JP7318146B1 - 磁気ディスク用基板 - Google Patents

Abstract

【課題】特に薄肉でありながら、ディスクの表面の外周側領域に存在するうねりを有効に抑制することによって、ヘッドクラッシュの発生を有効に抑制した磁気ディスク用基板を提供する。【解決手段】少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が、０．５０ｎｍ以下である、磁気ディスク用基板。【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ディスク用基板に関する。より詳しくは薄肉でありながら、ディスクの表面の外周側領域に存在するうねりを有効に抑制することによって、ヘッドクラッシュの発生を有効に抑制した磁気ディスク用基板に関する。

近年、クラウドコンピューティングの急速な普及のため、データセンターで用いられるハードディスクに対し、高容量化が求められている。それに応じて、磁気ディスク用基板の大径化や、薄肉化による基板配設枚数の増加などの対策が行われているが、ハードディスク用筐体のサイズは規格化されているため、これ以上の大径化は難しい状態である。そのため、磁気ディスク用基板のさらなる薄肉化が強く要望されている。しかし、薄肉化した基板は、剛性が不足して変形が生じやすくなる傾向があることから、高速回転時にディスクにうねりが生じやすいことが知られている。うねりは、磁気ディスクと磁気ヘッドの衝突の大きな要因であるため、抑制することが好ましい。

これまでにも、ハードディスクにおけるヘッドクラッシュなどの物理的エラー低減のための検討が、いくつかなされている。例えば特許文献１には、酸処理により容易に、表面の高清浄度及び高平滑性（具体的には、表面における平均面粗さ（Ｒａ）が０．３ｎｍ未満と平滑であることを意味する。）が得られるガラス基板が開示されている。

特許第３９５９５８８号公報

特許文献１に記載のガラス基板は、ライン計測による２次元的な表面性状である平均面粗さ（Ｒａ）を小さくするように調整して表面を平滑にしたものである。上記したように薄肉化した基板だと、剛性が不足して変形が生じやすいため、２次元的な表面性状を調整しただけでは、ヘッドクラッシュを抑制できない場合があった。

本発明は、薄肉でありながら、ディスクの表面の外周側領域に存在するうねりを有効に抑制することによって、ヘッドクラッシュの発生を有効に抑制した磁気ディスク用基板を提供することを目的とする。

本発明者らは鋭意検討の結果、少なくとも片面の外周側領域における算術平均高さＳａが小さい磁気ディスク用基板であれば、外周側領域のうねりが抑制され、結果としてヘッドクラッシュを発生し難いことを見出し、本発明を完成するに至った。

上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は、以下のとおりである。
（１）少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が、０．５０ｎｍ以下である、磁気ディスク用基板。
（２）前記算術平均高さＳａの平均値が０．４０ｎｍ以下である、上記（１）の磁気ディスク用基板。
（３）前記算術平均高さＳａの標準偏差が０．１０ｎｍ以下である、上記（１）又は（２）の磁気ディスク用基板。
（４）厚さ寸法が０．５０ｍｍ未満である、上記（１）～（３）のいずれかの磁気ディスク用基板。
（５）外径寸法が９５ｍｍ以上である、上記（１）～（４）のいずれかの磁気ディスク用基板。
（６）少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が、０．５０ｎｍ以下である、磁気ディスク。

本発明によれば、特に薄肉でありながら、ディスクの表面の外周側領域に存在するうねりを有効に抑制することによって、ヘッドクラッシュの発生を有効に抑制した磁気ディスク用基板が提供される。

本発明に従う磁気ディスク用基板の上面図であって、上面の外周側領域、及び算術平均高さＳａを測定する複数の視野領域の一例を示す。 本発明に従う磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造工程の一例を示すフロー図である。 本発明に従う磁気ディスク用ガラス基板の製造工程の一例を示すフロー図である。

以下、本発明に従う磁気ディスク用基板について詳記する。

本発明の磁気ディスク用基板は、少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が０．５０ｎｍ以下である、磁気ディスク用基板である。

＜算術平均高さＳａ＞
「ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａ」とは、基板の表面における、平均面に対する各点の高さの差の絶対値の算術平均である。換言すると、３次元における算術平均高さであり、面粗さについての一般的な評価指標とされている。なお、基板表面の輪郭曲線は、長い波長から成るうねり曲線と短い波長から成る粗さ曲線とに分けられるが、これら曲線から検出したい波長領域の輪郭曲線（例えばうねり曲線）だけを検出（抽出）し、それ以外の輪郭曲線（例えば粗さ曲線）は検出しないようにするのに適した、分岐点となる波長が、「カットオフ波長」である。例えばガウシアンフィルタを介して、カットオフ波長から離れた、より短波長側の凹凸成分と、より長波長側の大きなうねり成分とを除去する、すなわちカットオフ波長１．０ｍｍを中心とする中波長側領域で測定すれば、専ら微小なうねり成分を評価することができる。

本発明者らが今回見出したところによると、薄肉化した基板においては、ディスク外周側領域の微小凹凸を含むうねり、いわゆるウェービーサーフェス欠陥がヘッドクラッシュの原因となる場合がある。ハードディスクのヘッドクラッシュ防止に関して、以前よりさまざまな対策が検討されてきたが、ウェービーサーフェス欠陥がヘッドクラッシュに及ぼす影響については、これまで検討されていなかった。

さらに本発明者らが見出したところによると、ウェービーサーフェス欠陥は主に数ｍｍ幅の範囲に亘るうねりの欠陥であり、その検出にはカットオフ波長１．０ｍｍから離れた、短波長側の微小凹凸と長波長側の大きなうねり成分を除去することが適切である。そのためには、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して、中波長側領域の輪郭曲線を検出すればよい。このように１．０ｍｍを中心とした波長領域で、基板の少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域についてＳａを測定すれば、ヘッドクラッシュの原因となり得るウェービーサーフェス欠陥を敏感に検出することができる。こうした条件下、走査型光干渉法を用いて測定を行い、外周側領域におけるＳａの最大値が０．５０ｎｍ以下となる磁気ディスク用基板であれば、ヘッドクラッシュの発生を抑制できる。

（外周側領域）
磁気ディスク用基板の外周側領域とは、磁気ディスク基板の外周縁と、その外周縁から数ｍｍ内周側に画定される仮想円に囲まれた領域を指す。図１は、本発明に従う磁気ディスク用基板１の上面における外周側領域２の一例を示したものである。外周側領域２は、磁気ディスク用基板１の上面視において、磁気ディスク用基板１の外周縁３と、その外周縁３から数ｍｍだけ中心側に同心円として描かれる仮想内円４とによって囲まれた領域を指す。なお、外周側領域２に位置する複数の視野領域にて測定した算術平均高さＳａを、以下で「外周側領域のＳａ」ということがある。

