JP2020136652A - Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板の製造方法およびプリント配線板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board having plated bumps and a printed wiring board.
特許文献1は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。 Patent Document 1 discloses bump formation using a plating method.
しかしながら、図8に示すように、ソルダーレジスト層16’に形成された大きさの異なる開口16a’、16b’内の導体パッド14a’、14b’上にベースめっき層24’、30’を形成し、該ベースめっき層24’、30’上にトップめっき層28’、32’を形成して大きさの異なるバンプ20’、22’を形成した場合、トップめっき層28’、32’のリフロー後にバンプの高さが揃わない場合が考えうる。
However, as shown in FIG. 8, the base plating layers 24'and 30'are formed on the
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローすることと、を含み、前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に、前記第1のトップめっき層の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローすることと、を含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes forming a base insulating layer, forming a conductor layer on the base insulating layer, and forming a solder resist layer on the base insulating layer and the conductor layer. Forming, forming a first opening in the solder resist layer that exposes a part of the conductor layer as a first conductor pad, and forming the solder resist layer in a diameter larger than that of the first opening. To form a second opening that exposes another part of the conductor layer as a second conductor pad, to form a first bump on the first conductor pad, and to form the second bump. Forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the conductor pad of the above, and forming the first bump includes a first base in the first opening. The second bump includes forming a plating layer, forming a first top plating layer on the first base plating layer, and reflowing the first top plating layer. To form the second base plating layer in the second opening, and to form the second base plating layer on the second base plating layer and above the uppermost position of the upper surface of the first top plating layer. It includes forming a second top plating layer having an upper surface and reflowing the second top plating layer.
また、本発明に係るプリント配線板は、プリント配線板であって、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、前記第2の導体パッド上に形成され、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層と、該第1のベースめっき層上に形成された第1のトップめっき層とを有し、前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層と、該第2のベースめっき層上に形成された第2のトップめっき層とを有し、前記第1のバンプの最下位置が前記第2のバンプの最下位置よりも低く、前記第1のバンプの最上位置が前記第2のバンプの最上位置と略同一である。 Further, the printed wiring board according to the present invention is a printed wiring board, which is formed on a base insulating layer, a conductor layer formed on the base insulating layer, and on the base insulating layer and the conductor layer. In addition, a part of the conductor layer is exposed as a first conductor pad, and another part of the conductor layer having a diameter smaller than that of the first opening is exposed as a second conductor pad. A solder resist layer having a second opening, a first bump formed on the first conductor pad, and a second bump formed on the second conductor pad and having a diameter smaller than that of the first bump. The first bump comprises a first base plating layer formed in the first opening and a first top plating layer formed on the first base plating layer. The second bump comprises a second base plating layer formed in the second opening and a second top plating layer formed on the second base plating layer. The lowest position of the first bump is lower than the lowest position of the second bump, and the uppermost position of the first bump is substantially the same as the uppermost position of the second bump.
<本発明のプリント配線板の製造方法により作製されたプリント配線板について>
