JP2020136652A - Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board - Google Patents

Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board Download PDF

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有紅 呉
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美宏 小寺
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Abstract

To provide a manufacturing method of printed wiring board in which bump height after reflow is aligned.SOLUTION: A manufacturing method of printed wiring board includes steps of: forming a first bump on a first conductor pad; and forming a second bump of smaller diameter than that of the first bump on a second conductor pad. The step of forming the first bump includes: forming a first base plating layer 24 in a first opening; forming a first top plating layer 28 on the first base plating layer; and reflowing the first top plating layer 28. The step of forming the second bump includes: forming a second base plating layer 30 in a second opening; forming, on the second base plating layer, a second top plating layer 32 having a top face above the highest position of the top face of the first top plating layer 28; and reflowing the second top plating layer 32.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板の製造方法およびプリント配線板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board having plated bumps and a printed wiring board.

特許文献1は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。 Patent Document 1 discloses bump formation using a plating method.

特開2010−129996号公報JP-A-2010-129996

しかしながら、図8に示すように、ソルダーレジスト層16’に形成された大きさの異なる開口16a’、16b’内の導体パッド14a’、14b’上にベースめっき層24’、30’を形成し、該ベースめっき層24’、30’上にトップめっき層28’、32’を形成して大きさの異なるバンプ20’、22’を形成した場合、トップめっき層28’、32’のリフロー後にバンプの高さが揃わない場合が考えうる。 However, as shown in FIG. 8, the base plating layers 24'and 30'are formed on the conductor pads 14a' and 14b' in the openings 16a'and 16b' of different sizes formed in the solder resist layer 16'. When the top plating layers 28'and 32'are formed on the base plating layers 24'and 30' to form bumps 20' and 22'of different sizes, after the reflow of the top plating layers 28' and 32' It is possible that the bump heights are not the same.

本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローすることと、を含み、前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に、前記第1のトップめっき層の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローすることと、を含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes forming a base insulating layer, forming a conductor layer on the base insulating layer, and forming a solder resist layer on the base insulating layer and the conductor layer. Forming, forming a first opening in the solder resist layer that exposes a part of the conductor layer as a first conductor pad, and forming the solder resist layer in a diameter larger than that of the first opening. To form a second opening that exposes another part of the conductor layer as a second conductor pad, to form a first bump on the first conductor pad, and to form the second bump. Forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the conductor pad of the above, and forming the first bump includes a first base in the first opening. The second bump includes forming a plating layer, forming a first top plating layer on the first base plating layer, and reflowing the first top plating layer. To form the second base plating layer in the second opening, and to form the second base plating layer on the second base plating layer and above the uppermost position of the upper surface of the first top plating layer. It includes forming a second top plating layer having an upper surface and reflowing the second top plating layer.

また、本発明に係るプリント配線板は、プリント配線板であって、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、前記第2の導体パッド上に形成され、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、を備え、前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層と、該第1のベースめっき層上に形成された第1のトップめっき層とを有し、前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層と、該第2のベースめっき層上に形成された第2のトップめっき層とを有し、前記第1のバンプの最下位置が前記第2のバンプの最下位置よりも低く、前記第1のバンプの最上位置が前記第2のバンプの最上位置と略同一である。 Further, the printed wiring board according to the present invention is a printed wiring board, which is formed on a base insulating layer, a conductor layer formed on the base insulating layer, and on the base insulating layer and the conductor layer. In addition, a part of the conductor layer is exposed as a first conductor pad, and another part of the conductor layer having a diameter smaller than that of the first opening is exposed as a second conductor pad. A solder resist layer having a second opening, a first bump formed on the first conductor pad, and a second bump formed on the second conductor pad and having a diameter smaller than that of the first bump. The first bump comprises a first base plating layer formed in the first opening and a first top plating layer formed on the first base plating layer. The second bump comprises a second base plating layer formed in the second opening and a second top plating layer formed on the second base plating layer. The lowest position of the first bump is lower than the lowest position of the second bump, and the uppermost position of the first bump is substantially the same as the uppermost position of the second bump.

本発明の一実施形態の製造方法により作製されたプリント配線板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the printed wiring board produced by the manufacturing method of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の製造方法により作製されたプリント配線板の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the printed wiring board produced by the manufacturing method of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の製造方法により作製されたプリント配線板の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the printed wiring board produced by the manufacturing method of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. (a)、(b)はそれぞれ本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の特徴となる一工程を示す断面図である。(A) and (b) are sectional views which show one step which is characteristic of the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention, respectively. (a)〜(g)はそれぞれ本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の各工程を示す断面図である。(A) to (g) are sectional views which show each process of the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention, respectively. (a)〜(h)はそれぞれ本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の各工程を示す断面図である。(A) to (h) are sectional views which show each process of the manufacturing method of the printed wiring board of one Embodiment of this invention, respectively. 従来技術に従うプリント配線板において、バンプ高さが揃わない様子を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating how the bump heights are not uniform in the printed wiring board according to the prior art.

<本発明のプリント配線板の製造方法により作製されたプリント配線板について>
本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態が、図面を参照して説明される。図1には、実施形態の製造方法により作製されたプリント配線板10の一部が拡大して示されている。プリント配線板10は、コア基板(図示せず)の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体(図示せず)を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板10は、コア基板の代わりに支持板(図示せず)上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板10は、図1に示すように、少なくとも1層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層12と、基部絶縁層12上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層14と、基部絶縁層12および導体層14上に形成されたソルダーレジスト層16とを備えている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板10は、1層の基部絶縁層12と1層の導体層14とからなるものでもよい。
<About the printed wiring board manufactured by the method for manufacturing the printed wiring board of the present invention>
An embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a part of the printed wiring board 10 manufactured by the manufacturing method of the embodiment in an enlarged manner. The printed wiring board 10 may be a board with a core formed by alternately laminating conductor layers and resin insulating layers having a predetermined circuit pattern on one side or both sides of a core board (not shown). When the conductor layers are formed on both sides of the core substrate, the conductor layers facing each other via the core substrate may be connected to each other via a through-hole conductor (not shown). Alternatively, the printed wiring board 10 may be a coreless substrate obtained by alternately laminating conductor layers and resin insulating layers on a support plate (not shown) instead of the core substrate, and then removing the support plate. .. In any case, as shown in FIG. 1, the printed wiring board 10 is formed on the base insulating layer 12 and the base insulating layer 12, which are arranged on the outermost side of at least one resin insulating layer. A conductor layer 14 having a predetermined circuit pattern, and a solder resist layer 16 formed on the base insulating layer 12 and the conductor layer 14 are provided. In many cases, a plurality of other conductor layers and a resin insulating layer are alternately provided in the lower layer of the base insulating layer 12, but they are omitted in the drawing. However, the printed wiring board 10 may be composed of one base insulating layer 12 and one conductor layer 14.

