JP7301211B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る半導体レーザモジュール1の断面を模式的に示す図である。図2は、実施の形態1に係る半導体レーザモジュール1の平面を模式的に示す図である。図1は、図2のA-A矢視図である。更に言うと、図1は、図2のA-A線断面図である。半導体レーザモジュール1は、レーザ光を出力する半導体レーザ素子2を有する。例えば、半導体レーザ素子2のレーザ光の出力に主に寄与する半導体はヒ化ガリウムである。例えば、半導体レーザ素子2の発振出力は、数百ワット以上である。半導体レーザモジュール1は、半導体レーザ素子2に電流を流すためのカソード3を更に有する。カソード3は、導電性を有する。例えば、カソード3は銅で形成されている。
図3は、実施の形態2に係る半導体レーザモジュール1Aの断面を模式的に示す図である。半導体レーザモジュール1Aの平面は、実施の形態1に係る半導体レーザモジュール1の平面と同じである。半導体レーザモジュール1Aは、実施の形態1に係る半導体レーザモジュール1が有するすべての構成要素のうちの第2の絶縁層54以外の構成要素を有する。半導体レーザモジュール1Aは、第2の絶縁層54を有しない。半導体レーザモジュール1Aは、実際の形態1のヒートシンク5に代えて、ヒートシンク5が有する構成要素のうちの第2の絶縁層54以外の構成要素を有するヒートシンク5Aを有する。
図4は、実施の形態3に係る半導体レーザモジュール1Bの断面を模式的に示す図である。半導体レーザモジュール1Bは、実施の形態1に係る半導体レーザモジュール1が有するすべての構成要素のうちのヒートシンク5以外の構成要素を有する。半導体レーザモジュール1Bは、ヒートシンク5が有するアノード51、第1の絶縁層52、水路部53及び第2の絶縁層54を有するヒートシンク5Bを有する。
図5は、実施の形態4に係る半導体レーザモジュール1Cの断面を模式的に示す図である。半導体レーザモジュール1Cの平面は、実施の形態1に係る半導体レーザモジュール1の平面と同じである。半導体レーザモジュール1Cは、実施の形態1に係る半導体レーザモジュール1が有するすべての構成要素のうちの導電サブマウント6以外の構成要素を有する。半導体レーザモジュール1Cは導電サブマウント6を有しないので、半導体レーザモジュール1Cのコストは半導体レーザモジュール1のコストより低くなる。
Claims (4)
- 導電サブマウントと、
レーザ光を出力する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子に電流を流すためのカソードと、
前記半導体レーザ素子で発生する熱を放散させるヒートシンクとを備え、
前記ヒートシンクは、
アノードと、
前記アノードより前記半導体レーザ素子から離れた場所に位置している第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層より前記半導体レーザ素子から離れた場所に位置しており金属で形成されていて前記熱を放散させるための水の流路の一部を含む水路部とを有し、
前記導電サブマウントは、前記アノードを形成する物質の線膨張係数より前記半導体レーザ素子の線膨張係数に近い線膨張係数を持つ物質で形成されており、
前記アノードは、前記ヒートシンクにおいて前記半導体レーザ素子寄りの最も外側に位置しており、
前記導電サブマウントは、前記アノードに載置されており、
前記半導体レーザ素子は、前記導電サブマウントに載置されている
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記ヒートシンクは、前記水路部より前記半導体レーザ素子から離れた場所に位置している第2の絶縁層を更に有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記ヒートシンクは、
前記水路部に接続されていて前記水路部に水を供給するための給水部と、
前記水路部に接続されていて前記水路部から水を除去するための排水部とを更に有する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記ヒートシンクは、前記水路部に接続されている管継手を更に有する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。
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