WO2023027142A1 - 磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスク - Google Patents

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WO2023027142A1
WO2023027142A1 PCT/JP2022/032023 JP2022032023W WO2023027142A1 WO 2023027142 A1 WO2023027142 A1 WO 2023027142A1 JP 2022032023 W JP2022032023 W JP 2022032023W WO 2023027142 A1 WO2023027142 A1 WO 2023027142A1
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polishing
magnetic disk
substrate
blank
wavelength
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PCT/JP2022/032023
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英之 畠山
浩一郎 滝口
Original Assignee
古河電気工業株式会社
株式会社Uacj
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic disk substrate, its manufacturing method, and a magnetic disk.
  • hard disks including hard disk devices such as hard disk drives
  • the increase in capacity of hard disks can be achieved by increasing the number of loaded magnetic disk substrates by thinning the magnetic disk substrates, increasing the diameter of the magnetic disk substrates, and the like.
  • the size of hard disk housings is standardized, and it is difficult to increase the diameter of magnetic disk substrates housed therein. Therefore, there is a strong demand for thinner substrates for magnetic disks.
  • a magnetic disk mounted on (equipped with) a hard disk is generally formed by providing a magnetic layer or the like on the main surface of a disk-shaped magnetic disk substrate.
  • Various substrates have been proposed for such magnetic disk substrates. Disclosed is a glass substrate for a magnetic disk in which the amount of change in flatness and surface waviness in the state of a disk blank before polishing are set within specific ranges.
  • Patent Document 1 studies on waviness and roughness of magnetic disk substrates have been conducted (for example, Patent Document 1) for the purpose of suppressing thermal asperity failure.
  • Patent Document 1 studies on waviness and roughness of magnetic disk substrates have focused on waviness and/or roughness before use as a magnetic disk, such as before and after precision polishing of magnetic disk substrates.
  • no consideration has been paid to the long-wavelength waviness Wa and short-wavelength waviness ⁇ Wa after the thermal shock test, which is performed as an accelerated test simulating the actual use environment.
  • the number of magnetic disks to be loaded increases, that is, the thickness of the magnetic disk substrate constituting the magnetic disk is reduced.
  • magnetic disk substrates when incorporated into a hard disk as a magnetic disk, are used (driven) for a long period of 1,000,000 to 1,500,000 hours. In some cases, the undulation of the substrate becomes large, which is a factor in lowering the followability of the magnetic head.
  • the followability of the magnetic head, which is arranged on the main surface of the magnetic disk at a predetermined interval (for example, 10 nm), to the main surface of the magnetic disk substrate is lowered, and in turn the hard disk cannot be driven for a long period of time. Desired reading and writing sometimes becomes impossible, reducing reliability (long-term reliability).
  • An object of the present invention is to provide a magnetic disk substrate and a magnetic disk that can maintain the long-term reliability of the hard disk while making it possible to cope with increasing the capacity of the hard disk (increase in the number of loaded disks).
  • Another object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a magnetic disk substrate having the above characteristics.
  • a magnetic disk substrate or a magnetic disk thinned to less than 0.5 mm has a specific property assuming an actual usage environment. It was found that the surface waviness generated on the main surface after the thermal shock test is one of the factors that reduce the long-term reliability of the hard disk.
  • the short-wavelength waviness ⁇ Wa with a cutoff wavelength of 0.08 to 0.45 mm is set to 0.15 nm or less, for example, 0.05 to 0.15 nm,
  • the present invention has been completed through further studies based on these findings.
  • a magnetic disk substrate having a pair of main surfaces, At least one of the main surfaces has a long-wavelength waviness Wa of 2.0 nm or less with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm at 25 ° C. after the following thermal shock test, and a cutoff wavelength of 0.08 to A magnetic disk substrate having a short wavelength waviness ⁇ Wa of 0.45 mm of 0.15 nm or less.
  • Thermal shock test> In the thermal shock test, the magnetic disk substrate is heated at 120° C. for 30 minutes and then cooled at -40° C. for 30 minutes, and this cycle is repeated 200 times.
  • a substrate for a magnetic disk wherein the long-wavelength waviness Wa is 0.5 nm or more and the short-wavelength waviness ⁇ Wa is 0.05 nm or more.
  • the magnetic disk substrate according to [1] or [2] which has a thickness of less than 0.50 mm.
  • a magnetic disk having a pair of main surfaces, At least one of the main surfaces has a long-wavelength waviness Wa of 2.0 nm or less with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm at 25 ° C. after the following thermal shock test, and a cutoff wavelength of 0.08.
  • Thermal shock test> In the thermal shock test, the magnetic disk is heated at 120° C. for 30 minutes and then cooled at ⁇ 40° C. for 30 minutes, and this cycle is repeated 200 times.
  • a pre-process of the rough polishing process a dummy substrate manufactured under the same conditions as the disk blank is subjected to the same conditions as the rough polishing process by using two polishing pads used in the rough polishing process.
  • the disk blank is roughly polished using the polishing pad whose surface condition has been adjusted.
  • the numerical range represented by “-” means a range that includes the numerical values before and after "-" as the lower and upper limits, respectively.
  • the magnetic disk substrate of the present invention When the magnetic disk substrate of the present invention is mounted on a hard disk as a magnetic disk with a magnetic layer provided on the main surface, it is possible to realize a high capacity hard disk and maintain long-term reliability of the hard disk. .
  • the magnetic disk of the present invention also has similar effects. According to the magnetic disk substrate manufacturing method of the present invention, a magnetic disk substrate and a magnetic disk having the above characteristics can be manufactured.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating an example of an aluminum alloy substrate for a magnetic disk and a method of manufacturing a magnetic disk using the same.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a magnetic disk glass substrate and a method of manufacturing a magnetic disk using the same.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing measurement points of short-wave swells in the example.
  • the magnetic disk substrate is a substrate used in the manufacture of a magnetic disk, and its material and shape are not particularly limited. It can be body.
  • a magnetic disk substrate has a pair of opposing main surfaces.
  • At least one of the main surfaces has a long-wavelength waviness Wa of 2.0 nm or less, for example, 0 at 25° C. after the following thermal shock test, with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm. .5 to 2.0 nm, and the short-wavelength waviness ⁇ Wa at a cutoff wavelength of 0.08 to 0.45 mm is 0.15 nm or less, for example, 0.05 to 0.15 nm.
  • one of the main surfaces (usually, the main surface facing the magnetic head) satisfies the long-wavelength waviness Wa and the short-wavelength waviness ⁇ Wa after the thermal shock test; and a mode in which two of the main surfaces satisfy the long-wavelength waviness Wa and the short-wavelength waviness ⁇ Wa after the thermal shock test.
  • Thermal shock test In the thermal shock test, the magnetic disk substrate is heated at 120° C. for 30 minutes and then cooled at -40° C. for 30 minutes, and this cycle is repeated 200 times.
  • the thermal shock test can be performed by the method described in Examples. This thermal shock test is performed using a magnetic disk substrate on which no magnetic layer is formed. , long-wave and short-wave waviness are substantially unaffected.
  • the above thermal shock test assumes a thermal shock in an environment that is more severe than the actual usage environment of the hard disk. It is possible to evaluate the durability of the magnetic disk substrate (and magnetic disk) against sudden changes in environmental temperature.
  • the long-wavelength waviness Wa of the cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm is 2.0 nm or less, for example, 0.5 to 2.0 nm, and the cutoff wavelength is 0.08 to 0.45 mm. If the short-wavelength waviness ⁇ Wa is 0.15 nm or less, for example, in the range of 0.05 to 0.15 nm, the magnetic head can be built into a hard disk and used for 1,000,000 to 1,500,000 hours under normal operating conditions.
  • the conformability to the main surface of the magnetic disk substrate is unlikely to deteriorate. That is, even in long-term use, scanning can be performed without interference between the main surface and the magnetic head, and data can be read. In this way, the long-term reliability of the hard disk can be enhanced.
  • the above-mentioned “long-wavelength waviness Wa with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm” refers to the cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm on the main surface of the magnetic disk substrate. Refers to the arithmetic mean waviness measured in the range of .0 mm.
  • the above-mentioned “short-wavelength waviness ⁇ Wa with a cutoff wavelength of 0.08 to 0.45 mm” (hereinafter sometimes simply referred to as “ ⁇ Wa”) refers to the cutoff wavelength of 0.08 to 0.08 mm on the main surface of the magnetic disk substrate.
  • the “cutoff wavelength” is a wavelength set to exclude components that do not fall within the cutoff wavelength range from the measured cross-sectional curve when obtaining long-wavelength swells or short-wavelength swells.
  • Wa and ⁇ Wa of the main surface of the magnetic disk substrate are measured after the thermal shock test. Wa and ⁇ Wa after the thermal shock test can be measured by the methods described in Examples.
  • Wa in the range of 0.5 to 2.0 nm and ⁇ Wa in the range of 0.05 to 0.15 nm.
  • ⁇ Wa in the range of 0.05 to 0.15 nm.
  • Wa after the thermal shock test is preferably 0.5 to 1.8 nm, more preferably 0.5 to 1.6 nm.
  • ⁇ Wa after the thermal shock test is preferably 0.05 to 0.13 nm, more preferably 0.05 to 0.11 nm.
  • Wa after the thermal shock test and ⁇ Wa after the thermal shock test in the case of aluminum alloy substrates described later, should be within the above ranges by implementing DC casting, setting pressure annealing conditions, setting polishing conditions, etc. can be done. In the case of a glass substrate, which will be described later, the above range can be achieved by setting the polishing conditions.
  • the thickness of the magnetic disk substrate can be the same as the thickness of a normal magnetic disk substrate, and can be made even thinner.
  • the plate thickness of the magnetic disk substrate is preferably less than 0.50 mm, which enables realization of a high capacity hard disk.
  • the lower limit of the thickness of the magnetic disk substrate is not particularly limited, it is practically 0.30 mm or more.
  • the outer diameter of the magnetic disk substrate can be the same as the outer diameter of a normal magnetic disk substrate.
  • the outer diameter of the magnetic disk substrate of the present invention is preferably 95 mm or more.
  • the upper limit is limited by the inner dimensions of the case, and 97 mm or less is practical.
  • the inner diameter of the magnetic disk substrate can be the same as the inner diameter of a normal magnetic disk substrate.
  • the inner diameter of the magnetic disk substrate of the present invention is preferably 26 mm or less. The lower limit is restricted by the outer diameter of the rotating shaft, and 25 mm or more is practical.
  • the magnetic disk substrate of the present invention can be used as a magnetic disk by forming a magnetic layer on at least one of its main surfaces. It is preferable to form a magnetic layer on both main surfaces.
  • a magnetic layer can be provided in the same manner as a normal magnetic disk.
  • the resulting magnetic disk can be used, for example, for a nominal 3.5 inch hard disk. Thicknesses of 20 mm, 26 mm, etc. are known as the thickness of main housings for 3.5-inch hard disks. If the thickness of the magnetic disk is 0.5 mm, the number of magnetic disks that can be mounted in a 26 mm-thick case for a normal 3.5-inch hard disk is 9 or less. However, by setting the plate thickness of the magnetic disk to less than 0.5 mm, it becomes possible to mount ten or more magnetic disks in the hard disk without increasing the thickness of the housing to greatly exceed 26 mm.
  • materials for magnetic disk substrates materials are generally used that can provide substrates with good mechanical properties and workability, and excellent resistance to defects.
  • aluminum alloys, and glass can be used.
  • a magnetic disk substrate manufactured using an aluminum alloy is sometimes referred to as an aluminum alloy substrate
  • a magnetic disk substrate manufactured using glass is sometimes referred to as a glass substrate.
  • the magnetic disk substrate of the present invention can be used as a magnetic disk substrate for any recording system. It is preferably used as a substrate. When it is used as a magnetic disk substrate for HAMR, it is preferable to use a glass substrate having excellent heat resistance. Either a glass substrate or an aluminum substrate can be used for a magnetic disk substrate for MAMR.
  • the aluminum alloy used for the aluminum alloy substrate preferably contains conventionally used elements such as Mg, Cu, Zn and Cr. Elements such as Fe, Mn, and Ni, which can improve rigidity, can also be contained.
  • Al-Mg system alloy As the aluminum alloy, an Al--Mg system alloy, an Al--Fe--Mn--Ni system alloy, and an Al--Fe--Mn--Mg--Ni system alloy can be used.
  • Al-Mg alloy for example, A5086 (Mg: 3.5 to 4.5% by mass, Fe: 0.50% by mass or less, Si: 0.40% by mass or less, Mn: 0.20 to 0.20% by mass, 7% by mass, Cr: 0.05 to 0.25% by mass, Cu: 0.10% by mass or less, Ti: 0.15% by mass or less, and Zn: 0.25% by mass or less, and the balance is Al and consisting of unavoidable impurities) can be used.
  • a preferred embodiment of the aluminum alloy contains Mg: 1.0 to 6.5% by mass, Cu: 0.070% by mass or less, Zn: 0.60% by mass or less, Fe: 0.50% by mass or less, Si : 0.50% by mass or less, Cr: 0.20% by mass or less, Mn: 0.50% by mass or less, Zr: 0.20% by mass or less, Be0.0020% by mass or less. It is an aluminum alloy containing aluminum and the balance consisting of aluminum and unavoidable impurities.
  • Another preferred aspect of the aluminum alloy contains Fe as an essential element and one or two of Mn and Ni as optional elements as a rigidity improving material, and the total content of these Fe, Mn and Ni has a relationship of 1.00 to 7.00% by mass, and further, Si: 14.0% by mass or less, Zn: 0.7% by mass or less, Cu: 1.0% by mass or less, Mg: 3.5 mass% or less, Cr: 0.30 mass% or less, Zr: 0.20 mass% or less, Be: 0.0015 mass% or less, Sr: 0.1 mass% or less, Na: 0.1 mass% or less, P : An aluminum alloy containing one or more of 0.1% by mass or less and the balance being aluminum and inevitable impurities. Such aluminum alloys are called Al--Fe--Mn--Ni system alloys or Al--Fe--Mn--Mg--Ni system alloys, depending on the components they contain.
  • Each of the above aluminum alloys may contain elements other than the elements described above.
  • the content of elements other than the elements described above can be, for example, 0.1% by mass or less for each element, and 0.3% by mass or less in total.
  • Glass substrate A glass substrate will be described. Glass ceramics such as amorphous glass and crystallized glass can be used as the material of the glass substrate. In addition, it is preferable to use amorphous glass from the viewpoint of moldability, workability, and product surface roughness. For example, aluminosilicate glass, soda lime glass, soda aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, borosilicate glass, etc. is preferred.
  • a preferred form of the glass used for the magnetic disk substrate is SiO 2 : 55 to 75% as a main component, Al 2 O 3 : 0.7 to 25%, Li 2 O: 0.01 to 6%, Na 2 . O: 0.7-12%, K 2 O: 0-8%, MgO: 0-7%, CaO: 0-10%, ZrO 2 : 0-10%, TiO 2 : 0-1% were added.
