JP7336258B2 - Printed wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a printed wiring board having plated bumps and a manufacturing method thereof.

特許文献1は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。 Patent Literature 1 discloses bump formation using a plating method.

特開2010-129996号公報JP 2010-129996 A

しかしながら、図4に示すように、ソルダーレジスト層16’に形成された大きさの異なる開口16a’、16b’内の導体パッド14a’、14b’上にベースめっき層24’、30’を形成し、該ベースめっき層24’、30’上に、中間層26’、31’を介して、トップめっき層28’、32’を形成して大きさの異なるバンプ20’、22’を形成した場合、中間層26’とトップめっき層28’との間に、および、中間層31’とトップめっき層32’との間に、クラックが発生することがあった。 However, as shown in FIG. 4, base plating layers 24' and 30' are formed on conductor pads 14a' and 14b' in openings 16a' and 16b' of different sizes formed in solder resist layer 16'. When bumps 20' and 22' having different sizes are formed by forming top plating layers 28' and 32' on the base plating layers 24' and 30' via intermediate layers 26' and 31'. , between the intermediate layer 26' and the top plating layer 28', and between the intermediate layer 31' and the top plating layer 32'.

本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、前記第2の導体パッド上に形成され、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層と、該第1のベースめっき層上に、第1の中間層を介して形成された略半球状の第1のトップめっき層とを有し、前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層と、該第2のベースめっき層上に、第2の中間層を介して形成された略半球状の第2のトップめっき層とを有し、少なくとも前記第2のバンプにおいて、第2のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第2の中間層の側面が、第2のトップめっき層で被覆されている。 A printed wiring board according to the present invention comprises a base insulating layer, a conductor layer formed on the base insulating layer, a base insulating layer formed on the base insulating layer and the conductor layer, and a portion of the conductor layer formed on the base insulating layer and the conductor layer. A solder resist layer having a first opening that exposes a first conductor pad and a second opening that is smaller in diameter than the first opening and exposes another part of the conductor layer as a second conductor pad. a first bump formed on the first conductor pad; and a second bump formed on the second conductor pad and having a smaller diameter than the first bump; One bump includes a first base plating layer formed in the first opening, and a substantially hemispherical first base plating layer formed on the first base plating layer with a first intermediate layer interposed therebetween. and a top plated layer of, the second bump includes a second base plated layer formed in the second opening, and a second intermediate layer on the second base plated layer. and a substantially hemispherical second top plating layer formed through, at least in the second bump, the side surface exposed from the solder resist layer of the second base plating layer and the side surface of the second intermediate layer is covered with a second top plating layer.

また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に、第1の中間層を介して、第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローして、略半球状の第1のトップめっき層を形成することと、を含み、前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に、第2の中間層を介して、第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローして、略半球状の第2のトップめっき層を形成することと、少なくとも第2のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第2の中間層の側面を、第2のトップめっき層で被覆することと、を含む。 Further, a method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention comprises forming an insulating base layer, forming a conductor layer on the insulating base layer, and forming a solder resist on the insulating base layer and on the conductor layer. forming a layer; forming a first opening in the solder resist layer to expose a portion of the conductor layer as a first conductor pad; forming a second opening having a smaller diameter to expose another part of the conductor layer as a second conductor pad; forming a first bump on the first conductor pad; forming a second bump having a smaller diameter than the first bump on a second contact pad, wherein forming the first bump includes a first bump within the first opening. forming a base plating layer, forming a first top plating layer on the first base plating layer via a first intermediate layer, and reflowing the first top plating layer and forming a substantially hemispherical first top plating layer in the second opening, wherein forming the second bump includes forming a second base plating layer in the second opening. forming a second top plating layer on the second base plating layer via a second intermediate layer; reflowing the second top plating layer to form a substantially hemispherical second plating layer; forming a top plating layer; and covering at least the side surface of the second base plating layer exposed from the solder resist layer and the side surface of the second intermediate layer with the second top plating layer.