外周側領域は、磁気ディスク使用時のヘッドクラッシュが最も発生しやすい箇所と考えられる。なぜなら、磁気ディスクは、回転により、遠心力に加えて、周囲の大気やガスによる空気抵抗力などの外力を受け、この際、振動やうねりを生じる（フラッタリング）が、この外力によって変形が生じやすい箇所が、磁気ディスクの外周側領域であるためである。この領域のウェービーサーフェス欠陥は、フラッタリングを誘発し、結果的にヘッドクラッシュの発生原因となるおそれがある。したがって、磁気ディスクを形成する磁気ディスク基板の表面の外周側領域は、フラッタリング抑制の要である。本発明者らは、外周側領域のＳａに着目することで、フラッタリングを抑制し、ヘッドクラッシュのリスクを低減できることを初めて見出したものである。

（視野領域）
磁気ディスク用基板１において、外周側領域のＳａの測定箇所である複数の視野領域は、外周側領域２内に２領域以上あればよく、その個数に特に制限はない。確実性を確保する観点からは視野領域が３箇所以上、例えば４箇所以上であることが好ましく、製品検査の簡便さの観点からは例えば１６箇所以下であることが好ましい。より好ましくは、６～１２箇所、例えば８箇所の視野領域で測定した算術平均高さＳａの内から、最大値を採用する。

複数の視野領域は、外周側領域２内のどの位置に配置されていてもよいが、できるだけ外周側のＳａを満遍なく測定する上で、磁気ディスク用基板の外周縁３の僅かに中心側に描いた仮想外円５の内側に、視野領域が内接するようにして均等に配置されていることが好ましい。例えば図１に示すように、８つの視野領域６がそれぞれ、仮想外円５の内周に正方形の角部を接した状態で０°、４５°、９０°、１３５°、１８０°、２２５°、２７０°、及び３１５°の位置に配置されていれば、外周側領域２のＳａをより確度よく測定することができる。なお、仮想外円５は、磁気ディスク用基板の外周縁３に対して０．１～１ｍｍ程度だけ中心側、例えば０．５ｍｍ程度だけ中心側の同心円であることが好ましい。

視野領域６のサイズにも、特に制限はない。確実性の観点からは出来るだけ広い視野領域で測定することが好ましいが、測定時の利便性や測定装置の特性等を考慮すると、４～６ｍｍ角の正方形、特に４．５～５．０ｍｍ角の正方形の領域を視野領域６とすることが好ましい。例えば、図１に示すように配置された４．７５ｍｍ角の正方形の領域８つを視野領域６とし、走査型光干渉法により測定された値であれば、磁気ディスク用基板１の外周側領域のＳａをより正確に反映し得る。

（走査型光干渉法）
走査型光干渉法は、３次元形状等を測定する際の一般的な方法である。この方法においては、光源から照射された光をビームスプリッターで２つに分け、一方を参照面、もう一方をサンプル表面に照射し、双方から反射された光をカメラに結像する。その上で、試料表面の凹凸によって生じる光路差で得られる干渉縞の情報を高さ情報に変換し、３次元形状を作成する。走査型光干渉法に基づく測定器は各社から市販されており、本発明においてはそれら市販品のいずれを用いてもよい。

（Ｓａ値）
以上のような、少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとしたガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が、０．５０ｎｍ以下である磁気ディスク用基板であれば、ヘッドクラッシュのリスクを低減することができる。ヘッドクラッシュのリスクをさらに低減する観点からは、外周側領域のＳａの最大値は０．４０ｎｍ以下、特に０．３０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、外周側領域のＳａは小であるほど好ましいため、その下限値について考慮する必要はない。しかし、製造工程の簡便さを考慮し、例えば下限値を０．２０ｎｍ、あるいは０．１５ｎｍとしてもよい。

ここで、外周側領域における各視野領域での算術平均高さＳａ（外周側領域のＳａ）の平均値が、０．４０ｎｍ以下、特に０．３０ｎｍ以下であることが好ましい。Ｓａの平均値も、小さければ小さいほどよいが、やはり製造工程の簡便さを考慮し、例えば下限値を０．２０ｎｍ、あるいは０．２５ｎｍとしてもよい。外周側領域のＳａの最大値が０．５０ｎｍ以下であると共に、同Ｓａの平均値が０．４０ｎｍ以下である磁気ディスク用基板は、極めて平坦な表面を有し、ヘッドクラッシュのリスクがより低減されたものとなる。

また、外周側領域における各視野領域での算術平均高さＳａの標準偏差が、０．１０ｎｍ以下である磁気ディスク用基板が好ましい。こうした磁気ディスク用基板では、基板内の各箇所でＳａが満遍なく低い値となっており、特に平滑な表面を有する。そのため、ヘッドクラッシュのリスクがさらに低減されたものとなる。尚、ここでの標準偏差及び上記した平均値はいずれも、上記最大値を求める際の算術平均高さＳａから算出される値である。

磁気ディスク用基板は特に、基板両面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて測定した算術平均高さＳａの最大値が、０．５０ｎｍ以下であることが好ましい。両表面がこのように平坦であれば、ヘッドクラッシュを特に来し難い磁気ディスク用基板となる。同じ理由から、基板両面の外周側領域に位置する複数の視野領域におけるＳａの平均値が０．４０ｎｍ以下であるか、かつ／又は標準偏差が０．１０ｎｍ以下であることが好ましい。

以下では、こうした磁気ディスク用基板を構成する基板について説明する。

＜基板＞
本発明の磁気ディスク用基板は、公知のどのような基板で形成されていても良く、そのサイズや材質に特に制限はない。しかしながら、本発明の効果は、特に厚さ寸法が０．５ｍｍ未満である薄肉の磁気ディスク用基板で顕著となる。こうした薄肉の基板では、剛性が低いため、外周側領域の面高さＳａが大きいと、ハードディスクの信頼性に大きく影響するためである。同様の理由から、外径寸法が９５ｍｍ以上である磁気ディスク用基板で、本発明の効果は顕著となる。なお、外形寸法の上限値に特に制限はないが、一般的なハードディスクドライブのサイズを考慮すると、例えば９７ｍｍ以下とすることができる。厚さ寸法の下限値にも特に制限はないが、磁気ディスクの剛性を考慮すると、例えば０．３０ｍｍ程度以上としてもよい。

本発明の磁気ディスク用基板の材質は、従来から使用されている材質の中から適宜選択することができ、例えば、アルミニウム合金、ガラス等が挙げられる。アルミニウム合金、ガラス等からなる磁気ディスク用基板は、欠陥が発生し難く、機械的特性や加工性も良好であるため、本発明の磁気ディスク用基板として好適である。