基部絶縁層12は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層14は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。 The base insulating layer 12 can be made of, for example, a resin composition containing an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin. The conductor layer 14 is formed of a conductive metal, for example, a metal containing copper as a main component.

ソルダーレジスト層16は、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、第1の開口16aよりも径が小さく導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとを有している。第1の開口16aのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は0.5以下とすることができる。第2の開口16bのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比0.6以上とすることができる。 The solder resist layer 16 has a first opening 16a that exposes a part of the conductor layer 14 as a first conductor pad 14a, and a second portion of the conductor layer 14 that is smaller in diameter than the first opening 16a. It has a second opening 16b to be exposed as the conductor pad 14b of the above. The aspect ratio of the first opening 16a, that is, the ratio of the depth to the diameter of the bottom can be 0.5 or less. The aspect ratio of the second opening 16b, that is, the ratio of the depth to the diameter of the bottom can be 0.6 or more.

第1および第2の導体パッド14a、14b上には下地層18がそれぞれ形成されていてよい。下地層18としては、第1および第2の導体パッド14a、14bの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。下地層18は形成しなくてもよい。 The base layer 18 may be formed on the first and second conductor pads 14a and 14b, respectively. Examples of the base layer 18 include a nickel layer formed on the surfaces of the first and second conductor pads 14a and 14b, a palladium layer formed on the nickel layer, and a gold layer formed on the palladium layer. Can be done. In addition, a nickel layer and a gold layer formed on the nickel layer can be exemplified. The base layer 18 does not have to be formed.

プリント配線板10はさらに、第1の導体パッド14a上に下地層18を介して形成された第1のバンプ20と、第2の導体パッド14b上に下地層18を介して形成され、第1のバンプ20よりも小径の第2のバンプ22とを備えている。下地層18を形成しない場合、第1および第2のバンプ20、22は第1および第2の導体パッド14a、14b上に直接形成することができる。第1のバンプ20は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第1のバンプ20よりも径の小さい第2のバンプ22は信号線との接続に用いることができる。 The printed wiring board 10 is further formed on the first conductor pad 14a with the first bump 20 formed via the base layer 18 and on the second conductor pad 14b with the base layer 18 interposed therebetween. It is provided with a second bump 22 having a diameter smaller than that of the bump 20 of the above. When the base layer 18 is not formed, the first and second bumps 20 and 22 can be formed directly on the first and second conductor pads 14a and 14b. The first bump 20 can be used for connection with a power supply or a ground wire. The second bump 22 having a diameter smaller than that of the first bump 20 can be used for connection with the signal line.

第1のバンプ20は、第1の開口16a内に形成された第1のベースめっき層24と、第1のベースめっき層24上に例えばニッケルを主成分とする中間層26を介して形成された第1のトップめっき層28とを有する。中間層26の厚みは7μm以下とすることが好ましい。中間層26は形成しなくてもよい。中間層26を形成しない場合、第1のトップめっき層28は第1のベースめっき層24上に直接形成することができる。 The first bump 20 is formed on the first base plating layer 24 via a first base plating layer 24 formed in the first opening 16a and an intermediate layer 26 containing, for example, nickel as a main component on the first base plating layer 24. It also has a first top plating layer 28. The thickness of the intermediate layer 26 is preferably 7 μm or less. The intermediate layer 26 does not have to be formed. When the intermediate layer 26 is not formed, the first top plating layer 28 can be formed directly on the first base plating layer 24.

第1のベースめっき層24は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第1のベースめっき層24はソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第1のバンプ20が第1の開口16a内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面からの第1のベースめっき層24の厚みB1は3μm〜20μmの範囲内とすることが好ましい。第1のベースめっき層24は上面中央部分に第1の窪み24aを有する。すなわち、第1のベースめっき層24の上面中央部分は上面外周部分よりも低い位置に形成されている。第1の窪み24aの深さD1、つまり第1のベースめっき層24の上面外周部分の最高位置から窪みの底位置までの距離は20μm以下である。第1の窪み24aの深さD1を小さくすることで、第1のベースめっき層24上に、場合によって中間層26を介在して、第1のトップめっき層28を形成する際に、第1の窪み24a内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第1のトップめっき層28へのボイドの発生は低減される。第1の窪み24aの深さD1は好ましくは15μm以下であり、より好ましくは10μm以下である。 The first base plating layer 24 is formed of a conductive metal, preferably a metal containing copper as a main component. The first base plating layer 24 is preferably formed to a height exceeding the surface of the solder resist layer 16 (the surface opposite to the base insulating layer 12). As a result, the first bump 20 is stably held in the first opening 16a. The thickness B1 of the first base plating layer 24 from the surface of the solder resist layer 16 is preferably in the range of 3 μm to 20 μm. The first base plating layer 24 has a first recess 24a in the central portion of the upper surface. That is, the central portion of the upper surface of the first base plating layer 24 is formed at a position lower than the outer peripheral portion of the upper surface. The depth D1 of the first recess 24a, that is, the distance from the highest position of the outer peripheral portion of the upper surface of the first base plating layer 24 to the bottom position of the recess is 20 μm or less. By reducing the depth D1 of the first recess 24a, when the first top plating layer 28 is formed on the first base plating layer 24 with the intermediate layer 26 interposed therebetween, the first Gas accumulation in the recess 24a is suppressed. As a result, the generation of voids in the first top plating layer 28 is reduced. The depth D1 of the first recess 24a is preferably 15 μm or less, more preferably 10 μm or less.