本発明の一実施形態のプリント配線板を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a printed wiring board according to one embodiment of the present invention; FIG. 本発明の他の実施形態のプリント配線板を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a printed wiring board according to another embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is a sectional view showing a manufacturing method of a printed wired board of one embodiment of the present invention. 従来技術に従うプリント配線板において、クラックが発生する様子を説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining how cracks occur in a conventional printed wiring board;

<本発明のプリント配線板について>
本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。図1および図2には、実施形態の製造方法により作製されたプリント配線板10の一部が拡大して示されている。プリント配線板10は、コア基板(図示せず)の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体(図示せず)を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板10は、コア基板の代わりに支持板(図示せず)上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板10は、図1に示すように、少なくとも1層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層12と、基部絶縁層12上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層14と、基部絶縁層12および導体層14上に形成されたソルダーレジスト層16とを備えている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板10は、1層の基部絶縁層12と1層の導体層14とからなるものでもよい。
<About the printed wiring board of the present invention>
One embodiment of the printed wiring board of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show an enlarged view of a part of printed wiring board 10 manufactured by the manufacturing method of the embodiment. Printed wiring board 10 may be a substrate with a core formed by alternately laminating conductor layers and resin insulation layers having predetermined circuit patterns on one or both sides of a core substrate (not shown). When conductor layers are formed on both sides of the core substrate, the conductor layers facing each other via the core substrate may be connected via through-hole conductors (not shown). Alternatively, printed wiring board 10 may be a coreless substrate obtained by alternately laminating conductor layers and resin insulating layers on a support plate (not shown) instead of the core substrate, and then removing the support plate. . In any case, as shown in FIG. 1, the printed wiring board 10 includes a base insulating layer 12 which is the outermost layer of at least one resin insulating layer, and a base insulating layer 12 formed on the base insulating layer 12. , a conductor layer 14 having a predetermined circuit pattern, and a solder resist layer 16 formed on the base insulating layer 12 and the conductor layer 14 . In many cases, a plurality of other conductor layers and resin insulation layers are alternately provided under the base insulation layer 12, but they are omitted in the drawing. However, the printed wiring board 10 may consist of one layer of the base insulating layer 12 and one layer of the conductor layer 14 .

基部絶縁層12は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層14は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。 The base insulating layer 12 can be made of, for example, a resin composition containing an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin. The conductor layer 14 is made of a conductive metal such as a metal containing copper as a main component.

ソルダーレジスト層16は、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、第1の開口16aよりも径が小さく導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとを有している。第1の開口16aのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は0.5以下とすることができる。第2の開口16bのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比0.6以上とすることができる。 The solder resist layer 16 includes first openings 16a that expose portions of the conductor layer 14 as first conductor pads 14a, and second openings 16a that are smaller in diameter than the first openings 16a and expose other portions of the conductor layer 14 as second openings 14a. and a second opening 16b exposed as a second contact pad 14b. The aspect ratio of the first opening 16a, ie, the ratio of the depth to the diameter of the bottom, can be 0.5 or less. The aspect ratio of the second opening 16b, that is, the ratio of the depth to the diameter of the bottom can be 0.6 or more.

第1および第2の導体パッド14a、14b上には下地層18がそれぞれ形成されていてよい。下地層18としては、第1および第2の導体パッド14a、14bの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。下地層18は形成しなくてもよい。 Underlayers 18 may be formed on the first and second conductor pads 14a, 14b, respectively. Examples of the underlying layer 18 include a nickel layer formed on the surfaces of the first and second conductor pads 14a and 14b, a palladium layer formed on the nickel layer, and a gold layer formed on the palladium layer. can be done. In addition, a nickel layer and a gold layer formed on the nickel layer can be exemplified. The underlying layer 18 may not be formed.