＜アルミニウム合金基板＞
アルミニウム合金からなる基板（本願明細書では、単に「アルミニウム合金基板」という場合がある。）は、欠陥が発生し難く、機械的特性や加工性も良好で低コストであるため、磁気ディスク用基板として好適である。アルミニウム合金基板の材質にも特に制限はなく、種々の公知のものを使用することができるが、従来から使用されているマグネシウム（Ｍｇ）や銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）等の元素を含有する合金が好ましい。これら合金は慣用材料のため低コストである上、高強度でかつ欠陥が発生し難い利点を有する。また、剛性を向上させ得る鉄（Ｆｅ）やマンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）等の元素を含有することもできる。こうした剛性が高い基板は、フラッタリング抑制の上で有利である。より好ましくは、Ａ５０００番台又はＡ８０００番台の合金、特にＡ５０８６を使用する。こうした合金であれば、基板に欠陥が発生し難く、また十分な機械的特性を付与することができる。

上記アルミニウム合金の具体的な組成の例を挙げると、例えばＡ５０８６では、Ｍｇ：３．５～４．５％、Ｆｅ：０．５０％以下、Ｓｉ：０．４０％以下、Ｍｎ：０．２０～０．７％、Ｃｒ：０．０５～０．２５％、Ｃｕ：０．１０％以下、Ｔｉ：０．１５％以下、及びＺｎ：０．２５％以下を含有し、残部はＡｌ及び不可避的不純物からなる。また、アルミニウム合金の具体的な他の組成の例としては、Ｍｇ：１．０～６．５％、Ｃｕ：０～０．０７０％、Ｚｎ：０～０．６０％、Ｆｅ：０～０．５０％、Ｓｉ：０～０．５０％、Ｃｒ：０～０．２０％、Ｍｎ：０～０．５０％、Ｚｒ：０～０．２０％、Ｂｅ：０～０．００２０％を含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなる場合が挙げられる。また、上記以外の成分を、例えば、各元素について０．１％以下、合計で０．３％以下含有していても良い。なお、上記の組成において、「％」は全て「質量％」を意味する。

＜ガラス基板＞
ガラス基板は、欠陥が発生し難く、機械的特性や加工性も良好という特徴と共に、塑性変形し難い利点も有するので、磁気ディスク用基板として好適である。ガラス基板の材料にも特に制限はなく、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどのガラスセラミックスを用いることができる。なお、基板の平坦度や成形性、加工性の観点から、アモルファスガラスを用いることが好ましい。材質にも特に制限はなく、例としてアルミノシリケートガラス（アルミノケイ酸ガラス）、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、ボロシリケートガラス（ホウケイ酸ガラス）、さらには風冷又は液冷等の処理を施した物理強化ガラスや、化学強化ガラス等が挙げられるが、これらに限定されない。中でも、アルミノシリケートガラス、特にアモルファスのアルミノシリケートガラスが好ましい。こうした材質の基板は、平坦度や強度の点で優れ、長期信頼性も良好となり得る。

アルミノシリケートガラスとしては、例えばＳｉＯ_２：５５～７５％を主成分とし、Ａｌ_２Ｏ_３：０．７～２５％、Ｌｉ_２Ｏ：０．０１～６％、Ｎａ_２Ｏ：０．７～１２％、Ｋ_２Ｏ：０～８％、ＭｇＯ：０～７％、ＣａＯ：０～１０％、ＺｒＯ_２：０～１０％、ＴｉＯ_２：０～１％を含有するものが知られており、本発明においてもこうした材質の基板を用いることができる。なお、上記及び以下の組成において、「％」は全て「質量％」を意味する。

上記ガラス組成において、ＳｉＯ_２は、ガラスの骨格を形成する主要成分である。この含有率が５５％以上であれば、高い化学的耐久性が発現しやすく、７５％以下であれば溶融温度が高過ぎず、成形も容易となる傾向がある。

Ａｌ_２Ｏ_３は、イオン交換性と化学的耐久性を向上させる作用を有する成分であり、かかる作用を発揮するため、Ａｌ_２Ｏ_３含有率を０．７％以上とすることが好ましい。また、Ａｌ_２Ｏ_３含有率は、２５％以下であれば溶解性及び耐失透性が低下するおそれがない。このため、Ａｌ_２Ｏ_３の含有率は０．７～２５％とすることが好ましい。

Ｌｉ_２Ｏは、Ｎａイオンと交換してガラスを化学強化すると共に、溶融性、成形性を向上させ、かつヤング率を向上させる作用を有する成分である。かかる作用を発揮するため、Ｌｉ_２Ｏの含有率は、０．０１％以上とすることが好ましい。また、Ｌｉ_２Ｏの含有率は、６％以下であれば、耐失透性と化学的耐久性が低下するおそれがない。このため、Ａｌ_２Ｏ_３の含有率は０．０１～６％とすることが好ましい。

Ｎａ_２Ｏは、Ｋイオンと交換してガラスを化学強化すると共に、高温粘性を低下させ、溶融性、成形性を向上させ、耐失透性を改善させる作用を有する成分である。かかる作用を発揮するため、Ｎａ_２Ｏの含有率は、０．７％以上とすることが好ましい。また、Ｎａ_２Ｏの含有率が１２％以下であれば、化学的耐久性とヌープ硬さが低下するおそれがないため好ましい。

さらに、Ｋ_２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２は、必要に応じて含有させることができる任意添加成分である。

Ｋ_２Ｏは、高温粘性を低下させ、溶融性の改善、成形性向上、耐失透性の改善効果を有する作用を有する成分であるが、Ｋ_２Ｏの含有率が８％超えだと、低温粘性が低下するとともに熱膨張率が増加し、耐衝撃性が低下する傾向がある。このため、Ｋ_２Ｏの含有率は０～８％とすることが好ましい。

ＭｇＯ及びＣａＯは高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上すると共に、ヤング率を向上させる作用を有する成分であり、特にＣａＯは、ソーダライムガラスに必須成分として含有される。ここで、ＭｇＯ及びＣａＯは、高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上させると共に、ヤング率の向上効果も期待できるが、ＭｇＯの含有率が７％超え及び／又はＣａＯの含有率が１０％超えだと、イオン交換性能及び耐失透性を低下させる傾向がある。このため、ＭｇＯの含有率は７％以下、ＣａＯの含有率は１０％以下とすることが好ましい。

ＺｒＯ_２は、ヌープ硬さを増加させ、化学的耐久性や耐熱性を向上させる作用を有する成分であるが、ＺｒＯ_２の含有率が１０％超えだと、溶融性及び耐失透性が低下する傾向がある。このため、ＺｒＯ_２の含有率は０～１０％とすることが好ましい。

ＴｉＯ_２は、高温粘性を低下させ、溶融性を改善し、構造安定化、耐久性を向上させる作用を有する成分であるが、ＴｉＯ_２の含有率が１％超えだと、イオン交換性能及び耐失透性を低下させる傾向がある。このため、ＴｉＯ_２の含有率は０～１％とすることが好ましい。

