JP7296183B1 - Euv級基板、euvフォトマスクブランク、euvフォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
熱膨張係数が1ppm/℃以下の石英基板であるブランクを提供するステップ;
前記ブランク上に、熱膨張係数が-10ppm/℃~0ppm/℃であり、且つ弾性率が前記ブランクの弾性率よりも小さい、負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層を形成するステップ;
前記有機ポリマー材料層を亀裂誘起処理して、対応する亀裂を形成するステップ;
前記有機ポリマー材料層の表面に正の熱膨張係数を有する炭素材料をスピンコートして、対応する前記亀裂を填充し、且つ平坦な表面を有するスピンオンカーボン層を形成し、さらにEUV級基板を形成し、且つ、EUV級基板の表面の熱膨張係数が0.1ppm/℃以下になるように、前記スピンオンカーボン層と前記有機ポリマー材料層の熱膨張係数が互いに補償し合うステップ;
を含む、EUV級基板の製造方法を提供する。
前記有機ポリマー材料を硬化して、前記有機ポリマー材料層を形成するステップ;
を含む。
本発明に記載のEUV級基板の製造方法によって、EUV級基板を形成するステップ;
前記EUV級基板のスピンオンカーボン層上に反射膜スタック層および吸収体層を順次形成して、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;
を含むEUVフォトマスクブランクの製造方法をさらに提供する。
前記スピンオンカーボン層に前記反射膜スタック層を形成した後、前記吸収体層を形成する前に、前記反射膜スタック層にカバー層を形成するステップをさらに含み、
前記吸収体層を形成した後に、前記基板の、前記スピンオンカーボン層とは反対方向を向いた表面に裏面導電層を形成するステップをさらに含む。
本発明に記載のEUVフォトマスクブランクの製造方法によって、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;
前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層をエッチングして、前記吸収体層に第1パターンを形成するステップ;
前記第1パターンの外周の前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層および反射膜スタック層をエッチングし、且つ前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面でエッチングを停止して、第2パターンを形成するステップ;
を含む、EUVフォトマスクブランクの製造方法さらに提供する。
熱膨張係数が1ppm/℃以下の石英基板であるブランク;
前記ブランク上に形成され、熱膨張係数が-10ppm/℃~0ppm/℃であり、弾性率が前記ブランクの弾性率よりも小さく、対応する亀裂が形成されている、負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層;
前記有機ポリマー材料層の表面に形成され、対応する亀裂を填充し除去可能なスピンオンカーボン層であって、前記スピンオンカーボン層の上面は、表面欠陥サイズが10nm未満の平坦性に達し、前記スピンオンカーボン層は正の熱膨張係数を有し、前記有機ポリマー材料層の熱膨張係数と互いに補償し合って、EUV級基板の表面の熱膨張係数が0.1ppm/℃以下になるようにする、スピンオンカーボン層;
を含む、EUV級基板をさらに提供する。
本発明に記載のEUV級基板;
前記EUV級基板のスピンオンカーボン層上に形成される反射膜スタック層;
前記反射膜スタック層に形成される吸収体層;
を含むEUVフォトマスクブランクをさらに提供する。
前記EUV級基板の、前記反射膜スタック層とは反対方向を向いた表面に形成される裏面導電層;
をさらに含む。
1.DUV級以下の石英ガラス等のブランク上に負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層を形成し、また、有機ポリマー材料層に対して亀裂誘起処理をして、その中に対応する亀裂を形成し、さらに、有機ポリマー材料層にカーボン材料(正の熱膨張係数を有する)をスピンコートして亀裂を埋めることにより、欠陥を修復して、平坦で、且つ滑らかな表面を形成し(表面欠陥サイズが10nm未満の平坦性を実現)、且つ、有機ポリマー材料層とスピンオンカーボン層の熱膨張係数CTEが互いに補償し合って、EUV基板の表面が0に近い熱膨張係数(coefficient of thermal expansion、CTE)を実現するようにする。
a)基板100の表面自体に既に存在するサイズが比較的大きい(>10nmサイズ)ピット(pits)(またはスリット、スクラッチ)欠陥100aによって誘発される第1タイプの欠陥101aであって、図2に示されるように、これら基板100上のピット欠陥100aは、化学的機械研磨(CMP)および洗浄などの工程によって基板100の表面に形成され、且つ、基板100から上方へまっすぐに上に堆積された反射膜スタック層101の各膜層に向かって誘導されて、第1タイプの欠陥101aが形成されること;
b)基板100の表面自体に既に存在するサイズが比較的大きい(>10nmサイズ)突起(bumps)欠陥または汚染粒子などによって誘発される第2タイプの欠陥101bであって、図3に示されるように、これら基板100上の突起欠陥101bまたは汚染粒子などは化学的機械研磨(CMP)、洗浄などの工程によって基板100の表面に形成され、且つ、基板から上方へまっすぐに上に堆積された反射膜スタック層101の各膜層に向かって誘導され、また、上方へ誘導される過程で、応力、厚さの変化などの要因によって欠陥のサイズが大きくなる可能性があり、それにより、第2タイプの欠陥101bが形成されること;
