JP7319865B2 - カソード - Google Patents
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Description
ガスを用いてイオンビームを取り出すイオン源に用いられるカソードであって、
上記イオン源を構成するカソードは、Ta、W又はMoからなるカソードキャップと、上記カソードキャップを囲むカーボンからなるカソードリペラーとからなり、
上記カソードリペラーの内面には、熱分解炭素層が形成されていることを特徴とする。
本発明のカソードでは、カソードリペラーの内面に、光や熱エネルギーを吸収しにくい熱分解炭素層が形成されているので、カソードリペラーの温度上昇を防止することができ、イオンのアタックを緩和し、カソードリペラーの劣化を防止するとともにパーティクルの発生を防止することができる。
上記熱分解炭素層は、表面が平滑であるので、光や熱エネルギーを吸収しにくく、光や熱エネルギーを反射し易い。さらに、上記熱分解炭素層は、緻密で気孔がないので、本来的にパーティクルが発生しにくい。
本発明のカソードにおいて、上記カソードリペラーの内面の波長800nmにおける拡散反射率が10~40%であると、光や熱エネルギーを反射し易いので、熱エネルギーの吸収を少なくすることができる。
本発明のカソードは、ガスを用いてイオンビームを取り出すイオン源に用いられるカソードであって、上記イオン源を構成するカソードは、Ta、W又はMoからなるカソードキャップと、上記カソードキャップを囲むカーボンからなるカソードリペラーとからなり、上記カソードリペラーの内面には、熱分解炭素層が形成されていることを特徴とする。
特に誘導結合プラズマとも距離が近い電極は、最も浸食されやすい部品である。金属元素は、沸点の低いフッ素系化合物のガスの形態でイオン源に導入され、効率よく所定のイオンを得ることができる一方、フッ素成分は、イオン源内の部材を腐食させやすい性質があり、消耗を減らす観点と、腐食により発生する生成物の悪影響の観点から腐食を抑えることが必要となる。
また、電極は高温に曝されるので、高温での消耗が速い部品でもあり、長寿命化の観点と、発生するパーティクルを減らす観点から消耗を減らすことが必要となる。
具体的には、化学気相蒸着(CVD)炉等の炉の内部にカソードリペラーを搬入し、炉内を加熱し、昇温させた後、水素、窒素、アルゴン等のキャリアガスを含む炭化水素ガスをCVD炉内に導入し、熱分解させることにより、カソードリペラーの内面に熱分解炭素層を形成することができる。カソードリペラーの内面のみに熱分解炭素層を形成する場合には、カソードリペラーの内面以外の部分を耐熱性の部材で覆い、熱分解炭素層を形成した後、耐熱性の部材を除去すればよいが、工程が煩雑となるので、カソードリペラーの全面に熱分解炭素層を形成してもよい。
本発明のカソードにおいて、上記カソードリペラーの内面の波長800nmにおける拡散反射率は10~40%であると、熱エネルギーを反射し易いので、光や熱エネルギーの吸収を少なくすることができる。
本発明のカソードにおいて、上記カソードリペラーの内面の波長800nmにおける拡散反射率は20%以上であることがさらに望ましい。拡散反射率が20%以上であると、熱エネルギーを反射し易いので、光や熱エネルギーの吸収をさらに少なくすることができる。
測定器は、例えば日本分光株式会社製V-770に積分球ユニットを用い、リファレンスとしてフッ素樹脂の白色板を用いて測定することができる。
なお、上記カソードキャップ支持部は、円筒形状のカソードリペラーの内周面の一定の位置に、軸方向に平行な断面がコの字形状、又は、円弧形状になるように形成されている。
イオン源100を構成するチャンバ4の上部には、リペラープレート7が配置され、下部には、カソード10が配置されている。また、チャンバ4の一側面には、ガス導入口6が設けられ、ガス導入口6が設けられた面に対向する側面には、スリット5が設けられている。
カソードキャップ1は、Taからなり、円柱形状の胴部1aと、胴部1aと比べて直径の大きい鍔部1bとからなり、胴部1aは、イオン源100を構成するチャンバ4の中心に面する側に配置されている。また、カソードリペラー2は、カーボンからなり、その内面には熱分解炭素層3が形成されており、上部がカソードキャップ1を取り囲むとともに、その内面に、凹むようにカソードキャップ支持部2aが形成され、カソードリペラー2のカソードキャップ支持部2aによりカソードキャップ1の鍔部1bが支持されている。また、カソードキャップ1の直下には、フィラメント8が配置されている。なお、カソードリペラー2とチャンバ4の下部との間は、絶縁を確保するために僅かに隙間Gが形成されている。
さらに、カソードリペラー2の下端には、円環形状のヒートシンク9が配設され、カソードリペラー2の温度上昇を抑制している。
図2は、実施形態に係る本発明のカソードを模式的に示す断面図であり、図2に示すカソードは、図1に示すイオン源100に設けられたものと同じ構成のものである。
実施形態に係る本発明のカソード10では、円筒形状のカソードリペラー2の内面に、凹むようにカソードキャップ支持部2aが形成されており、このカソードキャップ支持部2aに、タンタルからなるカソードキャップ1の鍔部1bが支持(挟持)されている。カソード10は、回転対称体であり、カソードリペラー2は円筒状、カソードキャップ支持部2aを構成する壁部に囲まれた部分は、リング形状である。また、カソードキャップ1は円盤形状であり、カソードリペラー2の先端よりも、カソードキャップ1のリペラープレート7(図1参照)に対向する面が突出する位置関係にある。
また、カソードリペラー2は外周面に形成された雌ネジでヒートシンク9となる電極にねじ込まれている。
1a 胴部
1b 鍔部
2 カソードリペラー
2a カソードキャップ支持部
3 熱分解炭素層
4 チャンバ
5 スリット
6 ガス導入口
7 リペラープレート
8 フィラメント
9 ヒートシンク
10 カソード
100 イオン源
Claims (2)
- ガスを用いてイオンビームを取り出すイオン源に用いられるカソードであって、
前記イオン源を構成するカソードは、Ta、W又はMoからなるカソードキャップと、前記カソードキャップを囲むカーボンからなるカソードリペラーとからなり、
前記カソードリペラーの内面には、熱分解炭素層が形成されており、
前記カソードキャップは、円柱形状の胴部と、前記胴部と比べて直径の大きい鍔部とからなり、前記胴部は、前記イオン源を構成するチャンバの中心に面する側に配置され、
前記カソードキャップは、前記カソードリペラーの内面に、凹むように形成されたカソードキャップ支持部に前記鍔部が支持されており、かつ、前記鍔部と、カソードキャップ支持部との間には、少なくとも一部に隙間が形成されていることを特徴とするカソード。 - 前記カソードリペラーの内面の波長800nmにおける拡散反射率は10~40%であることを特徴とする請求項1に記載のカソード。
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