JP7306220B2 - 電流センサ - Google Patents

Description

本発明は電流センサに関し、特に、磁気センサを用いた電流センサに関する。

磁気センサを用いた電流センサとしては、特許文献１及び２に記載された電流センサが知られている。特許文献１に記載された電流センサは、バスバーに測定対象電流が一方向に流れる電流経路と逆方向に流れる電流経路を設け、これらの間に磁気センサを配置した構成が開示されている。また、特許文献２には、バスバーを２分岐させ、それぞれの電流経路に磁気センサを割り当てた電流センサが開示されている。

しかしながら、特許文献１に記載された電流センサは、一方の電流経路から生じる磁界と他方の電流経路から生じる磁界が互いに強め合うことから、測定対象電流の電流量が大きいと磁気センサが飽和してしまうという問題があった。また、特許文献２に記載された電流センサは、バスバーを２分岐させていることから、それぞれの磁気センサに印加される磁界の強度は１／２に抑えられる。しかしながら、この場合であっても、測定対象電流の電流量が非常に大きい場合には、磁気センサが容易に飽和してしまう。

これに対し、特許文献３に記載された電流センサは、バスバーをセンシング部とバイパス部に分岐させるとともに、バイパス部に流れる電流量よりもセンシング部に流れる電流量の方が少なくなるよう分流比が設計された構造を有している。これにより、センシング部から発生する磁界の強度が抑えられることから、測定対象電流の電流量が非常に大きい場合であっても、磁気センサの飽和を防止することが可能となる。

特許第５９７１３９８号公報 国際公開第２０１７／０１８３０６号パンフレット 特許第６４７１８２６号公報

しかしながら、センシング部とバイパス部に温度差が存在すると、両者間に抵抗値の差が生じる。この場合、測定対象電流の分流比が設計値からずれてしまうため、検出誤差が生じるという問題があった。

したがって、本発明は、バスバーがセンシング部とバイパス部に分岐した構造を有する電流センサにおいて、分流比の変化による検出誤差を抑えることを目的とする。

本発明による電流センサは、センシング部とバイパス部を含み、測定対象電流がセンシング部とバイパス部に分流するバスバーと、測定対象電流のうち、センシング部に流れる電流によって生じる磁界を検出する磁気センサと、センシング部に配置された第１の抵抗パターンと、バイパス部に配置された第２の抵抗パターンと、第１及び第２の抵抗パターンの抵抗値の変化に基づいて磁気センサの出力値を補正する補正回路とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、第１及び第２の抵抗パターンの抵抗値の変化に基づいて磁気センサの出力値が補正されることから、センシング部とバイパス部の間に温度差によって分流比が変化した場合であっても、これによる測定誤差をキャンセルすることが可能となる。

本発明において、第１及び第２の抵抗パターンは、絶縁膜を介してそれぞれセンシング部及びバイパス部の表面に形成されていても構わない。これによれば、温度変化に起因するセンシング部及びバイパス部の抵抗値の変化が第１及び第２の抵抗パターンの抵抗値の変化として正確に反映される。この場合、第１及び第２の抵抗パターンはバスバーと同じ金属材料からなるものであっても構わない。これによれば、補正回路による補正が容易となる。

本発明において、バイパス部は筒状構造を有し、センシング部及び磁気センサは、筒状構造を有するバイパス部の中空領域に配置されていても構わない。これによれば、バイパス部が筒状構造を有していることから、中空領域にはゼロ磁界となる領域が形成される。そして、センシング部及び磁気センサがこの中空領域に配置されることから、バスバーに流れる電流が大電流であっても、磁気センサが飽和することなく正しく測定することが可能となる。

この場合、バスバーは、測定対象電流が流れる第１の方向に延在する第１及び第２の折り曲げ部を有し、センシング部は第１及び第２の折り曲げ部の間に位置し、バイパス部は、第１の折り曲げ部を介してセンシング部に接続された第１のバイパス部と、第２の折り曲げ部を介してセンシング部に接続された第２のバイパス部とを含み、第１のバイパス部は、センシング部を第１の方向と直交する第２の方向における一方側から覆い、第２のバイパス部は、センシング部を第２の方向における他方側から覆い、これにより、第１及び第２のバイパス部は、センシング部を収容する筒状構造体を構成するものであっても構わない。これによれば、平板状である１枚の金属板を折り曲げ加工することによってバスバーを作製することが可能となる。