c)基板100の表面自体に既に存在するサイズが比較的大きい(>10nmサイズ)欠陥100c(ピット、スリット、突起、汚染粒子またはスクラッチなど)によって誘発される第3タイプの欠陥101cであって、図4に示されるように、基板100上の欠陥101cは、基板100から上方へまっすぐに上に堆積された反射膜スタック層101の各膜層に向かって誘導され、また、上方へ誘導される過程で、応力、厚さの変化などの要因により横方向へ位置ズレが発生して、第3タイプの欠陥101cが形成されること;
S11:熱膨張係数が1ppm/℃以下の石英基板であるブランクを提供するステップ;
S12:前記ブランク上に、熱膨張係数が-10ppm/℃~0ppm/℃であり、弾性率が前記基板の弾性率よりも小さい負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層を形成するステップ;
S13:前記有機ポリマー材料層を亀裂誘起処理して、対応する亀裂を形成するステップ;
S14:前記有機ポリマー材料層の表面に正の熱膨張係数を有する炭素材料をスピンコートして、対応する前記亀裂を填充し、且つ平坦な表面を有するスピンオンカーボン層を形成し、さらに、EUV級基板を形成し、且つ前記スピンオンカーボン層と前記有機ポリマー材料層の熱膨張係数が互いに補償し合って、EUV級基板表面の熱膨張係数が0.1ppm/℃以下になるようにするステップ;
を含むEUV級基板の製造方法を提供する。
まず、負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層200bの表面をウェットクリーンし、その後、スピンコート工程で、負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層200bの表面に炭素材料を所望の厚さになるまでスピンコートする。
次に、第1温度(例えば、100℃~200℃、例えば170℃)でスピンコートされた炭素材料をソフトベークした後、第2温度(例えば、250℃~500℃)でスピンコートされた炭素材料をハードベークし、第2温度は第1温度よりも高く、それにより、スピンオンカーボン層201が形成される。ここで、負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層200bの表面にスピンコートされた炭素材料は、第1温度で熱を受けて架橋反応を開始して、その中の炭素主鎖ポリマーを部分的に架橋し、また、スピンコートされた炭素材料がある程度還流されるように保持して、より平坦な表面を形成するようにする。
さらに、スピンコートされた炭素材料は第2温度で熱を受けて、より激烈な架橋反応を行うことにより、その中の炭素主鎖ポリマーをさらに架橋し、スピンコートされた炭素材料の還流が減少して、最終的に固体のスピンオンカーボン層201が形成される。
架橋剤は、A-(OR)x、A-(NR)x、A-(OH)x、A-(C=C)xおよびA-(C≡C)x、の群の少なくとも一つを含み、
Aは、100~20000の範囲の分子量を有する単一分子、ポリマーまたは第2ポリマーであり、
Rは、炭化水素基、シクロアルキル基、シクロアルキルエポキシ基またはC3-C15ヘテロシクリル基であり;
ORは、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、カーボネート基、アルキルカーボネート基、アルキルカルボキシレート基、トシレート基またはメシレート基であり;
NRは、アルキルアミド基またはアルキルアミノ基であり;
xは、2~1000の範囲またはC3-C15ヘテロシクリル基であり;
ORは、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、カーボネート基、アルキルカーボネート基、アルキルカルボキシレート基、トシレート基またはメシレート基であり、
NRは、アルキルアミド基またはアルキルアミノ基であり、xの範囲は2~1000である。
炭素主鎖ポリマーおよび架橋剤は溶媒に均一に溶解されて、有機ポリマー基板200の表面にスピンコートされる。いくつかの実施形態において、溶媒は有機溶媒であり、例えば、ケトン、アルコール、ポリオール、エーテル、グリコールエーテル、環状エーテル、芳香族化合物、エステル、プロピオン酸エステル、乳酸エステル、乳酸エステル、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルキルアルコキシ基プロピオネート、環状ラクトン、環含有モノケトン化合物、アルキレンカーボネート、アルキルオキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル、乳酸エステル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、アルキレングリコールアルキルエーテルエステル、アルキレングリコールモノアルキルエステルなどの少なくとも一つを含む。
図8に示される欠陥の場合、スリットの底部を填充できなかったり、またはスリットに対する封止が速すぎて、空洞が形成される問題、または堆積によって上面にピットまたは突起の問題が発生して、最終的に形成された炭素層の上面の平坦性が不十分になる。すなわち、CVD、ALD、またはスパッタリングなどの他の方法で基板上に炭素層を形成すると、より高い性能を有するEUVフォトマスクブランクまたはEUVフォトマスクの、基板の上面の平坦化に対する要件を満たすことができず、本発明の技術的効果を達成することができない。