本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態が、図面を参照して説明される。図1には、実施形態の製造方法により作製されたプリント配線板10の一部が拡大して示されている。プリント配線板10は、コア基板(図示せず)の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体(図示せず)を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板10は、コア基板の代わりに支持板(図示せず)上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板10は、図1に示すように、少なくとも1層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層12と、基部絶縁層12上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層14と、基部絶縁層12および導体層14上に形成されたソルダーレジスト層16とを備えている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板10は、1層の基部絶縁層12と1層の導体層14とからなるものでもよい。
<About the printed wiring board manufactured by the method for manufacturing the printed wiring board of the present invention>
An embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a part of the printed
基部絶縁層12は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層14は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。
The
ソルダーレジスト層16は、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、第1の開口16aよりも径が小さく導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとを有している。第1の開口16aのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は0.5以下とすることができる。第2の開口16bのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比0.6以上とすることができる。
The
第1および第2の導体パッド14a、14b上には下地層18がそれぞれ形成されていてよい。下地層18としては、第1および第2の導体パッド14a、14bの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。下地層18は形成しなくてもよい。
The
プリント配線板10はさらに、第1の導体パッド14a上に下地層18を介して形成された第1のバンプ20と、第2の導体パッド14b上に下地層18を介して形成され、第1のバンプ20よりも小径の第2のバンプ22とを備えている。下地層18を形成しない場合、第1および第2のバンプ20、22は第1および第2の導体パッド14a、14b上に直接形成することができる。第1のバンプ20は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第1のバンプ20よりも径の小さい第2のバンプ22は信号線との接続に用いることができる。
The printed
第1のバンプ20は、第1の開口16a内に形成された第1のベースめっき層24と、第1のベースめっき層24上に例えばニッケルを主成分とする中間層26を介して形成された第1のトップめっき層28とを有する。中間層26の厚みは7μm以下とすることが好ましい。中間層26は形成しなくてもよい。中間層26を形成しない場合、第1のトップめっき層28は第1のベースめっき層24上に直接形成することができる。
The
第1のベースめっき層24は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第1のベースめっき層24はソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第1のバンプ20が第1の開口16a内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面からの第1のベースめっき層24の厚みB1は3μm〜20μmの範囲内とすることが好ましい。第1のベースめっき層24は上面中央部分に第1の窪み24aを有する。すなわち、第1のベースめっき層24の上面中央部分は上面外周部分よりも低い位置に形成されている。第1の窪み24aの深さD1、つまり第1のベースめっき層24の上面外周部分の最高位置から窪みの底位置までの距離は20μm以下である。第1の窪み24aの深さD1を小さくすることで、第1のベースめっき層24上に、場合によって中間層26を介在して、第1のトップめっき層28を形成する際に、第1の窪み24a内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第1のトップめっき層28へのボイドの発生は低減される。第1の窪み24aの深さD1は好ましくは15μm以下であり、より好ましくは10μm以下である。
The first
第1のトップめっき層28は、第1のベースめっき層24よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図1に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1のトップめっき層28の厚み(第1のバンプ20の外周面において第1のトップめっき層28の下端から第1のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離)A1は5μm〜45μmの範囲とすることが好ましい。第1のトップめっき層28の厚みA1をこの範囲とすることで、第1のバンプ20と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。
The first
第2のバンプ22は、第2の開口16b内に形成された第2のベースめっき層30と、第2のベースめっき層30上に例えばニッケルを主成分とする中間層26を介して形成された第2のトップめっき層32とを有する。中間層26の厚みは7μm以下とすることが好ましい。中間層26は形成しなくてもよい。中間層26を形成しない場合、第2のトップめっき層32は第2のベースめっき層30上に直接形成することができる。
The
第2のベースめっき層30は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第2のベースめっき層30はソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第2のバンプ22が第2の開口16b内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面からの第2のベースめっき層30の厚みB2は3μm〜20μmの範囲内とすることが好ましい。第2のベースめっき層30は上面中央部分に第2の窪み30aを有する。すなわち、第2のベースめっき層30の上面中央部分は上面外周部分よりも低い位置に形成されている。第2の窪み30aの深さD2、つまり第2のベースめっき層30の上面外周部分の最高位置から第2の窪み30aの底位置までの距離は第1の窪み24aの深さD1よりも小さい。第1のバンプ20よりも小径の第2のバンプ22において、第2の窪み30aの深さD2を第1の窪み24aの深さD1よりも小さくすることで、第2のベースめっき層30上に、場合によって中間層26を介在して、第2のトップめっき層32を形成する際に、第2の窪み30a内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第2のトップめっき層32へのボイドの発生は低減される。
The second
第2のトップめっき層32は、第2のベースめっき層30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図1に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第2のトップめっき層32の厚み(第2のバンプ22の外周面において第2のトップめっき層32の下端から第2のトップめっき層32の頂部までの垂直方向の距離)A2は5μm〜45μmの範囲とすることが好ましい。第2のトップめっき層32の厚みA2をこの範囲とすることで、第2のバンプ22と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。
The second
本発明に係るプリント配線板では、第1のバンプ20の最下位置が第2のバンプ22の最下位置よりも低く、第1のバンプ20の最上位置が第2のバンプ22の最上位置と略同一である。
In the printed wiring board according to the present invention, the lowest position of the