このように、本発明によれば、バスバーがセンシング部とバイパス部に分岐した構造を有する電流センサにおいて、分流比の変化による検出誤差をキャンセルすることが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態による電流センサ１の外観を示す略斜視図である。 図２は、電流センサ１のｘｙ断面図である。 図３は、センシング部１３の部分的な平面図である。 図４は、図３に示すＢ－Ｂ線に沿った略断面図である。 図５は、補正回路３０の一例による構成を示す回路図である。 図６は、折り曲げ加工前におけるバスバー１０の略平面図である。 図７は、図６に示すＣ－Ｃ線に沿った略断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態による電流センサ２の構造を説明するためのｘｙ断面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態による電流センサ３の外観を示す略斜視図である。 図１０は、本発明の第４の実施形態による電流センサ４の外観を示す略斜視図である。 図１１は、変形例によるセンシング部１３の部分的な平面図である。 図１２は、図１１に示すＤ－Ｄ線に沿った略断面図である。 図１３は、補正回路３０のより具体的な構成を示す回路図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態による電流センサ１の外観を示す略斜視図である。また、図２は電流センサ１のｘｙ断面図である。

図１及び図２に示すように、第１の実施形態による電流センサ１は、測定対象電流Ｉが流れるバスバー１０と磁気センサ２０及び補正回路３０を有している。バスバー１０は、筒状構造体を構成するバイパス部１１，１２と、バイパス部１１，１２に囲まれた中空領域１０ａに配置されたセンシング部１３とを含んでいる。バイパス部１１はセンシング部１３を＋ｙ方向から覆い、バイパス部１２はセンシング部１３を－ｙ方向から覆っている。

バスバー１０は、銅やアルミニウムなどの良導体からなる金属板１４と、その表面を覆う絶縁膜１５からなる。本実施形態においては、バイパス部１１，１２からなる筒状構造体の内径及び外径がほぼ真円である。バイパス部１１，１２とセンシング部１３は一体的であり、バイパス部１１とセンシング部１３はｚ方向に延在する折り曲げ部Ａ１を介して接続され、バイパス部１２とセンシング部１３はｚ方向に延在する折り曲げ部Ａ２を介して接続されている。これにより、バスバー１０に流れる測定対象電流Ｉの一部がバイパス部１１，１２を流れ、測定対象電流Ｉの残りの部分がセンシング部１３を流れる。本実施形態においては、センシング部１３の断面積よりもバイパス部１１，１２の断面積の方が十分に大きく、これにより、バスバー１０に流れる測定対象電流Ｉの大部分がバイパス部１１，１２を流れる。

図３はセンシング部１３の部分的な平面図であり、図４は図３に示すＢ－Ｂ線に沿った略断面図である。

図３及び図４に示すように、センシング部１３には、ｘ方向に延在するスリット１３ａが設けられており、スリット１３ａと重なるように磁気センサ２０が搭載されている。磁気センサ２０の種類については特に限定されないが、ホール素子や磁気抵抗素子などを用いることができる。また、センシング部１３には、絶縁膜１５を介して抵抗パターン３１及び配線４０～４２が設けられており、このうち、配線４０，４１が磁気センサ２０に接続されている。一例として、配線４０は電源用の配線であり、配線４１は信号用の配線である。磁気センサ２０の出力信号は、配線４１を介して補正回路３０に供給される。また、図１及び図２に示すように、バイパス部１１の表面には、絶縁膜１５を介して抵抗パターン３２が設けられている。抵抗パターン３１，３２は、いずれも補正回路３０に接続されている。

センシング部１３のｘ方向における幅は、スリット１３ａが設けられた部分において狭くなり、この幅狭部１３ｂに流れる電流によって生じる磁界が磁気センサ２０に印加される。つまり、測定対象電流Ｉの一部が幅狭部１３ｂにｚ方向に流れると、幅狭部１３ｂの周囲には、右ネジの法則にしたがって磁界φが発生する。磁界φは、磁気センサ２０に対してｙ方向成分を持つことから、磁気センサ２０の感磁方向をｙ方向に設定すれば、磁界φの強度を検出することができる。磁界φを検出することによって得られた信号は、配線４１を介して補正回路３０に供給される。ここで、測定対象電流Ｉのうち、幅狭部１３ｂに流れる割合は、スリット１３ａのｘ方向における幅によって調整することが可能である。