まず、本発明によるEUV級基板の製造方法によって、EUV級基板を形成し、前記EUV級基板は、ブランク200a、亀裂200cを有する有機ポリマー材料層200b、およびスピンオンカーボン層201を含む。
S21:本発明によるEUVフォトマスクブランクの製造方法によって、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;
S22:前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層をエッチングして、前記吸収体層に第1パターンを形成するステップ;
S23:前記第1パターンの外周の前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層および反射膜スタック層をエッチングし、且つ前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面でエッチングを停止して、第2パターンを形成するステップ;
を含むEUVフォトマスクの製造方法をさらに提供する。
まず、第1フォトレジスト層207をコーティングし、第1フォトレジスト層207を露光、現像して、第1フォトレジスト層207をパターン化する。
Claims (24)
- 熱膨張係数が1ppm/℃以下の石英基板であるブランクを提供するステップ;
前記ブランク上に、熱膨張係数が-10ppm/℃~0ppm/℃であり、且つ弾性率が前記ブランクの弾性率よりも小さい、負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層を形成するステップ;
前記有機ポリマー材料層を亀裂誘起処理して、対応する亀裂を形成するステップ;
前記有機ポリマー材料層の表面に正の熱膨張係数を有する炭素材料をスピンコートして、対応する前記亀裂を填充し、且つ平坦な表面を有するスピンオンカーボン層を形成し、前記スピンオンカーボン層の上面は、表面欠陥サイズが10nm未満の平坦性に達し、さらに、EUV級基板を形成し、且つ、EUV級基板の表面の熱膨張係数が0.1ppm/℃以下になるように、前記スピンオンカーボン層と前記有機ポリマー材料層の熱膨張係数が互いに補償し合うステップ;
を含む、ことを特徴とするEUV級基板の製造方法。 - 前記有機ポリマー材料層と前記ブランクとの弾性率の比が0.1~0.9である、ことを特徴とする請求項1に記載のEUV級基板の製造方法。
- 前記有機ポリマー材料層が、アミド構造を有するポリイミド材料を含む、ことを特徴とする請求項1に記載のEUV級基板の製造方法。
- 前記ブランク上に負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層を形成するステップは、
前記ブランクの表面に所望の厚さになるまで有機ポリマー材料をスピンコートまたは蒸着するステップ;
前記有機ポリマー材料を硬化して、前記有機ポリマー材料層を形成するステップ;
を含む、ことを特徴とする請求項1に記載のEUV級基板の製造方法。 - 前記有機ポリマー材料を硬化させるステップは、
真空または窒素または不活性ガスの雰囲気下で、温度を低下させながら、互いに異なる温度で前記有機ポリマー材料を複数回ベークして硬化させて、前記有機ポリマー材料層を形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項4に記載のEUV級基板の製造方法。 - 前記有機ポリマー材料層に亀裂誘起処理を行う上記ステップは、
前記有機ポリマー材料層を複数回ベークして、前記有機ポリマー材料層の内部に対応する亀裂が形成されるようにするステップを含む、ことを特徴とする請求項1に記載のEUV級基板の製造方法。 - 前記亀裂誘起処理における毎回ベーク時の温度範囲が100℃~250℃であり、ベーク時間が1時間~3時間である、ことを特徴とする請求項6に記載のEUV級基板の製造方法。
- 前記有機ポリマー材料層の厚さが20nm~100nmであり、および/または、前記亀裂のサイズが2nm~50nmである、ことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載のEUV級基板の製造方法。
- 請求項1~7のいずれか一項に記載のEUV級基板の製造方法によって、EUV級基板を形成するステップ;
前記EUV級基板のスピンオンカーボン層上に反射膜スタック層および吸収体層を順次形成して、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;を含む、
ことを特徴とするEUVフォトマスクブランクの製造方法。 - 請求項8に記載のEUV級基板の製造方法によって、EUV級基板を形成するステップ;
前記EUV級基板のスピンオンカーボン層上に反射膜スタック層および吸収体層を順次形成して、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;を含む、
ことを特徴とするEUVフォトマスクブランクの製造方法。 - 前記スピンオンカーボン層に前記反射膜スタック層を形成した後、前記吸収体層を形成する前に、前記反射膜スタック層にカバー層を形成するステップをさらに含み、
前記吸収体層を形成した後に、前記基板の、前記スピンオンカーボン層とは反対方向を向いた表面に裏面導電層を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項9に記載のEUVフォトマスクブランクの製造方法。 - 前記スピンオンカーボン層に前記反射膜スタック層を形成した後、前記吸収体層を形成する前に、前記反射膜スタック層にカバー層を形成するステップをさらに含み、