  • Glass especially SiO 2 : 60-70%, Al 2 O 3 : 10-25%, Li 2 O: 1-6%, Na 2 O: 0.7-3%, MgO: 0-3%, CaO: Glass containing 1-7%, ZrO 2 : 0-3%, TiO 2 : 0-1%, or additionally B 2 O 3 : 1-7%, P 2 O 5 : 0.1-3% is added glass.
  • “%” means “% by mass”.
  • SiO2 is the main component that forms the skeleton of glass. If it is less than 55%, the decrease in chemical durability is lowered, and if it exceeds 75%, the melting temperature becomes too high and may be unsuitable.
  • Al 2 O 3 is a component that improves ion exchangeability and chemical durability. If the content is less than 0.7%, the above effects may be insufficient, and if it exceeds 25%, the solubility and devitrification resistance may be lowered, which may be unsuitable.
  • Li 2 O is a component that chemically strengthens glass by exchanging with Na ions, improves meltability and formability, and improves Young's modulus. If the content is less than 0.01%, the ion exchange property is lowered, and if it exceeds 6%, devitrification resistance and chemical durability are lowered, which may be unsuitable.
  • Na 2 O is a component that chemically strengthens the glass by exchanging with K ions, lowers high-temperature viscosity, improves meltability and formability, and improves devitrification resistance. If it is less than 0.7%, the devitrification resistance is lowered, and if it exceeds 12%, the chemical durability and Knoop hardness are lowered, which may be unsuitable.
  • K 2 O has the effects of lowering high-temperature viscosity, improving meltability, improving moldability, and improving resistance to devitrification. If it exceeds 8%, the low-temperature viscosity decreases, the coefficient of thermal expansion increases, and the impact resistance decreases, which may be unsuitable.
  • MgO and CaO (contained as essential components in soda-lime glass) reduce high-temperature viscosity, improve melting, clarification, and moldability, and have the effect of improving Young's modulus. If it exceeds 10%, it may be unsuitable because the ion exchange performance is lowered and the devitrification resistance is lowered.
  • ZrO 2 has the effect of increasing the Knoop hardness and improving the chemical durability and heat resistance. If it exceeds 10%, the meltability may be lowered and the devitrification resistance may be lowered, making it unsuitable.
  • TiO 2 has the effects of lowering high-temperature viscosity, improving meltability, stabilizing structure, and improving durability. It may be inappropriate.
  • B 2 O 3 (contained as an essential component in aluminoborosilicate glass and borosilicate glass), which lowers the viscosity and increases the solubility and clarity, lowers the high-temperature viscosity, improves the melting and clarifying properties, and improves the molding properties.
  • SrO and BaO have the effect of improving the properties and Young's modulus, ZnO improves the ion exchange performance and lowers the high temperature viscosity without lowering the low temperature viscosity, SnO 2 improves the clarity and ion exchange performance, coloring
  • Fe 2 O 3 as a refining agent
  • Sb 2 O 3 and P 2 O 5 may also be included as refining agents.
  • oxides such as La, P, Ce, Sb, Hf, Rb and Y may be included as trace elements.
  • the glass also contains SiO 2 : 60-70%, Al 2 O 3 : 10-25%, Li 2 O: 1-6%, Na 2 O: 0.7-3%, MgO: 0-3%, CaO: 1-7%, ZrO 2 : 0-3%, TiO 2 : 0-1%, B 2 O 3 : 0.1-7%, and P 2 O 5 : 0.1-3% It may be a composition.
  • the method for manufacturing the magnetic disk substrate is not particularly limited as long as it can manufacture a magnetic disk substrate having the long-wavelength waviness Wa and the short-wavelength waviness ⁇ Wa after the thermal shock test in the above range.
  • the method for manufacturing a magnetic disk substrate of the present invention provides a method for obtaining a magnetic disk substrate from a disk blank (a disk-shaped blank substrate). a rough polishing step of roughly polishing both main surfaces of a blank at the same time; and a fine polishing step of precisely polishing both main surfaces of the rough-polished disk blank.
  • a manufacturing method in which the back side is reversed is preferable.
  • a method for manufacturing a magnetic disk substrate includes rough polishing in which both main surfaces are simultaneously roughly polished using a polishing liquid containing abrasive grains having an average particle size of 0.1 to 1.0 ⁇ m and a hard or soft polishing pad. and then, using a polishing liquid containing abrasive grains with an average particle size of 0.01 to 0.1 ⁇ m and a soft polishing pad, both the main surfaces (roughly polished main surfaces) are precisely polished. It is more preferable that the manufacturing method includes a step and reverses the front and back surfaces of the disc blank during the rough polishing step.
  • the abrasive grains used in the precision polishing step have a smaller average grain size than the abrasive grains used in the rough polishing step.
  • hard means hardness (Asker C) of 85 or more measured by the measuring method specified in the standard of the Japan Rubber Association (compliant standard: SRIS0101), and “soft” means hardness of 60 to 80.
  • the average particle diameter (d50) is the so-called median diameter, and the particle size distribution is measured by a laser diffraction/scattering method, and the particle size when the cumulative distribution is 50% when the total volume of the particles is 100%.
  • the details of the conditions of the rough polishing process and the fine polishing process can be set according to the raw material of the magnetic disk substrate to be manufactured.
  • the details of these polishing steps will be described later in the magnetic disk aluminum alloy substrate and the magnetic disk manufacturing method using the same, the magnetic disk glass substrate and the magnetic disk manufacturing method using the same, which will be described later.
  • the polishing step of step S111 corresponds to the rough polishing step and the fine polishing step described above.
  • the rough polishing step of step S204 and the fine polishing step of step S205 correspond to the rough polishing step and the fine polishing step described above.
  • the rough polishing process can be carried out using a commercially available batch-type double-sided simultaneous polishing machine.
  • This double-sided simultaneous polishing machine includes an upper surface plate and a lower surface plate made of cast iron, a carrier that holds a plurality of disk blanks between the upper surface plate and the lower surface plate, and contact between the disk blanks on the upper surface plate and the lower surface plate.
  • Hard or soft polishing pads ie, the number of polishing pads is twice the number of disc blanks
  • a plurality of disk blanks are held between an upper surface plate and a lower surface plate by a carrier, and each disk blank is pressed under a predetermined working pressure by the upper surface plate and the lower surface plate.
  • each disk blank is collectively pressed by the polishing pads from above and below (parallel to the direction of gravity).
  • the upper surface plate and the lower surface plate are rotated in different directions.
  • the carrier since the carrier also rotates by the sun gear, the disk blank performs planetary motion. This causes the disc blank to slide over the surface of the polishing pad and both surfaces are polished simultaneously.
  • the polishing pad is porous (having bag-like pores with an open surface), the polishing liquid is supplied between the polishing pad and the disc blank through the polishing pad.
  • the precision polishing process can be carried out using the double-sided simultaneous polishing machine described above.
  • uniformly strain the disc blank mainly in the rough polishing process of the polishing process.
  • uniform distortion means to make the waviness distribution uniform over the entire main surface of the disk blank. Wa and ⁇ Wa tend to decrease as the polishing amount increases.
  • the amount of polishing on the front and back surfaces as uniform as possible in the rough polishing step, the waviness distribution can be made uniform over the entire main surface. From the viewpoint of applying uniform strain, it is preferable to turn over the front and back surfaces of the disk blank during the rough polishing step. By reversing the front and back surfaces of the disc blank, the polishing pads that polish each main surface (polishing surface) of the disc blank are exchanged, and the way gravity is applied is reversed. It is possible.
  • the surface condition of the polishing pad used in the rough polishing process it is preferable to manage the surface condition of the polishing pad used in the rough polishing process.
  • Management (adjustment) of the surface condition of the polishing pad can be performed when it is difficult to reduce the long-wavelength waviness Wa with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm to less than 2.5 nm in the rough polishing step.
  • Adjustment of the surface condition of the polishing pad is normal if the surface condition of the polishing pad can be adjusted so that the long-wavelength waviness Wa with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm can be less than 2.5 nm for the disk blank before rough polishing.
  • method for example, by dummy polishing. For example, when the polishing pad used in the rough polishing step is brushed, it is preferable to perform dummy polishing before rough polishing.
  • Dummy polishing is a polishing process for adjusting the surface condition of the polishing pad used in the rough polishing process.
  • the polishing performed for adjusting the surface condition of the polishing pad is referred to as "dummy polishing”
  • the polishing pad after this dummy polishing is used to perform a long-wavelength cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm.
  • Polishing in which the waviness Wa is less than 2.0 nm is called "rough polishing”.
  • Dummy polishing can be performed as follows.
  • a disk blank before rough polishing it is preferable to use a disk blank before rough polishing as a dummy substrate.
  • a disk blank in a state before rough-polishing and after electroless Ni--P plating treatment which will be described later, can be used as a dummy substrate.
  • the object to be roughly polished is a glass substrate
  • a disk blank obtained in step S202 or S203, which will be described later can be used as a dummy substrate.
  • Dummy polishing is performed using the dummy substrate until the long-wavelength waviness Wa with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm on the main surface becomes less than 2.5 nm. Dummy polishing can be performed under the same conditions as the rough polishing step.
  • the number of times of polishing (the number of times of dummy polishing) is not particularly limited, and can be performed until the above Wa is reached.
  • the polishing pad after surface condition adjustment is subjected to a rough polishing step.
  • a dummy for adjusting the surface state (polishing surface state) of the polishing pad used in the rough polishing step is performed as a pre-process of the rough polishing step.
  • a manufacturing method including a polishing step can be employed.
  • a dummy polishing step a dummy substrate manufactured under the same conditions as the disk blank is subjected to the same conditions as the rough polishing step (size of polishing abrasive grain, polishing pad size) using two polishing pads used in the rough polishing step.
  • the step is a step of polishing to a thickness of less than 0.5 nm to obtain a polishing pad whose surface condition has been adjusted.
  • the magnetic disk substrate and magnetic disk manufacturing method of the present invention will be described separately for a method for manufacturing an aluminum alloy substrate for a magnetic disk and a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing an aluminum alloy substrate and a magnetic disk using the same.
  • the steps of preparing an aluminum alloy (step S101) to cold rolling (step S105) are steps of producing an aluminum alloy material by melting and casting and making it into an aluminum alloy plate.
  • an aluminum alloy disc blank is manufactured by a pressure flattening process (step S106).
  • the manufactured disc blank is subjected to a cutting/grinding process (step S107), a degreasing/etching process (step S108), a zincate process (step S109), an electroless Ni—P plating process (step S110), and
  • a polishing step (step S111) is performed to manufacture an aluminum alloy substrate.
  • the manufactured aluminum alloy substrate becomes a magnetic disk through the step of attaching a magnetic material (step S112). The details of each step will be described below with reference to FIG.
  • a molten metal of an aluminum alloy material having the above composition is prepared by heating and melting according to a conventional method (step S101).
  • the prepared molten metal of the aluminum alloy material is cast by, for example, a semi-continuous casting (DC casting) method to cast the aluminum alloy material (step S102).
  • DC casting can make the distribution of intermetallic compounds more uniform, so Wa and ⁇ Wa after the thermal shock test can be within the above ranges.
  • the conditions for producing the aluminum alloy material in the DC casting method and the CC casting method are not particularly limited, and ordinary methods can be used.
  • DC casting may be vertical semi-continuous casting or horizontal semi-continuous casting.
  • the molten metal poured through the spout is cooled by cooling water discharged directly to the bottom block, the water-cooled wall of the mold, and the outer periphery of the ingot (ingot). Then, it is drawn downward as an aluminum alloy ingot.
  • the ingot obtained by this process is sometimes called a slab.
  • molten metal is supplied through a casting nozzle between a pair of rolls (or belt caster, block caster), and heat is removed from the rolls to directly cast a thin aluminum alloy plate.
  • the big difference between the DC casting method and the CC casting method is the cooling rate during casting.
  • CC casting which has a high cooling rate, is characterized by a smaller size of second phase particles than DC casting.
  • step S104 the aluminum ingot obtained by DC casting is hot-rolled into a plate material.
  • a homogenization treatment step S103
  • step S105 may be performed following step S102 without performing these steps.
  • heat treatment is preferably performed at 280 to 620° C. for 0.5 to 30 hours, and more preferably at 300 to 620° C. for 1 to 24 hours. .
  • homogenization is sufficient, and variations in the loss factor for each aluminum alloy substrate can be reduced. Furthermore, the occurrence of melting of the aluminum alloy ingot can be suppressed. If the heating time during the homogenization process exceeds 30 hours, the effect is saturated, and no further remarkable improvement effect can be obtained.
  • step S104 applied to the DC casting method the homogenized or non-homogenized aluminum alloy ingot is hot-rolled into a plate material.
  • the conditions for hot rolling are not particularly limited, but the hot rolling start temperature is preferably 250 to 600°C, and the hot rolling end temperature is preferably 230 to 450°C.
  • the hot rolled plate or the cast plate cast by the CC casting method is cold rolled to form an aluminum alloy plate having a thickness of about 0.30 to 0.6 mm (step S105).
  • the cold rolling conditions are not particularly limited, and may be determined according to the required product plate strength and plate thickness, and the rolling reduction is preferably 10 to 95%.
  • Annealing treatment may be performed before cold rolling or during cold rolling to ensure cold rolling workability.
  • batch heating is preferably performed at 300 to 450° C. for 0.1 to 10 hours, and continuous heating is performed at 400 to 500° C. for 0 to 10 hours. It is preferable to carry out under the condition of holding for 60 seconds.
  • the holding time of 0 seconds means cooling immediately after reaching the desired holding temperature.
  • the aluminum alloy plate obtained by cold rolling is formed into an annular shape to obtain a disk-shaped aluminum alloy plate.
  • the disk-shaped aluminum alloy plate becomes a disk blank through a pressure flattening process (step S106).
  • Forming to form a disk shape can be performed by punching with a press.
  • the pressure flattening treatment the disc-shaped aluminum alloy plate is pressurized at 250 to 450° C. for 0.5 to 10 hours while applying a load of, for example, 30 to 60 kgf/cm 2 in the atmosphere.
  • a pressure anneal is performed to produce a flattened disc blank.
  • the temperature of the pressure annealing is too low, for example, about 200° C., strain remains in the material (strain in the material cannot be made uniform), and eventually Wa after the thermal shock test. and ⁇ Wa may not fall within the above range. Therefore, it is preferable to carry out pressure annealing at a temperature of 250 to 450.degree. C., particularly about 300 to 400.degree.
  • the disk blank is subjected to cutting/grinding (step S107) and, if necessary, heat treatment before zincate treatment or the like.
  • the inner and outer peripheries of the disk blank are cut to adjust the shape, and the main surface is ground.
  • the recording surface of the disc blank may be cut as a preliminary treatment for grinding.
  • the inner and outer peripheral end faces may be chamfered.
  • Grinding can be performed using a SiC grindstone of No. 800 to 4000 and a normal batch-type double-sided polishing machine.
  • This double-sided simultaneous polishing machine consists of a cast iron upper surface plate and a lower surface plate, a carrier that holds a plurality of aluminum substrates between the upper surface plate and the lower surface plate, and contact between the upper surface plate and the lower surface plate. and a SiC grindstone attached to the surface. Since Wa changes depending on the finishing state of the grinding process, it is preferable to use a No. 4000 whetstone for finishing. Grinding is performed by rotating the upper and lower surface plates in opposite directions while holding the disk blank with a carrier. The rotation speed of the upper and lower surface plates can be 10 to 30 rpm. Since the carrier rotates with the sun gear, the disk blank is ground while planetary motion is performed on the grindstone.