第1のトップめっき層28は、第1のベースめっき層24よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図1に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1のトップめっき層28の厚み(第1のバンプ20の外周面において第1のトップめっき層28の下端から第1のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離)A1は5μm〜45μmの範囲とすることが好ましい。第1のトップめっき層28の厚みA1をこの範囲とすることで、第1のバンプ20と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。 The first top plating layer 28 has a melting point lower than that of the first base plating layer 24 and is melted by a reflow treatment and shaped into a substantially hemispherical shape as shown in FIG. 1, for example, a metal containing tin as a main component. Consists of. Thickness of the first top plating layer 28 (vertical distance from the lower end of the first top plating layer 28 to the top of the first top plating layer on the outer peripheral surface of the first bump 20) A1 is 5 μm to 45 μm. It is preferably in the range. By setting the thickness A1 of the first top plating layer 28 to this range, the first bump 20 and the connection pad (not shown) of an electronic component such as a semiconductor chip or memory mounted on the printed wiring board 10 can be connected to each other. Good connection reliability can be obtained between them.

第2のバンプ22は、第2の開口16b内に形成された第2のベースめっき層30と、第2のベースめっき層30上に例えばニッケルを主成分とする中間層26を介して形成された第2のトップめっき層32とを有する。中間層26の厚みは7μm以下とすることが好ましい。中間層26は形成しなくてもよい。中間層26を形成しない場合、第2のトップめっき層32は第2のベースめっき層30上に直接形成することができる。 The second bump 22 is formed on the second base plating layer 30 via a second base plating layer 30 formed in the second opening 16b and an intermediate layer 26 containing, for example, nickel as a main component on the second base plating layer 30. It also has a second top plating layer 32. The thickness of the intermediate layer 26 is preferably 7 μm or less. The intermediate layer 26 does not have to be formed. When the intermediate layer 26 is not formed, the second top plating layer 32 can be formed directly on the second base plating layer 30.

第2のベースめっき層30は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第2のベースめっき層30はソルダーレジスト層16の表面(基部絶縁層12とは反対側の面)を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第2のバンプ22が第2の開口16b内に安定して保持される。ソルダーレジスト層16の表面からの第2のベースめっき層30の厚みB2は3μm〜20μmの範囲内とすることが好ましい。第2のベースめっき層30は上面中央部分に第2の窪み30aを有する。すなわち、第2のベースめっき層30の上面中央部分は上面外周部分よりも低い位置に形成されている。第2の窪み30aの深さD2、つまり第2のベースめっき層30の上面外周部分の最高位置から第2の窪み30aの底位置までの距離は第1の窪み24aの深さD1よりも小さい。第1のバンプ20よりも小径の第2のバンプ22において、第2の窪み30aの深さD2を第1の窪み24aの深さD1よりも小さくすることで、第2のベースめっき層30上に、場合によって中間層26を介在して、第2のトップめっき層32を形成する際に、第2の窪み30a内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第2のトップめっき層32へのボイドの発生は低減される。 The second base plating layer 30 is formed of a conductive metal, preferably a metal containing copper as a main component. The second base plating layer 30 is preferably formed to a height exceeding the surface of the solder resist layer 16 (the surface opposite to the base insulating layer 12). As a result, the second bump 22 is stably held in the second opening 16b. The thickness B2 of the second base plating layer 30 from the surface of the solder resist layer 16 is preferably in the range of 3 μm to 20 μm. The second base plating layer 30 has a second recess 30a in the central portion of the upper surface. That is, the central portion of the upper surface of the second base plating layer 30 is formed at a position lower than the outer peripheral portion of the upper surface. The depth D2 of the second recess 30a, that is, the distance from the highest position of the outer peripheral portion of the upper surface of the second base plating layer 30 to the bottom position of the second recess 30a is smaller than the depth D1 of the first recess 24a. .. In the second bump 22 having a diameter smaller than that of the first bump 20, the depth D2 of the second recess 30a is made smaller than the depth D1 of the first recess 24a, so that the depth D2 is on the second base plating layer 30. In some cases, when the second top plating layer 32 is formed via the intermediate layer 26, gas accumulation in the second recess 30a is suppressed. As a result, the generation of voids in the second top plating layer 32 is reduced.

第2のトップめっき層32は、第2のベースめっき層30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図1に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第2のトップめっき層32の厚み(第2のバンプ22の外周面において第2のトップめっき層32の下端から第2のトップめっき層32の頂部までの垂直方向の距離)A2は5μm〜45μmの範囲とすることが好ましい。第2のトップめっき層32の厚みA2をこの範囲とすることで、第2のバンプ22と、プリント配線板10に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド(図示せず)との間で良好な接続信頼性が得られる。 The second top plating layer 32 has a melting point lower than that of the second base plating layer 30, and is melted by a reflow treatment and shaped into a substantially hemispherical shape as shown in FIG. 1, for example, a metal containing tin as a main component. Consists of. Thickness of the second top plating layer 32 (vertical distance from the lower end of the second top plating layer 32 to the top of the second top plating layer 32 on the outer peripheral surface of the second bump 22) A2 is 5 μm to 45 μm. It is preferable that the range is. By setting the thickness A2 of the second top plating layer 32 in this range, the second bump 22 and the connection pad (not shown) of electronic components such as a semiconductor chip and memory mounted on the printed wiring board 10 can be connected to each other. Good connection reliability can be obtained between them.

本発明に係るプリント配線板では、第1のバンプ20の最下位置が第2のバンプ22の最下位置よりも低く、第1のバンプ20の最上位置が第2のバンプ22の最上位置と略同一である。 In the printed wiring board according to the present invention, the lowest position of the first bump 20 is lower than the lowest position of the second bump 22, and the uppermost position of the first bump 20 is the highest position of the second bump 22. It is almost the same.

図2には、図1に示されたプリント配線板10の変形例が示されている。図1を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。この変形例に係るプリント配線板10では、第2のバンプ22の第2のベースめっき層30の上面が平坦に形成されている。その他の構成は、図1のプリント配線板10と同じである。なお、「平坦」とは第2のベースめっき層30の上面がプリント配線板10の主表面とほぼ平行になることを意味し、めっき処理により発生し得る微小な凹凸は存在していてもよい。第2のベースめっき層30の上面を平坦にすることで、第2のバンプ22におけるボイド発生率は、上面中央部分に第2の窪み30aを有する、図1に示した第2のバンプ22と比べて低減される。 FIG. 2 shows a modified example of the printed wiring board 10 shown in FIG. Elements or parts similar to those described with reference to FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate. In the printed wiring board 10 according to this modification, the upper surface of the second base plating layer 30 of the second bump 22 is formed flat. Other configurations are the same as those of the printed wiring board 10 of FIG. In addition, "flat" means that the upper surface of the second base plating layer 30 is substantially parallel to the main surface of the printed wiring board 10, and minute irregularities that may be generated by the plating treatment may be present. .. By flattening the upper surface of the second base plating layer 30, the void generation rate in the second bump 22 is the same as that of the second bump 22 shown in FIG. 1, which has the second recess 30a in the central portion of the upper surface. It is reduced in comparison.