前記吸収体層を形成した後に、前記基板の、前記スピンオンカーボン層とは反対方向を向いた表面に裏面導電層を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項10に記載のEUVフォトマスクブランクの製造方法。 - 請求項9に記載のEUVフォトマスクブランクの製造方法によって、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;
前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層をエッチングして、前記吸収体層に第1パターンを形成するステップ;
前記第1パターンの外周の前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層および反射膜スタック層をエッチングし、且つ前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面でエッチングを停止して、第2パターンを形成するステップ;を含む、ことを特徴とするEUVフォトマスクの製造方法。 - 請求項11に記載のEUVフォトマスクブランクの製造方法によって、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;
前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層をエッチングして、前記吸収体層に第1パターンを形成するステップ;
前記第1パターンの外周の前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層および反射膜スタック層をエッチングし、且つ前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面でエッチングを停止して、第2パターンを形成するステップ;を含む、ことを特徴とするEUVフォトマスクの製造方法。 - 請求項10に記載のEUVフォトマスクブランクの製造方法によって、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;
前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層をエッチングして、前記吸収体層に第1パターンを形成するステップ;
前記第1パターンの外周の前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層および反射膜スタック層をエッチングし、且つ前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面でエッチングを停止して、第2パターンを形成するステップ;を含む、ことを特徴とするEUVフォトマスクの製造方法。 - 請求項12に記載のEUVフォトマスクブランクの製造方法によって、EUVフォトマスクブランクを形成するステップ;
前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層をエッチングして、前記吸収体層に第1パターンを形成するステップ;
前記第1パターンの外周の前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層および反射膜スタック層をエッチングし、且つ前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面でエッチングを停止して、第2パターンを形成するステップ;を含む、ことを特徴とするEUVフォトマスクの製造方法。 - EUV級基板であって、
熱膨張係数が1ppm/℃以下の石英基板であるブランク;
前記ブランク上に形成され、熱膨張係数が-10ppm/℃~0ppm/℃であり、弾性率が前記ブランクの弾性率よりも小さく、対応する亀裂が形成されている、負の熱膨張係数を有する有機ポリマー材料層;
前記有機ポリマー材料層の表面に形成され、対応する亀裂を填充し除去可能なスピンオンカーボン層であって、前記スピンオンカーボン層の上面は、表面欠陥サイズが10nm未満の平坦性に達し、前記スピンオンカーボン層は正の熱膨張係数を有し、前記有機ポリマー材料層の熱膨張係数と互いに補償し合って、EUV級基板の表面の熱膨張係数が0.1ppm/℃以下になるようにする、スピンオンカーボン層;
を含む、ことを特徴とするEUV級基板。 - 前記有機ポリマー材料層と前記ブランクとの弾性率の比が0.1~0.9である、ことを特徴とする請求項17に記載のEUV級基板。
- 前記有機ポリマー材料層の材料は、アミド構造を有するポリイミド材料を含む、ことを特徴とする請求項17に記載のEUV級基板。
- 前記有機ポリマー材料層の厚さが20nm~100nmであり、および/または、前記亀裂のサイズが2nm~50nmである、ことを特徴とする請求項17に記載のEUV級基板。
- 請求項17~20の何れか一項に記載のEUV級基板;
前記EUV級基板のスピンオンカーボン層上に形成される反射膜スタック層;
前記反射膜スタック層に形成される吸収体層;
を含む、ことを特徴とするEUVフォトマスクブランク。 - 前記反射膜スタック層の上層反射膜と前記吸収体層との間に形成されたカバー層;
前記EUV級基板の、前記反射膜スタック層とは反対方向を向いた表面に形成される裏面導電層;
を含む、ことを特徴とする請求項21に記載のEUVフォトマスクブランク。 - 請求項21に記載のEUVフォトマスクブランクを用いたEUVフォトマスクであって、
前記EUVフォトマスクは、第1パターンおよび第2パターンをさらに有し、
前記第1パターンは、前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層に形成され、