  • the heat treatment is performed under the condition that the disk blank is kept at 200 to 350° C. for 5 to 60 minutes. By performing the heat treatment, it is possible to remove the distortion caused by the cutting and grinding processes and make the distortion uniform.
  • the disk blank is degreased and etched (step S108).
  • the degreasing treatment can be carried out by a conventional method, and for example, it is preferably carried out using a commercially available degreasing solution under conditions of a temperature of 40 to 70° C. and a treatment time of 3 to 10 minutes.
  • the etching treatment can be carried out by a conventional method, and is preferably carried out, for example, using a commercially available etchant under conditions of a temperature of 50 to 75° C. and a treatment time of 0.5 to 5 minutes.
  • zincate processing (Zn replacement processing) is performed on the disc blank surface (step S109).
  • a zincate film is formed on the disk blank surface.
  • the zincate treatment can be performed using a commercially available zincate treatment solution, and is preferably performed under conditions of a temperature of 10 to 35° C., a treatment time of 0.1 to 5 minutes, and a concentration of 100 to 500 mL/L.
  • the zincate treatment is performed at least once, and may be performed twice or more. By performing the zincate treatment multiple times, fine Zn can be precipitated to form a uniform zincate film. When the zincate treatment is performed twice or more, it is preferable to perform the Zn stripping treatment between them.
  • the Zn stripping treatment is preferably performed using a nitric acid (HNO 3 ) solution under conditions of a temperature of 15 to 40° C., a treatment time of 10 to 120 seconds, and a concentration of 10 to 60%.
  • the second and subsequent zincate treatments are preferably carried out under the same conditions as the first zincate treatment.
  • the zincate-treated disc blank surface is subjected to electroless Ni--P plating (step S110) as a base treatment for adhering the magnetic material.
  • electroless Ni—P plating it is preferable to use a commercially available plating solution or the like, and perform plating under conditions of a temperature of 80 to 95° C., a treatment time of 30 to 180 minutes, and a Ni concentration of 3 to 10 g/L.
  • the plated surface after electroless Ni-P plating is polished (step S111).
  • this polishing step it is preferable to perform polishing in a plurality of steps by adjusting the diameter of the abrasive grains used.
  • This polishing process includes polishing in at least two stages of rough polishing and fine polishing. For example, using a polishing liquid containing alumina with an average particle size of 0.1 to 1.0 ⁇ m and a hard or soft polishing pad, rough polishing is performed on the main surface, followed by polishing with an average particle size of 0.1 ⁇ m.
  • a polishing liquid containing colloidal silica of about 01 to 0.1 ⁇ m and a soft polishing pad can be used to precisely polish the main surface.
  • polishing plate rotation speed 10-35 rpm, sun gear rotation speed 5-15 rpm, polishing liquid supply rate 500-5000 mL/min, especially 800-1500 mL/min, processing pressure 20-120 g/cm 2 , polishing amount. can be 2.5 to 3.5 ⁇ m per side.
  • the disc blank is turned over during the rough polishing step.
  • the timing of turning over the disk blank is not particularly limited, but it is preferable that both surfaces of the disk blank are polished evenly, and it is more preferable to turn over when half of the total polishing time of the rough polishing process has elapsed. Polishing conditions before and after reversal are preferably the same.
  • polishing conditions for the above precision polishing are affected by the aluminum alloy used, the processing conditions from step S101 to rough polishing, etc., and are difficult to determine unambiguously.
  • the polishing time is 2 to 5 minutes.
  • the amount can be 1.0-1.5 ⁇ m per side.
  • the disk blank may be inverted during the fine polishing process.
  • the timing of reversing the disc blank is not particularly limited, but it is preferable to polish both sides of the disc blank evenly. Inverting is more preferable.
  • a dummy polishing process may be performed prior to the rough polishing process.
  • the conditions for the dummy polishing process are as described above.
  • An aluminum alloy substrate for a magnetic disk is manufactured by the processes up to the polishing process (surface polishing) after the electroless Ni-P plating process described above.
  • the step of attaching the magnetic material can be performed by a normal method.
  • the magnetic disk substrate (magnetic disk) after the formation of the magnetic layer is subjected to excessive heat treatment so that the Wa and ⁇ Wa after the thermal shock test are the same as the Wa and ⁇ Wa after the thermal shock test of the magnetic disk substrate. It is preferable to form the magnetic layer without removing the magnetic layer.
  • FIG. 2 is a flowchart for explaining an example of a method of manufacturing a glass substrate and a magnetic disk using the same.
  • a glass plate having a predetermined thickness is prepared (step S201).
  • the prepared glass plate is subjected to coring, and the inner and outer peripheral edges are polished to form a disc-shaped disc blank (step S202). Further, if necessary, a step of lapping the disk-shaped disk blank is performed (step S203).
  • step S204 a rough polishing step in which a plurality of disc blanks are simultaneously polished with, for example, cerium oxide abrasive grains, followed by step S204.
  • step S205 Each disk blank polished in step S205 is further polished at the same time with, for example, colloidal silica abrasive grains to produce a glass substrate.
  • the manufactured glass substrate becomes a magnetic disk through the step of attaching a magnetic material (step S206).
  • the preparation of the glass plate in step S201 can be carried out using a known manufacturing method such as a float method, a down-draw method, or a direct press method using molten glass as a raw material. Further, by using a redraw method in which a base glass plate manufactured by a float method or the like is heated and softened and stretched to a desired thickness, a glass plate having a small variation in thickness can be manufactured relatively easily. preferable.
  • a disk-shaped disk blank is formed from the glass plate prepared in step S201 through a coring process and a process of polishing the inner and outer peripheral edges.
  • the formed disk blank is a disk-shaped disk blank having two main surfaces and a circular hole formed in the center.
  • the thickness of the disk blank can be adjusted by carrying out the lapping process of step S203 and lapping the disk-shaped disk blank formed in step S202.
  • This lapping step is preferably performed when the thickness of the glass plate varies greatly, such as when the redraw method is not adopted in step S201.
  • the lapping process can be performed so that the variation in the thickness of the glass plate is about ⁇ 3 ⁇ m.
  • the lapping process can be performed by a conventional method, for example, using a batch-type double-sided polishing machine using diamond pellets.
  • polishing step S202 or S203 the main surface of the disc blank obtained in step S202 or S203 is subjected to polishing.
  • this polishing step it is preferable to perform polishing in a plurality of stages with the diameter of the abrasive grains being adjusted.
  • This polishing process includes polishing in at least two stages, rough polishing (S204) and precision polishing (S205).
  • the main surface of the disk blank is roughly polished.
  • the conditions for rough polishing are not particularly limited, but a hard polishing pad having a hardness of 86 to 88 is used, the rotation speed of the polishing surface plate is 10 to 35 rpm, the rotation speed of the sun gear is 5 to 15 rpm, and the polishing liquid supply speed is 1000 to 1000. It is preferable to set the polishing pressure to 5000 mL/min, particularly 1000 mL/min to less than 2000 mL/min, the processing pressure to 20 to 120 g/cm 2 , the polishing time to 2 to 10 minutes, and the polishing amount to 40 to 60 ⁇ m per side.
  • polishing pad it is preferable to use a polishing pad made of hard polyurethane or the like.
  • polishing liquid it is preferable to use one containing abrasive grains made of cerium oxide having an average particle diameter of 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • the disk blank is turned over during the rough polishing process.
  • the timing of turning over the disk blank is not particularly limited, but it is preferable that both surfaces of the disk blank are polished evenly, and it is more preferable to turn over when half of the total polishing time of the rough polishing process has elapsed. Polishing conditions before and after reversal are preferably the same. It should be noted that the reversal (flipping) of the disk blank may be performed once during the polishing process, but may be performed twice or more. For example, when flipping is performed a plurality of times, the total time for each surface to be on the upper side and the total time for each surface to be on the lower side should be the same.
  • a dummy polishing process may be performed prior to the rough polishing process of step S204.
  • the conditions for the dummy polishing process are as described above.
  • the rough-polished main surface is precision-polished.
  • the polishing pad of the double-side simultaneous polishing machine is replaced with a softer polishing pad for precision polishing made of, for example, foamed urethane, and polishing abrasive grains made of colloidal silica having a small average particle size of 0.01 to 0.10 ⁇ m are used. It can be carried out by polishing the glass substrate using the polishing pad while supplying a polishing liquid containing. As a result, the main surface of the disk blank is mirror-polished, and a magnetic disk glass substrate is manufactured.
  • the conditions for precision polishing are not particularly limited, but a soft polishing pad having a hardness of 75 to 77 is used, the rotation speed of the polishing surface plate is 10 to 35 rpm, the rotation speed of the sun gear is 5 to 15 rpm, and the polishing liquid supply speed is 1000 to 1000. It is preferable to set the polishing pressure to 5000 mL/min, particularly 1000 mL/min to less than 2000 mL/min, a processing pressure of 20 to 100 g/cm 2 , a polishing time of 2 to 12 minutes, and a polishing amount of 5 to 15 ⁇ m per side.
  • the disk blank may be turned over during the precision polishing process.
  • the timing of reversing the disc blank is not particularly limited, but it is preferable to polish both sides of the disc blank evenly. Inverting is more preferable.
  • chemical strengthening treatment with a sodium nitrate solution or a potassium nitrate solution may be performed during the polishing process.
  • the step of attaching the magnetic material can be performed by a normal method.
  • the magnetic disk substrate (magnetic disk) after the formation of the magnetic layer is also subjected to excessive heat treatment so that the Wa and ⁇ Wa after the thermal shock test are the same as the Wa and ⁇ Wa after the thermal shock test of the magnetic disk substrate. It is preferable to form the magnetic layer without carrying out.
  • the present invention also provides a magnetic disk having a pair of main surfaces, At least one of the main surfaces has a long-wavelength waviness Wa of 2.0 nm or less with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm at 25 ° C. after the following thermal shock test, and a cutoff wavelength of 0.08.
  • a magnetic disk having a short wavelength waviness ⁇ Wa of ⁇ 0.45 mm of 0.15 nm or less is also included.
  • Thermal shock test> In the thermal shock test, the magnetic disk is heated at 120° C. for 30 minutes and then cooled at ⁇ 40° C. for 30 minutes, and this cycle is repeated 200 times.
  • the magnetic disk of the present invention may be formed of any known substrate, and its size and material are not particularly limited. However, it is preferable to use a magnetic disk based on an aluminum alloy substrate or a glass alloy substrate in order to obtain a magnetic disk with higher flatness. Moreover, in order to make the effect of the present invention particularly remarkable, it is preferably based on a substrate having a thickness of less than 0.5 mm or an outer diameter of 95 mm or more. More preferably, it is formed of the magnetic disk substrate of the present invention, and particularly preferably of the magnetic disk substrate of the above material obtained by the above manufacturing method.
  • the magnetic disk substrate of the present invention is provided with a magnetic layer and, if desired, a protective film layer and a lubricating film layer on its surface, the thickness of the magnetic layer and the like is very large compared to the substrate. Since it is thin, it is substantially unaffected by long-wavelength undulations and short-wavelength undulations after a thermal shock test, and high long-term reliability is maintained, thereby achieving the object of the present application.
  • Example 1 A5086 alloy (aluminum alloy A) was melted according to a standard method (step S101), and a slab was obtained by DC casting (vertical semi-continuous casting) to a width of 1310 mm and a plate thickness of 500 mm (step S102). Each of the four sides of this slab (including at least the main surface) was chamfered by 10 mm and homogenized at 540°C for 6 hours (step S103). C. to obtain a hot-rolled sheet having a thickness of 3.0 mm (step S104). This hot-rolled sheet was cold-rolled to obtain a cold-rolled sheet having a thickness of 0.48 mm (step S105).
  • This cold-rolled sheet is punched into a disk shape with an inner diameter of 24 mm and an outer diameter of 98 mm, and is pressed at 320° C. for 3 hours in the atmosphere using a continuous annealing furnace while applying a load of 30 kgf/cm 2 . was subjected to pressure annealing and pressure flattening treatment (step S106).
  • a disc blank was thus obtained. Further, by cutting the inner and outer circumferences of the disc blank, a disk-shaped disc blank having an inner diameter of 25 mm and an outer diameter of 97 mm was obtained. At this time, the inner and outer peripheral end surfaces were chamfered at the same time.
  • the disk blank after this processing was surface-ground using a #4000 SiC grindstone and a batch-type double-sided simultaneous grinder (trade name: 9B double-sided grinder, manufactured by SPEEDFAM) to a plate thickness of 0.46 mm (step S107). .
  • the rotation speed of the upper and lower surface plates was set to 30 rpm. Both surfaces of this disk blank were subjected to degreasing treatment, etching treatment (step S108), first zincate treatment, Zn stripping treatment, and second zincate treatment (step S109) as follows.
  • the degreasing treatment was performed using a degreasing liquid AD-68F (trade name, manufactured by Uyemura & Co., Ltd.) under conditions of a temperature of 45° C., a treatment time of 3 minutes, and a concentration of 500 mL/L.
  • Etching was carried out using AD-107F (trade name, manufactured by Uyemura & Co., Ltd.) etchant under conditions of a temperature of 60° C., a treatment time of 2 minutes, and a concentration of 50 mL/L.
  • the first zincate treatment was performed using a zincate treatment solution AD-301F-3X (trade name, manufactured by Uyemura & Co., Ltd.) under the conditions of a temperature of 20° C., a treatment time of 1 minute, and a concentration of 200 mL/L.
  • the Zn stripping treatment was performed using a commercially available nitric acid reagent under conditions of a temperature of 25° C., a treatment time of 60 seconds, and a nitric acid concentration of 30%.
  • the second zincate treatment was performed under the same conditions as the first zincate treatment. In addition, cleaning with pure water was performed between each treatment from the degreasing treatment to the second zincate treatment.
  • both surfaces of the disk blank obtained in step S109 are subjected to electroless Ni—P plating treatment using Nimden HDX (trade name, manufactured by Uemura & Co., Ltd.) plating solution at a temperature of 88° C. for a treatment time of 130 minutes. It was carried out under the condition that the Ni concentration was 6 g/L (step S110).
  • Nimden HDX trade name, manufactured by Uemura & Co., Ltd.
  • Ni—P plated disk blank is set in a double-sided simultaneous polishing machine (trade name: 9B double-sided polishing machine, manufactured by SPEEDFAM), and a dummy polishing process, a rough polishing process and a fine polishing process (step S111) are performed.
  • a double-sided simultaneous polishing machine (trade name: 9B double-sided polishing machine, manufactured by SPEEDFAM), and a dummy polishing process, a rough polishing process and a fine polishing process (step S111) are performed.
  • An aluminum alloy substrate was produced. Details will be described below.
  • dummy polishing was performed prior to the rough polishing process.
  • one of the prepared substrates after electroless Ni-P plating (before rough polishing) was used as a dummy substrate, and a hard urethane polishing pad with a hardness of 87 (trade name: FF-5 , manufactured by Fujibo Ehime) was used as a polishing pad.
