓ 交差領域
２ 基板
３、３Ｃ、３Ｅ テンプレート層
４、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ 第１電極層
５、５Ｅ、５Ｆ 圧電層
６、６Ｅ 第２電極層
７ 保護層
８ 制御部
９、９Ａ、９Ｂ 第１次溝
１０ 第２次溝
１３ 傾斜溝
１４ 平行溝
２０ 半導体層
３０ 空白領域
Ｓ 交差領域
Claims (9)
- 一面の所定領域に、第１方向に平行して延びる複数の応力付与溝が形成される応力付与層と、
前記応力付与層に積層され、光学活性高分子を含む高分子圧電材料により形成された圧電層と、
を備え、
前記応力付与層に対して前記圧電層の反対側に配置されるテンプレート層をさらに備え、
前記応力付与層は、電極層であり、
前記テンプレート層は、第１次溝が形成され、
前記電極層には、前記第１次溝に対応して窪む第２次溝が形成され、
前記第２次溝は前記応力付与溝であり、前記第２次溝は前記圧電層に接している
圧電センサ。 - 一面の所定領域に、第１方向に平行して延びる複数の応力付与溝が形成される応力付与層と、
前記応力付与層に積層され、光学活性高分子を含む高分子圧電材料により形成された圧電層と、
を備え、
前記応力付与層に対して前記圧電層の反対側に配置される電極層をさらに備え、
前記応力付与層は、テンプレート層であり、
前記テンプレート層は、前記第１方向に平行して延びる第１次溝が形成され、
前記第１次溝は前記応力付与溝であり、前記第１次溝は前記圧電層に接している
圧電センサ。 - 前記圧電センサは、平面視で矩形に形成される複数の領域を有し、
前記第１方向は、前記領域の各辺に４５度傾斜している
請求項１又は請求項２に記載の圧電センサ。 - 前記応力付与層は、平面視で矩形に形成される複数の領域を有し、前記第１方向に平行して延びる複数の応力付与溝を有する第１領域と、前記第１方向とは異なる方向に平行して延びる複数の応力付与溝を有する第２領域とを有している
請求項１又は請求項２に記載の圧電センサ。 - 前記圧電層は、複数の前記領域は、互いに離隔している
請求項３又は請求項４に記載の圧電センサ。 - 応力付与層と、
前記応力付与層に積層され、光学活性高分子を含む高分子圧電材料により形成された圧電層と、
を備える圧電センサの製造方法であって、
前記応力付与層に複数の応力付与溝を形成する応力付与溝形成工程と、
前記応力付与層の前記応力付与溝に接するように、塗布、蒸着、又は重合により前記圧電層を形成する圧電層形成工程と、を含む圧電センサの製造方法。 - 前記応力付与層は、電極層であり、
前記圧電センサは、前記応力付与層に対し前記圧電層の反対側に配置されるテンプレート層を備え、
前記テンプレート層を形成するテンプレート層形成工程と、
前記テンプレート層をラビング処理し、第１次溝を形成する第１次溝形成工程と、
前記テンプレート層に前記電極層を形成しつつ、前記電極層に前記第１次溝に対応して窪む第２次溝を形成する第２次溝形成工程と、
を含み、
前記第２次溝は前記応力付与溝であり、前記第２次溝形成工程は応力付与溝形成工程である
請求項６に記載の圧電センサの製造方法。 - 前記圧電センサは、前記応力付与層に対し前記圧電層の反対側に配置される電極層を備え、
前記電極層にテンプレート層を形成するテンプレート形成工程と、
前記テンプレート層をラビング処理し、第１次溝を形成する第１次溝形成工程と、
を含み、
前記第１次溝は前記応力付与溝であり、前記第１次溝形成工程は応力付与溝形成工程である
請求項６に記載の圧電センサの製造方法。 - 前記応力付与層は、電極層であり、
前記電極層を形成する電極層形成工程と、
前記電極層に第１次溝を形成する第１次溝形成工程を含み、
前記第１次溝は前記応力付与溝であり、前記第１次溝形成工程は応力付与溝形成工程である
請求項６に記載の圧電センサの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019167727A JP7336327B2 (ja) | 2019-09-13 | 2019-09-13 | 圧電センサ及び圧電センサの製造方法 |
| PCT/JP2020/028309 WO2021049180A1 (ja) | 2019-09-13 | 2020-07-21 | 圧電センサ及び圧電センサの製造方法 |
| US17/690,301 US20220196489A1 (en) | 2019-09-13 | 2022-03-09 | Piezoelectric sensor and manufacturing method of piezoelectric sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019167727A JP7336327B2 (ja) | 2019-09-13 | 2019-09-13 | 圧電センサ及び圧電センサの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021043171A JP2021043171A (ja) | 2021-03-18 |
| JP2021043171A5 JP2021043171A5 (ja) | 2022-09-01 |
| JP7336327B2 true JP7336327B2 (ja) | 2023-08-31 |
Family
ID=74862254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019167727A Active JP7336327B2 (ja) | 2019-09-13 | 2019-09-13 | 圧電センサ及び圧電センサの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220196489A1 (ja) |
| JP (1) | JP7336327B2 (ja) |
| WO (1) | WO2021049180A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023276955A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 株式会社村田製作所 | 曲げセンサ |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346717A (ja) | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電センサと圧電センサ荷重検出装置および挟み込み防止装置 |
| JP2015118032A (ja) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社村田製作所 | 圧電センサの検査方法 |
| JP2015186910A (ja) | 2014-10-20 | 2015-10-29 | 三井化学株式会社 | 積層体 |
| WO2016002604A1 (ja) | 2014-07-02 | 2016-01-07 | 三井化学株式会社 | 高分子圧電材料、積層体、高分子圧電材料の製造方法および積層体の製造方法 |
| US20170179370A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-22 | University-Industry Cooperation Group Of Kyung Hee University | Piezoelectric material comprising poly(d-lactic acid)/poly(l-lactic acid) stereocomplex crystals |
| JP2017120850A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 味の素株式会社 | ｄ１４圧電定数を有する圧電フィルムおよびその製造方法 |
| JP2018207092A (ja) | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | バスタブ型筐体に用いるセンサ及び電子機器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002169164A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Canon Inc | 液晶配向膜および液晶表示素子 |