前記第2パターンは、前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層と反射膜スタック層を貫通して、前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面を露出する、ことを特徴とするEUVフォトマスク。 - 請求項22に記載のEUVフォトマスクブランクを用いたEUVフォトマスクであって、
前記EUVフォトマスクは、第1パターンおよび第2パターンをさらに有し、
前記第1パターンは、前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層に形成され、
前記第2パターンは、前記EUVフォトマスクブランクの吸収体層と反射膜スタック層を貫通して、前記EUVフォトマスクブランクのスピンオンカーボン層の表面を露出する、ことを特徴とするEUVフォトマスク。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047014A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子、光学素子の製造方法及び光ヘッド |
JP2015122480A (ja) | 2013-10-30 | 2015-07-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
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Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2904541B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-06-14 | アンリツ株式会社 | 所定の位相差を生じさせる光学ガラス部材及び製造方法 |
US6048652A (en) * | 1998-12-04 | 2000-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Backside polish EUV mask and method of manufacture |
US6368942B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-04-09 | Euv Llc | Method for fabricating an ultra-low expansion mask blank having a crystalline silicon layer |
DE10142656A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichten auf III-V-Nitridhalbleiter-Basis |
US6835503B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks |
JP2005039082A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Toppan Printing Co Ltd | マスクブランクス及びステンシルマスク及びその製造方法及びその露光方法 |
KR20070003887A (ko) * | 2004-04-22 | 2007-01-05 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 반사형 마스크용 저팽창 유리 기판과 반사형 마스크 |
US7671348B2 (en) * | 2007-06-26 | 2010-03-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Hydrocarbon getter for lithographic exposure tools |
DE102010028488A1 (de) * | 2010-05-03 | 2011-11-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Substrate für Spiegel für die EUV-Lithographie und deren Herstellung |
KR102167485B1 (ko) * | 2012-09-13 | 2020-10-19 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
CN111199876A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 光刻缺陷修复方法以及半导体器件的制作方法 |
CN111063610B (zh) * | 2019-12-30 | 2024-02-02 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 光刻缺陷修复方法 |
JP2022069301A (ja) * | 2020-10-23 | 2022-05-11 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体ウェハ |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047014A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子、光学素子の製造方法及び光ヘッド |
JP2015122480A (ja) | 2013-10-30 | 2015-07-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
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