上述の通り、抵抗パターン３１は、絶縁膜１５を介してセンシング部１３の表面上に形成されている。また、抵抗パターン３２は、絶縁膜１５を介してバイパス部１１の表面上に形成されている。抵抗パターン３１，３２は、その両端が補正回路３０に接続されている。抵抗パターン３１，３２の材料としては、バスバー１０を構成する金属板１４と同じ金属材料を選択することが好ましい。また、抵抗パターン３１と抵抗パターン３２の抵抗比は、センシング部１３とバイパス部１１，１２の抵抗比と一致していることが好ましい。

抵抗パターン３１，３２は、それぞれセンシング部１３及びバイパス部１１の抵抗値を測定する抵抗センサとして機能する。つまり、抵抗パターン３１，３２は、絶縁膜１５を介してそれぞれセンシング部１３及びバイパス部１１の表面上に形成されているため、バスバー１０に測定対象電流Ｉが流れることによって発熱した場合、センシング部１３の温度と抵抗パターン３１の温度はほぼ一致し、バイパス部１１の温度と抵抗パターン３２の温度はほぼ一致する。これは、センシング部１３の温度変化に伴う抵抗値の変化が抵抗パターン３１の抵抗値の変化として反映され、バイパス部１１の温度変化に伴う抵抗値の変化が抵抗パターン３２の抵抗値の変化として反映されることを意味する。尚、バイパス部１１とバイパス部１２は互いに同じ形状及び構造を有しているため、両者の温度は同じであるとみなすことができる。

より具体的に説明すると、バイパス部１１，１２の室温（ＲＴ）及び実際の温度（Ｔ）における抵抗値をそれぞれＲＢ_ＲＴ及びＲＢ_Ｔとし、センシング部１３の室温及び実際の温度における抵抗値をそれぞれＲＳ_ＲＴ及びＲＳ_Ｔとし、抵抗パターン３１の室温及び実際の温度における抵抗値をそれぞれＲ３１_ＲＴ及びＲ３１_Ｔとし、抵抗パターン３２の室温及び実際の温度における抵抗値をそれぞれＲ３２_ＲＴ及びＲ３２_Ｔとした場合、抵抗パターン３１，３２及びバスバー１０を構成する金属板１４が同じ材料であれば、
ＲＢ_ＲＴ／ＲＢ_Ｔ＝Ｒ３２_ＲＴ／Ｒ３２_Ｔ、且つ、
ＲＳ_ＲＴ／ＲＳ_Ｔ＝Ｒ３１_ＲＴ／Ｒ３１_Ｔ
が成り立つ。室温におけるそれぞれの抵抗値については、製造段階における実測及びトリミングにより決まる。

上記の式から、
ＲＢ_Ｔ＝ＲＢ_ＲＴ／（Ｒ３２_ＲＴ／Ｒ３２_Ｔ）、且つ、
ＲＳ_Ｔ＝ＲＳ_ＲＴ／（Ｒ３１_ＲＴ／Ｒ３１_Ｔ）
が得られる。これにより、バイパス部１１，１２の実際の抵抗値ＲＢ_Ｔとセンシング部１３の実際の抵抗値ＲＳ_Ｔの比ＲＢ_Ｔ／ＲＳ_Ｔは、
ＲＢ_Ｔ／ＲＳ_Ｔ＝［ＲＢ_ＲＴ／（Ｒ３２_ＲＴ／Ｒ３２_Ｔ）］／［ＲＳ_ＲＴ／（Ｒ３１_ＲＴ／Ｒ３１_Ｔ）］
となる。つまり、抵抗パターン３１，３２の実際の抵抗値Ｒ３１_Ｔ及びＲ３２_Ｔの値、或いは、両者の差又は比が分かれば、ＲＢ_Ｔ／ＲＳ_Ｔが分かることになる。そして、分流比、つまりバイパス部１１，１２に流れる電流とセンシング部１３に流れる電流の比は、ＲＢ_Ｔ／ＲＳ_Ｔの値に連動することから、抵抗パターン３１，３２を用いた抵抗測定を行うことにより、分流比の変化を検出することができる。特に、
ＲＢ_ＲＴ／ＲＳ_ＲＴ＝Ｒ３２_ＲＴ／Ｒ３１_ＲＴ
に設計すれば、
ＲＢ_Ｔ／ＲＳ_Ｔ＝Ｒ３２_Ｔ／Ｒ３１_Ｔ
となることから、分流比の変化を容易に検出することができる。上述の通り、抵抗パターン３１，３２は、補正回路３０に接続される。