図2には、図1に示されたプリント配線板10の変形例が示されている。図1を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。この変形例に係るプリント配線板10では、第2のバンプ22の第2のベースめっき層30の上面が平坦に形成されている。その他の構成は、図1のプリント配線板10と同じである。なお、「平坦」とは第2のベースめっき層30の上面がプリント配線板10の主表面とほぼ平行になることを意味し、めっき処理により発生し得る微小な凹凸は存在していてもよい。第2のベースめっき層30の上面を平坦にすることで、第2のバンプ22におけるボイド発生率は、上面中央部分に第2の窪み30aを有する、図1に示した第2のバンプ22と比べて低減される。
FIG. 2 shows a modified example of the printed
図3には、図1に示されたプリント配線板10の変形例が示されている。図1を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。この変形例に係るプリント配線板10では、第2のバンプ22の第2のベースめっき層30の上面中央部分には隆起部30bが形成されている。つまり、第2のベースめっき層30の上面中央部分は上面外周部分よりも高い位置にある。その他の構成は、図1のプリント配線板10と同じである。第2のベースめっき層30の上面中央部分に隆起部30bを形成することで、第2のバンプ22におけるボイド発生率は、上面が平坦もしくは上面中央部分に第2の窪み30aを有する、図1および図2に示した第2のバンプ22と比べて低減される。
FIG. 3 shows a modified example of the printed
<本発明のプリント配線板の製造方法について>
以下、本発明に係る図1に示すプリント配線板10の製造方法を、図4A〜図4Hを参照して説明する。なお、図2〜3に示す変形例のプリント配線板10も同様の製造方法で製造される。
<About the manufacturing method of the printed wiring board of the present invention>
Hereinafter, a method for manufacturing the printed
図4Aには、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に所定の回路パターンを有する導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が示されている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板10は、基部絶縁層12としての1層の樹脂絶縁層と1層の導体層14とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層12に相当する。基部絶縁層12には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層16には、例えば炭酸ガスレーザまたはUV−YAGレーザ等により、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとが形成される。第1の開口16aのアスペクト比は0.5以下とし、第2の開口16bのアスペクト比は0.6以上とするのが好ましい。第1および第2の導体パッド14a、14b上には、めっきにより例えばニッケル層、パラジウム層、金層がこの順に積層されて下地層18が形成される。下地層18は形成しなくてもよい。
FIG. 4A shows an intermediate in which a
図4Bに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a、16bの側面)上と、下地層18上(下地層18が形成されない場合には導体パッド14a、14b上)にシード層34が形成される。
As shown in FIG. 4B, for example, an electroless plating treatment such as an electroless copper plating treatment is performed, and the surface of the intermediate body (the surface of the solder resist
図4Cに示されるように、シード層34上に、第1および第2のバンプ20、22(図1)の形成予定部位に開口36aを有する所定パターンのめっきレジスト36が形成される。
As shown in FIG. 4C, a plating resist 36 having a predetermined
図4Dに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層34上の、めっきレジスト36から露出する部分に、例えば銅を主成分とする第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30が形成される。このとき、図1〜図3に示したプリント配線板10を製造する場合には、上面中央部分に深さ20μm以下、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下の第1の窪み24aが形成されるように、第1のベースめっき層24のめっき厚を調整する。図2に示したプリント配線板10を製造する場合には、第2のベースめっき層30の上面が平坦となるように、第2のベースめっき層30の厚みを調整する。図3に示したプリント配線板10を製造する場合には、第2のベースめっき層30の上面中央部分に隆起部30bが形成されるように、第2のベースめっき層30のめっき厚を調整する。
As shown in FIG. 4D, the electrolytic plating treatment is performed, and the portion of the
また、第1および第2のベースめっき層24、30を形成する際には、ソルダーレジスト層16の表面からの第1のベースめっき層24の厚みおよび第2のベースめっき層30の厚みが3μm〜20μmの範囲内となるよう、第1および第2のベースめっき層24、30のめっき厚を調整するのが好ましい。
When forming the first and second
図4Eに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、第1および第2のベースめっき層24、30上に例えばニッケルを主成分とする中間層26が形成される。中間層26の厚みは好ましくは7μm以下とする。中間層26は形成しなくてもよい。
As shown in FIG. 4E, for example, an electrolytic plating treatment is performed, and an
図4Fに示されるように、電解めっき処理が行われ、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26を介在して第1および第2のトップめっき層28、32が形成される。第1および第2のトップめっき層28、32は、第1および第2のベースめっき層24、30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1および第2のトップめっき層28、32の厚みは5μm〜45μmの範囲とすることが好ましい。第1のベースめっき層24の上面が平坦に形成されるか、あるいは上面中央部分に深さD1が20μm以下の第1の窪み24aが形成されていることにより、第1のトップめっき層28を形成する際に、第1の窪み24a内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第1のトップめっき層28へのボイドの発生は低減される。また、第2のベースめっき層30の上面が平坦に形成されるか、上面中央部分に第1の窪み24aよりも浅い第2の窪み30aが形成されるか、あるいは上面中央部分に隆起部30bが形成されていることにより、第2のトップめっき層32を形成する際に、第2のベースめっき層30近傍でのガス溜まりは抑制される。これにより、第2のトップめっき層32へのボイドの発生は低減される。
As shown in FIG. 4F, the electrolytic plating treatment is performed to form the first and second