プリント配線板10はさらに、第1の導体パッド14a上に下地層18を介して形成された第1のバンプ20と、第2の導体パッド14b上に下地層18を介して形成され、第1のバンプ20よりも小径の第2のバンプ22とを備えている。下地層18を形成しない場合、第1および第2のバンプ20、22は第1および第2の導体パッド14a、14b上に直接形成することができる。第1のバンプ20は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第1のバンプ20よりも径の小さい第2のバンプ22は信号線との接続に用いることができる。 The printed wiring board 10 further includes a first bump 20 formed on the first conductor pad 14a through the underlying layer 18 and a first bump 20 formed on the second conductor pad 14b through the underlying layer 18 to form the first bump 20 on the second conductor pad 14b. and a second bump 22 having a smaller diameter than the bump 20 of the first. If the underlying layer 18 is not formed, the first and second bumps 20, 22 can be formed directly on the first and second contact pads 14a, 14b. The first bump 20 can be used for connection to a power supply or ground line. A second bump 22 having a diameter smaller than that of the first bump 20 can be used for connection with a signal line.

第1のバンプ20は、第1の開口16a内に形成された第1のベースめっき層24と、第1のベースめっき層24上に例えばニッケルを主成分とする第1の中間層26aを介して形成された略半球状の第1のトップめっき層28とを有する。第1の中間層26aの厚みは7μm以下とすることが好ましい。 The first bump 20 includes a first base plating layer 24 formed in the first opening 16a, and a first intermediate layer 26a containing, for example, nickel as a main component on the first base plating layer 24. and a first top plated layer 28 having a substantially hemispherical shape. The thickness of the first intermediate layer 26a is preferably 7 μm or less.

第1のベースめっき層24は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第1のベースめっき層24はソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を超える高さまで形成する。これにより第1のバンプ20が第1の開口16a内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面からの第1のベースめっき層24の厚みB1は3μm~20μmの範囲内とすることが好ましい。 The first base plating layer 24 is made of a conductive metal, preferably a copper-based metal. The first base plating layer 24 is formed up to a height exceeding the surface of the solder resist layer 16 (the surface opposite to the base insulating layer 12). Thereby, the first bump 20 is stably held in the first opening 16a. The thickness B1 of the first base plating layer 24 from the surface of the solder resist layer 16 is preferably within the range of 3 μm to 20 μm.

第1のトップめっき層28は、第1のベースめっき層24よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図1および図2に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1のトップめっき層28の厚み(第1のバンプ20の外周面において第1のトップめっき層28の下端から第1のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離)A1は5μm~45μmの範囲とすることが好ましい。第1のトップめっき層28の厚みA1をこの範囲とすることで、第1のバンプ20と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。 The first top plating layer 28 has a melting point lower than that of the first base plating layer 24 and is mainly composed of a metal such as tin that is melted by reflow processing and shaped into a substantially hemispherical shape as shown in FIGS. made of a metal that The thickness of the first top plating layer 28 (vertical distance from the lower end of the first top plating layer 28 to the top of the first top plating layer on the outer peripheral surface of the first bump 20) A1 is 5 μm to 45 μm. A range is preferred. By setting the thickness A1 of the first top plating layer 28 within this range, the first bumps 20 and connection pads (not shown) of electronic components such as semiconductor chips and memories mounted on the printed wiring board 10 Good connection reliability can be obtained between

第2のバンプ22は、第2の開口16b内に形成された第2のベースめっき層30と、第2のベースめっき層30上に例えばニッケルを主成分とする第2の中間層26bを介して形成された略半球状の第2のトップめっき層32とを有する。第2の中間層26bの厚みは7μm以下とすることが好ましい。 The second bump 22 is formed on the second base plating layer 30 formed in the second opening 16b and on the second base plating layer 30 via the second intermediate layer 26b mainly composed of nickel, for example. and a second top plated layer 32 having a substantially hemispherical shape. The thickness of the second intermediate layer 26b is preferably 7 μm or less.

第2のベースめっき層30は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第2のベースめっき層30はソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第2のバンプ22が第2の開口16b内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面からの第2のベースめっき層30の厚みB2は3μm~20μmの範囲内とすることが好ましい。 The second base plating layer 30 is made of a conductive metal, preferably a copper-based metal. The second base plating layer 30 is preferably formed to a height exceeding the surface of the solder resist layer 16 (the surface opposite to the base insulating layer 12). Thereby, the second bump 22 is stably held in the second opening 16b. The thickness B2 of the second base plating layer 30 from the surface of the solder resist layer 16 is preferably within the range of 3 μm to 20 μm.