図５は、補正回路３０の一例による構成を示す回路図である。

図５に示す補正回路３０は、配線４０を介してそれぞれ電源電位ＶＤＤ及び接地電位ＧＮＤが与えられる端子５０，５１と、抵抗パターン３１の両端にそれぞれ接続される端子５２，５３と、抵抗パターン３２の両端にそれぞれ接続される端子５４，５５と、配線４１を介して磁気センサ２０に接続される端子５６，５７と、配線４２を介して外部機器に接続される端子５８，５９とを備えている。さらに、補正回路３０は、端子５０と端子５２の間に接続された定電流源６１と、端子５０と端子５４の間に接続された定電流源６２と、端子５２と端子５４の電位差を検出するアンプ６３と、アンプ６３の出力レベルに基づいて磁気センサ２０の出力値を補正する演算回路６４とを備えている。演算回路６４は、磁気センサ２０の出力値をリニアに補正するアナログ回路であっても構わないし、磁気センサ２０の出力値をソフトウェア又はハードウェアを用いて処理するデジタル回路であっても構わない。特に、
ＲＢ_ＲＴ／ＲＳ_ＲＴ＝Ｒ３２_ＲＴ／Ｒ３１_ＲＴ
に設計すれば、演算回路６４を単純なアンプによって構成することが可能となる。端子５３，５５は、端子５１を介して接地される。

かかる構成により、抵抗パターン３１には定電流源６１によって定電流が流れ、抵抗パターン３２には定電流源６２によって定電流が流れる。このため、抵抗パターン３１の抵抗値と抵抗パターン３２の抵抗値に差が生じると、これに基づいてアンプ６３の出力値が変化する。演算回路６４は、アンプ６３の出力レベルに基づき、磁気センサ２０の出力値を補正し、補正された出力値を端子５８，５９から配線４２に出力する。これにより、配線４２には補正された出力値が現れることから、配線４２に接続された外部機器は、バイパス部１１，１２とセンシング部１３の間に温度差が生じている場合であっても、バスバー１０に流れている測定対象電流Ｉの値を正確に知ることが可能となる。

さらに、本実施形態においては、バイパス部１１，１２からなる筒状構造体の内径及び外径がほぼ真円であり、その肉厚も周方向にほぼ一定である。このため、バイパス部１１，１２からなる筒状構造体に流れるｚ方向の電流の電流密度は、周方向にほぼ均等となる。その結果、筒状構造体に囲まれた中空領域１０ａにおいては、バイパス部１１，１２に流れる電流によって生じる磁界がほぼ完全に打ち消される。つまり、中空領域１０ａは、バイパス部１１，１２に流れる電流に起因する磁界がほぼ存在しないゼロ磁界領域となる。そして、本実施形態による電流センサ１においては、このような中空領域１０ａにセンシング部１３及び磁気センサ２０が配置されていることから、磁気センサ２０に印加される磁界は、実質的に、センシング部１３に流れる電流に起因する磁界のみとなる。これにより、磁気センサ２０は、センシング部１３に流れる電流によって生じる磁界を選択的に検出することが可能となる。

図６は折り曲げ加工前におけるバスバー１０の略平面図であり、図７は図６に示すＣ－Ｃ線に沿った略断面図である。

図６及び図７に示すように、折り曲げ加工前におけるバスバー１０は、平板状である金属板１４とその表面に形成された絶縁膜１５によって構成されている。絶縁膜１５の表面には、金属膜１６からなる抵抗パターン３１，３２及び配線４０～４２が形成されている。折り曲げ加工前におけるバスバー１０には、ｚ方向に延在する折り曲げ部Ａ１，Ａ２が定義されており、折り曲げ部Ａ１，Ａ２に挟まれた領域がセンシング部１３であり、折り曲げ部Ａ１を基準としてセンシング部１３の反対側に位置する部分がバイパス部１１であり、折り曲げ部Ａ２を基準としてセンシング部１３の反対側に位置する部分がバイパス部１２である。

