JP2016529198A - 上側熱遮蔽体、これを含むインゴット成長装置及びこれを利用したインゴット成長方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(付記1)
種結晶を用いて、るつぼに収容されたシリコン融液からインゴットを成長させるインゴット成長装置であって、
前記インゴットを成長させる工程が行われる空間を提供するチャンバーと、
前記チャンバーの内部に配置されたるつぼと、
前記るつぼの外側に配置されたヒーター部と、
前記種結晶を固定する種結晶チャックと、
前記種結晶チャックと連結された昇降手段と、
前記るつぼの上側に配置され、成長したインゴットが通過できるホールを有し、前記ホールのサイズを調節できる、上側熱遮蔽体と、
を含むことを特徴とする、インゴット成長装置。
(付記2)
前記上側熱遮蔽体は、前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを調節するホールサイズ調節部を含むことを特徴とする、付記1に記載のインゴット成長装置。
(付記3)
前記ホールサイズ調節部を駆動することができる駆動部を含むことを特徴とする、付記2に記載のインゴット成長装置。
(付記4)
前記ホールサイズ調節部は、
前記上側熱遮蔽体のホールを開閉するための複数の翼で構成された翼部と、
前記翼部の上側に配置され、翼部を移動させるための回転板と、
前記翼部の下側に配置され、翼部を支持するための基板と、
を含むことを特徴とする、付記3に記載のインゴット成長装置。
(付記5)
前記翼部、回転板及び基板は、リング形状に構成され、前記成長したインゴットを通過させるための開口が中央部に設けられたことを特徴とする、付記4に記載のインゴット成長装置。
(付記6)
前記翼部の少なくとも一部が前記開口に選択的に位置して、前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを調節することを特徴とする、付記4に記載のインゴット成長装置。
(付記7)
前記翼部は、高純度の石英、グラファイトまたは高純度の炭素合成物のいずれか1つで構成されたことを特徴とする、付記4に記載のインゴット成長装置。
(付記8)
前記翼部の表面は、熱分解グラファイトでコーティングされたことを特徴とする、付記7に記載のインゴット成長装置。
(付記9)
前記上側熱遮蔽体の内部には通路が設けられ、前記通路には駆動部と連結されたギア軸が配置され、前記ギア軸の端部にはギアが設けられ、前記ギアと噛み合うギア溝が前記回転板の外周面に設けられたことを特徴とする、付記4に記載のインゴット成長装置。
(付記10)
前記駆動部は、前記ギア軸を回転させて前記上側熱遮蔽体のホールを漸次開閉することを特徴とする、付記9に記載のインゴット成長装置。
(付記11)
インゴット成長工程に従って、前記駆動部を介して前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを制御する制御部を含むことを特徴とする、付記10に記載のインゴット成長装置。
(付記12)
インゴット成長装置の内部に配置され、シリコン融液を収容するるつぼの熱を外部と遮蔽する上側熱遮蔽体であって、
前記るつぼの上側に配置され、インゴットが通過できるホールを備えた断熱手段と、
前記断熱手段に装着され、前記断熱手段のホールのサイズを連続的に調節できるホールサイズ調節部と、
前記ホールサイズ調節部を駆動する駆動部と、
を含むことを特徴とする、上側熱遮蔽体。
(付記13)
前記ホールサイズ調節部は、
前記断熱手段のホールを開閉するための複数の翼で構成された翼部と、
前記翼部の上側に配置され、翼部を移動させるための回転板と、
前記翼部の下側に配置され、翼部を支持するための基板と、
を含むことを特徴とする、付記12に記載の上側熱遮蔽体。
(付記14)
るつぼに多結晶シリコンを収容するステップと、
前記るつぼの上側に設けられた上側熱遮蔽体のホールを閉鎖するステップと、
前記るつぼの加熱によってシリコン融液を形成するステップと、
前記上側熱遮蔽体のホールを種結晶が通過できるサイズに開放した後、前記種結晶を前記上側熱遮蔽体のホールに通過させるステップと、
前記種結晶を用いてインゴットを成長させながら、前記インゴットの直径拡張に従って前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを増加させるステップと、
前記種結晶を用いてボディを形成するボディグローイング工程を行いながら、前記上側熱遮蔽体のホールを前記ボディより所定のサイズだけ大きく形成するステップと、
前記種結晶を用いてテーリング工程を行うステップと、
を含むことを特徴とする、インゴット成長方法。
(付記15)
前記種結晶のディッピング前に、前記種結晶を1200℃以上に加熱して、前記種結晶が前記シリコン融液に浸漬される時の熱衝撃が1.5Mpa以下で発生するようにすることを特徴とする、付記14に記載のインゴット成長方法。
(付記16)
前記ボディグローイング工程時、前記上側熱遮蔽体のホールは前記ボディの直径より10mm以上大きく形成されたことを特徴とする、付記14に記載のインゴット成長方法。