上記組成のガラスはまた、粘性を下げ、溶解性と清澄性を高める作用を有するＢ_２Ｏ_３、高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上すると共に、ヤング率を向上させる作用を有するＳｒＯやＢａＯ、イオン交換性能を向上させると共に低温粘性を低下させることなく高温粘性を低下させ得るＺｎＯ、清澄性とイオン交換性能を向上させる作用を有するＳｎＯ_２、着色剤として機能し得るＦｅ_２Ｏ_３などの他、さらには清澄剤としてＡｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３を含んでも良い。また、微量元素として、ランタン（Ｌａ）、リン（Ｐ）、セリウム（Ｃｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ルビジジウム（Ｒｂ）、イットリウム（Ｙ）などの酸化物を含んでも良い。なお、Ｂ_２Ｏ_３は、アルミノボロシリケートガラスやボロシリケートガラスに、必須成分として含有される。

上記ガラスはまた、ＳｉＯ_２：４５～６０％、Ａｌ_２Ｏ_３：７～２０％、Ｂ_２Ｏ_３：１～８％、Ｐ_２Ｏ_５：０．５～７％、ＣａＯ：０～３％、ＴｉＯ_２：１～１５％、ＢａＯ：０～４％、その他ＭｇＯ等の酸化物：５～３５％を含有する組成であっても良い。

＜アルミニウム合金基板の製造方法＞
図２は、本発明に従う磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造工程の一例を示すフロー図である。図２において、アルミニウム合金成分の調製工程（ステップＳ１０１）、アルミニウム合金の鋳造工程（ステップＳ１０２）、均質化処理工程（ステップＳ１０３）、熱間圧延工程（ステップＳ１０４）、冷間圧延（ステップＳ１０５）は、溶解鋳造でアルミニウム合金素材を製造し、これをアルミニウム合金板にする工程である。次いで、ブランキング・加圧平坦化処理工程（ステップＳ１０６）によって、アルミニウム合金からなるディスクブランクが製造される。そして、製造したディスクブランクに対して切削加工・研削加工工程（ステップＳ１０７）等の前処理を行い、円環状のアルミニウム合金板を作製する。この基板にジンケート処理工程（ステップＳ１０８）及び無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理工程（ステップＳ１０９）を行い、磁気ディスク用アルミニウム合金基板が製造される。製造された磁気ディスク用アルミニウム合金基板（ブランク基板）は、粗研磨工程（ステップＳ１１０）及び精密研磨工程（ステップＳ１１１）に付され、磁性体の付着工程（ステップＳ１１２）によって磁気ディスクとなる。

以下、この図２のフローに従いつつ、各工程の内容を詳細に説明する。

まず、上述の成分組成を有するアルミニウム合金素材の溶湯を、常法に従って加熱・溶融することによって調製する（ステップＳ１０１）。次に、調製されたアルミニウム合金素材の溶湯を、半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法や連続鋳造（ＣＣ鋳造）法等により鋳造して、アルミニウム合金素材を鋳造する（ステップＳ１０２）。特に、竪型半連続鋳造が好ましい。ＤＣ鋳造法及びＣＣ鋳造法における、アルミニウム合金素材の製造条件等は、以下のとおりとなる。

ＤＣ鋳造法においては、スパウトを通して注がれた溶湯が、ボトムブロックと、水冷されたモールドの壁、ならびに、インゴット（鋳塊）の外周部に直接吐出される冷却水で熱を奪われ、凝固し、アルミニウム合金の鋳塊として下方に引き出される。

一方、ＣＣ鋳造法では、一対のロール（又は、ベルトキャスタ、ブロックキャスタ）の間に鋳造ノズルを通して溶湯を供給し、ロールからの抜熱でアルミニウム合金の薄板を直接鋳造する。

ＤＣ鋳造法とＣＣ鋳造法との大きな相違点は、鋳造時の冷却速度にある。冷却速度が大きいＣＣ鋳造法では、第二相粒子のサイズがＤＣ鋳造に比べ小さいのが特徴である。

ＤＣ鋳造されたアルミニウム合金鋳塊については、必要に応じて均質化処理を実施する（ステップＳ１０３）。均質化処理を行う場合は、２８０～６２０℃で０．５～３０時間の加熱処理を行うことが好ましく、３００～６２０℃で１～２４時間の加熱処理を行うことがより好ましい。均質化処理時の加熱温度が２８０℃未満又は加熱時間が０．５時間未満の場合は、均質化処理が不十分で、アルミニウム合金板毎の損失係数のバラツキが大きくなる虞がある。均質化処理時の加熱温度が６２０℃を超えると、アルミニウム合金鋳塊に溶融が発生する虞がある。均質化処理時の加熱時間が３０時間を超えてもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。

次に、必要に応じて均質化処理を施した、又は均質化処理を施していないアルミニウム合金鋳塊（ＤＣ鋳造）を熱間圧延し、板材とする（ステップＳ１０４）。熱間圧延するに当たっては、特にその条件は限定されるものではないが、熱間圧延開始温度を好ましくは２５０～６００℃とし、熱間圧延終了温度を好ましくは２３０～４５０℃とする。

次いで、熱間圧延した圧延板、又はＣＣ鋳造法で鋳造した鋳造板を冷間圧延して、例えば０．３０～０．６０ｍｍ程度のアルミニウム合金板とする（ステップＳ１０５）。冷間圧延の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚（厚さ寸法）に応じて定めれば良く、圧延率を１０～９５％とするのが好ましい。

なお、冷間圧延の前、あるいは冷間圧延の途中において、冷間圧延加工性を確保するために焼鈍処理を施すことが好ましい。焼鈍処理時の温度は、２５０～５００℃、特に３００～４５０℃とするのが好ましい。こうした条件で焼鈍処理を施すことにより、長期使用時にも変形を来し難くなり、良好な平坦度が保持され得る。より具体的な焼鈍条件として、例えばバッチ式の加熱ならば３００～４５０℃で０．１～１０時間保持、連続式の加熱ならば４００～５００℃で０～６０秒間保持の条件で行うことができる。ここで、保持時間が０秒とは、所望の保持温度に到達後直ちに冷却することを意味する。

そして、冷間圧延により得られたアルミニウム合金板を円環状に打ち抜き、円環状アルミニウム合金板とする。円環状アルミニウム合金板は、ブランキング・加圧平坦化処理（ステップＳ１０６）によってディスクブランクとすることが好ましい。ブランキング・加圧平坦化処理（「加圧焼鈍」ともいう。）は、アルミニウム合金の再結晶温度以上の温度で、３０～６０ｋｇ／ｃｍ^２程度の圧力を加えて行うことが好ましい。例えば、大気中で２５０～５００℃、特に３００～４００℃の温度で０．５～１０時間、特に１～５時間程度保持することにより、平坦化したブランクが作製される。