  • FF-5 trade name: Fujibo Ehime
  • the long-wavelength waviness Wa of the dummy substrate after polishing was less than 2.5 nm when measured at a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm at the sixth time. (2.19 nm), the dummy polishing was terminated.
  • a hard urethane polishing pad having a hardness of 87 obtained by subjecting the Ni—P plated main surface of the Ni—P plated disk blank to the above dummy polishing step, and alumina abrasive grains having an average grain size of 0.4 ⁇ m. It was rough-polished with a polishing liquid. The disk blank was turned over in the middle of the rough polishing (when half the polishing time had elapsed). Other polishing conditions in the rough polishing step were polishing time of 5 minutes, polishing surface plate rotation speed of 30 rpm, sun gear rotation speed of 10 rpm, polishing liquid supply rate of 1000 mL/min, and processing pressure of 100 g/cm 2 . , and the polishing amount was 3.0 ⁇ m per side.
  • a soft urethane polishing pad (trade name: FK1-N, manufactured by Fujibo Ehime Co., Ltd.) with a hardness of 76 and an average particle size of 0.08 ⁇ m was used.
  • An aluminum alloy substrate having a thickness of 0.48 mm was obtained as a magnetic disk substrate by precision polishing with a polishing liquid containing colloidal silica abrasive grains.
  • the other polishing conditions in the precision polishing process were as follows: polishing time of 5 minutes, polishing surface plate rotation speed of 30 rpm, sun gear rotation speed of 10 rpm, polishing liquid supply rate of 1000 mL/min, and processing pressure of 60 g/cm. 2.
  • the polishing amount was 1.3 ⁇ m per side.
  • Example 2 An Al--Fe--Mn--Ni alloy (aluminum alloy B) was melted according to a standard method, and a slab was obtained by DC casting (vertical semi-continuous casting) to a width of 1310 mm and a plate thickness of 500 mm. This slab was chamfered by 10 mm on each side, homogenized at 520 ° C. for 6 hours, hot rolled at a hot rolling start temperature of 520 ° C. and a hot rolling end temperature of 330 ° C., and hot rolled to a thickness of 3.0 mm. A rolled plate was used. This hot-rolled sheet was cold-rolled to obtain a cold-rolled sheet having a thickness of 0.48 mm.
  • An aluminum alloy substrate having a thickness of 0.48 mm was produced in the same manner as in Example 1, except that this cold-rolled plate was used in place of the cold-rolled plate in Example 1.
  • the composition of aluminum alloy B was Fe: 0.7% by mass, Mn: 0.9% by mass, Ni: 1.7% by mass, and the balance being aluminum and unavoidable impurities.
  • Example 3 An Al--Fe--Mn--Mg--Ni alloy (aluminum alloy C) was melted according to a standard method, and a slab was obtained by DC casting (vertical semi-continuous casting) to a width of 1310 mm and a plate thickness of 500 mm. Each of the four sides of this slab was chamfered by 10 mm, and after homogenization treatment at 520 ° C. for 6 hours, hot rolling was performed at a hot rolling start temperature of 520 ° C. and a hot rolling end temperature of 330 ° C., and a plate thickness of 3.0 mm was obtained. A hot-rolled sheet was obtained.
  • This hot-rolled sheet was cold-rolled to obtain a cold-rolled sheet having a thickness of 0.48 mm.
  • An aluminum alloy substrate having a thickness of 0.48 mm was produced in the same manner as in Example 1, except that this cold-rolled plate was used in place of the cold-rolled plate in Example 1.
  • the composition of aluminum alloy C contains 0.7% by mass of Fe, 0.3% by mass of Mn, 1.4% by mass of Mg, and 1.8% by mass of Ni, with the balance being aluminum and inevitable impurities. there were.
  • Example 4 Using a redraw method, an aluminosilicate glass having a width of 100 mm and a length of 10 m (SiO 2 : 65% by mass, Al 2 O 3 : 18% by mass, B 2 O 3 : 4% by mass, Li 2 O: 4% by mass, Na 2 O: 1% by mass, CaO: 4% by mass, P 2 O 5 : 1% by mass, and other trace components) was produced, and a glass plate with a thickness of 0.60 mm was screened (step S201).
  • the selected glass plate was subjected to coring and inner and outer peripheral edge polishing to obtain a disk-shaped disk blank having an outer diameter of 97 mm and a circular hole with an inner diameter of 25 mm (step S202). Further, the formed disc-shaped disk blank was set in a double-side simultaneous polishing machine, and a rough polishing step (step S204) and a fine polishing step (step S205) were performed to manufacture a glass substrate. Dummy polishing was not performed because the polishing pad had been adjusted to a suitable state.
  • the rough polishing step pure water was added to a hard urethane polishing pad (trade name: FF-5, manufactured by Fujibo Ehime Co., Ltd.) having a hardness of 87 and cerium oxide polishing grains having an average particle size of 0.19 ⁇ m, and free polishing was performed. A granulated polishing liquid was used. After 5 minutes from the start of rough polishing, the disk blank was reversed to change the front and back sides, and was further rough polished for 5 minutes.
  • FF-5 hard urethane polishing pad
  • polishing conditions in the rough polishing step were as follows: rotation speed of the polishing surface plate of 25 rpm, rotation speed of the sun gear of 10 rpm, polishing solution supply rate of 1500 mL/min, processing pressure of 120 g/cm 2 , and polishing amount of 50 ⁇ m per side. and Thus, a glass substrate having a thickness of 0.50 mm was obtained.
  • polishing surface plate rotation speed of 25 rpm, sun gear rotation speed of 10 rpm, polishing liquid supply rate of 1500 mL/min, polishing time of 8.5 minutes, and processing pressure of 50 to 120 g. /cm 2 and the polishing amount was 10 ⁇ m per side.
  • a glass substrate having a thickness of 0.48 mm was obtained.
  • Example 2 An Al--Fe--Mn--Ni alloy (aluminum alloy B) was melted according to a standard method and CC-cast (continuously cast) into a sheet having a width of 1420 mm and a thickness of 6.0 mm. This continuously cast coil was cold rolled to a plate thickness of 0.48 mm. A plate was prepared in the same manner as in Example 1, except that this cold-rolled plate was used in place of the cold-rolled plate in Example 1, and the disk blank was not turned over during the rough polishing step. An aluminum alloy substrate having a thickness of 0.48 mm was used.
  • a hard urethane polishing pad having a hardness of 87 and a polishing liquid made by adding pure water to cerium oxide polishing abrasive grains having an average grain size of 1.50 ⁇ m to obtain free abrasive grains are used;
  • a glass substrate was prepared in the same manner as in Example 4, except that the disc blank was not inverted in .
  • Short wavelength waviness ⁇ Wa with a cutoff wavelength of 0.08 to 0.45 mm Using a particle size distribution analyzer microZAM-1200 (trade name, manufactured by Phase Shift Technology), the main surface (one side) of the aluminum alloy substrate or glass substrate after the thermal shock test, 9.9 mm ⁇ A short wavelength waviness ⁇ Wa with a cutoff wavelength of 0.08 to 0.45 mm is applied to a rectangular area of 3.5 mm (arranged so that the imaginary center line at the center of the long side of 9.9 mm is parallel to the radial direction). It was measured. The measurement temperature was 25°C.
  • Measurements were carried out using three each of the aluminum alloy substrates and the glass substrates after the thermal shock test, and positioned at 0°, 90°, and 180° in the circumferential direction at the center in the radial direction as shown in FIG. It was carried out at each of the three sites to be treated. The average value of the nine measured values obtained in this manner was taken as the short wavelength waviness ⁇ Wa.
  • Table 1 shows the results obtained.
  • ⁇ is indicated when the long wavelength waviness Wa is 2.0 nm or less and the short wavelength waviness ⁇ Wa is 0.15 nm or less.
  • short-wavelength waviness ⁇ Wa are indicated by "x" when at least one of them is outside these ranges.
  • Both Optiflat and microZAM-1200 cannot measure long-wavelength undulations and short-wavelength undulations of transparent glass due to the principle of measurement. After that, it was measured. Since the deposited layer is very thin and smooth, it does not affect the measurement of the long and short wavelength waviness.
  • Table 1 shows the evaluation results.