第2のトップめっき層32は、第2のベースめっき層30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図1および図2に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第2のトップめっき層32の厚み(第2のバンプ22の外周面において第2のトップめっき層32の下端から第2のトップめっき層32の頂部までの垂直方向の距離)A2は5μm~45μmの範囲とすることが好ましい。第2のトップめっき層32の厚みA2をこの範囲とすることで、第2のバンプ22と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。 The second top plating layer 32 has a melting point lower than that of the second base plating layer 30 and is mainly composed of a metal such as tin that is melted by reflow processing and shaped into a substantially hemispherical shape as shown in FIGS. made of a metal that The thickness of the second top plating layer 32 (the vertical distance from the lower end of the second top plating layer 32 to the top of the second top plating layer 32 on the outer peripheral surface of the second bump 22) A2 is 5 μm to 45 μm is preferably in the range of By setting the thickness A2 of the second top plating layer 32 within this range, the second bumps 22 and connection pads (not shown) of electronic components such as semiconductor chips and memories mounted on the printed wiring board 10 Good connection reliability can be obtained between

図1に示す本発明に係るプリント配線板では、少なくとも第2のベースめっき層30のソルダーレジスト層16から露出する側面および第2の中間層26bの側面が、第2のトップめっき層32で被覆されている。この構成により、第2の中間層26bと第2のトップめっき層32との間の箇所は第2のトップめっき層32で被覆される。そのため、第2の中間層26bと第2のトップめっき層32との間の箇所にクラックは発生しにくくなる。 In the printed wiring board according to the present invention shown in FIG. 1, at least the side surface of the second base plating layer 30 exposed from the solder resist layer 16 and the side surface of the second intermediate layer 26b are covered with the second top plating layer 32. It is With this configuration, the portion between the second intermediate layer 26 b and the second top plating layer 32 is covered with the second top plating layer 32 . Therefore, cracks are less likely to occur in the portion between the second intermediate layer 26b and the second top plated layer 32 .

図2に示す本発明に係るプリント配線板では、第1のベースめっき層24のソルダーレジスト層16から露出する側面および第1の中間層26aの側面が、第1のトップめっき層28で被覆され、第2のベースめっき層30のソルダーレジスト層16から露出する側面および第2の中間層26bの側面が、第2のトップめっき層32で被覆されている。この構成により、第1の中間層26aと第1のトップめっき層28との間の箇所は第1のトップめっき層28で被覆され、第2の中間層26bと第2のトップめっき層32との間の箇所は第2のトップめっき層32で被覆される。そのため、これらの箇所にクラックは発生しにくくなる。 In the printed wiring board according to the present invention shown in FIG. 2, the side surface of the first base plating layer 24 exposed from the solder resist layer 16 and the side surface of the first intermediate layer 26a are covered with the first top plating layer 28. , the side surface of the second base plating layer 30 exposed from the solder resist layer 16 and the side surface of the second intermediate layer 26b are covered with the second top plating layer 32. As shown in FIG. With this configuration, the portion between the first intermediate layer 26a and the first top plating layer 28 is covered with the first top plating layer 28, and the second intermediate layer 26b and the second top plating layer 32 are covered with the first top plating layer 28. are covered with a second top plating layer 32 . Therefore, cracks are less likely to occur at these locations.

なお、上記側面は、第1のベースめっき層24とソルダーレジスト層16との間の箇所、および、第2のベースめっき層30とソルダーレジスト層16との間の箇所、も含む概念である。そのため、第1のトップめっき層28が第1のベースめっき層24とソルダーレジスト層16との間の隙間に入り込むとともに、第2のトップめっき層32が第2のベースめっき層30とソルダーレジスト層16との間の隙間に入り込む場合もある。 The above-mentioned side surface is a concept including a portion between the first base plating layer 24 and the solder-resist layer 16 and a portion between the second base plating layer 30 and the solder-resist layer 16 . Therefore, the first top plating layer 28 enters the gap between the first base plating layer 24 and the solder-resist layer 16, and the second top plating layer 32 separates the second base plating layer 30 and the solder-resist layer. 16 in some cases.