ディスクブランクには、次のジンケート処理等に先立ち、切削加工・研削加工（ステップＳ１０７）と必要に応じて加熱処理を行う。なお、後記する研磨工程、特に粗研磨工程に先立ち、ダミー研磨を行って研磨パッドの表面を管理しておくことが好ましい。

次に、ディスクブランク表面を脱脂、エッチングして、ジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施す（ステップＳ１０８）。脱脂は、例えば市販のＡＤ－６８Ｆ（上村工業株式会社製）脱脂液などを用い、濃度２００～８００ｍＬ／Ｌ、温度４０～７０℃、処理時間３～１０ｍｉｎの条件で行うことができる。エッチングは、例えば、市販のＡＤ－１０７Ｆ（上村工業株式会社製）エッチング液などを用い、濃度２０～１００ｍＬ／Ｌ、温度５０～７５℃、処理時間０．５～５ｍｉｎの条件で酸エッチングすることにより行っても良い。ジンケート処理では、ディスクブランク表面にジンケート皮膜が形成される。ジンケート処理は、市販のジンケート処理液を用いることができ、濃度１００～５００ｍＬ／Ｌ、温度１０～３５℃、処理時間０．１～５分間の条件で行うことが好ましい。ジンケート処理は、少なくとも１回なされ、２回以上行っても良い。ジンケート処理を複数回行うことで、微細なＺｎを析出させて均一なジンケート皮膜を形成することができる。

ジンケート処理を２回以上行う場合、その合間にＺｎ剥離処理を行っても良い。Ｚｎ剥離処理は、ＨＮＯ_３溶液を用い、濃度：１０～６０％、温度１５～４０℃、処理時間１０～１２０秒の条件で行うことが好ましい（そのため、「硝酸剥離処理」とも呼ばれる。）。また、２回目以降のジンケート処理は、最初のジンケート処理と同様の条件で実施することが好ましい。

さらに、ジンケート処理したディスクブランク表面に、磁性体付着の下地処理として例えば無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理（ステップＳ１０９）を施す。無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理工程は、市販のめっき液、例えば上村工業株式会社製のニムデン（登録商標）ＨＤＸを用い、Ｎｉ濃度：３～１０ｇ／Ｌ、温度：８０～９５℃、処理時間：３０～１８０分間の条件で行うことが好ましい。

無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理後のめっき表面に、後記するような研磨処理を行い（ステップＳ１１０～Ｓ１１１）、磁気ディスク用基板とする。この基板に磁性体を付着させ（ステップＳ１１２）、所望により積層することにより、ハードディスク等の磁気ディスクを製造することができる。磁性体の付着は、例えばスパッタリング等によって行うことができる。

なお、外周側領域のＳａは、磁性体を付着する前の磁気ディスク用基板について測定してもよいが、後記するように磁性体付着後に測定してもよい。磁性体は十分に薄く、外周側領域のＳａの数値に影響を与えないためである。

＜ガラス基板の製造方法＞
図３は、本発明に従う磁気ディスク用ガラス基板の製造工程の一例を示すフロー図である。はじめに、所定の厚さのガラス板を準備する（ステップＳ２０１～Ｓ２０２）。次に、準備したガラス板をコアリングして、内外周の端面研磨加工を行うことで、円環状のガラス基板を成形・加工する（ステップＳ２０３～Ｓ２０４）。つぎに、成形したガラス基板を、所望によりダイヤモンドペレット等を用いたラッピング工程（ステップＳ２０５）に付す。続いて、あるいはステップＳ２０４の後に、ガラス基板を上下から一括して研磨パッドで挟圧し、複数のガラス基板を例えば酸化セリウム砥粒により、同時に研磨する粗研磨工程を行い（ステップＳ２０６）、所望により化学強化処理（ステップＳ２０７）を施した後、例えばコロイダルシリカ砥粒による精密研磨工程を行う（ステップＳ２０８）。次いで、磁性体の付着工程（ステップＳ２０９）によって磁気ディスクを製造する。

以下、この図３のフローに従いつつ、各工程の内容を具体的に説明する。

まず、上述の成分組成を有するガラス素材の融液を、常法に従って加熱・溶融することによって調製する（ステップＳ２０１）。次に、調製されたガラス素材の融液を、フロート法、ダウンドロー法、ダイレクトプレス法、リドロー法、フェージョン法などの公知の製造方法により、ガラス板へと成形する（ステップＳ２０２）。ここで、フロート法等を用いて製造した母材ガラス板を加熱して軟化し、所望の厚さに延伸するリドロー法を用いれば、厚さのばらつきが小さいガラス板を比較的容易に製造できるので好ましい。

次に、ステップＳ２０２で得られたガラス板から、コアリング工程によって円環状のガラス基板を成形する（ステップＳ２０３）。切削・研削加工（ステップＳ２０４）によって、内外周の端面を研磨しても良い。成形したガラス基板（ガラスブランク）は、２面の主表面を有し、中央部に円孔が形成された円環状の板となる。

得られたガラスブランクに、焼鈍処理（アニール処理）を施しても良い。焼鈍処理は例えば、ガラスブランクを歪点付近の温度に１５分間程度以上保持し、３～１２時間程度かけて徐冷することによって行うことができる。焼鈍処理時の温度は、ガラス材質にもよるが、２５０～７５０℃、特に５００～７００℃とするのが好ましい。こうした条件で焼鈍処理を施すことにより、長期使用時にも変形を来し難くなり、良好な平坦度が保持され得る。より具体的な焼鈍条件として、例えばバッチ式の加熱ならば５００～６５０℃で０．１～１０時間保持、連続式の加熱ならば５００～７５０℃で０～６０秒間保持の条件で行うことができる。ここで、保持時間が０秒とは、所望の保持温度に到達後直ちに冷却することを意味する。本発明のガラス基板はまた、例えば上記したような組成の市販のガラス板を、円環状に成形し、焼鈍処理して製造することも可能である。

次に、ステップＳ２０５において、形成した円環状の板に対し任意的にラッピング工程を実施することで、板厚を調整する。なお、ステップＳ２０４までの工程で得られたガラス基板の板厚次第では、ラッピング工程Ｓ２０５を省略し、下記の研磨工程に移ってもよい。例えば、リドロー法により製造されたガラス板は、一般に厚さばらつきが小さいので、ラッピング工程Ｓ２０５を実施しなくてもよい。ガラス板をフロート法やダイレクトプレス法で製造した場合は、ラッピング工程Ｓ２０５を行うことが望ましい。ラッピング工程は、例えばダイヤモンドペレットを用いたバッチ式の両面研磨機を用いて実施することができる。