本実施形態においては、折り曲げ部Ａ１，Ａ２に沿ってスリットＳＬ１，ＳＬ２が設けられている。本発明においてこのようなスリットＳＬ１，ＳＬ２を設けることは必須でないが、スリットＳＬ１，ＳＬ２を設けることにより、バスバー１０の折り曲げ加工が容易になるとともに、センシング部１３とバイパス部１１，１２の分流比の変化を小さくすることが可能となる。

このような構造を有するバスバー１０は、金属板１４の表面に絶縁膜１５と金属膜１６が積層された構造を有する板状体を加工することによって作製することができる。例えば、金属膜１６に対してパターニングを行うことによって抵抗パターン３１，３２及び配線４０～４２を形成した後、打抜き加工によってバスバー１０を図６に示す平面形状に加工することによって作製することができる。そして、図６に示す領域２０ａに磁気センサ２０を搭載し、領域３０ａに補正回路３０を搭載した後、折り曲げ部Ａ１に沿ってバスバー１０を折り曲げ加工することにより、バイパス部１１によってセンシング部１３を＋ｙ方向から覆うとともに、折り曲げ部Ａ２に沿ってバスバー１０を折り曲げ加工することにより、バイパス部１２によってセンシング部１３を－ｙ方向から覆えば、本実施形態による電流センサ１が完成する。

以上説明したように、本実施形態による電流センサ１は、抵抗センサとして機能する抵抗パターン３１，３２と、抵抗パターン３１，３２の抵抗値に基づいて磁気センサ２０の出力値を補正する補正回路３０を備えていることから、バスバー１０の発熱によってバイパス部１１，１２とセンシング部１３の分流比が変化しても、これによる測定誤差をキャンセルすることが可能となる。

しかも、センシング部１３及び磁気センサ２０がバイパス部１１，１２からなる筒状構造体の中空領域１０ａに配置されていることから、磁気センサ２０は、センシング部１３によって生じる磁界だけを選択的に検出することが可能となる。これにより、バスバー１０に流れる電流Ｉが大電流であっても、磁気センサ２０に印加される磁界強度が大幅に抑えられることから、磁気センサ２０の飽和を防止することが可能となる。

さらに、本実施形態においては、平板状の金属板を折り曲げ加工することによってバスバー１０を作製できることから、部品点数が削減されるとともに、製造ばらつきによる測定誤差を低減することも可能となる。

図８は、本発明の第２の実施形態による電流センサ２の構造を説明するためのｘｙ断面図である。

図８に示すように、本発明の第２の実施形態による電流センサ２は、抵抗パターン３２がバイパス部１２の外表面に形成されている点において、第１の実施形態による電流センサ１と相違している。その他の基本的な構成については、第１の実施形態による電流センサ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

第２の実施形態による電流センサ２が例示するように、抵抗パターン３２を筒状構造の内表面に配置することは必須でなく、抵抗パターン３２を筒状構造の外表面に配置しても構わない。また、図示しないが、抵抗パターン３２を筒状構造の内表面と外表面の両方に配置しても構わない。

図９は、本発明の第３の実施形態による電流センサ３の外観を示す略斜視図である。

図９に示すように、本発明の第３の実施形態による電流センサ３は、抵抗パターン３１，３２がミアンダ状に蛇行している点において、第１の実施形態による電流センサ１と相違している。その他の基本的な構成については、第１の実施形態による電流センサ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

第３の実施形態による電流センサ３が例示するように、抵抗パターン３１，３２が直線的である必要はなく、ミアンダ状に蛇行させることによって、配線距離をより長くしても構わない。

図１０は、本発明の第４の実施形態による電流センサ４の外観を示す略斜視図である。

図１０に示すように、本発明の第４の実施形態による電流センサ４は、抵抗パターン３２が被覆導線からなり、筒状構造を有するバイパス部１１，１２の外表面に巻回されている点において、第１の実施形態による電流センサ１と相違している。その他の基本的な構成については、第１の実施形態による電流センサ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