<本発明のプリント配線板の製造方法について>
以下、本発明に係る図1に示すプリント配線板10の製造方法を、図3A~図3Hを参照して説明する。
<About the method for manufacturing the printed wiring board of the present invention>
A method of manufacturing the printed wiring board 10 shown in FIG. 1 according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 3A to 3H.

図3Aには、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に所定の回路パターンを有する導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が示されている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板10は、基部絶縁層12としての1層の樹脂絶縁層と1層の導体層14とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層12に相当する。基部絶縁層12には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層16には、例えば炭酸ガスレーザまたはUV-YAGレーザ等により、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bが形成される。第1の開口16aのアスペクト比は0.5以下とし、第2の開口16bのアスペクト比は0.6以上とするのが好ましい。第1および第2の導体パッド14a、14b上には、めっきにより例えばニッケル層、パラジウム層、金層がこの順に積層されて下地層18が形成される。下地層18は形成しなくてもよい。 FIG. 3A shows an intermediate body in which a conductor layer 14 having a predetermined circuit pattern and a solder resist layer 16 are formed on a base insulating layer 12 using a known method. In many cases, a plurality of other conductor layers and resin insulation layers are alternately formed under the base insulation layer 12, but they are omitted in the drawing. A plurality of conductor layers and resin insulation layers can be laminated on a core substrate or a support plate that can be removed later. However, printed wiring board 10 may be composed of one resin insulation layer as base insulation layer 12 and one conductor layer 14 , in which case this resin insulation layer corresponds to base insulation layer 12 . A build-up insulating resin film containing an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin can be used for the base insulating layer 12 . The solder resist layer 16 is formed with first openings 16a for exposing part of the conductor layer 14 as first conductor pads 14a and other parts of the conductor layer 14 by, for example, a carbon dioxide laser or UV-YAG laser. A second opening 16b is formed exposing two contact pads 14b. Preferably, the aspect ratio of the first opening 16a is 0.5 or less, and the aspect ratio of the second opening 16b is 0.6 or more. A base layer 18 is formed on the first and second conductor pads 14a, 14b by plating, for example, a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer in this order. The underlying layer 18 may not be formed.

図3Bに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a、16bの側面)上と、下地層18上(下地層18が形成されない場合には導体パッド14a、14b上)にシード層34が形成される。 As shown in FIG. 3B, for example, electroless plating such as electroless copper plating is performed, and the surface of the intermediate (the surface of the solder resist layer 16 and the side surfaces of the first and second openings 16a and 16b) is A seed layer 34 is formed on top and on the underlayer 18 (on the contact pads 14a, 14b if the underlayer 18 is not formed).

図3Cに示されるように、シード層34上に、第1および第2のバンプ20、22(図1)の形成予定部位に開口36aを有する所定パターンのめっきレジスト36が形成される。 As shown in FIG. 3C, a plating resist 36 is formed on the seed layer 34 in a predetermined pattern having openings 36a at the positions where the first and second bumps 20 and 22 (FIG. 1) are to be formed.

図3Dに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層34上の、めっきレジスト36から露出する部分に、例えば銅を主成分とする第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30が形成される。 As shown in FIG. 3D, an electroplating process is performed to form a first base plating layer 24 and a second base plating layer 24 mainly composed of copper, for example, on the seed layer 34 exposed from the plating resist 36 . A layer 30 is formed.