上記のようにして得られたガラス基板（ブランク基板）の表面に、後記のような研磨処理を行い（ステップＳ２０６～Ｓ２０８）、磁気ディスク用基板とする。この基板に磁性体を付着させ（ステップＳ２０９）、所望により積層することにより、ハードディスク等の磁気ディスクを製造することができる。

上記研磨処理においては、粗研磨（ステップＳ２０６）と精密研磨（ステップＳ２０８）の間に、ガラス基板に化学強化処理（ステップＳ２０７）を施すことが好ましい。化学強化によって、ガラス基板表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換される結果、表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化され得る。化学強化処理法に特に制限はなく、例えばガラス基板を、３００～４００℃に加熱した化学強化液に３～４時間程度浸漬することによって行うことができる。ここで、化学強化液にも特に制限はなく、例えば硝酸カリウム（６０重量％）と硫酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用いることができる。なお、ガラス基板は化学強化処理前に洗浄し、２００～３００℃程度に予熱しておくことが好ましい。また、化学強化処理されたガラス基板は洗浄処理に付されることが好ましい。例えば、硫酸等の酸で洗浄した後に、さらに純水等で洗浄すればよい。

＜研磨処理＞
磁気ディスク用基板は一般に、基板の材質がどのようなものであっても、磁性体を付着させるに先立ち、平坦化のための研磨処理に付される。この研磨工程では、研磨砥粒の径を調整した複数段階での研磨を行うことが好ましい。一般に、両面同時研磨機を用いて、粗研磨及び精密研磨を行うことが好ましく、本発明の磁気ディスク用基板も、市販のバッチ式の両面同時研磨機を用いて研磨することができる。なお、粗研磨に先立ち、ダミー研磨を行って研磨パッドの表面を管理しておくことが好ましい。

（両面研磨機）
両面同時研磨機は通常、鋳鉄製の上定盤及び下定盤、複数の基板を上定盤と下定盤との間に保持するキャリア、並びに、上定盤及び下定盤の基板接触面に取り付けられた研磨パッドとを備える。研磨処理においては通常、キャリアによって上定盤と下定盤との間に複数の基板を保持し、上定盤と下定盤とによって各基板を所定の加工圧力で挟圧する。すると、各基板は上下から一括して研磨パッドによって挟圧される。次に、研磨パッドと各基板との間に研磨液を所定の供給量で供給しながら、上定盤と下定盤とを互いに異なる向きに回転させる。この際、キャリアもサンギアによって自転するため、基板は遊星運動を行う。これによって、基板は研磨パッドの表面を摺動し、両表面が同時に研磨される。

両面研磨機の種類や構造の詳細については、特に制限はなく、市販のどのような装置を使用してもよい。ここで、両面研磨機において基板を保持するキャリアの厚さ寸法が、基板の厚さ寸法に対して０．０５～０．１５ｍｍだけ小さいことが好ましく、特に０．０７～０．１２ｍｍだけ小さいことがより好適である。こうしたキャリアであれば、外周側領域において、Ｓａの最大値が０．５０ｎｍ以下、特にＳａの平均値が０．４ｎｍ以下のディスクを、より確実に製造することができる。Ｓａの大きな部位は、主に粗研磨工程で生じる場合が多いため、特に粗研磨工程で使用する研磨機中のキャリアの厚さ寸法を、基板の厚さ寸法に比べて、０．０５ｍｍから０．１５ｍｍの厚さ寸法だけ小さくすることが好ましい。

（粗研磨）
粗研磨処理の方法に特に制限はなく、基板の材質に応じた任意の条件で行うことができる。例えば、アルミニウム合金板の粗研磨は、粒径が０．１～１．０μｍのアルミナを含む研磨液と、硬質又は軟質のポリウレタン等からなる研磨パッドとを用いて行うことができる。また、ガラス基板の粗研磨は、粒径が０．１～１．０μｍの酸化セリウムを含む研磨液と、硬質のポリウレタン等からなる研磨パッドとを用いて行うことができる。しかしながら粗研磨処理の条件はこれらに限定されず、公知の研磨処理条件から所望のものを選定することができる。例えば、上記のアルミナや酸化セリウムの代わりに、所望の粒径のシリカ、酸化ジルコニウム、ＳｉＣ、ダイヤモンド等の砥粒を使用しても良い。なお、硬質とは日本ゴム協会標準規格(準拠規格：ＳＲＩＳ０１０１）に定める測定方法で測定した硬度（アスカーＣ）が８５以上のもの、軟質とは硬度が６０～８０のものをいう。

具体的な粗研磨条件は、用いた基板の材質や粗研磨に付すまでの工程（例えばアルミニウム合金基板の製造におけるステップＳ１０１～Ｓ１０９、ガラス基板の製造におけるステップＳ２０１～Ｓ２０５）によっても影響され、一義的に決定することが難しい。また、特定の条件に限定されるものでもない。例えばアルミニウム合金基板の粗研磨条件は、研磨時間２～５分、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、加工圧力を２０～２５０ｇ／ｃｍ^２、好ましくは２０～１５０ｇ／ｃｍ^２、さらに好ましくは６０～１２０ｇ／ｃｍ^２、研磨量を２．５～３．５μｍとすることができる。

ガラス基板の粗研磨の条件も、特に限定されない。例えば硬度８６～８８の硬質の研磨パッドを用い、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、加工圧力を２０～２５０ｇ／ｃｍ^２、好ましくは２０～１５０ｇ／ｃｍ^２、さらに好ましくは６０～１２０ｇ／ｃｍ^２、研磨時間２～１０分とすることが好ましい。

（ダミー研磨）
研磨処理の際には、上記のような粗研磨に先立ち、ダミー研磨を行って研磨パッドの表面を管理しておくことが好ましい。一般にダミー研磨工程は、ダミー基板を使用し、粗研磨工程と同様、好ましくは同一の条件で行う。使用するダミー基板は、特に制限はなく、例えばガラス基板の粗研磨の前にアルミニウム合金基板を用いてダミー研磨を行うこともできるが、製品のブランク基板と同種、特に製品のブランク基板と同様の条件で製造したブランク基板を用いることが好ましい。本発明におけるダミー研磨工程においては例えば、カットオフ波長を０．４～５．０ｍｍとした長波長側領域で測定したときの算術平均うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで研磨して、研磨パッド表面を管理することもできる。

本発明者らが見出したところによると、外周側領域のＳａは算術平均うねりＷａと相関があり、Ｗａを基準に管理された研磨パッドを用いて、外周側領域のＳａ最大値が０．５０ｎｍ以下の磁気ディスク用基板を製造し得る。ダミー研磨工程における算術平均うねりＷａは、慣用の方法で測定することができ、例えばＰｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製 Ｏｐｔｉｆｌａｔ（商品名）を使用して、ダミー基板の主面の片面全面を測定すればよい。