図3には、図1に示されたプリント配線板10の変形例が示されている。図1を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。この変形例に係るプリント配線板10では、第2のバンプ22の第2のベースめっき層30の上面中央部分には隆起部30bが形成されている。つまり、第2のベースめっき層30の上面中央部分は上面外周部分よりも高い位置にある。その他の構成は、図1のプリント配線板10と同じである。第2のベースめっき層30の上面中央部分に隆起部30bを形成することで、第2のバンプ22におけるボイド発生率は、上面が平坦もしくは上面中央部分に第2の窪み30aを有する、図1および図2に示した第2のバンプ22と比べて低減される。 FIG. 3 shows a modified example of the printed wiring board 10 shown in FIG. Elements or parts similar to those described with reference to FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate. In the printed wiring board 10 according to this modification, a raised portion 30b is formed at the center of the upper surface of the second base plating layer 30 of the second bump 22. That is, the central portion of the upper surface of the second base plating layer 30 is located higher than the outer peripheral portion of the upper surface. Other configurations are the same as those of the printed wiring board 10 of FIG. By forming the raised portion 30b in the central portion of the upper surface of the second base plating layer 30, the void generation rate in the second bump 22 is such that the upper surface is flat or the upper surface has the second recess 30a in the central portion of the upper surface. And it is reduced as compared with the second bump 22 shown in FIG.

<本発明のプリント配線板の製造方法について>
以下、本発明に係る図1に示すプリント配線板10の製造方法を、図4A〜図4Hを参照して説明する。なお、図2〜3に示す変形例のプリント配線板10も同様の製造方法で製造される。
<About the manufacturing method of the printed wiring board of the present invention>
Hereinafter, a method for manufacturing the printed wiring board 10 shown in FIG. 1 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4H. The printed wiring board 10 of the modified example shown in FIGS. 2 to 3 is also manufactured by the same manufacturing method.

図4Aには、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に所定の回路パターンを有する導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が示されている。基部絶縁層12の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板10は、基部絶縁層12としての1層の樹脂絶縁層と1層の導体層14とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層12に相当する。基部絶縁層12には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層16には、例えば炭酸ガスレーザまたはUV−YAGレーザ等により、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bとが形成される。第1の開口16aのアスペクト比は0.5以下とし、第2の開口16bのアスペクト比は0.6以上とするのが好ましい。第1および第2の導体パッド14a、14b上には、めっきにより例えばニッケル層、パラジウム層、金層がこの順に積層されて下地層18が形成される。下地層18は形成しなくてもよい。 FIG. 4A shows an intermediate in which a conductor layer 14 and a solder resist layer 16 having a predetermined circuit pattern are formed on a base insulating layer 12 by a known method. In many cases, a plurality of other conductor layers and a resin insulating layer are alternately formed in the lower layer of the base insulating layer 12, but they are omitted in the drawing. The plurality of conductor layers and the resin insulating layer can be laminated on the core substrate or on a support plate that can be removed later. However, the printed wiring board 10 may be composed of one resin insulating layer as the base insulating layer 12 and one conductor layer 14, and in this case, the resin insulating layer corresponds to the base insulating layer 12. For the base insulating layer 12, a build-up insulating resin film containing an inorganic filler such as silica or alumina and an epoxy resin can be used. The solder resist layer 16 has a first opening 16a that exposes a part of the conductor layer 14 as a first conductor pad 14a by, for example, a carbon dioxide gas laser or a UV-YAG laser, and another part of the conductor layer 14. A second opening 16b to be exposed as the second conductor pad 14b is formed. The aspect ratio of the first opening 16a is preferably 0.5 or less, and the aspect ratio of the second opening 16b is preferably 0.6 or more. On the first and second conductor pads 14a and 14b, for example, a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer are laminated in this order by plating to form a base layer 18. The base layer 18 does not have to be formed.

図4Bに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a、16bの側面)上と、下地層18上(下地層18が形成されない場合には導体パッド14a、14b上)にシード層34が形成される。 As shown in FIG. 4B, for example, an electroless plating treatment such as an electroless copper plating treatment is performed, and the surface of the intermediate body (the surface of the solder resist layer 16 and the side surfaces of the first and second openings 16a and 16b). A seed layer 34 is formed on the top and on the base layer 18 (on the conductor pads 14a and 14b when the base layer 18 is not formed).

図4Cに示されるように、シード層34上に、第1および第2のバンプ20、22(図1)の形成予定部位に開口36aを有する所定パターンのめっきレジスト36が形成される。 As shown in FIG. 4C, a plating resist 36 having a predetermined pattern having openings 36a is formed on the seed layer 34 at the planned formation sites of the first and second bumps 20 and 22 (FIG. 1).

図4Dに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層34上の、めっきレジスト36から露出する部分に、例えば銅を主成分とする第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30が形成される。このとき、図1〜図3に示したプリント配線板10を製造する場合には、上面中央部分に深さ20μm以下、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下の第1の窪み24aが形成されるように、第1のベースめっき層24のめっき厚を調整する。図2に示したプリント配線板10を製造する場合には、第2のベースめっき層30の上面が平坦となるように、第2のベースめっき層30の厚みを調整する。図3に示したプリント配線板10を製造する場合には、第2のベースめっき層30の上面中央部分に隆起部30bが形成されるように、第2のベースめっき層30のめっき厚を調整する。 As shown in FIG. 4D, the electrolytic plating treatment is performed, and the portion of the seed layer 34 exposed from the plating resist 36 is subjected to, for example, a first base plating layer 24 containing copper as a main component and a second base plating. Layer 30 is formed. At this time, when the printed wiring board 10 shown in FIGS. 1 to 3 is manufactured, a first recess 24a having a depth of 20 μm or less, preferably 15 μm or less, more preferably 10 μm or less is formed in the central portion of the upper surface. As described above, the plating thickness of the first base plating layer 24 is adjusted. When the printed wiring board 10 shown in FIG. 2 is manufactured, the thickness of the second base plating layer 30 is adjusted so that the upper surface of the second base plating layer 30 is flat. When the printed wiring board 10 shown in FIG. 3 is manufactured, the plating thickness of the second base plating layer 30 is adjusted so that the raised portion 30b is formed in the central portion of the upper surface of the second base plating layer 30. To do.