図4Fに示す工程において、第2のトップめっき層32の上面の最上位置を第1のトップめっき層28の上面の最上位置よりも上にする点に、本発明の特徴がある。このように第1のトップめっき層28の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層32を形成することで、次工程で第1のトップめっき層28と第2のトップめっき層32をリフロー処理することにより、図4Hに示すように、リフロー後の第1のトップめっき層28の上面の最上位置と第2のトップめっき層32の上面の最上位置とが同じ高さになる。その結果、同じバンプ高さの第1のバンプ20および第2のバンプ22を形成できる。
In the process shown in FIG. 4F, the feature of the present invention is that the uppermost position of the upper surface of the second
図4Gに示されるように、めっきレジスト36が剥離される。また、めっきレジスト36の除去により露出したシード層34の部分がエッチングにより除去される。
As shown in FIG. 4G, the plating resist 36 is peeled off. Further, the portion of the
図4Hに示されるように、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形される。リフロー処理により、中間層26が形成されている場合には、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から銅層、銅/ニッケル合金層、ニッケル層、ニッケル/スズ合金層、スズ層からなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。中間層26が形成されていない場合には、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から銅層、銅/スズ合金層、スズ層からなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。
As shown in FIG. 4H, a reflow process is performed to shape the first
本発明において、第1のトップめっき層28の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層32を形成し、リフロー後のバンプ高さを同じにするための制御に寄与する因子として、以下に示す因子が考えられる。主となる因子としては、第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30の厚み、中間層26の厚み、第1のバンプ20および第2のバンプ22のバンプ径、リフロー前の第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層30の厚み、および、リフロー前の第1の窪み24aおよび第2の窪み30aの深さ、が考えられる。一例として、図5(a)、(b)に、第2のベースめっき層30の厚さを第1のベースめっき層24の厚みよりも厚くして、第1のトップめっき層28の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層32を形成した例を示す。その他の因子を制御に使用した場合も同様に各因子の厚さ、径および深さを制御することで、本発明を達成することができる。
In the present invention, the second
図5(a)、(b)に示した、第2のベースめっき層30の厚さを第1のベースめっき層24の厚みより厚くした実施形態の製造工程について、図6(a)〜(g)および図7(a)〜(h)を参照して説明する。図6(a)〜(g)および図7(a)〜(h)に示す実施形態において、図4A〜図4Hの製造工程を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。
6 (a) to 6 (b) show the manufacturing process of the embodiment in which the thickness of the second
図6(a)〜(g)に示す実施形態では、まず、図6(a)に示されるように、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が準備される。ソルダーレジスト層16には、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出される第1の開口16aが形成される。次に、図6(b)に示されるように、第1の開口16aにより露出された第1の導体パッド14aをエッチングして、窪み41が形成される。
In the embodiments shown in FIGS. 6 (a) to 6 (g), first, as shown in FIG. 6 (a), the
次に、図6(c)に示されように、ソルダーレジスト層16には、導体層14の第1の導体パッド14aとは異なる他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bが形成される。
Next, as shown in FIG. 6 (c), the solder resist
次に、図6(d)に示されるように、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a、16bの側面、導体パッド14a(窪み41)、14b)上にシード層34が形成される。そして、シード層34上に、第1および第2のバンプ20、22(図1)の形成予定部位に開口36aを有する所定パターンのめっきレジスト36が形成される。次に、図6(e)に示されるように、シード層34上の、めっきレジスト36から露出する部分に、第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30が形成される。このとき、第1のベースめっき層24が形成される部分には窪み41が存在するため、第2のベースめっき層30の高さが第1のベースめっき層24の高さより高くなる。
Next, as shown in FIG. 6D, on the surface of the intermediate (the surface of the solder resist
次に、図6(f)に示されるように、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26が形成される。そして、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26を介在して第1および第2のトップめっき層28、32が形成される。次に、図6(g)に示されるように、めっきレジスト36が剥離される。また、めっきレジスト36の除去により露出したシード層34の部分がエッチングにより除去される。その後、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形される。
Next, as shown in FIG. 6 (f), the
図7(a)〜(h)に示す実施形態では、まず、図7(a)に示されるように、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が準備される。ソルダーレジスト層16には、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bと、が形成される。
In the embodiments shown in FIGS. 7 (a) to 7 (h), first, as shown in FIG. 7 (a), the
次に、図7(b)に示されるように、第2の開口16bをドライフィルムレジスト層42で塞ぎ、第2の開口16bを保護する。次に、図7(c)に示されるように、第1の開口16aにより露出された第1の導体パッド14aをエッチングして、窪み41が形成される。次に、図7(d)に示されるように、ドライフィルムレジスト層42を除去し、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a、16bの側面、導体パッド14a(窪み41)、14b)上にシード層34が形成される。
Next, as shown in FIG. 7B, the
次に、図7(e)に示されるように、シード層34上に、第1および第2のバンプ20、22(図1)の形成予定部位に開口36aを有する所定パターンのめっきレジスト36が形成される。次に、図7(f)に示されるように、シード層34上の、めっきレジスト36から露出する部分に、第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30が形成される。このとき、第1のベースめっき層24が形成される部分には窪み41が存在するため、第2のベースめっき層30の高さが第1のベースめっき層24の高さより高くなる。