こうしたダミー研磨によって、上記の粗研磨工程で用いる研磨パッドの表面を好適な状態に調整することができる。なお、ダミー研磨は任意的な工程であり、研磨パッド表面が調整・管理されていれば省略してもよい。例えば粗研磨ロットの開始に先立ってダミー研磨を行い、調整後の研磨パッドで製品用ブランク基板の粗研磨を複数バッチ繰り返して行うことが可能である。

（精密研磨）
精密研磨の方法にも特に制限はなく、種々の公知の方法で行うことができる。例えばアルミニウム合金基板の精密研磨は、粒径が０．０１～０．１０μｍ程度のコロイダルシリカを含む研磨液と軟質の研磨パッドを用いて行うことができる。また、ガラス基板の精密研磨は、粒径が０．０１～０．１０μｍ程度、特に１０～５０ｎｍ程度のコロイダルシリカを含む研磨液と、発泡ウレタン等からなるより軟質の研磨パッドとを用いて行うことができる。勿論、精密研磨の条件もこれらに限定されない。所望の粒径の酸化セリウム、酸化ジルコニウム、ＳｉＣ、ダイヤモンド等の砥粒を使用しても良い。また、こうした処理によって、基板の主表面が鏡面に研磨され、磁気ディスク用基板が製造される。なお、研磨後の基板は、中性洗剤、純水、ＩＰＡ等を用いて洗浄することが好ましい。

精密研磨の具体的な条件も、用いた基板の材質や粗研磨までの工程により影響されるため一義的に決定することが難しく、また、特定の条件に限定されるものでもない。例えばアルミニウム合金基板の精密研磨においては、研磨時間２～５分、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、加工圧力を例えば１０～２００ｇ／ｃｍ^２、好ましくは２０～１２０ｇ／ｃｍ^２、特に５０～１００ｇ／ｃｍ^２、研磨量を１．０～１．５μｍとすることができる。

ガラス基板の精密研磨の条件も、特に限定されない。例えば、硬度７５～７７の軟質の研磨パッドを用い、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、加工圧力を例えば１０～２００ｇ／ｃｍ^２、中でも２０～１２０ｇ／ｃｍ^２、特に５０～１００ｇ／ｃｍ^２、研磨時間２～１２分とすることが好ましい。

＜磁気ディスク用基板＞
上記のような方法により、本発明の磁気ディスク用基板を製造することができる。本発明の磁気ディスク用基板は、ウェービーサーフェス欠陥が低減し、ハードディスクの信頼性が大幅に向上する。

＜磁気ディスク＞
外周側領域のＳａは、前記したように磁性体付着後に測定してもよい。上記実施形態の磁気ディスク用基板について規定したＳａの最大値、平均値、標準偏差等の値は、磁性体が付された磁気ディスクで体現されていても、ヘッドクラッシュの抑制という本発明の課題を解決できる。本発明はまた、少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が、０．５０ｎｍ以下である、磁気ディスクを包含する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の概念及び特許請求の範囲に含まれるあらゆる態様を含み、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

例えば、基板上に磁性体層、保護膜層、潤滑膜層（磁性体層等）を備えた磁気ディスク等、どのようなものであっても、算術平均高さＳａの最大値が０．５０ｍｍ以下であれば、フラッタリングに起因するウェービーサーフェスが低減するため、本願の課題が達成される。

以下に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。

［実施例１］
Ａ５０８６合金（アルミニウム合金Ａ）を常法に従って溶解した後にＤＣ鋳造し、長さ７６００ｍｍ、幅１３１０ｍｍ、板厚５００ｍｍのスラブを作製した。この作製したスラブの表裏面を各１０ｍｍずつ面削し、５４０℃で６時間の均質化処理を行った後、５４０℃で熱間圧延を開始し、板厚３．０ｍｍとした。この熱間圧延板を冷間圧延し、板厚０．４８ｍｍとした。この冷間圧延板を、内径φ２４ｍｍ×外径φ９８ｍｍにプレスで打抜き、３０ｋｇ／ｃｍ^２の加圧下で３２０℃、３時間の加圧焼鈍を行って平坦化した。さらに、内外周を切削加工することで内径寸法φ２５ｍｍ×外径寸法φ９７ｍｍとした。この際、同時に内外周端面へチャンファー加工を施した。

この基板を４０００番ＳｉＣ砥石で表面研削し、板厚０．４６ｍｍとした。この際、キャリア板厚は０．４０ｍｍとした。この基板に、脱脂処理、酸エッチング処理を順次行った後にジンケート処理を施した。
脱脂処理は、例えば上村工業株式会社製のＡＤ－６８Ｆの脱脂液を用い、濃度：５００ｍＬ／Ｌ、温度：４５℃、処理時間：３分間の条件で行った。酸エッチング処理は、例えば上村工業株式会社製のＡＤ－１０７Ｆのエッチング液を用い、濃度：５０ｍＬ／Ｌ、温度：６０℃、処理時間：２分間の条件で行った。ジンケート処理は、硝酸剥離処理を挟んだ２回のジンケート処理で行い、具体的には、第１ジンケート処理、純水洗浄、硝酸剥離処理、純水洗浄、及び第２ジンケート処理の順で行った。第１ジンケート処理は、例えば、上村工業株式会社製のＡＤ－３０１Ｆ－３Ｘのジンケート処理液を用い、濃度：２００ｍＬ／Ｌ、温度：２０℃、処理時間：１分間の条件で行った。硝酸剥離処理は、硝酸濃度：３０体積％、温度：２５℃、処理時間：１分間の条件で行った。第２ジンケート処理は、第１ジンケート処理と同一の条件で行った。

その後、無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理を行った。無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理は、上村工業株式会社製のニムデン（登録商標）ＨＤＸの無電解めっき液を用い、Ｎｉ濃度：６ｇ／Ｌ、温度：８８℃、処理時間：１３０分間の条件で行い、各１３μｍ厚の無電解Ｎｉ－Ｐめっき皮膜を両面に形成した。

無電解Ｎｉ－Ｐめっき後の基板の両面（表裏面）に粗研磨処理を施した。粗研磨処理は、硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッドと、粒径０．４μｍのアルミナ砥粒とを用い、両面研磨により行った。粗研磨工程のキャリア板厚は、０．４０ｍｍとした。なお、粗研磨工程においては、研磨定盤の回転数を３０ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を３５００ｃｃ／ｍｉｎ、加工圧力を１００ｇ／ｃｍ^２とした。