また、第1および第2のベースめっき層24、30を形成する際には、ソルダーレジスト層16の表面からの第1のベースめっき層24の厚みおよび第2のベースめっき層30の厚みが3μm〜20μmの範囲内となるよう、第1および第2のベースめっき層24、30のめっき厚を調整するのが好ましい。 When forming the first and second base plating layers 24 and 30, the thickness of the first base plating layer 24 and the thickness of the second base plating layer 30 from the surface of the solder resist layer 16 are 3 μm. It is preferable to adjust the plating thickness of the first and second base plating layers 24 and 30 so as to be within the range of about 20 μm.

図4Eに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、第1および第2のベースめっき層24、30上に例えばニッケルを主成分とする中間層26が形成される。中間層26の厚みは好ましくは7μm以下とする。中間層26は形成しなくてもよい。 As shown in FIG. 4E, for example, an electrolytic plating treatment is performed, and an intermediate layer 26 containing, for example, nickel as a main component is formed on the first and second base plating layers 24 and 30. The thickness of the intermediate layer 26 is preferably 7 μm or less. The intermediate layer 26 does not have to be formed.

図4Fに示されるように、電解めっき処理が行われ、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26を介在して第1および第2のトップめっき層28、32が形成される。第1および第2のトップめっき層28、32は、第1および第2のベースめっき層24、30よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第1および第2のトップめっき層28、32の厚みは5μm〜45μmの範囲とすることが好ましい。第1のベースめっき層24の上面が平坦に形成されるか、あるいは上面中央部分に深さD1が20μm以下の第1の窪み24aが形成されていることにより、第1のトップめっき層28を形成する際に、第1の窪み24a内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第1のトップめっき層28へのボイドの発生は低減される。また、第2のベースめっき層30の上面が平坦に形成されるか、上面中央部分に第1の窪み24aよりも浅い第2の窪み30aが形成されるか、あるいは上面中央部分に隆起部30bが形成されていることにより、第2のトップめっき層32を形成する際に、第2のベースめっき層30近傍でのガス溜まりは抑制される。これにより、第2のトップめっき層32へのボイドの発生は低減される。 As shown in FIG. 4F, the electrolytic plating treatment is performed to form the first and second top plating layers 28 and 32 on the first and second base plating layers 24 and 30 with the intermediate layer 26 interposed therebetween. Will be done. The first and second top plating layers 28 and 32 are mainly composed of a metal having a lower melting point than the first and second base plating layers 24 and 30 and being melted by a reflow treatment and shaped into a substantially hemispherical shape, for example, tin. It consists of the metal as a component. The thickness of the first and second top plating layers 28 and 32 is preferably in the range of 5 μm to 45 μm. The upper surface of the first base plating layer 24 is formed flat, or the first recess 24a having a depth D1 of 20 μm or less is formed in the central portion of the upper surface, whereby the first top plating layer 28 is formed. At the time of formation, the gas accumulation in the first recess 24a is suppressed. As a result, the generation of voids in the first top plating layer 28 is reduced. Further, the upper surface of the second base plating layer 30 is formed flat, a second recess 30a shallower than the first recess 24a is formed in the central portion of the upper surface, or a raised portion 30b is formed in the central portion of the upper surface. When the second top plating layer 32 is formed, gas accumulation in the vicinity of the second base plating layer 30 is suppressed. As a result, the generation of voids in the second top plating layer 32 is reduced.

図4Fに示す工程において、第2のトップめっき層32の上面の最上位置を第1のトップめっき層28の上面の最上位置よりも上にする点に、本発明の特徴がある。このように第1のトップめっき層28の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層32を形成することで、次工程で第1のトップめっき層28と第2のトップめっき層32をリフロー処理することにより、図4Hに示すように、リフロー後の第1のトップめっき層28の上面の最上位置と第2のトップめっき層32の上面の最上位置とが同じ高さになる。その結果、同じバンプ高さの第1のバンプ20および第2のバンプ22を形成できる。 In the process shown in FIG. 4F, the feature of the present invention is that the uppermost position of the upper surface of the second top plating layer 32 is set higher than the uppermost position of the upper surface of the first top plating layer 28. By forming the second top plating layer 32 having an upper surface above the uppermost position of the upper surface of the first top plating layer 28 in this way, the first top plating layer 28 and the second top are formed in the next step. By reflowing the plating layer 32, as shown in FIG. 4H, the uppermost position of the upper surface of the first top plating layer 28 after the reflow and the uppermost position of the upper surface of the second top plating layer 32 are at the same height. become. As a result, the first bump 20 and the second bump 22 having the same bump height can be formed.

図4Gに示されるように、めっきレジスト36が剥離される。また、めっきレジスト36の除去により露出したシード層34の部分がエッチングにより除去される。 As shown in FIG. 4G, the plating resist 36 is peeled off. Further, the portion of the seed layer 34 exposed by removing the plating resist 36 is removed by etching.

図4Hに示されるように、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形される。リフロー処理により、中間層26が形成されている場合には、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から銅層、銅/ニッケル合金層、ニッケル層、ニッケル/スズ合金層、スズ層からなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。中間層26が形成されていない場合には、第1および第2の導体パッド14a、14bに近い側から銅層、銅/スズ合金層、スズ層からなる第1のバンプ20および第2のバンプ22が形成される。 As shown in FIG. 4H, a reflow process is performed to shape the first top plating layer 28 and the second top plating layer 32 into a substantially hemispherical shape. When the intermediate layer 26 is formed by the reflow treatment, the copper layer, the copper / nickel alloy layer, the nickel layer, the nickel / tin alloy layer, and tin are formed from the side closer to the first and second conductor pads 14a and 14b. A first bump 20 and a second bump 22 composed of layers are formed. When the intermediate layer 26 is not formed, the first bump 20 and the second bump composed of the copper layer, the copper / tin alloy layer, and the tin layer are formed from the side closer to the first and second conductor pads 14a and 14b. 22 is formed.