  • the long-wavelength waviness Wa with a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm measured at 25° C. after the thermal shock test was 2.0 nm or less, and the cutoff wavelength was The short wavelength waviness ⁇ Wa of 0.08 to 0.45 mm was 0.15 nm or less.
  • the magnetic disk substrates of Comparative Examples 1 to 3 satisfied Wa and ⁇ Wa.
  • the disk blank was not turned over during the rough polishing process (and in Comparative Example 3, the average grain size of the abrasive grains in the rough polishing process was large). It is considered that Wa and ⁇ Wa could not be adjusted even by the manufacturing method of the present invention, because they remained uneven.

Landscapes

  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本発明は、ハードディスクの高容量化に対応可能としながらも、ハードディスクの長期信頼性を維持可能な磁気ディスク用基板及び磁気ディスクを提供すること、並びに上記特性を有する磁気ディスク（用基板）を製造することができる製造方法を提供することを目的とする。　本発明は、一対の主面を有する磁気ディスク（用基板）であって、前記主面の少なくとも一方の、所定の熱衝撃試験後の２５℃における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下、特に０．５～２．０ｎｍであり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下、特に０．０５～０．１５ｎｍである、磁気ディスク（用基板）、及びその製造方法である。

Description

磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスク
　本発明は、磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスクに関する。
　近年、クラウドコンピューティングの急速な普及のため、データセンターで用いられるハードディスク（ハードディスクドライブ等のハードディスク装置を含む。）に対し、高容量化が求められている。ハードディスクの高容量化は、具体的には、磁気ディスク用基板の薄肉化による積載枚数の増加や、磁気ディスク用基板の大径化などによって達成できる。しかし、ハードディスク用筐体のサイズは規格化されており、それに収納される磁気ディスク用基板の大径化は難しい。そのため、磁気ディスク用基板の薄肉化が強く要望されている。
　ハードディスクに装着（装備）される磁気ディスクは、一般に、円盤状の磁気ディスク用基板の主面上に、磁気層等を設けて形成される。このような磁気ディスク用基板としては、種々のものが提案されており、例えば、特許文献１は、板厚０．８ｍｍ等の磁気ディスクを構成するための磁気ディスク用ガラス基板であって、精密研磨加工前のディスクブランクの状態での平面度の変化量及び表面うねりを特定の範囲に設定した磁気ディスク用ガラス基板を開示している。
特許第６２５９０２２号公報
　これまで、ハードディスクにおいて、ヘッドクラッシュ、サーマルアスペリティ障害などの不具合を低減するための、いくつかの技術が開示されている。
　例えば、サーマルアスペリティ障害の抑制を目的として、磁気ディスク用基板のうねり、粗さに関する検討（例えば特許文献１）がされている。しかし、従来の、磁気ディスク用基板のうねり、粗さに関する検討は、磁気ディスク用基板の精密研磨加工前、精密研磨加工後などの磁気ディスクとしての使用前の段階でのうねり及び／又は粗さに着目したものであり、実際の使用環境を模擬した加速試験として行われる熱衝撃試験後の長波長うねりＷａ、短波長うねりμＷａに着目した検討はされていなかった。
　一方、上述のとおり、ハードディスクの高容量化に伴い、磁気ディスクの積載枚数の増加、つまり磁気ディスクを構成する磁気ディスク用基板の薄肉化が進められているが、特に厚さ０．５ｍｍ未満の磁気ディスク用基板では、厚さ０．５ｍｍ以上の磁気ディスク用基板と比較して、磁気ディスクとしてハードディスクに組み込んだ際に、１００万～１５０万時間といった長期間のハードディスクの使用（駆動）により、磁気ヘッドの追従性の低下の要因となる、基板のうねりが大きくなる場合がある。磁気ディスク基板のうねりが大きくなると、磁気ディスクの主面上に所定間隔（例えば１０ｎｍ）で配置される磁気ヘッドの、磁気ディスク用基板の主面に対する追従性を低下させ、ひいてはハードディスクの長期間駆動時に所望の読み書きができなくなって信頼性（長期信頼性）を低下させる。
　本発明は、ハードディスクの高容量化（積載枚数の増加）に対応可能としながらも、ハードディスクの長期信頼性を維持可能な磁気ディスク用基板及び磁気ディスクを提供することを課題とする。本発明は、また、上記特性を有する磁気ディスク用基板を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
　本発明者らは、高容量化したハードディスクの長期信頼性について鋭意検討した結果、例えば０．５ｍｍ未満に薄肉化した磁気ディスク用基板（又は磁気ディスク）について、実際の使用環境を想定した特定の熱衝撃試験後の主面に発生する表面うねりが、ハードディスクの長期信頼性を低下させる要因の１つであることを見出した。
　この知見に基づき、更に検討を進めたところ、部品としての磁気ディスク用基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを（連続して）２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後に、磁気ディスク用基板の一方の主面について、２５℃で測定した、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａを２．０ｎｍ以下、例えば０．５～２．０ｎｍにかつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａを０．１５ｎｍ以下、例えば０．０５～０．１５ｎｍに設定することにより、例えば０．５ｍｍ未満に薄肉化した磁気ディスク用基板であっても、例えば厚さ０．５ｍｍ以上の磁気ディスク用基板を用いた場合と同等以上の長期信頼性を実現できることを見出した。本発明はこれらの知見に基づき更に検討を重ね、完成されるに至ったものである。
　すなわち、本発明の課題は以下の手段によって達成された。
 〔１〕
　一対の主面を有する磁気ディスク用基板であって、
　前記主面の少なくとも一方の、下記熱衝撃試験後の２５℃における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下であり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下である、磁気ディスク用基板。
＜熱衝撃試験＞ 
　熱衝撃試験は、前記磁気ディスク用基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う。
〔２〕
　前記長波長うねりＷａが０．５ｎｍ以上であり、かつ、前記短波長うねりμＷａが０．０５ｎｍ以上である、磁気ディスク用基板。
 〔３〕
　板厚が０．５０ｍｍ未満である、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気ディスク用基板。
 〔４〕
　外径が９５ｍｍ以上の円盤体である、〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板。
 〔５〕
　ＨＡＭＲ（熱アシスト磁気記録方式）又はＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録方式）用の、〔１〕～〔４〕のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板。
〔６〕
　一対の主面を有する磁気ディスクであって、
　前記主面の少なくとも一方の、下記熱衝撃試験後の、２５℃における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下であり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下である、磁気ディスク。
 ＜熱衝撃試験＞
　熱衝撃試験は、前記磁気ディスクに対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う。
〔７〕
　〔１〕～〔５〕のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板の製造方法であって、
　ディスクブランクから磁気ディスク用基板を得るにあたり、
　前記ディスクブランクの両主面を同時に粗研磨する粗研磨工程と、前記粗研磨されたディスクブランクの両主面を精密研磨する精密研磨工程とを含み、
　前記粗研磨工程の途中で、前記ディスクブランクの表裏面を反転させる、磁気ディスク用基板の製造方法。
 〔８〕
　前記粗研磨工程の前工程として、前記ディスクブランクと同じ条件で製造したダミー基板を、前記粗研磨工程で使用する２つの研磨パッドを用いて、前記粗研磨工程と同様の条件で、片面における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで研磨して、表面状態を調整した研磨パッドを得る、ダミー研磨工程を含み、
　前記粗研磨工程において、前記表面状態を調整した研磨パッドを用いて、ディスクブランクを粗研磨する、
〔７〕に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
　本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を、それぞれ下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本発明の磁気ディスク用基板は、主面上に磁気層を設けて磁気ディスクとしてハードディスクに装着したときに、ハードディスクの高容量化を実現可能としながらもハードディスクの長期信頼性を維持することができる。本発明の磁気ディスクも、同様の効果を奏する。本発明の磁気ディスク用基板の製造方法によれば、上記特性を有する磁気ディスク用基板及び磁気ディスクを製造することができる。
図１は、磁気ディスク用アルミニウム合金基板、及びこれを用いた磁気ディスクの製造方法の一例を説明するフロー図である。 図２は、磁気ディスク用ガラス基板、及びこれを用いた磁気ディスクの製造方法の一例を説明するフロー図である。 図３は、実施例における短波長うねりの測定箇所を示す模式図である。
｛磁気ディスク用基板｝
　磁気ディスク用基板は、磁気ディスクの製造に用いられる基板であり、その材質及び形状は、特に限定されず、板状でもよく、板状のものから得られた、円盤状又は円環状、例えば円盤体でもよい。磁気ディスク用基板は一対の対向する主面を有する。
　本発明の磁気ディスク用基板は、主面の少なくとも一方の、下記熱衝撃試験後の、２５℃における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下、例えば０．５～２．０ｎｍであり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下、例えば０．０５～０．１５ｎｍである。すなわち、本発明の磁気ディスク用基板は、主面の一方（通常、磁気ヘッドが対面配置される主面）が上記熱衝撃試験後の長波長うねりＷａ及び短波長うねりμＷａを満足する態様と、主面の２つが上記熱衝撃試験後の長波長うねりＷａ及び短波長うねりμＷａを満足する態様とを含む。
 ＜熱衝撃試験＞
　熱衝撃試験は、前記磁気ディスク用基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う。
　上記熱衝撃試験は、具体的には実施例に記載の方法で行うことができる。この熱衝撃試験は、磁性体層の形成されていない磁気ディスク用基板を用いて行うが、磁性体層は一般的には磁気ディスクよりも薄い薄膜として形成されるため、その厚さのばらつきは、長波長うねり及び短波長うねりに実質的に影響しない。
　上記熱衝撃試験は、実際のハードディスクの使用環境よりも過酷な環境での熱衝撃を想定したものであり、この試験後の表面うねりを評価することにより、ハードディスクに組み込まれた際に、実際の環境温度の急変に対する磁気ディスク用基板（及び磁気ディスク）の耐久性を評価することができる。この試験後の、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下、例えば０．５～２．０ｎｍであり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下、例えば０．０５～０．１５ｎｍの範囲であれば、ハードディスクに組み込まれて、通常の使用環境下で１００万～１５０万時間使用しても、磁気ヘッドの、磁気ディスク用基板主面に対する追従性が低下しにくいと考えられる。すなわち、長期使用においても、主面と磁気ヘッドが干渉することなく走査可能であり、データの読み取りが可能と考えられる。このようにしてハードディスクの長期信頼性を高めることができる。
　上記「カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａ」（以下、単に「Ｗａ」ということがある）とは、磁気ディスク用基板の主面の、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの範囲で測定された、算術平均うねりをいう。
　上記「カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａ」（以下、単に「μＷａ」ということがある）とは、磁気ディスク用基板の主面の、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの範囲で測定された、算術平均うねりをいう。
　「カットオフ波長」とは、長波長うねり又は短波長うねりを求める際に、測定断面曲線から、このカットオフ波長の範囲に入らない成分を除外するために設定される波長である。
　本発明では、磁気ディスク用基板の主面のＷａ及びμＷａを上記熱衝撃試験後に測定する。
　熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａは、それぞれ実施例に記載の方法により測定することができる。
　熱衝撃試験後のＷａが２．０ｎｍを超える、もしくは熱衝撃試験後のμＷａが０．１５ｎｍを超えると、磁気ディスクを高速回転させた際に、磁気ヘッドが、磁気ディスク表面に追従できなくなる場合がある。すなわち、磁気ディスク用基板を磁気ディスクとした上でハードディスクに搭載し１００万～１５０万といった長時間使用した場合に表面うねりを生じ、磁気ヘッドが磁気ディスク表面に追従できなくなる恐れがある。なお、熱衝撃試験後のＷａを０．５ｎｍ未満、熱衝撃試験後のμＷａを０．０５ｎｍ未満にすることは、ハードディスクの信頼性向上の面では好ましいが、加工時間の著しい増大が生じ得るため、コスト面を考慮するとＷａを０．５～２．０ｎｍ、μＷａを０．０５～０．１５ｎｍの範囲とすることが好ましい。上記ＷａとμＷａとの両方を上記範囲内とすると、長時間使用した場合であっても表面うねりを抑制でき、ハードディスクの信頼性を高めることができる。
　熱衝撃試験後のＷａは、０．５～１．８ｎｍが好ましく、０．５～１．６ｎｍがより好ましい。
　熱衝撃試験後のμＷａは、０．０５～０．１３ｎｍが好ましく、０．０５～０．１１ｎｍがより好ましい。
　熱衝撃試験後のＷａ及び熱衝撃試験後のμＷａは、後述するアルミニウム合金基板の場合には、ＤＣ鋳造の実施、加圧焼鈍条件の設定、研磨条件の設定等により上記範囲のものとすることができる。後述するガラス基板の場合には、研磨条件を設定することにより上記範囲のものとすることができる。
　磁気ディスク用基板の板厚は、通常の磁気ディスク用基板の板厚と同様とすることができ、さらに薄肉化することもできる。磁気ディスク用基板の板厚は、ハードディスクの高容量化を実現可能とする０．５０ｍｍ未満であることが好ましい。磁気ディスク用基板の板厚の下限は特に限定されないが、０．３０ｍｍ以上が実際的である。
　磁気ディスク用基板の外径は、通常の磁気ディスク用基板の外径と同様とすることができる。磁気ディスク用基板を３．５インチハードディスク用に用いる場合、本発明の磁気ディスク用基板の外径は、９５ｍｍ以上であることが好ましい。上限はケースの内寸により制限され、９７ｍｍ以下が実際的である。
　磁気ディスク用基板の内径は、通常の磁気ディスク用基板の内径と同様とすることができる。３．５インチハードディスク用に用いる場合、本発明の磁気ディスク用基板の内径は、２６ｍｍ以下であることが好ましい。下限は回転軸の外径により制限され、２５ｍｍ以上が実際的である。
　本発明の磁気ディスク用基板は、その主面の少なくとも一方に磁性体層を形成することにより、磁気ディスクとして用いることができる。主面の両方に磁性体層を形成することが好ましい。
　磁性体層は、通常の磁気ディスクと同様に設けることができる。
　得られた磁気ディスクは、例えば公称３．５インチのハードディスク用に用いることができる。
　主要な３．５インチハードディスク用筐体の厚みとして、２０ｍｍ、２６ｍｍ等が知られている。
　磁気ディスクの板厚が０．５ｍｍである場合、通常の３．５インチ用ハードディスク用の厚さ２６ｍｍの筐体に搭載できる磁気ディスクの枚数は９枚以下である。しかし、磁気ディスクの板厚を０．５ｍｍ未満とすることにより、筐体の厚みを２６ｍｍから大きく超える厚みとすることなく、ハードディスクに磁気ディスクを１０枚以上搭載することが可能となる。
　磁気ディスク用基板の材料としては、一般に、機械的特性や加工性が良好、かつ欠陥の発生しにくさに優れる基板を得ることができる材料が用いられており、具体的には、アルミニウム合金、及びガラスを用いることができる。以下、アルミニウム合金を用いて製造された磁気ディスク用基板をアルミニウム合金基板、ガラスを用いて製造された磁気ディスク用基板をガラス基板ということがある。
　本発明の磁気ディスク用基板は、どのような記録方式用の磁気ディスク用基板として用いることもできるが、ＨＡＭＲ（熱アシスト磁気記録方式）及びＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録方式）用の磁気ディスク用基板として用いることが好ましい。
　ＨＡＭＲ用の磁気ディスク用基板とする場合には、耐熱性に優れるガラス基板を使用することが好ましい。
　ＭＡＭＲ用の磁気ディスク用基板とする場合には、ガラス基板、アルミ基板どちらでも使用可能である。
＜アルミニウム合金基板＞
　まず、アルミニウム合金基板について説明する。
　アルミニウム合金基板に用いるアルミニウム合金は、従来から使用されているＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ等の元素を含有することが好ましい。また、剛性を向上させることができるＦｅ、Ｍｎ、Ｎｉ等の元素を含有することもできる。
　アルミニウム合金としては、Ａｌ－Ｍｇ系合金、Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ－Ｎｉ系合金、Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｎｉ系合金を用いることができる。
　Ａｌ－Ｍｇ系合金としては、例えば、Ａ５０８６（Ｍｇ：３．５～４．５質量％、Ｆｅ：０．５０質量％以下、Ｓｉ：０．４０質量％以下、Ｍｎ：０．２０～０．７質量％、Ｃｒ：０．０５～０．２５質量％、Ｃｕ：０．１０質量％以下、Ｔｉ：０．１５質量％以下、及びＺｎ：０．２５質量％以下を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる）を用いることができる。
　アルミニウム合金の好ましい態様は、Ｍｇ：１．０～６．５質量％を含有し、Ｃｕ：０．０７０質量％以下、Ｚｎ：０．６０質量％以下、Ｆｅ：０．５０質量％以下、Ｓｉ：０．５０質量％以下、Ｃｒ：０．２０質量％以下、Ｍｎ：０．５０質量％以下、Ｚｒ：０．２０質量％以下、Ｂｅ０．００２０質量％以下の１種又は２種以上を更に含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなるアルミニウム合金である。
　アルミニウム合金の別の好ましい態様は、剛性向上材として、必須元素であるＦｅと、選択元素であるＭｎ及びＮｉのうち１種又は２種を含有し、これらＦｅ、Ｍｎ及びＮｉの含有量の合計が１．００～７．００質量％の関係を有し、更に、Ｓｉ：１４．０質量％以下、Ｚｎ：０．７質量％以下、Ｃｕ：１．０質量％以下、Ｍｇ：３．５質量％以下、Ｃｒ：０．３０質量％以下、Ｚｒ：０．２０質量％以下、Ｂｅ：０．００１５質量％以下、Ｓｒ：０．１質量％以下、Ｎａ：０．１質量％以下、Ｐ：０．１質量％以下の１種又は２種以上を含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなるアルミニウム合金である。このようなアルミニウム合金は、含有する成分に応じて、Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ－Ｎｉ系合金、Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｎｉ系合金と称される。
　上記の各アルミニウム合金には、前述した元素以外の元素が含まれていてもよい。前述した元素以外の元素の含有量は、例えば、各元素について０．１質量％以下、合計で０．３質量％以下とすることができる。
＜ガラス基板＞ 
　ガラス基板について説明する。
　ガラス基板の材料としては、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどのガラスセラミックスを用いることができる。なお、成形性や加工性、製品の表面粗さの観点からアモルファスガラスを用いることが好ましく、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることが好ましい。
　磁気ディスク用基板に用いられるガラスの好ましい態様は、ＳｉＯ２：５５～７５％を主成分とし、Ａｌ２Ｏ３：０．７～２５％、Ｌｉ２Ｏ：０．０１～６％、Ｎａ２Ｏ：０．７～１２％、Ｋ２Ｏ：０～８％、ＭｇＯ：０～７％、ＣａＯ：０～１０％、ＺｒＯ２：０～１０％、ＴｉＯ２：０～１％を添加したガラス、特にＳｉＯ２：６０～７０％、Ａｌ２Ｏ３：１０～２５％、Ｌｉ２Ｏ：１～６％、Ｎａ２Ｏ：０．７～３％、ＭｇＯ：０～３％、ＣａＯ：１～７％、ＺｒＯ２：０～３％、ＴｉＯ２：０～１％を含有するガラス、又はこれらにさらにＢ２Ｏ３：１～７％、Ｐ２Ｏ５：０．１～３％を添加したガラスである。なお、上記及び以下の組成において、「％」は全て「質量％」を意味する。
　ＳｉＯ２は、ガラスの骨格を形成する主要成分である。５５％未満であると化学的耐久性低下が低下し、７５％超えであると溶融温度が高くなりすぎて不適となる場合がある。
　Ａｌ２Ｏ３は、イオン交換性と化学的耐久性を向上させる成分である。０．７％未満だと上記効果が不足し、２５％超えであると溶解性及び耐失透性が低下するため不適となる場合がある。
　Ｌｉ２Ｏは、Ｎａイオンと交換してガラスを化学強化すると共に、溶融性、成形性を向上させ、かつヤング率を向上させる成分である。０．０１％未満であるとイオン交換性が低下し、６％超えであると耐失透性と化学的耐久性が低下するため不適となる場合がある。
　Ｎａ２Ｏは、Ｋイオンと交換してガラスを化学強化すると共に、高温粘性を低下させ溶融性、成形性を向上させ、耐失透性を改善させる成分である。０．７％未満では耐失透性が低下し、１２％超えであると化学的耐久性とヌープ硬さが低下して不適となる場合がある。
　Ｋ２Ｏは、高温粘性を低下させ、溶融性の改善、成形性向上、耐失透性の改善効果を有する。８％超えであると低温粘性が低下するとともに熱膨張率増加し、耐衝撃性が低下するため不適となる場合がある。
　ＭｇＯ、ＣａＯ（ソーダライムガラスに必須成分として含有）は、高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上すると共に、ヤング率の向上効果を有するが、ＭｇＯ：７ ％超え、ＣａＯ：１０％超えであると、イオン交換性能を低下させると共に、耐失透性が低下するため不適となる場合がある。
　ＺｒＯ２は、ヌープ硬さを増加させ、化学的耐久性や耐熱性を向上させる効果を有する。１０％超えであると、溶融性が低下すると共に耐失透性が低下して不適となる場合がある。
　ＴｉＯ２は、高温粘性を低め溶融性を改善し、構造安定化、耐久性向上の効果を有するが、１％超えであると、イオン交換性能を低下させると共に、耐失透性が低下するため不適となる場合がある。
　なお、上記ガラスには、粘性を下げ、溶解性と清澄性を高めるＢ２Ｏ３（アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラスに必須成分として含有）、高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上すると共に、ヤング率の向上効果を有するＳｒＯ、ＢａＯ、イオン交換性能を向上させると共に低温粘性を低下させず高温粘性を低下させるＺｎＯ、清澄性とイオン交換性能を向上させるＳｎＯ２、着色剤であるＦｅ２Ｏ３などの他、清澄剤としてＡｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を、さらにはＰ２Ｏ５を含んでもよい。また、微量元素として、Ｌａ，Ｐ，Ｃｅ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｒｂ，Ｙなどの酸化物を含んでもよい。上記ガラスはまた、ＳｉＯ２：６０～７０％、Ａｌ２Ｏ３：１０～２５％、Ｌｉ２Ｏ：１～６％、Ｎａ２Ｏ：０．７～３％、ＭｇＯ：０～３％、ＣａＯ：１～７％、ＺｒＯ２：０～３％、ＴｉＯ２：０～１％、Ｂ２Ｏ３：０．１～７％、及びＰ２Ｏ５：０．１～３％を含有する組成であっても良い。
｛磁気ディスク用基板の製造方法｝
　磁気ディスク用基板の製造方法は、上記熱衝撃試験後の長波長うねりＷａ及び短波長うねりμＷａが上記範囲にある磁気ディスク用基板を製造可能な方法であれば、特に限定されない。長波長うねりＷａ及び短波長うねりμＷａを上記範囲とする観点からは、本発明の磁気ディスク用基板の製造方法は、ディスクブランク（ディスク状のブランク基板）から磁気ディスク用基板を得るにあたり、前記ディスクブランクの両主面を同時に粗研磨する粗研磨工程と、前記粗研磨されたディスクブランクの両主面を精密研磨する精密研磨工程とを含み、前記粗研磨工程の途中で、前記ディスクブランクの表裏面を反転させる、製造方法であることが好ましい。
　磁気ディスク用基板の製造方法は、平均粒径が０．１～１．０μｍの研磨砥粒を含む研磨液と硬質又は軟質の研磨パッドとを用いて、両主面を同時に粗研磨する粗研磨工程と、次いで、平均粒径が０．０１～０．１μｍの研磨砥粒を含む研磨液と軟質の研磨パッドを用いて、上記両主面（粗研磨した主面）を精密研磨する精密研磨工程を有し、粗研磨工程の途中でディスクブランクの表裏面を反転させる製造方法であることがより好ましい。精密研磨工程における研磨砥粒は、粗研磨工程で用いた研磨砥粒よりも平均粒径が小さいものを使用するものとする。ここで、「硬質」とは日本ゴム協会標準規格（準拠規格：ＳＲＩＳ０１０１）に定める測定方法で測定した硬度（アスカーＣ）が８５以上のもの、「軟質」とは同硬度が６０～８０のものをいう。平均粒径（ｄ５０）とは、いわゆるメジアン径であり、レーザー回折・散乱法により粒度分布を測定し、累積分布において粒子の全体積を１００％としたときに５０％累積となるときの粒径を意味する。
　粗研磨工程及び精密研磨工程の条件の詳細は、製造する磁気ディスク用基板の原料に応じて設定することができる。これらの研磨工程の詳細については、後述する、磁気ディスク用アルミニウム合金基板、及びこれを用いた磁気ディスクの製造方法と、磁気ディスク用ガラス基板、及びこれを用いた磁気ディスクの製造方法において説明する。後述する磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法において、ステップＳ１１１の研磨加工工程が上記の、粗研磨工程及び精密研磨工程に相当する。また、後述する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ステップＳ２０４の粗研磨工程及びステップＳ２０５の精密研磨工程が、上記の、粗研磨工程及び精密研磨工程に相当する。
　粗研磨工程は、市販のバッチ式の両面同時研磨機を用いて実施することができる。この両面同時研磨機は、鋳鉄製の上定盤及び下定盤と、複数のディスクブランクを上定盤と下定盤との間に保持するキャリアと、上定盤及び下定盤のディスクブランクとの接触面にそれぞれ取り付けられた、硬質又は軟質の研磨パッド（すなわち、研磨パッドの枚数はディスクブランクの枚数の２倍である）とを備えている。そして、この両面同時研磨機は、キャリアによって上定盤と下定盤との間に複数のディスクブランクを保持し、上定盤と下定盤とによって各ディスクブランクを所定の加工圧力で挟圧する。すると、各ディスクブランクは上下（重力方向に平行）から一括して研磨パッドによって挟圧される。次に、研磨パッドと各ディスクブランクとの間に研磨液を所定の供給量で供給しながら、上定盤と下定盤とを互いに異なる向きに回転させる。この際、キャリアもサンギアによって自転するため、ディスクブランクは遊星運動を行う。これによって、ディスクブランクは研磨パッドの表面を摺動し、両表面が同時に研磨される。なお、研磨パッドは多孔質（表面が開口した袋状の孔を有する）であるので、研磨パッドを介して研磨パッドとディスクブランクとの間に研磨液が供給される。
　精密研磨工程は、上述の両面同時研磨機を用いて実施することができる。
　熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａを低減するためには、主に研磨加工工程の粗研磨工程でディスクブランクに歪を均一に入れることが好ましい。ここで、「歪を均一に入れる」とはうねり分布をディスクブランクの主表面全体で均一の状態にすることを意味する。研磨量の増加に伴い、Ｗａ及びμＷａは低減する傾向にある。粗研磨工程で表裏面の研磨量をなるべく一致させることにより、上記うねり分布を主表面全体で均一の状態とすることができる。歪を均一に入れる観点からは、粗研磨工程の途中でディスクブランクの表裏面を反転させることが好ましい。ディスクブランクの表裏面を反転させることにより、ディスクブランクのそれぞれの主面（研磨面）を研磨する研磨パッドが入れ替わる、重力のかかり方が反転するなどにより、表裏面の研磨量をより近づけることができると考えられる。
　さらに、歪を均一に入れる観点からは、粗研磨工程で用いる研磨パッドの表面状態を管理することが好ましい。研磨パッドの表面状態の管理（調整）は、粗研磨工程において、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａを２．５ｎｍ未満とすることが困難な場合に行うことができる。研磨パッドの表面状態の調整は、粗研磨前のディスクブランクをカットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａを２．５ｎｍ未満とできるように研磨パッドの表面状態を調整できれば通常の方法で行うことができ、例えば、ダミー研磨により行うことができる。例えば、粗研磨工程で用いる研磨パッドをブラシした場合には、粗研磨を行う前にダミー研磨を行うことが好ましい。
　ダミー研磨は、上記粗研磨工程において用いる研磨パッドの表面状態を調整するための研磨加工である。本明細書では、研磨パッドの表面状態の調整のために行う研磨を「ダミー研磨」と称し、このダミー研磨後の研磨パッドを用いて行う、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ未満とする研磨を「粗研磨」と称する。ダミー研磨は、以下のようにして行うことができる。
　ダミー研磨において、ダミー基板として、粗研磨前の状態のディスクブランクを用いることが好ましい。例えば粗研磨する対象がアルミニウム合金基板である場合には、ダミー基板として、後述する無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理後であって粗研磨前の状態のディスクブランクを用いることができる。粗研磨する対象がガラス基板である場合には、後述するステップＳ２０２又はＳ２０３により得られたディスクブランクをダミー基板として、用いることができる。ダミー研磨は、上記ダミー基板を用い、主面のカットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで行う。ダミー研磨は、粗研磨工程と同様の条件において行うことができる。 研磨回数（ダミー研磨した回数）は特に制限されず、上記のＷａとなるまで行うことができる。
　ダミー基板に対してダミー研磨を行ってカットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで研磨した後の、表面状態調節後の研磨パッドを、粗研磨工程において用いることで、粗研磨工程における、表面と裏面との研磨量差が大きくならないように調節することができる。研磨量差を低減することで、上記Ｗａ及びμＷａを実現しやすくなる。
　上記の観点から、本発明の磁気ディスク用基板の製造方法の一態様は、上記粗研磨工程の前工程として、前記粗研磨工程に用いる研磨パッドの表面状態（研磨面の状態）を調節するダミー研磨工程を有する製造方法とすることができる。この、ダミー研磨工程は、ディスクブランクと同じ条件で製造したダミー基板を、粗研磨工程で使用する２つの研磨パッドを用いて、粗研磨工程と同様の条件（研磨砥粒のサイズ、研磨パッドの硬度、研磨時間、研磨定盤の回転数、サンギアの回転数、研磨液供給速度、加工圧力、研磨量）で、片面における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで研磨して、表面状態を調整した研磨パッドを得る工程であることが好ましい。ダミー研磨工程を行う場合には、ダミー研磨後の粗研磨工程においては、この表面状態を調整した研磨パッドを用いて、ダミー基板とは別のディスクブランクを粗研磨する。
　以下に、本発明の磁気ディスク用基板及び磁気ディスクの製造方法を、磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法と、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法とに分けて説明する。
＜アルミニウム合金基板の製造方法＞
　以下に、磁気ディスク用アルミニウム合金基板、及びこれを用いた磁気ディスクの製造工程の各工程及びプロセス条件を詳細に説明する。
　本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造においては、半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法により鋳造したアルミニウム合金素材を用いることが好ましい。連続鋳造（ＣＣ鋳造）法では、アルミニウム合金における金属間化合物の分布状態が不均一となり、製造する基板に歪が不均一に残存して、うねりを大きくする場合がある。
　図１は、アルミニウム合金基板、及び、これを用いた磁気ディスクの製造方法の一例を説明するフロー図である。図１において、アルミニウム合金の調製工程（ステップＳ１０１）～冷間圧延（ステップＳ１０５）は、溶解鋳造でアルミニウム合金素材を製造し、これをアルミニウム合金板にする工程である。次いで、加圧平坦化処理（ステップＳ１０６）によって、アルミニウム合金のディスクブランクが製造される。そして、製造したディスクブランクに対して切削・研削加工工程（ステップＳ１０７）、脱脂・エッチング処理（ステップＳ１０８）を行い、ジンケート処理（ステップＳ１０９）、無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理（ステップＳ１１０）、及び研磨加工工程（ステップＳ１１１）を行い、アルミニウム合金基板が製造される。製造されたアルミニウム合金基板は、磁性体の付着工程（ステップＳ１１２）によって磁気ディスクとなる。
　以下、図１を参照しつつ、各工程の内容を詳細に説明する。
　まず、上述の成分組成を有するアルミニウム合金素材の溶湯を、常法に従って加熱・溶融することによって調製する（ステップＳ１０１）。
　次に、調製されたアルミニウム合金素材の溶湯を、例えば半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法により鋳造して、アルミニウム合金素材を鋳造する（ステップＳ１０２）。ＤＣ鋳造は、連続鋳造（ＣＣ鋳造）の場合と比較して、金属間化合物の分布状態をより均一にすることができるため、熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａを上記範囲とすることができる。ＤＣ鋳造法及びＣ Ｃ鋳造法における、アルミニウム合金素材の製造条件等は、特に限定されず、通常の方法により行うことができる。ＤＣ鋳造は、竪型半連続鋳造でもよく、横型半連続鋳造でもよい。
　ＤＣ鋳造法においては、スパウトを通して注がれた溶湯が、ボトムブロックと、水冷されたモールドの壁、ならびに、インゴット（鋳塊）の外周部に直接吐出される冷却水で熱を奪われ、凝固し、アルミニウム合金の鋳塊として下方に引き出される。この工程で得られたインゴットをスラブということがある。
　一方、ＣＣ鋳造法では、一対のロール（又は、ベルトキャスタ、ブロックキャスタ）の間に鋳造ノズルを通して溶湯を供給し、ロールからの抜熱でアルミニウム合金の薄板を直接鋳造する。
　ＤＣ鋳造法とＣＣ鋳造法との大きな相違点は、鋳造時の冷却速度にある。冷却速度が大きいＣＣ鋳造法では、第二相粒子のサイズがＤＣ鋳造に比べ小さいのが特徴である。
　次に、ＤＣ鋳造により得られたアルミニウム鋳塊を熱間圧延し板材とする（ステップＳ１０４）。この熱間圧延に先立って、必要に応じて均質化処理（ステップＳ１０３）を行うことができる。ＣＣ鋳造においては、これらの工程を行わず、ステップＳ１０２に引き続きステップＳ１０５を行うことも可能である。
　ステップＳ１０３として、均質化処理を行う場合は、２８０～６２０℃で０．５～３０時間の加熱処理を行うことが好ましく、３００～６２０℃で１～２４時間の加熱処理を行うことがより好ましい。上記温度範囲であれば、均質化が十分となり、アルミニウム合金基板毎の損失係数のバラツキを低減することができる。さらに、アルミニウム合金鋳塊の溶融の発生を抑制することができる。均質化処理時の加熱時間が３０時間を超えるとその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。
　ＤＣ鋳造法に適用されるステップＳ１０４においては、均質化処理を施した、或いは、均質化処理を施していないアルミニウム合金鋳塊を熱間圧延し板材とする。熱間圧延するに当たっては、特にその条件は限定されるものではないが、熱間圧延開始温度を好ましくは２５０～６００℃とし、熱間圧延終了温度を好ましくは２３０～４５０℃とする。
　次に、熱間圧延した圧延板、又は、ＣＣ鋳造法で鋳造した鋳造板を冷間圧延して厚さ０．３０～０．６ｍｍ程度のアルミニウム合金板とする（ステップＳ１０５）。冷間圧延の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚に応じて定めればよく、圧延率を１０～９５％とするのが好ましい。冷間圧延の前、或いは、冷間圧延の途中において、冷間圧延加工性を確保するために焼鈍処理を施してもよい。焼鈍処理を実施する場合には、例えばバッチ式の加熱ならば、３００～４５０℃で０．１～１０時間の条件で行うことが好ましく、連続式の加熱ならば、４００～５００℃で０～６０秒間保持の条件で行うことが好ましい。ここで、保持時間が０秒とは、所望の保持温度に到達後直ちに冷却することを意味する。
　そして、冷間圧延により得られたアルミニウム合金板を円環状に形成し、円盤状アルミニウム合金板とする。円盤状アルミニウム合金板は、加圧平坦化処理（ステップＳ１０６）を経てディスクブランクとなる。円盤状とするための形成加工は、プレスによって打ち抜きをすることにより行うことができる。加圧平坦化処理では、円盤状アルミニウム合金板に対して、大気中で、例えば、３０～６０ｋｇｆ／ｃｍ２の荷重を負荷して加圧しながら、２５０～４５０℃で０．５～１０時間の加圧焼鈍が行われ、平坦化したディスクブランクが作製される。
　ここで、加圧焼鈍の温度が低すぎる、例えば２００℃程度であると、材料に歪が残ってしまい（材料中の歪を均一にすることができず）、ひいては、熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａを上記範囲とすることができない場合がある。そのため、本発明の磁気ディスク用基板を製造する上で、２５０～４５０℃、特に３００～４００℃程度の温度条件で加圧焼鈍を行うことが好ましい。
　ディスクブランクには、ジンケート処理等の前に、切削・研削加工（ステップＳ１０７）と必要に応じて加熱処理を行う。
　切削・研削加工工程においては、ディスクブランクの内外周を切削加工して形状を整え、主面を研削加工する。この工程を行う前に、研削加工の予備処理として、ディスクブランクの記録面を切削加工してもよい。この工程において、さらに内外周端面へチャンファー加工を施してもよい。
　研削加工は８００～４０００番のＳｉＣ砥石と、通常のバッチ式の両面同時研磨機を用いて実施することができる。この両面同時研磨機は、鋳鉄製の上定盤及び下定盤と、複数のアルミ基板を上定盤と下定盤との間に保持するキャリアと、上定盤及び下定盤のアルミ基板との接触面に取り付けられた、ＳｉＣ砥石とを備える。研削加工の仕上げ状態によりＷａが変化するため、４０００番の砥石で仕上げるのが好ましい。研削加工は、ディスクブランクをキャリアで保持しながら、上下定盤をそれぞれ反対方向に回転させる。上下定盤の回転数は１０～３０ｒｐｍとすることができる。キャリアはサンギアで回転するため、ディスクブランクは砥石の上を遊星運動しながら研削される。
　また、加熱処理を行う場合には、ディスクブランクを２００～３５０℃で５～６０分保持の条件で加熱処理を行う。加熱処理を行うことにより、切削・研削加工で入った歪を除去して均一な歪みとすることができる。
　さらに、ディスクブランクに対して、脱脂・エッチング処理する（ステップＳ１０８）。脱脂処理は、通常の方法で行うことができ、例えば、市販の脱脂液などを用い、温度４０～７０℃、処理時間３～１０分の条件で行うことが好ましい。
　エッチング処理は、通常の方法で行うことができ、例えば、市販のエッチング液などを用い、温度５０～７５℃、処理時間０．５～５分の条件で行うことが好ましい。
　次に、ディスクブランク表面に対して、ジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施す（ステップＳ１０９）。
　ジンケート処理では、ディスクブランク表面にジンケート皮膜が形成される。ジンケート処理は、市販のジンケート処理液を用いて行うことができ、温度１０～３５℃、処理時間０．１～５分、濃度１００～５００ｍＬ／Ｌの条件で行うことが好ましい。ジンケート処理は、少なくとも１回行い、２回以上行ってもよい。ジンケート処理を複数回行うことで、微細なＺｎを析出させて、均一なジンケート皮膜を形成することができる。ジンケート処理を２回以上行う場合、その合間にＺｎ剥離処理を行うことが好ましい。Ｚｎ剥離処理は、硝酸（ＨＮＯ３）溶液を用い、温度１５～４０℃、処理時間１０～１２０秒、濃度：１０～６０％の条件で行うことが好ましい。また、２回目以降のジンケート処理は、最初のジンケート処理と同様の条件で実施することが好ましい。
　更に、ジンケート処理したディスクブランク表面に、磁性体付着の下地処理として無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理（ステップＳ１１０）を施す。無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理工程は、市販のめっき液等を用い、温度８０～９５℃、処理時間３０～１８０分、Ｎｉ濃度３～１０ｇ／Ｌの条件でめっき処理を行うことが好ましい。
　無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理後のめっき表面に、研磨加工を行う（ステップＳ１１１）。この研磨加工工程では、用いる研磨砥粒の径を調整した複数段階での研磨を行うことが好ましい。この研磨加工工程は、少なくとも粗研磨と精密研磨との２段階での研磨を含む。例えば、平均粒径が０．１～１．０μｍのアルミナを含む研磨液と硬質又は軟質の研磨パッドとを用いて、主面を粗研磨する粗研磨と、次に、平均粒径が０．０１～０．１μｍ程度のコロイダルシリカを含む研磨液と軟質の研磨パッドを用いて上記主面を精密研磨する精密研磨とすることができる。
　上記粗研磨の際のその他の研磨条件は、用いたアルミニウム合金、ステップＳ１０１～Ｓ１１０までの処理条件等により影響されるため一義的に決定することが難しいが、例えば、研磨時間２～５分、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を５００～５０００ｍＬ／分、特に８００～１５００ｍＬ／分、加工圧力を２０～１２０ｇ ／ｃｍ２、研磨量を片面あたり２．５～３．５μｍとすることができる。本発明の製造方法では、粗研磨工程の途中で、ディスクブランクを反転させる。ディスクブランクを反転させる時期は特に制限されないが、ディスクブランクの両面が均等に研磨されるようにすることが好ましく、粗研磨工程の全研磨時間の半分が経過した際に反転させることがより好ましい。反転前後の研磨条件は同じとすることが好ましい。
　上記精密研磨の際のその他の研磨条件は、用いたアルミニウム合金、ステップＳ１０１～粗研磨までの処理条件等により影響されるため一義的に決定することが難しいが、例えば、研磨時間２～５分、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を５００～５０００ｍＬ／分、特に８００～１５００ｍＬ／分、加工圧力を２０～１００ｇ ／ｃｍ２、研磨量を片面あたり１．０～１．５μｍとすることができる。精密研磨工程の途中で、ディスクブランクを反転させてもよい。ディスクブランクを反転させる場合、ディスクブランクを反転させる時期は特に制限されないが、ディスクブランクの両面が均等に研磨されるようにすることが好ましく、精密研磨工程の全研磨時間の半分が経過した際に反転させることがより好ましい。
　上述の通り、上記粗研磨工程に先立って、ダミー研磨工程を行ってもよい。ダミー研磨工程の条件については上述したとおりである。
　以上説明した、無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理後の研磨加工工程（表面研磨）までの工程により、磁気ディスク用アルミニウム合金基板が製造される。
　磁性体の付着工程（ステップ１１２）は、通常の方法により行うことができる。磁性体層形成後の磁気ディスク用基板（磁気ディスク）も熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａが上記磁気ディスク用基板の熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａと同様となるように、過度の熱処理を行わずに磁性体層を形成することが好ましい。
＜ガラス基板の製造方法＞
　次に、磁気ディスク用ガラス基板、及びこれを用いた磁気ディスクの製造方法の一例を説明する。
　図２は、ガラス基板、及び、これを用いた磁気ディスクの製造方法の一例を説明するフロー図である。このガラス基板の製造方法は、図２に示すように、はじめに、所定の厚さのガラス板を準備する（ステップＳ２０１）。次に、準備したガラス板をコアリングし、更に内外周の端面研磨加工を行うことで、円盤状のディスクブランクを形成する（ステップＳ２０２）。さらに必要に応じて、円盤状のディスクブランクをラッピングする工程を行う（ステップＳ２０３）。次に、成形したディスクブランクを、上下から一括して研磨パッドで挟圧し、複数のディスクブランクを例えば酸化セリウム砥粒により、同時に研磨する粗研磨工程（ステップＳ２０４）を行い、つづいて、ステップＳ２０４において研磨した各ディスクブランクを例えばコロイダルシリカ砥粒により、更に同時に研磨する精密研磨工程を行い（ステップＳ２０５）、ガラス基板を製造する。製造されたガラス基板は、磁性体の付着工程（ステップＳ２０６）によって磁気ディスクとなる。
　以下、図２を参照しつつ、各工程について具体的に説明する。
　まず、ステップＳ２０１のガラス板の準備は、例えば溶融ガラスを原料としたフロート法、ダウンドロー法、ダイレクトプレス法などの公知の製造方法を用いて実施できる。また、フロート法等を用いて製造した母材ガラス板を加熱して軟化し、所望の厚さに延伸するリドロー法を用いれば、厚さのばらつきが小さいガラス板を比較的容易に製造できるので好ましい。
　次に、ステップＳ２０２の円盤状のディスクブランクの形成においては、ステップＳ２０１において準備したガラス板から、コアリング工程、内外周の端面研磨工程によって円盤状のディスクブランクを形成する。形成したディスクブランクは、２面の主面を有し、中央部に円孔が形成された円盤状のディスクブランクである。
　必要に応じて、ステップＳ２０３のラッピング工程を行い、ステップＳ２０２により形成した円盤状のディスクブランクに対しラッピングを実施することで、ディスクブランクの厚さを調整することができる。このラッピング工程は、上記ステップＳ２０１においてリドロー法を採用しなかった場合などガラス板の厚さのばらつきが大きい場合に行うことが好ましい。ラッピング工程は、ガラス板の厚さのばらつきが±３μｍ程度となるように行うことができる。ラッピング工程は、通常の方法で行うことができ、例えばダイヤモンドペレットを用いたバッチ式の両面研磨機を用いて実施することができる。
　次いで、上記ステップＳ２０２又はＳ２０３により得られたディスクブランクの主表面に、研磨加工を行う。この研磨加工工程では、研磨砥粒の径を調整した複数段階での研磨を行うことが好ましい。この研磨加工工程は、少なくとも粗研磨（Ｓ２０４）と精密研磨（Ｓ２０５）との２段階での研磨を含む。
　ステップＳ２０４の粗研磨工程においては、ディスクブランクの主面を粗研磨する。
　粗研磨の条件は、特に限定されないが、硬度８６～８８の硬質の研磨パッドを用い、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、特に１０００ｍＬ／分以上２０００ｍＬ／分未満、加工圧力を２０～１２０ｇ／ｃｍ２、研磨時間２～１０分、研磨量を片面あたり４０～６０μｍとすることが好ましい。研磨パッドとしては、 硬質のポリウレタン等からなる研磨パッドを用いることが好ましい。研磨液として、平均粒径が０．１～１．０μｍの酸化セリウムからなる研磨砥粒を含むものを用いることが好ましい。
　本発明の製造方法においては、粗研磨工程の途中で、ディスクブランクを反転させる。ディスクブランクを反転させる時期は特に制限されないが、ディスクブランクの両面が均等に研磨されるようにすることが好ましく、粗研磨工程の全研磨時間の半分が経過した際に反転させることがより好ましい。反転前後の研磨条件は同じとすることが好ましい。なお、ディスクブランクの反転（フリッピング）は研磨処理中に１回行えば良いが、２回以上行っても良い。例えば、フリッピングを複数回行う場合は、各面が上側になる時間の合計と下側になる時間の合計とを揃えて研磨すれば良い。
　上述の通り、上記ステップＳ２０４の粗研磨工程に先立って、ダミー研磨工程を行ってもよい。ダミー研磨工程の条件については上述したとおりである。
　次に、ステップＳ２０５の精密研磨工程においては、粗研磨された主面を精密研磨する。精密研磨は、両面同時研磨機の研磨パッドを、例えば発泡ウレタンからなるより軟質の精密研磨用の研磨パッドに取り替え、平均粒径が０．０１～０．１０μｍと小さいコロイダルシリカからなる研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら、上記研磨パットを用いてガラス基板を研磨することにより実施することができる。これによって、ディスクブランクの主面が鏡面に研磨され、磁気ディスク用ガラス基板が製造される。
　精密研磨の条件は、特に限定されないが、硬度７５～７７の軟質の研磨パッドを用い、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、特に１０００ｍＬ／分以上２０００ｍＬ／分未満、加工圧力を２０～１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間２～１２分、研磨量を片面あたり５～１５μｍとすることが好ましい。
　精密研磨工程の途中で、ディスクブランクを反転させてもよい。ディスクブランクを反転させる場合、ディスクブランクを反転させる時期は特に制限されないが、ディスクブランクの両面が均等に研磨されるようにすることが好ましく、精密研磨工程の全研磨時間の半分が経過した際に反転させることがより好ましい。
　なお、研磨加工の途中で、硝酸ナトリウム溶液や硝酸カリウム溶液による化学強化処理を行ってもよい。
　磁性体の付着工程（ステップＳ２０６）は、通常の方法により行うことができる。磁性体層形成後の磁気ディスク用基板（磁気ディスク）も、熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａが上記磁気ディスク用基板の熱衝撃試験後のＷａ及びμＷａと同様となるように、過度の熱処理を行わずに磁性体層を形成することが好ましい。
｛磁気ディスク｝
　本発明はまた、一対の主面を有する磁気ディスクであって、
　前記主面の少なくとも一方の、下記熱衝撃試験後の、２５℃における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下であり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下である、磁気ディスクも包含する。
 ＜熱衝撃試験＞
　熱衝撃試験は、前記磁気ディスクに対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う。
　本発明の磁気ディスクは、公知のどのような基板で形成されていても良く、そのサイズや材質に特に制限はない。しかしながら、より高い平坦度の磁気ディスクとする上で、アルミニウム合金基板又はガラス合金基板に基づく磁気ディスクであることが好ましい。また、本発明の効果を特に顕著とする上で、厚さ寸法が０．５ｍｍ未満又は外径寸法が９５ｍｍ以上の基板に基づくことが好ましい。より好ましくは、上記本発明の磁気ディスク用基板で、特に好ましくは上記の製造方法により得られた上記材質の磁気ディスク用基板で形成されているのがよい。
本発明の磁気ディスク用基板では、その表面上に磁性体層、さらには所望により保護膜層や潤滑膜層が備えられていても、磁性体層等の厚さは基板と比較して非常に薄いため、熱衝撃試験後の長波長うねりや短波長うねりに実質的に影響することがなく、高い長期信頼性が保持され、本願の課題が達成される。
　以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない 。
（実施例１）
　Ａ５０８６合金（アルミニウム合金Ａ）を定法に従い溶解し（ステップＳ１０１）、幅１３１０ｍｍ×板厚５００ｍｍにＤＣ鋳造（竪型半連続鋳造）してスラブを得た（ステップＳ１０２）。このスラブの４面（少なくとも主面を含む）をそれぞれ１０ｍｍ面削し、５４０℃で６時間均質化処理（ステップＳ１０３）を行った後、熱間圧延開始温度５４０℃、熱間圧延終了温度３５０℃で熱間圧延し、板厚３．０ｍｍの熱間圧延板とした（ステップＳ１０４）。この熱間圧延板を冷間圧延し、板厚０．４８ｍｍの冷間圧延板とした（ステップＳ１０５）。
　この冷間圧延板を内径２４ｍｍ、外径９８ｍｍの円盤状にプレスで打抜き、大気中で、連続焼鈍炉を用いて、３０ｋｇｆ／ｃｍ２の荷重を負荷して加圧しながら、３２０℃で３時間の加圧焼鈍を行って加圧平坦化処理した（ステップＳ１０６）。このようにしてディスクブランクを得た。更に、ディスクブランクの内外周を切削加工することで内径２５ｍｍ、 外径９７ｍｍの円盤状のディスクブランクとした。この際、同時に内外周端面へチャンファー加工を施した。
　この加工後のディスクブランクを４０００番ＳｉＣ砥石とバッチ式の両面同時研磨機（商品名：９Ｂ両面研削機、ＳＰＥＥＤＦＡＭ社製）を用いて表面研削して板厚０．４６ｍｍとした（ステップＳ１０７）。上下定盤の回転数は３０ｒｐｍとした。
　このディスクブランクの両面を以下のようにして、脱脂処理、エッチング処理（ステップＳ１０８）、第１ジンケート処理、Ｚｎ剥離処理、及び第２ジンケート処理（ステップＳ１０９）した。
　脱脂処理は、脱脂液ＡＤ－６８Ｆ（商品名、上村工業社製）を用い、温度４５℃、処理時間３分、濃度５００ｍＬ／Ｌの条件で行った。
　エッチング処理は、ＡＤ－１０７Ｆ（商品名、上村工業社製）エッチング液を用い、温度６０℃、処理時間２分、濃度５０ｍＬ／Ｌの条件で行った。
　第１ジンケート処理は、ジンケート処理液ＡＤ－３０１Ｆ－３Ｘ（商品名、上村工業社製）を用い、温度２０℃、処理時間１分、濃度２００ｍＬ／Ｌの条件で行った。
　Ｚｎ剥離処理は、市販の硝酸試薬を用い、温度２５℃、処理時間６０秒、硝酸濃度３０％の条件で行った。
　第２ジンケート処理は、第１ジンケート処理と同様の条件で行った。
　また、脱脂処理から第２ジンケート処理までの各処理間には純水洗浄を実施した。
　その後、ステップＳ１０９で得られたディスクブランクの両面に対して、無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理を、ニムデンＨＤＸ（商品名、上村工業社製）めっき液を用い、温度８８℃、処理時間１３０分、Ｎｉ濃度６ｇ／Ｌの条件で行った（ステップＳ１１０）。
　更に、Ｎｉ－Ｐめっきされたディスクブランクを両面同時研磨機（商品名：９Ｂ両面研削機、ＳＰＥＥＤＦＡＭ社製）にセットし、ダミー研磨工程、粗研磨工程及び精密研磨工程（ステップＳ１１１）を行い、アルミニウム合金基板を製造した。以下、詳述する。
　まず、粗研磨処理に先立ち、ダミー研磨を行った。ダミー研磨には、作製した、複数の無電解Ｎｉ－Ｐめっき後の基板（粗研磨前）のうち１枚をダミー基板として、また、硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッド（商品名：ＦＦ－５、フジボウ愛媛社製）を研磨パッドとして使用した。後述する粗研磨工程の条件でダミー研磨を複数回行ったところ、６回目で研磨後のダミー基板のカットオフ波長０．４～５．０ｍｍで測定したときの長波長うねりＷａが２．５ｎｍ未満（２．１９ｎｍ）となったためダミー研磨を終了した。
　なお、後述する実施例２～３、及び比較例１～２の粗研磨においては、実施例１においてダミー研磨を行って表面状態を調節した研磨パッドを用いたため、粗研磨前にダミー研磨を行わなかった。
　Ｎｉ－ＰめっきされたディスクブランクのＮｉ－Ｐめっきされた主面を、上記ダミー研磨工程して得られた硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッドと、平均粒径０．４μｍのアルミナ砥粒を含む研磨液とで粗研磨した。粗研磨の途中（研磨時間の半分が経過した時点）でディスクブランクを反転した。なお、粗研磨工程におけるその他の研磨条件としては、研磨時間５分、研磨定盤の回転数を３０ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００ｍＬ／分、加工圧力を１００ｇ／ｃｍ２、研磨量を片面あたり３．０μｍとした。
　この粗研磨後のＮｉ－Ｐめっきされたディスクブランクを純水で洗浄後、硬度が７６の軟質ウレタン研磨パッド（商品名：ＦＫ１―Ｎ、フジボウ愛媛社製）と、平均粒径０．０８μｍのコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液で精密研磨して、磁気ディスク用基板として板厚０．４８ｍｍのアルミニウム合金基板とした。なお、精密研磨工程におけるその他の研磨条件としては、研磨時間を５分、研磨定盤の回転数を３０ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００ｍＬ／分、加工圧力を６０ｇ／ｃｍ２、研磨量を片面あたり１．３μｍとした。
（実施例２）
　Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ－Ｎｉ系合金（アルミニウム合金Ｂ）を定法に従い溶解し、幅１３１０ｍｍ×板厚５００ｍｍにＤＣ鋳造（竪型半連続鋳造）してスラブを得た。このスラブを各面１０ｍｍ面削し、５２０℃で６時間均質化処理の後、熱間圧延開始温度５２０℃、熱間圧延終了温度３３０℃で熱間圧延し、板厚３．０ｍｍの熱間圧延板とした。この熱間圧延板を冷間圧延し、板厚０．４８ｍｍの冷間圧延板とした。この冷間圧延板を実施例１における冷間圧延板に代えて用いた以外は、実施例１に示した方法と同様にして、板厚０．４８ｍｍのアルミニウム合金基板とした。
　アルミニウム合金Ｂの組成は、Ｆｅ：０．７質量％、Ｍｎ：０．９質量％、Ｎｉ：１．７質量％を含み、残部がアルミニウムと不可避不純物を含むものであった。
（実施例３）
　Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｎｉ系合金（アルミニウム合金Ｃ）を定法に従い溶解し、幅１３１０ｍｍ×板厚５００ｍｍにＤＣ鋳造（竪型半連続鋳造）してスラブを得た。このスラブの４面をそれぞれ１０ｍｍ面削し、５２０℃で６時間均質化処理の後、熱間圧延開始温度５２０℃、熱間圧延終了温度３３０℃で熱間圧延し、板厚３．０ｍｍの熱間圧延板とした。この熱間圧延板を冷間圧延し、板厚０．４８ｍｍの冷間圧延板とした。この冷間圧延板を実施例１における冷間圧延板に代えて用いた以外は、実施例１に示した方法と同様にして、板厚０．４８ｍｍのアルミニウム合金基板とした。
　アルミニウム合金Ｃの組成は、Ｆｅ：０．７質量％、Ｍｎ０．３：質量％、Ｍｇ：１．４質量％、Ｎｉ：１．８質量％を含み、残部がアルミニウムと不可避不純物を含むものであった。
（実施例４）
　リドロー法を用いて、幅１００ｍｍ、長さ１０ｍのアルミノシリケートガラス（ＳｉＯ２：６５質量％、Ａｌ２Ｏ３：１８質量％、Ｂ２Ｏ３：４質量％、Ｌｉ２Ｏ：４質量％、Ｎａ２Ｏ：１質量％、ＣａＯ：４質量％、Ｐ２Ｏ５：１質量％、その他微量成分を含有）からなるガラス板を製造し、厚さ０．６０ｍｍのガラス板を選別した（ステップＳ２０１）。選択したガラス板に対して、コアリング、及び、内外周の端面研磨を行い、外径が９７ｍｍ、円孔の内径が２５ｍｍの円盤状のディスクブランクとした（ステップＳ２０２）。更に、 成形した円盤状のディスクブランクを両面同時研磨機にセットし、粗研磨工程（ステップＳ２０４）及び精密研磨工程（ステップＳ２０５）を行い、ガラス基板を製造した。なお、研磨パッドが好適な状態に調整されていたので、ダミー研磨は行わなかった。
　粗研磨工程においては、硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッド（商品名：ＦＦ―５、フジボウ愛媛社製）と、平均粒径が０．１９μｍの酸化セリウム研磨砥粒に純水を加えて遊離砥粒とした研磨液とを用いた。粗研磨を開始してから５分後に、ディスクブランクを反転させることにより裏表を入れ替え、更に５分間粗研磨した。粗研磨工程におけるその他の研磨条件としては、研磨定盤の回転数を２５ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を１５００ｍＬ／分、加工圧力を１２０ｇ／ｃｍ２、研磨量を片面あたり５０μｍとした。このようにして、板厚０．５０ｍｍのガラス基板とした。
　一方、精密研磨工程においては、硬度が７６の軟質ウレタン研磨パッド（商品名：ＦＫ１－Ｎ、フジボウ愛媛社製）と、平均粒径が０．０８μｍのコロイダルシリカに純水を加えて遊離砥粒とした研磨液とを用いた。精密研磨工程におけるその他の研磨条件としては、研磨定盤の回転数を２５ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を１５００ｍＬ／分、研磨時間を８．５分、加工圧力を５０～１２０ｇ／ｃｍ２、研磨量を片面あたり１０μｍとした。このようにして、板厚０．４８ｍｍのガラス基板とした。
（比較例１）
　加圧焼鈍条件を大気中で、３０ｋｇｆ／ｃｍ２の荷重を負荷して加圧しながら２００℃で３時間に変化させ、かつ粗研磨工程の途中でディスクブランクの反転を行わなかった以外は、実施例１と同様にしてアルミニウム合金基板を得た。
（比較例２）
　Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ－Ｎｉ系合金（アルミニウム合金Ｂ）を定法に従い溶解し、幅１４２０ｍｍ×板厚６．０ｍｍにＣＣ鋳造（連続鋳造）した。この連続鋳造コイルを冷間圧延し、板厚０．４８ｍｍとした。この冷間圧延板を実施例１における冷間圧延板に代えて用い、かつ粗研磨工程の途中でディスクブランクの反転を行わなかった以外は、実施例１に示した方法と同様にして、板厚０．４８ｍｍのアルミニウム合金基板と した。
（比較例３）
　粗研磨工程において、硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッドと平均粒径が１．５０μｍの酸化セリウム研磨砥粒に純水を加えて遊離砥粒とした研磨液とを用いたこと、粗研磨の途中でディスクブランクを反転しなかったこと以外は、実施例４と同様にして、ガラス基板を作成した。
　上記のようにして得られた、実施例１～３及び比較例１、２のアルミニウム合金基板、並びに、実施例４及び比較例３のガラス基板を、熱衝撃試験に付した後、これらの基板の長波長うねりＷａ及び短波長うねりμＷａを測定した。詳細を説明する。
（熱衝撃試験）
　小型環境試験器　ＳＨ－２６１（商品名、エスペック社製）を使用し、アルミニウム合金基板及びガラス基板の各基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行った。
（長波長うねりの測定）
カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａ：
　表面形状測定装置Ｏｐｔｉｆｌａｔ（商品名、Ｐｈａｓｅ　Ｓｈｉｆｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）を使用し、上記熱衝撃試験後のアルミニウム合金基板又はガラス基板の主面の、カットオフ波長０．４～５．０μｍの長波長うねりＷａを測定した。測定範囲は上記熱衝撃試験後のアルミニウム合金基板又はガラス基板の主面（片面）の全面とし、測定温度は２５℃とした。測定は、上記熱衝撃試験後のアルミニウム合金基板及びガラス基板について、各３枚ずつ行った（ｎ＝３）。３枚の測定値の平均値を、長波長うねりＷａとした。
（短波長うねりの測定）
カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａ：
　粒度分布測定器　ｍｉｃｒｏＺＡＭ－１２００（商品名、Ｐｈａｓｅ　Ｓｈｉｆｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）を使用し、上記熱衝撃試験後のアルミニウム合金基板又はガラス基板の主面（片面）の、半径方向中央部にあたる９．９ｍｍ×３．５ｍｍの長方形のエリア（９．９ｍｍの長辺方向中央の仮想中央線が半径方向に平行となるように配置）に対し、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａを測定した。測定温度は２５℃とした。測定は、上記熱衝撃試験後のアルミニウム合金基板及びガラス基板の各３枚ずつを用い、それぞれ図３に示すような半径方向中央部の、円周方向に０°、９０°、１８０°に位置する部位の各３か所にて行った。このようにして得られた９個の測定値の平均値を、短波長うねりμＷａとした。
　得られた結果を表１に示す。表１の「評価」欄には、上記長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下であり、かつ、上記短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下である場合に「〇」を示し、上記長波長うねりＷａ及び短波長うねりμＷａの少なくとも一方がこれらの範囲外である場合に「×」を示した。
　なお、Ｏｐｔｉｆｌａｔ、ｍｉｃｒｏＺＡＭ－１２００ともに、測定原理上、透明なガラスの長波長うねり及び短波長うねりは測定できないため、熱衝撃試験後のガラス基板の測定面にはアルミニウムを蒸着し、光学上不透明にした後、測定した。蒸着層は非常に薄く、平滑であるため、上記長波長うねり及び短波長うねりの測定には影響しない。
　表１に評価結果を示す。
　実施例１～４の磁気ディスク用基板は、上記熱衝撃試験後に２５℃で測定したカットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下であり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下であった。
　一方、比較例１～３の磁気ディスク用基板は、いずれも、上記Ｗａ及びμＷａを満たさなかった。比較例１～３は粗研磨工程の途中でディスクブランクの反転を行わなかった（しかも比較例３では粗研磨工程での研磨砥粒の平均粒径が大であった）結果、材料に歪が不均一に残っていたため、本発明の製造方法によってもＷａ及びμＷａを調整できなかったと考えられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　Ｓ１０１　アルミニウム合金の調製
　Ｓ１０２　アルミニウム合金の鋳造
　Ｓ１０３　均質化処理
　Ｓ１０４　熱間圧延
　Ｓ１０５　冷間圧延
　Ｓ１０６　加熱平坦化処理
　Ｓ１０７　切削・研削加工工程
　Ｓ１０８　脱脂・エッチング処理
　Ｓ１０９　ジンケート処理
　Ｓ１１０　Ｎｉ－Ｐめっき処理
　Ｓ１１１　研磨加工工程
　Ｓ１１２　磁性体の付着工程
　Ｓ２０１　ガラス板の準備
　Ｓ２０２　円盤状ディスブランクの形成
　Ｓ２０３　ラッピング
　Ｓ２０４　粗研磨
　Ｓ２０５　精密研磨
　Ｓ２０６　磁性体の付着工程

Claims (8)

  1. 　一対の主面を有する磁気ディスク用基板であって、
    　前記主面の少なくとも一方の、下記熱衝撃試験後の、２５℃における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下であり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下である、磁気ディスク用基板。
     ＜熱衝撃試験＞
    　熱衝撃試験は、前記磁気ディスク用基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う。
  2. 　前記長波長うねりＷａが０．５ｎｍ以上であり、かつ、前記短波長うねりμＷａが０．０５ｎｍ以上である、磁気ディスク用基板。
  3. 　板厚が０．５０ｍｍ未満である、
    請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
  4. 　外径が９５ｍｍ以上の円盤体である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
  5. 　ＨＡＭＲ（熱アシスト磁気記録方式）又はＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録方式）用の、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
  6. 　一対の主面を有する磁気ディスクであって、
    　前記主面の少なくとも一方の、下記熱衝撃試験後の、２５℃における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．０ｎｍ以下であり、かつ、カットオフ波長０．０８～０．４５ｍｍの短波長うねりμＷａが０．１５ｎｍ以下である、磁気ディスク。
     ＜熱衝撃試験＞
    　熱衝撃試験は、前記磁気ディスクに対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う。
  7. 　請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板の製造方法であって、
    　ディスクブランクから磁気ディスク用基板を得るにあたり、
    　前記ディスクブランクの両主面を同時に粗研磨する粗研磨工程と、前記粗研磨されたディスクブランクの両主面を精密研磨する精密研磨工程とを含み、
    　前記粗研磨工程の途中で、前記ディスクブランクの表裏面を反転させる、磁気ディスク用基板の製造方法。
  8. 　前記粗研磨工程の前工程として、前記ディスクブランクと同じ条件で製造したダミー基板を、前記粗研磨工程で使用する２つの研磨パッドを用いて、前記粗研磨工程と同様の条件で、片面における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍの長波長うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで研磨して、表面状態を調整した研磨パッドを得る、ダミー研磨工程を含み、
    　前記粗研磨工程において、前記表面状態を調整した研磨パッドを用いて、ディスクブランクを粗研磨する、 請求項７に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353129A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体用基板の製造方法、及び磁気記録媒体
JP2012203923A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Konica Minolta Advanced Layers Inc 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体
JP2013109806A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板、および該磁気記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体
JP2017014584A (ja) * 2015-07-02 2017-01-19 株式会社神戸製鋼所 磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及び磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353129A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体用基板の製造方法、及び磁気記録媒体
JP2012203923A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Konica Minolta Advanced Layers Inc 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体
JP2013109806A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板、および該磁気記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体
JP2017014584A (ja) * 2015-07-02 2017-01-19 株式会社神戸製鋼所 磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及び磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート

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