JP7301021B2 - 基板処理装置、載置台及び温度制御方法 - Google Patents
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Description
まず、実施形態に係る基板処理装置の一例について、図1を参照しながら説明する。図1は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。基板処理装置1は、容量結合型の装置である。
実施形態に係る載置台14の温度制御による載置台14の形状制御の一例について、図2及び図3を参照して説明する。図2及び図3は、実施形態に係る載置台14の温度制御の一例を示す図である。図2及び図3のネジ19は、第1のプレート18の外周に形成された第1のプレート18を貫通する貫通孔19aを介して、第2のプレート16の外周の上面に形成されたネジ穴19bと螺合する。ネジ19により第1のプレート18と第2のプレート16との接触面を跨いで第1のプレート18と第2のプレート16とをネジ止めすることで第1のプレート18と第2のプレート16とを締結する。なお、第2のプレート16に貫通孔を設け、第1のプレートの下面にネジ穴を形成してネジ止めしてもよい。
次に、実施形態に係る載置台14の温度制御による形状制御の他の例について、図5及び図5を参照して説明する。図4及び図5は、実施形態に係る載置台14の温度制御の他の例を示す図である。
次に、実施形態に係る温度制御方法について図6を参照しながら説明する。図6は、実施形態に係る温度制御方法の一例を示す図である。
次に、第1のプレート18の形状を測定し、測定結果に基づき第1の流路18fに流す伝熱媒体及び/又は第2の流路16fに流す伝熱媒体の温度を制御する例について、図7を参照して説明する。図7は、実施形態に係る複数のセンサの配置例を示す図である。
10 チャンバ
14 載置台
16 第2のプレート
16f 第2の流路
18 第1のプレート
18f 第1の流路
20 静電チャック
20a 基板載置面
21a 第1のチラーユニット
21b 第2のチラーユニット
30 上部電極
34 天板
36 支持体
38 ガス供給管
40 ガスソース群
42 バルブ群
44 流量制御器群
46 シールド
48 バッフルプレート
70 電源
80 制御部
81,82 ひずみゲージ
83 レーザー干渉計
Claims (12)
- 基板を載置する載置台を有する基板処理装置であって、
前記載置台は、
第1のプレートと、
前記第1のプレートの温度を制御する第1の温調機構と、
前記第1のプレートの下部に配置される第2のプレートと、
前記第2のプレートの温度を制御する第2の温調機構と、
前記第1のプレートと前記第2のプレートとを締結する締結部材と、
を有し、
前記載置台は、前記第1のプレートの上部に配置される静電チャックの上に基板を載置し、
更に、前記第1のプレートの形状を測定するセンサを有し、
前記センサは、前記第1のプレートの上面、下面及び前記静電チャックの下面の少なくともいずれかに設けられ、前記第1のプレートの形状を測定する複数の歪センサである、
基板処理装置。 - 基板を載置する載置台を有する基板処理装置であって、
前記載置台は、
第1のプレートと、
前記第1のプレートの温度を制御する第1の温調機構と、
前記第1のプレートの下部に配置される第2のプレートと、
前記第2のプレートの温度を制御する第2の温調機構と、
前記第1のプレートと前記第2のプレートとを締結する締結部材と、
を有し、
前記載置台は、前記第1のプレートの上部に配置される静電チャックの上に基板を載置し、
更に、前記第1のプレートの形状を測定するセンサを有し、
前記センサは、前記第2のプレートの下方に設けられ、前記第2のプレートを貫通する貫通孔に通したレーザー光を前記第1のプレートの下面に照射し、前記第1のプレートの形状を測定する複数のレーザー干渉計である、
基板処理装置。 - 基板を載置する載置台と、制御部と、を有する基板処理装置であって、
前記載置台は、
第1のプレートと、
前記第1のプレートの温度を制御する第1の温調機構と、
前記第1のプレートの下部に配置される第2のプレートと、
前記第2のプレートの温度を制御する第2の温調機構と、
前記第1のプレートと前記第2のプレートとを締結する締結部材と、
を有し、
前記制御部は、
前記第1の温調機構及び前記第2の温調機構を制御し、
前記第1のプレートと前記第2のプレートとが同じタイミングで同じ温度になるように前記第1の温調機構及び前記第2の温調機構を制御する、
基板処理装置。 - 基板を載置する載置台と、制御部と、を有する基板処理装置であって、
前記載置台は、
第1のプレートと、
前記第1のプレートの温度を制御する第1の温調機構と、
前記第1のプレートの下部に配置される第2のプレートと、
前記第2のプレートの温度を制御する第2の温調機構と、
前記第1のプレートと前記第2のプレートとを締結する締結部材と、
を有し、
前記制御部は、
前記第1の温調機構及び前記第2の温調機構を制御し、
前記第1のプレートの温度を一定としたまま、前記第2のプレートの温度を変化させるように前記第1の温調機構及び前記第2の温調機構を制御する、
基板処理装置。 - 前記載置台は、前記第1のプレートの上部に配置される静電チャックの上に基板を載置する、
請求項3又は4に記載の基板処理装置。 - 前記第1のプレートの形状を測定するセンサを有する、
請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記センサは、前記第1のプレートの上面、下面及び前記静電チャックの下面の少なくともいずれかに設けられ、前記第1のプレートの形状を測定する複数の歪センサである、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記センサは、前記第2のプレートの下方に設けられ、前記第2のプレートを貫通する貫通孔に通したレーザー光を前記第1のプレートの下面に照射し、前記第1のプレートの形状を測定する複数のレーザー干渉計である、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記締結部材は、前記第1のプレートと前記第2のプレートとの外周に設けられたネジ穴に挿入され、前記第1のプレートと前記第2のプレートとを締結するネジである、
請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1のプレートと前記第2のプレートとは同種の金属で形成される、
請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 第1のプレートと、前記第1のプレートの温度を制御する第1の温調機構と、前記第1のプレートの下部に配置される第2のプレートと、前記第2のプレートの温度を制御する第2の温調機構と、前記第1のプレートと前記第2のプレートとを締結する締結部材と、を有する載置台の温度制御方法であって、
(a)前記載置台に載置する基板の形状を測定する工程と、
(b)測定した前記基板の形状に基づき、前記第1の温調機構又は前記第2の温調機構を制御する工程と、
を含み、
前記工程(b)において、予め記憶部に記憶した第1のプレートおよび第2のプレートの温度変化の履歴と、第1のプレートおよび第2のプレートの温度変化と第1のプレートの形状変化との相関関係を示す情報を参照して、前記第1の温調機構又は前記第2の温調機構を制御する、
温度制御方法。 - 更に前記工程(b)の後に、(d)前記第1のプレートの形状を測定する工程を有する、
請求項11に記載の温度制御方法。
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