本発明において、第1のトップめっき層28の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層32を形成し、リフロー後のバンプ高さを同じにするための制御に寄与する因子として、以下に示す因子が考えられる。主となる因子としては、第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30の厚み、中間層26の厚み、第1のバンプ20および第2のバンプ22のバンプ径、リフロー前の第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層30の厚み、および、リフロー前の第1の窪み24aおよび第2の窪み30aの深さ、が考えられる。一例として、図5(a)、(b)に、第2のベースめっき層30の厚さを第1のベースめっき層24の厚みよりも厚くして、第1のトップめっき層28の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層32を形成した例を示す。その他の因子を制御に使用した場合も同様に各因子の厚さ、径および深さを制御することで、本発明を達成することができる。 In the present invention, the second top plating layer 32 having an upper surface above the uppermost position of the upper surface of the first top plating layer 28 is formed, and contributes to control for making the bump height after reflow the same. The following factors can be considered as factors. The main factors are the thickness of the first base plating layer 24 and the second base plating layer 30, the thickness of the intermediate layer 26, the bump diameters of the first bump 20 and the second bump 22, and the first before reflow. The thickness of the top plating layer 28 and the second top plating layer 30 of 1 and the depth of the first recess 24a and the second recess 30a before reflow can be considered. As an example, in FIGS. 5A and 5B, the thickness of the second base plating layer 30 is made thicker than the thickness of the first base plating layer 24, and the upper surface of the first top plating layer 28 is formed thicker. An example of forming a second top plating layer 32 having an upper surface above the uppermost position is shown. When other factors are used for control, the present invention can be achieved by similarly controlling the thickness, diameter and depth of each factor.

図5(a)、(b)に示した、第2のベースめっき層30の厚さを第1のベースめっき層24の厚みより厚くした実施形態の製造工程について、図6(a)〜(g)および図7(a)〜(h)を参照して説明する。図6(a)〜(g)および図7(a)〜(h)に示す実施形態において、図4A〜図4Hの製造工程を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。 6 (a) to 6 (b) show the manufacturing process of the embodiment in which the thickness of the second base plating layer 30 is thicker than the thickness of the first base plating layer 24 shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). This will be described with reference to g) and FIGS. 7 (a) to 7 (h). In the embodiments shown in FIGS. 6 (a) to 6 (g) and 7 (a) to 7 (h), the same elements or parts as those described with reference to the manufacturing processes of FIGS. 4A to 4H may be used. The same reference numerals are given, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

図6(a)〜(g)に示す実施形態では、まず、図6(a)に示されるように、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が準備される。ソルダーレジスト層16には、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出される第1の開口16aが形成される。次に、図6(b)に示されるように、第1の開口16aにより露出された第1の導体パッド14aをエッチングして、窪み41が形成される。 In the embodiments shown in FIGS. 6 (a) to 6 (g), first, as shown in FIG. 6 (a), the conductor layer 14 and the solder resist layer 16 are formed on the base insulating layer 12 by using a known method. The formed intermediate is prepared. The solder resist layer 16 is formed with a first opening 16a in which a part of the conductor layer 14 is exposed as a first conductor pad 14a. Next, as shown in FIG. 6B, the first conductor pad 14a exposed by the first opening 16a is etched to form the recess 41.

次に、図6(c)に示されように、ソルダーレジスト層16には、導体層14の第1の導体パッド14aとは異なる他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bが形成される。 Next, as shown in FIG. 6 (c), the solder resist layer 16 is exposed to a second portion of the conductor layer 14, which is different from the first conductor pad 14a, as a second conductor pad 14b. The opening 16b is formed.

次に、図6(d)に示されるように、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a、16bの側面、導体パッド14a(窪み41)、14b)上にシード層34が形成される。そして、シード層34上に、第1および第2のバンプ20、22(図1)の形成予定部位に開口36aを有する所定パターンのめっきレジスト36が形成される。次に、図6(e)に示されるように、シード層34上の、めっきレジスト36から露出する部分に、第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30が形成される。このとき、第1のベースめっき層24が形成される部分には窪み41が存在するため、第2のベースめっき層30の高さが第1のベースめっき層24の高さより高くなる。 Next, as shown in FIG. 6D, on the surface of the intermediate (the surface of the solder resist layer 16 and the sides of the first and second openings 16a, 16b, the conductor pads 14a (recesses 41), 14b). The seed layer 34 is formed on the surface. Then, a plating resist 36 having a predetermined pattern having an opening 36a is formed on the seed layer 34 at the planned formation sites of the first and second bumps 20 and 22 (FIG. 1). Next, as shown in FIG. 6E, the first base plating layer 24 and the second base plating layer 30 are formed on the portion of the seed layer 34 exposed from the plating resist 36. At this time, since the recess 41 is present in the portion where the first base plating layer 24 is formed, the height of the second base plating layer 30 is higher than the height of the first base plating layer 24.

次に、図6(f)に示されるように、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26が形成される。そして、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26を介在して第1および第2のトップめっき層28、32が形成される。次に、図6(g)に示されるように、めっきレジスト36が剥離される。また、めっきレジスト36の除去により露出したシード層34の部分がエッチングにより除去される。その後、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形される。 Next, as shown in FIG. 6 (f), the intermediate layer 26 is formed on the first and second base plating layers 24 and 30. Then, the first and second top plating layers 28 and 32 are formed on the first and second base plating layers 24 and 30 with the intermediate layer 26 interposed therebetween. Next, as shown in FIG. 6 (g), the plating resist 36 is peeled off. Further, the portion of the seed layer 34 exposed by removing the plating resist 36 is removed by etching. After that, a reflow treatment is performed, and the first top plating layer 28 and the second top plating layer 32 are shaped into a substantially hemispherical shape.