(付記17)
前記ネッキング工程時、前記ネック部の直径を5.5mm以上に形成することを特徴とする、付記14に記載のインゴット成長方法。
Claims (17)
- 種結晶を用いて、るつぼに収容されたシリコン融液からインゴットを成長させるインゴット成長装置であって、
前記インゴットを成長させる工程が行われる空間を提供するチャンバーと、
前記チャンバーの内部に配置されたるつぼと、
前記るつぼの外側に配置されたヒーター部と、
前記種結晶を固定する種結晶チャックと、
前記種結晶チャックと連結された昇降手段と、
前記るつぼの上側に配置され、成長したインゴットが通過できるホールを有し、前記ホールのサイズを調節できる、上側熱遮蔽体と、
を含むことを特徴とする、インゴット成長装置。 - 前記上側熱遮蔽体は、前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを調節するホールサイズ調節部を含むことを特徴とする、請求項1に記載のインゴット成長装置。
- 前記ホールサイズ調節部を駆動することができる駆動部を含むことを特徴とする、請求項2に記載のインゴット成長装置。
- 前記ホールサイズ調節部は、
前記上側熱遮蔽体のホールを開閉するための複数の翼で構成された翼部と、
前記翼部の上側に配置され、翼部を移動させるための回転板と、
前記翼部の下側に配置され、翼部を支持するための基板と、
を含むことを特徴とする、請求項3に記載のインゴット成長装置。 - 前記翼部、回転板及び基板は、リング形状に構成され、前記成長したインゴットを通過させるための開口が中央部に設けられたことを特徴とする、請求項4に記載のインゴット成長装置。
- 前記翼部の少なくとも一部が前記開口に選択的に位置して、前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを調節することを特徴とする、請求項4に記載のインゴット成長装置。
- 前記翼部は、高純度の石英、グラファイトまたは高純度の炭素合成物のいずれか1つで構成されたことを特徴とする、請求項4に記載のインゴット成長装置。
- 前記翼部の表面は、熱分解グラファイトでコーティングされたことを特徴とする、請求項7に記載のインゴット成長装置。
- 前記上側熱遮蔽体の内部には通路が設けられ、前記通路には駆動部と連結されたギア軸が配置され、前記ギア軸の端部にはギアが設けられ、前記ギアと噛み合うギア溝が前記回転板の外周面に設けられたことを特徴とする、請求項4に記載のインゴット成長装置。
- 前記駆動部は、前記ギア軸を回転させて前記上側熱遮蔽体のホールを漸次開閉することを特徴とする、請求項9に記載のインゴット成長装置。
- インゴット成長工程に従って、前記駆動部を介して前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを制御する制御部を含むことを特徴とする、請求項10に記載のインゴット成長装置。
- インゴット成長装置の内部に配置され、シリコン融液を収容するるつぼの熱を外部と遮蔽する上側熱遮蔽体であって、
前記るつぼの上側に配置され、インゴットが通過できるホールを備えた断熱手段と、
前記断熱手段に装着され、前記断熱手段のホールのサイズを連続的に調節できるホールサイズ調節部と、
前記ホールサイズ調節部を駆動する駆動部と、
を含むことを特徴とする、上側熱遮蔽体。 - 前記ホールサイズ調節部は、
前記断熱手段のホールを開閉するための複数の翼で構成された翼部と、
前記翼部の上側に配置され、翼部を移動させるための回転板と、
前記翼部の下側に配置され、翼部を支持するための基板と、
を含むことを特徴とする、請求項12に記載の上側熱遮蔽体。 - るつぼに多結晶シリコンを収容するステップと、
前記るつぼの上側に設けられた上側熱遮蔽体のホールを閉鎖するステップと、
前記るつぼの加熱によってシリコン融液を形成するステップと、
前記上側熱遮蔽体のホールを種結晶が通過できるサイズに開放した後、前記種結晶を前記上側熱遮蔽体のホールに通過させるステップと、
前記種結晶を用いてインゴットを成長させながら、前記インゴットの直径拡張に従って前記上側熱遮蔽体のホールのサイズを増加させるステップと、
前記種結晶を用いてボディを形成するボディグローイング工程を行いながら、前記上側熱遮蔽体のホールを前記ボディより所定のサイズだけ大きく形成するステップと、
前記種結晶を用いてテーリング工程を行うステップと、
を含むことを特徴とする、インゴット成長方法。 - 前記種結晶のディッピング前に、前記種結晶を1200℃以上に加熱して、前記種結晶が前記シリコン融液に浸漬される時の熱衝撃が1.5Mpa以下で発生するようにすることを特徴とする、請求項14に記載のインゴット成長方法。
- 前記ボディグローイング工程時、前記上側熱遮蔽体のホールは前記ボディの直径より10mm以上大きく形成されたことを特徴とする、請求項14に記載のインゴット成長方法。
- 前記ネッキング工程時、前記ネック部の直径を5.5mm以上に形成することを特徴とする、請求項14に記載のインゴット成長方法。
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