なお、上記の粗研磨処理に先立ち、ダミー研磨を行った。ダミー研磨には、上記と同様にして作製した、無電解Ｎｉ－Ｐめっき後の別の基板をダミー基板として使用した。上記粗研磨条件と同一の条件でダミー研磨を複数回行ったところ、６回目でダミー基板のＯｐｔｉｆｌａｔ Ｗａ（カットオフ波長を０．４～５．０ｍｍとした長波長側領域で測定したときの算術平均うねり：長波長うねり）が２．５ｎｍ未満（２．１９ｎｍ）となったため、これをもってダミー研磨を終了した。なお、ダミー基板の算術平均うねりＷａの測定は、Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製 Ｏｐｔｉｆｌａｔ（商品名）を使用し、粗研磨後におけるダミー基板の片面全体について行った。

粗研磨後の基板を純水で洗浄後、精密研磨を施して、板厚（厚さ寸法）０．４８ｍｍの磁気ディスク用基板を作製した。精密研磨は、硬度７６の軟質ウレタン研磨パッドと、粒径０．０８μｍのコロイダルシリカ砥粒とを用い、研磨時間を５分間とし、加工圧力を５０～１００ｇ／ｃｍ^２としたこと以外は、粗研磨と同様の条件で行った。

［比較例１］
粗研磨において、キャリアの厚さ寸法が０．３ｍｍの両面研磨機を使用した以外は、実施例１と同様の操作を行い、磁気ディスク用基板を作製した。

［実施例２］
ＳｉＯ_２：６５質量％、Ａｌ_２Ｏ_３：１８質量％、Ｌｉ_２Ｏ：４質量％、Ｎａ_２Ｏ：１質量％、Ｋ_２Ｏ：０．２質量％、ＣａＯ：４質量％、ＺｒＯ_２：０．８質量％を含有する成分組成を有するガラス素材の融液を、１６００～１７００℃で加熱・溶融することによってガラス素材を調製した（ステップＳ２０１）。次に、調製されたガラス素材の融液を、リドロー法を用いて、１００ｍｍ、長さ１０ｍのアルミノシリケートガラス板へと成形した（ステップＳ２０２）。その後、厚さが０．６ｍｍに近いガラス板を選別してコアリング及び内外周の端面研磨（ガラスディスク内外径の切削、寸法調整、チャンファー加工、チャンファー加工部の研削加工）を行って、外径寸法が９７ｍｍ、円孔の内径寸法が２５ｍｍの円環状のガラス基板を成形した（ステップＳ２０３～Ｓ２０４）。

その後、成形したガラス基板を両面研磨機にセットし、粗研磨処理及び精密研磨処理を施して、板厚０．４８ｍｍの磁気ディスク基板を作製した。粗研磨工程のキャリア板厚は０．４０ｍｍとした。なお、本実施例においてはブランク基板をリドロー法により作製し、板厚ばらつきは無視し得たため、Ｓ２０５のラッピング工程は省略した。また、研磨パッドも好適な状態に管理されていたので、ダミー研磨も不実施とした。粗研磨処理は、硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッドと、平均粒径が０．１９μｍの酸化セリウム研磨砥粒に純水を加えて遊離砥粒とした研磨液とを使用した。また、研磨定盤の回転数を２５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１５００ｃｃ／ｍｉｎ、加工圧力を１２０ｇ／ｃｍ^２として、実施例１と同様に行った。

精密研磨処理は、硬度が７６の軟質ウレタン研磨パッドと、平均粒径が０．０８μｍのコロイダルシリカに純水を加えて遊離砥粒とした研磨液とを使用し、研磨時間を８．５分間、加工圧力を５０～１２０ｇ／ｃｍ^２として、実施例１と同様に行った。得られた基板の厚さ寸法は、実測値も０．４８ｍｍであった。

［比較例２］
粗研磨のキャリアを０．３ｍｍとした以外は、実施例２と同様の操作を行い、磁気ディスク用基板を作製した。外周側領域のＳａの測定結果を表１に示す。

作製した各磁気ディスク用基板について、外周側領域のＳａを測定した。測定方法は以下の通りである。
（外周側領域のＳａ）
外周側領域のＳａは、株式会社日立ハイテクサイエンス製ＶＳ１８００に、倍率が２．５倍の対物レンズを取り付けた装置で測定した。図１に示すように外周側領域に均等に位置し、かつディスクの外周縁３から１ｍｍだけ中心側の仮想外円５の内側に接した４．７５ｍｍ角の８視野において、カットオフ波長を１．０ｍｍ（ガウシアンフィルタ）とした中波長側領域の算術平均高さＳａをＩＳＯ２５１７８に従って測定し、最大値や平均値等を算出した。

測定結果に基づき、以下の基準によって各磁気ディスク用基板を評価した。結果を表１に示す。
「〇」：外周側領域のＳａの最大値が０．５０ｎｍ以下である場合
「×」：外周側領域のＳａの最大値が０．５０ｎｍ超である場合

なお、上記基準で「〇」となる磁気ディスク用基板は、ハードディスクドライブ製造工程での試験で問題なしと判定された。一方、×となる磁気ディスク用基板は同試験で問題ありとされた。そのため、以下の表１では、これら「〇」や「×」の記号を、ハードディスク（ＨＤ）性能の指標として記載してある。

本発明に従い、外周側領域の８視野領域における算術平均高さＳａの最大値が０．５０ｎｍ以下の実施例１及び２の磁気ディスク用基板は、ハードディスクドライブ製造工程での試験においても、問題を生じなかった。一方で同最大値が０．５０ｎｍ超の比較例１及び２の磁気ディスク用基板は、ハードディスクドライブ製造工程の試験で問題を生じた。本発明によれば、薄肉でありながら、ディスク外周側領域のうねり（ウェービーサーフェス欠陥）が抑制され、ハードディスクドライブにおいて問題を生じ難い磁気ディスク用基板が提供されることが明らかとなった。

１ 磁気ディスク用基板
２ 外周側領域
３ 外周縁
４ 仮想内円
５ 仮想外円
６ 視野領域

Claims (5)

1. 少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が、０．５０ｎｍ以下であり、かつ
   前記算術平均高さＳａの標準偏差が０．１０ｎｍ以下である、磁気ディスク用基板。
2. 前記算術平均高さＳａの平均値が０．４０ｎｍ以下である、請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
3. 厚さ寸法が０．５０ｍｍ未満である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
4. 外径寸法が９５ｍｍ以上である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
5. 少なくとも片面の外周側領域に位置する複数の視野領域にて、ＩＳＯ２５１７８に規定される算術平均高さＳａを、走査型光干渉法を用い、カットオフ波長を１．０ｍｍとするガウシアンフィルタを介して中波長側領域でそれぞれ測定したときの最大値が、０．５０ｎｍ以下であり、かつ
   前記算術平均高さＳａの標準偏差が０．１０ｎｍ以下である、磁気ディスク。
   

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