第４の実施形態による電流センサ４が例示するように、抵抗パターン３１，３２の一方又は両方が被覆導線からなるものであっても構わない。

図１１は変形例によるセンシング部１３の部分的な平面図であり、図１２は図１１に示すＤ－Ｄ線に沿った略断面図である。

図１１及び図１２に示す例では、センシング部１３にスリットが設けられていない。この場合、測定対象電流Ｉの一部がセンシング部１３にｚ方向に流れると、センシング部１３の周囲には、右ネジの法則にしたがって磁界φが発生する。磁界φは、磁気センサ２０に対してｘ方向成分を持つことから、磁気センサ２０の感磁方向をｘ方向に設定すれば、磁界φの強度を検出することができる。

図１３は、補正回路３０のより具体的な構成を示す回路図である。

図１３に示す補正回路３０は、端子５０と端子５２の間に直列に接続された抵抗６５及びＰチャンネル型ＭＯＳトランジスタ６６を備えている点において、図５に示した補正回路３０と相違している。図１３に示す補正回路３０においては、アンプ６３の出力がトランジスタ６６のゲート電極にフィードバックされ、これにより、抵抗６５とトランジスタ６６の接続点から出力される補正信号Ｖ_ＯＵＴがアンプ６３の出力に応じて変化する。補正信号Ｖ_ＯＵＴは、バスバー１０の温度変化による抵抗比の変化量を示している。そして、演算回路６４は、補正信号Ｖ_ＯＵＴの出力レベルに基づき、磁気センサ２０の出力値を補正し、補正された出力値を端子５８，５９から配線４２に出力する。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記実施形態による電流センサ１においては、バイパス部１１，１２からなる筒状構造体の中空領域１０ａにセンシング部１３及び磁気センサ２０を配置しているが、バスバー１０の形状や構造についてはこれに限定されず、測定対象電流Ｉが分流する構造である限り、どのような形状や構造であっても構わない。

１～４ 電流センサ
１０ バスバー
１０ａ 中空領域
１１，１２ バイパス部
１３ センシング部
１３ａ スリット
１３ｂ 幅狭部
１４ 金属板
１５ 絶縁膜
１６ 金属膜
２０ 磁気センサ
２０ａ 磁気センサの搭載領域
３０ 補正回路
３０ａ 補正回路の搭載領域
３１，３２ 抵抗パターン
４０～４２ 配線
５０～５９ 端子
６１，６２ 定電流源
６３ アンプ
６４ 演算回路
６５ 抵抗
６６ トランジスタ
Ａ１，Ａ２ 折り曲げ部
Ｉ 測定対象電流
ＳＬ１，ＳＬ２ スリット
φ 磁界

Claims (5)

1. センシング部とバイパス部を含み、測定対象電流が前記センシング部と前記バイパス部に分流するバスバーと、
   前記測定対象電流のうち、前記センシング部に流れる電流によって生じる磁界を検出する磁気センサと、
   前記センシング部に配置された第１の抵抗パターンと、
   前記バイパス部に配置された第２の抵抗パターンと、
   前記第１及び第２の抵抗パターンの抵抗値の変化に基づいて前記磁気センサの出力値を補正する補正回路と、を備えることを特徴とする電流センサ。
2. 前記第１及び第２の抵抗パターンは、絶縁膜を介してそれぞれ前記センシング部及び前記バイパス部の表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
3. 前記第１及び第２の抵抗パターンは、前記バスバーと同じ金属材料からなることを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
4. 前記バイパス部は筒状構造を有し、前記センシング部及び前記磁気センサは、筒状構造を有する前記バイパス部の中空領域に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電流センサ。
5. 前記バスバーは、前記測定対象電流が流れる第１の方向に延在する第１及び第２の折り曲げ部を有し、
   前記センシング部は、前記第１及び第２の折り曲げ部の間に位置し、
   前記バイパス部は、前記第１の折り曲げ部を介して前記センシング部に接続された第１のバイパス部と、前記第２の折り曲げ部を介して前記センシング部に接続された第２のバイパス部とを含み、
   前記第１のバイパス部は、前記センシング部を前記第１の方向と直交する第２の方向における一方側から覆い、前記第２のバイパス部は、前記センシング部を前記第２の方向における他方側から覆い、これにより、前記第１及び第２のバイパス部は、前記センシング部を収容する筒状構造体を構成することを特徴とする請求項４に記載の電流センサ。

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