また、第1および第2のベースめっき層24、30を形成する際には、ソルダーレジスト層16の表面からの第1のベースめっき層24の厚みおよび第2のベースめっき層30の厚みが3μm~20μmの範囲内となるよう、第1および第2のベースめっき層24、30のめっき厚を調整するのが好ましい。 Further, when forming the first and second base plating layers 24 and 30, the thickness of the first base plating layer 24 and the thickness of the second base plating layer 30 from the surface of the solder resist layer 16 are 3 μm. It is preferable to adjust the plating thickness of the first and second base plating layers 24, 30 so as to be within the range of 20 μm.

図3Eに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、第1および第2のベースめっき層24、30上に例えばニッケルを主成分とする第1および第2の中間層26a、26bが形成される。第1および第2の中間層26a、26bの厚みは好ましくは7μm以下とする。 As shown in FIG. 3E, for example, electroplating is performed to form first and second intermediate layers 26a, 26b containing, for example, nickel as a main component on the first and second base plating layers 24, 30. be done. The thickness of the first and second intermediate layers 26a, 26b is preferably 7 μm or less.

図3Fに示されるように、電解めっき処理が行われ、第1および第2のベースめっき層24、30上に第1および第2の中間層26a、26bを介在して第1および第2のトップめっき層28、32が形成される。第1および第2のトップめっき層28、32は、第1および第2のベースめっき層24、30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1および第2のトップめっき層28、32の厚みは5μm~45μmの範囲とすることが好ましい。 As shown in FIG. 3F, an electrolytic plating process is performed to form first and second base plating layers 24, 30 with first and second intermediate layers 26a, 26b interposed therebetween. Top plating layers 28 and 32 are formed. The first and second top plating layers 28, 32 are mainly made of a metal, such as tin, which has a melting point lower than that of the first and second base plating layers 24, 30 and can be melted and formed into a substantially hemispherical shape by reflow processing. Consists of metal as a component. The thickness of the first and second top plating layers 28, 32 is preferably in the range of 5 μm to 45 μm.

図3Gに示されるように、めっきレジスト36が剥離される。また、めっきレジスト36の除去により露出したシード層34の部分がエッチングにより除去される。 As shown in FIG. 3G, the plating resist 36 is stripped. Also, the portion of the seed layer 34 exposed by removing the plating resist 36 is removed by etching.

図3Hに示されるように、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形される。リフロー処理により、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から銅層、銅/ニッケル合金層、ニッケル層、ニッケル/スズ合金層、スズ層からなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。また、リフロー処理により、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形されると同時に、第2のベースめっき層30のソルダーレジスト層16から露出する側面および第2の中間層26bの側面が、第2のトップめっき層32で被覆される(図1の例、図3Hでは図示せず)、または、第1のベースめっき層24のソルダーレジスト層16から露出する側面および第1の中間層26aの側面が、第1のトップめっき層28で被覆され、第2のベースめっき層30のソルダーレジスト層16から露出する側面および第2の中間層26bの側面が、第2のトップめっき層32で被覆される(図2の例:図3Hで図示)。 As shown in FIG. 3H, a reflow process is performed to shape the first top plating layer 28 and the second top plating layer 32 into substantially hemispherical shapes. A first bump 20 and a second bump 20 made of a copper layer, a copper/nickel alloy layer, a nickel layer, a nickel/tin alloy layer and a tin layer are formed by reflow treatment from the side closer to the first and second conductor pads 14a and 14b. A bump 22 is formed. In addition, the reflow treatment shapes the first top plating layer 28 and the second top plating layer 32 into a substantially hemispherical shape, and at the same time, the side surfaces of the second base plating layer 30 exposed from the solder-resist layer 16 and the second top plating layer 32 are reflowed. The sides of the second intermediate layer 26b are covered with a second top plating layer 32 (example of FIG. 1, not shown in FIG. 3H) or exposed from the solder resist layer 16 of the first base plating layer 24. The side surface and the side surface of the first intermediate layer 26a are covered with the first top plating layer 28, and the side surface of the second base plating layer 30 exposed from the solder resist layer 16 and the side surface of the second intermediate layer 26b are , is coated with a second top plated layer 32 (example of FIG. 2; illustrated in FIG. 3H).