| US8082641B2 (en) * | 2007-06-01 | 2011-12-27 | Xerox Corporation | Method of manufacturing a ductile polymer-piezoelectric material composite |
| JPWO2015041195A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | 押圧センサ |
| JP7069335B2 (ja) * | 2018-09-19 | 2022-05-17 | 三井化学株式会社 | 人体検出装置、ベッド装置及び人体検出システム |
-
2019
- 2019-09-13 JP JP2019167727A patent/JP7336327B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-21 WO PCT/JP2020/028309 patent/WO2021049180A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-03-09 US US17/690,301 patent/US20220196489A1/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346717A (ja) | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電センサと圧電センサ荷重検出装置および挟み込み防止装置 |
| JP2015118032A (ja) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社村田製作所 | 圧電センサの検査方法 |
| WO2016002604A1 (ja) | 2014-07-02 | 2016-01-07 | 三井化学株式会社 | 高分子圧電材料、積層体、高分子圧電材料の製造方法および積層体の製造方法 |
| JP2015186910A (ja) | 2014-10-20 | 2015-10-29 | 三井化学株式会社 | 積層体 |
| US20170179370A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-22 | University-Industry Cooperation Group Of Kyung Hee University | Piezoelectric material comprising poly(d-lactic acid)/poly(l-lactic acid) stereocomplex crystals |
| JP2017120850A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 味の素株式会社 | ｄ１４圧電定数を有する圧電フィルムおよびその製造方法 |
| JP2018207092A (ja) | 2017-05-31 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | バスタブ型筐体に用いるセンサ及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021049180A1 (ja) | 2021-03-18 |
| JP2021043171A (ja) | 2021-03-18 |
| US20220196489A1 (en) | 2022-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6065950B2 (ja) | タッチセンサ | |
| KR101374546B1 (ko) | 가요성 터치 스크린 디스플레이 | |
| US20100118243A1 (en) | Polymeric conductive donor and transfer method | |
| US9575608B2 (en) | Touch panel | |
| US20060088698A1 (en) | Polymeric conductor donor and transfer method | |
| US7414313B2 (en) | Polymeric conductor donor and transfer method | |
| JP5679366B2 (ja) | 圧力検出表示装置および電子機器 | |
| US20230175911A1 (en) | Pressure sensor, manufacturing method thereof, and display device having the same | |
| CN105190224B (zh) | 位移传感器、按压量检测传感器以及触摸式输入装置 | |
| US10013106B2 (en) | Input terminal | |
| KR20140008440A (ko) | 가요성 터치 스크린 디스플레이 | |
| WO2007094757A2 (en) | Adhesive transfer method of carbon nanotube layer | |
| US20080042996A1 (en) | Touch panel with a transparent electrically conductive polymer film and manufacturing process | |
| JP5139365B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP7336327B2 (ja) | 圧電センサ及び圧電センサの製造方法 | |
| TWI622910B (zh) | 觸控面板 | |
| US10290686B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| KR20160071743A (ko) | 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법 | |
| US10503337B2 (en) | Touch display device | |
| Kim et al. | Improvement in mechanical durability of stretchable charge-trap memory transistors with engineered wavy-dimensional structures | |
| JP7238546B2 (ja) | 圧電体積層シートおよび圧電体積層シートの製造方法、圧電センサーおよび圧電センサーの製造方法 | |
| JP5262966B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| Le Scornec et al. | Large Curvature Sensors Based on Flexoelectric Effect in PEDOT: PSS Polymer Films | |
| CN107870486B (zh) | 柔性功能性膜及其制造方法 | |
| JP2008265083A (ja) | 印刷版及び印刷方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220824 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230613 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230718 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230801 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230821 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7336327 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |