JP7315927B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
72 :酸化ガリウム膜
74 :アルミニウムガリウム酸化物膜
75 :ヘテロ界面
Claims (2)
- 半導体装置の製造方法であって、
ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層上に、前記第1層とは異なる組成を有する半導体材料により構成されているとともに直方晶系の結晶構造を有する第2層を成長させる工程を有する、
製造方法。 - 半導体装置であって、
Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層と、
前記第1層上に配置されており、前記第1層とは異なる組成を有する半導体材料により構成されており、直方晶系の結晶構造を有する第2層、
を有する半導体装置。
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