上述した実施形態では、第1のバンプと第1のバンプよりも小径の第2のバンプとを有するプリント配線板において、第2のバンプのみにトップめっき層の側面被覆を行い、または、第1のバンプおよび第2のバンプの両者にトップめっき層の側面被覆を行っている。しかし、本発明は、2種の径のバンプが存在する場合だけでなく、単独の径のバンプあるいは2種以上の径のバンプを有するプリント配線板についても適用できる。 In the above-described embodiment, in the printed wiring board having the first bumps and the second bumps smaller in diameter than the first bumps, only the second bumps are covered with the top plating layer on the side surfaces, or the first bumps are covered with the top plating layer. Both the first bump and the second bump are side-coated with a top plating layer. However, the present invention can be applied not only to the case where there are bumps of two diameters, but also to printed wiring boards having bumps of a single diameter or bumps of two or more diameters.

10 プリント配線板
12 基部絶縁層
14 導体層
14a 第1の導体パッド
14b 第2の導体パッド
16 ソルダーレジスト層
16a 第1の開口
16b 第2の開口
18 下地層
20 第1のバンプ
22 第2のバンプ
24 第1のベースめっき層
26a 第1の中間層
26b 第2の中間層
28 第1のトップめっき層
30 第2のベースめっき層
32 第2のトップめっき層
34 シード層
36 めっきレジスト
REFERENCE SIGNS LIST 10 printed wiring board 12 base insulating layer 14 conductor layer 14a first conductor pad 14b second conductor pad 16 solder resist layer 16a first opening 16b second opening 18 foundation layer 20 first bump 22 second bump 24 first base plating layer 26a first intermediate layer 26b second intermediate layer 28 first top plating layer 30 second base plating layer 32 second top plating layer 34 seed layer 36 plating resist

Claims (16)

プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、
前記第2の導体パッド上に形成され、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、
を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層と、該第1のベースめっき層上に、第1の中間層を介して形成された略半球状の第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層と、該第2のベースめっき層上に、第2の中間層を介して形成された略半球状の第2のトップめっき層とを有し、
少なくとも前記第2のバンプにおいて、第2のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第2の中間層の側面が、第2のトップめっき層で被覆されており、
前記第1の開口のアスペクト比は0.5以下であり、前記第2の開口のアスペクト比は0.6以上である。
A printed wiring board,
a base insulating layer;
a conductor layer formed on the base insulating layer;
a first opening formed on the base insulating layer and the conductor layer and exposing a portion of the conductor layer as a first conductor pad; and the conductor layer having a smaller diameter than the first opening. A solder resist layer having a second opening that exposes another part of as a second contact pad;
a first bump formed on the first conductor pad;
a second bump formed on the second conductor pad and having a smaller diameter than the first bump;
with
The first bump includes a first base plating layer formed in the first opening, and a substantially hemispherical shape formed on the first base plating layer via a first intermediate layer. and a first top plating layer,
The second bump includes a second base plating layer formed in the second opening, and a substantially hemispherical shape formed on the second base plating layer via a second intermediate layer. and a second top plating layer,
In at least the second bump, a side surface of the second base plating layer exposed from the solder resist layer and a side surface of the second intermediate layer are covered with a second top plating layer,
The aspect ratio of the first opening is 0.5 or less, and the aspect ratio of the second opening is 0.6 or more .
請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のバンプにおいて、第1のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第1の中間層の側面が、第1のトップめっき層で被覆されている。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein in the first bump, the side surface exposed from the solder resist layer of the first base plating layer and the side surface of the first intermediate layer are the first top plating layer. is covered with 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層の厚みは、5μm~45μmである。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness of said first top plating layer and said second top plating layer is 5 μm to 45 μm. 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層および前記第2のベースめっき層は、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein said first base plating layer and said second base plating layer are each formed of a metal containing copper as a main component. 請求項1に記載のプリント配線板であって、第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the first top plating layer and the second top plating layer are each made of metal containing tin as a main component. 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間に、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる下地層をそれぞれ有する。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein said first base plating layer and said first conductor pad and between said second base plating layer and said first conductor pad . Each layer has a base layer consisting of a nickel layer, a palladium layer and a gold layer. 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1の中間層および前記第2の中間層の厚みは7μm以下である。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness of said first intermediate layer and said second intermediate layer is 7 [mu]m or less. 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1および第2のベースめっき層は前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成され、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第1のベースめっき層の厚みおよび前記第2のベースめっき層の厚みはそれぞれ3μm~20μmの範囲内にある。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the first and second base plating layers are formed to a height exceeding the surface of the solder-resist layer, and the first base plating layer extends from the surface of the solder-resist layer. The thickness of the plating layer and the thickness of the second base plating layer are each in the range of 3 μm to 20 μm. プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、
前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、
前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に、第1の中間層を介して、第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローして、略半球状の第1のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に、第2の中間層を介して、第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローして、略半球状の第2のトップめっき層を形成することと、少なくとも第2のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第2の中間層の側面を、第2のトップめっき層で被覆することと、
前記第1の開口のアスペクト比は0.5以下であり、前記第2の開口のアスペクト比は0.6以上であることと、を含む。
A method for manufacturing a printed wiring board,
forming a base insulating layer;
forming a conductor layer on the base insulating layer;
forming a solder resist layer on the base insulating layer and the conductor layer;
forming a first opening in the solder resist layer to expose a portion of the conductor layer as a first conductor pad;
forming in the solder resist layer a second opening having a diameter smaller than that of the first opening and exposing another part of the conductor layer as a second conductor pad;
forming a first bump on the first contact pad;
forming a second bump having a smaller diameter than the first bump on the second contact pad;
Forming the first bump includes: forming a first base plating layer in the first opening; forming a first base plating layer on the first base plating layer via a first intermediate layer; forming one top plating layer; and reflowing the first top plating layer to form a substantially hemispherical first top plating layer;
Forming the second bump includes forming a second base plating layer in the second opening, and forming a second base plating layer on the second base plating layer via a second intermediate layer. forming a second top plating layer; reflowing the second top plating layer to form a substantially hemispherical second top plating layer; covering the exposed side surface and the side surface of the second intermediate layer with a second top plating layer;
The aspect ratio of the first opening is 0.5 or less, and the aspect ratio of the second opening is 0.6 or more.
請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層のソルダーレジスト層から露出する側面および第1の中間層の側面を、第1のトップめっき層で被覆する。 10. The printed wiring board manufacturing method according to claim 9 , wherein the side surface of the first base plating layer exposed from the solder resist layer and the side surface of the first intermediate layer are covered with a first top plating layer. . 請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層の厚みを5μm~45μmの範囲内とする。 10. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 9 , wherein the thickness of said first top plating layer and said second top plating layer is within the range of 5 μm to 45 μm. 請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層および前記第2のベースめっき層を、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成する。 10. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 9 , wherein said first base plating layer and said second base plating layer are each formed of a metal containing copper as a main component. 請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層を、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成する。 10. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 9 , wherein the first top plating layer and the second top plating layer are each formed from a metal containing tin as a main component. 請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間に、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる下地層をそれぞれ形成することをさらに含む。 10. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 9 , wherein: between said first base plating layer and said first conductor pad, and between said second base plating layer and said first conductor pad . forming underlayers each comprising a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer, respectively . 請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の中間層および前記第2の中間層の厚みを7μm以下とする。 10. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 9 , wherein the thickness of said first intermediate layer and said second intermediate layer is 7 [mu]m or less. 請求項に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1および第2のベースめっき層を前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成し、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第1のベースめっき層の厚みおよび前記第2のベースめっき層の厚みをそれぞれ3μm~20μmの範囲内とする。
10. The printed wiring board manufacturing method according to claim 9 , wherein the first and second base plating layers are formed to a height exceeding the surface of the solder-resist layer, and the first base plating layer extends from the surface of the solder-resist layer. The thickness of the first base plating layer and the thickness of the second base plating layer are each within the range of 3 μm to 20 μm.
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