図7(a)〜(h)に示す実施形態では、まず、図7(a)に示されるように、公知の方法を用いて、基部絶縁層12上に導体層14およびソルダーレジスト層16が形成された中間体が準備される。ソルダーレジスト層16には、導体層14の一部を第1の導体パッド14aとして露出させる第1の開口16aと、導体層14の他の一部を第2の導体パッド14bとして露出させる第2の開口16bと、が形成される。 In the embodiments shown in FIGS. 7 (a) to 7 (h), first, as shown in FIG. 7 (a), the conductor layer 14 and the solder resist layer 16 are formed on the base insulating layer 12 by using a known method. The formed intermediate is prepared. The solder resist layer 16 has a first opening 16a that exposes a part of the conductor layer 14 as a first conductor pad 14a, and a second opening 16a that exposes another part of the conductor layer 14 as a second conductor pad 14b. The opening 16b and the like are formed.

次に、図7(b)に示されるように、第2の開口16bをドライフィルムレジスト層42で塞ぎ、第2の開口16bを保護する。次に、図7(c)に示されるように、第1の開口16aにより露出された第1の導体パッド14aをエッチングして、窪み41が形成される。次に、図7(d)に示されるように、ドライフィルムレジスト層42を除去し、中間体の表面(ソルダーレジスト層16の表面および第1および第2の開口16a、16bの側面、導体パッド14a(窪み41)、14b)上にシード層34が形成される。 Next, as shown in FIG. 7B, the second opening 16b is closed with the dry film resist layer 42 to protect the second opening 16b. Next, as shown in FIG. 7C, the first conductor pad 14a exposed by the first opening 16a is etched to form the recess 41. Next, as shown in FIG. 7 (d), the dry film resist layer 42 is removed, and the surface of the intermediate (the surface of the solder resist layer 16 and the side surfaces of the first and second openings 16a and 16b, the conductor pad. A seed layer 34 is formed on 14a (dents 41) and 14b).

次に、図7(e)に示されるように、シード層34上に、第1および第2のバンプ20、22(図1)の形成予定部位に開口36aを有する所定パターンのめっきレジスト36が形成される。次に、図7(f)に示されるように、シード層34上の、めっきレジスト36から露出する部分に、第1のベースめっき層24および第2のベースめっき層30が形成される。このとき、第1のベースめっき層24が形成される部分には窪み41が存在するため、第2のベースめっき層30の高さが第1のベースめっき層24の高さより高くなる。 Next, as shown in FIG. 7E, a plating resist 36 having a predetermined pattern having openings 36a at the planned formation sites of the first and second bumps 20 and 22 (FIG. 1) is formed on the seed layer 34. It is formed. Next, as shown in FIG. 7 (f), the first base plating layer 24 and the second base plating layer 30 are formed on the portion of the seed layer 34 exposed from the plating resist 36. At this time, since the recess 41 is present in the portion where the first base plating layer 24 is formed, the height of the second base plating layer 30 is higher than the height of the first base plating layer 24.

次に、図7(g)に示されるように、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26が形成される。そして、第1および第2のベースめっき層24、30上に中間層26を介在して第1および第2のトップめっき層28、32が形成される。次に、図7(h)に示されるように、めっきレジスト36が剥離される。また、めっきレジスト36の除去により露出したシード層34の部分がエッチングにより除去される。その後、リフロー処理が行われ、第1のトップめっき層28および第2のトップめっき層32が略半球状に整形される。 Next, as shown in FIG. 7 (g), the intermediate layer 26 is formed on the first and second base plating layers 24 and 30. Then, the first and second top plating layers 28 and 32 are formed on the first and second base plating layers 24 and 30 with the intermediate layer 26 interposed therebetween. Next, as shown in FIG. 7 (h), the plating resist 36 is peeled off. Further, the portion of the seed layer 34 exposed by removing the plating resist 36 is removed by etching. After that, a reflow treatment is performed, and the first top plating layer 28 and the second top plating layer 32 are shaped into a substantially hemispherical shape.

10 プリント配線板
12 基部絶縁層
14 導体層
14a 第1の導体パッド
14b 第2の導体パッド
16 ソルダーレジスト層
16a 第1の開口
16b 第2の開口
18 下地層
20 第1のバンプ
22 第2のバンプ
24 第1のベースめっき層
24a 第1の窪み
26 中間層
28 第1のトップめっき層
30 第2のベースめっき層
30a 第2の窪み
30b 隆起部
32 第2のトップめっき層
34 シード層
36 めっきレジスト
41 窪み
42 ドライフィルムレジスト層
10 Printed wiring board 12 Base insulating layer 14 Conductor layer 14a First conductor pad 14b Second conductor pad 16 Solder resist layer 16a First opening 16b Second opening 18 Base layer 20 First bump 22 Second bump 24 1st base plating layer 24a 1st depression 26 Intermediate layer 28 1st top plating layer 30 2nd base plating layer 30a 2nd depression 30b Raised part 32 2nd top plating layer 34 Seed layer 36 Plating resist 41 Recess 42 Dry film resist layer

Claims (20)

プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、
前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、
前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に第1のトップめっき層を形成することと、第1のトップめっき層をリフローすることと、を含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に、前記第1のトップめっき層の上面の最上位置より上にある上面を有する第2のトップめっき層を形成することと、第2のトップめっき層をリフローすることと、を含む。
It is a manufacturing method of printed wiring boards.
Forming a base insulating layer and
Forming a conductor layer on the base insulating layer and
Forming a solder resist layer on the base insulating layer and the conductor layer,
To form a first opening in the solder resist layer that exposes a part of the conductor layer as a first conductor pad.
To form a second opening in the solder resist layer, which has a diameter smaller than that of the first opening and exposes another part of the conductor layer as a second conductor pad.
Forming a first bump on the first conductor pad and
Including forming a second bump having a diameter smaller than that of the first bump on the second conductor pad.
Forming the first bump means forming a first base plating layer in the first opening and forming a first top plating layer on the first base plating layer. , Including reflowing the first top plating layer,
Forming the second bump means forming a second base plating layer in the second opening, and forming the second base plating layer on the second base plating layer and on the upper surface of the first top plating layer. It includes forming a second top plating layer having an upper surface above the top position and reflowing the second top plating layer.
請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層の厚みを5μm〜45μmの範囲内とする。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the first top plating layer and the second top plating layer is in the range of 5 μm to 45 μm. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層および前記第2のベースめっき層を、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成する。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the first base plating layer and the second base plating layer are formed from a metal containing copper as a main component, respectively. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層を、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成する。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the first top plating layer and the second top plating layer are formed from a metal containing tin as a main component, respectively. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のベースめっき層と前記第1の導体パッド層との間に、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる下地層をそれぞれ形成することをさらに含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the first base plating layer and the first conductor pad, and the second base plating layer and the first conductor pad layer. It further includes forming a base layer composed of a nickel layer, a palladium layer and a gold layer, respectively. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層と前記第1のトップめっき層との間、および前記第2のベースめっき層と前記第2のトップめっき層との間にニッケルを主成分とする中間層をそれぞれ形成することをさらに含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the first base plating layer and the first top plating layer, and the second base plating layer and the second top plating layer are used. It further includes forming intermediate layers each containing nickel as a main component between the layers. 請求項6に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記中間層の厚みを7μm以下とする。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 6, wherein the thickness of the intermediate layer is 7 μm or less. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1および第2のベースめっき層を前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成し、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第1のベースめっき層の厚みおよび前記第2のベースめっき層の厚みをそれぞれ3μm〜20μmの範囲内とする。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the first and second base plating layers are formed to a height exceeding the surface of the solder resist layer, and the first from the surface of the solder resist layer. The thickness of the base plating layer 1 and the thickness of the second base plating layer are each within the range of 3 μm to 20 μm. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の開口のアスペクト比は0.5以下であり、前記第2の開口のアスペクト比は0.6以上である。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the aspect ratio of the first opening is 0.5 or less, and the aspect ratio of the second opening is 0.6 or more. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層を形成することは、上面が平坦であるか、上面中央部分に深さ20μm以下の第1の窪みを有する第1のベースめっき層を形成することをさらに含み、前記第2のベースめっき層を形成することは、上面が平坦であるか、上面中央部分に隆起部を有するか、あるいは上面中央部分に前記第1の窪みより浅い第2の窪みを有する第2のベースめっき層を形成することをさらに含む。 In the method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, forming the first base plating layer has a flat upper surface or a first recess having a depth of 20 μm or less in the central portion of the upper surface. The formation of the second base plating layer further includes forming a first base plating layer having a flat upper surface, having a raised portion in the central portion of the upper surface, or forming the central portion of the upper surface. It further comprises forming a second base plating layer having a second recess that is shallower than the first recess. プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、
前記第2の導体パッド上に形成され、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、
を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層と、該第1のベースめっき層上に形成された第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層と、該第2のベースめっき層上に形成された第2のトップめっき層とを有し、
前記第1のバンプの最下位置が前記第2のバンプの最下位置よりも低く、前記第1のバンプの最上位置が前記第2のバンプの最上位置と略同一である。
It is a printed wiring board
With the base insulation layer,
The conductor layer formed on the base insulating layer and
A first opening formed on the base insulating layer and the conductor layer and exposing a part of the conductor layer as a first conductor pad, and the conductor layer having a diameter smaller than that of the first opening. A solder resist layer with a second opening that exposes the other part as a second conductor pad,
With the first bump formed on the first conductor pad,
A second bump formed on the second conductor pad and having a diameter smaller than that of the first bump,
With
The first bump has a first base plating layer formed in the first opening and a first top plating layer formed on the first base plating layer.
The second bump has a second base plating layer formed in the second opening and a second top plating layer formed on the second base plating layer.
The lowest position of the first bump is lower than the lowest position of the second bump, and the uppermost position of the first bump is substantially the same as the uppermost position of the second bump.
請求項11に記載のプリント配線板であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層の厚みは、5μm〜45μmである。 The printed wiring board according to claim 11, wherein the thickness of the first top plating layer and the second top plating layer is 5 μm to 45 μm. 請求項11に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層および前記第2のベースめっき層は、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The printed wiring board according to claim 11, wherein the first base plating layer and the second base plating layer are each formed of a metal containing copper as a main component. 請求項11に記載のプリント配線板であって、第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。 The printed wiring board according to claim 11, wherein the first top plating layer and the second top plating layer are each formed of a metal containing tin as a main component. 請求項11に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のベースめっき層と前記第1の導体パッド層との間に、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる下地層をそれぞれ有する。 The printed wiring board according to claim 11, between the first base plating layer and the first conductor pad, and between the second base plating layer and the first conductor pad layer. Each has a base layer composed of a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer. 請求項11に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層と前記第1のトップめっき層との間、および前記第2のベースめっき層と前記第2のトップめっき層との間にニッケルを主成分とする中間層をそれぞれ有する。 The printed wiring board according to claim 11, wherein the first base plating layer and the first top plating layer, and the second base plating layer and the second top plating layer are used. It has an intermediate layer containing nickel as a main component between them. 請求項16に記載のプリント配線板であって、前記中間層の厚みは7μm以下である。 The printed wiring board according to claim 16, wherein the thickness of the intermediate layer is 7 μm or less. 請求項11に記載のプリント配線板であって、前記第1および第2のベースめっき層は前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成され、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第1のベースめっき層の厚みおよび前記第2のベースめっき層の厚みはそれぞれ3μm〜20μmの範囲内にある。 The printed wiring board according to claim 11, wherein the first and second base plating layers are formed to a height exceeding the surface of the solder resist layer, and the first base from the surface of the solder resist layer. The thickness of the plating layer and the thickness of the second base plating layer are each in the range of 3 μm to 20 μm. 請求項11に記載のプリント配線板であって、前記第1の開口のアスペクト比は0.5以下であり、前記第2の開口のアスペクト比は0.6以上である。 The printed wiring board according to claim 11, wherein the aspect ratio of the first opening is 0.5 or less, and the aspect ratio of the second opening is 0.6 or more. 請求項11に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層は上面が平坦であるか、上面中央部分に深さ20μm以下の第1の窪みを有し、前記第2のベースめっき層は、上面が平坦であるか、上面中央部分に隆起部を有するか、あるいは上面中央部分に前記第1の窪みより浅い第2の窪みを有する。 The printed wiring board according to claim 11, wherein the first base plating layer has a flat upper surface or a first recess having a depth of 20 μm or less in a central portion of the upper surface, and the second base. The plating layer has a flat upper surface, has a raised portion in the central portion of the upper surface, or has a second recess in the central portion of the upper surface, which is shallower than the first recess.
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