Next, as shown in FIG. 7E, a plating resist 36 having a predetermined
次に、図7(g)に示されるように、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26が形成される。そして、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26を介在して第1および第2のトップめっき層28、32が形成される。次に、図7(h)に示されるように、めっきレジスト36が剥離される。また、めっきレジスト36の除去により露出したシード層34の部分がエッチングにより除去される。その後、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形される。
Next, as shown in FIG. 7 (g), the
10 プリント配線板
12 基部絶縁層
14 導体層
14a 第1の導体パッド
14b 第2の導体パッド
16 ソルダーレジスト層
16a 第1の開口
16b 第2の開口
18 下地層
20 第1のバンプ
22 第2のバンプ
24 第1のベースめっき層
24a 第1の窪み
26 中間層
28 第1のトップめっき層
30 第2のベースめっき層
30a 第2の窪み
30b 隆起部
32 第2のトップめっき層
34 シード層
36 めっきレジスト
41 窪み
42 ドライフィルムレジスト層
10 Printed
Claims (20)
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、
前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、
前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローすることと、を含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に、前記第1のトップめっき層の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローすることと、を含む。 It is a manufacturing method of printed wiring boards.
Forming a base insulating layer and
Forming a conductor layer on the base insulating layer and
Forming a solder resist layer on the base insulating layer and the conductor layer,
To form a first opening in the solder resist layer that exposes a part of the conductor layer as a first conductor pad.
To form a second opening in the solder resist layer, which has a diameter smaller than that of the first opening and exposes another part of the conductor layer as a second conductor pad.
Forming a first bump on the first conductor pad and
Including forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the second conductor pad.
Forming the first bump means forming a first base plating layer in the first opening and forming a first top plating layer on the first base plating layer. , Including reflowing the first top plating layer,
Forming the second bump means forming a second base plating layer in the second opening, and forming the second base plating layer on the second base plating layer and on the upper surface of the first top plating layer. It includes forming a second top plating layer having an upper surface above the top position and reflowing the second top plating layer.
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、
前記第2の導体パッド上に形成され、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、
を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層と、該第1のベースめっき層上に形成された第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層と、該第2のベースめっき層上に形成された第2のトップめっき層とを有し、
前記第1のバンプの最下位置が前記第2のバンプの最下位置よりも低く、前記第1のバンプの最上位置が前記第2のバンプの最上位置と略同一である。 It is a printed wiring board
With the base insulation layer,
The conductor layer formed on the base insulating layer and
A first opening formed on the base insulating layer and the conductor layer and exposing a part of the conductor layer as a first conductor pad, and the conductor layer having a diameter smaller than that of the first opening. A solder resist layer with a second opening that exposes the other part as a second conductor pad,
With the first bump formed on the first conductor pad,
A second bump formed on the second conductor pad and having a diameter smaller than that of the first bump,
With
The first bump has a first base plating layer formed in the first opening and a first top plating layer formed on the first base plating layer.
The second bump has a second base plating layer formed in the second opening and a second top plating layer formed on the second base plating layer.
The lowest position of the first bump is lower than the lowest position of the second bump, and the uppermost position of the first bump is substantially the same as the uppermost position of the second bump.
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US16/791,277 US11109481B2 (en) | 2019-02-15 | 2020-02-14 | Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board |
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